DE1041530B - Schaltungsanordnung zur Herstellung einer zweiseitig gerichteten Verbindung zur UEbertragung von Signalen oder Nachrichten zwischen zwei Stromkreisen - Google Patents
Schaltungsanordnung zur Herstellung einer zweiseitig gerichteten Verbindung zur UEbertragung von Signalen oder Nachrichten zwischen zwei StromkreisenInfo
- Publication number
- DE1041530B DE1041530B DEI9032A DEI0009032A DE1041530B DE 1041530 B DE1041530 B DE 1041530B DE I9032 A DEI9032 A DE I9032A DE I0009032 A DEI0009032 A DE I0009032A DE 1041530 B DE1041530 B DE 1041530B
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- transistor
- switch
- circuit arrangement
- arrangement according
- emitter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04Q—SELECTING
- H04Q3/00—Selecting arrangements
- H04Q3/42—Circuit arrangements for indirect selecting controlled by common circuits, e.g. register controller, marker
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/60—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors
- H03K17/68—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors specially adapted for switching ac currents or voltages
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04Q—SELECTING
- H04Q3/00—Selecting arrangements
- H04Q3/42—Circuit arrangements for indirect selecting controlled by common circuits, e.g. register controller, marker
- H04Q3/52—Circuit arrangements for indirect selecting controlled by common circuits, e.g. register controller, marker using static devices in switching stages, e.g. electronic switching arrangements
- H04Q3/521—Circuit arrangements for indirect selecting controlled by common circuits, e.g. register controller, marker using static devices in switching stages, e.g. electronic switching arrangements using semiconductors in the switching stages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2893/00—Discharge tubes and lamps
- H01J2893/007—Sequential discharge tubes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Devices For Supply Of Signal Current (AREA)
- Rectifiers (AREA)
- Stroboscope Apparatuses (AREA)
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung zur Herstellung einer zweiseitig gerichteten Verbindung
zwischen zwei Punkten. Eine solche Verbindung kann mit Hilfe von Bauelementen mit beweglichen
Teilen, z. B. Schaltern, Relais oder Wählern, hergestellt werden. Bauelemente dieser Art unterliegen
aber der Abnutzung und Verschmutzung und benötigen verhältnismäßig viel Raum und zu ihrer Betätigung
beträchtliche Zeit und Leistung. In dafür geeigneten Anlagen ist man daher auf elektronische
Schaltmittel sowie auf Richtleiterelemente übergegangen. Diese vermeiden zwar die Nachteile der mechanisch
betätigten Schaltmittel, besitzen aber dafür in den beiden Verbindungsrichtungen unterschiedliche
Eigenschaften und zum Teil geringe Lebensdauer und eine gewisse !Instabilität. Nur im Falle der Richtleiter
kann durch ihre paarweise Anordnung Symmetrie hergestellt werden. Allen diesen Anordnungen
haftet noch als weiterer Nachteil ihr großer Stromverbrauch an.
Erfindungsgemäß wird zur Vermeidung dieser Nachteile zwecks Herstellung einer zweiseitig gerichteten
Verbindung zur Übertragung von Signalen oder Nachrichten zwischen zwei Stromkreisen eine Schaltungsanordnung
verwendet, in der als Schaltorgan ein symmetrisches statisches Bauelement verwendet wird,
welches eine erste Elektrode und zwei gleiche symmetrische zweite Elektroden besitzt. Der eine Stromkreis
ist dabei mit der einen und der andere Stromkreis mit der anderen der symmetrischen Elektroden
verbunden. Ferner ist die erste Elektrode mit einem Steuerpunkt verbunden, welcher jeweils eines von
zwei Steuerpotentialen führt, von denen das eine gegenüber dem Potential der symmetrischen Elektrode
positiv (bzw. negativ) und das andere negativ (bzw. positiv) ist. Der Widerstand des statischen Bauelementes
zwischen den symmetrischen Elektroden ist dann beim Anliegen des einen Steuerpotentials verhältnismäßig
klein und beim Anliegen des anderen Steuerpotentials verhältnismäßig groß. In Weiterbildung
des Erfindungsgedankens wird als symmetrisches Bauelement ein symmetrischer Flächentransistor
verwendet, der eine Basiselektrode und zwei gleichartige Emitter besitzt.
Eine Anordnung, die als Schalterelemente Flächentransistoren verwendet, hat den weiteren Vorteil, daß
die von der Betriebsspannungsquelle gelieferten Ströme beträchtlich kleiner als die vom Schalter
durchgeschalteten Ströme sind.
Die Erfindung wird nun an Hand einiger Ausführungsbeispiele mit Hilfe der Zeichnungen beschrieben.
Hierbei zeigt
Fig. 1 das Schaltbild eines einfachen Transistorschalters,
Schaltungsanordnung
zur Herstellung einer zweiseitig
gerichteten Verbindung zur übertragung von Signalen oder Nachrichten
zwischen zwei Stromkreisen
Anmelder:
International
International
Standard Electric Corporation,
New York, N. Y. (V. St. A.)
New York, N. Y. (V. St. A.)
Vertreter: Dipl.-Ing. H. Ciaessen, Patentanwalt,
Stuttgart-Zuffenhausen, Hellmuth-Hirth-Str. 42
Stuttgart-Zuffenhausen, Hellmuth-Hirth-Str. 42
Beanspruchte Priorität:
Großbritannien vom 18. August 1953
Großbritannien vom 18. August 1953
Desmond Sydney Ridler und John David Reynolds,
London,
sind als Erfinder genannt worden
sind als Erfinder genannt worden
Fig. 2 einen aus den in Fig. 1 gezeigten Transistorschaltern
gebildeten Wähler mit vier Ausgängen und einer Ruhestellung, der von einer fünfgliedrigen Zählkette
gesteuert wird,
Fig. 3 symbolisch die Schaltung von Fig. 2,
Fig. 3 symbolisch die Schaltung von Fig. 2,
Fig. 4 die Anwendung einer Anzahl der in Fig. 1 gezeigten Schalter zur wahlweisen Anschaltung von
Aufsprech- und Abgreifköpfen einer magnetischen Trommel,
Fig. S und 6 eine Abwandlung des in Fig. 1 gezeigten Schalters,
Fig. 7, wie ein Transistorschalter von mehreren Punkten aus gesteuert wird,
Fig. 8 mehrere matrixartig angeordnete Transistorschalter gemäß dem in Fig. 7 gezeigten Prinzip,
Fig. 9 eine Abwandlung der in den Fig. 5, 6 und 7 gezeigten Schaltungen,
Fig. 10 eine weitere Abwandlung der in diesen Figuren gezeigten Schaltungen.
Die in Fig. 1 gezeigte Schaltung verwendet als Schaltelement einen pnp-Flächentransistor ΛΊ, der
die Eigenschaft hat, daß Emitter und Kollektor vertauschbar sind. Solche Transistoren werden symmetrische
Transistoren genannt. Die folgende Beschrei-
8OS 653 "133
bung und Ansprüche beziehen sich auf solche. Die Elektroden, die entweder als Emitter oder Kollektor
verwendet werden, werden in Beschreibung und Ansprüchen als Emitter bezeichnet.
Weitere in der Schaltung gezeigte Transistoren, f.. B. X2 in Fig. 1, sind Spitzentransistoren, deren
Stromverstärkung größer als Eins ist. Eine kleine Änderung des Emitterstromes ruft eine größere Änderung
des Kollektorstromes hervor. Solche Transistoren sind also nicht symmetrisch.
Der Transistor X 2 bildet einen Teil einer Speicherschaltung,
welche zwei stabile Zustände annehmen kann. Im Ruhezustand ist der durch Emitter und
Kollektor fließende Strom sehr klein, im Arbeitszustand ist der Strom relativ hoch. Wie gezeigt, ist X2
normalerweise im Ruhezustand, bei dem der Emitter die Spannung + V annimmt, die über den Widerstand
Rl zugeführt wird. Die hierbei an der Basiselektrode über den Widerstand angelegte Spannung
ist so, daß der Emitter bezüglich der Basis negatives Potential führt und der Transistor seinen Ruhezustand
einnimmt.
Um X2 in seinen Arbeitszustand zu versetzen, wird an seine Basis über den Widerstand R2 ein
negativer Impuls geeigneter Gestalt angelegt, so daß infolge des Stromflusses in dem durch die Widerstände
R2 und i?3 gebildeten Spannungsteiler der Emitter bezüglich der Basis positives Potential an
nimmt. Da die Stromverstärkung von X 2 größer als Eins ist, nimmt der Transistor sehr schnell seinen
Arbeitszustand ein, bei dem relativ hohe Emitter- und Kollektorströme fließen. Um X2 in seinen Ruhezustand
zurückzuversetzen, wird an seinen Kollektor über die Leitung L ein positiver Impuls angelegt. An
Stelle von X2 in Fig. 1 und der in den übrigen Schaltungen gezeigten Steuertransistoren kann ebensogut
eine der bekannten bistabilen Anordnungen treten.
Der Stromkreis von Xl besitzt einen Basiswiderstand i?4, dessen unteres Ende mit der Steuerspannungsquelle
der Einrichtung verbunden ist. Die Rechtecke A und B sind gleichzeitig Wechselspannungsquellen
und -verbraucher und gleichartig, d. h. die Schaltung ist zweiseitig gerichtet. Die zwei anderen
Elektroden erhalten als Grundvorspannung Erdpotential, das über die Drosseln Ll und L2 zügeführt
wird.
Im Ruhezustand, in dem X 2 gesperrt ist, liegt das am Emitter von X 2 herrschende Potential an der
Basis von X1 und sperrt auch diesen, d. h. es fließt
ein sehr kleiner oder gar kein Strom in der Basis von Xl. In diesem Falle sind die Schaltungen A und B
miteinander nur über den zwischen den beiden Emittern herrschenden Widerstand in der Größenordnung
von 107 Ohm verbunden. Der durch Xl gebildete Schalter ist daher geöffnet. Das Potential, das den
Transistorschalter Xl geöffnet hält, muß genügend groß sein, damit die Spitzen der angelegten Wechselspannung
den Schalter nicht schließen können. In diesem Zustand ist der Transistorschalter für alle
praktischen Fälle geöffnet.
Befindet sich X2 im Arbeitszustand, so fließt durch Rl der Emitterstrom von X2, so daß das am unteren
Ende von Zl angelegte Potential negativ ist. Xl ist
dann entsperrt, wodurch die Strecke zwischen den zwei Emittern von Xl einen Widerstandswert in der
Größenordnung von 50 Ohm annimmt. Der zweiseitig gerichtete Weg zwischen den Schaltungen A und B
ist dann über den Transistorschalter geschlossen. Er bleibt dies so lange, als das negative Potential an der
Basis von Xl anliegt. Dabei kann nun zwischen A and B oder zwischen B und A ein Wechselstrom
fließen, dessen Amplitude merklich größer als diejenige des Basisstromes sein kann. Die Beziehung
zwischen dem maximal übertragbaren Wechselstromspitzenwert IM und dem Ruhewert des Basisstromes i
ist durch die Beziehung In = gegeben, wobei α
den Stromverstärkungsfaktor des Transistors Xl darstellt (o<l).
Um den Transistorschalter zu öffnen, muß an der Basis von Xl das ursprüngliche positive Potential
wieder angelegt werden. Das geschieht in Fig. 1 durch Zurückstellen von X2 in seinen Ruhezustand, z. B.
durch Anlegen eines positiven Impulses an die Leitung L.
An Stelle eines pnp-Transistors für Xl kann ein
npn-Transistor Verwendung finden, wenn die Polarität der an ihn angelegten Potentiale umgekehrt wird.
Die Drosseln L2 und Ll können durch Widerstände
ersetzt werden, wenn die durch sie verursachte Dämpfung zulässig ist.
Fig. 2 zeigt einen aus vier symmetrischen Transistoren XGl bis XG 4 gebildeten Wähler mit vier
Ausgängen. Die Eingangsklemme A ist mit den linken Emittern aller Transistoren XG verbunden,,
während die rechten Emitter zu Klemmen B bis E führen. Die mit den Emittern verbundenen Drosselspulen
sind mit der Spannungsquelle —VI verbunden, während die Basiselektroden über Widerstand
2? 4 zu Steuerpunkten an den Emittern der steuernden Transistoren XAl bis XA4 führen,
welche über Widerstände i?9 mit Erde verbunden sind.
Der so gebildete Wähler wird von einer aus den Spitzentransistoren XR und XAl bis XA4. gebildeten
Zählkette gesteuert, deren jedes Glied zwei stabile Zustände einnehmen kann, nämlich einen Ruhezustand
mit geringem Stromfluß und einen Arbeitszustand mit hohem Stromfluß. Im Ausgangszustand ist XR in
seinem Ruhezustand. Das wird durch Anlegen eines negativen Impulses an die Basiselektrode von XR
über den Gleichrichter MRl erreicht. Zi? bedingt die Ruhestellung der Zählkette. Es wird nun die
Arbeitsweise der Zählkette beschrieben.
Zwischen aufeinanderfolgenden Stufen ist jeweils ein Koinzidenztor geschaltet, das die Impulsquelle,
den Emitter des ersten Transistors und die Basis des zweiten Transistors verbindet. Angenommen, daß nur
Zi? im Arbeitszustand ist, so wird beim ersten negativen Impuls an der Leitung CL der Gleichrichter
MR 2 sowie infolge des im Widerstand i?10 fließenden Emitterstromes auch der Gleichrichter MR 3
sperren. Dadurch wird über den Gleichrichter Jt/i?4 und den Widerstand i?ll an die Basis von XAl ein
negativer Impuls gelegt, wodurch XAl geschlossen wird und der durch die allen Kollektoren gemeinsam
vorgeschaltete Drossel L3 fließende Strom ansteigt. Dadurch wird an den Kollektor von XR ein positiver
Impuls gelegt, so daß er in seinen Ruhezustand zurückkehrt. Der nächste an der Leitung CL auftretende
Impuls läßt die zyklisch angeordnete Kette um ein Glied weiter schalten.
Der eigentliche Wähler besteht aus den symmetrischen Transistoren ZGl bis ZG4. Der Wählereingang
A ist über den Kondensator C1 mit den linken
Emittern dieser Transistoren verbunden. Über Kondensatoren C 2 sind die rechten Emitter mit den
Wählerausgängen B bis E verbunden.
Um den Wählereingang A mit einem der Ausgänge B bis E zu verbinden, muß an die Basiselektrode des
entsprechenden Transistors XGl bis XG 4 negatives Potential angelegt werden. Dazu sind die Basiselektroden
mit den Emittern der Ringzählertransistoren XAl bis XA4 verbunden. Da in der Ausgangsstellung
des Ringzählers nur XR im Arbeitszustand ist, liegt dabei an den Basiselektroden der Transistoren
XG über die Widerstände i?9 Erdpotential, so daß alle Transistorenschalter XG geöffnet sind.
Um einen Schalter zur Herstellung einer gewünschten Verbindung zu schließen, muß die Zählkette
in den diesem Schalter entsprechenden Zustand gebracht werden. Um also die Klemmen A und D zu
verbinden, muß der Transistor XA3 in seinen Arbeitszustand versetzt werden, was durch Anlegen
dreier Impulse an die Leitung CL geschieht.
Soll die Verbindung aufgehoben werden, so muß die Zählkette in ihre Ausgangslage zurückgestellt
werden. Dies geschieht entweder durch Anlegen von Impulsen an die Leitung CL oder durch Anlegen
eines entsprechenden Potentials an den Transistor Xi?.
In Fig. 3 ist die in Fig. 2 gezeigte Schaltung schematisch als 5gliedrige Zählkette dargestellt, deren
vier letzte Glieder vier Koinzidenzstromtore steuern.
Die dargestellten Wechselstromschalter sind für die Verwendung in automatischen Vermittlungseinrichtungen
geeignet, und die in Fig. 3 dargestellte Schaltung zeigt, wie mehrere dieser Schalter als Wähler
verwendet werden. Ils können Wähler mit beliebig vielen Ausgängen zusammengestellt werden.
Ein weiteres wichtiges Anwendungsgebiet der Erfindung ist die Anschaltung von Abgreif- und Aufsprechköpfen
magnetischer Trommeln. Eine solche Trommel besitzt eine Anzahl von Bahnen, auf denen
Informationen gespeichert werden, wobei jede Bahn einen oder mehrere Speicherköpfe besitzt. Diese
Köpfe können zur Aufzeichnung, zum Abgreifen oder für beide Zwecke verwendet werden. In einigen Fällen
ist es erwünscht, an den Ausgang eines zentralen Aufsprechverstärkers oder an den Eingang eines zentralen
Abgreifverstärkers wahlweise einen von mehreren Köpfen anzuschalten. Fig. 4 zeigt schematisch einen
Ausschnitt mit zwei Köpfen Hl und H 2 aus einer solchen Anordnung mit mehreren Köpfen. Es handelt
sich hierbei um Köpfe mit einfachem Spalt, die als Aufsprech- oder Abgreifköpfe einer Bahn der Trommel
D dienen. Jeder Kopf ist über einen symmetrischen Transistor XIl, X12 mit einer Signalleitung L
verbunden. Diese Leitung L ist ihrerseits über symmetrische Transistoren X13 und X14 mit der Aufsprechschaltung
und dem Abgreifverstärker verbunden. Die Basiselektrode jedes dieser Transistoren ist
über einen Widerstand mit einer Steuerspannungsklemme verbunden, obwohl diese Widerstände bei den
Transistoren X12 und X13 nicht gezeigt sind.
Soll mit einem bestimmten Kopf eine Information abgegriffen oder aufgesprochen werden, so muß er
durch den ihm zugeordneten Transistorschalter an die Leitung L angeschaltet werden. Um abzugreifen oder
aufzusprechen, muß weiter der entsprechende Transistorschalter X13 oder X14 geschlossen werden. Es
wird nun das Abgreifen mit Hilfe des Kopfes Hl beschrieben.
Ein Emitter des Transistorschalters XIl ist über die Spule des Kopfes H1 mit Erde, der andere über
den Widerstand R15 mit positiver Spannung verbunden.
Im Ruhezustand beträgt die Spannung an der Basiselektrode +12 Volt. Das ist der Zustand, der an
den Transistoren X12 und X" 13 herrscht, deren Basiswiderstände
in Fig. 4 fehlen. Soll ein Transistorschalter, z. B. XIl, geschlossen werden, muß seine
Basiselektrode an etwa —50 Volt gelegt werden, so daß ein Basisstrom von etwa 2Milliampere fließt. Da
abgegriffen wird, legen die zur Trommel gehörigen Steuereinrichtungen an das untere Ende des Wider-Standes
R17 eine negative Spannung von etwa 50 Volt, so daß der Kopf Hl mit dem Abgreifverstärker
über die· in Reihe geschalteten Transistorenschalter XIl und X14 verbunden ist.
Alle anderen Transistorenschalter, welche Köpfe ίο an die Leitung L anlegen, wie z. B. X12, sind im
Ruhezustand, da an ihrer Basis das Potential 12 Volt beträgt. Der Transistorschalter X13 zur Verbindung
mit der Aufsprechschaltung ist ebenfalls geöffnet. In Fig. 4 sind die Mittel zur Anlegung der Steuerpotentiale
an die Basiselektroden der Schaltertransistoren nicht gezeigt.
Bei Systemen gemäß Fig. 4 sind die zu übertragenden Informationen Impulse oder Wechselströme
in Rechteckform. Der beim Aufsprechen fließende Strom ist in der Größenordnung von 20 Milliampere.
Daher beträgt der Basisstrom bei einer Stromverstärkung α = 0,9 etwa 2 Milliampere. Da es
ungewöhnlich ist, Ströme dieser Größenordnung aus einem Speicherausgang (Steuertransistor X 2 in
Fig. 1) zu entnehmen, ist es zweckmäßig, zwischen die durch die Emitter des Speichers gebildeten
Steuerpunkte und die Basiselektroden der Schaltertransistoren einen Verstärker einzuschalten. Die
Fig. 5 und 6, von denen Fig. 5 den Zustand »Schalter geöffnet«, Fig. 6 den Zustand »Schalter geschlossen«
darstellt, werden für diesen Zweck verwendet und später beschrieben.
Da sowohl beim Abgreifen wie beim Aufsprechen
über einen Kopf immer zwei symmetrische Transistoren
angeschaltet sind, sind etwa 4 Milliampere zu kompensieren. Zu diesem Zweck wird ein konstanter
Strom von 4 Milliampere über den hochohmigen Widerstand RlS von einer Spannungsquelle mit
hohem positivem Potential in die Leitung L eingespeist.
In den Fig. 5 und 6 sind die Eingangs- und die Ausgangskreise, mit denen die Emitter des symmetrischen
Transistors X15 verbunden sind, sowie die Spannungszuführungen zu diesen Emittern nicht gezeigt.
An die Basis von X15 ist über einen Widerstand
R18 ein Potential von — 50 Volt gelegt. Aus
derselben Spannungsquelle bezieht der Kollektor des Transistors X16 seine Speisespannung. X16 kann,
braucht aber nicht ein symmetrischer Transistor zu sein. Der Widerstand R18 bildet also den Belastungswiderstand
des Kollektorkreises von X16. Der Emitter von X16 ist an + 12 Volt gelegt, und seine Basiselektrode
ist über einen Widerstand 2? 19 mit einem Steuerpunkt CP verbunden.
Wenn das an den Punkt CP angelegte Potential bezüglich des Potentials am Emitter von X16 negativ
ist, d.h. wie in Fig. 5 +10Volt an CP liegen, befindet
sich X16 in seinem Arbeitszustand, und der durch i?19 fließende Basisstrom beträgt etwa 0,2 MiI-liampere.
Gleichzeitig fließt ein Kollektorstrom von etwa 2 Milliampere, und die dadurch am Widerstand
RlS hervorgerufene Spannungsabsenkung läßt die Basis von X15 ein Potential von +11 Volt annehmen.
In diesem Zustand ist X15 gesperrt, d. h. der Schalter ist geöffnet. Die Schaltung muß so dimensioniert
sein, daß im Stromkreis von X16 kein extrem hoher Strom fließt. Wenn das Potential am Punkt CP
positiv gegenüber dem Emitter wird, z. B. + 13VoIt, wie in Fig. 6 gezeigt, wird der Steuertransistor X16
gesperrt und somit sein Kollektorstrom unterbunden.
Die Basisspannung an Z15 wird daher schnell negativ,
so daß der durch X15 gebildete Schalter geschlossen wird und durch den Basisanschluß von X15 ein
Steuerstrom fließen kann. Die Verwendung eines Steuertransistors X16 hat ferner den Vorteil, daß
die Dämpfung der Signale bei geöffnetem Schalter erhöht wird, da die Basiselektrode des Transistorschalters
über einen kleinen Wechselstromwiderstand wirksam geerdet ist, so daß der Transistorschalter als ein
Impedanzwandler in T-Schaltung mit sehr kleinen Widerständen in den Horizontalarmen und großem
Widerstand im Vertikalarm wirkt.
Die mit Bezug auf die Fig. 5 und 6 beschriebene Schaltung kann nicht nur für magnetische Trommeln
verwendet werden, sondern ebenso Teil eines automatischen Telefonvermittlungssystems bilden.
Das in den Fig. 5 und 6 gezeigte System, bei dem ein Transistorschalter von einem Steuerpunkt aus
über einen Verstärker betätigt wird, kann auch dort verwendet werden, wo die Betätigung eines Transistorschalters
von verschiedenen Punkten aus erwünscht ist, z. B. bei Steuerung durch eine Koinzidenzschaltung.
Eine solche Schaltung ist in Fig. 7 gezeigt. Dort bildet ein symmetrischer Transistor Z17 einen
Schalter zwischen dem Kopf H und der gemeinsamen Signalleitung L. Die Basiselektrode ist über zwei
Gleichrichter MR8 und MR9 zur Steuerung mit
Transistoren verbunden, z. B. Z18 für MR 8. Der zu
MR 9 gehörige Steuertransistor ist nicht gezeigt.
Die beiden Gleichrichter MR 8 und Mi? 9 bilden
zusammen mit der über i?20 angeschlossenen Spannungsquelle von — 50 Volt ein Koinzidenztor für
negative Potentiale. Jeder der beiden Eingänge des Koinzidenztores enthält einen Gleichrichter, und
der mit der Basis von Z17 verbundene Knotenpunkt des Tores kann nur negatives Potential annehmen,
wenn die beiden Gleichrichter durch Anlegen einer entsprechenden Spannung stromundurchlässig gemacht
sind. Das ist nur der Fall, wenn die beiden Steuertransistoren durch die an ihren Steuerpunkten anliegende
Spannung gesperrt sind, der Punkt CP also positiv gegenüber der Spannung am Emitter des
Transistors Z18 ist.
Da ein Transistorverstärker (z.B. Z18 in Fig. 7
oder Z" 16 in den Fig. 5 und 6) mehrere Transistorschalter steuern kann, ist diese Methode zur Auswahl
von Transistorschaltungen auf Koordinatenbasis anwendbar, indem die Ausgänge einer Anzahl
von Binärspeichern verwendet werden.
Als Beispiel hierfür zeigt Fig. 18 hundert Transistorschalter XSl bis XSlOO, die koordinatenmäßig
in Reihen und Zeilen angeordnet sind. Außerdem sind zehn Steuertransistoren HC1 bis HC10 und zehn
Steuertransistoren FCl bis VClO zur Horizontal-
und Vertikalwahl angeordnet, die als Verstärker in gleicher Weise wie Z18 wirken. Die Emitter aller
Transistoren HC und VC sind mit einer Spannungsquelle von + 12 Volt verbunden, ihre Kollektoren
über einen Gleichrichter mit einer solchen von — 12 Volt und über einen Widerstand mit einer
solchen von — 50 Volt, während ihre Basiselektroden über einen Widerstand zu Steuerpunkten CHI Ms
CH-: Q und CVl bis CFlO führen.
V ί jedem Kollektor der Transistoren //Coder VC
geht eine Leitung aus, mit deren Hilfe eine Reihe oder eine Zeile von Transistorschaltern gesteuert wird.
Die Basis jedes Transistorschalters ist über einen Widerstand mit — 50 Volt verbunden, ein Emitter jeweils
mit einer Ausgangsklemme, z. B. mit einem Abgreif- oder Aufsprechkopf i7, wenn angenommen wird,
daß die in Fig. 8 gezeigte Schaltung zur Auswahl eines der hundert Köpfe der magnetischen Trommel
dient. Die anderen Emitter sind mit einer gemeinsamen Signalleitung L verbunden und bilden die Eingangsklemme
des lOöteiligen Schalters. Das eine Wicklungsende jedes Kopfes ist geerdet, wie es Fig. 8
zeigt. Die gemeinsame Signalleitung L wird in nicht gezeigter Weise wie in Fig. 4 über einen Widerstand
mit einer positiven Spannungsquelle oder mit Erde
ίο verbunden, so daß eine definierte Spannung auftritt.
Die Basis jedes Transistorschalters XS wird über einen Torgleichrichter von einem VC- oder HC-Steuertransistor
gesteuert.
Als Beispiel wird die Auswahl des Kopfes Nr. 12 beschrieben. Hierzu ist der Transistorschalter XS12
zu schließen. Es wird ein gegenüber +12 Volt positives Potential, z.B. +13VoIt, an die Steuerpunkte
CH 2 und CF 2 angelegt, so daß die Transistoren i?C2 und FC 2 gesperrt werden und am entsprechen-
ao den Transistorschalter beide Torgleichrichter nichtleitend gemacht werden. Dadurch wird der Transistorschalter
Z12 geschlossen und der mit ihm verbundene Kopf an die Leitung L angelegt.
Die Schaltung nach Fig. 8 kann als Transistoräquivalent eines lOOteiligen Hebdrehwählers, der einen
Eingang und hundert Ausgänge besitzt, verwendet werden. Eine weitere Verwendungsmöglichkeit ist
der Ersatz eines 10 · lOteiligen Crossbarschalters. Zu diesem Zweck müssen die linken Emitter jeweils einer
Spalte und die rechten Emitter jeweils einer Zeile zusammengefaßt werden. Die zehn Spalten bilden
dann die zehn Eingänge, die zehn Zeilen die zehn Ausgänge. In diesem und in jedem anderen Fall, bei
dem die Transistorschalter zur Schaltung von Sprachfrequenz verwendet werden, wendet man zweckmäßig
an den Ein- und Ausgängen Koppelkondensatoren und Drosseln zur getrennten Zuführung von Gleich- und
Wechselspannungen an, wie es in den Fig. 1 und 2 gezeigt ist.
Bei der Verwendung von Transistorschaltern zur Auswahl von Köpfen in einem System mit magnetischen
Trommeln kann es zur Steigerung der erreichbaren Schaltgeschwindigkeit und im Hinblick auf die
Abgreifverstärker erwünscht sein, beim Abgreifen einen kleineren Steuerstrom als beim Aufsprechen zu
verwenden. Fig. 9 zeigt eine Schaltung, mit der dies erreicht wird. Der Transistorschalter Z20 bewirkt
die Verbindung des Kopfes H mit der Signalleitung L. An die Leitung L wird in nicht gezeigter Weise eine
Grundvorspannung angelegt, wie es in Fig. 4 mit dem Widerstand i?15 geschieht. CLA und CLB sind zwei
Steuerleitungen zur Auswahl der Köpfe, die zum Schließen des Transistorschalters Z20 beide negatives
Potential führen müssen.
Das durch die Widerstände i?20 und i?21 und die Gleichrichter Mi? 11 und MR12 gebildete Netzwerk
erlaubt die Herabsetzung des Abgreifstromes. Das Potential der Leitung RWL wird von einer Steuereinrichtung
beeinflußt, die in Fig. 9 nicht gezeigt ist.
Diese Steuereinrichtung legt an die Leitung RWL positives Potential, wenn abgegriffen werden soll. In
diesem Falle macht der durch die Reihenschaltung MR12 und Mi? 21 fließende Strom den Gleichrich* :r
MR11 nichtleitend. Der in der Basiselektrode vjn
Z 20 fließende Strom wird dadurch nur von i?20 bestimmt, da hierbei i?21 unwirksam bleibt. Der in
i?20 fließende Strom wird auf den kleinen Wert von etwa 50 Mikroampere begrenzt, weshalb auch nur ein
relativ kleiner Strom zwischen den Emittern von Z20 fließt.
Beim Aufsprechen wird an die Leitung RWL negatives
Potential angelegt, so daß der Gleichrichter MR12 sperrt. In diesem Fall ist der durch MR11
und R21 für R20 gebildete Nebenschluß wirksam. Der Gesamtwiderstand ist dabei so, daß ein Basisstrom
von 2 Milliampere fließt.
Als Steuereinrichtung für die Leitung RWL kann ein Steuertransistor verwendet werden, wie er in den
Fig. 5 und 6 als ΛΊ6 dargestellt ist. In seinem nichtleitenden
Zustand gibt er eine kennzeichnende Spannung für das Abgreifen und in seinem leitenden Zustand
für das Aufsprechen ab.
Bei der Verwendung magnetischer Trommeln in Umrechnern sind auf einer Anzahl von Bahnen
dauernd Informationen gespeichert. Diese werden im Bedarfsfall entsprechend abgegriffen, wobei es unerwünscht
ist, daß sie dabei versehentlich geändert oder gelöscht werden. Für diese Anwendung erfährt die
in Fig. 9 gezeigte Schaltung zur Verminderung des durch den Transistorschalter fließenden Stromes während
des Abgreifens eine Abwandlung gemäß Fig. 10.
X21 ist hierbei der Transistorschalter, der den
Kopf H und die Signalleitung L verbindet. Seine Basiselektrode wird von einer aus den Gleichrichtern
MR13 und MRIi und dem Widerstand R22 gebildeten
Torschaltung gesteuert. Die Torschaltung wird in nicht gezeigter Weise von zwei Transistoren geschaltet,
wie es in den Fig. 5 und 6 durch X16 geschieht. Wie üblich, schaltet Z21 durch, wenn die
beiden Gleichrichter MR13 und MR14 sperren. In
diesem Falle sind dann auch die Gleichrichter MRtB und MRIß gesperrt, so daß Stromfluß aus der Leitung
L über MR17 und i?23 zum negativen Pol der
Spannungsquelle eintritt. i?22 und i?23 sind so gewählt, daß bei geschlossenem Transistorschalter Λ"21
durch i?22 etwa SO Mikroampere und der Rest des Stromes durch R23 fließt. Durch den geringen Strom
ist gewährleistet, daß über X21 und H keine Information
aufgesprochen werden kann.
Soll Ä'21 den Kopf H von der Leitung L abtrennen,
so müssen die beiden Steuerleitungen aus den Gleichrichtern positives Potential führen, wodurch
MR17 gesperrt wird.
45
Claims (20)
1. Schaltungsanordnung zur Herstellung einer zweiseitig gerichteten Verbindung zur Übertragung
von Signalen oder Nachrichten zwischen zwei Stromkreisen, dadurch gekennzeichnet, daß
als Schaltorgan ein symmetrisches, statisches Bauelement verwendet wird, welches eine erste Elektrode
und zwei gleiche symmetrische zweite Elektroden besitzt, und daß der eine Stromkreis mit
der einen und der andere Stromkreis mit der anderen der symmetrischen Elektroden verbunden
ist, und daß die erste Elektrode mit einem Steuerpunkt verbunden ist, welcher jeweils eines von
zwei Steuerpotentialen führt, von denen das eine gegenüber dem Potential der symmetrischen Elektroden
positiv (bzw. negativ) und das andere negativ (bzw. positiv) ist, und daß der Widerstand des
statischen Bauelementes zwischen den symmetrischen Elektroden beim Anliegen des einen Steuerpotentials
verhältnismäßig klein und beim Anliegen des anderen Potentials am Steuerpunkt verhältnismäßig
groß ist.
2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die zu übertragenden
Signale oder Nachrichten in Form von Wechselströmen oder Impulsen gegeben werden.
3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als symmetrisches elektrisches
Bauelement ein symmetrischer Flächentransistor vom npn-Typ (bzw. pnp-Typ) verwendet
wird, der eine Basiselektrode und zwei gleiche Emitter besitzt.
4. Schaltungsanordnung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Basiselektrode mit
dem Steuerpunkt über einen Widerstand (ohmscher Widerstand in Fig. 1) verbunden ist.
5. Schaltungsanordnung nach den Ansprüchen 3 und 4, dadurch gekennzeichnet, daß an die Emitter
jeweils über einen Widerstand (Drosseln Ll und L 2 in Fig. 1) die Betriebsspannung zugeführt
wird.
6. Schaltungsanordnung nach den Ansprüchen 3 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Steuerpunkt
am Ausgang einer bistabilen Kippschaltung liegt.
7. Schaltungsanordnung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die bistabile Kippschaltung
einen Transistor (X 2 in Fig. 1) enthält, dessen Stromverstärkung größer als Eins ist, dessen
Emitter mit dem Steuerpunkt und über die Parallelschaltung eines ohmschen Widerstandes (Rl
in Fig. 1) und eines Kondensators mit positiver Spannung (4- V in Fig. 1), dessen Kollektor über
einen Widerstand mit negativer Spannung und dessen Basis über einen Widerstand (R3 in Fig. 1)
mit der obengenannten positiven Spannung verbunden sind, und daß sie Schaltmittel enthält, die
ein Kippen der Anordnung von einem stabilen Zustand in den anderen bewirken (über R2 und Leitung
L in Fig. 1).
8. Schaltungsanordnung nach den Ansprüchen 5 und 7, dadurch gekennzeichnet, daß der in der
Basiselektrode des Transistors fließende größte Strom beträchtlich kleiner als der über die Schalterstrecke
zwischen den Emittern fließende Signalwechselstrom ist.
9. Schaltungsanordnung nach Anspruch 4 und 5,
dadurch gekennzeichnet, daß an die Emitter des Transistorschalters über Widerstände die Betriebsspannung
getrennt angelegt ist und die Basiselektrode gleichzeitig über einen Widerstand (R18 in
Fig. 5, 6) mit einer gegenüber der Betriebsspannung negativen Spannungsquelle und mit dem
Steuerpunkt verbunden ist.
10. Schaltungsanordnung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen den Steuerpunkt
und die Basiselektrode des Transistorschalters ein Transistorverstärker (X 16 in Fig. 5, 6)
so eingefügt ist, daß die den Steuerpunkt speisende Stromquelle (P in Fig. 5, 6) nur schwach belastet
wird.
11. Schaltungsanordnung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß der Emitter des Verstärkertransistors
(X 16 in Fig. 5 und 6) an einer positiven Spannungsquelle liegt und sein Kollektor
so mit der Basis des Schaltertransistors (X 15) verbunden ist, daß der Basiswiderstand (RlS) des
Schaltertransistors und der an ihm entstehende Spannungsabfall den äußeren Widerstand und die
Betriebsspannung des Kollektorkreises des Verstärkertransistors bilden und die Basiselektrode
des Verstärkertransistors so über einen Widerstand (i?19) mit dem Steuerpunkt (CP) verbunden
ist, daß bei gegenüber der Emitterspannung
809 659/180
des Verstärkertransistors negativem Steuerpotential am Steuerpunkt der Verstärkertransistor
leitend wird (Fig. 5) und infolge des Ansteigens seiner Kollektorspannung den Transistorschalter
öffnet, und daß bei gegenüber der Emitterspannung des Verstärkertransistors positivem Steuerpotential
am Steuerpunkt der Verstärkertransistor keinen oder nur geringen Strom führt (Fig. 6) und
infolge des Abfallens seiner Kollektorspannung den Transistorschalter schließt.
12. Schaltungsanordnung nach den Ansprüchen 10 und 11, dadurch gekennzeichnet, daß der Transistorschalter
so mit mehreren Steuerpunkten verbunden ist, daß er nur geschlossen ist, wenn gleichzeitig an allen Steuerpunkten das entsprechende
Potential anliegt (Fig. 7).
13. .Schaltungsanordnung nach Anspruch 12, dadurch
gekennzeichnet, daß die Basis des Schaltertransistors (X 17 in Fig. T) mit jedem Steuerpunkt
(CP) jeweils über einen Gleichrichter (MRS, MR9), der so gepolt ist, daß in seiner Durchlaßrichtung
Strom zur Basis des Schaltertransistors fließt, und über einen Transistorverstärker verbunden
ist, dessen Kollektor zusätzlich mit einer schwach negativen Spannungsquelle über einen
Gleichrichter verbunden ist, der so gepolt ist, daß in seiner Durchlaßrichtung Strom zum Kollektor
des Verstärkertransistors fließt.
14. Schaltungsanordnung nach den Ansprüchen 12 und 13 mit einer Mehrzahl von Transistorschaltern,
von denen jeder ein anderes Paar vom zwei Punkten verbindet, dadurch gekennzeichnet,
daß die Basiselektrode jedes Transistorschalters (XSl bis XSlOQ in Fig. 8) mit einer besonderen
Kombination von Steuerpunkten (CHl bis CHlQ,
CFl bis CVlQ) so verbunden ist, daß der Transistorschalter
nur geschlossen ist, wenn an der ihm entsprechenden Kombination von Steuerpunkten
entsprechendes Potential anliegt.
15. Schaltungsanordnung nach den Ansprüchen 9 bis 14. dadurch gekennzeichnet, daß die durch
den oder die Transistorschalter (XIl, X12 in
Fig. 4) verbundenen Punkte einerseits mit den
Klemmen eines oder einer Mehrzahl magnetischer Abgreif- und/oder Aufsprechköpfe und andererseits
mit einer Signalleitung so verbunden sind, daß gleichzeitig nur ein Kopf mit der Leitung verbunden
ist.
16. Schaltungsanordnung nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß zwei weitere Schaltertransistoren
(X 13, X14 in Fig. 4) jeweils mit ihrem ersten Emitter an die Signalleitung (L) an- S.
geschlossen sind und der eine Schaltertransistor mit seinem zweiten Emitter mit dem Eingang
eines Abgreifverstärkers und der andere Schaltertransistor mit seinem zweiten Emitter mit der
Aufsprechschaltung verbunden sind, und daß Schaltmittel vorgesehen sind, die jeweils nur einen
der Transistorschalter schließen.
17. Schaltungsanordnung nach Anspruch 15 oder 16, dadurch gekennzeichnet, daß Schaltmittel
(MR 11, MR12, R21 in Fig. 9) vorgesehen sind,
mit deren Hilfe durch Beeinflussung des wirksamen Basiswiderstandes des Schaltertransistors
der Basisstrom und damit auch der den magnetischen Kopf (H) durchfließende Emitterstrom in
Abhängigkeit einer an der Leitung (RWL) auftretenden, das Abgreifen oder das Aufsprechen
kennzeichnenden S teuer spannung so beeinflußt wird, daß er beim Abgreifen kleiner als beim Aufsprechen
ist.
18. Schaltungsanordnung nach den Ansprüchen 3 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß zur Herstellung
einer zweiseitig gerichteten Verbindung zwischen einem ersten (A in Fig. 2) und wahlweise
einem aus einer Anzahl zweiter Punkte (B, C, D, E) eine entsprechende Anzahl Schaltertransistoren
angeordnet ist, deren erste Emitter mit dem ersten Punkt und deren zweite Emitter jeweils mit einem
der zweiten Punkte verbunden sind und deren Basiselektroden jeweils mit einem aus einer entsprechenden
Anzahl von Steuerpunkten einer Auswahleinrichtung verbunden sind, die an den Steuerpunkt des zu schließenden Transistorschalters
ein entsprechendes Potential anlegt.
19. Schaltungsanordnung nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, daß die Auswahleinrichtung
eine Zählschaltung mit einer Ruhestellung und einer der Anzahl der angeschlossenen Schaltertransistoren
entsprechende Anzahl von Gliedern besitzt, daß sie Schaltmittel zur Einstellung der
Zählschaltung auf ein gewünschtes Glied enthält und daß nur das eingestellte Glied an seinem Ausgang
das zum Schließen des angeschlossenen Transistorschalters benötigte Potential führt.
20. Schaltungsanordnung nach Anspruch 19 dadurch gekennzeichnet, daß die Zählkette für ihre
Ruhestellung und für jedes ihrer Glieder einen Transistor enthält.
In Betracht gezogene Druckschriften: Proceedings of the IRE, 1952, S. 1320, Fig. 15;
1536, Fig. 13a; S. 1537, Fig. 15.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen
©«09 659/18« TO.
Applications Claiming Priority (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB803551A GB695497A (en) | 1951-04-06 | 1951-04-06 | Improvements in or relating to automatic telecommunication exchange system |
GB2273953A GB780831A (en) | 1953-08-18 | 1953-08-18 | Improvements in or relating to electrical switches employing bi-directional transistors |
GB100554A GB753357A (en) | 1954-01-13 | 1954-01-13 | Improvements in or relating to electric code translators |
GB953755A GB769617A (en) | 1955-04-01 | 1955-04-01 | Improvements in or relating to electronic registering equipment |
US578823A US2828365A (en) | 1956-04-17 | 1956-04-17 | Relayless line circuit |
GB37/75A GB1488174A (en) | 1974-01-10 | 1975-01-02 | Electrical penetration assemblies |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1041530B true DE1041530B (de) | 1958-10-23 |
Family
ID=27546432
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DEJ5701A Expired DE929558C (de) | 1951-04-06 | 1952-04-06 | Automatische Fernamtsanlage |
DEI9032A Pending DE1041530B (de) | 1951-04-06 | 1954-08-18 | Schaltungsanordnung zur Herstellung einer zweiseitig gerichteten Verbindung zur UEbertragung von Signalen oder Nachrichten zwischen zwei Stromkreisen |
DEI9667A Expired DE972850C (de) | 1951-04-06 | 1955-01-14 | Schaltungsanordnung fuer Umrechner mit ferromagnetischen Ringkernen und Toroidspulen |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DEJ5701A Expired DE929558C (de) | 1951-04-06 | 1952-04-06 | Automatische Fernamtsanlage |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DEI9667A Expired DE972850C (de) | 1951-04-06 | 1955-01-14 | Schaltungsanordnung fuer Umrechner mit ferromagnetischen Ringkernen und Toroidspulen |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US2851534A (de) |
BE (4) | BE531193A (de) |
CH (2) | CH321711A (de) |
DE (3) | DE929558C (de) |
FR (1) | FR1059016A (de) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1190034B (de) * | 1961-08-31 | 1965-04-01 | Gen Electric Co Ltd | Elektronische Torschaltung |
DE1205583B (de) * | 1953-12-04 | 1965-11-25 | Philips Nv | Schaltungsanordnung zur Erzeugung eines elektrischen Widerstandes mittels eines Transistors zum Schliessen oder Unterbrechen eines elektrischen Wechselstromkreises |
DE1300971B (de) * | 1968-02-02 | 1969-08-14 | Standard Elektrik Lorenz Ag | Codewandler mit Transistoren, z. B. fuer einen Kennungszuordner in Fernmelde-, insbesondere in Fernsprechvermittlungsanlagen |
DE2022495A1 (de) * | 1969-05-30 | 1970-12-03 | Philips Nv | Schaltungsanordnung zum impulsgesteuerten Verbinden einer Fernmeldesignalquelle mit einer Fernmeldesignalbelastung |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2984703A (en) * | 1961-05-16 | hartley | ||
BE527585A (de) * | 1951-05-23 | |||
GB831188A (en) * | 1956-06-27 | 1960-03-23 | Automatic Telephone & Elect | Improvements in or relating to telephone systems |
BE559667A (de) * | 1956-08-01 | |||
GB828540A (en) * | 1956-08-28 | 1960-02-17 | Standard Telephones Cables Ltd | Improvements in or relating to data processing equipment |
NL231216A (de) * | 1957-09-14 | |||
US3007004A (en) * | 1957-10-29 | 1961-10-31 | Gen Dynamics Corp | Electronic rate marker |
US2965718A (en) * | 1958-04-18 | 1960-12-20 | Bell Telephone Labor Inc | Translator circuit |
US2976459A (en) * | 1958-07-07 | 1961-03-21 | Gen Motors Corp | Digital computer |
NL232027A (de) * | 1958-10-07 | |||
US3046351A (en) * | 1959-04-20 | 1962-07-24 | North Electric Co | Translator device for automatic telephone system |
GB925166A (en) * | 1959-07-16 | 1963-05-01 | Bell Punch Co Ltd | Improvements in or relating to pulse generators |
US3223785A (en) * | 1959-12-30 | 1965-12-14 | Bell Telephone Labor Inc | Electronic telephone switching system |
GB979592A (en) * | 1961-02-14 | 1965-01-06 | Nippon Electric Co | Improvements in or relating to electrical code translator equipment |
GB1053350A (de) * | 1962-10-16 | |||
US3268668A (en) * | 1963-08-28 | 1966-08-23 | Bell Telephone Labor Inc | Translator scaling circuit having ferromagnetic core means |
US3270141A (en) * | 1963-08-28 | 1966-08-30 | Bell Telephone Labor Inc | Translator circuit having linear ferromagnetic cores |
US3420957A (en) * | 1964-11-13 | 1969-01-07 | Bell Telephone Labor Inc | Dial pulse scanning in a program-controlled telephone system |
US3407270A (en) * | 1964-11-23 | 1968-10-22 | Allen Bradley Co | Communication system and system to indicate signals therefrom in finite terms |
US3317132A (en) * | 1965-04-08 | 1967-05-02 | Martin Robert Edgar | Statistical display apparatus |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2308778A (en) * | 1939-09-11 | 1943-01-19 | Jr Leon M Prince | Automatic telephone system |
US2241031A (en) * | 1940-01-23 | 1941-05-06 | Bell Telephone Labor Inc | Telephone system |
GB542011A (en) * | 1940-06-19 | 1941-12-22 | Automatic Telephone & Elect | Improvements in or relating to telephone systems |
US2298699A (en) * | 1941-05-29 | 1942-10-13 | Bell Telephone Labor Inc | Translation device |
GB567864A (en) * | 1943-08-31 | 1945-03-06 | Standard Telephones Cables Ltd | Improvements in or relating to telecommunication exchange systems |
US2570971A (en) * | 1947-11-14 | 1951-10-09 | Bell Telephone Labor Inc | Vertical line number translator |
US2567115A (en) * | 1949-08-20 | 1951-09-04 | Automatic Elect Lab | Electronic director |
US2603716A (en) * | 1949-12-23 | 1952-07-15 | Bell Telephone Labor Inc | Decoder and translator with readily changeable translations |
US2675426A (en) * | 1950-05-17 | 1954-04-13 | Bell Telephone Labor Inc | Electronic induction number group translator |
US2657272A (en) * | 1951-03-03 | 1953-10-27 | Bell Telephone Labor Inc | Electronic induction translator |
US2714179A (en) * | 1952-02-19 | 1955-07-26 | Nat Res Dev | Multi-electrode gaseous-discharge tube circuits |
-
0
- BE BE534740D patent/BE534740A/xx unknown
- BE BE556750D patent/BE556750A/xx unknown
- BE BE510495D patent/BE510495A/xx unknown
- BE BE531193D patent/BE531193A/xx unknown
-
1952
- 1952-03-18 US US277192A patent/US2851534A/en not_active Expired - Lifetime
- 1952-04-02 CH CH321711D patent/CH321711A/de unknown
- 1952-04-04 FR FR1059016D patent/FR1059016A/fr not_active Expired
- 1952-04-06 DE DEJ5701A patent/DE929558C/de not_active Expired
-
1954
- 1954-08-18 CH CH332989D patent/CH332989A/de unknown
- 1954-08-18 DE DEI9032A patent/DE1041530B/de active Pending
-
1955
- 1955-01-10 US US480965A patent/US2834836A/en not_active Expired - Lifetime
- 1955-01-14 DE DEI9667A patent/DE972850C/de not_active Expired
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
None * |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1205583B (de) * | 1953-12-04 | 1965-11-25 | Philips Nv | Schaltungsanordnung zur Erzeugung eines elektrischen Widerstandes mittels eines Transistors zum Schliessen oder Unterbrechen eines elektrischen Wechselstromkreises |
DE1190034B (de) * | 1961-08-31 | 1965-04-01 | Gen Electric Co Ltd | Elektronische Torschaltung |
DE1300971B (de) * | 1968-02-02 | 1969-08-14 | Standard Elektrik Lorenz Ag | Codewandler mit Transistoren, z. B. fuer einen Kennungszuordner in Fernmelde-, insbesondere in Fernsprechvermittlungsanlagen |
DE2022495A1 (de) * | 1969-05-30 | 1970-12-03 | Philips Nv | Schaltungsanordnung zum impulsgesteuerten Verbinden einer Fernmeldesignalquelle mit einer Fernmeldesignalbelastung |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE972850C (de) | 1959-10-08 |
US2834836A (en) | 1958-05-13 |
BE510495A (de) | |
BE556750A (de) | |
CH332989A (de) | 1958-09-30 |
BE531193A (de) | |
CH321711A (de) | 1957-05-15 |
FR1059016A (fr) | 1954-03-22 |
DE929558C (de) | 1955-06-30 |
BE534740A (de) | |
US2851534A (en) | 1958-09-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE1041530B (de) | Schaltungsanordnung zur Herstellung einer zweiseitig gerichteten Verbindung zur UEbertragung von Signalen oder Nachrichten zwischen zwei Stromkreisen | |
DE1023613B (de) | Binaere Trigger- und Zaehlerkreise unter Verwendung magnetischer Speicher | |
DE1103387B (de) | Bistabile Diodenschaltung | |
DE3043907A1 (de) | Schaltungsanordnung zur speisung von teilnehmeranschlussleitungen in fernsprechanlagen | |
DE1205593B (de) | Schaltungsanordnung fuer Vermittlungseinrichtungen mit Zeitvielfachbetrieb | |
DE1813580C3 (de) | Schaltungsanordnung für einen elektronischen Koordinatenkoppler in Fernmelde-, insbesondere Fernsprechvermittlungsanlagen | |
DE2450891C3 (de) | Sprechwegschalter | |
EP0039501A1 (de) | Sendeverstärker für ferngespeiste Zwischenregeneratoren | |
DE2927607C2 (de) | Schaltungsanordnung zum Zuführen eines Signals zu einer Übertragungsleitung | |
DE1173542B (de) | Schaltungsanordnung zum Bestimmen des freien oder besetzten Zustandes der Verbindungen eines Schaltnetzwerkes fuer Fernmelde-, insbesondere Fernsprech-vermittlungsanlagen | |
DE1922382C3 (de) | Elektronische Koppelfeldeinrichtung mit Feldeffekttransistoren | |
DE3017566C2 (de) | Verstärker, insbesondere für eine Teilnehmerschaltung | |
DE2212564C3 (de) | Elektronische Schalteranordnung für Videosignale | |
DE3436284C2 (de) | ||
DE2657589C2 (de) | Dämpfungsfreier elektronischer Schalter | |
DE2850905A1 (de) | Verfahren und schaltungsanordnung zur speisung einer teilnehmerendeinrichtung | |
DE929619C (de) | Transistor-Vermittlungsnetzwerk mit Nummerngruppenkreis fuer Nachrichtensysteme | |
DE1285000B (de) | Schaltungsanordnung zum Abfuehlen von magnetischen Speicherelementen | |
DE2846934A1 (de) | Vollelektronische schleifenschlussschaltung | |
DE2650835C2 (de) | Schaltungsanordnung zum Übertragen von zwei binären Einfachstrom-Gleichstromsignalen | |
DE1176708B (de) | Schaltungsanordnung fuer Fernsprech-vermittlungsstellen mit Halbleiter-Dioden, die in einem Sprechstrom-UEbertragungsweg angeordnet sind | |
DE2156627C3 (de) | Schaltungsanordnung zur gleich zeitigen Nachrichtenübertragung von Signalen in beiden Richtungen | |
DE2049445B2 (de) | Schaltungsanordnung zum verstaerken impulsfoermiger, insbesondere bipolarer elektrischer nutzsignale | |
DE1076746B (de) | Elektronisches Durchschaltenetzwerk fuer Fernmelde-, insbesondere Fernsprech-vermittlungsanlagen | |
DE2926437C2 (de) |