DE1285000B - Schaltungsanordnung zum Abfuehlen von magnetischen Speicherelementen - Google Patents

Schaltungsanordnung zum Abfuehlen von magnetischen Speicherelementen

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DE1285000B
DE1285000B DEI27241A DEI0027241A DE1285000B DE 1285000 B DE1285000 B DE 1285000B DE I27241 A DEI27241 A DE I27241A DE I0027241 A DEI0027241 A DE I0027241A DE 1285000 B DE1285000 B DE 1285000B
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sensing
conductor
magnetic
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Description

MMK der Wort- und Bit-Leiter die Koerzitivkraft ίο kapazitive Wirkung entstandene Störspannungen zu und bringt das Element in den neuen Zustand. Bei beseitigen. Man macht dabei von der Erkenntnis ferromagnetischen Elementen bringt die Wirkung Gebrauch, daß das auf einem Leiter an einer der Wort- und Bit-Leiter einen magnetischen Dipol Stelle entstandene, kapazitive eingestreute Störin eine unstabile Stellung; der Dipol ist dabei näher signal sich von der Entstehungsstelle aus nach am einen stabilen Zustand als am anderen. Nach 15 beiden Seiten mit gleicher Polarität fortpflanzt, daß dem Ende der Erregerströme fällt der Dipol in den jedoch ein Nutzsignal von der Entstehungsstelle aus näheren Zustand. Dünnschichtspeicher sind ein Bei- nach beiden Seiten mit entgegengesetzter Polarität spiel für die letztere Art. Bei der Abfrage magneti- wegläuft.
scher Speicher werden die beim Umschalten magne- Erfindungsgemäß werden zwei Abfühlleiter mit
tischer Elemente induzierten Spannungen als An- 20 einem Speicherelement verkettet. Es ist dann mögzeige benutzt, und zwar wird die Polarität dieser Hch, mit Hilfe eines Differentialverstärkers die an
dessen zwei Eingangsklemmen eintreffenden Störsignale sich auslöschen zu lassen und die Nutzsignale mit annähernd doppelter Amplitude zu nutzen.
Gegenstand der Erfindung ist eine Schaltungsanordnung zum Abfühlen von der Speicherung von Binärwerten dienenden magnetischen Speicherelementen, die sämtlich mit einem gemeinsamen Leiter zum Abfühlen der Speicherwerte verkettet sind, und mit Einrichtungen zur Verringerung der Störsignale beim Abfühlvorgang, mit dem Merkmal, daß zwei Abfühlleiter vorgesehen sind, die mit allen Speicherelementen je in umgekehrter Reihenfolge verkettet und mit den einander entsprechenden
von Leitungen, mit denen die benötigten Ströme an 35 Enden zu den beiden Eingangsklemmen eines Diffealle Punkte des Systems geführt werden. Wegen ihrer rentialverstärkers geführt sind, der das Signal an
einer seiner Eingangsklemmen invertiert und zu dem Signal an seiner anderen Eingangsklemme addiert.
Diese Anordnung erfordert zwar zwei mit allen Speicherelementen verkettete Abfühlleitungen. Sie bringt jedoch den Vorteil eines verdoppelten Nutzsignals bei gleichzeitiger Auslöschung der Störsignale; bei der Anwendung auf viele Speicherelemente werden die Laufzeit-Differenzen der beiden
1 006 897). Es ist auch bekannt, durch Schwellwert- 45 Halb-Signale auf einen Kleinstwert reduziert mit der technik oder durch Ausblenden das Störproblem zu Folge, daß beide annähernd gleichzeitig am Verstärker eintreffen. Weiter ist es bei der erfindungsgemäßen Verwendung von zwei Abfühlwicklungen möglich, die Abfühlwicklung für zusätzliche Zwecke, 50 z. B. als Treiberwicklung, zu verwenden. Diese Möglichkeit ist bereits bekannt, es ergibt sich hier jedoch die zusätzliche Erleichterung, unipolare Treiber für die zusätzliche Verwendung benutzen zu können.
Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind
stärker an einen Gegentakttransformator angeschlos- 55 den Unteransprüchen zu entnehmen,
sen und die Ausgangssignale der Sekundärwicklung Bei der nachfolgenden Beschreibung werden in
gleichgerichtet werden (USA.-Patentschrift3 007 056). den Ausführungsbeispielen zwei der vielen möglichen Bei einer solchen Anordnung können sich, besonders Arten von Speicherelementen gezeigt, für die die Erbei größeren Speichern und hoher Arbeitsgeschwin- findung brauchbar ist. Die Beschreibung wird durch digkeit, unterschiedliche Laufzeiten für die an den 60 Zeichnungen erläutert.
beiden Enden der Primärwicklung eintreffenden Im- F i g. 1 zeigt die Grundanordnung zur Störwertpulse ergeben; außerdem ist die Doppel-Ausnutzung Auslöschung in einem Magnetspeicher;
der Abfühlwicklung für andere Zwecke (z. B. als Fig. 2 zeigt die Anwendung dieses Prinzips auf
Treiberleitung) behindert. einem Speicher mit mehreren Zeilen magnetischer
Es ist außerdem bekannt, die Speicherelemente 65 Elemente;
Spannungen ausgewertet. Wenn ein magnetisches Element bereits in einem gegebenen Zustand ist, verursachen Ströme, die es in diesen Zustand bringen wollen, keine Magnetisierungsänderung und induzieren keine Spannungen. Ist das Element im entgegengesetzten Zustand, so entsteht ein Signal. Das Ablesen des Speicherzustandes zerstört den Speicherinhalt, so daß normalerweise ein neuer Einschreibvorgang sich anschließt.
Diese bekannten und in großem Umfang benutzten magnetischen Speichereinrichtungen zeigen jedoch noch ungelöste Probleme und Nachteile beim Betrieb. Sie enthalten notwendigerweise eine große Zahl
unterschiedlichen Richtung und der Vielzahl von induzierten Spannungen, ergibt sich ein elektrisches Störfeld. Infolgedessen wird es schwierig, das Nutzvom Störsignal zu trennen.
Es ist schon bekannt, Störungen dieser Art dadurch zu vermeiden, daß man versuchte, Störwerte an einem Teil des Systems durch Störwerte an einem anderen Teil zu kompensieren (deutsches Patent
vermindern (z. B. deutsche Patentschrift 1 019 346). Nachteilig hierbei ist, daß für jedes Speicherelement eine separate Wicklung und eine besondere Leitungsführung erforderlich werden.
Es ist weiter bekannt, kapazitive Einstreuungen von Treiberwicklungen auf Abfühlwicklungen bei Kernspeichern in ihrer Wirkung zu verringern, indem beide Enden einer Abfühlwicklung über Vereines magnetischen Speichers in Gruppen aufzuteilen, für jede Gruppe eine separate Abfühlleitung vorzusehen und jeweils zwei Abfühlleitungen symmetri-
Fig. 3 ist eine Weiterbildung der Fig. 1, wobei Bit- und Abfühlwicklung identisch sind; Fig. 4 zeigt eine symmetrische Anordnung der
3 4
Bauelemente mit gemeinsamer Bit-Abfühlwicklung, tung 34 wegen dessen geringerer Länge kurz vor und dem Impuls auf Leitung 36 anlangen. Solange die F i g. 5 zeigt schematisch die Brückencharakteristik Laufzeitunterschiede nicht größer sind als ein verder Anordnung von Fig. 4. nünftiger Wert (etwa 10% der Anstiegszeit der Stör-Eingangs ist zu erwähnen, daß die Erfindung so- 5 spannung), ist der Wirkungsgrad der Schaltung hinwohl mit ferrimagnetischen als auch mit ferromagne- sichtlich der Verbesserung des Signal-Stör-Verhälttischen Elementen ausführbar ist. Sie ist jedoch be- nisses ausgezeichnet.
sonders geeignet für die Benutzung in Speicher- Außer der Störbeseitigung kann die Schaltung der systemen, die ferromagnetische Elemente benutzen Fig. 1 auch noch die Anwesenheit oder das Fehlen und Wicklungen auf diesen Elementen benutzen, die io eines Nutzsignals auf den Leitungen 34, 36 festsenkrechte Felder erzeugen. Die folgenden Ausfüh- stellen. Zur Erläuterung sei angenommen, daß das rungsbeispiele beziehen sich also auf Speicher- magnetische Element 12 sich zunächst im nicht ersysteme mit ferromagnetischen Elementen. wünschten magnetischen Zustand befindet und durch F i g. 1 zeigt eine typische Anordnung zur Abfüh- einen Strom im Leiter 20 umgeschaltet wird. Die lung magnetischer Speicherelemente mit Störspan- 15 Flußänderung wird in beiden Leitern 34, 36 eine nungsauslösungen. In einer Zeile sind magnetische kräftige Spannung induzieren, da diese Leiter in dem Elemente 10, 12, 14, 16 gezeigt, die zylindrische das magnetische Element umgebenden Feld liegen. Form haben. Die Erfindung ist jedoch (das gilt für Ebenso wie die Störspannungen werden auch die alle Ausführungsbeispiele) gleichermaßen brauchbar Nutzspannungen auf den Leitern 34 und 36 in der für ebene magnetische Speicherelemente, wie für 20 Amplitude gleich sein. Im Gegensatz zu den Stör-Speicherelemente beliebiger anderer Form, auch spannungen werden jedoch die Nutzspannungen wenn sie unterschiedliches Schaltverhalten zeigen. beidseits des Elements 12 auf den Leitern 34, 36 von Die Wort-Treiberleitungen laufen über die ihnen zu- entgegengesetzter Polarität sein. Die Polarität der geordneten magnetischen Elemente hinweg. Ein Nutzspannungen ist durch Plus- und Minuszeichen Differential-Abfühlverstärker 26 hat die Eingangs- 25 (ohne Kreis) beidseits des Elements 12 angegeben, klemmen 28 und 30 und die Ausgangsklemme 32. Auf dem Leiter 34 bewegt sich also ein Signal posi-Mehrere Leiter 34 und 36 laufen durch jedes magne- tiver Polarität zur Klemme 28 des Verstärkers 26; tische Element 10, 12, 14, 16. Jeder Leiter 34, 36 auf dem Leiter 36 bewegt sich ein Signal negativer führt zu entgegengesetzten Eingängen des Differen- Polarität zur Klemme 30 des Verstärkers. Nachdem, tial-Abfühlverstärkers 26. Der Leiter 34 führt von 30 im Verstärker, eines der Signale invertiert und zum Erdpotential bei 38 über seinen Anpassungswider- andern addiert ist, ergibt sich ein kräftiges Ausgangsstand 40 durch die magnetischen Elemente 10, 12, signal. Es ist tatsächlich doppelt so groß als eines 14, 16 zur Klemme 28 des Verstärkers 26. Ebenso der Abfühlsignale.
führt der Leiter 36 von Erdpotential bei 42 durch F i g. 2 zeigt eine Erweiterung der Schaltung von seinen Anpassungswiderstand 44 durch die gleichen 35 F i g. 1 auf eine größere Zahl von zeilennutzmagnemagnetischen Elemente (in Gegenrichtung) zur tischen Elementen. Die Trennstelle 48 soll andeuten, Klemme 30 des Abfühlverstärkers 26. daß eine Zeile eine größere Zahl von magnetischen Die Schaltung der F i g. 1 ist geeignet zum Ab- Elementen 10', 12', 14', 16' enthalten kann, abfühlen von in einem der magnetischen Elemente ge- hängig von der Anwendung, der Arbeitsgeschwindigspeicherter Information. Es sei z. B. das Element 12 40 keit u. dgl. Die Abfühlleitungen 34', 36', weiche die betrachtet, das aus ferromagnetischem Material sei. Elemente der Zeilen 50, 52 usw. durchsetzen, ent-Durch den Wort-Treiberleiter 20 wird ein solcher sprechen den Leitern 34 und 36 der F i g. 1. Durch Strom geführt, daß das magnetische Element 12 in die gezeigte Führung der Leiter wird die Laufzeiteinem seiner beiden unstabilen magnetischen Zu- differenz auf den beiden Abfühlleitern verringert, stände gelangt. Ein derartiger Stromimpuls kann 45 Sobald ein Signal eine gegebene Zeile verlassen hat, z. B. die Amplitude von 0,7 bis 0,8 A haben und ist der Weg zum zugehörigen Abfühlverstärker auf durch eine Spannung von 15 bis 20 V verursacht beiden Leitern derselbe. Wenn man jedoch ein etwa sein. Seine Anstiegszeit möge 20 nsec sein, gemessen beim Element 14' gebildetes Signal betrachtet, ergibt zwischen den Punkten 10% und 90%. Nun besteht sich, daß die Laufzeit auf dem Leiter 34' gleich der aber eine Kapazität zwischen dem Leiter 20 und je- 50 Zeit zum Durchlaufen eines Elements (16') ist, wähdem Abfühlleiter 34, 36. Da die Kapazitäten gleich rend die Laufzeit auf dem Leiter 36' gleich der Zeit groß sind, werden auf beiden Leitern 34, 36 gleiche zum Durchlaufen zweier Elemente (12', 10') ist. In Störspannungen induziert. Diese Störspannungen der Schaltung der Fig. 2 ist die größte mögliche sind gleich hinsichtlich Polarität und Amplitude. Die Laufzeit-Differenz gleich der Laufzeit durch eine Polarität wird durch die Stromrichtung im Wort- 55 Zeile von magnetischen Elementen (z. B. Zeile 52). Treiberleiter 20 bestimmt und sei durch die Plus- Die Fig. 3 zeigt eine Erweiterung der Grundzeichen im Kreis angedeutet. Die Störspannungen erfindung von Fig. 1. Die Erweiterung schafft die werden sich auf den Leitern 34, 36 in beiden Rieh- Möglichkeit, die Abfühlwicklungen für zusätzliche tungen ausbreiten und an den Eingangsklemmen 28, Zwecke zu verwenden. Durch das Zufügen eines 30 des Verstärkers 26 anlangen. Der Verstärker 26 60 unipolaren Bit-Treibers kann jetzt die Abfühlwickstellt etwaige Differenzen zwischen den beiden Im- lung zusätzlich als Bit-Treiberleiter dienen,
pulsen fest. Das geschieht in üblicher Weise, d.h., Fig. 3 zeigt eine Anordnung 100 von Speicherein an Klemme 30 erscheinender Impuls wird inver- elementen. Jedem Speicherelement ist ein Worttiert und zu dem Impuls an Klemme 28 addiert. Die Treiberleiter zugeordnet; der Wort-Treiberleiter 106 beiden Impulse, die anfangs von gleicher Amplitude 65 verläuft über das magnetische Element 102, der Lei- und Polarität waren, ergeben nach Inversion und ter 108 ebenso über das Element 104. Zwei Leiter Addition den Betrag 0. Dies ist das theoretische Op- 110,112 sind mit allen magnetischen Elementen der timum. In der Praxis wird etwa der Impuls auf Lei- Anordnung 100 verkettet. Die Leiter 110, 112 füh-
ren von dem zugeordneten unipolaren Bit-Treiber ändert, induziert die Feldänderung in der Umgebung 114,116 zu einem DifEerential-Abfühlverstärker 118. dieses Elements in dem Pfad 112' des Leiters 112 Im einzelnen führt der Leiter 110 vom Treiber 114 und in dem Pfad 110' des Leiters 110 eine Spannung, zum Knotenpunkt 119, wo er sich in die Pfade 110' Es wird sowohl eine Nutzspannung als auch eine und 110" aufteilt. Der Pfad 110' führt über die Im- 5 Störspannung induziert. Entsprechend der mit F i g. 1 pedanz 120 nacheinander durch die magnetischen zusammen beschriebenen Arbeitsweise sind die Stör-Elemente der oberen Hälfte von Anordnung 100 spannungen nach Amplitude und Polarität beidseits und endet an Klemme 122 des Verstärkers 118. Der des Elements 102 gleich. Die Impulse erreichen Pfad 110" verläuft vom Knotenpunkt 119 durch die schließlich die Klemmen 122 und 134 des Abfühl-Impedanz 124 und dann nacheinander durch die io Verstärkers 118. Die Störimpulse löschen sich aus. magnetischen Elemente in der unteren Hälfte der Die Nutzspannungen sind ungleicher Amplitude; der Anordnung 100 und schließlich zur Klemme 126 des links vom Element 102 weglaufende Nutzimpuls hat Verstärkers 118. In gleicher Weise teilt sich der vom jedoch entgegengesetzte Polarität wie der rechts Bit-Treiber 116 kommende Leiter 112 am Knoten- weglaufende. Am Abfühlverstärker ergibt sich dempunktl28 in zwei Pfade 112' und 112". Der Pfad 15 nach ein etwa doppelt so kräftiges Nutzsignal. Die 112' verläuft vom Knoten 128 durch die Impedanz Störsignale sind also (falls nicht gelöscht) auf einen 130 und gelangt nach Durchlaufen der magnetischen geringen Wert verringert und die Nutzspannungen so Elemente in der oberen Hälfte der Anordnung 100 verstärkt, daß das Signal-Stör-Verhältnis beträchtzu der Klemme 134 des Verstärkers 118. Der Pfad lieh verbessert ist.
112" führt über die Impedanz 132 und die magne- 20 Der soeben beschriebene Lesevorgang hat die im tischen Elemente der unteren Hälfte der Anordnung Element 102 enthaltene Information zerstört. Es 100 zur Klemme 136 des Verstärkers. Die Treiber wird deshalb nötig, dieses in seinen vorherigen Zu-114 und 166 müssen beide Ströme gleicher Richtung stand zurückzuversetzen. Dies geschieht durch erliefern. Die Eingangsimpedanz des Verstärkers 118 neute Aktivierung des Treibers 116, der einen Bitsollte an die Impedanz der ihn speisenden Leiter 110 25 Treiberimpuls über Leiter 112 zu den Pfaden 112' und 112 angepaßt sein; seine Ausgangsklemme ist und 112" schickt. Am Element 102 wird dieser mit 138 bezeichnet. Bit-Impuls mit einem Wort-Treiberimpuls des Die Arbeitsweise der Schaltung nach F i g. 3 wird Leiters 106 überlagert; die vereinte MMK schaltet besser verständlich, wenn in Betracht gezogen wird, das Element 102 um. Etwaige kapazitive Stördaß zusätzliche Entschlüsselungs- und Auswahl- 30 impulse sowie die Bit-Impulse auf dem Leiter 112 schaltungen bekannter Art noch vorzuschalten sind. werden in der bereits beschriebenen Weise aus-Unter dieser Voraussetzung kann die Schaltung nach gelöscht.
Fig. 3 sowohl zum Lesen als auch zum Schreiben Die Impedanzen 120, 124, 130, 132 der Fig. 3
von Daten in die Anordnung 100 magnetischer EIe- dienen dazu, die in einer Hälfte der Anordnung 100
mente benutzt werden. Es würde das Element 102 35 entstandenen Stör- oder Nutzimpulse vom Eindrin-
beispielsweise betrachtet. Der stabile Zustand, auf gen in die andere Hälfte der Anordnung abzuhalten,
den dieses Element während eines Schreibvorgangs Die Impedanzen 124 und 132 sperren also in der
gebracht wird, folgt aus der binären Information, die oberen Hälfte der Anordnung entstandene Impulse
darin gespeichert werden soll und hängt ab von der gegenüber der unteren Hälfte ab. Entsprechendes
Richtung des Bit-Treiberstromes auf dem Pfad 112' 40 gilt für die Impedanzen 120 und 130.
oder 110'. Zunächst wird das magnetische Element Zusammenfassend kann festgestellt werden, daß
102 durch einen Impuls auf dem Wort-Treiberleiter die Schaltung der Fig. 3 eine magnetische Speicher-
106 ausgewählt. Gleichzeitig und entsprechend der anordnung zeigt, die eine gemeinsame Bit-Abfühl-
gewünschten Richtung des Bit-Treiberstromes wird wicklung enthält und die mit Hilfe einer unipolaren einer der Treiber 114 oder 116 erregt. Es sei dies 45 Bit-Treiberschaltung bipolare Arbeitsweise ver-
z. B. der Treiber 116. Dann wird ein Impuls von 116 wirklicht.
über den Leiter 112 und den Pfad 112' durch das Die Fig.4 zeigt eine weitere magnetische Speimagnetische Element 102 laufen. Der Impuls kann cheranordnung 200. Hier sind ebene magnetische die Amplitude von 0,1 bis 0,2 mA haben. Die ver- Elemente benutzt zur Unterstützung der früheren einigte MMK beider Impulse (auf Leiter 106 und 50 Feststellung, daß die vorliegende Erfindung auf 112') genügt zur Umschaltung des magnetischen magnetische Elemente in jeder Form anwendbar ist. Elements 102; auch durch den Pfad 112" ist ein Mit jedem magnetischen Element ist ein Wortgleich großer Bit-Treiberimpuls gelaufen. Beide Treiberleiter verkettet. Die Wort-Treiberleiter 206 Treiberimpulse treffen gleichzeitig an den Klemmen und 208 z. B. sind mit den Elementen 202 bzw. 204 134 und 136 des Differential-Abfühlverstärkers 118 55 verkettet. Die Anordnung 200 ist in zwei Gruppen ein. Da sie gleiche Amplitude und Polarität besitzen, 210 und 212 von magnetischen Elementen aufgeteilt, ergibt sich nach Inversion des einen und nachfolgen- Jede Gruppe enthält fünf magnetische Elemente, die der Addition zum anderen ein Nettoeingangssignal 0, in beiden Gruppen gleichartig angeordnet sind. Zwei und der Verstärker wird kein Signal abgeben. Es Leiter, 214 und 216, führen über die magnetischen wurde also ein Element eingestellt und die Leitung 60 Elemente der Gruppen 210 und 212 hinweg. Ein der Bit-Impulse ausgelöscht. bipolarer Bit-Treiber 218 speist den Leiter 214, ein Zum Lesen des Elements 102 (das also eine 1 spei- gleicher Treiber 220 den Leiter 216. Der Leiter 214 ehern möge) wird es also in einen unstabilen Zu- passiert nacheinander die magnetischen Elemente stand umgeschaltet und die sich ergebende Spannung der Gruppe 210; am Knotenpunkt 222 teilt er sich festgestellt. Dazu wird ein Strom entsprechender 65 in die zwei parallelen Pfade 214' und 214". Der Größe durch den Wort-Treiberleiter 106 geschickt. Pfad 214' führt zu der einen Eingangsklemme des Während das magnetische Element 102 sich vom Differential-Abfühlverstärkers 224. Der Pfad 214" Eins-Zustand zu einem unstabilen Zustand ver- passiert die magnetischen Elemente der Gruppe 212
nacheinander und endet bei dem Anpassungswiderstand 226.
Symmetrisch zum Leiter 214 verläuft der Leiter 216. Vom Treiber 220 passiert er zunächst nacheinander die magnetischen Elemente der Gruppe 212; am Knotenpunkt 228 teilt er sich. Der Pfad 216' führt zur anderen Eingangsklemme des Verstärkers 224, und der Pfad 216" passiert die magnetischen Elemente der Gruppe 210 und endet bei dem Anpassungswiderstand 230. ίο
Auf der Anordnung der F i g. 4 wurden Entschlüsselungs- und Auswahlschaltungen nicht gezeigt. Der Schreibvorgang benutzt die Leiter 214 und 216 als Bit-Treiberleitungen. Zum Speichern eines Binärwertes, z. B. im magnetischen Element 202 der Gruppe 210, wird dem "Wort-Treiberleiter 206 ein Impuls zugeführt. Gleichzeitig liefert der Bit-Treiber 218 über den Leiter 214 einen Strom solcher Richtung, daß das magnetische Element 202 in den gewünschten Magnetisierungszustand übergeht. Weiter wird vom Treiber 220 ein in gleicher Richtung wirkender Strom auf den Leiter 216 und damit auch auf 216" gegeben. Wenn die Treiberimpulse auf den Pfaden 214 und 216" das magnetische Element 202 passieren, kann die resultierende MMK das Element 202 in den gewünschten Zustand überführen. Die Bit-Treiberimpulse sind gleich nach Polarität und Amplitude. Sie gelangen auf den Pfaden 214' und 216' zum Verstärker 224 und löschen sich dort gegenseitig aus.
Das Abfühlen eines magnetischen Elements geschieht in der schon beschriebenen Weise. Das heißt mittels eines Stromes durch den Wort-Treiberleiter 206. Dieser Strom, dessen Richtung das magnetische Element 202 aus einem stabilen in einen unstabilen magnetischen Zustand überführen kann, verursacht auf dem Leiter 214 und auf dem Pfad 216" ein Nutzsignal. Zu dem Nutzsignal kommt noch ein Störsignal, verursacht durch den Strom in Leiter 206. Wie früher erläutert, schreiben sich vom magnetisehen Element 202 aus, Störsignale nach beiden Seiten mit gleicher Polarität und Amplitude aus und gelangen über die Leiter 214 und 216' zum Differential-Verstärker 224, wo sie sich auslöschen. Die Nutzsignale aus dem Element 202 schreiben sich, mit gleicher Amplitude aber verschiedener Polarität, in gleicher Weise aus und addieren sich am Verstärker. Das Wiedereinschreiben geschieht in bekannter Weise.
Die Schaltung der F i g. 5, eine übliche Gleichstrom-Brückenschaltung, bildet das Äquivalent zu der Schaltung der F i g. 4. Für gleiche Elemente wurden gleiche Bezugszeichen benutzt. Die Leiter 214 und 216 kommen auch hier aus den bipolaren Bit-Treibern 218 und 220. Die magnetischen Elemente der Gruppe 210 sind auf entgegengesetzten Zweigen der Brücke 300 aufgereiht. Es muß daran erinnert werden, daß dies eine schematische Darstellung dafür ist, wie die Leiter 214 und 216 über die Gruppen 210,212 von magnetischen Elementen geführt sind, und daß jedes magnetische Element zwei mit ihm verkettete Bit-Abfühlleiter hat. Die magnetischen Elemente der Gruppe 10, die gestrichelt dargestellt sind, sind also in Wirklichkeit dieselben wie die Elemente der Gruppe 10 in ausgezogenen Linien. Dasselbe gilt für die Elemente der Gruppe 12. Das Element 204 der Gruppe 212 z. B. ist mit seinem Wort-Treiberleiter 208 auf entgegengesetzten Brückenzweigen dargestellt. Der Leiter 214 führt zum Punkt 302 der Brücke 300 und von dort über die magnetischen Elemente der Gruppe 210 zum Punkt 304. Die magnetischen Elemente der Gruppe sind auf den beiden übrigen Brückenzweigen angeordnet. Der Pfad 214" passiert magnetische Elemente der Gruppe 212, die das symmetrische Gegenstück magnetischer Elemente aus der Gruppe 210 darstellen. Dieser Pfad ist durch die Leiter vom Brückenpunkt 304 über die Impedanz 226 zum Punkt 306 und nach Erde dargestellt. Vom Punkt zweigt ein Pfad 214' zu einer Eingangsklemme des Differential-Abfühlverstärkers 224 ab.
Für die aus dem Treiber 220 kommende Leitung ist ein ähnlicher Verlauf aus der Zeichnung ersichtlich. Die Leitung führt zum Punkt 302 und von dort über die magnetischen Elemente der Gruppe 212 dieses Brückenzweigs zum Punkt 308; hier teilt sie sich in den Pfad 216' zur anderen Klemme des Verstärkers und den Pfad 216", der über die magnetischen Elemente der Gruppe 210 und die Impedanz 230 zum Punkt 306 führt.
Bei einer abgeglichenen Brücke ist der Spannungsabfall zwischen den Punkten 302 und 304 einerseits und den Punkten 302 und 308 andererseits einander gleich. Die an den Pfaden 214' und 216' entstandenen Spannungen sind deshalb immer amplitudengleich. Sind sie Störspannungen, so haben sie auch gleiche Polarität und löschen sich am Verstärker 224 aus. Sind sie Nutzsignale, so haben sie entgegengesetzte Polarität und addieren sich am Verstärker.

Claims (5)

Patentansprüche:
1. Schaltungsanordnung zum Abfühlen von der Speicherung von Binärwerten dienenden magnetischen Speicherelementen, die sämtlich mit einem gemeinsamen Leiter zum Abfühlen der Speicherwerte verkettet sind, und mit Einrichtungen zur Verringerung der Störsignale beim Abfühlvorgang, dadurch gekennzeichnet, daß zwei Abfühlleiter (34, 36) vorgesehen sind, die mit allen Speicherelementen (z. B. 10, 12) je in umgekehrter Reihenfolge verkettet und mit den einander entsprechenden Enden zu den beiden Eingangsklemmen eines Differentialverstärkers (32) geführt sind, der das Signal an einer seiner Eingangsklemmen invertiert und zu dem Signal an seiner anderen Eingangsklemme addiert.
2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden anderen Enden der Abfühlleiter mit dem Wellenwiderstand abgeschlossen sind.
3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, bei der die Abfühlleitung während des Schreibvorganges als Treiberleitung benutzt wird, dadurch gekennzeichnet, daß an jeden der beiden Abfühlleiter (110,112) eine Impulsquelle (114,116) angeschlossen ist, die beim Eintragen eines Binärwertes in ein Speicherelement wahlweise erregt wird.
4. Schaltungsanordnung nach den Ansprüchen 1 und 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Speicherelemente in zwei Gruppen aufgeteilt sind, daß zwei je ein Leiterpaar (HO', 110"; 112', 112") speisende Impulsquellen (114,116) vorgesehen sind, daß jeder Leiter (z. B. 110') eines Paares mit den Speicherelementen einer Gruppe
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je in umgekehrter Reihenfolge wie der entsprechende Leiter (z. B. 112') des anderen Paares verkettet ist und daß jedes Leiterpaar anschließend mit je einem Paar Eingangsklemmen eines Differentialverstärkers (118) verbunden ist.
5. Schaltungsanordnung nach den Ansprüchen 1 und 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Speicherelemente in zwei Gruppen aufgeteilt und
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je mit zwei Leitern (214, 216) verkettet sind, daß jeder Leiter von einer Impulsquelle gespeist wird und zu jeder Gruppe und innerhalb der Gruppe zu deren Speicherelementen in umgekehrter Reihenfolge geführt ist wie der andere Leiter und daß die Leiter zwischen den beiden Gruppen mit einem Paar Eingangsklemmen eines Differentialverstärkers verbunden sind.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
DEI27241A 1963-12-30 1964-12-28 Schaltungsanordnung zum Abfuehlen von magnetischen Speicherelementen Pending DE1285000B (de)

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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1090133A (en) * 1963-07-16 1967-11-08 Emi Ltd Improvements relating to information storage devices
US3389385A (en) * 1964-06-08 1968-06-18 Burroughs Corp Inductive noise cancelling device for magnetic memory array
US3474420A (en) * 1965-05-04 1969-10-21 Singer General Precision Magnetic thin film data storage unit in a bridge-like arrangement
US3488642A (en) * 1965-05-21 1970-01-06 Toko Inc Magnetic thin film memory device utilizing a common noise balancing line
US3529304A (en) * 1966-06-14 1970-09-15 Northrop Corp Microsecond signal recording employing magnetic cable within delay line

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1006897B (de) * 1954-09-07 1957-04-25 Western Electric Co Speicherkreis mit einem magnetischen Kern mit zwei moeglichen stabilen Magnetisierungszustaenden
US2915740A (en) * 1956-09-17 1959-12-01 Burroughs Corp Static magnetic memory system
US3007056A (en) * 1956-12-05 1961-10-31 Ibm Transistor gating circuit

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3112470A (en) * 1958-11-10 1963-11-26 Sylvania Electric Prod Noise cancellation for magnetic memory devices
US3208054A (en) * 1962-06-25 1965-09-21 Lockheed Aircraft Corp Noise cancellation circuit for magnetic storage systems

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1006897B (de) * 1954-09-07 1957-04-25 Western Electric Co Speicherkreis mit einem magnetischen Kern mit zwei moeglichen stabilen Magnetisierungszustaenden
US2915740A (en) * 1956-09-17 1959-12-01 Burroughs Corp Static magnetic memory system
US3007056A (en) * 1956-12-05 1961-10-31 Ibm Transistor gating circuit

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