DE1285000B - Schaltungsanordnung zum Abfuehlen von magnetischen Speicherelementen - Google Patents
Schaltungsanordnung zum Abfuehlen von magnetischen SpeicherelementenInfo
- Publication number
- DE1285000B DE1285000B DEI27241A DEI0027241A DE1285000B DE 1285000 B DE1285000 B DE 1285000B DE I27241 A DEI27241 A DE I27241A DE I0027241 A DEI0027241 A DE I0027241A DE 1285000 B DE1285000 B DE 1285000B
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- conductors
- sensing
- conductor
- magnetic
- elements
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/06—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using single-aperture storage elements, e.g. ring core; using multi-aperture plates in which each individual aperture forms a storage element
- G11C11/06007—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using single-aperture storage elements, e.g. ring core; using multi-aperture plates in which each individual aperture forms a storage element using a single aperture or single magnetic closed circuit
- G11C11/06014—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using single-aperture storage elements, e.g. ring core; using multi-aperture plates in which each individual aperture forms a storage element using a single aperture or single magnetic closed circuit using one such element per bit
- G11C11/06021—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using single-aperture storage elements, e.g. ring core; using multi-aperture plates in which each individual aperture forms a storage element using a single aperture or single magnetic closed circuit using one such element per bit with destructive read-out
- G11C11/06028—Matrixes
- G11C11/06042—"word"-organised, e.g. 2D organisation or linear selection, i.e. full current selection through all the bit-cores of a word during reading
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/06—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using single-aperture storage elements, e.g. ring core; using multi-aperture plates in which each individual aperture forms a storage element
- G11C11/06007—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using single-aperture storage elements, e.g. ring core; using multi-aperture plates in which each individual aperture forms a storage element using a single aperture or single magnetic closed circuit
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Description
MMK der Wort- und Bit-Leiter die Koerzitivkraft ίο kapazitive Wirkung entstandene Störspannungen zu
und bringt das Element in den neuen Zustand. Bei beseitigen. Man macht dabei von der Erkenntnis
ferromagnetischen Elementen bringt die Wirkung Gebrauch, daß das auf einem Leiter an einer
der Wort- und Bit-Leiter einen magnetischen Dipol Stelle entstandene, kapazitive eingestreute Störin
eine unstabile Stellung; der Dipol ist dabei näher signal sich von der Entstehungsstelle aus nach
am einen stabilen Zustand als am anderen. Nach 15 beiden Seiten mit gleicher Polarität fortpflanzt, daß
dem Ende der Erregerströme fällt der Dipol in den jedoch ein Nutzsignal von der Entstehungsstelle aus
näheren Zustand. Dünnschichtspeicher sind ein Bei- nach beiden Seiten mit entgegengesetzter Polarität
spiel für die letztere Art. Bei der Abfrage magneti- wegläuft.
scher Speicher werden die beim Umschalten magne- Erfindungsgemäß werden zwei Abfühlleiter mit
tischer Elemente induzierten Spannungen als An- 20 einem Speicherelement verkettet. Es ist dann mögzeige
benutzt, und zwar wird die Polarität dieser Hch, mit Hilfe eines Differentialverstärkers die an
dessen zwei Eingangsklemmen eintreffenden Störsignale sich auslöschen zu lassen und die Nutzsignale
mit annähernd doppelter Amplitude zu nutzen.
Gegenstand der Erfindung ist eine Schaltungsanordnung zum Abfühlen von der Speicherung von
Binärwerten dienenden magnetischen Speicherelementen, die sämtlich mit einem gemeinsamen Leiter
zum Abfühlen der Speicherwerte verkettet sind, und mit Einrichtungen zur Verringerung der Störsignale
beim Abfühlvorgang, mit dem Merkmal, daß zwei Abfühlleiter vorgesehen sind, die mit allen
Speicherelementen je in umgekehrter Reihenfolge verkettet und mit den einander entsprechenden
von Leitungen, mit denen die benötigten Ströme an 35 Enden zu den beiden Eingangsklemmen eines Diffealle
Punkte des Systems geführt werden. Wegen ihrer rentialverstärkers geführt sind, der das Signal an
einer seiner Eingangsklemmen invertiert und zu dem Signal an seiner anderen Eingangsklemme addiert.
Diese Anordnung erfordert zwar zwei mit allen Speicherelementen verkettete Abfühlleitungen. Sie
bringt jedoch den Vorteil eines verdoppelten Nutzsignals bei gleichzeitiger Auslöschung der Störsignale;
bei der Anwendung auf viele Speicherelemente werden die Laufzeit-Differenzen der beiden
1 006 897). Es ist auch bekannt, durch Schwellwert- 45 Halb-Signale auf einen Kleinstwert reduziert mit der
technik oder durch Ausblenden das Störproblem zu Folge, daß beide annähernd gleichzeitig am Verstärker
eintreffen. Weiter ist es bei der erfindungsgemäßen Verwendung von zwei Abfühlwicklungen
möglich, die Abfühlwicklung für zusätzliche Zwecke, 50 z. B. als Treiberwicklung, zu verwenden. Diese Möglichkeit
ist bereits bekannt, es ergibt sich hier jedoch die zusätzliche Erleichterung, unipolare Treiber für
die zusätzliche Verwendung benutzen zu können.
Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind
stärker an einen Gegentakttransformator angeschlos- 55 den Unteransprüchen zu entnehmen,
sen und die Ausgangssignale der Sekundärwicklung Bei der nachfolgenden Beschreibung werden in
sen und die Ausgangssignale der Sekundärwicklung Bei der nachfolgenden Beschreibung werden in
gleichgerichtet werden (USA.-Patentschrift3 007 056). den Ausführungsbeispielen zwei der vielen möglichen
Bei einer solchen Anordnung können sich, besonders Arten von Speicherelementen gezeigt, für die die Erbei
größeren Speichern und hoher Arbeitsgeschwin- findung brauchbar ist. Die Beschreibung wird durch
digkeit, unterschiedliche Laufzeiten für die an den 60 Zeichnungen erläutert.
beiden Enden der Primärwicklung eintreffenden Im- F i g. 1 zeigt die Grundanordnung zur Störwertpulse
ergeben; außerdem ist die Doppel-Ausnutzung Auslöschung in einem Magnetspeicher;
der Abfühlwicklung für andere Zwecke (z. B. als Fig. 2 zeigt die Anwendung dieses Prinzips auf
der Abfühlwicklung für andere Zwecke (z. B. als Fig. 2 zeigt die Anwendung dieses Prinzips auf
Treiberleitung) behindert. einem Speicher mit mehreren Zeilen magnetischer
Es ist außerdem bekannt, die Speicherelemente 65 Elemente;
Spannungen ausgewertet. Wenn ein magnetisches Element bereits in einem gegebenen Zustand ist, verursachen
Ströme, die es in diesen Zustand bringen wollen, keine Magnetisierungsänderung und induzieren
keine Spannungen. Ist das Element im entgegengesetzten Zustand, so entsteht ein Signal. Das
Ablesen des Speicherzustandes zerstört den Speicherinhalt, so daß normalerweise ein neuer Einschreibvorgang
sich anschließt.
Diese bekannten und in großem Umfang benutzten magnetischen Speichereinrichtungen zeigen jedoch
noch ungelöste Probleme und Nachteile beim Betrieb. Sie enthalten notwendigerweise eine große Zahl
unterschiedlichen Richtung und der Vielzahl von induzierten Spannungen, ergibt sich ein elektrisches
Störfeld. Infolgedessen wird es schwierig, das Nutzvom Störsignal zu trennen.
Es ist schon bekannt, Störungen dieser Art dadurch zu vermeiden, daß man versuchte, Störwerte
an einem Teil des Systems durch Störwerte an einem anderen Teil zu kompensieren (deutsches Patent
vermindern (z. B. deutsche Patentschrift 1 019 346). Nachteilig hierbei ist, daß für jedes Speicherelement
eine separate Wicklung und eine besondere Leitungsführung erforderlich werden.
Es ist weiter bekannt, kapazitive Einstreuungen von Treiberwicklungen auf Abfühlwicklungen bei
Kernspeichern in ihrer Wirkung zu verringern, indem beide Enden einer Abfühlwicklung über Vereines
magnetischen Speichers in Gruppen aufzuteilen, für jede Gruppe eine separate Abfühlleitung vorzusehen
und jeweils zwei Abfühlleitungen symmetri-
Fig. 3 ist eine Weiterbildung der Fig. 1, wobei
Bit- und Abfühlwicklung identisch sind; Fig. 4 zeigt eine symmetrische Anordnung der
3 4
Bauelemente mit gemeinsamer Bit-Abfühlwicklung, tung 34 wegen dessen geringerer Länge kurz vor
und dem Impuls auf Leitung 36 anlangen. Solange die F i g. 5 zeigt schematisch die Brückencharakteristik Laufzeitunterschiede nicht größer sind als ein verder
Anordnung von Fig. 4. nünftiger Wert (etwa 10% der Anstiegszeit der Stör-Eingangs
ist zu erwähnen, daß die Erfindung so- 5 spannung), ist der Wirkungsgrad der Schaltung hinwohl
mit ferrimagnetischen als auch mit ferromagne- sichtlich der Verbesserung des Signal-Stör-Verhälttischen
Elementen ausführbar ist. Sie ist jedoch be- nisses ausgezeichnet.
sonders geeignet für die Benutzung in Speicher- Außer der Störbeseitigung kann die Schaltung der
systemen, die ferromagnetische Elemente benutzen Fig. 1 auch noch die Anwesenheit oder das Fehlen
und Wicklungen auf diesen Elementen benutzen, die io eines Nutzsignals auf den Leitungen 34, 36 festsenkrechte Felder erzeugen. Die folgenden Ausfüh- stellen. Zur Erläuterung sei angenommen, daß das
rungsbeispiele beziehen sich also auf Speicher- magnetische Element 12 sich zunächst im nicht ersysteme
mit ferromagnetischen Elementen. wünschten magnetischen Zustand befindet und durch
F i g. 1 zeigt eine typische Anordnung zur Abfüh- einen Strom im Leiter 20 umgeschaltet wird. Die
lung magnetischer Speicherelemente mit Störspan- 15 Flußänderung wird in beiden Leitern 34, 36 eine
nungsauslösungen. In einer Zeile sind magnetische kräftige Spannung induzieren, da diese Leiter in dem
Elemente 10, 12, 14, 16 gezeigt, die zylindrische das magnetische Element umgebenden Feld liegen.
Form haben. Die Erfindung ist jedoch (das gilt für Ebenso wie die Störspannungen werden auch die
alle Ausführungsbeispiele) gleichermaßen brauchbar Nutzspannungen auf den Leitern 34 und 36 in der
für ebene magnetische Speicherelemente, wie für 20 Amplitude gleich sein. Im Gegensatz zu den Stör-Speicherelemente
beliebiger anderer Form, auch spannungen werden jedoch die Nutzspannungen wenn sie unterschiedliches Schaltverhalten zeigen. beidseits des Elements 12 auf den Leitern 34, 36 von
Die Wort-Treiberleitungen laufen über die ihnen zu- entgegengesetzter Polarität sein. Die Polarität der
geordneten magnetischen Elemente hinweg. Ein Nutzspannungen ist durch Plus- und Minuszeichen
Differential-Abfühlverstärker 26 hat die Eingangs- 25 (ohne Kreis) beidseits des Elements 12 angegeben,
klemmen 28 und 30 und die Ausgangsklemme 32. Auf dem Leiter 34 bewegt sich also ein Signal posi-Mehrere
Leiter 34 und 36 laufen durch jedes magne- tiver Polarität zur Klemme 28 des Verstärkers 26;
tische Element 10, 12, 14, 16. Jeder Leiter 34, 36 auf dem Leiter 36 bewegt sich ein Signal negativer
führt zu entgegengesetzten Eingängen des Differen- Polarität zur Klemme 30 des Verstärkers. Nachdem,
tial-Abfühlverstärkers 26. Der Leiter 34 führt von 30 im Verstärker, eines der Signale invertiert und zum
Erdpotential bei 38 über seinen Anpassungswider- andern addiert ist, ergibt sich ein kräftiges Ausgangsstand
40 durch die magnetischen Elemente 10, 12, signal. Es ist tatsächlich doppelt so groß als eines
14, 16 zur Klemme 28 des Verstärkers 26. Ebenso der Abfühlsignale.
führt der Leiter 36 von Erdpotential bei 42 durch F i g. 2 zeigt eine Erweiterung der Schaltung von
seinen Anpassungswiderstand 44 durch die gleichen 35 F i g. 1 auf eine größere Zahl von zeilennutzmagnemagnetischen
Elemente (in Gegenrichtung) zur tischen Elementen. Die Trennstelle 48 soll andeuten,
Klemme 30 des Abfühlverstärkers 26. daß eine Zeile eine größere Zahl von magnetischen
Die Schaltung der F i g. 1 ist geeignet zum Ab- Elementen 10', 12', 14', 16' enthalten kann, abfühlen
von in einem der magnetischen Elemente ge- hängig von der Anwendung, der Arbeitsgeschwindigspeicherter
Information. Es sei z. B. das Element 12 40 keit u. dgl. Die Abfühlleitungen 34', 36', weiche die
betrachtet, das aus ferromagnetischem Material sei. Elemente der Zeilen 50, 52 usw. durchsetzen, ent-Durch
den Wort-Treiberleiter 20 wird ein solcher sprechen den Leitern 34 und 36 der F i g. 1. Durch
Strom geführt, daß das magnetische Element 12 in die gezeigte Führung der Leiter wird die Laufzeiteinem
seiner beiden unstabilen magnetischen Zu- differenz auf den beiden Abfühlleitern verringert,
stände gelangt. Ein derartiger Stromimpuls kann 45 Sobald ein Signal eine gegebene Zeile verlassen hat,
z. B. die Amplitude von 0,7 bis 0,8 A haben und ist der Weg zum zugehörigen Abfühlverstärker auf
durch eine Spannung von 15 bis 20 V verursacht beiden Leitern derselbe. Wenn man jedoch ein etwa
sein. Seine Anstiegszeit möge 20 nsec sein, gemessen beim Element 14' gebildetes Signal betrachtet, ergibt
zwischen den Punkten 10% und 90%. Nun besteht sich, daß die Laufzeit auf dem Leiter 34' gleich der
aber eine Kapazität zwischen dem Leiter 20 und je- 50 Zeit zum Durchlaufen eines Elements (16') ist, wähdem
Abfühlleiter 34, 36. Da die Kapazitäten gleich rend die Laufzeit auf dem Leiter 36' gleich der Zeit
groß sind, werden auf beiden Leitern 34, 36 gleiche zum Durchlaufen zweier Elemente (12', 10') ist. In
Störspannungen induziert. Diese Störspannungen der Schaltung der Fig. 2 ist die größte mögliche
sind gleich hinsichtlich Polarität und Amplitude. Die Laufzeit-Differenz gleich der Laufzeit durch eine
Polarität wird durch die Stromrichtung im Wort- 55 Zeile von magnetischen Elementen (z. B. Zeile 52).
Treiberleiter 20 bestimmt und sei durch die Plus- Die Fig. 3 zeigt eine Erweiterung der Grundzeichen
im Kreis angedeutet. Die Störspannungen erfindung von Fig. 1. Die Erweiterung schafft die
werden sich auf den Leitern 34, 36 in beiden Rieh- Möglichkeit, die Abfühlwicklungen für zusätzliche
tungen ausbreiten und an den Eingangsklemmen 28, Zwecke zu verwenden. Durch das Zufügen eines
30 des Verstärkers 26 anlangen. Der Verstärker 26 60 unipolaren Bit-Treibers kann jetzt die Abfühlwickstellt
etwaige Differenzen zwischen den beiden Im- lung zusätzlich als Bit-Treiberleiter dienen,
pulsen fest. Das geschieht in üblicher Weise, d.h., Fig. 3 zeigt eine Anordnung 100 von Speicherein an Klemme 30 erscheinender Impuls wird inver- elementen. Jedem Speicherelement ist ein Worttiert und zu dem Impuls an Klemme 28 addiert. Die Treiberleiter zugeordnet; der Wort-Treiberleiter 106 beiden Impulse, die anfangs von gleicher Amplitude 65 verläuft über das magnetische Element 102, der Lei- und Polarität waren, ergeben nach Inversion und ter 108 ebenso über das Element 104. Zwei Leiter Addition den Betrag 0. Dies ist das theoretische Op- 110,112 sind mit allen magnetischen Elementen der timum. In der Praxis wird etwa der Impuls auf Lei- Anordnung 100 verkettet. Die Leiter 110, 112 füh-
pulsen fest. Das geschieht in üblicher Weise, d.h., Fig. 3 zeigt eine Anordnung 100 von Speicherein an Klemme 30 erscheinender Impuls wird inver- elementen. Jedem Speicherelement ist ein Worttiert und zu dem Impuls an Klemme 28 addiert. Die Treiberleiter zugeordnet; der Wort-Treiberleiter 106 beiden Impulse, die anfangs von gleicher Amplitude 65 verläuft über das magnetische Element 102, der Lei- und Polarität waren, ergeben nach Inversion und ter 108 ebenso über das Element 104. Zwei Leiter Addition den Betrag 0. Dies ist das theoretische Op- 110,112 sind mit allen magnetischen Elementen der timum. In der Praxis wird etwa der Impuls auf Lei- Anordnung 100 verkettet. Die Leiter 110, 112 füh-
ren von dem zugeordneten unipolaren Bit-Treiber ändert, induziert die Feldänderung in der Umgebung
114,116 zu einem DifEerential-Abfühlverstärker 118. dieses Elements in dem Pfad 112' des Leiters 112
Im einzelnen führt der Leiter 110 vom Treiber 114 und in dem Pfad 110' des Leiters 110 eine Spannung,
zum Knotenpunkt 119, wo er sich in die Pfade 110' Es wird sowohl eine Nutzspannung als auch eine
und 110" aufteilt. Der Pfad 110' führt über die Im- 5 Störspannung induziert. Entsprechend der mit F i g. 1
pedanz 120 nacheinander durch die magnetischen zusammen beschriebenen Arbeitsweise sind die Stör-Elemente
der oberen Hälfte von Anordnung 100 spannungen nach Amplitude und Polarität beidseits
und endet an Klemme 122 des Verstärkers 118. Der des Elements 102 gleich. Die Impulse erreichen
Pfad 110" verläuft vom Knotenpunkt 119 durch die schließlich die Klemmen 122 und 134 des Abfühl-Impedanz
124 und dann nacheinander durch die io Verstärkers 118. Die Störimpulse löschen sich aus.
magnetischen Elemente in der unteren Hälfte der Die Nutzspannungen sind ungleicher Amplitude; der
Anordnung 100 und schließlich zur Klemme 126 des links vom Element 102 weglaufende Nutzimpuls hat
Verstärkers 118. In gleicher Weise teilt sich der vom jedoch entgegengesetzte Polarität wie der rechts
Bit-Treiber 116 kommende Leiter 112 am Knoten- weglaufende. Am Abfühlverstärker ergibt sich dempunktl28
in zwei Pfade 112' und 112". Der Pfad 15 nach ein etwa doppelt so kräftiges Nutzsignal. Die
112' verläuft vom Knoten 128 durch die Impedanz Störsignale sind also (falls nicht gelöscht) auf einen
130 und gelangt nach Durchlaufen der magnetischen geringen Wert verringert und die Nutzspannungen so
Elemente in der oberen Hälfte der Anordnung 100 verstärkt, daß das Signal-Stör-Verhältnis beträchtzu
der Klemme 134 des Verstärkers 118. Der Pfad lieh verbessert ist.
112" führt über die Impedanz 132 und die magne- 20 Der soeben beschriebene Lesevorgang hat die im
tischen Elemente der unteren Hälfte der Anordnung Element 102 enthaltene Information zerstört. Es
100 zur Klemme 136 des Verstärkers. Die Treiber wird deshalb nötig, dieses in seinen vorherigen Zu-114
und 166 müssen beide Ströme gleicher Richtung stand zurückzuversetzen. Dies geschieht durch erliefern.
Die Eingangsimpedanz des Verstärkers 118 neute Aktivierung des Treibers 116, der einen Bitsollte
an die Impedanz der ihn speisenden Leiter 110 25 Treiberimpuls über Leiter 112 zu den Pfaden 112'
und 112 angepaßt sein; seine Ausgangsklemme ist und 112" schickt. Am Element 102 wird dieser
mit 138 bezeichnet. Bit-Impuls mit einem Wort-Treiberimpuls des Die Arbeitsweise der Schaltung nach F i g. 3 wird Leiters 106 überlagert; die vereinte MMK schaltet
besser verständlich, wenn in Betracht gezogen wird, das Element 102 um. Etwaige kapazitive Stördaß
zusätzliche Entschlüsselungs- und Auswahl- 30 impulse sowie die Bit-Impulse auf dem Leiter 112
schaltungen bekannter Art noch vorzuschalten sind. werden in der bereits beschriebenen Weise aus-Unter
dieser Voraussetzung kann die Schaltung nach gelöscht.
Fig. 3 sowohl zum Lesen als auch zum Schreiben Die Impedanzen 120, 124, 130, 132 der Fig. 3
von Daten in die Anordnung 100 magnetischer EIe- dienen dazu, die in einer Hälfte der Anordnung 100
mente benutzt werden. Es würde das Element 102 35 entstandenen Stör- oder Nutzimpulse vom Eindrin-
beispielsweise betrachtet. Der stabile Zustand, auf gen in die andere Hälfte der Anordnung abzuhalten,
den dieses Element während eines Schreibvorgangs Die Impedanzen 124 und 132 sperren also in der
gebracht wird, folgt aus der binären Information, die oberen Hälfte der Anordnung entstandene Impulse
darin gespeichert werden soll und hängt ab von der gegenüber der unteren Hälfte ab. Entsprechendes
Richtung des Bit-Treiberstromes auf dem Pfad 112' 40 gilt für die Impedanzen 120 und 130.
oder 110'. Zunächst wird das magnetische Element Zusammenfassend kann festgestellt werden, daß
102 durch einen Impuls auf dem Wort-Treiberleiter die Schaltung der Fig. 3 eine magnetische Speicher-
106 ausgewählt. Gleichzeitig und entsprechend der anordnung zeigt, die eine gemeinsame Bit-Abfühl-
gewünschten Richtung des Bit-Treiberstromes wird wicklung enthält und die mit Hilfe einer unipolaren
einer der Treiber 114 oder 116 erregt. Es sei dies 45 Bit-Treiberschaltung bipolare Arbeitsweise ver-
z. B. der Treiber 116. Dann wird ein Impuls von 116 wirklicht.
über den Leiter 112 und den Pfad 112' durch das Die Fig.4 zeigt eine weitere magnetische Speimagnetische
Element 102 laufen. Der Impuls kann cheranordnung 200. Hier sind ebene magnetische
die Amplitude von 0,1 bis 0,2 mA haben. Die ver- Elemente benutzt zur Unterstützung der früheren
einigte MMK beider Impulse (auf Leiter 106 und 50 Feststellung, daß die vorliegende Erfindung auf
112') genügt zur Umschaltung des magnetischen magnetische Elemente in jeder Form anwendbar ist.
Elements 102; auch durch den Pfad 112" ist ein Mit jedem magnetischen Element ist ein Wortgleich großer Bit-Treiberimpuls gelaufen. Beide Treiberleiter verkettet. Die Wort-Treiberleiter 206
Treiberimpulse treffen gleichzeitig an den Klemmen und 208 z. B. sind mit den Elementen 202 bzw. 204
134 und 136 des Differential-Abfühlverstärkers 118 55 verkettet. Die Anordnung 200 ist in zwei Gruppen
ein. Da sie gleiche Amplitude und Polarität besitzen, 210 und 212 von magnetischen Elementen aufgeteilt,
ergibt sich nach Inversion des einen und nachfolgen- Jede Gruppe enthält fünf magnetische Elemente, die
der Addition zum anderen ein Nettoeingangssignal 0, in beiden Gruppen gleichartig angeordnet sind. Zwei
und der Verstärker wird kein Signal abgeben. Es Leiter, 214 und 216, führen über die magnetischen
wurde also ein Element eingestellt und die Leitung 60 Elemente der Gruppen 210 und 212 hinweg. Ein
der Bit-Impulse ausgelöscht. bipolarer Bit-Treiber 218 speist den Leiter 214, ein
Zum Lesen des Elements 102 (das also eine 1 spei- gleicher Treiber 220 den Leiter 216. Der Leiter 214
ehern möge) wird es also in einen unstabilen Zu- passiert nacheinander die magnetischen Elemente
stand umgeschaltet und die sich ergebende Spannung der Gruppe 210; am Knotenpunkt 222 teilt er sich
festgestellt. Dazu wird ein Strom entsprechender 65 in die zwei parallelen Pfade 214' und 214". Der
Größe durch den Wort-Treiberleiter 106 geschickt. Pfad 214' führt zu der einen Eingangsklemme des
Während das magnetische Element 102 sich vom Differential-Abfühlverstärkers 224. Der Pfad 214"
Eins-Zustand zu einem unstabilen Zustand ver- passiert die magnetischen Elemente der Gruppe 212
nacheinander und endet bei dem Anpassungswiderstand 226.
Symmetrisch zum Leiter 214 verläuft der Leiter 216. Vom Treiber 220 passiert er zunächst nacheinander
die magnetischen Elemente der Gruppe 212; am Knotenpunkt 228 teilt er sich. Der Pfad 216'
führt zur anderen Eingangsklemme des Verstärkers 224, und der Pfad 216" passiert die magnetischen
Elemente der Gruppe 210 und endet bei dem Anpassungswiderstand
230. ίο
Auf der Anordnung der F i g. 4 wurden Entschlüsselungs-
und Auswahlschaltungen nicht gezeigt. Der Schreibvorgang benutzt die Leiter 214 und
216 als Bit-Treiberleitungen. Zum Speichern eines Binärwertes, z. B. im magnetischen Element 202 der
Gruppe 210, wird dem "Wort-Treiberleiter 206 ein
Impuls zugeführt. Gleichzeitig liefert der Bit-Treiber 218 über den Leiter 214 einen Strom solcher Richtung,
daß das magnetische Element 202 in den gewünschten Magnetisierungszustand übergeht. Weiter
wird vom Treiber 220 ein in gleicher Richtung wirkender Strom auf den Leiter 216 und damit auch
auf 216" gegeben. Wenn die Treiberimpulse auf den Pfaden 214 und 216" das magnetische Element 202
passieren, kann die resultierende MMK das Element 202 in den gewünschten Zustand überführen. Die
Bit-Treiberimpulse sind gleich nach Polarität und Amplitude. Sie gelangen auf den Pfaden 214' und
216' zum Verstärker 224 und löschen sich dort gegenseitig aus.
Das Abfühlen eines magnetischen Elements geschieht in der schon beschriebenen Weise. Das heißt
mittels eines Stromes durch den Wort-Treiberleiter 206. Dieser Strom, dessen Richtung das magnetische
Element 202 aus einem stabilen in einen unstabilen magnetischen Zustand überführen kann, verursacht
auf dem Leiter 214 und auf dem Pfad 216" ein Nutzsignal. Zu dem Nutzsignal kommt noch ein
Störsignal, verursacht durch den Strom in Leiter 206. Wie früher erläutert, schreiben sich vom magnetisehen
Element 202 aus, Störsignale nach beiden Seiten mit gleicher Polarität und Amplitude aus und
gelangen über die Leiter 214 und 216' zum Differential-Verstärker 224, wo sie sich auslöschen. Die
Nutzsignale aus dem Element 202 schreiben sich, mit gleicher Amplitude aber verschiedener Polarität, in
gleicher Weise aus und addieren sich am Verstärker. Das Wiedereinschreiben geschieht in bekannter Weise.
Die Schaltung der F i g. 5, eine übliche Gleichstrom-Brückenschaltung,
bildet das Äquivalent zu der Schaltung der F i g. 4. Für gleiche Elemente wurden gleiche Bezugszeichen benutzt. Die Leiter
214 und 216 kommen auch hier aus den bipolaren Bit-Treibern 218 und 220. Die magnetischen Elemente
der Gruppe 210 sind auf entgegengesetzten Zweigen der Brücke 300 aufgereiht. Es muß daran
erinnert werden, daß dies eine schematische Darstellung dafür ist, wie die Leiter 214 und 216 über
die Gruppen 210,212 von magnetischen Elementen geführt sind, und daß jedes magnetische Element
zwei mit ihm verkettete Bit-Abfühlleiter hat. Die magnetischen Elemente der Gruppe 10, die gestrichelt
dargestellt sind, sind also in Wirklichkeit dieselben wie die Elemente der Gruppe 10 in ausgezogenen
Linien. Dasselbe gilt für die Elemente der Gruppe 12. Das Element 204 der Gruppe 212 z. B.
ist mit seinem Wort-Treiberleiter 208 auf entgegengesetzten Brückenzweigen dargestellt. Der Leiter 214
führt zum Punkt 302 der Brücke 300 und von dort über die magnetischen Elemente der Gruppe 210 zum
Punkt 304. Die magnetischen Elemente der Gruppe sind auf den beiden übrigen Brückenzweigen
angeordnet. Der Pfad 214" passiert magnetische Elemente der Gruppe 212, die das symmetrische Gegenstück
magnetischer Elemente aus der Gruppe 210 darstellen. Dieser Pfad ist durch die Leiter vom
Brückenpunkt 304 über die Impedanz 226 zum Punkt 306 und nach Erde dargestellt. Vom Punkt
zweigt ein Pfad 214' zu einer Eingangsklemme des Differential-Abfühlverstärkers 224 ab.
Für die aus dem Treiber 220 kommende Leitung ist ein ähnlicher Verlauf aus der Zeichnung
ersichtlich. Die Leitung führt zum Punkt 302 und von dort über die magnetischen Elemente der
Gruppe 212 dieses Brückenzweigs zum Punkt 308; hier teilt sie sich in den Pfad 216' zur anderen
Klemme des Verstärkers und den Pfad 216", der über die magnetischen Elemente der Gruppe 210
und die Impedanz 230 zum Punkt 306 führt.
Bei einer abgeglichenen Brücke ist der Spannungsabfall
zwischen den Punkten 302 und 304 einerseits und den Punkten 302 und 308 andererseits einander
gleich. Die an den Pfaden 214' und 216' entstandenen Spannungen sind deshalb immer amplitudengleich.
Sind sie Störspannungen, so haben sie auch gleiche Polarität und löschen sich am Verstärker 224
aus. Sind sie Nutzsignale, so haben sie entgegengesetzte Polarität und addieren sich am Verstärker.
Claims (5)
1. Schaltungsanordnung zum Abfühlen von der Speicherung von Binärwerten dienenden
magnetischen Speicherelementen, die sämtlich mit einem gemeinsamen Leiter zum Abfühlen
der Speicherwerte verkettet sind, und mit Einrichtungen zur Verringerung der Störsignale beim
Abfühlvorgang, dadurch gekennzeichnet,
daß zwei Abfühlleiter (34, 36) vorgesehen sind, die mit allen Speicherelementen (z. B. 10,
12) je in umgekehrter Reihenfolge verkettet und mit den einander entsprechenden Enden zu den
beiden Eingangsklemmen eines Differentialverstärkers (32) geführt sind, der das Signal an einer
seiner Eingangsklemmen invertiert und zu dem Signal an seiner anderen Eingangsklemme addiert.
2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden anderen
Enden der Abfühlleiter mit dem Wellenwiderstand abgeschlossen sind.
3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, bei der die Abfühlleitung während des Schreibvorganges
als Treiberleitung benutzt wird, dadurch gekennzeichnet, daß an jeden der beiden Abfühlleiter
(110,112) eine Impulsquelle (114,116) angeschlossen ist, die beim Eintragen eines
Binärwertes in ein Speicherelement wahlweise erregt wird.
4. Schaltungsanordnung nach den Ansprüchen 1 und 3, dadurch gekennzeichnet, daß die
Speicherelemente in zwei Gruppen aufgeteilt sind, daß zwei je ein Leiterpaar (HO', 110"; 112',
112") speisende Impulsquellen (114,116) vorgesehen sind, daß jeder Leiter (z. B. 110') eines
Paares mit den Speicherelementen einer Gruppe
809 647/1784
je in umgekehrter Reihenfolge wie der entsprechende Leiter (z. B. 112') des anderen Paares
verkettet ist und daß jedes Leiterpaar anschließend mit je einem Paar Eingangsklemmen eines
Differentialverstärkers (118) verbunden ist.
5. Schaltungsanordnung nach den Ansprüchen 1 und 3, dadurch gekennzeichnet, daß die
Speicherelemente in zwei Gruppen aufgeteilt und
10
je mit zwei Leitern (214, 216) verkettet sind, daß jeder Leiter von einer Impulsquelle gespeist wird
und zu jeder Gruppe und innerhalb der Gruppe zu deren Speicherelementen in umgekehrter
Reihenfolge geführt ist wie der andere Leiter und daß die Leiter zwischen den beiden Gruppen
mit einem Paar Eingangsklemmen eines Differentialverstärkers verbunden sind.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US334278A US3325793A (en) | 1963-12-30 | 1963-12-30 | Capacitive noise cancellation in a magnetic memory system |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1285000B true DE1285000B (de) | 1968-12-12 |
Family
ID=23306457
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DEI27241A Pending DE1285000B (de) | 1963-12-30 | 1964-12-28 | Schaltungsanordnung zum Abfuehlen von magnetischen Speicherelementen |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3325793A (de) |
DE (1) | DE1285000B (de) |
FR (1) | FR1420781A (de) |
GB (1) | GB1087833A (de) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1090133A (en) * | 1963-07-16 | 1967-11-08 | Emi Ltd | Improvements relating to information storage devices |
US3389385A (en) * | 1964-06-08 | 1968-06-18 | Burroughs Corp | Inductive noise cancelling device for magnetic memory array |
US3474420A (en) * | 1965-05-04 | 1969-10-21 | Singer General Precision | Magnetic thin film data storage unit in a bridge-like arrangement |
US3488642A (en) * | 1965-05-21 | 1970-01-06 | Toko Inc | Magnetic thin film memory device utilizing a common noise balancing line |
US3529304A (en) * | 1966-06-14 | 1970-09-15 | Northrop Corp | Microsecond signal recording employing magnetic cable within delay line |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1006897B (de) * | 1954-09-07 | 1957-04-25 | Western Electric Co | Speicherkreis mit einem magnetischen Kern mit zwei moeglichen stabilen Magnetisierungszustaenden |
US2915740A (en) * | 1956-09-17 | 1959-12-01 | Burroughs Corp | Static magnetic memory system |
US3007056A (en) * | 1956-12-05 | 1961-10-31 | Ibm | Transistor gating circuit |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3112470A (en) * | 1958-11-10 | 1963-11-26 | Sylvania Electric Prod | Noise cancellation for magnetic memory devices |
US3208054A (en) * | 1962-06-25 | 1965-09-21 | Lockheed Aircraft Corp | Noise cancellation circuit for magnetic storage systems |
-
1963
- 1963-12-30 US US334278A patent/US3325793A/en not_active Expired - Lifetime
-
1964
- 1964-12-21 GB GB51759/64A patent/GB1087833A/en not_active Expired
- 1964-12-28 DE DEI27241A patent/DE1285000B/de active Pending
- 1964-12-29 FR FR149A patent/FR1420781A/fr not_active Expired
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1006897B (de) * | 1954-09-07 | 1957-04-25 | Western Electric Co | Speicherkreis mit einem magnetischen Kern mit zwei moeglichen stabilen Magnetisierungszustaenden |
US2915740A (en) * | 1956-09-17 | 1959-12-01 | Burroughs Corp | Static magnetic memory system |
US3007056A (en) * | 1956-12-05 | 1961-10-31 | Ibm | Transistor gating circuit |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US3325793A (en) | 1967-06-13 |
FR1420781A (fr) | 1965-12-10 |
GB1087833A (en) | 1967-10-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE1041530B (de) | Schaltungsanordnung zur Herstellung einer zweiseitig gerichteten Verbindung zur UEbertragung von Signalen oder Nachrichten zwischen zwei Stromkreisen | |
DE1058284B (de) | Magnetkernmatrix-Speicheranordnung mit mindestens einer Schaltkernmatrix | |
DE1233437B (de) | Magnetischer Speicher | |
DE1424575B2 (de) | Magnetischer festwertspeicher | |
DE1268678B (de) | Magnetische Speicheranordnung | |
DE1449806C3 (de) | Matrixspeicher | |
DE1275608B (de) | Zugriffschaltung fuer Speicheranordnungen | |
DE1186509B (de) | Magnetspeicher mit einem mit zueinander senkrechten Bohrungen versehenen Magnetkern | |
DE1285000B (de) | Schaltungsanordnung zum Abfuehlen von magnetischen Speicherelementen | |
DE1039567B (de) | Aus bistabilen Magnetkernen bestehende Schaltmatrix | |
DE1219082B (de) | Differentialverstaerkerschaltung fuer einen Matrix-Schreib-Lese-Kreis | |
DE1200362B (de) | Schaltungsanordnung zur Auswahl eines Verbrauchers | |
DE1181276B (de) | Datengeber aus matrixfoermig angeordneten Ferrit-Ringkernen | |
DE1165083B (de) | Magnetkernschalter | |
DE1119015B (de) | Magnetkernschaltkreis | |
DE2257842C3 (de) | Matrixspeicher mit Störungsausgleich | |
DE1499717B2 (de) | Treiberschaltung fuer einen magnetkernspeicher | |
DE1292197B (de) | Informationsspeicherschaltung mit Drahtspeicherelementen | |
DE1499718C (de) | Treiberschaltung für einen Magnetkernspeicher | |
DE1166259B (de) | Schaltkernmatrix | |
DE1499823C3 (de) | Auswahlschaltung mit unipolaren Schaltern | |
DE1178896B (de) | Matrix-Waehlanordnung | |
DE1474481C3 (de) | Nach dem Koinzidenzprinzip arbeitender Speicher | |
DE1186107B (de) | Magnetspeicher mit mindestens einer Platte aus einem magnetisierbaren Material | |
DE1424575C (de) | Magnetischer Festwertspeicher |