DE2257842C3 - Matrixspeicher mit Störungsausgleich - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft einen Speicher mit in einem

dicht gedrängten Rechteck in Reihen und Spalten angeordneten magnetischen Speicherelementen, die mit einem Reihenselektionsdraht je Reihe und einem Spaltenselektionsdraht je Spalte und zwei jeweils einer Hälfte der Reihen zugeordneten und jeweils an einem

jo der beiden Eingänge eines Differential-Leseverstärkers führenden Lesedrähte versehen sind, wobei die Information eines Speicherelements durch gleichzeitige gleichnamige Erregung des dem Speicherelement zugeordneten Reihen- und Spaltenselektionsdrahts mit

S5 Selektionsströmen auslesbar ist, und wobei die Störung durch einen ersten Reihenselektionsstrom in einem Reihenselektionsdraht in einem jener Reihe zugeordneten ersten Lesedraht durch gleichzeitige Erregung eines zweiten Reihenselektionsdrahts ausgleichbar ist, welche letztere Erregung ungleichnamig ist in bezug auf den Spaltenselektionsstrom hinsichtlich eines Speicherelements am Koppelpunkt und gleichgerichtet in bezug auf den der Reihe zugeordneten zweiten Lesedraht, eben so wie der erste Reihenselektionsstrom in bezug auf den

*^r> ersten Lesedraht.

Unter einem dicht gedrängten Rechteck wird eine Formation verstanden, bei der im allgemeinen in jedem Koppelpunkt einer Reihe und einer Spalte ein Speicherelement vorhanden ist. Dabei können die

■>·> Reihen und Spalten gegebenenfalls einen sich von 90° unterscheidenden Winkel zueinander bilden. Es ist gegebenenfalls auch möglich, daß einige Koppelpunkte unbesetzt sind, etwa dadurch, daß ein Speicherelement betriebsunfähig ist, oder dadurch, daß eine bestimmte

y> Reihe oder Spalte von Speicherelementen eine etwas andere Punktion hat, für die nicht alle Speicherelemente jener Reihe oder Spalte erforderlich sind.

Ein solcher Speicher mit einem Störungsausgleich ist z. B. aus dem I.B.M. Technical Disclosure Bulletin, Band

"ο Ü, Nr. 9, Februar 1969, S. 1157 bekannt. Die Reihcnselektionsdrähte liegen jeweils paarweise in Reihen, so daß beim Anlegen eines Reihenselektionsstroms stets die Kerne von zwei Reihen selektiert werden. Die beiden so in Reihe geschalteten Reihense-

*>5 lektionsdrähte verlaufen jeweils parallel zu einem Teil von einem der beiden Lesedrähte. Die Erregung dieser beiden Reihenselektionsdrähte ist in bezug auf die Lesedrähte gleichgerichtet, nämlich stets entsprechend

der Richtung zu den Anschlußklemmen des Verstärkers hin. Mit guter Annäherung sind die Störungen durch den Reihenselektionsstrom im absoluten Wert gleich. Zum Auslesen werden ein Spaltenselektionsdraht und ein Paar von Reihenselektionsdrähten gleichzeitig erregt, Dies kann bedeuten, daß der Reihenselektionsstrom und der Spaltenselektionsstrom in der Zeit gesehen denselben Verlauf haben, es ist jedoch nicht unbedingt notwendig. Ebensowenig müssen sie genau gleich groß sein. Es genügt, daß sie beide während einiger Zeit vorhanden sind. Von der\ beiden Magnetkernen an den Koppelpunkten wird der erste doppelt selektiert, weil dafür der Reihenselektionistrom und der Spaltenselektionsstrom gleichnamig sind, d. h. durch diese Selektionsströme werden im Magnetkern gleichgerichtete, π Magnetfelder erzeugt. Der zweite Kern im anderen Koppelpunkt wird nicht selektiert, da für ihn die Sclcktionsströmc ungleichnamig sind: die erzeugten Magnetfelder haben entgegengesetzte Richtungen. Durch die Doppelselektion wird der Kern ausgelesen, Die Magnetisierung wird in diejenige des Ruhezustands gebracht Das Signal am Lesedraht wird dadurch beeinflußt, ob die Magnetisierung gegebenenfalls im Ruhezustand war oder nicht Diese beiden Zustände kann man beliebig als eine »1« oder als eine »0« definieren.

Der Nachteil eines derartigen Speichers ist, daß sich gegenseitig aufhebende Störungen am Eingang des Signalaufnehmers (Differenzleseverstärker) durch den Aufbau des Speichers verschiedene Zeitverzögerungen Jo erfahren, bevor sie beim Leseverstärker ankommen, wodurch eine dynamische Resterscheinung als Störung übrigbleibt. Diese Zeitverzögerung wird durch die Längen der Lesedrähte zwischen der Stelle, an der die Störung auftritt, und dem Leseverstärker bestimmt, insbesondere jedoch durch die auf den Abschnitt des Lesedrahts gereihte Anzahl von Kernen.

Eine derartige Erscheinung tritt für die Störung durch den SpaltensHektionsdraht auf.

Diese Störung hat einen etwas anderen Charakter als -10 die Störung durch den Reihenselektionsstrom. Letztere hat einen größtenteils elektrostatischen Charakter, da ein Teil des Reihenselektionsdrahts beim Anlegen des Selektionsstroms auf ein verändertes Potential gebracht wird. Die Störung durch den Spaltenselektionsstrom ■·> erfolgt zu einem beträchtlichen Teil dadurch, daß die Magnetkerne als Transformatoren wirken. Nun .kann man die Störungen durch den Spaltenselektionsstrom an einem Lesedraht ausgleichen, wenn man die richtige Orientierung der Kerne in den Koppelpunkten wählt > <> (links herufti bzw. rechts herum), wodurch man gleichsam den Wickelsinn der Windungen (Spaltenselektionsdraht bzw. Lesedraht) am Transformatorsteg (dem Magnetkern) umdrehen kann. Da jedoch beim bekannten Speicher die Laufzeit der Störungen entlang '·< dem Lesedraht zur Eingangsklemme des Leseverstärkers unterschiedlich ist, wird wiederum eine dynamische Reslerscheinung übrig bleiben.

Nach der Erfindung ist eine Lösung möglich, und sie ist dadurch gekennzeichnet, daß die Längen der Mt Lesedichte zwischen den Speicherelementen an den Koppelpunkten des so erregten Spaltenselektionsdrahts und den beiden so erregten Reihenselektionsdrähten einerseits und den Anschlußklemmen des Leseverstärkers andererseits in elektrischer Hinsicht nahezu gleich <>*■ sind, und daß ferner er Spaltenselektionsdraht an Paaren von zwei Koppelpunkten mit demselben Lesedraht einmal auf gleichnamige und einmal auf ungleichnamige Weise mit dem einen bzw. anderen der beiden Speicherelemente gekoppelt ist.

Beim Zustandekommen der Erfindung wurde das obengenannte Problem erkannt und es wurde die Lösung für dieses Problem geschaffen. Das Ausmaß, in dem die »Nahezu vollständige Gleichheit« verwirklicht werden muß, hängt von der Störungsempfindlichkeit des Leseverstärkers und von anderen Anforderungen ab, denen der Speicher genügen muß. Bei einem sehr schnell wirkenden Speicher ist es vorteilhaft, die »nahezu vollständige Gleichheit« zu verbessern. Im Gegensatz dazu ist in der zitierten Veröffentlichung nicht einmal ein Anfang einer Verwirklichung für eine derartige Lösung angegeben.

Die dargestellte Schwierigkeit wird umso größer, je größer die Anzahl von Reihen und die Anzahl von Kernen je Reihe ist

Eine bevorzugte Ausführungsform der Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß die beiden Lesedrähte nahe ihren Mitten an die Anscrsinßklemmen des Leseverstärkers angeschlossen sind. Die Laufzeit der Störungen hängt von der Länge des Lesedrahts und von der Anzahl der darauf aufgereihten Kerne ab. Außerdem hängt die Laufzeit von der in den Kernen gespeiciierten Information und von Änderungen in der Dicke des Lesedrahts ab. Dasselbe gilt für das Lesesignal, das durch das Auslesen der gespeicherten Information entsteht Je kleiner die Anzahl von Kernen, je besser, was mithin zu einer möglichst kurzen Länge des Lesedrahts führt. Während es bereits bekannt war, den Lesedraht in der Mitte an den Leseverstärker anzuschließen, wird im Rahmen der Erfindung ein zusätzlicher Vorteil erreicht, da sich die Störungen in der Zeit gesehen besser ausgleichen. Die Änderung im Informationsinhalt kann in bestimmten Fällen die Laufzeit zu 5—10% ändern. Durch Kurzhalten der Länge wird auch diese Änderung kleiner. Bei einem derartigen Speicher wird Information in ein Speicherelement eingeschrieben durch gleichnamige Erregung der ihm zugeordneten Selektionsdrähte mit zweiten Selektionsströmen. Dabei ist eine vorteilhafte Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Speichexs dadurch gekennzeichnet daß der zweite Spaltenselektionsstrom durch einen Sperrstrom in der dem Speicherelement zugeordneten Hälfte eines Lesedrahts sperrbar ist, welche Hälfte mithin einem Viertel der Reihen zugeordnet ist, welcher Sperrstrom ferner in bezug auf den zweiten Spallenselektionsstrom den Speicherelementen an den Koppelpunkten des betreffenden Spaltenselektionsdrahts und der genannten Hälfte auf ungleichnamige Weise zugeordnet ist. Auf diese Weise kann die Selektion der der ersten Hälfte eines Lesedrahts zugeordneten Kerne durch den Sperrstrom vermieden werden, während andererseits die zweite Hälfte alle Möglichkeiten bietet, um die ihr zugeordneten Kerne derselben Spalte in bezug auf den Spaltenselektionsstrom auf ungleichnamige Weise zu koppeln,

Eine bevorzugte Ausführungsform nach der Erfindung, bei der die Speicherelemente aus ringförmigen Körpern gebildet sind, die an den genannten Koppelpunkten eine erste bzw. zweite Ausrichtung haben, ist dadurch gekennzeichnet, daß die Lesedrähte sich abwechselnden Reihen zugeordnet sind, und daß die Ausrichtung der ringförmigen Körper einer ungeraden Reihe entgegengesetzt zur Ausrichtung der ringförmigen Körper der direkt darauffolgenden geradzahligen Reihe ist und gleich der Ausrichtung der ringförmigen

Körper der direkt vorgehenden geradzahligen Reihe ist. Auf diese Art und Weise wird ein regelmäßiger Aufbau erzielt, während sich die verschiedenen Ausrichtungen durch das übliche Verdrahtungsverfahren einfach verwirklichen lassen.

Eine weitere bevorzugte Ausführungsform nach der Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß die Reihen eine Anzahl von Gruppen derselben Anzahl aufeinanderfolgender Reihen bilden, welche Anzahl wenigstens zwei ist, während die Ausrichtung der Speicherelemente aufeinanderfolgender Gruppen entgegengesetzt ist. Es zeigt sich, daß das Aufreihen der ringförmigen Körper (Kerne) auf die Drähte leichter ist, wenn die Kerne von aufeinanderfolgenden Reihen dieselbe Ausrichtung haben. Je weniger Wechsel zwischen aufeinanderfolgenden Reihen, je leichter. Durch Aufbau der genannten Gruppen aus mehr als zwei Reihen wird die Anzahl von •f cciiSCim geringer.

Eine weitere bevorzugte Ausführungsform nach der Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß die Reihen in zwei Gruppen eingeteilt sind, daß die Speicherelemente je Gruppe eine gleiche Ausrichtung haben und daß die Gruppen zu beiden Seiten eines Trägers angeordnet sind. Einerseits möchte man die Anzahl von Wechseln klein machen. Es zeigt sich, daß der Lesedraht ein unregelmäßigeres Muster erhält. Wenn jedoch die Reihen beidseitig eines Trägers in zwei Gruppen eingeteilt werden, kann wiederum eine einfache Lösung geschaffen werden.

Die Erfindung wird anhand einiger Figuren beschrieben. Fig. I zeigt eine Darstellung eines Speichers nach dem Stand der Technik. Die Fig. 2 bis 7 zeigen einige Ausführungsformen eines erfindungsgemäßen Speichers.

Fig. 1 zeigt einen Matrixspeicher entsprechend dem IBM Technical Disclosure Bulletin. Band 11. Nr. 9, Februar 1969, Seite 1157. wobei der Deutlichkeit halber die Anzahl von Speicherelementen (Ringkernen) auf 32 erhöht ist. Der Speicher enthält die Kerne CIl, C 12. C13. C14, C21 ... C24. C31 ... C84. Dahindurch sind die Reihenselektionsdrähte gereiht, von riennn ieweik zwei in Serie liegen. Die Reihenselektionsströme werden durch die Generatoren DX. DX D5. Dl geliefert, wodurch also stets zwei Reihen selektierbar sind. Die Spaltenselektionsströme werden durch die Generatoren F1...F4 geliefert, wodurch stets eine Spalte selektierbar ist. Ferner sind zwei Lesedrähte 5 1 und 52 und ein Leseverstärker SA vorhanden.

Die Matrix bildet einen Teil einer Reihe von Matrizen, in denen jeweils stets höchstens ein Bit eines gespeicherten Worts speicherbar ist. Angenommen wird, daß dieses Bit im Kern C13 gespeichert ist. Um dieses Bit auslesen zu können, werden der Reihenselektionsdraht XX und der Spaltenselektionsdraht Y3 durch positive Ströme aus den Generatoren D X bzw. £3 erregt. Die Stromrichtungen sind dabei zur Erde hin gerichtet. So wird der Kern C13 selektiert, da die Ströme durch die Selektionsdrähte X1 und V 3 in bezug auf diesen Kern dieselbe Richtung haben. Der Kern C23 wird nicht selektiert, da die Ströme durch X2 und Y3 hindurch in bezug auf diesen Kern entgegengesetzt sind. Die Kerne CIl, C12, C14, C21, C22, C24, C33, C43, C53, C63, C73 und C83 werden durch einen einzigen Strom halb selektiert und die übrigen einundzwanzig Kerne nicht. Durch die gleichnamigen Ströme wird C13 in den »Null«-Zustand magnetisiert. Wenn er sich vorher im »Eins«-Zustand befand, so ergibt dies ein Umschlagsignal am Lesedraht 51.

Andererseits entsteht ein Störsignal am Lesedraht 51, da der Draht X X über eine geringe Strecke mit ihm zusammenläuft. Der Draht X 2 läuft auf entsprechende Weise mit dem Lesedraht X 2 zusammen, und an diesen

-, beiden Drähten entstehen dadurch Störungen mit derselben Größe und Richtung. Der Leseverstärker SA wirkt als Differenzverstärker und diese beiden Störungen werden voneinander abgezogen. Die Zeitverzögerung durch diese Störungen vor der Ankunft bei SA ist

ίο jedoch verschieden, die Störung durch XI kommt schnell bei SA an, die Störung durch X 2 muß nahezu den ganzen Draht 52 durchlaufen. Durch den Zeitunterschied bleibt stets ein beträchtlicher Störungsrest übrig. Dasselbe gilt dann, wenn im vorstehenden

ti Fall eine Null gespeichert war. In dem Fall delektiert der Leseverstärker das Fehlen eines Umschlagsignals, was als Anzeige der gespeicherten Null gilt. Wenn

et £1 t^f\ w Jm

f ^ψί% I £^t? i* P^ If I #*/Ί P^v

der Generaotr D 1 einen Strom mil entgegengesetzter Richtung erzeugen.

Fig. 2 zeigt einen Speicher nach der Erfindung. Die sich entsprechenden Elemente sind mit denselben Bezugsziffern wie in Fig. I versehen. Der Speicher enthält 128 Magnetkerne CIl... C18. C21...C28,

2s C3I...C168, sechszehn Reihenselektionsdrähte X X ... 16, acht Spaltenselektionsdrähte V1 ... YS mit den jeweiligen Generatoren FX... FXb, Gl... C 16, Fl... F8 und LX ... LS. Ferner sind zwei Lesedrähte 5 I. 52 mit dem Leseverstärker 54. zwei Dioden Hund

i<i / und vier Schreibverstärker KX... K 4 mit den Abschlußwiderständen RX ...R4 vorhanden. Der Einfachheit halber ist nur ein Teil der Kerne dargestellt und mit einer Angabe versehen.
Angenommen der Kern C17 wird ausgelesen. Die

J5 Generatoren Fl und GX erregen den Reihenselektionsdraht Xi und die Generaloren F7 und L 7 den Spaltenselektionsdraht Yl, so daß die Ströme dem Magnetkern C17 gleichnamig zugeordnet sind. Gleichzeitig erregen die Generatoren F2 und G 2 .den Reihenselektionsdraht X2 in derselben Richtung, mithin etwa so. daß der Strom von F2 nach G 2 fließt. Durch die andere Ausrichtung des Kerns C27 gleichen sich die beiden erzeugten Ströme aus. so daß nicht ausgelesen wird. Ferner ist die Verzögerungszeit der beiden Störungen durch die Erregung der Reihenselektionsdrähte für beide Lesedrähte 51 und 52 gleich, da stets drei Reihen von Kernen zwischen der ersten und zweiten Reihe und den Anschlußpunkten des Leseverstärkers SA geschaltet sind. Es tritt eine zweite

so Störungsquelle hinzu, da die Kerne an den Koppel^jnkten zwischen dem Spaltenselektionsdraht Yl und den Lesedrähten als Transformatoren wirken. Angenommen sei, daß die Erregung von Yl derart ist, daß der Strom von F 7 nach L 7 geht. Der erzeugte Gegenstrom ist dadurch beim Kern C17 nach links gerichtet beim Kern C37 nach rechts usw. Ebenso ist beim Kern C157 der erzeugte Strom nach rechts gerichtet. Die Störung durch die Kerne C17 und C157 ist in bezug auf den Leseverstärker antisymmetrisch. Die Verzögerungszeiten sind gleich, so daß sie sich aufheben. Dies gilt ebenso für die Störungen durch die Kerne C37 und C137, usw. Beim Lesen des Kerns C 27 werden die Reihenselektionsdrähte Xi und X 2 durch Ströme in denjenigen Richtungen erregt, die entgegengesetzt sind zu denen, die zum Auslesen des Kerns C17 notwendig sind. Die Gleichheit der Verzögerungszeiten gilt nicht vollständig, sondern wird, wie bereits erwähnt durch die Information in den zu durchlaufenden Kernen beein-

flußt. Diese Anzahl von Kernen ist nun jedenfalls gleich. Beim Einschreiben von Information in einen Kern wird dieser wiederum durch zwei zusammenfallende Ströme selektiert, die entgegengesetzt zu den beim Auslesen verwendeten Strömen gerichtet sind. Hierbei muß jedoch nur ein Reihenselektionsdraht erregt w,>:-den, da die Störungen in diesem Fall unwesentlich sind. Wenn eine »Null« eingeschrieben wird, so wird außerdem durch den zugehörigen Schreibverstärker (für Kern C\7 ist dies der Schreibve.'stärker Ki) ein Sperrstrom erzeugt, wodurch den Reihen- und Spal tenerregungen entgegengewirkt wird. So bleibt der Kern im »ausgelesenen Zustand«, der hier als »Null« definiert wird. Der Abschlußwiderstand, etwa R 1, dient /ur Beseitigung unerwünschter Reflexionen, die Dioden, etwa H, dienen dazu, den hohen Sperrslrom von den Leseverstärkern SA entfernt zu halten. Der Sperrstrom n;„n. ,-,kor ,

I5rl,

K 1 erzeugt mithin einen Sperrstrom in der Hälfte eines Lesedrahts. Dieser ist an den Koppelpunkten mit dem erregten Spaltenselektionsdraht stets ungleichnamig in bezug auf den in diesem Spaltenselektionsdraht erzeugten Spaltenselektionsstrom. Wenn also der Kern C17 eingeschrieben wird, so gilt dieses letztere für die Kerne C37.C57 und C77.

F i g. 3 zeigt eine andere Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Speichermatrix. Außer durch die Anzahl von Speicherelementen unterscheidet sich diese im Vergleich zu Fig. 2darin, daß der Lesedraht S2 und d.; damit verbundenen Kerne in bezug auf Fig. 2 links/rechts gespiegelt sind, was damit auch für die Stromrichtungen in den Reihenselcktionsdrähten und im Lesedraht S 2 gilt. Die Störung durch die Transformatorwirkung der Magnetkerne unter Einfluß des Spaltenselektionsstroms hat nun kleine Unterschiede in der Zeitverzögerung, nämlich höchstens derjenigen Zeit, die zum Durchlaufen einer Reihe erforderlich ist. Dieser Effekt ist jedoch von der Anzahl von Reihen unabhängig, und er wird für sehr große Speicher kaum schwerwiegend sein. Die Dioden Hund /sind hier nicht dargestellt.

F i g. 4 zeigt wiederum eine andere Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Speichers. Der Einfachheit halber sind die Reihenselektionsdrähte ebenso wie die Abschlußwiderstände, die Generatoren und die Schreibverstärker nicht dargestellt. Die Reihen von Elementen bilden Dreiergruppen mit jeweils derselben Ausrichtung. So entsteht die Reihenfolge

1-3-3-3-3-3-4-3-3-3-3-3-1.

An den Enden und in der Mitte treten Abweichungen von der Regel auf. Zum Auslesen von Kernen werden stets zwei Reihenselektionsdrähte in derselben Richtung erregt, und zwar in den folgenden Kombinationen:

XlundX2
X3undX5

X 4 und X 6

wonach sich dasselbe Muster wiederholt. Für die Reihen 19... 36 ist die Reihenfolge umgekehrt.

Fig.5 zeigt einen Fall wie Fig.4, jetzt jedoch mit einem 2-4-4-... 4-4-2 Muster. Die Gruppen bestehen in nun stets aus vier Reihen, außer an den Enden. Zum Auslesen der Kerne werden nun jeweils zwei Reihenselektionsdrähte in derselben Richtung erregt und zwar in den Kombinationen;

XI und X 3
X2undX4
X5undX7

X 6 und X 8, usw.

Fig.6 zjigt einen Fall, bei dem nur noch zwei Gruppen von Reihen bestehen, die je die Hälfte der Reihen enthalten. Zum Auslesen der Kerne werden wiederum stets zwei Reihenselektionsdrähte in derselben Richtung erregt, und zwar in den folgenden Kombinationen:

^r' X 1 und X 16

X 2 und X 15
X 3 und X 14. usw.

Es zeigt sich nun, daß die Verbindungen der

«ι Lesedrähte zwischen den Reihen sehr lang werden. Dies wird vermieden, wenn der Speicher nach F i g. 6 in eine obere und eine untere Hälfte geteilt wird und wenn die untere Hälfte umgeklappt wird. Nun ist es möglich, einen Träger der halben Größe zu verwenden und

i> diesen an beiden Seiten mit Speicherelementen zu versehen. Dies ist in Fig. 7 schematisch dargestellt. Durch das Umklappen haben nun alle Elemente der oberen Hälfte (in der Zeichnung links) und der unteren Hälfte (in der Zeichnung rechts) dieselbe Ausrichtung.

4" Die beiden Hälften sind beide in Draufsicht dargestellt. Die Verbindung zwischen der Reihe 1 (Reihenselektionsdraht X1) und der Reihe 15 (Reihenselektionsdraht X 15) läuft über den Kontakt H 12, der eine Weiterverbindung durch den Träger ergibt. Die Verbindungen der

■»· betreffenden Hälfte sind in der Zeichnung mit durchgezogenen Linien dargestellt, die der anderen Hälfte gestrichelt, die Verbindungen von H 12 mit X 1 bzw. X 15. Es leuchtet ein. daß die Lesedrähte nun sehr kurz und mithin leicht zu montieren sind.

w Es leuchtet ein, daß die Verwendung anderer Speicherelemente in der Erfindung einbegriffen ist. Statt Ringkerne können etwa nadeiförmige Elemente oder BIAX-Elemente verwendet werden.

Hierzu 4 Blatt Zeichnungen

Claims (4)

Patentansprüche;

1. Speicher mit in einem dicht gedrängten Rechteck in Reihen und Spalten angeordneten magnetischen Speicherelementen, die mit einem Reihenselektionsdraht je Reihe und einem Spaltenselektionsdraht je Spalte und zwei jeweils einer Hälfte der Reihen zugeordneten und jeweils an einen der beiden Eingänge eines Differentialleseverstärker führenden Lesedrähte versehen sind, wobei die Information eines Speicherelements durch gleichzeitige gleichnamige Erregung des dem Speicherelement zugeordneten Reihen- und Spaltenselektionsdrahts mit Selektionsströmen auslesbar ist, und wobei die Störung durch einen ersten Reihenselektionsstrom in einem Reihensefektionsdraht in einem jener Reihe zugeordneten ersien Lesedraht durch gleichzeitige Erregung eines zweiten Reihenselektionsdrahts ausgleichbar ist, welche letztere Erregung ungleichnamig ist in bezug auf die Spaltenselektionsstrom hinsichtlich eines Speicherelements am Koppelpunkt und gleichgerichtet in bezug auf den der Reihe zugeordneten zweiten Lesedraht, ebenso wie der erste Reihenselektionsstrom in bezug auf den ersten Lesedraht, dadurch gekennzeichnet, daß die Längen der Lesedrähte zwischen den Speicherelementen an den Koppelpunkten des so erregten Spaltenselektionsdrahts und den beiden so erregten Reihenselektionsdrähten einerseits und den Anschlußklemmen des Leseverctärkers andererseits in elektrischer Hinsicht nahezu gleich bind, und daß ferner ein Spaltenselektionsdraht an Paarer, von zwei Koppelpunkten (C 17 und C157, C37 und C137) mit demselben Lesedraht einmal auf gleichnamige und einmal auf ungleichnamige Weise mit dem einen bzw. anderen der beiden Speicherelemente gekoppelt ist

2. Speicher nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden Lesedrähte nahe ihren Mitten an die Anschlußklemmen des Leseverstärkers angeschlossen sind.

3. Speicher nach Anspruch I, bei dem die Information durch gleichnamige Erregung der dem Speicherelement zugeordneten Selektionsdrähte mit zweiten Selektionsströmen in ein Speicherelement einschreibbar ist, dadurch gekennzeichnet, daß der zweite Spaltenselektionsstrom durch einen Sperrstrom in der dem Speicherelement zugeordnetem Hälften eines Lesedrahts sperrbar ist, welche Hälfte mithin einem Viertel der Reihen zugeordnet ist, welcher Sperrstrom ferner auch in bezug auf den zweiten Spaltenselektionsstrom auf ungleichnamige Waise den Speicherelementen an den Koppelpunkten des betreffenden Spaltenselektionsdrahts und der genannten Hälfte zugeordnet ist.

4. Speicher nach Anspruch S, 2 oder 3, bei dem die Speicherelemente aus ringförmigen Körpern gebildet sind, die an den genannten Koppelpunkten eine erste bzw. zweite Ausrichtung haben, dadurch gekennzeichnet, daß die Lesedrähte sich abwechselnden Reihen zugeordnet sind, und daß die Ausrichtung der ringförmigen Körper einer ungeraden Reihe entgegengesetzt zur Ausrichtung der ringförmigen Körper der direkt darauffolgenden geradzahligen Reihe ist und gleich der Ausrichtung der ringförmigen Körper der direkt vorgehenden

geradzahligen Reihe ist,

5, Speicher nach Anspruch 1,2 oder3, bei dem die Speicherelemente aus ringförmigen Körpern aufgebaut sind, die an den genannten Koppelpunkten eine erste bzw. zweite Ausrichtung haben können, dadurch gekennzeichnet, daß die Reihen eine Anzahl von Gruppen derselben Anzahl aufeinanderfolgender Reihen bilden, weiche Anzahl wenigstens zwei ist, während die Ausrichtung der Speicherelemente aufeinanderfolgender Gruppen entgegengesetzt ist,

6, Speicher nach Anspruch 1,2 oder 3, bei dem die Speicherkörper aus ringförmigen Körpern aufgebaut sind, die an den genannten Koppelpunkten eine erste bzw. zweite Ausrichtung haben können, dadurch gekennzeichnet, daß die Reihen in zwei Gruppen eingeteilt sind, daß die Speicherelemente je Gruppe eine gleiche Ausrichtung haben und daß die Gruppen zu beiden Seiten eines Trägers angeordnet sind.