DE2257842A1 - Matrixspeicher mit stoerungsausgleich - Google Patents

Matrixspeicher mit stoerungsausgleich

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DE2257842A1
DE2257842A1 DE2257842A DE2257842A DE2257842A1 DE 2257842 A1 DE2257842 A1 DE 2257842A1 DE 2257842 A DE2257842 A DE 2257842A DE 2257842 A DE2257842 A DE 2257842A DE 2257842 A1 DE2257842 A1 DE 2257842A1
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Cornelis Christianus Ma Schuur
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    • G11C11/06028—Matrixes
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Description

Dt. fferEert Seltrfs BOSS/AvdV
Patentanwalt
tV. phifipa Gfoetlsmpenfabrtekett
««a* 24. Kot»' T 972
^Matrixspeicher mit
Die Erfiniittög betrifft eimern Spe-ieiteqr mit ©isiem dielit gedrängten Reclttecle in Reilmti landi Spalten angeo-rdneten magnetiseiien Speicherelementen,» $£« mit einem Reilienselefcticjnsdraiit je Reilie twid einem Spalten^ sele&tiQnsdraiit je Spalte uncO zwei jeweils: einer Ha!i*te detf Reinen zugeordneten Signaliaiertingsdräitten |se»se wires) vefseheß sind, wobei die Informatian· eineselements dnreh. gleiehze±tige> gleiennamige Erregttng
-2- ■ * PHN.59lh
des diesem Speicherelement zugeordneten Reihen- und Spaltenselektionsdrahts mit Selektionsströmen auslesbar ist, und wobei die Störung durch einen ersten Reihenselektionsstrom in einem Reihenselektionsdraht in einem jener Reihe zugeordneten ersten Signalisierung»- draht durch gleichzeitige Erregung eines zweiten Reihenselektionsdrahts ausgleichbar ist, welche letztere Erregung ungleichnamig ist in bezug auf den Spalten— Spaltenselektionsstrom hinsichtlich eines Speicherelemente an Koppelpunkt und gleichgerichtet in bezug auf den dieser Reihe zugeordneten zweiten Signalisierungsdraht, eben so wie der erste Reihenselektionsstrom in bezug auf* den ersten Signalisierungsdraht. Unter einem dicht gedrängten Rechteck wird eine Formation verstanden, bei der im allgemeinen.in jedem Koppelpunkt; einer Reihe und einer Spalte ein Speicherelement vorhanden ist· Dabei können die Reihen und Spalten gegebenenfalls einen sielt von 90° unterscheidenden Winkel zueinander bilden. Es ist gegebenenfalls auch möglich, dass einige _ Koppelpunkte unbesetzt sind, etwa dadurch, dass ein > Speicherelement betriebsumfähig ist, oder dadurch, dass eine bestimmte Reih«: «der Spalte von Speicherelementen eine etwas andere Funktion hat» für die nicht alle Speicherelemente jener Reihe oder Spalte erforderlich sind.
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Ein" solcher Speicher .mit einem Störtangs— ausgleich ist etwa aus dem I.B.M. Technical Disclosure Bulletin, Band VY3 Nr. 9, Februar I969, S. 1157, etwa Fig. B bekannt. Die Reihenselektionsdrähte liegen jeweils paarweise In Reihen, so dass beim Anlegen eines Reihenselektionsstroms stets die Kerne von zwei Reihen selektiert werden. Die beiden so in Reihe geschalteten Reihenselektionsdrähte verlaufen jeweils parallel zu einem Teil von einem der beiden Signalisierungsdrähte. Die Erregung dieser beiden Reihenselektionsdrähte ist in bezug auf die Signalisierungsdrähte gleichgerichtet, etwa stets entsprechend der Richtung zu den Anschlussklemmen des Verstärkers hin. Mit guter Annäherung sind die Störungen durch den Reihenselektionsstrom im ab·· soluten Wert gleich. Zum Auslesen werden ein Spaltenselektionsdraht und ein Paar von Reihenselektionsdrähten gleichzeitig erregt. Dies kann bedeuten, dass der '■ Reihenselektionsstrom und der Spaltenselektionsstrom in der Zeit gesehen denselben Verlauf haben, es ist jedoch nicht unbedingt notwendig. Ebensowenig müssen sie genau gleich gross sein. Es genügt, dass sie beide während einiger Zeit vorhanden, sind. Von den beiden Magnetkernen an den Koppelpunkten wird der erste doppelt selektiert, weil dafür der Reihenselektionsstrom und der Spaltenselektionsstrom gleiphnamig sind, d.h. durch
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PHN.
diese Selektionsströme werden im Magnetkern gleichgerichtete Magnetfelder erzeugt. Der zweite Kern im anderen Koppelpunkt wird nicht doppelt selektiert, da für ihn die Selektionsströme ungleichnamig sind: die erzeugten Magnetfelder haben entgegengesetzte Richtungen. Durch die Doppelselektion wird der Kern ausgelesen. Die Magnetisierung wird in diejenige des Ruhezustands gebracht. Das Signal am Signalisierungsdraht wird dadurch beeinflusst, ob die Magnetisierung gegebenenfalls im Ruhezustand war oder nicht. Diese beide Zustände kann man beliebig als eine "1" oder als eine "0" definieren.
Der Nachteil eines derartigen Speichers ist, dass sich gegenseitig aufhebende Störungen am Eingang des Signalaufnehmers (Differenzverstärker) durch den Aufbau des Speichers verschiedene Zeitverzögerungen erfahren, bevor sie beim Signalaufnehmer ankommen, wodurch eine dynamische Resterscheinung als Störung übrigbleibt. Diese Zeitverzögerung wird durch die Längen der Signalisierungsdrahte zwischen der Stelle, an der die Störung auftritt, und dem Signalverstärker bestimmt, insbesondere jedoch durch die auf den Abschnitt des Signalisierungsdrahts gereihte Anzahl von Kernen.
Eine derartige Erscheinung tritt für die Störung durch den Spaltenselektionsdraht auf.
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Diese Störung hat einen etwas anderen Charak-ter als die Störung durch den Reihenselektioiisström· Letztere hat einen grösstenteils elektrostatischen Charakter, da ein Teil des Reihenselektionsdrahts beim Anlegen des Selektionsstroms auf ein verändertes Potential " gebracht wird. Die Störung durch den Spaltenselektionsstrom erfolgt zu einem beträchtlichen Teil dadurch, dass die Magnetkern^ als Transformatoren wirken. !Nun kann man die Störungen durch den SpaltenselektionsstrOm an einem Signalisierungsdraht ausgleichen, wenn man die richtige Position der Kerne in den Koppelpunkten wählt (links herum bzw. rechts-herum), wodurch man gleichsam den Wickelsinn der Windungen (Spaltenselektionsdraht bzw. Signalisierüngsdraht) am Transformatorsteg (dem Hagnetkern) umdrehen kann» Da jedoch' beim -bekannten Speicher die Laufzeit der Störungen entlang dem Signarisierungsdraht zur Eingangsklemme des Signälverstäfkers unterschiedlich ist, wird wiederum eine dynamische Äesterscheinung übrig bleiben.. Nach der Erfindung ist eine Lösung möglich, und sie ist dadurch gekennzeichnet, dass die Langen der Signalisierungs-' drahte zwischen den Speicherelementen an den Koppelpunkten des so erregten Spaltenselektionsdrahts und den beiden so erregten Reihenselektionsdrähten einerseits und den Anschlussklemmen eines vorhandenen
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PHN.597b
Signalaufnehmers andererseits in elektrischer Hinsicht nahezu gleich sind, und dass ferner ein Spaltenselektionsdraht an Paaren von zweiten Koppelpunkten (c17 und C157, C37 und C137) mit demselben Signalisierungsdraht, wobei zwischen jedem von den zweiten Koppelpunkten und einer ersfen Anschlussklemme das Signalauf nehme rs der Signalisierungsdraht in elektrischer Hinsicht nahezu gleiche Längen hat, einmal auf gleichnamige und einmal auf ungleichmaraige Weise mit dem Signalisierungsdraht den Speicherelementen an den zweiten Koppelpunkten zugeordnet ist. Beim Zustandekommen der Erfindung wurde das obengenannte Problem erkannt und es wurde die Lösung für dieses Problem geschaffen:. Das Ausmass, in dem die "nahezu vollständige Gleichheit" verwirklicht werden muss, hängt von der Störungsempfindlichkeit des Signalverstärkers und von anderen Anforderungen ab, denen der Speicher genügen muss. Bei einem sehr schnell wirkenden Speicher ist , es vorteilhaft, die "nahezu vollständige Gleichheit" zu verbessern. Im Gegensatz dazu ist in der zitierten Veröffentlichung nicht einmal ein Anfang einer Verwirklichung für eine derartige Lösung angegeben» was daraus hervorgeht, dass stets nur vier Reihen von Kernen gegeben sind. Die dargestellte Schwierigkeit wird nachteiliger je grosser die Anzahl von Reihen und die Anzahl von Kernen je Reihe ist.
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-7- PHN.
" Exrie bevorzugte Ausftihrungsform der Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass die beiden Signalisierungsdrähte nahe ihren Mitten an die Anschlussklemmen des Signalaufnehmers angeschlossen sind. Die Laufzeit der Störungen hängt von der Länge des Signalisierungsdrahts und von der Anzahl der darauf aufgereihten Kerne ab. Ausserdem hängt die Laufzeit von der in den Kernen gespeicherten Information und von Änderungen.in der Dicke des Signalisierungsdrahts ab. Dasselbe gilt für den Signalimpuls, der durch das Auslesen der gespeicherten Information entsteht. Je kleiner die Anzahl von Kernen, je besser, Was mithin zu einer möglichst kurzen Länge des Signalisierungsdrahts führt. Während es bereits bekannt war, den Signalisierungsdraht in der Mitte an den Signalverstärker anzuschlies sen ,„wird im Rahmen der Erfindung ein zu-'· sätzlicher Vorteil erreicht, da sich die Störungen in der Zeit gesehen besser ausgleichen. Die Änderung· im Informationsinhalt kann in bestimmten Fällen die Laufzeit zu 5-10$ ändern. Durch Kurzhalten der Länge wird auch diese Änderung kleiner. Bei einem derartigen Speicher wird Information in ein Speicherelement eingeschrieben durch gleichnamige Erregung der ihm zugeordneten Selektionsdrähte mit zweiten Selektionsströmen. Dabei ist eine .vorteilhafte Ausführungsform
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eines erfindungsgemässen Speichers dadurch gekennzeichnet, dass der zweite Spaltenselektionsstrom durch einen Sperrstrom in der dem Speicherelement zugeordneten Hälfte eines Signalisierungsdrahts sperrbar ist, welche Hälfte mithin einem viertel der Reihen zugeordnet ist, welcher Sperrstrom ferner in bezug auf den zweiten Spaltenselektionsstrom den Speicherelementen in den Koppelpunkten des betreffenden Spaltenselektionsdrahts und der genannten Hälfte auf ungleichnamige Weise zugeordnet ist. Auf diese Weise kann die Selektion der der ersten Hälfte eines Signalisierungsdrahts zugeordneten Kerne durch den Sperrstrom vermieden werden, während andererseits die zweite Hälfte alle Möglichkeiten bietet, um die ihr zugeordneten Kerne derselben Spalte in bezug auf den Spaltenselektionsstrom auf ungleichnamige Weise zu koppeln.
Eine bevorzugte Ausführungsform nach der Erfindung, bei der die Speicherelemente durch ringförmige Körper gebildet werden, die in den genannten Koppelpunkten eine erste bzw. zweite Ausrichtung haben können, ist dadurch gekennzeichnet, dass die Signalisierungsdrähte sich abwechselnden Reihen zugeordnet sind, und dass die Ausrichtung der ringförmigen Körper einer ungeraden Reihe entgegengesetzt zur Ausrichtung der ringförmigen Körper der direkt darauffolgenden geradzahligen Reihe ist.und gleich der
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Ausrichtung der ringförmigen Körper der direkt vorgehenden geradzahligen Reihe ist. Auf diese Art und Weise wird ein regelmässiger Aufbau erzielt, während sich die verschiedenen Ausrichtungen-durch das übliche Verdrahtüngsverfahren einfach verwirklichen lassen.
Eine weitere bevorzugte Ausführungsform nach der Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass die Reihen eine Anzahl von Gruppen derselben Anzahl von aufeinanderfolgenden Reihen bilden, welche Anzahl ' wenigstens zwei ist, während die Ausrichtung der Speicherelemente von aufeinanderfolgenden Gruppen ent-' gegengesetzt ist. Es zeigt sich, dass das Aufreihen der ringförmigen Körper (Kerne) auf die Drähte leichter ist, wenn die Kerne von aufeinanderfolgenden Reihen dieselbe Ausrichtung haben. Je weniger Wechsel zwischen aufeinanderfolgenden Reihen, je leichter. Durch Aufbau der genannten Gruppen aus mehr als zwei Reihen wird die Anzahl von Wechseln geringer.
Eine weitere bevorzugte Ausführungsform nach der Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass die Reihen in zwei Gruppen eingeteilt sind, dass die Speicherelemente je Gruppe eine gleiche Ausrichtung haben und dass die Gruppen zu beiden Seiten eines Trägers angeordnet sind. An der einen Seite möchte man die Anzahl von Wechseln klein machen. Es zeigt sich, dass der Signalisierungsdraht ein unregelmässiges
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Muster erhält. Wenn jedoch die Reihen beidseitig eines Trägers in zwei Gruppen eingeteilt werden, kann wiederum eine einfache Lösung geschaffen werden.
Die Erfindung wird anhand einiger Figuren beschrieben. Figur 1 zeigt eine Darstellung eines Speichers nach dem Stand der Technik. Die Figuren 2 bis 7 zeigen einige Ausführungsformen eines erfiiidungsgemässen Speichers.
Figur 1 zeigt einen Matrixspeicher entsprechend dem IBM Technical Disclosure Bulletin, Band 11, Nr. 9, Februar I969, Seite 1157, wobei der Deutlichkeit halber die Anzahl von Speicherelementen, (Ringkernen) auf 32 erhöht ist. Der Speicher enthält
die Kerne C11, 12, 13, 1k, 2Λ .......Zk, 31.. 8k.
Dahindurch sind die Reihenselektionsdrähte gereiht, von denen jeweils zwei in Serie liegen. Die Reihenselektionsströme werden durch die Generatoren D1, .3.1 5, 7 geliefert, wodurch also stets zwei Reihen selektierbar sind. Die Spaltenselektionsströme werden
durch die Generatoren El k geliefert, wodurch
stets eine Spalte selektierbar ist. Ferner sind zwei Signalisierungsdrahte S1 und S2 und ein Signalverstärker SA vorhanden.
Die Matrix bildet einen Teil einer Reihe von Matrizen, in denen jeweils stets höchstens ein Bit eines gespeicherten Worts speicherbar ist. Angenommen wild,
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dass dieses Bit im Kern C13 gespeichert ist. Um dieses Bit auslesen zu können, werden der Reihenselektionsdraht
X1 und der Spaltenselektionsdraht Y3 durch positive Ströme aus den Generatoren D1 bzw. E3 erregt. Die Stromrichtungen sind dabei zur Erde hin gerichtet. So wird der Kern C13 selektiert, da die Ströme durch die Selektionsdrähte X1 und Y3 in bezug auf diesen Kern dieselbe Richtung haben. Der Kern C23 wird nicht selektiert, da die Ströme durch X2 und Y3 hindurch in bezug auf diesen Kern entgegengesetzt sind. Die Kerne CI1, 13» 14, 21, 22, 2k, 33, h3, 53, 63, 73, und 83 werden durch einen einzigen Strom halb selektiert und die übrigen einundzwanzig Kerne nicht. Durch die gleichnamigen Ströme wird CI3 in den "Null"-Zustand magnetisiert. Wenn er sich vorher im "Eins"-Zustand befand, so ergibt dies ein Umschiagsignal am Signalisierungsdraht S1. Andererseits entsteht ein Störsignal am Signalisierungsdraht S1, da der Draht X1 über eine geringe Strecke mit ihm zusammenläuft. Der Draht X2 läuft auf entsprechende Weise mit dem Signalisierungsdraht X2 zusammen, und an diesen beiden Drähten entstehen dadurch Störungen mit derselben Grosse und Richtung. Der Signalverstärker SA wirkt als Differenzverstärkerm und diese beiden Störungen werden voneinander abgezogen. Die Zeitverzögerung durch diese Störungen vor der Ankunft bei SA ist jedoch verschieden, die Störung durch X1 kommt schnell bei SA an, die Störung
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durch X2 muss nahezu den ganzen Draht S2 durchlaufen. Durch den Zeitunterschied bleibt stets ein beträchtlicher Störungsrest übrig. Dasselbe gilt dann, wenn im vor^· stehenden Fall eine Null gespeichert war4. In dem Fall detektiert der Signalverstärker das Fehlen eines Uraschlagsignals, was als Anzeige der gespeicherten Null gilt. Wenn demgegenüber der Kern C23 ausgelesen wird, so muss der Generator D1 einen Strom mit entgegengesetzter Richtung erzeugen.
Figur 2 zeigt einen Speicher nach der Erfindung. Die sich entsprechenden Elemente sind mit denselben Bezugsziffern wie in Fig. 1 versehen. Der
Speicher enthält 128 Magnetkerne C11 18,
C21 C28, C31 168, sechzehn Reihenselektionsdrähte X1 16, acht Spaltenselektionsdrähte Y1.....8
mit den jeweiligen Generatoren F1 16, G1 ..16,
E1 8 und L1 8. Ferner sind zwei Signali-
sierungsdrähte S1, 2 mit dem Signalverstärker SA, zwei Dioden H und I und vier Schreibverstärker K1......h
mit den Abschlusswiederständen R1 k vorhanden.
Der Einfachheit halber ist nur ein Teil der Kerne dargestellt und mit einer Angabe versehen.
Angenommen, der Kern C17 wird ausgelesen. Die Generatoren F1 und G1 erregen den Reihenselektionsdraht X1 und die Generatoren E7 und L7 den Spaltenselektionsdraht Y7ι so dass die Ströme dem Magnetkern C17
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gleichnamig; zugeordnet sind. Gleichzeitig erregen die Generatoren F2 und G2 den Reihenselektionsdraht X2 in derselben Richtung, mithin.etwa so, dass der Strom von F2 nach G2 fliesst. Durch die andere Ausrichtung des Kerns C27- gleichen sich die beiden erzeugten Ströme aus, so dass nicht ausgelesen wird. Ferner ist die Verjzögerungszeit der beiden Störungen durch die Erregung .der Reihenselektionsdrähte für beide Signalisierungsdrähte S1 und S2 gleich, da stets drei Reihen von Kernen zwischen der ersten und zweiten Reihe und den Anschlusspunkten, des SignalVerstärkers SA geschaltet sind. Es tritt eine zweite Störungsquelle hinzu, da . die Kerne an den Koppelpunkten zwischen dem Spaltenselektionsdraht Y7 und den Signalisierungsdrähten als Transformatoren wirken. Angenommen sei, dass die Erregung von Y7 derart ist.,, dass der Strom von E7.nach L7 geht. Der erzeugte Gegenstrom ist dadurph beim Kern G-1'7. nach links gerichtet, beim Kern C37 nach rechts usw. Ebenso ist beim Kern C157 der erzeugte Strom nach rechts gerichtet. Die Störung durch die Kerne C17 und C157 ' ist in bezug auf den Signalverstärker antisymmetrisch. ■ Die Verzögerungszeiten sind gleich, so dass sie sich aufheben. Dies gilt ebenso für die Störungen durch die Kerne· C37 und €137i usw. Beim Lesen des Kerns C27 werden die Reihenselektionsdrähte XT 'und X2 durch Ströme in denjenigen Richtungen erregt, -die entgegengesetzt, sind zu denen, die zum Auslesen des Kerns C17 notwendig
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-Ik- ' PHN. 5971+
sind. Die Gleichheit der Verzögerungszeiten gilt nicht vollständig, sondern wird, wie bereits erwähnt durch die Information in den zu durchlaufenden Kernen beeinflusst. Diese Anzahlen von Kernen sind nun jedenfalls gleich.
Beim Einschreiben von Information in einen Kern wird dieser wiederum durch zwei zusammenfallende Ströme selektiert, die entgegengesetzt zu den beim Auslesen verwendeten Strömen gerichtet sind. Hierbei muss jedoch nur ein Reihenselektionsdraht erregt werden, da die Störungen in diesem Fall unwesentlich sind. Wenn eine "Null" eingeschrieben wird, so wird ausserdem durch den zugehörigen Schreibverstärker (für Kern C17 ist dies der Schreibverstärker Kl) ein Sperrstrom erzeugt, wodurch den Reihen— und Spalten— erregungen entgegengewirkt wird. So bleibt der Kern im "ausgelesenen Zustand", der hier als "Null" definiert wird. Der Abschlusswiderstand, etwa RV, dient zur Beseitigung unerwünschter Reflexionen, die Dioden, etwa H, dienen dazu, den hohen Sperrstrom von den Signalverstärkern SA entfernt zu halten. Der Sperrstrom fliesst über diese Diode zur Erde. Der Schreibverstärker Kl erzeugt mithin einen Sperrstrom in der Hälfte eines Signalisierungsdrahts. Dieser ist an den Koppelpunkten mit dem erregten Spaltenselektionsdraht stets ungleichnamig in bezug auf den in diesem Spaltenselektionsdraht
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erzeugten Spaltenselektionsstrom. Wenn also der Kern C17 eingeschrieben wird, so gilt dieses letztere für die Kerne C37, C57 und C77·
Figur 3 zeigt eine andere Ausführungsform einer erfindungsgemassen Speichermatrix. Ausser durch die Anzahl von Speicherelementen unterscheidet sich diese im Vergleich zu Fig. 2 darin, dass der Signalisierungsdraht S2 und die damit verbundenen Kerne in bezug auf Figur 2 links/rechts gespiegelt sind, was damit auch für die Stromrichtungen in den Reihenselektionsdrähten und im Signalisierungsdraht S2 gilt. Die Störung durch die Transformatorwirkung der Magnetkerne unter Einfluss des Spaltenselektionsstroms hat nun kleine Unterschiede in der Zeitverzögerung, nämlich höchstens derjenigen Zeit, die zum Durchlaufen einer Reihe erforderlich ist. Dieser Effekt ist jedoch von der Anzahl von Reihen unabhängig, und er wird für sehr grosse Speicher kaum schwerwiegend sein. Die Dioden H und I sind hier nicht dargestellt.
Figur k zeigt wiederum eine andere Ausführungsform eines erfindungsgemässen Speichers. Der Einfachheit halber sind die Reihenselektionsdrähte ebenso wie die Abschlusswiderstände, die Generatoren und die Schreibverstärker nicht dargestellt. Die Reihen von Elementen bilden Dreiergruppen mit jeweils derselben
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??f)78A2
-16- PHN.
Ausrichtung. So entsteht die Reihenfolge 1-3-3-3-3-3^-3-3-3-3-3-1· An den Enden und in der Mitte treten Abweichungen von der Regel auf. Zum Auslesen von Kernen werden stets zwei Reihenselektionsdrähte in derselben Richtung erregt, und zwar in den folgenden Kombinationen: X1 und XZ X3 und X5 Xk und X6, wonach sich dasselbe Muster wiederholt. Für die beiden 19 36 ist die Reihenfolge umgekehrt.
Figur 5 zeigt einen Fall wie Fig. k,
jetzt jedoch mit einem 2-k-k- k-k-2 Muster.
Die Gruppen bestehen nun stets aus vier Reihen, ausser an den Enden. Zum Auslesen.der Kerne werden nun jeweils zwei Reihenselektionsdrähte in derselben Richtung erregt und zwar in den Kombinationen:
X1 und X3 X2 und X ^ X5 und X7 X6 und X8, usw.
Figur 6 zeigt einen Fall, bei dem nur noch zwei Gruppen von Reihen bestehen, die je die Hälfte der Reihen enthalten. Zum Auslesen der Kerne werden wiederum stets zwei Reihenselektionsdrähte
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in derselben Richtung erregt, und zwar in den folgenden Kombinationen:
X1 und X16
X2 und X15
X3 und X14,-usw.
Es zeigt sich nun, dass die Verbindungen der Signalisierungsdrähte zwischen den Reihen sehr lang werden. Dies wird vermieden, wenn der Speicher nach Fig. 6 in eine obere und eine untere Hälfte geteilt wird und wenn die untere Hälfte umgeklappt wird. Nun ist es möglich, einen Träger der halben Grosse zu verwenden und diesen an beiden Seiten mit Speicherelementen zu versehen. Dies ist in Fig. 7 schematisch dargestellt. Durch das Umklappen haben nun alle Elemente der oberen Hälfte (in der Zeichnung links) und der unteren Hälfte (in der Zeichnung rechts) dieselbe Ausrichtung. Die beiden Hälften sind beide in Draufsicht dargestellt. Die Verbindung zwischen der Reihe 1 (Reihenselektionsdraht X1) und der Reihe (Reihenselektionsdraht X15) läuft über den Kontakt H12, der eine ¥eiterverbindung durch den Träger ergibt. Die Verbindungen der betreffenden Hälfte sind in der Zeichnung mit durchgezogenen Linien dargestellt, die der anderen Hälfte gestrichelt, die Verbindungen von H12 mit X1 bzw. X15· Es leuchtet ein, dass die
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Signalisierungsdrähte nun sehr kurz und mithin leicht zu montieren sind.
Es zeigt sich, dass der Erfindungsgedanke auf vielerlei Arten verwirklicht werden kann. So können etwa andere Muster verwendet werden. Es leuchtet ebenfalls ein, dass die Verwendung anderer Speicherelemente in der Erfindung einbegriffen ist. Statt Ringkerne können etwa nadeiförmige Elemente oder BIAX-Elemente verwendet werden.
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Claims (1)

  1. 7257842
    PATENTAJSt SPRUCHE:
    Λ .) Speicher mit in einem dicht gedrängten Rechteck in Reihen und Spalten angeordneten magnetischen Speicherelementen, die mit einem Reihenselektionsdraht je Reihe und einem Spaltenselektionsdraht je Spalte und zwei jeweils einer Hälfte der Reihe zugeordneten Signalisierungsdrähten (sense wires) versehen sind, wobei die Information eines Speicherelements durch gleichzeitige gleichnamige Erregung des dem Speicherelement zugeordneten Reihen- und Spaltenselektionsdrahts mit Selektionsströmen auslesbar ist, und wobei die Störung durch einen ersten Reihenselektionsstrom in einem Reihenselektionsdraht in einem jener Reihe zugeordneten ersten Signalisierungsdraht durch gleichzeitige Erregung eines zweiten Reihenselektionsdrahts ausgleichbar ist, welche letztere Erregung ungleichnamig ist in bezug auf den Spaltenselektionsstrom hinsichtlich eines Speicherelements am Koppelpunkt und gleichgerichtet in bezug auf den der Reihe zugeordneten zweiten Signalisierungsdraht, ebenso wie der· erste Reihenselektionsstrom in bezug auf den ersten Signalisierungsdraht, dadurch gekennzeichnet, dass die Längen der Signalisierungsdrähte zwischen den Speicherelementen an den Koppelpunkten des so erregten Spaltenselektionsdrahts und den beiden so erregten Reihenselektionsdrähten einerseits und den
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    Anschlussklemmen eines vorhandenen Signalaufnehmers andererseits in elektrischer Hinsicht nahezu gleich sind, und dass ferner ein Spaltenselektionsdraht an Paaren von zweiten Koppelpunkten (C17 und C1571 C37 und C137) mit demselben Signalisierungsdraht, wobei zwischen jedem der zweiten Koppelpunkte und einer ersten Anschlussklemme des Signalaufnehmers der Signalisierungsdraht in elektrischer Hinsicht nahezu gleiche Längen hat, einmal auf gleichnamige und einmal auf ungleichnamige Weise mit dem Signalisierungsdraht den Speicherelementen an den zweiten Koppelpunkten zugeordnet ist.
    2. Speicher nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die beiden Signalisierungsdrähte nahe ihren Mitten an die Anschlussklemmen des Signalaufnehmers angeschlossen sind.
    3· Speicher nach Anspruch 1, bei dem die Information durch gleichnamige Erregung der dem Speicherelement zugeordneten Selektionsdrähte mit zweiten Selektionsströmen in ein Speicherelement einschreibbar ist, dadurch gekennzeichnet, dass der zweite Spaltenselektionsstrom durch einen Sperrstrom in der Jenem Speicherelement zugeordneten Hälft eines Signalisierungsdraht s sperbar ist, welche Hälfte mithin einem viertel der Reihen zugeordnet ist, welcher Sperrstrom ferner
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    auch in bezug auf den zweiten Spaltenselektionsstrom auf ungleichnamige Weise den Speicherelementen an den Koppelpunkten des betreffenden Spaltenselektionsdrahts und der genannten. Halfte zugeordnet ist.
    k. Speicher nach Anspruch 1, 2 oder 3» bei dem die Speicherelemente aus ringförmigen Körpern aufgebaut sind, die an den genannten Koppelpunkten eine erste bzw. zweite Ausrichtung haben können, dadurch gekennzeichnet, dass die Signallsierungsdrähte sich
    -1χί£Σ- "■ ' --■■■■■
    abwechselnden Reihen zugeordnet sind, und dass die Ausrichtung der ringförmigen Körper einer ungeraden Reihe entgegengesetzt zur Ausrichtung^der ringförmigen Körper der direkt darauffolgenden geradzahligen Reihe ist und gleich der Ausrichtung der ringförmigen Körper der direkt vorgehenden geradzahligen Reihe ist. - · 5» Speicher nach Anspruch 1, 2 oder 3, bei dem die Speicherelemente aus ringförmigen Körpern aufgebaut sind, die an den genannten KoppeXpwnkten eine erste bzw, zweite Ausrichtung haben können, dadurch gekennzeichnet, dass die Reihen eine Anzahl von Gruppen derselben Anzahl aufeinanderfolgender Reihen bilden, welche Anzahl wenigstens zwei ist, während die Ausrichtung der Speicherelemente aufeinanderfolgender Gruppenentgegenge se t sst is t.
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    -22- PHN.5074
    6. Speicher nach Anspruch 1, 2 oder 3t bei dem die Speicherkörper aus ringförmigen Körpern aufgebaut sind, die an den genannten Koppelpunkten eine erste bzw. zweite Ausrichtung haben können, dadurch gekennzeichnet, dass die Reihen in zwei Gruppen eingeteilt sind, das» die Speicherelemente je Gruppe eine gleiche Ausrichtung haben und dass die Gruppen zu beiden Seiten eines Trägers angeordnet sind.
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    Le e rse ite
DE2257842A 1971-12-03 1972-11-25 Matrixspeicher mit Störungsausgleich Expired DE2257842C3 (de)

Applications Claiming Priority (1)

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