DE1524951A1 - Speichervorrichtung - Google Patents
SpeichervorrichtungInfo
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- DE1524951A1 DE1524951A1 DE19671524951 DE1524951A DE1524951A1 DE 1524951 A1 DE1524951 A1 DE 1524951A1 DE 19671524951 DE19671524951 DE 19671524951 DE 1524951 A DE1524951 A DE 1524951A DE 1524951 A1 DE1524951 A1 DE 1524951A1
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Description
THE NATIONAL CASH HEGISTBH COMPANY Dayton, Ohio (V*St.A.)
Pat e nt aniae ld un« Nr · ί
Unser Az.j 974/Germany
Unser Az.j 974/Germany
SPEIGHBRVORRIOHTUNG ·
Die Erfindung betrifft eine Speichervorrichtung mit einer Vielzahl bistabiler Speicherelemente.
Während des Lesens ist ein sehr niedriger Störpegel erforderlich· Bekannterweise werden deshalb zur Speicherung
einer Binärziffer zwei. Speicherelemente verwendet, wobei während des Lesens in der mit den beiden Speicherelementen gekoppelten
Lesevorrichtung auftretende Störsignale einander praktisch aufheben. Dadurch verringert sich jedoch in derartigen Speichern
die Speicherkapazität.
Aufgabe der Erfindung ist daher die Schaffung einer Speichervorrichtung, in der jeweils zwei Speicherlemente zur
Speicherung einer Ziffer verwendet werden, wobei jedoch der ™
vorgenannte Nachteil nicht vorhanden ist.
Die Erfindung betrifft eine Spiiohervorrichtung mit *
einer'Vielzahl bistabiler Speicherelemente, die ao angeordnet
sind, daß Jede in dem Speicher gespeicherte Ziffer in einem
entsprechenden: Elementepaar gespeichert wird.
Die erfindungsgemäße Speichervorrichtung ist gekennzeichnet
durch eißt mit den Speicherelemente» gekoppelte und auf die L
Eingabedaten ansprechende Schreibvorrichtung, die ein» !Ternär- -
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"■"--■--■--■ =.- . _... ι JiMHHfffn ι ι „™_.,
ziffer in ein ausgewähltes Speicherdementepaar dadurch einschreibt,
daß die Speicherelemente des ausgewählten Speicherelementepaares
nach einem der folgenden Verknüpfungszustände
eingestellt werdens
1. Beide Speicherlemente werden in den gleichen Zustand
geschaltet;
2. ein erstes Speicherelement wird in einen ersten Zustand und das zweite Speicherelement in einen zweiten Zustand
geschaltet;
3. das erste Speicherelement wird in den zweiten Zustand
und das zweite Speicherlement in den ersten Zustand geschaltet;
und durch eine IesQtreiMrTorriehtungt die mit den Speicherelementen
gekoppelt ist undein Ie se signal an das ausgewählte Speicherelementepaar anlegt, sowie durch eine mit den Speicherelementen
gekoppelte Lesevorrichtung» durch die die Verknüpfungs
zustände der Speicherelemente des ausgewählten Elementepaares
festgestellt werden.
In bekannten Speichern werden die Speicherelemente vorteilhaftem«ise aus dünnen magnetischen Sohiehten auf stäbohenförmigen
Trägern gebildet, wobei die Elemente axial im
"zwei. Elemente pro Bi*-Verfahren arbeiten· Um zerstörungsfrei
ieeen zu können, wird eine Teilschaltung angewandt· Ba die
Elemente axial betrieben werden, beruht dme atretörungsfreie
lesen in erster Linie auf dem Unterochltd in der stuftnaäBig
erhöhten Permeabilität zwischen den Elementen «inte Blernentt-
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paares und nicht auf einer Drehung des Magnetisierungsvektors,
wie sie in bekannten Speichern angewandt wird, um ein zerstörungsfreies
Lesen zu erzielen.
Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung wird im folgenden
anhand der Zeichnungen beschrieben. Es zeigts ··- .
Pig. 1 eine bildliche Darstellung einer Matrix aus Dünnschicht-Magnetspeicherstäbchen, wobei ein Stäbchen außerhalb
der Matrix in Einsetzetellung gezeigt ist»
Fig. 2 eine bildliche Darstellung von zwei 11O*-.und- M
W1n-Iesewieklungen eines Bleuentepaares und den entsprechenden
Teil eines Stäbchens,
. Pig. 3 Hysteresiskurven eines Elementepaares bei nichtzerstörungsfreiem
Lesen,
Pig. 4 Hysteresiakurven eines Elementepaares b©i gerstörungsfreiem
Lesen, ·
Pig. 5 eine Ansteuerschaltung für die Wortwicklungen
der Matrix aus.Pig. 1,
Pig» 6 und 7 3chematisohe Darstellungen der Lesewieklungen in ^
den'einzelnen Ziffernebenen des Speichers nach Fig. 1?
Pig. 8 die Zuordnung der bistabilen Zustände aaf den
Stäbchen einer geraden und einer ungeraden Heike in Bestag auf
die IieBewicklungsanordnung naeh den Pig. 6 und T9
Pig. 9 die Schaltung der" Lesewicklungsn ia den ZIifernebenen- D^ und D«-deβ Speichers nach Pig. 1 mit £eseverstärlEefübertrager
und Ziffernebenentreibern,
Pig. 9a ein Prinzipschaltbild der Zlffernstoomtreitoer-
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- 4 anordnung! die in eine? Schaltung nach Fig. 9 verwendet werden
Fig. 10 eine abgewandelte Schaltung nach **ig. 9»
Fig. 11 ein Ausgangasignal bei ternärer Speicherung,
Fig. 12 ein Blockschaltbild,in dem das Schreiben eines
aus drei Binärziffern bestehenden Wortes in Form von zwei Ternärziffern
dargestellt wird, ' f
Fig. 12a eine Verknüpfungstabelle des Blockschaltbildes
der Hg. 12, >
Flg. 13 ein Blockschaltbild,in dem das Lesen eines aus
zwei Ternärziffern be"stehenden Wortes und die Umwandlung in
Binärform,, dargestellt wird,
Fig. 13a eine Verknüpfungstabelle des Blockschaltbildes
der Fig. 13.
In allen Figuren werden für gleiche Elemente gleiche
Bezugszahlen verwendet.-. turn besseren Verständnis der Beschreibung
Wird zunächst das Speichern und Lesen binärer Ziffern anhand der Fig. 1 bis 9, und anschließend die Speicherung für ternäre
Ziffern unter Bezugnahme auf die Fig. 10 bis 13 beschrieben.
In Fig. 1 let eine Speie her matrix gezeigt, die in der
deutschen Patentanmeldung H 26 260 Hc/21a1 beschrieben ist.
. Mehrere Ziffernebenen D.-Dg sind in geeigneter Weise zusammengefügt,
wobei ausgerichtete Ziffernwieklungen in den in Ziffernebenen
vorgesehenen ausgerichteten Bohrungen von Stäbchen 15
durchsetzt werden,
Eine Ziffernebene besteht jeweils aus einer 6 ι 6-An-
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Ordnung elektrisch miteinander verbundener Ie Bewicklungen, die
. jeweils in Form eines Elektromagneten 10 aufgebaut sind, der
eine Bohrung 10a aufweist} deren Durohiaeaaer vom Dünnschichtspeicher
stäbchen 15 und der zugeordneten Wort wicklung-16 abhängt.
Wie in den ?ig. 1 und 2 geneigt, besteht ein DUnneohiohtspeicheratäbchen
15 jeweils aus einem langen dünnen stäbchenförmigen
Träger 13 aus Berylliumkupfer mit einem Durchmesser von etwa 0,12 bis0,25 mm, auf dem ein dünner magnetischer
überzug 14 mit bistabilen magnetieohen Schalteigenschaften abgelagert
1st« Die magnetische Dünaschicht 14 kann aus einem
isotropen, galvanieoh abgelagerten tfbtrsug einer Dicke von
5000 bis 10 000 X einer Legierung aus etwa 97$ Elsen und 3?ß
Hickel bestehen·
Jedes Stäbchen 15 1st mit einer koaxialen Wicklung 16
versehen, die als Wortwicklung dient» Das bistabile magnetische
Speicherelement der Matrix ist der Seil, des dünnen magnetischen
Überzuges 14, der sich in unmittelbarer Nähe der LeBewicklungen
befindet, wenn das Stäbchen in der Matrix eingesetzt ist· Durch
ein Stäbchen werden daher jeweils sechs einzelne bistabile Magnetspeicherelemente
gebildet, so daß in einer "awei Elemente pro
Bit"-Anordnung drei Binärziffern oder drei JTernärziifern, wie
später noch beschrieben, gespeichert werden können·
Die drei Binär- oder Ternär«iffern, die ein Speioherstäbchen
jeweils in "zwei Elemente pro Binär- oder Ternärziffer"-Arbeitsweise
speichern kann, können als Dreibitwort angesehen werden* Da 36 Stäbchen in der in Pig· 1 gezeigten, als Beispiel
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gewählten Speichermatrix vorhanden sind, kann der Speicher als
36-Wörter-Speicher bezeichnet werden. Der Speicher kann'jedoch so
vergrößert werden, daß er eine weit größere Anzahl Wörter mit
weit imhx Ziffern pro Wort speichern kann.
Zur Darstellung einer Binär- oder Ternärziffer werden
als bistabile magnetische Elemente nebeneinanderliegende Abschnitte
des gleichen Stäbchens verwendet. Dieses ist sehr vor-
fe teilhaft, da diese beiden nebeneinanderliegenden Abschnitte in
der Regel sehr ähnliche magnetische Eigenschaften haben, bedingt durch den kontinuierlichen, automatiacheη Herstellungeprozeß,
in dem sehr gleichmäßige Dünnschichtüberzüge, besonders
auf ein und demselben Stäbchen uad auf nebeneinanderliegenden
Abschnitten desöelfeem9 ©umstehen. Sin derartiges automatisches
Herstelliiagsveeiahren ist in dem Artikel "The Magnetio E«d—
A Cylindrical, Thin-Filffi Memory Element11 von U.A. Meier und
A.J. Kolk, auf den Seiten 195-212 des Buches "Large-Capacity
Memory fechniqtiea for Computing Systeme", Herausgeber Marshall
G. Iovite, The MacMillan Company, Hei» tork 1962, beschrieben·
In 7ig· 2 ist ein den Ziffernebenen D1 und D2 entsprechender
feil elnee Stäbchen· 15 gowie die einem Paar 1
' entsprechendenr jeweiligen Lesewicklungen gezeigt, die sich
Über nebeneinanderliegenden Abschnitten des Stäbchens 15 und seiner Wortwicklung 16 befinden, wenn das Stäbchen in die Ma-'
trix eingesetzt wird. Im folgenden wird unter Bezugnahme auf die
in Kg· 5 und 4 gezeigten HyBteresisschleifen beschrieben, wie
zwei das in Fig* 2 gezeigte Paar bildende Elemente A und B zum
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lesen und Schreiben einer Binär- oder Te mär ziffer sowohl
zum zerstörenden als auch zum zerstörungsfreien lesen verwendet werden können.
In Fig* 3 ist die zerstörende leseart veranschaulicht
und die drei verschiedenen Verknüpfungszustände gezeigt, die
in die Elemente A und B während dee Schreibens eingeschrieben
und während des Lesens einzeln abgefragt werden können, wie durch die Kurven I, II und III veranschaulicht. In der Kurve I
wird nur das Element B während des Lesens (^q-*1 P« -»!V) dureh
Anlegen koinzidenter Stromsignale I^ und I~ (von denen keines
allein zu einer Teilumschaltung ausreicht) an seine entsprechende
Leaetreiiaerwicklung 10 und die Wortwicklung 16 (Pig, 2) teilweise umgeschaltet. In der Darstellung II wird nur das El'ement A
während des Schreibens (F«-*iy··»!«) durch Anlegen koinzidenter
Stromsignale I^ und I^ an seine entsprechende Le setreiber-wicklung
10 und die Wortwicklung -16 (Pig· 2) teilweise aus seinem Le se sattigungszustand umgeschaltet. In der Darstellung ΪΙΙ wird
weder das Element A noch das Element B während des Schreibens
aus dem Lesesättigungszustand umgeschaltet (Ly=O). Es entstehen
folglich nach Fig. 3 drei Verknüpfungszustände für die Elemente A
und B: 1. Nur das Element B wird teilweise umgeschaltet j 2. nur
das Element A wird teilweise umgeschaltet j 3. weder das Element A
noch das Element B wird teilweise umgeschaltet. Ein vierter
möglicher Verknüpfungszustand für die Elemente A und B1 der in
Pig» 3 jedoch nicht dargestellt ist, wäre möglich, indem beide
Elemente A und B teilweise umgeschaltet werden. Da dieser 2u-
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stand während des Lesens Jedoch nicht von dem Zustand unterscheidbar
ist, in dem weder das Element A noch das Element B umgeschaltet werden, und für die Störsignalunterdrückung nicht
von Bedeutung ist, wird er in dem hler beschriebenen Ausführungsbeispiel nicht in Betracht gesogen. Bs ist ferner wesentlich,
daß, obwohl eine Vollumschaltung angewandt werden könnte, der
Teilumsehaltung aufgrund der dabei erzielbaren höheren Umschaltgeschwindigkeit
der Vorzug gegeben wird. Pur eine Te ilumsc haltung
P ist eine Hysteresisschleife mit einem Rechteckigkeitsverhältnis
von größer als 0,8 besonders geeignet.
Sie in Pig. 3 gezeigten, in die Elemente A und B schreibbaren Yerknüpfungszustände können durch Anlegen eines
Leseimpulses (IR) an die Wortwicklung 16 der Elemente A und B
(Pig. 2), der ausreicht, um sie bei Te11umsohaltung in ihren
Lesesättigungszustand zurückzuschalten, einzeln abgefragt werden· Wie später noch näher beschrieben, 1st die entsprechende Lesewicklung
10 jedes Paares so verdrahtet, daß durch das Schalten
) des Elementes B eines Elementepaares aus seinem teilweise umgeschalteten
Zustand zurück in seinen Lesesättigungszustand
(Pg-»Py*»pQ) ein positives Ausgangs signal ·ρ· erzeugt wird,
während durch das Schalten des Elementes A eines Elementepaares
aus seinem teilweise umgeschalteten Zustand zurück in seinen
Lesesättigungszustand ein negatives Ausgangssignal 'η' erzeugt
wird und durch das Schalten eines •taichtgeschalteten" Elementes
infolge des Lesetreiberimpulses (Pq-^P^-*-Pq) kein Ausgange signal
erzeugt wird. Somit können infolge eines angelegten Leseimpulses >
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1624951
drei mögliche Signalpegel entstehen: 1. ein positives Signal;
2· ein negatives Signal; 3· kein Signal—was jeweils den drei
in die Elemente A und B einschreibbaren.Zuständen entspricht«
1. Hur das Element B ist teilweise umgeschaltet; 2. nur das
Element A ist teilweise umgeschaltet; 3· weder das Element A
noch.das Element B ist teilweise umgeschaltet (siehe die Dar- -
Stellungen I, II und III in Pig. 3)·
Wenn die Elemente A und B eines Elementepaares zur
Darstellung einer binären Ziffer verwendet werden solion* sind ^
nor zwei Verknüpfungszustände der Elemente A und B erforderlich,
um die beiden Binärziffern *1" und "0* darzustellen· Da es
leichter'ist, zwischen positiven und· negativen Ausgangeimpulsen
als zwischen einem Ausgangsimpuls und keinem Ausgangsimpuls zu
unterscheiden, werden die Verknüpfung β zustände I und II bevorzugt«
Sollen die Elemente A und B eines Elementepaares zur Darstellung
von Ternärziffern dienen, dann sind die drei Verknüpfungezuetände
I, II und III der Elemente A und B zur Darstellung der drei Ternärziffern-erforderlich» die mit "1", *0N und "-f"
bezeichnet werden.
Im folgenden wird da» serstörungsfreie Lesen anhand
der Fig. 4 beschrieben, wobei die Kurven I, II und III den gleichen Verknüpfungezustäaden wie die der Pig. 3 entsprechen.
Ein zerstörungsfreies Lesen wird durch Anlegen eines Le se impulse β
an die Wortwicklung 16 (Fig. 2) der Elemente A und B (Fig. 2),
wie beim nichtzerstörungsfreien Lesen, erzielt. Für das zerstörungsfreie Lesen wird die Größe des Lesetreiberimpulsee Ig*
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- ίο -
so gewählt, daß ein teilweise umgeschaltetes Element (z.B. auf
Funkt P-.) Qur kurzzeitig aus seinem teilweise umgeschalteten
Zustand getrieben wird und wieder in diesen teilweise umgeschalteten
Zustand zurückgeführt wird, wenn der Lesetreiberimpuls IJ zu Ende ist (I?,,-*.!?,--*.*,,), wodurch ein positives
Ausgangssignal ·ρ· durch das Element B, wie in Kurve I gezeigt,
ein negatives Ausgangssignal *n* durch das Element A, wie in
Kurve IX gezeigt*oder kein Ausgangssignal ereeugt wird·
Im allgemeinen ist ein solches zerstörungsfreies Lesen
aufgrund der Unterschiede in der sich erhöhenden Permeabilität zwischen den Zuständen der Elemente A und B schwierig, da 1. eine
relativ kleine ^lußänderung und eomit ein schwaches Ausgangssignal
entsteht} 2. 1st es schwierig» in einem Speicher einen
niederigen Störpegel zu erhalten, bei dem eine zuverlässige
Feststellung des zerstörungsfreien Ausgangβsignals möglich let,
und 3· 1st es schwierig, Störungen zu vermeiden, die nach einer Anzahl angelegter Lesetreiberimpulse die Rückkehr eines teilweise
umgeschalteten Elementes in seinen Urzustand verursachen könnten· Durch die. Verwendung eines Dünnsehiehtmagnetstäbehenspe
ic her elemente β mit Einzeldomänenschalteigensehaften und axialer Arbeitsweise in einer "zwei Elemente pro Binär- oder
Ternärziffer"-Vorrichtung werden die vorgenannten Probleme vermieden· Beispielsweise kann für zerstörungsfreieβ Lesen dieser
Art ein Stäbchen mit einen dünnen magnetischen überzug mit einer
Koerzitivkraft von 4 Oersted und einem Rechteokigkeitaverhältnis
der Hysteresiskurve von 0,8 bis 0,9 verwendet werden.
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Im folgenden wird anhand der Fig. 5 bia 9 das
Schreiben, das zerstörende, und das zerstörungsfreie Lesen für
den Speicher nach Fig. 1 beschrieben, wobei in dieser Anordnung
eine wirksame Störsignalunterdrückung erzielt wird» Zunächst
wird die Schaltungsanordnung der Wortwieklungen beschrieben,
Fig. 1,2 und 5 zeigen; Rückleiter für die Wortwicklung 16 der
Stäbchen 15, die jeweils in vorteilhafter Weise durch den inneren leitenden Teil des Trägers 13 gebildet werden, an den das Hintere
Ende 16b der Wortwicklung (Fig. 1 und 7) an der Rückseite des
Stäbchens in geeigneter Weise, z.B. durch löten, befestigt let· Durch Anbringen eines ärfler Vorderseite jedes Stäbchens mit
dessen innerem Träger 13 verbundenen Leiters 13a und durch das
Wicklungsende 16a werden die Anschlüsse der Wortwicklung gebildet , die, wie in Fig, 5 gezeigt, an bekannte Wortleiteranordnungen
angeschlossen werden·
Wird, wie im vorangegangenen beschrieben, der Innere
leitende Träger 13 jedes Stäbchens 15 als Bückleiter verwendet,
so wird ein Hückleiter eingespart und zusätzlich ein Magnetfeld
(zusätzlich zum Axialfeld) geschaffen, durch das das erforderliche
axiale Feld reduziert wird, so daß ein kleinerer Lese- und Schreibstrom
verwendet werden kann (dies trifft sowohl für zerstörendes all auch für zerstörungsfreies Lesen su). Von größerer Bedeutung
ist in diesem Zusammhang jedoch, daß das durch den Stroafluß im
inneren Träger erzeugt© Magnetfelddae durch den Wortleiter und
die Steigung der Wortwicklungen um jedes Stäbchen erzeugte rund·
externe oder Streumagnetfeld beseitigt, wodurch die Kopplung zwischen den Stäbchen verringert wird. Ferner ist die Kopplung
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*· 12 -
zwischen den Stäbchen infolge des axialen Streufeldes bereits
stark herabgesetzt, da der Querschnitt des Stäbchens so klein ist (Größenordnung 0,18 mm), daß nur ein sehr kleiner Teil des axialen
Peldes mit dem benachbarten Stäbchen gekoppelt ist.
In der folgenden Beschreibung wird gezeigt, wie die Wortleiteranordnung und die Ansteuerung (Pig. 5) arbeitet, um
einen bestimmten"Wortleiter oder ein Stäbchen bei Empfang eines
Lesestromes (I*, oder I«1) oder eines Schreibstromes I^ anzusteuern.
Aus Fig. 5 geht hervor, daß die mit den Stäbchen in jeder der
^ sechs Reihen verbundenen leitungen 16a sowohl untereinander als
auch mit jeweils einer der sechs Schaltstufen R^ bis Rg verbunden
sind, während die mit den Stäbchen· jeder Spalte verbundenen leiter 13a untereinander und mit jeweils einer der sechs Spaltentreiberstufen
C| bis Cg über ein bipolar geschaltetes Diodenpaar 17 und 18 gekoppelt sind. Durch ein Signal 24a angesteuert
erzeugen die entsprechenden Spaltentreiberstufen einen Strom I„
für nichtzerstörungsfreies lesen, einen Strom I«· für zerstörungsfreies
Lesen oder einen Schreibstrum I^ in Abhängigkeit von ent-
W sprechenden, an den Spaltenwähler 24 angelegten Signalen. Die
Reihenschalt stufen R. bis "Rg sind so aufgebaut und angeordnet,
daß sie während lese^ und Schreibintervallen infolge eines von
■ einem Reihenwähler 23 kommenden Signals 23a den angesteuerten
Reihenleiter an Masse legen, wodurch der Stromkreis für den von der angesteuerten Spaltentreiberstufθ kommenden Strom geschlossen
wird.
Durch die Schaltung nach Pig. 5 (gewöhnlich als linear-
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ansteuerung bezeichnet) können die Wortwicklungen eines bestimmten Wortleiters 13a, 16a eines 3peicherstäbchen8 mit einem
Lese- oder Schreibstrom angesteuert werden. Dies geschieht
durch Ansteuerung der Spaltentreiberstufe und der Beihentreiber-
stufe, die den Reihe—Spaltekoordinaten des auszuwählenden
Stäbchens entsprechen. So fließt beispielsweise durch die. Ansteuerung
der Spaltentreiberstufe C1 und der Reihönuchaltstufe R1
während des Sesezyklus ein Lesestrom (!«oder !„·) in der Wortwicklung des Stäbchens in der Reihe 1 und der Spalte 1, da nur "
durch diese Wortwicklung ein Stromkreis vorhanden 1st» Wie au«
Systemen mit linearer Ansteuerung allgemein bekannt, sind für
jede Spaltentreiberstufe Dioden 17· und 18 (tine für den Lesestrom Iß oder IR' und eine für den Sohreibstrom I_) rorgesehen,
um nichtangesteuerte Leiter su entkoppeln· '
Somit können die während des Lesens und Schreibens
nach Pig, 5 erforderlichen Lese- und Sohreibstrüme I- und I^
In herkömmlicher Welse.dadurch erzeugt werden, daß die Spaltentreiber
stuf en und die Reihentrelberetufen so ausgebildet werden, "
daß sie durch den Reihenwähler 23 und den Spaltenwähler 24 einzeln
so angesteuert werden können, daß sie während entsprechender Leae-
und Schreibperioden entsprechend der Reihe«—Spaltekoordinaten
de· auegewählten Stäbchens Lese- und Schreibströme IR und I«
erzeugen.
Im folgenden werden die Leeewioklungen näher beiohrieben.
¥ie schon gesagt, führen die Lesewicklungen eine Sohreibfunktion
während des Sohreibens und eine Abtaetfunktlon während dee Leeena
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aus ι was bei der Zusammenschaltung berücksichtigt werden muß·
Ferner muß durch die Zusammenschaltung eine gute Störsignalunterdrückung gewährleistet sein. Zunächst wird die binäre
Arbeitsweise beschrieben und anschließend die Besonderheiten der ternären Arbeitsweise.
In den Fig. 6 bis 10 ist eine Lesewicklungsanordnung
gezeigt, die sich für eine binäre Speicherung unter Ttrwendung
der Verknüpfungazustände I und II der Fig. 3 und A eignet. In
der Beschreibung der Fig. 6 bis 9 wird angenommen, daß durch das teilweise umgeschaltete Element B 1M* und durch das teilweise umgeschaltete Element JL "O" dargestellt wird· Die Be*
seichnungen n1.N und "O" In den flg. 6 ti« 9 sind dement sprechend
angeglichen· Fig« 6 zeigt die Wicklungsanordnung für die LeBewicklungen in den Zixfernebenen D1, D-, und Sc, während in Fig·
die Wicklungsanordnung für die Lesewicklungen der Ziffernebenen D2, D. und Dg gezeigt ist und die Ziffernebenen die in Fig. 1
gezeigte Lage einnehmen« Wie aus den Fig. 1, 6 und 7 ersichtlich, sind die Wicklungen in jeder Ziffernebene in jeder Heine seriell
gewickelt, und die Rückleitung für eine Reihe (z.B. bei 29 in den Fig· 1 und 7 gezeigt) ist als Schleife entlang eines neben
den Wicklungsverbindungedrähten der gleichen Seihe verlaufenden
Pfades zurückgeführt. Hierduroh werden durch die Verdrahtungeleitungen in den einzelnen Reihen ereeugte Magnetfelder in der
gleichen Weise wie bei dem im vorangegangeneη beschriebenen
Träger 13 praktisch aufgehoben. Um eine noch bessere Kompensation dieser Üagnetfelder eu erzielen, wird der ^üokleiter
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für jede einzelne Wicklung (durch Bezugszahl 28 in den
Pig. 1 und 7 gekennzeichnet) die entsprechende Wicklung entlang in Anlage mit dieser geftihrt, wodurch das durch die Steigung
der Wicklung erzeugte Magnetfeld kompensiert wird.
Aus den Pig. 6 und 7 geht hervor, daß in jeder Ziffernebene alle ungeraden Reihen (r-,, r^ und r^) der Lesewicklungen
so miteinander verbunden sind, daß sie eine erste Serienschaltung (über den Punkten A und C in Pig. 6 und F und
H in Pig. 7) bilden, während alle Lesewicklungen der geraden
sie Reihen (r«» r, und r^) so geschaltet sind, daß/eine zweite
Serieηsehaltung (über den Funkten B und E in Pig. 6 und G und
J in Pig. 7) bilden. Außerdem ist, wie durch die entsprechenden Bezeichnungen "1" und "0" ersichtlich, die Anordnimg der Lesewicklungen
so, daß in den in der Pig. 6 gezeigten Ziffernebenen D., D, und Dj- die Le.sewicklungen in ungeraden Reihen dem bistabilen
"1"-Element ihrer entsprechenden Binärζiffern zügeordnet
und die Lesewicklungen in den geraden Reihen dem bistabilen N0H-Element ihrer entsprechenden Binärziffern zugeordnet sind.
In den in Pig. 7 gezeigten Ziffernebenen D2, D& und Dg sind die
Bezeichnungen "1" und "O" entgegengesetzt, wobei die Lesewicklungen
der ungeraden Reihen den bistabilen "Ο"-Elementen ihrer
entsprechenden Binärziffern und die LeBewicklungen der gerades
Reihen den bistabilen "1"-Elementen ihrer entsprechenden Binärziffern
zugeordnet sind. Die sich ergebende Stäbchenanordnung von bistabilen "0"- und "1"-Elementen, wie sie durch die Lesewicklungsanordnung
nach Pig. 6 und 7 geschaffen wird, ist in
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Pig. 8 für ein Stäbchen 15a einer ungeraden Reihe und für ein Stäbchen 15b einer geraden Reihe gezeigt.
Anhand von Fig.· 9 wird im folgenden beeohriebent
wie die vorstehend beschriebene LeBewicklung8anordnung but Erzielung
einer aehr guten Störsignalunterdrückung mit einem Leseverstärker verbunden wird. Sa jedes Vort in der als Beispiel
gewählten, in Fig. 1 gezeigten Matrix, drei Binär«iffern
besitzt» sind drei Leseverstärker erforderlich, d.h. einer für jeweils zwei Elemente. Die LeBewicklungen der dem Paar 1 entsprechenden
Ziffernebenen D1 und D« sind mit einem ersten Leseverstärker,
die Lesewicklungen der dem Paar 2 entsprechenden Ziffernebenen D^ und D4 mit einem.zweiten Leseverstärker und
die Lesewicklungen der dem Paar 3 entsprechenden Ziffernebenen Dc und Dg mit einem dritten Leseverstärker verbunden.
In Fig. 9 ist die Leseverstärkerverbindung lediglich
für die dem Paar 1 entsprechenden Ziffernebenen D1 und D« gezeigt.
Die Ziffernebenen für die Paare 2-und 3 sind in ähnlicher Weise mit ihren entsprechenden Leseverstärkern verbunden. Da
die Ziffernebenen D1, D, und D5 gleich aufgebaut sind, werden
die Ziffernebenen D-, und D5 in der gleichen Weise, wie für die
Ziffernebene D1 in Pig. 9 gezeigt, an ihre entsprechenden Leseverstärker
geschaltet. Ferner werden, da auch die Ziffernebenen D2, D4 und Dg gleich aufgebaut sind, die beiden letzteren in der
gleichen Weise wie die Ziffernebene D2 in Fig. 9 mit ihren entsprechenden
Leseverstärkern verbunden.
In Pig. 9 entsprechen die mit A, B, C, S, H und J be-
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zeichneten Punkte den entsprechend bezeichneten Punkten in den
Fig. 1, 6 und 7» so 4aß jede Seriensohaltung von Le se wicklungen
leicht erkennbar ist. Beispielsweise stellt die Reihenschaltung
von achtzehn "11J-IeBewicklungen in ungeraden Beinen der Ziffernebene D., die mit den Punkten Λ und B In tig· 9 τ« r bunde η sind,
die Serienschaltung von LeBewicklungen in dtn ungeraden Seihen
r|, r. und T1- in I1Ig* 6 dar» die ebenfalls mit den Punkten λ
und O verbunden sind und gemäß Pig, 9 aus aohtzehn "1"-LeBewicklungen bestehen. Λ
Zur Kopplung der Lesewieklängeη jedes Paares alt
seinem entsprechenden Leseverstärker.dient ein Übertrager 5O9
der drei Wicklungen 51» 52 und 53 belltet, die jeweils an ihren.
einen Ende in bekannter Weise mit eintB Punkt versehen sind, um
die Wicklungspolarität anzuzeigen. Im lähmen dieser Beschreibung kennzeichnet der Punkt die positive Polarität. Die Wicklung 51
ist mit den Punkten P und B, die Wicklung 52 ist mit den Punkten A und 2 (die Punkte A und Q- und die Punkte B und P weisen
die gleiche Polarität auf),und die Wicklung 53 ist mit dem Lese- a
verstärker verbunden. Sie Wicklungen 51 und 52 besitzen Mittelabgriffe, die jeweils über eine Impedanz Zo/2 an Kasse liegen,
wobei Zo der Wellenwiderstand des jeweiligen Le seleiterβ 1st.
Diese Abeohlußsoheinwiderstände sollen unerwünschte Eeflexionen
verhindern·
Ziffernetromsignale werden auf folgende Wels· an dl·
Le sewicklungen der Ziffernebenen D- und D« ge schaltet ι Die
Ziffernebene D1 ist mit dem Treiber 40 und die Zifferneben· D«
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mit einem Treiber 60 verbunden, die infolge eines von einem
Ziffernebenenwähler 75 empfangenen Signalee einen Impuls 2I^
erzeugen· Der Ziffernebenenwähler 75 hat Tier weitere Ausgänge für die Steuerung der Treiber in den Ebenen D^ bis Dg·
ebenen ■ .
in Abhängigkeit davon» ob "Ο" oder "1* au schreiben ist, nur
einer der Treiber, 40 oder 60, angesteuert. Wie in Yig· 9 ge-
jedeh
zeigt, wird der durch -toe Treiber erzeugte Ziffernetrom 2I^
™ parallel an die ungeraden und geraden Lesewicklungen der entsprechenden Ziffernebene über Isolierdioden (4-1, 42 für die
Ziffernebene D1 und 61, 62 für die Ziffernebene D2) angelegt·.
Da der Ziffernstrom 2I^ zwischen den ungeraden und geraden
Serienschaltungen von Ie«wicklungen aufgeteilt wird, beträgt
der in jeder Lesewicklung der angesteuerten Ziffernebene
fließende Ziffernatrom somit I~. Bine Impedanz von 2Zo wird
zwischen .die Punkte O und B sowie H und J in Fig. 9 geschaltet,
um den Leiter-Abachluß reflexionsfrei abzuschließen.
W
Die Dioden in Fig. 9 können auch weggelassen werden.
In diesem Fall müssen die Ausgänge der Treiber 40 und 60 an die Mitte einer Impedanz 2Zo, wie für den Treiber 40 in Pig. 9a
gezeigt, angeschlossen werden.
Unter Zugrundelegung der vorangegangenen Beschreibung
der Matrix und ihrer Wicklungsanordnung wird la folgenden der Gesamtbetrieb der Matrix anhand einer Operation mit dem Stäbchen in der Reihe 1 und der Spalte 1 beschrieben, von dem angenommen sei, daß es das Dreibitwort 101 speichert.
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Die Operation wird durch ein Lesesignal für zerstörungsfreies Lesen oder ein lesesignal für zerstörendes
Lesen (je nach-dem, ob zerstörungsfreies oder zerstörendes
Lesen erwünscht ist) eingeleitet. Dieees Signal wird an
Reihenwähler 23 und den Spaltenwähler 24 (Pig· 5) eusammen
mit entsprechenden leihen- und Spaltendaten angelegt, um eine
Ansteuerung der gewünschten Be ine nt reiber stuf en und. der gewünschten Spaltentreiberstufen während der Leseoperation zu
ermöglichen. Da das in dem vorliegenden Beispiel ausgewählte Λ
Stäbchen in der Reihe 1 und der Spalte 1 liegt, steuert der
Reihenwähier 23 die Reihentreiberstufe R1 an,und der Spaltenwähler 2.4- steuert die Spaltentreiberetufe C^ an. Dadurch fließt
der Lesestrom (I^ oder IR·) von der Spaltentreiberstofe C^ über
die Diode 17 durch die Wortwicklung 16 (Pig. 1,2 und 8) des Stäbchens in der Spalte 1 und der Reihe 1 und über die Reihentreiberstufe R1 nach Masse. Die Wirkung eines in der Wortwicklung 16 ausgewählten Stäbchens fließenden LesestrQmes I^ für
zerstörendes Lesen besteht darin, daß alle auf ihm befindlichen ä
sechs Speicherelemente, wie in den Kurven I und II in Pig. 3 gezeigt, ble Pq geschaltet werden, während der Lesestrom IR·
für zerstörungsfreies Lesen jedes der sechs Speicherelemente, wie in den Kurven I und II in Pig. 4 gezeigt, bis PQ oder P2
geschaltet werden.
Da in dem vorliegenden. Beispiel angenommen wird, daß das Stäbchen der Reihe 1 und Spalte 1 das Wort 101 speichert,
liegen vor dem Lesen das "1"-Element des Elementepaareβ 1,
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das "0"-Element des Elementepaarea 2 und das "1"-Element des
Elementepaares 3 jeweils auf P2)und jedes von ihnen indftziert
somit ein Ausgangssignal in seiner entsprechenden Ziffernlesewicklung
infolge des angelegten Leaetreiberstromes I« oder: IR*.
Es sei nur das Elementepaar 1 betrachtet. Wie aus Pig. 6, 7 und
9 ersichtlich, erscheint der in der "1"-IeBewicklung des Elementepaares
1 des Stäbchens in Seihe 1 und Spalte 1 (das sich in einer ungeraden Reihe befindet) induzierte Ausgangsimpuls
in der Seriensehaltung A-C der Ziffernebene D1. Da die Serienschaltung
A-C mit dem mit einem Punkt versehenen Ende der Übertragerwicklung 52 in Pig. 9 verbunden ist, bewirkt das In der
Serien se haltung A-C induzierte Signal ein positives "1''-Ausgangssignal
(wie in Kurve I der. Pig. 3 und 4 gezeigt) an die Leseverstärker des Elementepaares 1 von der Übertragerwicklung 53»
wodurch die Speicherung von "1" im ersten Paar des ausgewählten Wortes angezeigt wird. Da das Elemnntepaar 3 ebenfalls eine "1W
speichert, empfängt der Leseverstärker des Elementepaares 3 über
den entsprechenden Leseverstärker-Übertrager ein positives Signal
von der Serienschaltung A-C der Ziffernebene De·
Vom Elementepaar 2, von dem angenommen wird, daß ea "0"
speichert, erscheint das in seiner entsprechenden Lesewicklung induzierte Ausgangssignal in der Serienschaltung P-H der Ziffernebene
D^, da die Serienechaltung P-H ζφβηι nicht mit einem Punkt
versehenen Ende der ülertragerwicklung 51 ihres entsprechenden
Elementepaares 2 führt (wie in ^ig. 9 für die Ziffernebene D2 gezeigt),
wird über den Leseverstärker-Übertrager 50 ein negatives
Z3·6·1967 009SS2/1···
M0"-Au3gangaaignal (wie in Kurve II der Pig. 3 und 4 gezeigt)
an den leseverstärker des Elementepaares 2 angelegt, um die Speicherung von "O" in. der zweiten Wortstelle anzuzeigen.
Aus Pig. 9 geht hervor, daß#wenn ein Stäbchen in einer geraden Reihe ausgewählt wird und wenn angenommen wird,
daß das Elenentepaar 1 eines solchen Stäbchens einer geraden Reihe H1" speichert, dann würde das Ausgangasignal in der
Serieiischaltung G-J erscheinen, und da die Seriensohaltung G-J
an den mit einem Punkt versehenen Ende der Übertragerwicklung 51 ä
liegt, würde ein Mΐ"-Ausgangβsignal an den Leseverstärker des
Elementepaares 1 gelangen, der die Speicherung von 1MN anzeigt.
Dementsprechend würde, wenn ein "gerades" Stäbchen "O" im Elementepaar
1 speichern soll, das Ausgangssignal in der Serienschaltung
B-E auftreten, und da diese Serienschaltung an den nicht mit einem 3?unkt versehenen Ende der entsprechenden Übertragerwicklung
52 liegt, würde ein negatives "On-Signal an den
entsprechenden Leseverstärker angelegt werden, der die Speicherung
einer 11O" anzeigt. *
Wenn auf dem ausgewählten Stäbonen eine Operation für
zerstörungsfreies Lesen ausgeführt wird, wie in den Kurven I und II der Pig. 4 dargestellt, dann wird die gespeicherte Information
aufrechterahlten. Ss ist keine Schreiboperation erforderlich,
und es kann sofort eine weitere Le ieoperation folgen.
Wird eine Operation für zerstörendes Lesen durchgeführt,
dann muß vor der nächsten Leseoperation eine Schreiboperation
durchgeführt wadeη, um die ausgelesenen Daten oder neue Daten
23.6.1967 009852/1686 BAO
zu speichern. Die Schreiboperation kann nach der zerstörenden
leaeoperation durch Anlegen eines Schreibaignale an den Reihenwähler
23 und den Spaltenwähler 24 in Pig. 5 mit entsprechenden Reihen- und Spaltendaten für die Ansteuerung der gewünschten
Reihentreiberstufe und Spaltentreiberatufe durchgeführt werden. Da das Stäbchen in Reihe 1 und Spalte 1 in dem hier beschriebenen
Beispiel ausgewählt wird, steuert der Reihenwähler 23 die Reihentreiberstufe R1 und der Spaltenwähler 24 die Spaltentreiberstufe
O1 an, wodurch ein Schreibstrom I- durch die Wortwicklung
(Fig. 1, 2 und 8) des ausgewählten Stäbchens in Reihe 1 und Spalte 1 fließt. "
Es wurde bereits gesagt, daß weder der Schreibstrom I17
noch der Ziffernstrom ID für eine teilweise Umschaltung ausreichen,
sondern eine Koinzidenz der beiden Ströme dazu nötig ist. Demzufolge wird, nachdem die Erzeugung des Schreibstromes I^ bereits
beschrieben wurde, anhand der Fig. 9 der Verlauf des
Ziffernstromes ID für ein Elementepaar beschrieben.
In Pig. 9 wird ein Schreibsignal (das das gleiche sein kann, wie es an den Reihenwähler 23 und den Spaltenwähler 24 in
Pig. 5 angelegt wird) an den Bingang 76 angelegt» und entsprechende
Ziffernebenendaten werden an den Eingang 77 dee Ziffernebenenwählers
75 gegeben. Diese Daten zeigen gemäß dem zu schreibenden Wort (angenommen 010) an, welcher der für jedes SlementepAar
vorgesehenen beiden Ziffernebenentreiber (z.B. D1 und D- für das
Elementepaar 1) während des Schreibens auszuwählen ist· Im folgenden wird im Zusammenhang mit dem Elementepaar 1» von dem
23#6·1967 009852/16SS Omginal inspected
in dem hier beschriebenen Beispiel angenommen wird, daß eine
"O" in ihm gespeichert ist, der Ziffernstromfluß in der ent- '
sprechenden H0n- oder "1-"-Ie Bewicklung jedes BIe me nt e paare s
beschrieben.
Die MOM-Ziffentwicklung dea Elementepaares 1 deβ
Stäbchens in Reihe 1 und Spalte 1 liegt in der Serienschaltung P-H der Pig. 9. Demzufolge steuert zum Sohreiben einer "0" im
Elementepaar 1 der Ziffernebenenwähler 75 den D«-Treiber 60 an,
der seinerseits bewirkt, daß ein Ziffernstrom I^ in der die ^
"0"-LeBewicklung des Elementepaareβ 1 enthaltenden Serienschaltung
P-H fließt. Der Schreibstrom I» und der Ziffernstrom I^ zusammen
reichen dann aus, um das entsprechende "0"-EIe»ent des Elementepaares
1 nach P„ in yiß· 3 eu treiben, wodurch eine "0" in das
Elementepaar 1 geschrieben wird, ferner hat es sich gezeigt,
daß es für zerstörungsfreies Lesen zweckmäßig ist, in einem
nichtangesteuerten Treiber einen Sperrdtrom -2ID zu erzeugen.
Im vorstehenden Beispiel ist das der D^-Treiber 40. Durch die
Ansteuerung des Dg-Treibers 60 zur Erzeugung des Hilfβstromes *
wird bewirkt, daß der Ziffernstrom X~ nicht nur in der Lesewicklung
des ausgewählten Stäbchens sondern auch in den anderen Lesewicklungen der Serienschaltung f-H sowie in den LeBewicklungen
der Serienschaltung G-J fließt. Desgleichen fließt,
infolge der Ansteuerung des D.-Treiber· 40 zur Erzeugung des
Sperrstromes -2ID, ein Ziffernstrom -I^ in den Serienschaltungen
A-C und B-E. Dieser Ziffernstromf luß bewirkt jedoch ke'ine unerwünschte
Umschaltung , da der Ziffernstrom allein dafür nicht auoreicht.
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23.6.1967
Falle anateile einer 11O" eine W1!l in das Elementepaar
1 geschrieben werden soll, dann würde der Ziffernebenenwähler 75 anstelle des Dp-Treibers 60 den D-j-Treiber 40 ansteuern,
wodurch der Ziffernstrom L. durch die Serienschaltung A-O
fließen könnte, in der sich die W1"-Iesewicklung dee Elementepaares
1 des ausgewählten Stäbchens in Reihe 1 und Spalte 1 befindet.
Ferner v/ürde, wenn sich das ausgewählte Wort in einer geraden Reihe befinden würde und wenn eine "1W zu schreiben
wäre, der D„-Treiber 60 angesteuert, damit der Zifferngtrom I^
durch die Serienechaltung Cr-J fließt, in der sich die "1N-Lesewicklung
des Ziementepaares 1 befindet* Soll eine N0N in das
Elementepaar 1 eines Stäbohens einer geraden Reihe geschrieben
werden, dann würde der D-j-Treiber 40 angesteuert, damit ein
Ziffernstrom in der die w0M-IeBewicklung des Elementepaareβ 1
enthaltenden Serienschaltung B-E fließt.
Aus vorstehender Beschreibung ist ersichtlich, daß am Ende der Schreibperlode das gewünschte Wort in das ausge-"
wählte Stäbchen in Reihe 1 und Spalte 1 entsprechend der durch den Ziffernebenenwähler 75 vorgenommenen Anateuerung von Zifferntreibern
gespeichert ist. Da angenommen wird, daß das volle Wort Ö10 in das Stäbchen in Reihe 1 und Spalte 1 (d.h. eine
ungerade Reihe) zu schreiben ist, werden nichtgezeigte Zifferntreiber
für die Ziffernebeneη Dp» D^ und Dg während der Schreiboperation
durch den Ziffernebenenwähler 75 angesteuert, um einen
Hilfsstrom 2ID zu erzeugen, während die Zifferntreiber für die
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Ebenen D1, D. und D1- entweder unangeeteuert bleiben oder zur
Erzeugung eines Sperratromes -21-q angesteuert werden.
Von Bedeutung iat-, daß mit der in den Pig· 5 biB 9
gezeigten Wicklungsanordnung zusätzlich ein· sehr hoher Grad
von Störsignalunterdrückung erreicht wird, wodurch sowohl für zerstörendes als auch für zerstörungsfreies lesen eine hohe
Betriebssicherheit gewährleistet wird.
Die Kopplung der einzelnen Stäbchen untereinander infolge von axialen und runden Streumagnetfeldern wurde,
wie bereits beschrieben, durch dir Verwendung eines Stäbchens mit kleinem Durchmesser und dl· inordnung eines Hüokleiters
dicht neben dem Stäbchen beträchtlich Verringert und eine hohe Packungsdichte erzeilt· Se gibt jedoch noch andere Pormen von
Kopplung, die Störeignale verursachen, die beseitigt werden
müssen, wenn der resultierende Störpegel klein gehalten werden soll, s.B. die Infolge kapazitiver und induktiver Kopplung
zwischen Wortleitern und Leseleltern auftretenden Störsignale. Zwar ist es mit bekannten Techniken, s.B. Aufblenden, öleichtaktunterdrückung und StÖrunterdrückungβleitera, möglich, eine
gewisse Störsignalunterdrückung su ersielen, doch ist diese
nicht ausreichend, weil es schwierig IsIr9 su jedem Zeipunkt
ohne Abschwächung des Ausgangstignal· eine vollständige Störunterdrückung su erzielen.
In dem hier beschriebenen Aueführungsbeispiel wird die Tatsache ausgenützt, daß jede Binärziffer duroh zwei nebeneinanderliegende, sehr gleichartige bistabile Elemente auf dem
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gleichen Stäbchen gebildet werden, wodurch eine Störsignalunterdrückung
sanordnung, wie in den Pig. 7 bis 9 veranschaulicht, geschaffen wird,'die für jede Binärziffer eine äußerst
gute Störsignalunterdrückung gewährleistet, die zusätzlich zu der bekannten Gleichtaktunterdrückung erzielt wird, wodurch
in der Speichermatrix ein sehr niedriger Störpegel auftritt. Die LeBewicklungen jeder Ziffernebene sind nach dem Prinzip
der Gleichtaktunterdrückung geschaltet und außerdem sind die
beiden Lesewicklungen jeder binären Ziffer entgegengesetzt
gepolt. Außer der üblichen Gleichtaktunterdrückung werden
einen
auch Störeignale, die in der dem/bistabilen magnetischen Element eines ausgewählten Stäbchens zugeordneten Lesewicklung auftreten, durch ein gleiches, jedoch entgegengesetzt gepoltes Störsignal kompensiert, das in der dem anderen bistabilen magnetischen Element *ss Elementepaares zugeordneten Lesewicklung erzeugt wird.
auch Störeignale, die in der dem/bistabilen magnetischen Element eines ausgewählten Stäbchens zugeordneten Lesewicklung auftreten, durch ein gleiches, jedoch entgegengesetzt gepoltes Störsignal kompensiert, das in der dem anderen bistabilen magnetischen Element *ss Elementepaares zugeordneten Lesewicklung erzeugt wird.
Aus der im Zusammenhang mit den Pig. 3 und 4 gegebenen
* Beschreibung geht hervor, daß anstelle der Darstellung des
N1N- und "C-Zustandee einer Binärziffer durch die In den
Kurven I und II reran ac haulicht β η Ve r knüpf uhgszustände, bei der
eine "1" oder "0" durch ein bestimmtet der beiden Elemente
eines Elementepaares, das teilweise umgeschaltet ist, dargestellt -wird, eine Darstellung verwendet werden kann, bei der
ein bistubiles Element jeweils im Le se sattigungszustand bleibt,
während das andere bistabile Element entweder im Le gesät t igung 3-zustand
belassen wird, usi eine 11O" darzustellen, oder zur Dar-
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, - 27 -
stellung einer "1M teilweise umgeschaltet wird. Pur eine derartige
Darstellung kann die gleiche Lesewicklungsanürdnung
verwendet werden, wie in den Fig. 6 und 7 gezeigt, mit dem Unterschied, daß alle Lesewicklungen in den Ebenen D1, D,
und Dc "1"-Wicklungen und alle LeBewicklungen in den Ebenen
D2, D, und D6 "On-Wicklungen darstellen, so daß jedes Stäbchen
in der Matrix eine "1"-"0"-Anordnung besitzt, wie durch
das Stäbchen 15a in Fig. 8 dargestellt. Bei dieser Anordnung empfangen die "OM-Lesewicklungen keinen Ziffernstrom (oder bei (^
zerstörungsfreiem Lesen keinen Sperrstrom), und ihre zugeordneten bistabilen magnetischen Bleaente werden daher nie aus
dem Lesesattigungszustand umgeschaltet. Lediglich die N1"-Lesewicklungen
in den Ebenen D1, D^ und Dc erhalten e Hilfeziffernstrom.
In-Fig. 10 ist für die Ziffernebenen D1 und D2 veranschaulicht,
wie die Lesewicklungen mit ihrem entsprechenden Leseverstärker für die im folgenden beschriebene, abgewandelte
Arbeitsweise geschaltet aind. Fig. 10 1st ähnlich wie die Fig. 9 Λ
aufgebaut und mit den gleichen Buchetaben A, B, G, E, F, G., H
und J gekennzeichnet. Aue 71g· 10 geht hervor, daß bei Speicherung
einer "1" ein Ausgangβsignal positiver oder negativer
Polarität infolge eines angelegten Lesestrones (I« oder I«·)
über den Leseverstärkeriibertrager an den Leseverstärker gelangt.
Bei der Speicherung einer "0" wird ein vernachlässigbaree
Ausgangssignal erzeugt, da sich beide bistabi3erJElenente im
Lesesättigungszustand befinden.
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Pur daa Schreiben in der Anordnung nach Pig. 10 ist,
da Hilfsziffernstrom nur an die "1"-Lesewicklungen angelegt
wird, nur ein Zifferntreiber für jedes Elementepaar erforderlich, wie in Pig. 10 durch den Zifferntreiber 70 für das Elementepaar
1 veranschaulicht, der an die "!"-Lesewicklungs-Serienschaltungen
A-C und B-E geschaltet ist. Der Ziffernebenenwähler 75 in Pig. 9 wird somit der in Pig. 10 gezeigte Treiberwähler
80, der drei Ausgänge besitzt (einen für jeden "Bittreiber·1).
Der Treiberwähler 80 steuert infolge eines an seinen Eingang 81 angelegten Schreibsignals, und an seinen Eingang 82
angelegter Treiberwähldaten den zum Schreiben einer "1·? in dem
Im entsprechenden Elementepaar erforderlichen Treiber an. Sollen
die Seriensc.haltungen P-H und G-J der "O"-Leeewicklungen Ziffernsperr
strom erhalten, wenn die entsprechenden Serienschaltungen A-B und B-E der "1"-Lesewicklungen Hilfsziffernstrom erhalten
(was für zerstörungsfreies Lesen bevorzugt wird), dann kann der gleiche Ziffernebenenwähler 75 gemäß Pig. 9 in Pig. 10 verwendet
werden, wobei ein zusätzlicher nichtgezeigter Treiber für das Elementepaar 1 zum Anlegen von Sperrziffernstrom an die Serienschaltungen
P-H und G-J der "O"-Leeewicklungen vorgesehen ist.
Aus Pig. 10 geht ferner bei Betrachtung der verschiedenen möglichen Störquellen und ihrer Wirkung im LeseverstWirker hervor,
daß mit dieser abgewandelten Leseverstärkerverbindungsanordnung
ebenfalls der gleiche hohe Grad von Störsignalunterdrückung erzielt wird, wie bei der Anordnung nach Pig. 9.
Im folgenden wird beschrieben, wie ein jeweils aus
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Stabchenelementen A und B (Fig· 2) bestehendes Elementepaar
zur Ternärspeicherung sowohl für zerstörendes als auch für
zerstörungsfreies lesen verwendet werden kann, wodurch eine sehr beachtliche Verringerung der erforderlichen Anzahl von
Stäbchenelementen und der zugeordneten Treiber- und Iegeschalt
ung en bei nur verhältnismäßig geringfügiger Vergrößerung der zugehörigen logik (Verknüpfungeachaltungen für Binär-Ternär
umsetzung und Ternär-Binärumeetzung) benötigt wird. Ist ei ine
solche Umsetzung nicht erforderlich, dann.ergibt eich selbstverständlich
eine noch größere Einsparung.
Wie bereits im Zusammenhang mit den 31Ig* 3 und 4 beschrieben,
kann eine Ternärziffer in den Elementen A und B jedes
Elementepaares durch Verwendung der drei in den Kurven I, II und
III veranschaulichten Verknüpfungszustände gespeichert werden,
d.h. Tel!umschaltung nur des Elementes B bedeutet *1N{ Teilumschaltung
nur des Elementes A bedeutet "-J" und Teilumschaltung
weder des Elementes A noch dee EIe»ente· B bedeutet "Ο*· Für
eine Ternärspeicherung kann die gleiche Speicher- und Ansteuervorrichtung
verwendet werden, wie in Pig. 5 gezeigt· Auoh kann die gleiche Lesewicklungsanordnung, wie in den Fig. 6 und 7 gezeigt,
verwendet werden» mit Ausnahme des Ziffernebenenwählere
in Fig·. 9» der so ausgebildet ist, daß er auf ternär β Zifferhebenendaten
anspricht, um die Zifferntreiber für Jedes Paar
ungerader und gerader Ziffernebenen wirksam zu machen, so daß jede· der drei ausgewählten Ternärziffernwerte "0·, "I" und *-1"
in die betreffenden Elemente geschrieben werden kann. So wird
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beispielsweise für das in Pig. 9 gezeigte Paar, bestehend aus
der ungeraden Ziffernebene D. und der geraden Ziffernebene Dp,
111" und "-1" in der gleichen V/eise wie für die Binärziffern
"1" und w0" geschrieben, d.h. für die "1W wird der D..~Treiber
betätigt, so daß er Hilfeziffernstrom erzeugt, während der
Dp-Treiber entweder nicht betätigt oder betätigt wird, damit er Sperrziffernstrom (vorzugsweise bei zerstörungsfreiem Lesen)
erzeugt, und umgekehrt, wenn "-1" geschrieben wird. Ua die dritte
Ternärziffer "0" in das ausgewählte Wort der Ziffernebenen. D1
und D2 zu schreiben, muß der Ziffernebenenwähler 70 nur den
D-j-Treiber und den Dg-Treiber sperren, so daß keines der beiden
Elemente des ausgewählten Elementepaareβ teilweise umgeschaltet
wird·
Zum Lesen eines Speichers, bei dem ternärβ Säten in
jedem Elementepaar gespeichert sind, wie Im totangegangenen.beschrieben, wird ein zerstörender oder ein zerstörungsfreier
* im K
wie im vorangegangenen7"Zusammenhang mit einem Binärsystem beschrieben, jedoch miit dem Unterschied, daß anstelle des bloßen
Peststellena des Vorhandenseins eines positiven oder megativen
Ausgangssignale am Eingang jedes Leseverstärkerβ das Vorhandensein keines Ausgangssignals (oder eines vernachläesigbaren Ausgangesignals)zusätzlich als Anzeige der Speicherung der dritten
Ternärziffer festgestellt wird, wie durch die Kurve in Pig. 11
angezeigt·
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Die Pig. 12 und 12a, 13 und 13a zeigen, wie ein aus drei Binärziffern bestehendes Wort zwecks Speicherung in Ternärform
im Speicher in ein .aus zwei Ternärziffern bestehendes Wort
umgesetzt, und wie ein als zwei Ternärβiffern aus dem Speicher
ausgelesenes Wort wieder in ein drei Binärziffern enthaltendes
Wort umgesetzt werden kann* Es sind nur die zugehörigen Ziffernschaltung
st eile gezeigt, da Let«- und Schreibströme an die Wortleiter
in der gleichen Weise angelegt werden können, wie im vorangegangenen/Zusammenhang ait Pig. 5 sowohl für binäre als |
auch für te märe Speicherung tee schrieben. Die Ziffern so haltung
kann beträchtlich rerkleinert werden, da ein Wort in Ternärform
nur zwei Elementepaare benötigt, während drei Elementepaare für ein Wort in Binärform erforderlich sind) dadurch ist es möglich,
daß vier Ziffernebenen die gleich» Informationsmenge in Ternärform
speichern können, wie seohs Ziffernebenen in Binärform·
Somit sind nur die Tier Ziffernebenen D1. bis D* erforderlich,
d.h. die Ziffernebenen Sc und Dg sowie die ihnen zugeordneten
Treiber- und Lesevorrichtungen werden überflüssig.
In Pig* 12 ist im einzelnen der Aufbau eines Ternär- ·
ziffernebenenwählera 175 gezeigt, der anstelle des Ziffernebenenwählers
der Pig. 9 verwendet werden kann, wenn im Speicher Informationen in Ternärform gespeichert werden sollen. Es wird
angenommen, daß die drei in die ausgewählten Elemente der Ziffernebenen
"D1 bis D^ in Ternärform einzuschreibenden Binärziffern
von drei Plipflops 171, 172 und 173 erhalten werden, die jeweils durch "1n- und "OM-Ausgänge die in ihnen gespeicherten
Binärdaten anzeigen, wobei der WOB-Ausgang apostrophiert ist.
«.6.1967 009862/1688 ' (-B-B1-).
BAD ORIQiMAL
Pig. 12a. zeigt in einer Tabelle: Wörter in Binärform
in Spalte 1, die äquivalenten Wörter in Ternärform in
Spalte 2 und die entsprechenden Eingangssignale an den Zifferntreibern
D. bis D^ in Spalte 3. Aus den Pig. 8, 12 und 12a
geht hervor, daß beim Auftreten eines Schreibeignais W die Plipflopauagänge B1, B1 1, Bg, Bg1 und B,, B^* in Pig. 12
durch UKD-Grlieder 176 und GDEH-Glieder 178 entsprechend der
Tabelle nach Pig. 12a so verknüpft werden, daß eine Betätigung der Treiber 140, 1150, 160 und 170 entsprechender Ziffernebenen
™ D1, Dp» D, und D^ erfolgt, wodurch Hilfsziffernstrom erzeugt
wird, der das Einschreiben von.zwei Ternärziffern T1 und Tg
bewirkt, die den in den Plipflops 171, 172 und 173 enthaltenen Binärdaten entsprechen· Weisen beispielsweise B,, B» und B1
die Konfiguration 110 auf, dann werden die Zifferntreiber 150, 160 so betätigt, daß sie Hilfsziffernströme an die 2iffernebenen
D2 und D^ schalten, wodurch eine Ternärziffer "-1" in den Elementen
des ausgewählten Paares in den Ziffernebenen D1 und D«
und eine Ternärziffer n1" in den Elementen des ausgewählten
Ψ Paares in den Ziffernebenen D^ und D, gespeichert wird· Der
Einfachheit halber ist in dem Ausführungsbeispiel nach Pig· 12 das Anlegen des Sperrziffernstromes an eine nichtangesteuerte
Ziffernebene v/eggelassen· PUr den Fachmann ist die Erzeugung und Bereitstellung des Sperrziffernstromes kein Problem·
Eine Ternärziffer kann durch Anlegen eines Lesetreiberstromes
(IR oder IR·) an den ',Vortleiter des ausgewählten StäbchGn3
unter Verwendung der in Pig. 5 gezeigten Vorrichtungen
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gelesen werden· Die beiden Ternärziffern dea ausgewählten'
Wortes können jeweils beim Lesen dadurch erkannt werden, daß
ereitteIt wird, ob das Ausgangssignal des entsprechenden
Leseverstärker-Übertragers 50 positiv, negativ odei* null ist.
Diese Potentiale entsprechen jeweile den Ternärwert "1% "-1"
und "0*. Sif. 13 und 13a zeigen,wie diege Leseveretärker-über- '
tragerausgangssignale über entsprechende Leseverstärker 95 oder
96 an einen aus UND-Gliedern 92 und GDBl-4liedern 94 bestehenden
Ternär-Binärumsetzer 90 angelegt werden können, um das aus dem
Speicher in Ternärform gelesene Wort wieder in eine Binärform
für die Flipflops M. bis M, umzusetzenι und zwar entsprechend
der Tabelle 13a, in der in Spalte 1 die Leseverstärker—·Auegangesignale, in Spalte 2 die äquivalenten Ternärziffern und in Spalte
die äquivalenten Binärziffern dargestellt sind·
Aus den Pig· 13 und 13a geht hervor, daß die Leseverstärker 95 und 96 für die Elementepaare 1 und 2 jeweils so aufgebaut sind, daß sie ein Ausgangssignal nur für einen ersten
Ausgangsleiter (et für das Elementepaar 1 und e« für das Elementepaar 2) erzeugen, wenn der jeweilige Leseverstärker-Übertrager
ein positives Signal abgibt, daß sie ferner ein Auagangθsignal ·
nur für einen zweiten Au3gangsleiter (eT für das Elementepaar
und e* für das Slementepaar 2) liefern, wenn der entsprechende
Leseverstärker-Übertrager ein negatives Signal abgibt, und kein Ausganges ignal erzeugt wird, v/onn der entsprechende Le se verstärke rübertrager kein Ausgangssignal abgibt. In herkömmlicher Weise ent-
hält jeder Leseverstärker eine Ausblendvorriehtung, die auf ein
23.6.1967 009852/1688
angelegtes Ausblendsignal S so anspricht, daß'der Leseverstärker
nur für die Zeit während einer Leseoperation geöffnet
wird, in der ein Ausgangssignal auftreten kann, wodurch Störsignale
und zu anderen Zeiten auftretende unerwünschte Störungen ausgeblendet werden·
Die drei Ausgangssignale dee Ternär-Binärumsetzers 90
in Pig. 13 werden an die Eingänge entsprechender Flipflope M1,
M2 und M, angelegt, die sich am Anfang alle infolge ihrer
Einstellung durch ein zu Beginn jeder Leseoperation an sie angelegtes Löschsignal CL. im H0"-Zustand befinden. Demgemäß wird,
wenn ein Flipflop M1, M« oder M, ein "1"-Signal vom Ternär-Binäruasetzer
90 empfängt, dieses in den "1"-Zustand geschaltft, und
bleibt es
wenn es ein "On-Signal empfängt,/im "Ow-Zustand e. Bei. Annahme
des gleichen Beispiels,wie im Zusammenhang mit den Pig.
und 12a verwendet, sullen die Ternärzifi'ern T2 1^ ^1 ^es aue"
gewählten Wortes jeweils "1" und M-1W dar. Dadurch entstehen die
Signale e^j" und e2, die die Flipflops Mg und M, in den "1"-Zustand
schalten, während das Flipflop M.. im H0H-Zustand bleibt,
wodurch die Plipflops M1, M2 und M, die ursprünglich von den
Flipflops 171, 172 und 173 in Fig. 12 erhaltenen Binäraignale
wieder darstellen.
23.6.1967
009852/1686
Claims (1)
- Pat e nt an s ρ rüc heiV. Speichervorrichtung mit einer Vielzahl bietabiler. Speicherelemente! die so angeordnet sind, daß jede in dem Speicher gespeicherte Ziffer in einem entsprechenden Elementepaar gespeichert wird, gekennzeichnet durch eine mit den Speicherelementen gekoppelte und auf die Eingabedaten ansprechende Schreibvorrichtung (HO, 23, 24), die eine Ternärziffer in ein ausgewähltes Speicherelementepaar dadurch einschreibt, daS die Speicherelemehte des ausgewählten SpeicheaeLementepaares nach einem der folgenden Yerknüpfungszustände eingestellt werden:1. Beide Speicherelemente werden in den gleichen Zustand geschaltet;2. ein erstes Speicherelement wird in einen ersten Zustand und das zweite Speicherelement in einen zweiten Zustand geschaltet;3· das erste Speicherelement wird in den zweiten Zustand und das zweite Speicherelement in den ersten Zustand geschaltet;und durch eine Lesetreibervorrichtung (23, 24), die mit den Speicherelementen gekoppelt ist und ein lese signal an das ausgewählte Speicherelementepaar anlegt, scwie durch eine mit den Speicherelementen gekoppelte Lesevorrichtung (10, 50, 95) durch die die Verknüpfungszustiinde der Speicherelemente des ausgewählten Elenentepaares festgestellt werden.009852/168623.6.19672. Speichervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß sich die Speicherelemente in der einen oder der anderen von zwei entgegengesetzten Sättigungsrichtungen befinden.3. Speichervorrichtung naoh Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß jedes Speicherelementepaar aus einer dünnen magnetischen Schicht auf einem länglichen Träger besteht und die beiden Sättigungsrichtungen entlang einer Längsachse des Trägers verlaufen.4. Speichervorrichtung nach Anspruch 3» dadurch gekennzeichnet, daß die dünne magnetische Schicht nebeneinanderliegende Abschnitte aufweist.5. Speichervorrichtung nach Anspruch 3 oder 4·, dadurch ge-zwischen kennzeichnet, daß die Schicht eine Dioke #■*** 500 und 10 000 Angst rom•6. Speichervorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 3 bis 51 dadurch gekennzeichnet, daß der erste Zustand gesättigt und der zweite Zustand teilweise gesättigt ist, wobei der erste Verknüpfungszustand der gesättigte Zustand ist.7. Speichervorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß das lesesignal ein axiales Magnetfeld erzeugt, daa ein teilweise gesättigtes Element in die Sättigung treibt, jedoch dessen23.6.1967 009862/168$BAD15219^1Rückkehr in den teilweise gesättigten Zustand nicht verhindert, wodurch ein zerstörungsfreies lesen ermöglicht wird.8. Speichervorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 3 bis 7» dadurch gekennzeichnet, daß die Lesevorrichtung eine Iesewicklung für jedes der genannten Speicherelemente enthält, wobei die Lesewicklungen und die entsprechenden Speicherelemente in Ziffernebenen (D1 bis D.) so angeordnet sind, daß jeweils ein Speicherelement eines Speicherelementepaares sich in der Λeinen Ziffernebene (D1) und das andere Speicherelement des Speicherelementepaares sich in einer benachbarten Ziffernebene (Dp) befindet, wobei die Lesewicklungen jedes Speichereleinentepaares entgegengesetzt gewickelt sind.9. Speichervorrichtung nach einem oder mehreren der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Schreibvorrichtung eine Schaltung (175) zum "Umsetzen von binären Eingangsdaten in Ternärform und die Lesevorrichtung eine Schaltung (90) ä zum Umsetzen von Ternärdaten in Binärform enthält.009852/168623.6.1967
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Family Applications (1)
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US6303862B1 (en) | 1995-01-12 | 2001-10-16 | Reiker Enterprises Of Northwest Florida, Inc. | Electrical box with main cavity and separate auxiliary cavity and having optional dimpled hole and strengthening element |
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- 1967-06-07 SE SE08014/67A patent/SE336490B/xx unknown
- 1967-06-24 DE DE19671524951 patent/DE1524951A1/de active Pending
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