DE1292197B - Informationsspeicherschaltung mit Drahtspeicherelementen - Google Patents
Informationsspeicherschaltung mit DrahtspeicherelementenInfo
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Description
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Die Erfindung bezieht sich auf eine koinzident Informationsadressen zugeführt werden, und den
mit zwei Strömen in zwei Leitern ansteuerbare ■ koinzidenten Impulsen, die der gewählten Adresse
Informationsspeicherschaltung mit einem Draht- zugeführt werden, erreicht werden,
speicherelement, dessen Segmente in einem oder dem In allen Fällen bestehen jedoch kritische Beschrän-
anderen Remanenzzustand remanent magnetisiert 5 kungen für die Größe der Stromimpulse. Falls einer
werden können, und einem ersten elektrischen Leiter, der Stromimpulse die festgelegte kritische Grenze
der mit dem Drahtspeicherelement induktiv gekop- überschreitet, kann eine unerwünschte Umschaltung
pelt ist und auf diesem ein Informationsadressen- der Kerne des Speichers mit einem entsprechenden
segment definiert. Verlust der gespeicherten Information erfolgen.
Koordinaten-Speicheranordnungen auf magne- io Bei Speicheranordnungen unter Verwendung von
tischer Grundlage sind bekannt. Beispielsweise finden Magnetdraht-Speicherelementen ist es häufig üblich,
dabei Ringkerne mit rechteckiger Hysteresisschleife ; : einen der koinzidenten Impulse, dem Drahtspeicherweitgehend
Anwendung. Bei solchen Speicheranord- element selbst zuzuführen. Der andere Impuls wird
nungen werden zur Auswahl einer bestimmten einem Streifensolenoid zugeführt, das mit dem Draht-Adresse
Stromimpulse in Koinzidenz denjenigen 15 speicherelement gekoppelt ist. Weil die Leseverstärker
Koordinatenleitern zugeführt, welche die Adresse dann ebenfalls mit den Drahtspeicherelementen (bzw.
bestimmen. Die Größe der Stromimpulse wird so dem Streifensolenoid) verbunden sind, können ernste
gewählt, daß ein Stromimpuls allein nicht ausreicht, Schwierigkeiten entstehen, wenn einem Schreibvoreinen
vollständigen Durchlauf von dem einen Rema- gang unmittelbar ein Lesevorgang folgt. Die hohen
nenzpunkt der Hysteresisschleife des Kernes zu einem ao Schreibpotentiale eines unmittelbar vorangehenden
Punkt entgegengesetzter Sättigung zu bewirken. Schreibvorganges können nämlich die Leseverstärker
Andererseits können zwei koinzidente Stromimpulse sperren. In einer Speicheranordnung, bei der z. B. die
eine vollständige Umschaltung von einem Remanenz- Leseverstärker mit den Drahtspeicherelementen verzustand
in den anderen bewirken. bunden sind, ist es daher erwünscht, daß keine Zu-
Bei einer solchen Koinzidenzansteuerung ergibt 25 griffströme den Drahtspeicherelementen selbst zugesich,
daß jedem nicht gewählten Kern, dessen Wick- führt werden.
lung mit einem erregten Koordinatenleiter verbunden Die Erfindung hat sich die Aufgabe gestellt, eine
ist, ein Halbstromimpuls zugeführt wird. Die nicht verbesserte Informationsspeicherschaltung zu schafgewählten
Kerne erfahren daher eine teilweise Fluß- fen, die die erläuterten Nachteile der bekannten Anümschaltung,
ohne in der entgegengesetzten Richtung 30 Ordnungen vermeidet. Sie geht dazu aus von einer
in die magnetische Sättigung getrieben zu werden. Informationsspeicherschaltung der eingangs genann-Nach
jedem solchen Vorgang muß der Kern wieder ten Art und empfiehlt als ersten Lösungsweg, daß zur
in den Anfangszustand zurückkehren. Dies ist offen- . Informationseingabe dem ersten Leiter ein Stromsichtlich notwendig, wenn ein Kern zwischen zwei impuls zur Erzeugung eines Magnetfeldes zugeführt
koinzidenten Impulsen und einem einzigen Impuls 35 wird, dessen Stärke ausreicht, um das Adressenunterscheiden
soll. Im Normalfall muß dazu die segment aus dem einen in den anderen Remanenz-Rechteckform
der Hysteresisschleife des Kerns so zustand umzuschalten, und daß ein magnetisch leitgut
sein, daß eine Unterscheidung von Impulsampli- fähiger zweiter elektrischer Leiter zu dem ersten
tuden mit einem Verhältnis von mindestens zwei zu Leiter und dem Drahtspeicherelement derart angeeins
möglich ist. An Stelle von Magnetkernen werden 40 ordnet ist, daß im Fall der erwünschten Informationsseit
einiger Zeit auch Magnetdraht-Speicherelemente eingabe unter Zuführung des zweiten Stromimpulses
benutzt, die beispielsweise in der Zeitschrift »Bell der zweite Leiter das auf das Drahtspeicherelement
System Technical Journal«, Bd. 36, Nr. 6, November einwirkende Magnetfeld nicht kurzschließt.
1957, S. 1319 bis 1340, beschrieben sind. Bei einer Der magnetisch leitfähige zweite elektrische Leiter
bekannten Ausführungsform eines Magnetdraht- 45 wirkt also als steuerbarer magnetischer Nebenschluß
Speicherelementes ist ein Magnetband aus einem oder magnetische Abschirmung. Material, das eine im wesentlichen rechteckige Ein zweiter Lösungsweg nach der Erfindung ist
Hysteresisschleife aufweist, spiralig um einen elek- dadurch gekennzeichnet, daß zur Informationseingabe
irischen Schalter gewickelt. Durch das Anlegen eines dem ersten Leiter ein Stromimpuls zur Erzeugung
äußeren Treibfeldes an das Element können einzelne 50 eines Magnetfeldes zugeführt wird, dessen Stärke
Segmente des gewickelten Magnetbandes remanent ausreicht, um das Adressensegment aus dem einen
magnetisiert werden. in den anderen Remanenzzustand umzuschalten, daß
Solche Magnetdraht-Speicherelemente müssen ein magnetisch leitfähiger zweiter Leiter nahe dem
ebenfalls in der Lage sein, eine Unterscheidung zwi- ersten Leiter so angeordnet ist, daß dieser zwischen
sehen den Pegeln der Impulse durchzuführen. Um 55 dem zweiten Leiter und dem Drahtspeicherelement
das Mindestverhältnis von zwei zu eins sicherzu- hindurchführt, und daß dem zweiten Leiter im Falle
stellen, wurden bereits Vormagnetisierungsanord- der erwünschten Informationseingabe der zweite
nungen entwickelt, die den Arbeitspunkt auf der Stromimpuls nicht zugeführt wird.
Hysteresisschleife um. einen bestimmten Betrag in Der magnetisch leitfähige zweite Leiter wirkt dabei
Richtung der Sättigung verschieben. 60 als steuerbarer Serienwiderstand für den durch den
Es ist auch bekannt, Magnetelemente mit wenig- ersten Leiter erzeugten Magnetfluß,
stens zwei Öffnungen als Informationsadressen an Beide Lösungen nach der Erfindung bringen den
den Kreuzungspunkten von Koordinaten-Speicher- Vorteil mit sich, daß nicht mehr mit engtolerierten,
anordnungen zu verwenden. Mit diesen Elementen koinzidenten Halbströmen gearbeitet werden muß.
wird ein Betrieb ermöglicht, der auf der Koinzidenz 65 Außerdem braucht dem Drahtspeicherelement selbst
von Flußveränderungen beruht. Dann kann eine kein Stromimpuls zugeführt zu werden,
wesentliche Verbesserung bei der Unterscheidung Nach einer Weiterbildung der Erfindung ist der
zwischen den Teilimpulsen, die den nicht gewählten erste Leiter ein flaches Streifensolenoid, das wenig-
stens einseitig an dem zweiten Leiter vorbei- Parallellage mit den Magnetdraht-Speicherelementen
läuft. und zusammen mit diesen zwischen den Streifensole-
Zum Einschreiben einer Binärinformation in das noiden angeordnet sein.
durch das Streifensolenoid gebildete Informations- Zum Einschreiben eines Binärwortes in eine aus-
adressensegment des Drahtspeicherelementes wird 5 gewählte Zeile von Adressensegmenten wird ein
dem Solenoid allein ein Stromimpuls zugeführt. Für Stromimpuls demjenigen Streifensolenoid zugeführt,
diesen Stromimpuls besteht keine besonders kritische das die Zeile definiert. In Koinzidenz mit diesem
obere Grenze. Er muß nur von ausreichender Größe Stromimpuls werden Stromimpulse wahlweise den
sein, um das Adressensegment von dem einen Rema- elektrisch leitenden Nebenschlüssen zugeführt, um
nenzzustand in den entgegengesetzten umschalten io deren magnetische Leitfähigkeit entsprechend den
zu können. Wenn nach dem ersten Lösungsweg der Binärstellen des Wortes zu steuern. Dabei werden
Erfindung z. B. die Binärziffer »0« in das Adressen- bei denjenigen Adressen des Wortes, die Binärsegment
eingeschrieben werden soll, d. h. wenn das ziffern »0« enthalten, den Nebenschlußelementen
Segment in dem Rückstellzustand belassen werden keine Stromimpulse zugeführt, damit das Treibfeld
soll, in den es während eines vorangehenden Abfrage- 15 von den Adressensegmenten abgelenkt wird. Wenn
Vorganges gebracht wurde, brauchen der Speicher- Binärziffern »1« gespeichert werden sollen, wird die
zelle keine weiteren Ströme zugeführt zu werden. magnetische Leitfähigkeit der Nebenschlußelemente
Der zweite Leiter bewirkt durch die Schaffung eines dadurch herabgesetzt, daß Koinzidenzstromimpulse
Weges von geringem magnetischen Widerstand eine zugeführt werden, so daß die zugeordneten Adreswirksame
Abschirmung des durch das Solenoid er- 20 sensegmente magnetisch umgeschaltet werden können,
zeugten Feldes. Wenn andererseits die Binärziffer »1« Zusätzliche Weiterbildungen der Erfindung sind
in das Adressensegment geschrieben werden soll, ist Gegenstand weiterer Unteransprüche,
eine magnetische Umschaltung des Segmentes er- Im folgenden soll die Erfindung an Hand von Ausforderlich. Dazu wird dem zweiten Leiter ein Strom- führungsbeispielen in Verbindung mit den Zeichnunimpuls in Koinzidenz mit dem Stromimpuls für das 25 gen noch näher beschrieben werden. In den Zeich-Streifensolenoid zugeführt. Dann verringert sich die nungen zeigt
eine magnetische Umschaltung des Segmentes er- Im folgenden soll die Erfindung an Hand von Ausforderlich. Dazu wird dem zweiten Leiter ein Strom- führungsbeispielen in Verbindung mit den Zeichnunimpuls in Koinzidenz mit dem Stromimpuls für das 25 gen noch näher beschrieben werden. In den Zeich-Streifensolenoid zugeführt. Dann verringert sich die nungen zeigt
magnetische Leitfähigkeit des Nebenschlusses, so daß F i g. 1 in vereinfachter Form eine beispielsweise
das durch das Streifensolenoid erzeugte Feld eine Ausführungsform einer Anordnung mit zwei erfin-Flußumschaltung
in dem Adressensegment bewirkt. dungsgemäßen Speicherzellen,
Für den dem zweiten Leiter zugeführten Stromimpuls 30 F i g. 2 eine weitere beispielsweise Ausführungsbesteht ebenfalls keine besonders kritische obere form der Erfindung, dargelegt in einer Koordinaten-Grenze. Es muß nur die magnetische Leitfähigkeit anordnung, die eine Vielzahl von Informationsso weit verringert werden, daß das Feld auf das adressen aufweist, und
Für den dem zweiten Leiter zugeführten Stromimpuls 30 F i g. 2 eine weitere beispielsweise Ausführungsbesteht ebenfalls keine besonders kritische obere form der Erfindung, dargelegt in einer Koordinaten-Grenze. Es muß nur die magnetische Leitfähigkeit anordnung, die eine Vielzahl von Informationsso weit verringert werden, daß das Feld auf das adressen aufweist, und
Adressensegment wirken kann. F i g. 3 in vereinfachter Form eine weitere bei-
Eine in der vorangehend beschriebenen Weise 35 spielsweise Ausführungsform einer erfindungsgemägespeicherte
Binärinformation kann von dem ßen Informationsspeicherzelle mit einer abgeänderten
Adressensegment in der bei Magnetdrahtspeicher- Anordnung der Elemente der Speicherzelle zueinelementen
üblichen Weise abgelesen werden. Ein ander.
Abfragestromimpuls von einer Polarität, die der- In F i g. 1 ist eine vereinfachte beispielsweise In-
jenigen des Schreibstromimpulses entgegengesetzt ist, 40 formationsspeicherschaltung dargestellt, um die
wird nur dem das Adressensegment bildenden Merkmale der Erfindung im einzelnen zu zeigen.
Streifensolenoid zugeführt. Die Größe des Abfrage- Diese Schaltung weist zwei parallel angeordnete
Stromimpulses muß wiederum ausreichen, um eine Magnetdraht-Speicherelemente 1O1 und 1O2 auf, von
Fiußumschaltung im Adressensegment zu verur- denen jedes seinerseits in an sich bekannter Weise
Sachen. Diese Fiußumschaltung wird an den Enden 45 ein auf einen elektrischen Leiter 60 schraubenförmig
des Drahtspeicherelementes als Potentialveränderung gewickeltes Magnetband 61 aufweist. Dieses Speiin
der üblichen Weise angezeigt. cherelement ist in der oben angeführten Literaturin
weiterer Ausbildung der Erfindung läßt sich in stelle in Bell System Technical Journal beschrieben,
vorteilhafter Weise eine Koordinaten-Speicheranord- Die elektrischen Leiter 60 dieser Elemente bestehen
nung schaffen. Ein Ausführungsbeispiel einer solchen 50 aus weichmagnetischem Material oder aus magneti-Anordnung
weist eine Vielzahl parallel angeordneter schem Material mit einer nicht rechteckigen Hyste-Magnetdraht-Speicherelemente
in Verbindung mit resisschleife, d. h., der elektrische Leiter kann leicht einer Vielzahl von quer zu diesen verlaufenden einen magnetischen Fluß durchlassen, und er hält
Streifensolenoiden auf. Die Solenoide können vor- einen wesentlichen Betrag magnetischer Remanenz
teilhaft so in sich selbst zurückgebogen sein, daß sie 55 nicht zurück. Die Magnetbänder 61 werden zweckdie
Drahtspeicherelemente umgeben. Die auf diese mäßig aus einem magnetischen Material hergestellt,
Weise erhaltene Koordinatenanordnung ist nach Wor- das eine im wesentlichen rechteckige Hysteresisten
organisiert, wobei die binären Informations- schleife aufweist, so daß es die remanentmagnetiwörter
durch die Streifensolenoide definiert werden. sehen Eigenschaften hat, auf dem seine Informations-Die
entsprechenden Binäradressen der Wörter treten 60 Speicherfähigkeit beruht. Obwohl die bekannten
dann aufeinanderfolgend auf den Drahtspeicher- Wickelband-Speicherelemente der beschriebenen Art
elementen als getrennte, durch die Solenoide be- im Rahmen der Erfindung vorteilhaft verwendet
stimmte Segmente auf. Eine Vielzahl von parallel werden können, können mit gleichem Vorteil auch
angeordneten elektrischen Leitern aus einem Mate- Magnetdrahtelemente verwendet werden, bei welrial
mit hoher magnetischer Leitfähigkeit ist im 6g chem die remanente Flußbahn Bestandteil des Leiters
Magnetfeld der Streifensolenoide angeordnet, um die ist und eine Komponente in der zirkulären Umfangs-Nebenschlußwirkung
zu erzielen. Die magnetischen richtung des Leiters aufweist. Unter der Bezeichnung
Nebenschlüsse können zur leichteren Herstellung in »Magnetdraht-Speicherelement« sind daher nach-
folgend nicht nur die besonders beschriebenen und unverändert gelassen wird. Die Binärziffer »0« wird
in der Zeichnung gezeigten Wickelbandelemente zu daher in dem Adressensegment A1 in diesem zurückverstehen,
sondern auch jedes Drahtspeicherelement, gestellten magnetischen Zustand entsprechend der
bei welchem ein remanenter Fluß mit einer Kompo- herkömmlichen Praxis gespeichert,
nente in der zirkulären Umfangsrichtung des Leiters 5 Zum Einschreiben der Binärziffer »1« in das
in einem gesonderten Segment desselben von dem Adressensegment A 2 wird ein Stromimpuls von der
einen Remanenzzustand zum anderen umgeschaltet einen oder anderen Polarität, beispielsweise der posiwerden
kann. tive Stromimpuls 22 an die Klemme 16 und damit an
Mit den Drahtelementen 1O1 und 1O2 ist ein elek- den Nebenschlußstreifen 13 in Koinzidenz mit dem
trisch leitendes Streifensolenoid 11 induktiv gekop- io an das Solenoid Il gegebenen Stromimpuls 21 gepelt,
welches auf den Elementen 1O1 und 1O2 zwei geben. Der Impuls 22 kann auch von einer an sich
Informationsadressensegmente A1 und A2 bildet. bekannten und in F i g. 1 nicht gezeigten Quelle ge-Zwischen
jedem der Elemente 1O1 und 1O2 und dem liefert werden. Obwohl die Polarität des Stromimpul-Solenoid
11 ist ein elektrisch leitendes magnetisches ses 22 unwesentlich ist, muß seine Größe ausreichend
Nebenschlußelement angeordnet. Diese Nebenschluß- 15 sein, um den Streifen 13 zur Herabsetzung seiner
elemente können bei der dargestellten Ausführungs- magnetischen Durchlässigkeit im wesentlichen zu
form vorteilhaft aus Streifen 12 und 13 bestehen, die sättigen. Eine solche Steuerung der Permeabilität
aus einem magnetischen Material hergestellt sind, eines Magnetelementes, die durch ein Feld in zur
das eine hohe magnetische Durchlässigkeit hat. Wie Richtung der magnetischen Durchlässigkeit senksich
aus den nachfolgend näher beschriebenen weite- ao rechten Richtung erfolgt, hat sich erfindungsgemäß
ren Ausführungsformen ergibt, können die flachen als möglich herausgestellt und wird durch eingehende
Streifen 12 und 13 in verschiedener Gestalt angeord- Versuche bestätigt. Für den Stromimpuls 22 ist daher
net sein, wobei beispielsweise Magnetdrahtspeicher- die obere Grenze seiner Größe zwar nicht willkürelemente,
die den Elementen 1O1 und 1O2 im vor- lieh wählbar, doch auch nicht besonders- kritisch. Da
genannten Sinne ähnlich sind, vorgesehen werden as der Nebenschlußstreifen 13 nun einen Pfad hohen
können. magnetischen Widerstandes für das um das Solenoid
Das eine Ende jedes der Elemente 1O1 und 1O2 11 herum erzeugte Feld darstellt, wird das letztere
ist geerdet, ebenso wie das eine Ende jedes der Strei- Feld, das durch die Kraftlinien /" am Adressenfen
12 und 13. Das eine Ende des Streifensolenoids segment A2 dargestellt ist, in die Lage versetzt, den
11 ist ebenfalls geerdet, während das andere Ende 30 zurückgestellten magnetischen Zustand desAdressenmit
einer Klemme 14 versehen ist. Für die anderen Segmentes A2 in den eingestellten Zustand umzu-Enden
der Nebenschlußstreifen 12 und 13 sind eben- schalten. Dieser kann, gesehen in Fig. 1, als im
falls Klemmen 15 und 16 vorgesehen. Die Magnet- wesentlichen in der Aufwärtsrichtung betrachtet werdraht-Speicherelemente
1O1 und 1O2 sind ferner mit den und wird gewöhnlich durch eine Binärziffer »1«
Klemmen 17 und 18 versehen, die für Ausgangs- 35 dargestellt. Aus diesem Schreibvorgang ergibt sich,
zwecke verwendet werden, wie nachstehend näher daß, obwohl eine Koinzidenz von Stromimpulsen
beschrieben wird. verwendet wird, um den Binärwert »1« in ein Adres-
Nachfolgend wird nun in Verbindung mit der bei- sensegment einzubringen, die Koinzidenz von Stromspielsweise
dargestellten vereinfachten erfindungs- impulsen allein ausreicht, dies zu bewirken, wobei
gemäßen Speicheranordnung das gleichzeitige Ein- 40 kein besonders kritisches Addieren der durch die
bringen von binären Informationen in die Adressen- zusammenfallenden Stromimpulse erzeugten Treibersegmente
A1 und A2 beschrieben. Es wird angenom- impulse stattfindet.
men, daß eine Binärziffer »0« in das Adressen- Während eines nachfolgenden Ablesevorgangs
segment.^ und eine Binärziffer »1« in das Adressen- wird ein Ablesestromimpuls von der entgegengesetzsegmenty42
eingeschrieben werden soll. Als Folge 45 ten Polarität auf das Streifensolenoid 11 gegeben,
eines angenommenen vorhergehenden Ablesevor- somit der positive Stromimpuls 23. Dieser Impuls ist
gangs ist jedes der Adressensegmente A1 und A2 in von derartiger Größe, daß er um das Solenoid Il
einer Rückstellrichtung remanent magnetisiert, die herum ein Ummagnetisierungsfeld erzeugen kann,
in Fig. 1 der Zeichnung als im wesentlichen nach das eine vollständige Flußumschaltung in den durch,
unter verlaufend betrachtet werden kann. Für das 50 das Solenoid 11 gebildeten Adressensegmenten, und
Erzielen des Einschreibvorgangs wird ein negativer zwar ohne Rücksicht auf die Nebenschlußwirkung
Schreibstromimpuls 21 der Klemme 14 zugeführt. der Nebenschlußstreifen 12 und 13, bewirkt. Somit
Dieser Impuls wird durch eine nicht gezeigte, an sich werden diejenigen Adressensegmente, die während
bekannte geeignete Quelle geliefert. Durch die Zu- der Schreibphase des Betriebes eingestellt wurden,
fuhr des Impulses 21 wird um das Solenoid 11 herum 55 auf den zurückgestellten magnetischen Zustand zuein
Magnetfeld mit der in Fig. 1 durch die Kraft- rückgeschaltet. Diese Flußumschaltung in denmagnelinien
/ dargestellten Richtung erzeugt. Dieses Feld tischen Flußkomponenten, beispielsweise in den um
ist natürlich über die volle Länge des Streifen- die Leiter der Elemente 1O1 und 10, herumgewickelsolenoids
11 vorhanden, so daß es an den Adressen- ten Bändern 61, verursacht in den Leitern eine indusegmenten^j
und A2 wirksam ist. Am Adressen- 60 zierte Spannung in der in Verbindung mit dem Arsegment
A1 bildet jedoch der Nebenschlußstreifen 12 beitsprinzip von Magnetdraht-Speicherelementen allvon
hoher magnetischer Durchlässigkeit einen Weg gemein bekannten Weise. Bei dem dargestellten beigeringen
magnetischen Widerstandes für das erzeugte spielsweisen Fall bewirkt der zugeführte Ablese-FeId,
so daß das Feld dort wirksam geshuntet wird, stromimpuls 23 die Umschaltung des Flusses im
wie durch die Kraftlinien f in der Zeichnung an- 65 Adressensegment A 2 zur Rückstellung des Zustandes,
gegeben ist. Dies hat zur Folge, daß der zurück- um ein Lesesignal an den Enden des Drahtspeichergestellte
magnetische Zustand des Adressensegmen- elementes 1O2 zu induzieren. Dieses Lesesignal tritt
tes A1 des Elements 1O1 durch den Schreibimpuls 21 an der Klemme 18 zur Identifizierung als stellvertre-
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tend für die Binärziffer »1«, die vorher gespeichert ren Elemente bilden die Gegenstücke der Nebenworden
ist, auf. Der Abfrageimpuls 23 beeinflußt schlußstreifen 12 und 13, welche in Verbindung mit
ferner das Adressensegment A1 insofern, als der re- der Ausführungsform nach Fig. 1 beschrieben wurmanente
Fluß in diesem Segment weiter zur Sätti- den, und bestehen aus elektrischen Leitern 90, 100
gung getrieben wird. Dies hat zur Folge, daß auch 5 um die ebenfalls Magnetbänder 91, 101 schraubenein
vernachlässigbares Pendelsignal an den Enden förmig herumgewickelt sind. In Verbindung mit den
des Elementes 1O1 induziert wird. Bekanntlich kann Nebenschlußelementen 31 und 32 wurde jedoch festjedoch
dieses letztere Signal, das auftritt, wenn eine gestellt, daß an Stelle eines einzigen Magnetbandes
Binärziffer »0« abgelesen wird, von dem Vollwert- eine Anzahl um den elektrischen Leiter herumgewiksignal,
das eine Binärziffer »1« darstellt, durch ge- ίο kelte Magnetbänder besser dem erfindungsgemäßen
eignete Tast- oder Schwellenwertvorrichtungen unter- Zweck dienen. Da durch die Nebenschlußelemente 31
schieden werden, die an die Ausgangsklemmen 17,18 und 32 keine Speicherfunktion ausgeführt wird, könangeschlossen
sind. nen die Hysteresisschleifen der herumgewickelten
Nach dem Abschluß des Lesevorgangs und nach- Bänder auch im wesentlichen linear gewählt werden,
dem jedes der Adressensegmente A1 und A2 in den 15 Jedes der Elemente 30, 31 und 32 ist an seinem
zurückgestellten magnetischen Zustand zurückge- einen Ende mit einer Erdungsschiene 33 verbunden,
bracht worden ist, befindet sich die Schaltung wieder während jedes der Streifensolenoide 40 an seinem
in Bereitschaft für einen nachfolgenden Schreib- einen Ende mit einer Erdungsschiene 34 verbunden
Vorgang, während welchem die gleichen oder neue ist. Das andere Ende jedes der Solenoide 40 ist mit
Informationsbinärstellen in sie eingebracht werden »° einem Schalter 35 verbunden, der in zwei Stellungen,
können. Hierbei ist zu erwähnen, daß, obwohl bei d. h. auf einen der Kontakte w und r, gebracht werder
vorangehend beschriebenen Ausführungsform den kann. Die letzteren Kontakte bilden Ausdie
Nebenschlußstreifen 12 und 13 zwischen den gangsklemmen einer Schreib-Abfrage-Stromimpuls-Elementen
10 und dem Solenoid 11 angeordnet sind, quelle 36. Die letztgenannte Quelle ist nur in Blockdie
relative Lage dieser Elemente auch abweichend 25 form dargestellt und kann aus einer an sich bekannhiervon
sein kann, ohne daß die letztliche Speicher- ten geeigneten Schaltanordnung bestehen, welche
funktion der Schaltung hierdurch beeinträchtigt wird. Stromimpulse von der Polarität und Größe sowie zu
Beispielsweise können die Streifen 12 und 13 inner- den Zeitpunkten liefern kann, wie nachstehend näher
halb des Rahmens der Erfindung in jeder Lage an- beschrieben wird. Die jedem der Speicherelemente 30
geordnet werden, in welcher das an die Informations- 30 zugeordneten magnetischen Nebenschlußelemente 31
adressensegmente gelegte wirksame Feld dadurch ge- und 32 sind an ihrem anderen Ende pro Schalter mit
steuert werden kann, daß die magnetische Leitfähig- einem gemeinsamen Schalter 37 verbunden, der zwei
keit der Streifen 12 und 13 gesteuert wird. Ferner Stellungen einnehmen kann. Dabei sind die zwei
können, wie erwähnt, die magnetischen Nebenschluß- Elemente 31 und 32, welche jedem der Speicherelemente,
welche durch die Streifen 12 und 13 gebil- 35 elemente 3O1 bis 3On zugeordnet sind, mit Schaltern
det werden, andere und abweichende Formen haben. 37t bis 37„ verbunden. Jeder der Schalter 37 kann
Zum Beispiel können gemäß einer anderen Ausfüh- auf einen von zwei Kontakten »1« und »0« gebracht
rungsform der Erfindung die Nebenschlußelemente werden, wobei die Kontakte »1« die Ausgangsdurch
Magnetdraht-Speicherelemente von der Art klemmen einer Schreibvorbereitungs-Stromimpulsder
Informationsspeicherelemente selbst gebildet 40 quelle 38 bilden. Bei der beschriebenen Ausführungswerden. Diese Ausführungsform ist in F i g. 2 dar- form sind die Kontakte »0« blind und erhalten keine
gestellt. Signale zugeführt, wie sich aus der nachfolgenden
Die erfindungsgemäße in F i g. 2 gezeigte Koordi- Beschreibung einer beispielsweisen Ausführungsform
naten-Speicheranordnung weist eine Vielzahl par- ergibt.
allel angeordneter Magnetdraht-Speicherelemente 3O1 45 Jedes der Drahtspeicherelemente 30 ist an seinem
bis 30„ auf. Die Elemente 30 können ebenfalls von anderen Ende mit Informationsauswerteschaltungen
der Art der in Verbindung mit der in Fig. 1 dar- 41 über gesonderte Anzeigeverstärker 39 verbunden,
gestellten Ausführungsform beschriebenen Art sein. Die letzterwähnten Bauelemente sowie die Auswerte-Bei
der in Fig. 2 gezeigten Ausführungsform weist schaltungen 41 können ebenfalls aus an sich bekannjedes
Speicherelement 30 einen elektrischen Leiter 80 50 ten, zur Durchführung der nachfolgend beschriebeauf,
der mit einer mit ihm axial zusammenfallenden nen Funktionen geeignete Schaltungen sein. Da
schraubenförmigen Flußkomponente, beispielsweise solche Schaltungen dem Fachmann bekannt sind,
mit einem einzigen um ihn herumgewickelten Magnet- sind sie in der Zeichnung nur in Blockform darband
81, versehen ist. Das Band 81 ist aus einem gestellt und werden nicht näher beschrieben. In ähnmagnetischen
Material, das eine im wesentlichen 55 licher Weise kann die Stromimpulsquelle 38 durch
rechteckige Hysteresisschleife aufweist, damit es die an sich bekannte Schaltungen gebildet werden, welche
erforderlichen remanentmagnetischen Eigenschaften Stromimpulse von der Art liefern, die nachstehend
hat. Eine Vielzahl von Streifensolenoiden 4O1 bis 40m in Verbindung mit der beispielsweisen Arbeitsweise
ist parallel und quer zu den Speicherelementen 30 näher beschrieben werden. Die dargestellte erfinangeordnet
und bildet mit diesen eine Koordinaten- 60 dungsgemäße Speicheranordnung ist auf einer Wortanordnung
von Informationsadressensegmenten. Die basis aufgebaut, d. h., jedes der Streifensolenoide 40
Solenoide 40 verlaufen in der einen Richtung längs bildet auf den Magnetdraht-Speicherelementen 30
der einen Seite der aufeinanderfolgenden Speicher- eine Reihe von Informationsadressensegmenten, von
elemente 30, sind um diese herumgeführt und kehren denen jedes eine einzige Binärstelle, bzw. ein einziges
in der entgegengesetzten Richtung auf der anderen 65 »Bit« der Bits speichern, aus denen das binäre Wort
Seite der Elemente 30 zurück. Auf jeder Seite jedes besteht. Das Ablesen geschieht durch gleichzeitiges
der Speicherelemente 30 befindet sich ein weiteres Abfragen aller Bits eines Wortes, zu welchem Zeit-Magnetdraht-Speicherelement
31 und 32. Die letzte- punkt jedes der Bitadressensegmente in seinen nor-
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malen Rückstell-Remanenzzustand zurückgeführt Zeichnung als positiv dargestellt sind, von beliebiger
wird. Polarität sein, um ihre Sättigungsfunktion an den
Unter der Annahme, daß eine solche Ablesung Nebenschlußelementen 31 und 32 zu erfüllen. Bei
bei einer vorausgehenden Ablesephase des Betriebes den letzterwähnten Nebenschlußelementen, welche
stattgefunden hat, wird nachstehend das Einbringen 5 den Adressensegmenten zugeordnet sind, die auf den
in eine Wortreihe von Informationsadressensegmen- Speicherelementen 3O1, 3O4, 3O5 und 3On gebildet
ten eines beispielsweisen binären Wortes beschrieben. werden, wird demzufolge die magnetische Leitfähig-
Für diesen Zweck wird ferner angenommen, daß das keit wesentlich herabgesetzt, so daß diese Elemente
binäre Wort 1, O, 0, 1, 1 ... 1 in die Wortreihe ein- zu diesem Zeitpunkt Wege verhältnismäßig hohen
geschrieben werden soll, die durch das ausgewählte io magnetischen Widerstandes für das Schreibtreibe-
Streifensolenoid 4O4 gebildet wird. Jedes auf den impulsfeld darstellen. Demzufolge wird das letzt-
Speicherelementen 30 durch das Solenoid 4O4 gebil- erwähnte Element vorbereitet, um eine Flußumschal-
dete Adressensegment befindet sich zu diesem Zeit- tung in den Adressensegmenten der vorhandenen
punkt in einem zurückgestellten Remanenzzustand, Wortreihe zu verursachen, in denen Binärziffern »1«
d. h., es ist, gesehen in der Zeichnung, im wesent- 15 gespeichert werden sollen. Diese Segmente haben
liehen in Richtung nach unten magnetisiert. Der daher eine remanente Magnetisierung, die, gesehen
Schreibevorgang wird durch das Verbringen des in der Zeichnung, im wesentlichen als nach oben ge-
Schalters 354 auf seinem w-Kontakt und die Betäti- richtet betrachtet werden kann. Die Magnetisierun-
gung der Schalter 37 entsprechend den Binärbits des gen und deren sich aus dem vorangehend beschrie-
zu schreibenden Wortes eingeleitet. Dementspre- 2° benen Schreibvorgang sich ergebenden Richtungen
chend werden die Schalter 37V 374, 375 und 37n auf sind in der Zeichnung durch die Pfeile 47 angegeben,
ihre »1 «-Kontakte gebracht und die Schalter 372 und Wie ersichtlich, werden während des vorangehend
373 auf ihre »0«-Kontakte. Wenn die Schaltverbin- beschriebenen Schreibvorgangs keine Stromimpulse
düngen auf diese Weise hergestellt sind, können die an die Speicherelemente 30 selbst gegeben. Die
notwendigen zusammenfallenden erregenden Strom- a5 Adressensegmente der anderen Wortreihen bleiben
impulse von den Quellen 36 und 38 her zugeführt daher magnetisch ungestört, während die Information
werden. Ein negativer Schreibstromimpuls 45 wird in einer ausgewählten Wortreihe verändert wird. Da
durch die Stromquelle 36 zu diesem Zeitpunkt ge- keine besonders kritische obere Grenze für die
liefert und über den Kontakt w an das Streifensole- Schreibstromimpulse 45 und 46 festgelegt ist, ergibt
noid 4O4 gegeben. Wie erwähnt, ist der Stromimpuls 30 sich ferner für die Ausführungsform nach Fig. 2, daß
45 von einer Größe zur Erzeugung von Magnetfeldern ein Adressensegment der Speicheranordnung eben-
um beide Abschnitte des Solenoids 4O4, die aus- falls nicht damit belastet ist, zwischen der Zufuhr
reichen, um eine Flußumschaltung in einigen oder eines einzigen Impulses 45 oder eines einzigen Im-
allen der durch dieses gebildeten Adressensegmente pulses 46 innerhalb eines nur kleinen Bereiches zu
zu bewirken. Solch ein Schreibtreibimpulsfeld tritt 35 unterscheiden. Bei einer erfindungsgemäßen Magnet-
daher an jedem der letzterwähnten Adressensegmente draht-Speicheranordnung ergibt sich daher, daß die
auf. Zusammenfallend mit der Abgabe des Schreibe- Informationsbits einer Wortreihe dadurch eingebracht
Stromimpulses 45 an das Solenoid 4O4 wird ein werden, daß wahlweise die Kopplung zwischen dem
Schreibvorbereitungs-Stromimpuls 46 über die Schal- Worttreiberimpulssolenoid und den durch dieses ge-
ter 37X, 374, 375 und 37„ und deren Kontakte »1« an 40 bildeten Informationsadressensegmenten verändert
die Nebenschlußelementpaare 31 und 32 gegeben, die wird.
den Speicherelementen 3O1, 3O4, 3O5 bzw. 3On zu- Ein beispielsweiser Schreibvorgang der Ausfühgeordnet
sind. rungsform nach Fig. 2 wurde in Verbindung mit Die Wirkung des Schreibtreiberimpulsfeldes des einer beispielsweisen durch das Solenoid 4O4 gebilde-Solenoids
4O4 an den durch dieses gebildeten Adres- 45 ten Wortreihe beschrieben. Bei der Anwendung diesensegmenten
auf die Speicherelemente 3O2 und 3O3 ser Ausführungsform in einem System ergibt sich für
wird durch die diesen Speicherelementen zugeordne- den Fachmann, daß die Wortreihesolenoide 40 auften
Nebenschlußelemente 31 und 32 wirksam unter- einanderfolgend oder auf einer auswählenden Basis
drückt. Die um die Leiter der Elemente 31 und 32 betrieben werden können, wobei Ablesevorgänge
schraubenförmig herumgewickelten Magnetbänder 91, 50 zwischen den Schreibvorgängen stattfinden, je nach-
101 haben eine hohe magnetische Leitfähigkeit und dem es die Erfordernisse des Systems, bei welchem
damit einen geringen magnetischen Widerstand für die Erfindung Anwendung gefunden hat, notwendig
das an den vorerwähnten Adressensegmenten be- machen. Ein solcher Ablesevorgang sei nun nachstehende
Magnetfeld, was zur Folge hat, daß das folgend unter Bezugnahme auf die gleiche durch das
Schreibtreiberimpulsfeld von den Speichersegmenten 55 Wortsolenoid 4O4 gebildete beispielsweise Wortreihe
weggeshuntet wird. Die Adressensegmente der Wort- beschrieben. Die Informationsbits der letzten Wortreihe,
in welche eine Information gerade eingeschrie- reihe können durch Verbringen des Schalters 354
ben wird und welche auf den Speicherelementen 3O2 auf seinen r-Kontakt abgelesen werden, was zur
und 3O3 gebildet werden, bleiben daher magnetisch Folge hat, daß das Solenoid 4O4 mit dem anderen
ungestört, so daß sie in dem zurückgestellten magne- 60 zugeordneten Ausgang der Schreib- und Lese-Stromtischen
Remanenzzustand verbleiben. Dieser magne- impulsquelle 36 verbunden wird. Zu diesem Zeittische
Zustand entspricht in der herkömmlichen punkt wird ein Abfragestromimpuls 48 über den
Weise einer Binärziffer »0«. Die Adressensegmente, Kontakt r und den Schalter 354 an das Wortsolean
welchen den zugeordneten Nebenschlußelementen noid 4O4 gegeben, um ein Abfragefeld um dieses
und 32 ein Stromimpuls 46 zugeführt wird, er- 65 Solenoid herum zu erzeugen. Der Stromimpuls 48 ist
fahren andererseits eine Einwirkung durch die volle von ausreichender Größe, um einen Umschalttreiber-Kraft
des Schreibtreiberimpulses. Die Schreibvorbe- impuls zu liefern, welcher die Nebenschlußwirkung
reitungs-Stromimpulse 46 können, obwohl sie in der der Nebenschlußelemente 31 und 32 überwindet, auf
Il 12
die zu diesem Zeitpunkt keine Ströme gegeben führungsformen der Erfindung wird diese Kopplung
werden. Der Abfragestromimpuls 48 bewirkt daher ihrerseits dadurch gesteuert, daß die magnetische
die Umschaltung des Flusses der eingestellten, Binär- Leitfähigkeit des magnetischen Elementes 52 durch
ziffern »1« enthaltenden Adressensegmente auf die Zufuhr eines Sättigungsstromes zu diesem in
den zurückgestellten remanentmagnetischen Zustand. 5 Koinzidenz mit dem an das Treiberimpulssolenoid
Durch diese Flußumschaltung wird ein Spannungs- gegebenen Treiberimpuls verändert wird. Die Wirsignal
an den Enden jedes der Speicherelemente 30 kung der gesteuerten magnetischen Leitfähigkeit des
erzeugt, auf denen die letzterwähnten Segmente ge- Elementes 52 wird ebenso wie bei den vorangehend
bildet werden, welche Signale durch die zugeordneten beschriebenen Ausführungsformen ausgenutzt mit der
Gleichrichteverstärker 39 gleichgerichtet werden. Da- io Ausnahme, daß bei den vorangehend beschriebenen
her werden entsprechend dem binären Wort 1,0,0, Ausführungsformen ein Zustand desselben von nied-1,1...
1, das in der Wortreihe gespeichert ist, Lese- riger magnetischer Leitfähigkeit zum Schreiben
signale an den Speicherelementen 3O1, 3O4, 3O5 und einer Binärziffer »1« führte, während bei der Aus-3On
erzeugt Diese Signale, welche die Binärziffer »1« führungsform nach Fig. 3 dieser Zustand geringer
des abgelesenen Wortes darstellen, werden über die 15 magnetischer Leitfähigkeit zum Schreiben einer Bijeweiligen
Gleichrichteverstärker 39 auf die Infor- närziffer »0« führt. Dies ergibt sich aus einer Bemationsauswerteschaltungen
41 übertragen. Diese trachtung der magnetischen Wirkung des Elements 52 Schaltungen können auch zugeordnete äußere Schal- in Fig. 3. Normalerweise hat das Element52 eine
tungen des Systems umfassen, bei welchem die Erfin- hohe magnetische Leitfähigkeit, was zur Folge hat,
dung Anwendung gefunden hat. Das an die Informa- 2° daß, wenn ein Stromimpuls auf das Treiberimpulstionsadressensegmente,
welche Binärziffern »0« ent- solenoid gegeben wird, ein niedriger Amperehalten, angelegte Ablesetreiberimpulsfeld verursacht windungsabfall am Solenoid in dem Spalt zwischen
ferner geringfügige Flußschwankungen in diesen den Teilen 51 α und 51 b desselben besteht. Dies hat
Segmenten, wenn sie weiter zur Sättigung getrieben zur Folge, daß ein beträchtliches Feld an das am
werden oder pendeln. Die durch diese Flußschwan- a5 Speicherelement 50 gebildete Informationsadressenkungen
erzeugten Signale sind jedoch von vernach- segment gelegt wird. Dieses Feld bewirkt eine Flußlässigbarer
Größe im Vergleich zu den Signalen, umschaltung im Adressensegment auf seinen einweiche
die Binärziffer »1« darstellen, und lassen sich gestellten remanentmagnetischen Zustand, welcher
von diesen leicht durch an sich bekannte Mittel und eine Binärziffer »1« darstellt. Wenn das Element 52
Schaltungen unterscheiden. Die dargestellte Wort- 30 andererseits in einen Zustand niedrigerer magnetireihe
befindet sich nun in einem Zustand, in welchem scher Leitfähigkeit durch die Zufuhr eines Schreibdie
gleichen oder neue Informationsbits bei einem vorbereitungs-Stromimpulses an dieses in Koinzidenz
nachfolgenden Schreibvorgang in sie von neuem ge- mit dem Treiberimpuls am Solenoid 51 gebracht
speichert werden können. Entsprechend einem der wird, wird der magnetische Widerstand des Flußvorerwähnten Vorteile kann ein Abfragevorgang un- 35 pfades innerhalb des Spaltes zwischen den Teilen 51 α
mittelbar auf einen Schreibvorgang folgen, ohne daß und 51 b wesentlich erhöht. Daher wird, da ein gro-Störungen
durch Potentiale auftreten, die an den ßer Teil des angelegten Feldes innerhalb des Spaltes
Speicherelementen 30 als Folge von an diese gegebe- zwischen den Teilen 51 α und 51 b in diesem Falle
nen Schreibtreiberimpulsen vorhanden sein können. erzeugt wird, ein entsprechend verringertes Feld
Dies ergibt sich aus dem Umstand, daß an die Spei- 40 außerhalb des Spaltes erzeugt, um auf das Informacherelemente
30 selbst keine Treiberimpulse während tionsadressensegment zu wirken. Dieses verringerte
eines Schreibvorgangs gegeben werden. Feld reicht nicht aus, um eine Flußumschaltung im
Aus der vorangehenden Beschreibung der Merk- Adressensegment aus seinem normalen zurückmale
der Erfindung, wie sie bei der in Fig. 2 gezeig- gestellten remanentmagnetischen Zustand zu bewirten
Speicheranordnung bestehen, ergibt sich, daß 45 ken, in welchem Zustand es nach einem Schreibvor-Speicheranordnungen
erzielt werden können, bei gang zur Speicherung einer Binärziffer »0« bleibt,
denen die jeweilige räumliche Anordnung von einem Offensichtlich sind bei jeder der beschriebenen Aus-Solenoid,
einem Speicherelement und einem Neben- führungsformen der Erfindung die der besonderen
Schlußelement verschieden ist. In F i g. 3 ist in Ver- Funktion der permeabilitätsgesteuerten Elemente zubindung
mit einer einzigen Informationsadresse ein 50 geordneten binären Werte eine Sache der Wahl, die
Verhältnis zwischen den Elementen der Speicher- auf Grund der besonderen Bedingungen des Systems
zelle dargestellt, bei welchem die hohe magnetische getroffen werden kann.
Leitfähigkeit des permeabilitätsgesteuerten Elementes Die relativen Abmessungen und die Verhältnisse
ausgenutzt wird, die Wirksamkeit des Treiberimpuls- der verschiedenen Bauelemente der in den Zeichfeldes
auf das Informationsadressensegment zu er- 55 nungen gezeigten Ausführungsformen der Erfindung
höhen. In diesem Falle wird ein Informationsadres- sind nur beispielsweise und wurden der übersichtsensegment
auf einem Magnetdrahtspeicherelement licheren Darstellung halber übertrieben. Die permea-50
mit elektrischem Leiter 70 und magnetischem bilitätsgesteuerten Elemente und Speicherelemente,
Band71 durch ein Streifensolenoid 51 gebildet, wel- beispielsweise die in Fig. 2 gezeigten Elemente 31,
ches mittels seiner umgeklappten Teile 51 α und 51 & 60 32 und 30 sind ohne Verhältnis zu ihrer tatsächdas
permeabilitätsgesteuerte Element 52 von hoher liehen Größe dargestellt und haben bei einer prakmagnetischer
Leitfähigkeit umgibt. Der Teil 51 b des tischen Ausführungsform der Erfindung stark ver-Solenoids
51 verläuft daher zwischen dem Element 52 ringerte Durchmesser. Ferner können bei einer
und dem Speicherelement 50. Bei der in F i g. 3 dar- praktischen Ausführungsform der Erfindung diese
gestellten Ausführungsform der Erfindung wird die 65 Elemente in einem nichtleitenden unmagnetischen
magnetische Kopplung des Treiberimpulssolenoids 51 Band, beispielsweise aus Mylar (metallisierter PoIywieder
gesteuert, um einen Schreibvorgang zu er- esterfilm), zur Erleichterung und Beschleunigung der
zielen. Wie bei den vorangehend beschriebenen Aus- Herstellung eingebettet werden. Obwohl die Steue-
rung der Schreib- und Abfragevorgänge bei der Ausführungsform
nach Fig. 2 als durch die Schalter35 und 37 herbei geführt beschrieben wurde, kann die
Steuerung und die Taktgabe der Schreib- und Abfragestromimpulse 45 und 48 zusammen mit der
Steuerung und Taktgabe der Schreibvorbereitungs-Stromimpulse 46 durch elektronische oder ähnliche,
die mechanischen Mittel ersetzende Vorrichtungen, in an sich bekannter Weise erfolgen. Ferner können die
beschriebenen Polaritäten der Stromimpulse vertauscht werden, ohne daß dadurch das erfindungsgemäße
Arbeitsprinzip beeinträchtigt wird.
Claims (9)
1. Koinzident mit zwei Strömen in zwei Leitern ansteuerbare Informationsspeicherschaltung mit
einem Drahtspeicherelement, dessen Segmente in einem oder dem anderen Remanenzzustand remanent
magnetisiert werden können, und einem ersten elektrischen Leiter, der mit dem Draht- *°
speicherelement induktiv gekoppelt ist und auf diesem ein Informationsadressensegment definiert,
dadurch gekennzeichnet, daß zur Informationseingabe dem ersten Leiter (11; 40) ein
Stromimpuls (21; 45) zur Erzeugung eines Ma- »5 gnetfeldes zugeführt wird, dessen Stärke ausreicht,
um das Adressensegment aus dem einen in den anderen Remanenzzustand umzuschalten, und
daß ein magnetisch leitfähiger zweiter elektrischer Leiter (12, 13; 31, 32) zu dem ersten Leiter (11;
40) und dem Drahtspeicherelement (10; 30) derart angeordnet ist, daß im Fall der erwünschten
Informationseingabe unter Zuführung des zweiten Stromimpulses (22; 46) der zweite Leiter (12,13;
31, 32) das auf das Drahtspeicherelement (10; 30) einwirkende Magnetfeld nicht kurzschließt
(Fig. 1,2).
2. Informationsspeicherschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der zweite
Leiter (12, 13) zwischen dem ersten Leiter (11) und dem Drahtspeicherelement (10) angeordnet
ist (Fig. 1).
3. Informationsspeicherschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der zweite
Leiter (31, 32) neben dem Drahtspeicherelement (30) angeordnet ist (Fig. 2).
4. Koinzident mit zwei Strömen in zwei Leitern ansteuerbare Informationsspeicherschaltung mit
einem Drahtspeicherelement, dessen Segmente in einem oder dem anderen Remanenzzustand remanent
magnetisiert werden können, und einem ersten elektrischen Leiter, der mit dem Drahtspeicherelement
induktiv gekoppelt ist und auf diesem ein Informationsadressensegment definiert,
dadurch gekennzeichnet, daß zur Informationseingabe dem ersten Leiter (51) ein Stromimpuls
zur Erzeugung eines Magnetfeldes zugeführt wird, dessen Stärke ausreicht, um das Adressensegment
aus dem einen in den anderen Remanenzzustand umzuschalten, daß ein magnetisch leitfähiger
zweiter Leiter (52) nahe dem ersten Leiter (SIb) so angeordnet ist, daß dieser zwischen dem zweiten
Leiter (52) und dem Drahtspeicherelement (50) hindurchführt, und daß dem zweiten Leiter
(52) im Falle der erwünschten Informationseingabe der zweite Stromimpuls nicht zugeführt wird
(Fig. 3).
5. Informationsspeicherschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet,
daß der erste Leiter ein flaches Streifensolenoid (11, 40, 51) ist, das wenigstens einseitig an dem
zweiten Leiter (12,13; 31, 32; 52) vorbeiläuft.
6. Informationsspeicherschaltung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet,
daß eine Abfrageimpulsquelle (36) zum wahlweisen Anlegen eines Abfrageimpulses (23;
48) an den ersten Leiter (11; 40; 51) vorgesehen ist, um den Remanenzzustand des Adressensegmentes
umzuschalten, und daß Auswerteschaltungen (41) zur Anzeige von Spannungsänderungen am Ende des Drahtspeicherelementes
(10; 30; 50) vorgesehen sind.
7. Informationsspeicherschaltung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der
zweite Leiter (31, 32) jeweils eine schraubenförmig um seine Achse verlaufende Magnetflußkomponente
aufweist, die induktiv mit dem ersten Leiter (40) gekoppelt ist.
8. Informationsspeicherschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet,
daß der zweite Leiter durch ein flaches streifenförmiges Element (12, 13, 31, 32, 52) gebildet
wird, das im wesentlichen parallel zu dem Drahtspeicherelement (10, 30, 50) angeordnet ist.
9. Koordinaten-Speicheranordnung unter Verwendung von Informationsspeicherschaltungen
nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß mehrere Drahtspeicherelemente
(3O1... 30„), erste Leiter (4O1... 40m)
und zweite Leiter (31, 32) zu einer Koordinatenanordnung von Adressensegmenten auf den
Drahtspeicherelementen (3O1... 3On) zusammengestellt
sind, in der die ersten Leiter (4O1... 40m)
Zeilen und die zweiten Leiter (31, 32) Spalten darstellen, daß eine Schreibimpulsquelle (36)
zum wahlweisen Anlegen von Schreibimpulsen (45) an ausgewählte erste Leiter (4O3) vorgesehen
ist, und daß ein Impuls (46) gleichzeitig mit dem Schreibimpuls (45) an ausgewählte zweite Leiter
(31, 32) angelegt wird, wenn eine Information gespeichert (Fig. 1, 2) bzw. die Informationseingabe
unterdrückt (F i g. 3) werden soll.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
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