DE1119015B - Magnetkernschaltkreis - Google Patents

Description

I Bi y, -Zf- Y

BEKANNTMACHUNG DER ANMELDUNG UNDAUSGABE DER AUSLEGESCHRIFT:

18. OKTOBER 1958

7. DEZEMBER 1961

Die Erfindung betrifft Magnetkernschaltungen, insbesondere solche, die asynchron arbeiten und zu einem sich selbst steuernden Schieberegister zusammengesetzt sind.

Bekannte Magnetkernschaltungen werden durch von einem Grundtaktsignalgenerator abgeleitete Taktimpulse oder durch von einer Taktspur auf einer rotierenden Magnettrommel abgeleitete Synchronisierimpulse gesteuert. Auch wurden monostabile Multivibratoren zur Erzeugung von Taktimpulsen verwendet.

Die Arbeitsgeschwindigkeit von solche bekannten Schaltungen verwendenden Einrichtungen wird durch die Verzögerung bestimmt, die bei der Übertragung von Signalen durch die Schalt- und Speichervorrichtungen selbst auftritt.

Da die Betriebseigenschaften der Schaltungen und der zugehörigen Stromkreise festgelegt sind, kann die Taktimpulsfrequenz nicht willkürlich gewählt werden, sondern sie wird von der Arbeitsgeschwindigkeit des langsamsten Rechenelementes vorgeschrieben. Des weiteren muß, um Änderungen dieser Betriebseigenschaften durchführen zu können, die Taktimpulsfrequenz so gewählt werden, daß noch ein Spielraum für die größte mögliche »Alterung« des langsamsten Rechenelementes vorhanden ist.

Gemäß der Erfindung ist ein Magnetkernschaltkreis vorgesehen, der auf Grund seines asynchronen Charakters durch den vorgenannten Nachteil nicht beeinträchtigt wird. Am Ende eines Kernumschalt-Vorganges bewirkt ein von der Ausgangsschaltung des Kernes kommendes »Operationsende«-Signal, daß ein weiterer Magnetkern oder weitere Magnetkerne in Abhängigkeit von der als nächster auszuführenden Operation geschaltet wird bzw. werden. Der bzw. die weiteren auf diese Weise beeinflußten Kerne bewirken ihrerseits die Abgabe eines weiteren »Operationsende«-SignaIs. Durch geeignete Anordnung der einzelnen Schaltkreise können verschiedene logische Operationen ausgeführt werden.

Die Erfindung geht aus von einem Magnetkernschaltkreis mit einem ersten Magnetkern mit rechteckiger Hysteresisschleife, der durch einen Umschaltimpuls auf einer ersten Wicklung in den einen und durch einen Rückschaltimpuls auf einer zweiten Wicklung wieder in den anderen Zustand geschaltet wird und dessen Ausgangswicklung mit einem Verstärkerelement verbunden ist; sie ist dadurch gekennzeichnet, daß ein gleichzeitig mit dem ersten Kern durch den Umschaltimpuls in den genannten ersten Zustand geschalteter zweiter Kern infolge Vormagnetisierung zurückgeschaltet wird und daß durch diese Magnetkernschaltkreis

Anmelder:

The National Cash Register Company,
Dayton, Ohio (V. St. A.)

Vertreter: Dr. A. Stappert, Rechtsanwalt,
Düsseldorf, Feldstr. 80

Beanspruchte Priorität:
V. St. v. Amerika vom 23. Oktober 1957 (Nr. 691 927)

Rückschaltung ein zweites Verstärkerelement wirksam wird und den Rückschaltimpuls an die genannte zweite Wicklung legt.

Die Erfindung wird an Hand der Zeichnungen näher beschrieben, und zwar zeigt

Fig. 1 eine Schaltung, teilweise in schematischer Darstellung, mit den Kernen, Transistoren sowie den Schaltkreisen eines Schieberegisters,

Fig. 2 einen Satz Kurven und Wellenformen, die die Wirkungsweise der Einrichtung der Fig. 1 verdeutlichen,

Fig. 3 eine Skizze einer anderen erfindungsgemäßen Ausführungsform für die Anordnung eines Bit-Umlaufschieberegisters.

In Fig. 1 wird eine Schieberegistereinrichtung mit zwei Steuereinheitkernen Ll, L 2 und drei Bit-Registerkernen Kl, K2, K3 dargestellt. Die Kerne können von jeder geeigneten. Art sein und beispielsweise einen Durchmesser von 4,76 mm haben und aus 40 Windungen von 3 μ starkem »Molybdän-Permalloy« bestehen. Der Deutlichkeit halber werden sie in den Zeichnungen als Rechtecke dargestellt. Jeder Kern weist Wicklungen oder Spulen auf, welche mit Kleinbuchstaben bezeichnet sind. In Fig. 1 jedoch sind die Bezugszeichen der Deutlichkeit halber den zu den Wicklungen führenden Leitern zugeschrieben. Es wurde bereits erwähnt, daß die Wicklungen oder Spulen jeweils entweder mehr oder weniger als eine

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volle Windung enthalten können. Die kennzeichnenden Spulenstromflußrichtungen sind durch aufwärts und abwärts gerichtete Pfeilspitzen angezeigt. Die Spulen sind derart gewickelt, daß jeglicher in eine Spule in der »Aufwärts«-Richtung fließende Strom, der durch eine aufwärts gerichtete Pfeilspitze angezeigt ist, den jeweiligen Kern in den »1 «-Zustand zu kippen sucht, wogegen jeder in einen Kern in der »Abwärts«-Richtung fließende Strom, der durch eine abwärts gerichtete Pfeilspitze dargestellt ist, den betreffenden Kern in den »O«-Zustand zu kippen sucht. Einstellspulen, die zum anfänglichen Einstellen der Registerkerne und zum Einleiten des Arbeitsganges des Registers verwendet werden, sind durch den Buchstaben q, Lesespulen durch den Buchstaben r, Rückkopplungsspulen durch den Buchstaben /, Abfühlspulen durch den Buchstabens, Vorspannungsspulen durch den Buchstaben b, Treiberspulen durch den Buchstaben d, eine steuernde Treiberspule auf Kern L1 durch den Buchstaben ρ und eine Abf ühlspule auf Kern Ll durch den Buchstaben t bezeichnet.

Jedem der Kerne Kl, Kl, K3, Ll und L 2 ist, wie angezeigt, jeweils ein Transistor Ml, Ml, M3, M4 bzw. M 5 zugeordnet. Es sind alle geeigneten Transistoren, beispielsweise »Raytheon 2 N114« für M 4 und M5 sowie »GE2N187A« für Ml, Ml bzw. M 3, verwendbar. Die Transistoren sind so in die Schaltung eingebaut, daß jeder an seinem Emitter (z.B. el des TransistorsMl) geerdet ist. Emitter und Basis der Transistoren sind an eine Abfühlspule des zugeordneten Kerns angeschlossen. Die Abfühlspulen sind so angeordnet, daß eine in einer Abfühlspule (z.B. Spules des KernsiCl) durch einen Strom, der zunächst in der »abwärtigen« Richtung durch eine andere Spule (z. B. r des Kerns Kl) des gleichen Kerns fließt, erzeugte Spannung den jeweiligen Transistor (z.B. Kl) in den leitenden Zustand versetzt. Die Transistoren M 4 und M 5 sind mit Strombegrenzungswiderständen Rc in ihren Basiskreisen versehen, wodurch die Dauer des Stromdurchgangs der Transistoren gesteuert wird. Wenn ein Transistor einen Impuls erhält, fließt der jeweilige Kollektorstrom nur für eine relativ kurze Zeit, beispielsweise 2 Mikrosekunden. Die Transistoren Ml, Ml und M 3 sind Niederfrequenztransistoren und weisen in ihren Basiskreisen keine Begrenzungswiderstände auf. Deshalb gelangen diese Transistoren bis in die Sättigung und bewirken einen Vorgang, der gewöhnlich als »Lochspeicherung« (»hole storage«) bezeichnet und in einer nachstehend zu beschreibenden Weise benutzt wird.

Auf jedem der Transistoren Ml, M1 und M3 ist der Kollektor (z.B. al des TransistorsMl) an eine entsprechende Rückkopplungsspule / angeschlossen, wobei die Verbindung, wie durch die Pfeilspitzen angezeigt, derart gestaltet ist, daß ein Kollektorstrom den jeweiligen zugeordneten Kern in den »O«-Zustand zu versetzen sucht. Die Lesespulen r der Kerne Kl, Kl und K3 sind in Reihe geschaltet, so daß von einer Steuereinheit zugeführte Steuer- oder »Verschiebe«-Impulse gleichzeitig durch diese Spulen in der angezeigten Richtung hindurchgehen und die jeweiligen Kerne in den »O«-Zustand zu versetzen suchen. Es ist ersichtlich, daß der Eingangsimpuls für die Lesespulen am Kollektor des Transistors MA abgegriffen wird. Dieser Impuls ist mit rl der Wellenform m 4 (Fig. 2) bezeichnet. Wenn also der Transistor M 4 in den leitenden Zustand versetzt wird, werden die Lesespulen sämtlicher Bit-Registerkerne K1, Kl und K3 durch einen von einer Spannungsquelle VS kommenden Strom erregt, der über einen diesen Strom bestimmenden Widerstand Rr fließt.
Jeder der Kerne Ll und Ll weist eine Vorspannungsspule b auf, die normalerweise in der angezeigten Richtung von Strom durchflossen wird und die jeweiligen Kerne im »O«-Zustand zu halten sucht. Zu diesem Zweck können die zwei Vorspannspulen in

ίο Reihe mit einem strombestimmenden Widerstand Rb an einer geeigneten Spannungsquelle V1, wie in Fig. 1 gezeigt, angeschlossen werden. Der Kollektor des Transistors MS ist über die Treiberspule ρ des Kerns Ll an den negativen Pol einer Spannungsquelle V 3 angeschlossen, wobei die Einrichtung so ausgelegt ist, a*ä¥, sobald der Transistor M 5 leitet, der entstehende Ausgangsimpuls die normale Vorspannung auf dem Kern Ll aufhebt und zeitweilig diesen Kern vom »0«- in den »1 «-Zustand kippt. Die Vorspannung ist so gewählt, daß der Kern Ll bei Beendigung des vom Transistor M S kommenden Ausgangsimpulses in den »O«-Zustand zurückkehrt.

Der durch al angezeigte Kollektor des Transistors Ml ist über die Reihenschaltung der Rückkopplungsspule/ des KernsKl, der Spuled auf Kl, der Spuled auf Ll und des Widerstandes Rd mit dem negativen Pol einer Spannungsquelle Vl verbunden. Der Aufbau ist, wie angezeigt, so, daß beim Kippen des Transistors Ml in den leitenden Zustand der Kollektorstromimpuls von Ml den Kern Kl in den »O«-Zustand, die Kerne £2 und L2 in den »1 «-Zustand zu kippen sucht. In ähnlicher Weise ist der Kollektor al des Transistors Ml über die Reihenschaltung der Rückkopplungsspule f des Kerns Kl, der Spule d des Kerns K 3, der Spule d des Kerns L 2 und des Widerstandes Rd an den negativen Pol der Spannungsquelle Fl angeschlossen. Wie durch die Pfeilspitzen angezeigt, ist auch hier der Aufbau so gewählt, daß beim Umschalten des Transistors Ml in den leitenden Zustand der Kollektorstromimpulse des Transistors M1, den Kern K1 in den »O«-Zustand, die Kerne K 3 und K1 in den »1 «-Zustand zu kippen sucht. Die Bauteile der Schaltung sind so bemessen, daß beide der von den Transistoren Ml und Ml kommenden Ausgangsimpulse den Kern L 2 von seinem normalen »O«-Zustand in den »1«-Zustand kippen, wobei zeitweilig die ihm durch Spule b zugeführte Vorspannung, welche sonst einen stabilen »O«-Zustand bewirkt, überwunden wird. Der Widerstand Rd ist so bemessen, daß der durch ihn bestimmte Strom die Durchführung des oben beschriebenen Vorganges sicherstellt. In jedem Falle bringt die Vorspannung den Kern L 2 bei Beendigung des von den Transistoren Ml oder Ml kommenden Ausgangsimpulses in den »O«-Zustand zurück. Der Kollektor α 3 des Transistors M 3 ist, wie angezeigt, über die auf dem Kern K 3 befindliche Rückkopplungsspule / und einen strombestimmenden Widerstand Rf an den negativen Pol einer Spannungsquelle V 4 gelegt, so daß beim Kippen des Transistors M 3 der Kern K 3 in den »O«-Zustand gekippt wird. Es versteht sich, daß die positiven Pole der verschiedenen Spannungsquellen geerdet sein können und daß eine einzelne Spannungsquelle verwendbar ist, wie es in der Technik bereits bekannt ist.

Der Kern Ll und die Registerkerne K1, K 2 und K 3 sind jeweils mit einer Einstellspule q verbunden. Diese Spulen müssen gleichzeitig in den angezeigten

Richtungen unter Spannung gesetzt werden, damit sie gleichzeitig die Kerne Kl und Ll in den »1 «-Zustand und die Kerne K 2 und K 3 in den »O«-Zustand versetzen können. Demgemäß können die Einstellspulen in Reihe in der angezeigten Richtung untereinander verbunden sein, so daß sie durch einen von einer geeigneten, nicht gezeigten Quelle erzeugten Einstellimpuls erregt werden können. Dieser Impuls kann ein in das Register einzuschreibendes Informations-Bit (beispielsweise die Ziffer »1«) darstellen, das dann durch die Einstellspulen in den in Fig. 1 angezeigten »Richtungen« durchgegeben wird.

Bei der beschriebenen Anordnung des Gerätes wird bei Zuführung eines (durch die Erhöhung in Wellenform Q in Fig. 2 dargestellten) Einstellimpulses auf die Einstellspulen q der Kern Xl in den »!«-Zustand versetzt (sofern sich Kl nicht schon im »!«-Zustand befindet), beide Kerne Kl und K3 in den »O«-Zustand versetzt und der Kern Ll zeitweilig vom »O«-Zustand in den »1«-Zustand gekippt. Wenn die Kerne Ll und L2 zu einem mit TO in Fig. 2 angezeigten Zeitpunkt in den »1 «-Zustand gekippt werden, wird eine Spannung in den auf jenen Kernen befindlichen Spulen induziert. Die auf diese Weise zu dem Zeitpunkt TO induzierten Spannungen haben weder eine spezielle Bedeutung noch irgendeine Auswirkung auf die Arbeitsweise des Gerätes, da sie nicht die zum Kippen eines der Transistoren Ml, Ml oder M 3 in den leitenden Zustand notwendige Polarität besitzen. Die Polarität wird für den Zeitpunkt TO in der Wellenform P (Fig. 2) angezeigt. Bei Beendigung des Einstellimpulses (Zeitpunkt Tl in Fig. 2) führt die Vorspannung des Kerns L1 jenen Kern auf den »O«-Zustand zurück, wobei in der auf ihm befindlichen Spule t eine Spannung induziert wird. Die auf der Wellenform P für den Zeitpunkt Tl aufgetragene induzierte Spannung weist die zum Kippen des Transistors M 4 in den leitenden Zustand notwendige Polarität auf. Der Transistor M 4 wird leitend und bringt einen kurzzeitigen Impuls von beispielsweise etwa 2 Mikrosekunden hervor, der als der erste Impuls (rl) der Wellenform m 4 in Fig. 2 dargestellt ist. Dieser Steuerimpuls, der infolge der Wirkung des strombegrenzenden Widerstandes Rc in den Basisstromkreis des Transistors M 4 nur von kurzer Dauer ist, folgt dem bereits beschriebenen Weg über jede der Spulen r der Bit-Registrierkerne Kl, Kl, K 3 und induziert eine Spannung in der Abfühlspule s auf dem Kernel.

jenes Impulses, der vom Transistor Ml kommende Kollektorimpuls durch Spule d des Kerns K1 in der entgegengesetzten Richtung; dieser zuletzt genannte Strom schaltet den Kern.K 2 vom »0«- in den »1«-Zustand um. Da dieses Kippen von »0« auf »1« erfolgt, weist die in der Spule s des Kerns K1 induzierte Spannung nicht die Polarität auf, die den Transistor Ml in den leitenden Zustand versetzen könnte. Daher wirkt die Spule s auf Kl dem Umkippen nicht

ίο entgegen.

Somit erfolgt das Kippen des Kerns Kl vom »0«- in den »!«-Zustand relativ schnell noch vor dem Kippen des Kerns Kl vom »1«- in den »O«-Zustand. Das Informations-Bit, das vorher in Kl gespeichert war, wird somit in Kl geschoben.

Der in Fig. 2 als der Impuls auf Wellenform ml gezeigte, von Transistor Ml kommende Ausgangsimpuls besteht im wesentlichen vom Zeitpunkt Tl bis T 3. Beim Durchgang durch die Treiberspule d des Kerns L2 wird letzterer zeitweilig vom »0«- in den »1 «-Zustand umgekippt. Diese Umkehrung ist in Fig. 2 in Zeile L 2 für den Zeitpunkt Tl bis T 3 angezeigt. Bei Beendigung des genannten, von dem Kollektor des Transistors Ml kommenden Impulses wird der Kern L 2 durch die an ihm liegende Vorspannung in den »0«-Zustand zurückgebracht, wobei eine Pulsspannung für Transistor M 5 in Spule s des Kerns L 2 erzeugt wird. Der Transistor MS wird leitend und bewirkt einen Impuls (Wellenform mS bei Zeitpunkt T 3), welcher zeitweilig den Kern Ll, wie in Zeile Ll angezeigt, in den »1 «-Zustand kippt. Nach Abfall des vom Transistor M 5 kommenden Impulses geht Kern Ll in den »O«-Zustand zurück, wobei der Transistor M 4 erneut in den leitenden Zustand versetzt wird und einen zweiten Leseimpuls erzeugt. Der letztgenannte Impuls, der als der zweite Impuls rl der Wellenform m4 in Fig. 2 gezeigt ist, ist am Kern Kl unwirksam, da dieser sich im »0«- Zustand befindet. Der durch Spule r des Kerns Kl hindurchgehende Impuls bringt das Kippen des Transistors Ml zustande. Dieser Transistor Ml wird leitend und erzeugt einen Impuls (s. Wellenform ml in Fig. 2), welcher, da er noch bis nach dem Abklingen des von dem Transistor M4 kommenden Impulses rl andauert, den Kern K 3 in den »1 «-Zustand kippt und den Kern K1 langsam in den »0«-Zustand zurückführt. Das gespeicherte Bit wird somit vom Kern Kl auf Kern K 3 verschoben. Außerdem geht der vom Transistor Ml kommende Impuls über die

Die in der Spule s des Kerns Kl induzierte Span- 50 Spule d des Kerns Kl der Steuereinheit und leitet den nung weist die zum Kippen des Transistors Ml in bereits beschriebenen Arbeitsgang von L1-M 5 sowie den leitenden Zustand notwendige Polarität auf. Dem

sich über den Transistor Ml ergebenden resultierenden Kollektorstrom wirkt, da er zunimmt, die induktive oder aufladende Wirkung der Spule s des Kerns Kl entgegen. Dies hat zur Folge, daß der KernKl relativ langsam umgeschaltet wird und den Übergang von »1« auf »0« erst einige Zeit, nachdem der von dem Transistor M 4 kommende Steuerimpuls abgeklungen ist, beendigt. Es ist zu beachten, daß der von dem Transistor M 4 kommende Steuerimpuls von relativ kurzer Dauer (beispielsweise etwa 2 Mikrosekunden) durch die Spule r des Kerns Kl hindurchgeht, jedoch auf den Transistor M 2 keinen Einfluß hat, da sich der Kern K1 in »O«-Zustand befindet. Indessen fließt, während des Durchganges des von dem Transistor M4 kommenden Impulses rl durch die Spule r des Kerns Kl und nach dem Abklingen L 1-M 4 ein. Die sich daraus ergebende, in den Kurven und Wellenformen der Fig. 2 angezeigte Wirkung umfaßt das Fortschreiten des vom Transistor M 4 kommenden dritten Steuerimpuls r3, die sich daraus ergebende Umschaltung des Transistors M 3, den Stromfluß durch die Spule/ des Kerns K3 und das sich daraus ergebende Verschieben des gespeicherten Bits aus dem Kern K 3 heraus. All dies erfolgt in einer bereits vorher geschilderten Weise.

Das durch den einleitenden Enistellimpuls in das Register eingeschriebene und durch das Register geschobene Informations-Bit kann in Gestalt eines elektrischen Impulses an dem Leiter, der die Spule / des Kerns K3 mit der Spannungsquelle V4 verbindet, wieder entnommen und in einem anderen Gerät verwendet werden. Andererseits kann der Impuls mittels einfacher, nachstehend im Zusammenhang mit Fig. 3

erläuterter Veränderungen über das Register erneut in Umlauf gebracht werden.

Die Zeilen Kl, K2, K3, Ll und L 2 (Fig. 2) stellen schaubildlich die »0«- und »1 «-Zustände der verschiedenen, entsprechend bezeichneten Kerne in Abhängigkeit von der Zeit dar. Daraus ist zu erkennen, daß der Kernel zu dem Zeitpunkt TO durch den Einstellimpuls in den »1 «-Zustand versetzt wird und auf diese Weise das durch den Einstellimpuls dargestellte Informations-Bit speichert. Bevor noch der Kern Kl in den »O«-Zustand zurückkehrt, wird der Kern £2 in den »1 «-Zustand gekippt, und das Bit wird dann, wie durch die Zeile Kl (Fig. 2) angezeigt, in diesem gespeichert. Bevor dann der Kern K1 in den »O«-Zustand zurückversetzt wird, wird der Kern K 3 in den »1 «-Zustand versetzt, und das Bit wird im Kern K 3 gespeichert, wie dies durch Zeile K 3 dargestellt ist. Der Vergleich der Zeilen Kl, Kl, K3 zeigt die Art und Weise an, in welcher das Bit sich tatsächlich »bewegt« bzw. durch das Register mit der Zeit geschoben wird und wie die Verschiebungen des Bits während der ersten Phase der Ausgangsimpulse der betreffenden Transistoren Ml, Ml, M3 auftreten, wie es durch die jeweiligen Wellenformen ml, ml, m.3 der Fig. 2 ersichtlich ist.

Aus der bisherigen Beschreibung geht hervor, daß die »Länge« des Registers durch Hinzufügen zusätzlicher Kern- und Transistor-Registereinheiten, ähnlich der X'2-M2-Einheit, erweitert werden kann. Die zusätzlichen Einheiten können zwischen den Kl-Ml- und .O-M3-Einheiten eingesetzt werden. Somit kann im Rahmen der Erfindung ein Schieberegister aus einer beliebigen Anzahl von Einheiten oder Stufen zusammengestellt werden. Ferner kann zwischen Spule / auf Kern K3 und der Spannungsquelle V4 eine Treiberspule auf Kl geschaltet werden, wodurch das Register ein Bit beliebig lange umlaufen lassen kann. Die notwendige Änderung in dem Stromkreisnetz wird durch stark ausgezogene Linien der Fig. 3 angezeigt, aus der ersichtlich ist, daß der vom Transistor M 3 kommende Kollektorausgangsimpuls wie vorher über die Rückkopplungsspule / des Kerns K 3 fließt, daß er aber auch die Treiberspulen d auf den Kernen Kl und Ll erregt. Bevor das Bit aus dem KernK3 herausgeschoben wird, wird es erneut im Kern Kl dadurch gespeichert, daß der Impuls m 3 diesen Kern vom »0«- in den »1 «-Zustand kippt; indem dieser Impuls auch durch die Spule d auf dem Kern L1 hindurchfließt, regt er die Steuereinheit erneut dazu an, die Reihe der Bit-Verschiebungen durchzuführen. Genauso, wie es für das im Zusammenhang mit Fig. 1 beschriebene Gerät zutrifft, kann das mit Hilfe des abgeänderten Stromkreisnetzes der Fig. 3 angeordnete Umlaufschieberegister jede erwünschte Länge haben. Für ein längeres Register werden die zusatzliehen Kern- und Transistoreinheiten in der Registrierschaltung in der bereits beschriebenen Weise eingefügt.

Es ist offenbar, daß die in dem Register verkörperte physikalische Gestaltung im Rahmen der Idee und der Erfindung, wie sie durch die nachfolgenden Ansprüche definiert werden, von verschiedener Ausführung sein kann. Obwohl ringförmigen bistabilen Magnetkernen der Vorzug gegeben wird, können auch andere Typen verwendet werden. Die Spulen sowie die erregenden Ströme und Spannungen können gemäß grundsätzlich bekannter Prinzipien elektronischer Schaltungen gewählt werden. Es versteht sich, daß die im vorliegenden Falle für jede der Spulen q und ρ des Kerns Ll und der Spule rf des Kerns L 2 angeordnete Anzahl von Amperewindungen so groß sein muß, daß sie die durch die Amperewindungen erzeugte Koerzitivkraft in ausreichendem Maße überwinden, wie sie durch den die Vorspannung erzeugenden Strom und die jeweiligen Vorspannungsspulen zur Umkehrung der Magnetisierungszustände dieser Kerne zu den vorgeschriebenen Zeitpunkten zustande kommt. Die Widerstände Rd, Rb und Rp sowie die Spannungsquelle(n) werden so gewählt, daß sie den genannten Vorgang sicherstellen. Da man sich bei der Arbeitsweise der Registereinheiten Kl-Ml, Kl-Ml und K3-M3 zwecks Erlangung einer angemessenen Länge des Treiberimpulses zum Kippen eines Kerns von »1« auf »0« im Anschluß an den durch Transistor MA erzeugten Ableseimpuls auf die Aufladungsund »Lochspeicherungs«-Wirkung stützt, sollten die Transistoren der Registereinheit Niederfrequenztransistoren sein.

Claims (11)

PATENTANSPRÜCHE:

1. Magnetkernschaltkreis mit einem ersten Magnetkern mit rechteckiger Hysteresisschleife, der durch einen Umschaltimpuls auf einer ersten Wicklung in den einen und durch einen Rückschaltimpuls auf einer zweiten Wicklung wieder in den anderen Zustand geschaltet wird und dessen Ausgangswicklung mit einem Verstärkerelement verbunden ist, dadurch gekennzeichnet, daß ein gleichzeitig mit dem ersten Kern (Kl) durch den Umschaltimpuls in den genannten ersten Zustand (»1«) geschalteter zweiter Kern (Ll) infolge Vormagnetisierung (b) zurückgeschaltet (»0«) wird und daß durch diese Rückschaltung ein zweites Verstärkerelement (M4) wirksam wird und den Rückschaltimpuls an die genannte zweite Wicklung (r) legt.

2. Magnetkernschaltkreis nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Verstärkerelemente Transistoren verwendet werden.

3. Selbsttätiges Schieberegister mit Stufen aus jeweils mit einem Verstärkerelement gekoppelten Magnetkernen mit rechteckiger Hysteresisschleife, dadurch gekennzeichnet, daß ein durch das zeitweilig leitende Verstärkerelement (M 4) einer ersten Stufe (Ll-M 4) fließender Abfrageimpuls den in dem einen Zustand (»1«) befindlichen Kern (z. B. KT) einer von mehreren zweiten Stufen (Ml-Kl bis M3-K3) in den anderen Zustand (»0«) schaltet, wodurch das zugeordnete Verstärkerelement (Ml) zeitweilig leitend getastet wird, daß ein durch dieses Verstärkerelement (Ml) fließender Schiebeimpuls (ml) den normalerweise in dem anderen Zustand (»0«) befindlichen nächsten Kern (Kl) in den einen Zustand (»1«) bringt und über eine Verzögerung (M5-L2) die genannte erste Stufe (M 4-Ll) erneut zum Leitendtasten des ihr zugeordneten Verstärkerelements (M 4) anregt, so daß ein neuer Verschiebevorgang beginnt.

4. Schieberegister nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Magnetkern (Ll) der ersten Stufe vormagnetisiert ist, daß der verzögerte Impuls (mS) den Magnetkern (Ll) in den einen Zustand (»1«) schaltet und daß bei Rückschaltung infolge Vormagnetisierung das Verstärkerelement

(M 4) zeitweilig leitend getastet wird und den Abfrageimpuls (m4) durchläßt.

5. Schieberegister nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß anfänglich ein Anstoßimpuls (0 den Magnetkern (Ll) der ersten Stufe und den einer der zweiten Stufen in den einen (»1«) und alle anderen Magnetkerne der zweiten Stufen in den anderen Zustand (»0«) schaltet.

6. Schieberegister nach den Ansprüchen 3 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß zur Verzögerung eine dritte Stufe (M5-L2) von dem durch das Verstärkerelement (ζ. B. Ml) der genannten zweiten Stufe fließenden Schiebeimpuls (m 1) zum Leitendtasten des ihr zugeordneten Verstärkerelementes (M 5) erregt wird.

7. Schieberegister nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die dritte Stufe (M5-L2) wie die erste (M 4-Ll) ausgebildet ist und ihr Verstärkerelement (M 5) infolge der Rückschaltung des Kerns in den anderen Zustand durch Vormagnetisierung leitend getastet wird und einen Impuls (m5) an die erste Stufe legt.

8. Schieberegister nach den Ansprüchen 2 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß der Schiebeimpuls der letzten zweiten Stufe (M3-/C 3) an die erste der zweiten Stufe gelegt wird.

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9. Schieberegister nach Anpruch2 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß der genannte Abfrageimpuls (m4) gleichzeitig an eine Abfragewicklung (r) der Magnetkerne aller zweiten Stufen gelegt wird.

10. Schieberegister nach Anspruch 6 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Schiebeimpulse (ζ. B. ml) von den Verstärkerelementen aller zweiten bzw. aller zweiten Stufen ausgenommen der letzten durch die Einstellwicklung (d) des jeweils nächsten Magnetkerns und durch eine einzige Einstellwicklung (d) des Magnetkerns der dritten Stufe (M5-L2) laufen und daß die Magnetkerne der ersten und dritten Stufe von einem durch in Reihe geschaltete Vormagnetisierungswicklungen (Jb) fließenden stetigen Strom vormagnetisiert werden.

11. Schieberegister nach den Ansprüchen 2 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß als Verstärkerelemente Transistoren verwendet werden.

In Betracht gezogene Druckschriften:
Handbuch für Hochfrequenz- und Elektrotechniker, 4. Band, Verlag für Radio-, Photo-Kino-Technik, Gmb., Berlin-Borsigwalde, 1957, S. 692.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

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