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Magnetkern- Speicher system0
Die Erfindung betrifft Magnetkern-Speichersysteme, insbesondere eine verbesserte Schaltung, welche Transistoren zum Auswählen und zum Antreiben von Kernen in einer magnetischen Speicheranordnung verwendet.
Für das Auswählen von Kernen in einem Magnetkern-Speichersystem ist es zwecks Vereinfachung des Systems sehr erwünscht, dass nur eine Mindestzahl von Antriebsleitern und Treiberanordnungen verwendet wird. Es ist ferner erwünscht, dass die verwendeten Impulse eine kurze Anstiegszeit und eine konstante Impulshöhe aufweisen, unabhängig von der linearen Induktanz des Antriebsleiters und der mit dem Leiter in Verbindung stehenden Kerne sowie unabhängig von der gegenelektromotorischen Kraft, die in dem Antriebsleiter durch wechselnde magnetische Zustände der Kerne erzeugt wird. Ist ein Antriebsimpuls derartig beschaffen, so sind die in den Abtastleitern erzeugten Signale von gleichbleibender Form.
Weiterhin erscheinen die unerwünschten, durch nicht ausgewählte Kerne erzeugten Signale während einer zum Kippen des bistabilen Multivibrators unzureichenden Zeit. Dadurch wird einerseits eine grössere Sicherheit für das Kippen des bistabilen Multivibrators erzielt, anderseits die Wahrscheinlichkeit eines ungewollten Kippen des bistabilen Multivebrators verringert.
Durch obige Impulse wird ferner eine kurze Abfrage- und Einstellzeit erzielt, da die Kerne beim "Umschalten" schnell einen stabilen Zustand erreichen. Obwohl bekanntlich die Abtastwicklung so gewickelt wird, dass sich die Signale von nicht ausgewählten Kernen aufheben können. werden diese jedoch wegen der Streuung der magnetischen Daten der Kerne nicht völlig unterdrückt, so dass stets Störsignale am Ausgang des Abtastleiters erscheinen.
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erfolgt, wobei getrennte Leiter zum Ablesen und zum Schreiben verwendet werden. Die Antriebsleiter sind an einem Ende zu Ablesen- und Schreiben-Gruppen zusammengefasst, sowie mit gemeinsamen Leitern an dem andern Ende verbunden, so dass ein einziger Antriebsleiter einer jeden Schreiben- bzw. AblesenGruppe mit jeweils einem gemeinsamen Leiter an dem andern Ende verbunden ist.
In einem vollständigen Speichersystem sind mehrere Speicheranordnungen auf gleicher Höhe mit den Antriebsleitern angeordnet, die durch mehrere hintereinanderliegende Speicheranordnungen verlaufen können, so dass gleichzeitig ein Kern in einer jeden Speicheranordnung ausgewählt wird. Die Gruppen der Ablesen-und der Schreiben-Antriebsleiter sowie die gemeinsamen Leiter werden an jedem Ende von Treiberröhren gespeist.
Diese Treiber werden durch ein Adressensystem ausgewählt, so dass Ströme mit Impulsen halber Kernumschaltungs-Amplitude durch die gewünschten Antriebsleiter laufen können. Die Ablesen- und die SchreibenAntriebsleiter führen jeweils in einer solchen Richtung durch die Kerne, dass die genannten Impulse beim Ablesen in entgegengesetzter Richtung als beim Schreiben durch die Kerne laufen. Die Auswirkungen der linearen Induktanz des Antriebsleiters und der mit diesem in Verbindung stehenden Kerne sowie der durch Änderung des magnetischen Zustandes eines oder mehrerer Kerne erzeugten Gegen-EMK auf die Kurvenform der durch die Leiter gesandten Impulse werden durch Anwendung einer hohen Spannungsdifferenz zum Antreiben der genannten Impulse äusserst klein, so dass die erwünschte Rechteckform dieser Impulse erhalten bleibt.
Beim jetzigen Stand der Technik liegt ein ernsthafter Nachteil darin, dass der Spannungsabfall, wel-
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cher auf einem ausgewählten Leiter auftritt, auch an den Treiberröhren auftritt, die mit ändern nicht ausgewählten Gruppen der Antriebsleiter in Verbindung stehen, so dass deren Steuervorspannung aufgehoben und Strom in nicht ausgewählte Leiter fliessen kann. Dieser Stromfluss hat zur Folge, dass die genannten Impulse eine verhältnismässig lange Anstiegszeit und keine konstante Impulshöhe aufweisen.,
Ein weiterer Nachteil bekannter Einrichtungen liegt darin, dass bei Verwendung von Transistorentreibern, welche bekanntlich nur die Anwendung niedriger Spannungen erlauben, die oben genannten Auswir-
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erzeugten Gegen-EMK nicht mehr vernachlässigt werden können.
Werden Röhren als Treiber verwendet, so treten die eben genannten Erscheinungen nicht auf.
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mit hoher Spannung und eines Strombegrenzungswiderstandes sowie unter Verwendung eines Diodenbegrenzers zwischen dem Widerstand und den Transistortreibern. Diese Einrichtung erfordert jedoch hohe Betriebsspannungen, so dass die Stromversorgungsteile sehr umfangreich werden. Ein weiterer Nachteil ist darin zu sehen, dass die hohe Spannung eine Gefahr für die Transistoren darstellt, falls die BegrenzungsDioden ausfallen. Dieser Anordnung ist ausserdem ein hoher Energieverbrauch infolge der Verluste im Begrenzungswiderstand und in den Begrenzungsdioden eigen. Eine weitere bekannte Einrichtung verwendet eine niedrige Treiberspannung unct einen Rückkopplungsvcrstärker.
Indessen ergibt diese Anordnung wegen ihres schlechten Frequerzganges eine verhältnismässig lange Anstiegszeit. Als weiterer Nachteil der bekannten Einrichtungen ist zu erwähnen, dass die Bewicklung der Kerne schwierig wird, sobald getrennte Leiter für das Ablesen und das Schreiben verwendet wenden.
Die Erfindung hat sich daher die Aufgabe gestellt, einen verbesserten magnetischenKernspeicher vorzusehen, der Ausgangssignale abgibt, die eindeutig sind und bei dem für das Ablesen und das Schreiben nur eine kurze Zeitspanne benötigt wird.
Die Erfindung geht daher aus von einem. Magnetkern-Speichersystem einschliesslich einer beigeord- neten Anordnung magnetischer Kerne mit getrennten Reihen- und Spaltenantrichsleitem, die sich durch die Reihen und Spalten der Kerne erstrecken, wobei die Reihen-und Spaltenantriebsleiter an einem Ende zu Gruppen, die ihrerseits einzeln durch eine Gruppenadressenmatrix auswählbar sind, verbunden sind, wogegen diese Antriebsleiter an ihren..' -'crn Enden mit einer allen Gruppen zur Durchführung des einzelnen Auswählens der genannten Leiter gemeinsamen Leiteradressmatrix verbunden sind und ist dadurch gekennzeichnet, dass die Gruppenadressenmatrix aus mehreren Transistorelementen besteht,
die unter der Steuerung durch ein Gruppenauswählmittel wahlweise in irgendeiner aus einer Anzahl von verschiedenen
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wünschten Gruppe zugeführt werden. 0und dass die Leiteradressenmatrix mehrere weitere unter der Steuerung durch ein Leiterauswählmittel stehende Transistorelemente aufweist, welche unter der Steuerung durch Leiterauswählmittel wahlweise in irgendeiner aus einer Anzahl von verschiedenen Serienkombina- tienen betätigbar sind 0 so dass eine besondere Auswahl irgendeines der genannten Leiter bewirkt und über diese der Stromkreis der ausgewählten Gruppe geschlossen wird.
Die Merkmale der Erfindung können aus der nun folgenden Beschreibung an Hand der Zeichnungen entnommen werden, u. zw. zeigt :
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Kernanordnung 21 des magnetischen Kernspeichersystems der Fig. 1. Fig. 3 ein Schema der X-Adressenmatrix 23 und des X-Treibers 24 der Fig. l, Fig. 4 ein Schaltbild der gemeinsamen X-Adressenmatrix und der symmetrischen X-Treiber 25 der Fig. l, Fig. 5 ein Zeitdiagramm der Wellenformen zur Erläuterung der erfindungsgemässen neuen Antriebseinrichtung.
Die Fig. 1 zeigt eiij Blockschaltbild des erfindungsgemässen magnetischen Kernspeichersystems.
Zum Auswählen eines besonderen Kerns einer Speicheranordnung 21 ist ein X- und ein Y-Adressensystem angeordnet, welches einender X-und Y-Antriebsleiter. die durch die Kerne jeder Zeile bzw. Spal- te der Einrichtung hindurchgehen, auswählt. In der X-Richtung sind die Antriebsleiter an einem Endezu
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verbunden, wobei jeder gemeinsame Leiter mit einem entsprechenden Antriebsleiter aus jeder der drei Gruppen verbunden ist. Auf die X-Adressenmatrix 23 ansprechende X-Treiber 24 wählen eine Gruppe Ix, 2x oder 3z für das Ablesen oder das Schreiben aus.
Auf eine gemeinsame X-Adressenmatrix 26 ansprechende symmetrische Treiber 25 wählen einen gemeinsamen Leiter aus, so dass ein einzelner Antriebsleiter in der X-Richtung ausgewählt wird. Die X-Adressenmatrix 23 erhält ihre logischer Einbringungen von den bistabilen MultivibratorenLII und L12, während die gemeinsame X-Adressenmatrix 26 ihre logi-
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sehen Einbringungen von den bistabilen Multivibratoren L5 bis L8 erhält. Die von einem Zeitimpulsgenerator 37 kommenden Leiter Rx und Wx führen logische Impulse, die bestimmen, ob die X-Adressenmatrix 23 einen der X-Treiber 24 für das Ablesen oder für das Schreiben auswählen soll.
Die Leiter Rx'und Wx liefern logische Impulse zum Steuern der Antriebseinrichtung der X-Treiber 24.
Die Y-Adressleiter werden in gleichartiger Weise ausgewählt, jedoch mit der Ausnahme, dass eine Y-Adressenmatrix 30 ihre logischen Einbringungen von den bistabilen Multivibratoren L9 und LI0 erhält und eine gemeinsame Y-Adressenmatrix 33 ihre logischen Einbringungen von den bistabilen Multivibratoren LI bis L4 bezieht. Die logischen Impulse auf den Leitern Ly und Wy bestimmen, ob die Y-Adressenmatrix 30 ablesen oder schreiben soll. Die Leiter Ry*undW'sind mit Y-Treiber 31 verbunden, so dass logische Impulse zum Steuern der Antriebseinrichtung geliefert werden.
Der auf von einer Uhrim- pulsquelle38 kommend Signale ansprechende Zeitimpulsgenerator 37 liefert die logischen Ablese- und Schreibeimpulse auf den Leitern Rx, Wx, Ry, usw. entsprechend dem Rechenmaschinenzeitzyklus.
Speichertwährend des Ablesezyklas der Rechenmaschine der ausgewählte Kern eine binäre Eins. wird der Kern in seinen Nullzustand geschaltet, und ein Ausgangssignal wird in einen Abtastleiter45 induziert.
Dieser Abtastleiter 45 verläuft durch jeden Kern der Speicheranordnung 21. Das eben genannte Ausgangssignal läuft dann durch einen Abtastverstärker 39 und durch ein Gatter 41, sobald dieses Gatter unter Ansprechen auf einen Impuls von einem Stroboskop-Generator 40 aus geöffnet wird. Der Stroboskop-Generator 40 gibt einen Impuls an das Gatter 41, sobald dort ein Uhrimpuls auf einem Leiter 43 und ein Ablesen-Impuls auf einem Leiter Rx zusammentreffen. Das Ausgangssignal fliesst dann durch einen Leiter 46 zum bistabilen Multivibrator FFM1, von wo aus es als echte Ausbringung auf Leiter my und als unechte Ausbringung auf Leiter M'erscheint. Die beiden letztgenannten Leiter führen zum Rechenmaschi- nen-Schaltnetz.
Speichert der ausgewählte Kern eine binäre Null, so erscheint kein Signal auf dem Abtastleiter 45 und M,' verbleibt im echten Zustand. Dieser Zustand ist das Ergebnis der Nullstellungs-Proposition, welche noch vor dem Ablesen-Arbeitsgang durch ein Gatter 51 eingegeben wird.
Während des Schreiben-Arbeitsganges der Rechenmaschine wird, sobald Mals das Ergebnis del Ablesung einer Eins im unechten Zustand ist, ein Gatter 56 geschlossen und dadurch verhindert, dass ein Schreiben-Impuls Wx'in einen Gegentreiber 57 fliesst. Somit wird der Gegentreiber 57 daran gehindert, einen Gegenimpuls durch einen Gegenleiter 58 zu geben, welcher durch alle Kerne der Speicheranordnung 21 führt. Deshalb können die Impulse, welche durch die X-und Y-Antriebsleiter mittels der X-und Y-Antriebseinrichtung gegeben werden, eine Eins in dem ausgewählten Kern einstellen. Es sei hier eingefügt, dass diese Stromimpulse jeweils eine Amplitude aufweisen, die halb so gross ist als die zum Schalten eines Kernes von einem Zustand in den andern erforderliche Amplitude.
Diese Impulse werden im Folgenden mit Halbimpulse bezeichnet. Ist M* infolge des Ablesens einer Null aus dem Speicher im echten Zustand, so ist das Gatter 56 offen, und ein Schreiben-Impuls Wx'kann in den Gegentreiber 57während des Schreiben-Arbeitsganges der Rechenmaschine fliessen. Somit wird ein Gegenimpuls durch den Gegenleiter 58 gegeben, der das Einstellen einer "Eins" durch die Antriebsimpulse verhindert. die über die X- uitd Y-Antriebsleiter zu dem ausgewählten Kern laufen. Es ist zu beachten, dass eine neu in die Speicheranordnung 21 einzuschreibende Information in Gestalt einer Null oder einer Eins in den bistabilen Multivibrator FFM1 über Eingangsleiter 53 bzw. 54 eingegeben werden kann.
Die Fig. 2 zeigt ein Wirkschaltbild der magnetischen Speichereinrichtung 21 der Fig. 1.
Diese rechteckige Anordnung enthält 900 Kerne, z. B. einen Kern 85, u. zw. befinden sich jeweils 30 Kerne in der X- und in der Y-Richtung. Zum Auswählen in der X-Richtung werden die Antriebsleiter,
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wodurch eine entsprechende Gruppe für das Ablesen oder für das Schreiben gewählt wird. Der X-AblesenAdressleiter der Gruppe 1 führt zur Kathode einer Diode 69, deren Anode mit dem Antriebsleiter 61 verbunden ist. Der X-Schreiben-Adressleiter für Gruppe 1 ist mit der Kathode einer Diode 68 verbunden, deren Anode, gleichfalls mit dem Antriebsleiter 61 in Verbindung steht. Sämtliche zehn dieser Gruppe von Diodenverbindungen zugeordneten Antriebsleiter sind in gleicher Weise an die Ablesen- und SchreibenAdressleiter für Gruppe 1 angeschlossen, ebenso die übrigen zwei Gruppen von Diodenverbindungen 2 und 3.
Bekanntlich ist es die Aufgabe dieser Diodenverbindungen, einen Stromfluss durch die gemeinsamen Verbindungen der Antriebsleiter und durch nichtausgewählte Antriebsleiter zu verhindern.
Am entgegengesetzten Ende, d. h. an dem der Ablesen- und Schreiben-Adressleiter gegenüberliegenden Ende der Anordnung, befinden sich die gemeinsamen Adressleiter für Reihen 1-10, welche sowohl für
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das Ablesen als auch für das Schreiben gemeinsam sind und jeweils mit drei AntriebsleiteII1 in Verbindung stehen, u. zw. mit einem aus jeder der drei Gruppen. Durch das Auswählen eines dieser gemeinsamen Adressleiter wird gleichzeitig ein entsprechender Antriebsleiter, in jeder der drei Gruppen an dem Able- gen-und Schreiben-Auswahl-Ende der Einrichtung ausgewählt. Demgemäss wird die Auswahl eines Ablesen-oder Schreiben-Adressleiters, z.
B. für Gruppe l, sowie eines solchen aus den zehn gemeinsamen
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B.Halbimpuls zum Ablesen oder zum Schreiben durchfliessen kann. Das Auswählsystem für die Y-Antriebsleiter, welche in Spalten angeordnet sind, erfolgt grundsätzlich auf dl. : gleiche Art.
Es sei hier bemerkt, dass die Fig. 1 der Einfachheit halber nur die Kernanordnung 21 zeigt, und dass ein vollständiges Speichersystem sich aus mehreren solchen Anordnungen zusammensetzt, wobei die Antriebsleiter durch eine jede der hintereinanderliegenden Anordnungen hindurchgehen. Die Auswahl eines einzelnen Kerns in der Speicheranordnung 21 wählt somit, wie bereits bekannt, einen gleichartig untergebrachten Kern in sämtlichen Anordnungen aus. Es ist aber eine getrennte Ablesen- und Schreiben-Anordnung mit einem Abtastleiter und einem Gegenleiter für eine jede Anordnung vorgesehen.
Fig. 3 zeigt ein Schema der X-Adressenmatrix 23 sowie der X-Treiber 24 der Fig. 1.
Die auf. die logischen Ausbringungen der bistabilen Multivibratoren Lll und L12 sowie des Zeitimpuls-Generators 37 der Fig. 1 ansprechende Adressen-Matrix 23 wählt einen Treiber aus, der die Verbindung mit einem der Ablesen- oder Schreiben-Adressleiter für Gruppen l, 2 oder 3 herstellt, so dass ein Halbimpuls durchfliessen kann. Es ist zu beachten, dass die zwei logischen, von diesem Speichersystem verwendeten Spannungsniveaus Null Volt für ein echtes Signal und -8 V für ein unechtes Signal sind. Eine besondere binäre Entschlüsselungseinrichtung wird für das Ablesen und das Schreiben in der Adressen-Matrix 23 verwendet. Für das Ablesen erfolgt die Auswahl von Treibern 93, 94 oder 95 durch n-p-n-Typ Tramisioren 38-91.
Der Emitter des Transistors 86 ist mit einem -8V Pol 102, und seine Basis ist mit dem logischen Leiter Rx verbunden, während sein Kollektor an die Emitter der Transistoren 87 und 88 angeschlossen ist. Die Basis des Transistors 87 ist mit dem logischen Leiter L12 und dessen Kollektor mit dem Emitter des Transistors 91 verbunden, während die Basis des Transistors 88 an einen logischen Leiter L12' und der Kollektor dieses Transistors 88 an die Emitter der Transistoren 89 und 90 angeschlossen ist. Die Basis des Transistors 91 ist mit dem logischen Leiter Lu'und der Kollektor mit der Basis des Treibertransistors 95 verbunden.
Die Basis des Transistors 90 ist mit dem logischen Leiter Lu und der Kollektor mit der Basis des Treibers 94 verbunden, während die Basis des Transistors 89 an den logischen Leiter Lu' und dessen Kollektor an die Basis des Treibertransistors 93 angeschlossen ist. Der Transistor 86 wird leitend, sobald Rx hohe Spannung aufweist oder im echten Zustand ist, während die Transistoren 87-91 leiten, sobald deren Basen echte Signale von den Ausgängen der bistabilden Multivibratoren L11 und L12 zugeführt werden. Für die Treiber 93,94 und 95, wurden Transbcorel1 ues p-n-p-Typs gewählt, da bei diesen der Strom vom Emitter-zum Kollektor fliesst, sobald die an die Basis angelegte Spannung niedrig ist und der Strom von der Basis aus zum einen Pol 102 fliesst.
Die Kollchoren der Treiber 93, 94 und 95 sind mit den Ablesen-Adressenleitern für die Gruppen'1, 2 bzw. 3 verbunden.,
Als Beispiel für die Arbeitsweise der Ablesen-Adressen-Matrix sei folgendes angegeben. Der Treiber 93 leitet nur dann, wenn die Kombination der Transistoren 86, 88 und 89 einen Basisstrom von der Basis des Treibers 93 aus an den Pol 102 als das Ergebnis dessen leiten, dass die logischen Leiter R, L.,' und Lu'in den echten Zustand gebracht wurden. Der Treiber 93 gibt dann einen Stromimpuls von einem +12 V Pol 100 aus über einen Leiter 97 in den Ablesen-Auswählleiter für Gruppe 1 der Speicheranordnung der Fig. 2.
Den Treibern 93,94 und 95 ist ein Transistor des n-p-n Typs als"Scheintreiber"oder"Hilfstrei- ber" 92 zugeordnet, dessen Kollektor an den Leiter 97 an einem Verbindungspunkt 81 über einen Widerstand 96, und dessen Emitter an einen-4 V Pol 101 angeschlossen ist. Der Leiter 97 stellt die Verbindung vom Kollektor des Hilfstreibers 92 und von denEmittern der Treiber 93, 94 und 95 zu einem +12 V Pol 100 über eine Induktanz 98 und einen strombegrenzenden Widerstand 99 her. Die Basis des Hilfstreibers 92 ist mit dem logischen Leiter Rx t verbunden.
Für den Zweck des Schreibens erfolgt die Auswahl eines Treibers durch Transistoren 105-110. die sämtlich zum p-n-p Typ gehören. Der Emitter des Transistors 103 ist bei 117 geerdet, während seine Ba- sis an den Leiter W, und sein Kollektor an dieEmitter derTransisror > n 106 und 107 angeschlossen ist. Die Basis des Transistors 106 ist an den logischen Leiter L12'und sdn Kollektor an den Emitter des Transistors 110 angeschlossen, während die Basis des Transistors 107 mit dem logischen Leiter L12 und dessen Kollektor mit den Emittern der Transistoren 108 und 109 verbunden ist.
Die B. asis des Transistors 110 ist mit dem logischen Leiter Lu und dessen Kollektor mit der Basis eines Treibertransistors 114 verbunden.
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Die Basis des Transistors 109 ist am logischen Leiter Lu'und der Kollektor desselben an der Basis eines Treibertransistors 113 angeschlossen, während die Basis des Transistors 108 mit der Basis eines Treibertransistors 112 verbunden ist. Der Transistor 105 leitet, sobald ein unechter Impuls auf dem logischen Leiter Wx erscheint, und die Transistoren 106-110 leiten, sobald ihren Basen der unechte oder niedrige Signale von den bistabilen Multivibratoren Lu und L12 her zugeführt werden.
In den "Schreiben" -Treibern 112, 113 und 114, welche Transistoren des n. -p-n0 Typs sind, fliesst Strom von Kollektoren zu den Emittern, sobald ein Stromfluss vom Erdungspunkt 117 aus über ihre Basen zu der niedrigen Spannung eines mit ihren Emittern verbundenen Pols 118 ermöglicht wird. Die Kollektoren der Treiber 112, 113 und 114 sind mit dem Schreiben-Adressen-Leiter für die Gruppen 1, 2 bzw. 3 verbunden.
Als ein Beispiel der Arbeitsweise dieser Schreiben-Adressen-Matrix mag folgendes dienen : Es fliesst nur dann Strom vom Erdungspunkt 117 zur Basis des Treibers 112, wenn die Transistoren 105,107 und : 08 unter dem Ansprechen auf niedrige oder unechte Signale auf den logischen Leitern Wx'L12 bzw. L31 leiten. Somit fliesst ein Stromimpuls durch den Schreiben-Adressen-Leiter der Gruppe 1 der Speicheranordnung der Fig. 2 über den ausgewählten Treiber 112 und über den Leiter 119 zum -20 V Pol 118.
Der Emitter des Schreiben-Hilfstreibers 115, welcher ein Transistor des p-n-p Typs ist, ist mit dem - 4 V PolJ 01 und sein Kollektor ist mit dem Leiter 119 an einem Verbindungspunkt 128 über einen Widerstand 124 verbunden. Der Leiter 119 stellt die Verbindung vom Kollektor des Hilfs-Treibers 115 und von den Emittern der Treiber 112, 113 aus zum-20 V Pol 118 über eine Induktanz 120 und einen strombegrenzenden Widerstand 121 her. Der logische Leiter Wx'ist mit der Basis des Hilfstreibers 115 verbunden.
Es ist zu beachten, dass die mit den Ablesen-Treibern 93,94 und 95 verbundenen Transistoren der Adressen-Matrix 23 dem n-p-n Typ angehören, während die mit den Schreiben-Treibern 112,113 und 114 verbundenen Transistoren dem p-n-p Typ angehören.
Dies ist deshalb erforderlich, weil die Basen sämtlicher Treiber mit den Kollektoren der AdressenTransistoren verbunden sein müssen, damit nicht ausgewählte Treiber wirksam abgeschaltet werden, wie es nachstehend beschrieben wird. Damit nun die Auswahl der Gruppen, welche durch die Ausbringungen der bistabilen Multivibratoren Lll und L12 durchgeführt wird, für das Ablesen bzw. Schreiben immer zur selben Zeit erfolgt, ist der eine bistabile Multivibrator-Ausgang mit den Transistoren der Ablesen-Matrix und der andere Ausgang mit dem entsprechenden Transistor der Schreiben-Adressen-Matrix verbunden Die Bestimmung darüber, ob abgelesen oder geschrieben werden soll, erfolgt durch die Transistoren 86 und 105.
Die Basis eines jeden p-n-p'Transistors der X-Adressen-Matrix 23, also z. B. Transistor 105, ist über eine Parallelschaltung aus einem strombegrenzenden Widerstand 127 und einem parallelen Kondensator 126 mit ihrer Signalquelle verbunden, wodurch die hochfrequenten Komponenten des logischen Signals angehoben werden, so dass der Verstärkungsäbfall des Transistors bei höheren Frequenzen wieder ausgeglichen wird. Ein +20 V Pol ist über einen Widerstand 125 mit dem logischen Leiter Wxandem Verbindungspunkt des strombegrenzenden Widerstandes 127 und der Basis des Transistors 105 verbunden.
Diese Einrichtung verhindert jeglichen Stromfluss durch nicht ausgewählte Transistoren, weil, wenn das 1') - gische Signal auf Leiter Wx hohe Spannung oder 0 V Spannung führt, Strom von dem +20 V Pol durch den den Widerstand 125 und den strombegrenzenden Widerstand 127 aufweisenden Spannungsteiler fliesst.
Dadurch wird eine Spannung von +5 V der Basis des Transistors aufgedrückt. Ist der logische Leiter Wx unecht (-8 V), und leitet der Transistor 105, dann verhindert der Spannungsteiler, dass die Spannung an der Basis des Transistors 105 über-l V ansteigt, und ermöglicht dadurch, dass ein Basistrom fliessen. kann.
Die Basis eines jeden n-p-n Transistors der X-Adressen-Matrix 23, z. B. Transistor 86, ist mit seiner logischen Quelle über eine Parallelschaltung aus einem strombegrenzendenWidcrstand77 und einem Kondensator 79 verbunden. Ein-50 V Pol ist über einen Widerstand 78 mit dem logischen Leiter Rx an dem Verbindungspunkt des Widerstandes 77 und der Basis des Transistors 86 verbunden. Diese Einrichtung arbeitet ebenso wie die p-n-p Einrichtung, so dass die Basis bei-8, 5 V festgehalten wird, sobald der Transistor 86 in den nichtleitenden Zustand versetzt und dadurch jeglicher unerwünschter Stromfluss vom Kollektor zum Emitter verhindert wird.
Es wird nunmehr Fig. 4 beschrieben, welche ein Schaltschema der gemeinsamen X-Adressen-Matrix 26 und der symmetrischen X-Treiber 25 der Fig. 1 darstellt.
Damit Stromimpulse durch die gemeinsamen Adressenleiter, welche die Verbindung zu der Kernanordnung der Fig. 3, z. B. dem gemeinsamen Adressenleiter der Gruppe 1, herstellen, fliessen können, erfolgt 0die Auswahl durch eine Transistor-Adressen-Matrix 26D welche einen Treiber, z. B. einen symmetrischen Treiber 180, auswählt. Diese Adress-Matrix spricht auf die logischen Ausbringungen der SpeicherMultivibratoren Lg-Lg an.
Die Adress-Matnx 26 weist zehn logische Transistoren 192-201, nämlich die Transistoren 192, 194,
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196,198 und 200 auf, deren Basen mit dem logischen Leiter L5 verbunden0 sind 0 während die Basen der ändern fünf Transistoren mit dem logischen Leiter L5'verbunde ! ! sind. Die Kollektoren der Transistcren 131,144, 145,146 bzw. 147 sind mit den beiden Emittern von jeweils zwei benachbarten Transistoren 192 und 193,194 und 195, usw. aus den Transistoren 192-201 verbunden.
Die Basen der Transistoren 131,145 und 147 sind mit dem logischen Leiter L6 und die Basen der Transistoren 144 und 146 sind mit dem logischen Leiter L6'verbunden. Die Kollektoren der Transistoren 132 bzw. 150 sind mit den gemeinsamen Emittern der Kombination der Transistoren 131 und 144 bzw. der Kombination der Transistoren 145 und 146 verbunden. Die Basis des Transistors 132 ist mit dem logischen Leiter L7 und die Basis des Transistors 150 ist mit dem logischen Leiter L-'verbunden. Die Emitter dieser zwei Transistoren sind gemeinsam an den Kollektor eines Transistors 133 angeschlossen, dessen Basis mit dem logischen Leiter L8 verbunden und dessen Emitter bei 141 geerdet ist.
Der Emitter des Transistors 147 ist mit dem Kollektor eines Transistor 148 verbunden, dessen Basis wiederum am logischen Leiter L6 angeschlossen ist. Der Emitter des Transistors 148 ist mit dem Kollektor eines Transistors 149 verbunden. während die Basis des
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: 9erdet, während seine Basis mit dem logischen Leiter 'verbunden ist.
Särrtliche logischen Transistoren der gemeinsamen Adressen-Matrix 26 gehören dem p-n-p Typ ar. und werden leitend, sobald ihre Basen ein unechtes oder niedriges Signal empfangen. Die Kollektoren der zehn logischen Transistoren 192-201 sind mit dem Basen der zehn symmetrischen Treiber 180 bzw. 189 verbunden, welche leitend sind, sobald an ihre Basen Strom vom Erdungspunkt 141 aus fliessen kann. Diese symmetrischen Treiber sind Transistoren des n-p-n Typs, deren symmetrische Eigenschaften es zulas-
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der Potentialdifferenz fliessen kann. So fliesst z. B. ein Strom durch den symmetrischen Treiber 180 vom Verbindungspunkt139 zum Verbindungspunkt 140 oder umgekehrt, je nach Richtung der Potentialdifferenz zwischen dem gemeinsamen Adressleiter der Zeile 1 und dem-4 V Pol 101.
Als Beispiel der Arbeitsweise dieser gemeinsamen Adressen-Matrix sei nachstehendes aufgeführt. Zur Basis des symmetrischen Treibers 180 fliesst Strom vom Erdungspunkt] 41 aus nur dann, wenn den Basen der Transistoren 192, 131,132 und 133 ein unechtes Signal von den logischen Leitern Lg, Lg, L . bzw. L aus zugeführt wird. Dies hat zur Folge, dass ein Stromimpuls von der Verbindung 139 zu 140 oder von der Verbindung 140 zu 139 fliesst.
Die mit den logischen Leitern L, g, Lg, Lg'usw. verbundene +20 V Spannung verhindert das Fliessen jedweden Stroms durch die Adressen-Transistoren, sobald deren Basen ein echter Impuls zugeführt wird, wie es bereits im Zusammenhang mit den Transistoren der X-Adressen-Matrix 23 beschrieben wurde.
Es werden nunmehr die Fig. 2,3 urd 4 beschrieben, die die Arbeitsweise dieses Auswahl-und Antriebssystems erläutern. Das Ablesen oder das Schreiben findet statt, sobald der Rechenmaschinen-Zeit-
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dass dereinem jeden Ablesen -Schreiben-Zyklus voraus und bleibt während des Zyklus unverändert, während welchem die Ablesen- und Schreibenimpulse bestimmen, ob abgelesen oder geschrieben werden soll. Demgemäss wird während des Ablesens der Leiter RA in den echten Zustand gebracht und ein Stromimpuls wird von dem +12 V Pol 100 aus durch den beispielsweise von der X-Adressen-Matrix 23 aus gewählten Trei-
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der Kernanordnung ausgesandt.
Der Impuls fliesst dann durch den Antriebsleiter 61, durch den gemeinsamen Adressen-Leiter der Zeile 1 und durch den symmetrischen Treiber, z.B. 180, der durch die gemeinsame Adressen-Matrix der Fig. 5 ausgewählt wurde, zu dem-4 V Pol 101. Während des Schreibens geht der Leiter Wx in den unechten Zustand über, und ein Stromimpuls fliesst vom -4 V Pol 101 durch einen symmetrischen Treiber, z. B. 180, der durch die gemeinsame X-Adressen-l\. 1atrix 26 ausgewählt wurde, weiter durch den Adressenleiter der Zeile 1 und durch den Antnebsleiter, z. B. Leiter 61 der Kernanordnung. Der Impuls läuft dann weiter durch den Adressenleiter der Zeile 1 zu dem Treiber, beispielsweise 112, der durch die X-Adressen-Matrix 23 ausgewählt wurde, und schliesslich zum-20 V Pol 118.
Somit läuft der Stromimpuls durch den ausgewählten Antriebsleiter, z. B. 61, der Anordnung in der einen Richtung während des Ablesens und in der entgegengesetzten Richtung während des Schreibens. Die Anwendung symmetrischer Transistoren für Treiber, z. B. 180, gestattet die Verwendung der gleichen Treiber, sowohl für das Ablesen als auch für das Schreiben, wodurch Bauteile eingespart werden.
Die Dioden der Gruppen l, 2 und 3 der'Fig. 2 verhindern einen Stromfluss durch die nicht ausgewählten Antriebsleiter der Anordnung. Beispielsweise fliesst "während des Ablesens Strom vom Ablesen-Adressleiter der Gruppe 1 aus durch Diode 69 über den Antriebsleiter 61 zu dem gemeinsamen Adressleiter der Zeile 1 aus durch einen X-Antriebsleiter 62 zur Diode 70. Wenn diese Dioden, z. B. Diode 70, nicht vor-
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handen wären, dann würde Strom vom Antriebsleiter 62 aus durch einen Antriebsleiter 63, durch einen Antriebsleiter 64, sowie durch einen Antriebsleiter 73 in den gemeinsamen Adressleiter der Zeile 1 zurückfliessen. Da die Dioden, z. B.
Diode 70, sowohl zwischen die Ablesen- und Antriebsleiter, als auch zwischen die Schreiben- und Antriebsleiter entsprechend geschaltet sind, verhindern sie einen Stromfluss durch nichtausgewählte Antriebsleiter.
Die Fig. 5 zeigt ein Schaubild der Wellenformen, die in der erfindungsgemässen Antriebseinrichtung auftreten. Bei der Auswähl- und Antriebseinrichtung der vorliegenden Erfindung fliessen die Halbimpulse durch die X-und Y-Antriebsleiter während des Ablesens, wie es aus Wellenformen 155 bzw. 158 ersichtlich ist, sowie durch die X- und Y-Antriebsleiter während des Schreibens, wie es aus Wellenformen 170 bzw. 166 zu erkennen ist. Diese Schreibimpuke sind gegenüber den Leseimpulsen umgekehrt dargestellt, womit angedeutet wird, dass hier jeweils der Strom in einander entgegengesetzten Richtungen durch die Antriebsleiter fliesst.
Während des Ablesens tritt der Halbimpuls in den X-Antriebsleitern zum Zeitpunkt tl und in den YAntriebsleitern zum Zeitpunkt t2 auf. Wie bereits bekannt, wird durch diese zeitliche Verzögerung erreicht, dass das durch eine Wellenform 178 angedeutete, von den nichtausgewählten Kernen durch die der X-Antriebsleiter führt, kommende Störsignal seinen Maximalwert erreicht und bereits abgeklungen ist, bevor noch die 0 ausgewählten Kerne anfangen, ihren magnetischen Zustand zum Zeitpunkt t zu ändern.
Somit geht dieses Störsignal, durch die X-Antriebsleiter erzeugt, in das abzulesende Ausgangssignal nur mit einem vernachlässigbaren Betrag ein.
Während des Schreibens treten der Halbimpuls des X-Antriebsleiters, wie durch Wellenform 170 an- gedeutet, rowie der Halbimpuls des Gegentreibers, wie durch eine Wellenform 179 angedeutet, zum Zeitpunkt t4 auf, wogegen der Halbimpuls in den Y-Antriebsleitern zum Zeitpunkt t. erscheint, wie es durch Wellenform 166 angedeutet wird. Wie es bereits bekannt ist, wird diese zeitliche Verzögerung erreicht, dass der Gegenimpuls auf konstante Impulshöhe ansteigt, bevor noch der zweite Halbimpuls durch einen ausgewählten Kern fliesst. Jeder Halbimpuls der Wellenformen 155,158, 170 und 166 weist eine Amplitude von i/2 auf, welche beispielsweise einem Wert von 200 mA für die Kerne dieses Ausführungsbei - spiels hat.
Werden jedoch niedrige Antriebsspannungen bei den Transistor-Antriebseinrichtungen verwendet, so haben diese Halbimpulse normalerweise eine Gestalt, wie sie durch Wellenformen 157,169, 171 bzw. 175 angedeutet ist. Die lange Anstiegszeit der Wellenformen 157 und 169 sowie die lange Abfallzeit der Wellenform 171 und 175 wird durch die lineare Induktanz der Antriebsleiter der Kerne, durch welche die Leiter hindurchgehen, bewirkt.
Wegen der durch Zustandsänderung der Kerne erzeugten Gegen-EMK erreicht die Amplitude der Impulse in diesem Fall nicht während der ganzen Impulsdauer den Betrag i/2. Es ist zu beachten, dass eine lange Anstiegszeit und eine Veränderung der Impulshöhe des Halbimpulses auch durch das Einbringen von Strom in nichtausgewählte Treiber bewirkt werden kann, wie es nachstehend noch beschrieben wird. Beispielsweise ist die Gegen-EMK in den Antirebsleitern als das Ergebnis der Zustandsänderung eines oder mehrerer Kerne unter dem Ansprechen auf Antriebsimpulse 155 und 158 oder auf Antriebsimpulse 170 und 166 dem Ausgangssignal der Wellenformen 164 bzw. 174 gleichartig.
Die Gegen-EMK, die in den Antriebsleitern als das Ergebnis der Zustandsänderung eines oder mehrerer nichtausgewählter Kerneunter dem Ansprechen auf Halbimpulse der Wellenform 155 oder 158 erzeugt wird, ist den Störspannungen der Wellenform 178 bzw. 167 gleichartig.
Wird während des Ablesens ein Kern in seinen entgegengesetzten magnetischen Zustand versetzt, dann erscheint ein Ausgangssignal auf dem Abtastleiter 45 (Fig. 1), wie durch die Wellenform 164 angedeutet, falls die Form der Halbimpulse, wie durch die Wellenformen 155 und 158 gezeigt wird, beibehalten wird. Haben jedoch die Halbimpulse die lange Anstiegszeit und die niedrige Amplitude der Wellenformen 157 und 169, dann hat auch das Ausgangssignal eine niedrige Amplitude, wie es durch eine Wellenform 165 angedeutet wird. Der Scheitelwert des Ausgangssignals wird zu dem Zeitpunkt erreicht, zu welchem die grösste Flussänderung im Magnetkernmaterial auftritt. Somit wird zu diesem Zeitpunkt die grösste Gegen-EMK in den Antriebsleiter induziert und die niedrigste Amplitude der Halbimpulse der Wellenformen 157 und 169 tritt auf.
Wie bereits beschrieben, wird in einem vollständigen Speichersystem jeweils ein Kern in einer jeden der Anordnungen, welche dieses System bilden, gleichzeitig ausgewählt. Speichert also eine grosse Anzahl der durch einen Antriebsleiter ausgewählten Kerne eine binäre "Eins". was eine starke Gegen-EMK zur Folge hat, dann wird eine längere Zeit zum Verändern des Zustandes der Kerne benötigt, als wenn keiner der Kerne eine binäre"Eins"speichern würde. Als Beispiel für diese Zeitverzögerung mag folgendes dienen : Die Spitze des Ausgangssignals, wie durch Wellenform 165 angedeu-
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tet, tritt um die Zeitdifferenz A t später auf, wenn die Rechteckform der Antriebsimpulse in obiger Weise verändert wird.
Der Zeitpunkt, an welchem der Scheitelwert des Ausgangsimpulses auftritt, hängt von der Anzahl der ihren Zustand ändernden Kerne ab. Wird die Zeitdifferenz A t zu gross, so kann es gesche- hen, dass das Ausgangssignal nicht mehr imstande ist-, den Speicher-Flip-Flop-Kreis zu triggern, da durch den Stroboskop-Generator 40 der Fig. 1 nicht mehr der Scheitelwert des Ausgansimpulses ausgewählt wird.
Auf dem Abtastleiter 45 (Fig. 1) erscheinen weiterhin Störspannungen, die durch nicht ausgewählte Kerne beim Durchlaufen der Wellenformen 155 und 158 erzeugt werden, wie durch die Wellenformen 167 und 178 gezeigt wird. Die lange Anstiegszeit und die niedrige Amplitude der Wellenformen 157 und 169 bewirken jedoch, dass die Störsignale über einen längeren Zeitraum hinweg auftreten, wie es o is Wellenformen 190 bzw. 168 erkenntlich ist. Dadurch wird unter Umständen ei. 1 unerwünschtes Kippen des bistabilen Multivibrators verursacht werden.
Es ist zu beachten, dass der Abtastleiter in üblicher Weise in entgegengesetzten Richtungen durch aneinandergrenzende Zeilen von Kernen hindurch gewickelt wird, so dass Störsignale der nichtausgewählten Kerne zum Teil kompensiert werden. Es erscheinen jedoch noch immer am Ausgang des Abtastleiters wegen der Streuungen der magnetischen Daten der Kerne Störspanmngell. Auf Grund diesem Wickelverfahrens des Abtastleiters können die Störspannungen am Ausgang, wie durch Wellenformen 167 und 168 an-
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mit dem den Wellenfollnen 164 und 165 entgegengesetzten Voizeichen erscheinen.
Haben also die Störspannung der Wellenform 168 und das Ausgangssignal der Wellenform 165 verschiedene Vorseichen, Ro subtrahieren sich die Amplituden der beiden Signale. Dadurch wird der Scheitelwertdes Ausgangrsignals verkleinert, so dass die Wahrscheinlichkeit erhöht wird, dass das Kippen de Spelcher-Multivibratois nicht erfolgt. Ein weiterer Nachteil der Halbimpulse mit den Wellenformen 157 und 169 liegt darin, dass die Kerne eine längere Zeit zum Erreichen eines stabilen Zustandes brauchen, als bei Anwendung der Impulse der Wellenformen 155 und 158. Dies ist aus dem Ausgangssignal der Wellenform 165, das eine lange Abfallzeit aufweist, zu erkennen. Dieser Zustand macht es erforderlich, dass die Halbimpulse zu einem
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t3ist.
Während des Schreibens erzeugen bei der erfindungsgemässen Auswähl- und Antriebseinrichtung die
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der Wellenform 176. Die üblichen Halbimpulse der Wellenformen 171 und 175 erzeugen aber ein Ausgangssignal einer Wellenform 173 und eine Störspannung einer Wellenform 177. Das Ausgangssignal der Wellenform 174 hat eine kurze Anstiegszeit. was anzeigt, dass das Schreiben in einem kürzeren Zeitraum durchführbar ist, als es mit dem Ausgangssignal der Wellenform 173 der Fall wäre.
Es ist zu beachten, dass die Amplitude der Halbimpulse der Wellenformen 155, 158, 170 und 166
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lenformen 164 und 174 erzeugt werden.
Es wird nunmehr auf die Fig. 3 und 5 zwecks weiterer Beschreibung der Arbeitsweise der Antriebsschaltkreis-Einrichtung Bezug genommen. Es wird nur die Antriebseinrichtung für die X-Antriebsleiter beschrieben, da die Antriebseinrichtung für die Y-Antriebsleiter analog arbeitet. Der Stromimpuls, der durch den ausgewählten Able-en-Treiber 93,94 oder 95 hindurchgeht, fliesst vom Pol 100 aus überden Widerstand 99 und über eine Induktanz 98 zu dem ausgewählten Treiber.
Der Hilfstreiber 92 hat die Aufgabe, einen Stromfluss über den Widerstand 99 und die Induktanz 98 aufrechtzuerhalten, wenn keiner der
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und der Lester rain den unechten Zustand über, so dass zu diesem Zeitpunkt es dem Ablesen-Treiber 93, 94 oder 95, der durch die Flip-Flops zu Beginn des Ablesen-Schreiben-Zyklus ausgewählt worden war, ermöglicht wird, einen Stromimpuls entsprechend der Wellenform 155 abzugeben, während der Hilfstreiber 9, wie durch Wellenform 156 dargestellt, nichtleitend gemacht wird.
Im allgemeinen würde bei Verwendung einer niedrigen Antriebsspannung der Stromimpuls, der durch einen ausgewählten Leiter der Kerne fliesst, eine lange Anstiegszeit und eine niedrige Amplitude haben, wie es bereits beschrieben wurde. Wird jedoch der Stromfluss über den Hilfstreiber 92 unterbrochen und über einen ausgewählten Treiber erneut zustandegebracht, so bewirkt der dabei in der Induktanz 98 ent-
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stehende Spannungsstoss eine Kompensation der durch die lineare Induktanz der Leiter und der Kerne verursachten Gegen-EMK sowie der durch Kernzustandsänderungen erzeugten Gegen-EMK, so dass die erwünschte Rechteckform der Halbimpulse erhalten bleibt.
Der Betrag des Widerstandes 96 ist gleich dem Betrag einer Impedanz, die einen Mittelwert aus der Impedanz der Treiberleiter, die dann vorhanden ist, wenn kein Kern seinen Zustand ändert, und aus der Impedanz darstellt, die dann vorhanden ist, wenn viele Kerne eine Zustandsänderung erfahren, so dass die erwünschte Amplitude i/2 des Stromes (Wellenform 156) über den Hilfstreiber 92 in erster Annäherung beibehalten wird. Demgemäss erfolgt nur eine sehr kleine Änderung des Stromflusses über die Induktanz 98, wenn ein Umschalten von dem X-Hilfstreiber zu dem ausgewählten Treiber erfolgt. Es sei darauf hingewiesen, dass der Stromimpuls durch den Y-Scheintreiber (nicht gezeigt) eine Wellenform 202 aufweist.
Ein Widerstand 99, der im Vergleich zu der Impedanzänderung der Antriebsleiter gross ist, verringert die Schwankungen der Strom-Amplitude, die durch kleine Änderungen der Impedanz in den Antriebsleitern verursacht werden, solange diese innerhalb eines Bereiches liegen, der noch durch die Induktanz 98 ausgeregelt werden kann. Ein weiterer Vorteil dieses Stromkreises liegt darin, dass der scharfe Spannungsanstieg am Verbindungspunkt 81, der durch die Induktanz 98 verursacht wird, dazu dient, die relativ lange Ansprechzeit der Transistoren zu verkürzen. Der scharfe Spannungsanstieg am Emitter des ausgewählten Treibers, z. B. 93, zwingt den Basisstrom, durch diesen Treiber zu fliessen, was eine schnelle Formierung und damit eine kurze Anstiegszeit des Emitter-KoUektor-Stromimpulses zur Folge hat.
Es sei darauf hingewiesen, dass eine Verkürzung der Impulsdauer der Halbimpulse nur durch den Amplitudenbetrag des Spannungsstosses der Induktanz 98. den die Transistoren noch ohne Überschreitung ihrer zulässigen Belastung ertragen können und durch die Abfallzeit des über den Hilfstreiber fliessenden Stromimpulses begrenzt wird. Der Kondensator 29 in dem Basisleiter des Hilfstreibers 92 verringert indessen die Abfallzeitdes durch diesen Transistor fliessendenimpulses. sodass derHalbimpuls eine kurze Anstiegszeit erreichen kann. Weiterhin bestimmt die Spannung am Pol 100 die Erholungszeit des induktiven Feldes der
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einem jeden Ablesenteil des Zyklus ein zeitlicher Zwischenraum vor dem Schreibenteil, wodurch genügend Erholungszeit für die Induktanz 9 8 vorhanden ist.
Diese Antriebsstromkreis-Einrichtung verringert somit wesentlich die relativ lange Ansprechzeit der Transistoren und hebt den Einfluss der linearen Induktanz der Antriebsleiter und der in diesen Leitern induzierten Gegen-EMK auf, so dass, in Verbindung mit der in diesen Erfindungen verwendeten Einrichtung zum Verhindern eines Stromflusses durch nicht ausgegewählte Leiter, ein Halbimpuls, der eine schnelle Anstiegszeit und eine konstante Amplitude entsprechend der Wellenform 155 aufweist, erzeugt wird.
Es ist bemerkenswert, dass diese eine Induktanz verwendende Antriebseinrichtung im Vergleich zu Rückkopplungsverstärkern einen sehr guten Frequenzgang im oberen Frequenzbereich aufweist. Der über einen ausgewählten X-Antriebsleiter laufende Halbimpulse der Wellenform 155 ergibt im Zusammenwirken mit dem über einen ausgewähltenY-Antriebsleiter laufenden Impuls der Wellenform 158 während des Ablesens ein erwünschtes Ausgangssignal der Wellenform 164 sowie ein Störsignal von kurzer Dauer entsprechend der Wellenform 16. 7.
Jedesmal, wenn kein Schreiben-Zyklus stattfindet, und wenn kein Strom durch die Schreiben-Treiber 112,113 oder 114 fliesst, dann fliesst Strom durch den Hilfstreiber 115 vom Pol 101 zum Pol 118 über Induktanz 120 und Widerstand 121. Unter dieser Bedingung ist der Leiter Wx echt und der Leiter Wx'un- echt, wie es durch den Zeitimpuls-Generator 37 der Fig. 1 festgelegt ist. Findet ein Schreiben-Zyklus statt, so wird der Leiter Wx in den unechten Zustand und der Leiter Wx'in den echten Zustand versetzt, wodurch ein Stromfluss über den Hilfstreiber 115, wie durch eine Wellenform 172 dargestellt, verhindert und ermöglicht wird, dass, wie durch Wellenform 170 angezeigt, Strom durch den Treiber 112,113 oder 114 fliesst, der durch die Adressen-Matrix zu Beginn des Ablesen-Schreiben-Zyklus ausgewählt wurde.
Die Induktanz 120 übt in dieser Anordnung die gleiche Wirkung wie die Induktanz 98 des AblesenAntriebssystems aus, so dass Strom änderungen am Punkt 128 verhindert werden. Der Widerstand 124 hat eine ähnliche Aufgabe wie der Widerstand 96 des Ablesen-Antriebssystems. Er bestimmt also den Betrag des durch den Hilfstreiber 115 fliessenden Stromes, der durch die Wellenform 204 dargestellt wird. Der Widerstand 121 dient einem gleichartigen Zweck wie der Widerstand 99. Der Stromimpuls durch den YHilfstreiber (nicht gezeigt) bei unechtem Zustand des Leiters Wx'wird durch Wellenform 204 gezeigt.
Somit. ergibt ein Halbimpuls der Wellenform 170, der über den X-Antriebsleiter läuft, in Verbindung mit dem Halbimpuls der Wellenform 166, der über den Y-Antriebsleiter läuft, ein Ausgangssignal, wie es durch Wellenform 174 angedeutet wird. Dieses Ausgangssignal wird zwar nicht weiter verwendet, es zeigt
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jedoch, dass das Schreiben innerhalb einer kurzen Zeit stattfinden kann, weil der entsprechende Kern schnell einen stabilen Zustand erreicht. Somit kompensiert d. ie erfindungsgemdsse Antriebseinrichtung die Auswirkungen der Impedanz der Antriebsleiter und der Kerne, sowie die in den Antriebsleitern durch Zustandsänderung der Kerne erzeugte Gegen-EMK, so dass trotz Verwendung von Antriebsquellen mit niedriger Spannung Halbimpulse mit zufriedenstellender Rechteckform erzeugt werden.
Dies hat eine Ersparnis an Energie zur Folge. Es wurde oben schon mehrmals erwähnt, dass bei dieser Antriebseinrichtung durch unerwünschten Stromfluss über nicht ausgewählte Treiber ebenfalls Veränderungen der Rechteckform der Halbimpulse erfolgen können. Es ist eine weitere Aufgabe der Erfindung, diesen Effekt unwirksam zu machen. Dies wird dadurch erreicht, dass die Adressenmatrix so aufgebaut ist, dass sie die nicht ausgewählten Treiber wirksam von der Stromquelle abschaltet. Als Erläuterung dafür mag folgendes dienen : Wird ein Treiber, z. B. Treiber 93, für das Ablesen ausgewählt, dann verursacht der durch die Impedanz 98 erzeugte scharfe Spannungsanstieg am Verbindungspunkt 81, dass etwas Strom durch die Treiber 94,95 fliesst, falls deren Basen nicht wirksam von einer Stromquelle abgeschaltet sind.
Diese Stromverteilung würde bewirken, dass der Halbimpuls eine unzulässig lange Anstiegszeit und Veränderungen in der Amplitude aufweisen würde. Da jedoch die Basen der Treiber 94 und 95 mit den Kollektoren der Transistoren 90 und 91 verbunden sind, deren Emitter an die Kollektoren der Transistoren 88 und 87 angeschlossen sind, wird dieser Stromweg so hochohmig. dass der oben genannte Spannungsanstieg keinen nennenswerten Strom durch die Treiber 94 und 95 treiben kann. Dies ist die Folge'dessen, dass in der Anordnung dieser Matrix eine Änderung der Kollektorspannuna eines Transistors kein Fliessen eines Basisstrom verursacht und somit auch ein Fliessen des Kollekto :-Emitter-Stroms verhindert wird.
Da nun, wie bereits beschrieben, während des Ablebens und des Schreibens der Strom jeweils in entgegengesetzten Richtungen fliesst, werden sowohl p-n-p-als auch n-p-n-Typ-Transistoren in der X-Adress-Matrix 23 benötigt, damit sämtliche Ba- sen der Treiber an die Kollektoren der Transistoren der Matrix angeschlossen werden können.
Wird nun der Treiber 93 ausgewählt und fliesst durch ihn ein Stromimpuls, so erscheint der am Emitter des Treibers 94 erscheinende Spannungsanstieg zwar auch an seiner Basis und am Kollektor des Transistors 90 ; er kal1'l aber aus obigem Grund keinen Basisstrom durch den Transistor 90 verursachen. Da kein Kollektor-Emitterstrom durch Transistor 90 fliessen kann, so kann deshalb auch kein Basisstrom durch Treiber 94 fliessen, und die Emitter-Kollektor-Strecke des nicht ausgewählten Treibers 94 bleibt nichtleitend. Da nun, sobald Treiber 93 ausgewählt wird, der Transistor 91 infolge der Anordnung der Matrix ein offenes Gatter darstellt, wird der Pfad für den Basisstrom des Treibers 95 erst am Kollektor des Transisturs 87 unterbrochen, der sich in diesem Fall im gesperrten Zustand befindet.
In gleichartiger Weise verhindern die Verbindungen der Basen der Treiber 112. 113,114 mit den Kollektoren der p-n-p Transistoren 108,109 bzw. 110, ferner die Verbindung des Emitters des Transistors 110 mit dem Kollektor des Transistors 106 sowie die Verbindung der Emitter der Transistoren 108 und 109 mit dem Kollektor des Transistors 107 einen Stromfluss während des Schreibens durch nicht ausgewählte Treiber.
Während des Schreibens erscheint der Spannungsstoss des Verbindungspunktes 128 auf den Schreiben-
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ter 74 (Fig. 2) zu den gemeinsamen Adressleitern, der Reihe 2 (Fig. 2). Von dem genannten Leiter aus läuft der Spannungsstcss bis zum Verbindungspunkt 143 des nicht ausgewählten symmetrischen Treibers 181 (Fig. 4). Dieser Spannungsstoss wurde verursachen, dass Strom durch diesen nicht ausgewählten symmetrischen Treiber fliessen würde, falls dessen Basiszuleitung nicht wirksam dadurch unterbrochen wäre, dass sie mit dem Kollektor des logischen Transistor 193 verbunden ist.
Ein dem nicht ausgewählten symmetrischen Treiber 182 auferlegter Spannungsstoss würde bewirken, dass Strom durch den Transistor 194 fliesst, welcher, wenn der symmetrische Treiber 180 ausgewählt wird, ein offenes Gatter darstellt ; der Pfad für den Basisstrom des symmetrischen Treibers 182 wird aber durch den Transistor 144 unterbrochen, der sich in diesem Fall im nichtleitenden Zustand befindet. Durch dieses Kernauswähl-und Schreibsystem wird somit verhindert, dass Strom über nicht ausgewählte Treiber fliesst, so dass die Rechteckform der Halbimpulse durch obigen Effekt nicht beeinflusst wird.
Die Y-Adressen-Matrix, die Y-Treiber 31, die symmetrischen Y - Treiber 32 und die gemeinsame YAdressen-Matrix der Fig. 1 sind nicht näher beschrieben, da sie im Prinzip genauso wie die oben beschriebenen Einrichtungen angeordnet sind.
**WARNUNG** Ende DESC Feld kannt Anfang CLMS uberlappen**.