DE1058284B - Magnetkernmatrix-Speicheranordnung mit mindestens einer Schaltkernmatrix - Google Patents

Description

In elektronischen Geräten zur Nachrichtenverarbeitung verwendet man häufig zum Speichern von binären Angaben Magnetkernmatrix-Speicheranordnungen, in denen die Magnetkerne, meist Ringkerne aus einem Ferritmaterial mit nahezu rechteckiger Hystereseschleife, in Zeilen und Spalten in Form eines Rechtecks angeordnet und mit zwei oder mehr Gruppen von Auswählwicklungen, einer Entnahmewicklung und häufig mit einer weiteren Wicklung zur Steuerung des Schreibvorganges versehen sind. Das Einschreiben und Auslesen geschieht in bekannter Weise durch Erregen je einer Auswählwicklung der zwei oder mehr Gruppen mit einem Strom solcher Amplitude, daß er allein nicht ausreicht, um den Magnetisierungszustand eines Magnetkerns wesentlich zu ändern, zusammen mit den Strömen der übrigen erregten Aus wähl wicklungen jedoch einen Magnetkern von einem Remanenzzustand in den anderen ummagnetisieren kann.

Bei Matrixspeichern kleiner und mittlerer Speicherkapazität erzeugt man die Ströme in den Auswählleitungen direkt durch Röhren- oder Transistor-Treiberstufen. Von einer gewissen Größe des Speichers ab wird dieses Verfahren unwirtschaftlich, und man verwendet vorteilhafter zum Treiben der Auswählwicklungen Schaltkernmatrizen, die ähnlich wie die Speichermatrizen aus in Zeilen und Spalten in Form eines Rechtecks angeordneten Schaltkernen bestehen, die ihrerseits erst von Röhren- oder Transistor-Treiberstufen beeinflußt werden. Diese Schaltkernmatrizen wirken also als Entschlüsseier, sie können weiterhin zur Anpassung der Impedanz der Auswählwicklungen an den Innenwiderstand der Treiberstufen dienen.

Die Auswahl eines bestimmten Schaltkernes geschieht in ähnlicher Weise wie bei den Speichermatrizen und beruht auf der Koinzidenz zweier oder mehrerer Ströme in dem ausgewählten Speicherkern. Es zeigte sich nun, daß auch die nur teilweise erregten Schaltkerne einen wenn auch kleinen Störimpuls an die an ihre Ausgangswicklungen angeschlossenen Auswählwicklungen der Speichermatrix abgeben. Weiterhin verursachen auch die gegenseitigen Kopplungen der Wicklungeen der Schaltkernmatrix Störimpulse in der Speichermatrix.

Erfindungsgemäß werden in Magnetkernmatrix-Speicheranordnungen der beschriebenen Art diese Störimpulse dadurch auf ein für ein betriebssicheres Arbeiten der Anordnung tragbares Maß verringert, daß zu Beginn eines aus Lesen und Schreiben bestehenden Arbeitsspieles zunächst alle Schaltkerne der Schaltkernmatrix mit einer langsam ansteigenden Vormagnetisierung versehen werden, die dann in einer ausgewählten Spalte zu dem Zeitpunkt abgeschaltet

Magnetkernmatrix-Speicheranordnung
mit mindestens einer Schaltkernmatrix

Anmelder:

IBM Deutschland

Internationale Büro-Maschinen

Gesellschaft m.b.H.,
Sindelfingen (Württ.), Tübinger Allee 49

Beanspruchte Priorität:
V. St. v. Amerika vom 11. Juni 1956

Erich Bloch, Poughkeepsie, N. Y. (V. St. A.),
ist als Erfinder genannt worden

wird, in dem in einer ausgewählten Zeile ein eine Durchflutung umgekehrter Polarität erzeugender Magnetisierungsstrom eingeschaltet wird.

Eine weitere Verringerung der Störeffekte wird gemäß der Erfindung dadurch erreicht, daß die Vormagnetisierung in den nicht ausgewählten Spalten der Schaltkernmatrix zu dem Zeitpunkt, in dem in einer ausgewählten Zeile ein Magnetisierungsstrom eingeschaltet wird, um einen der Amplitude des Magnetisierungsstromes gleichen Betrag erhöht wird.

Darüber hinaus lassen sich Störimpulse auf den Auswählleitungen der Speichermatrix erfindungsgemäß durch entgegengerichtete, von dem Auswählimpuls abgeleitete Ströme kompensieren. Dazu sind die Auswählleitungen des Matrixspeichers mindestens einer Koordinatenrichtung an dem Punkt, an welchem sie über Impedanzen zusammengeschaltet sind, nicht an weitere Schaltungspunkte angeschlossen, so daß ein Strom in einer der Auswählleitungen über die übrigen Auswählleitungen zurückfließt und sich dabei im wesentlichen gleichmäßig auf diese verteilt.

Im folgenden wird die Erfindung an Hand eines Ausführungsbeispiels einer dreidimensionalen Magnetkernmatrix-Speicheranordnung näher beschrieben. In den Zeichnungen ist

Fig. 1 die schematische Darstellung einer Ebene der Speicheranordung mit den dazugehörigen Treiberstufen,

Fig. 2 das Schaltbild einer Schaltkern-Treiberstufe für die Zeilenauswahl,

909 528/219

Fig. 3 das Schaltbild einer Schaltkern-Treiberstufe für die Erzeugung von Gegenimpulsen in einer Ebene der Anordnung,

Fig. 4 die Darstellung einer Schaltkernmatrix für die Spaltenauswahl,

Fig. 5 die Hystereseschleife des Materials der Magnetkerne in der Schaltkernmatrix und

Fig. 6 die Wiedergabe des Verlaufs der Einstell- und Rückstellimpulse in der Schaltkernmatrix.

Die Wicklungen auf den Magnetkernen sind, wo es erforderlich ist, an einem Ende mit einem Punkt versehen, um ihren Wickelsinn zu kennzeichnen.

In Fig. 1 ist eine der Speichermatrizen der Speicheranordnung dargestellt. Sie ist aus einer Anzahl von Speicherkernen 10 aufgebaut, welche in Zeilen und Spalten in Form eines Rechtecks angeordnet sind. Die Speicherkerne 10 sind Ringkerne aus Ferritmaterial und tragen mehrere Wicklungen, die aus je einem durch den Ringkern gesteckten Draht bestehen.

Durch jede Spalte der Speichermatrix führt eine Auswählleitung X und durch jede Zeile eine Auswahlleitung Y. Die Auswählleitungen X und Y werden von Treiberstufen erregt, welche wiederum von einer hier nicht gezeigten Adressenwählanordnung, beispielsweise von einer Matrix aus Halbleiterdioden, gesteuert werden.

Die Auswählleitungen X sind mit einem Ende über die Widerstände 16 an die Leitung 15 und mit dem anderen Ende an die Schaltkernmatrix 20 angeschlossen. Im Gegensatz zu den bekannten derartigen An-Ordnungen ist hier die Leitung 15 nicht mit Masse verbunden. Daher teilt sich der in der erregten Auswählleitung X fließende Strom im wesentlichen^gleichmäßig auf die übrigen Auswählleitungen X auf und fließt über diese zur Schaltkernmatrix 20 zurück und in dieser zur Masse ab. Auf diese Weise werden, wie weiter unten genauer beschrieben wird, beim Betätigen der Schaltkernmatrix 20 in den nicht erregten Auswählleitungen X entstehende Störimpulse weitgehend unwirksam gemacht.

Die Auswählleitungen Y sind mit einem Ende über die Widerstände 24 an die Leitung 22, welche über die Primärwicklung des Übertragers 26 an Masse gelegt ist, und mit dem anderen Ende an die Schaltkern-Treiberstufen 30 angeschlossen.

Neben den Auswählleitungen sind zwei weitere Leitungen vorhanden, die im Gegensatz zu den Auswählleitungen, welche jeweils nur einen Teil der Speicherkerne einer Matrix beeinflussen, durch samtliche Speicherkerne einer Matrix geführt sind. Die Entnahmeleitung 32 ist mit der Primärwicklung einer aus einem Übertrager und zwei Dioden bestehenden Anordung 37 verbunden und verläuft zur gegenseitigen Kompensation der beim Lesevorgang in nur teilweise erregten Speicherkernen entstehenden Störspannungen im Zickzack' durch die Kerne der Matrix. Die Gegenimpulsleitung 34 durchläuft alle Kerne im gleichen Sinne und wird durch die Schaltkern-Treiberstufe 36 erregt.

Für jede Ebene der Speicheranordnung sind eine Entnahmeleitung 32 und eine Gegenimpulsleitung 34 vorgesehen, während die Auswählleitungen X und Y durch mehrere oder alle Ebenen verlaufen können.

Die Speicheranordnung wird vorteilhaft beim Lesevorgang mit unter Wahrung einer Überlappung zeitlich gegeneinander verschobenen Auswählimpulsen betrieben. Die Ströme in den Auswählleitungen X werden 1 Mikrosekunde vor denen in den Auswahlleitungen Y eingeschaltet, so daß die in den nur halb erregten Speicherkenen der ausgewählten Spalte entstehenden Störimpulse vor dem Zeitpunkt des Ablesens auftreten und daher mit Hilfe einer Torschaltung unwirksam gemacht werden können.

Der Einfluß der in den halb erregten Speicherkernen der ausgewählten Zeile entstehenden Störimpulse wird auf zwei Arten verringert: einmal durch die besondere Führung der Entnahmeleitung 32 derart, daß die Kerne eine Zeile mit von Kern zu Kern entgegengesetztem Wickelsinn durchlaufen werden, so daß sich fast alle Störimpulse gegenseitig aufheben, sofern die betreffenden Kerne eine gleiche magnetische Vorgeschichte hatten, und zum anderen durch die Verwendung der aus dem Übertrager 26 und der Anordnung 37 bestehenden Kompensationsschaltung. In der aus einem Übertrager und zwei Dioden mit gemeinsamem Arbeitswiderstand aufgebauten Anordnung 37 wird das Ausgangssignal, das wegen der Führung der Entnahmeleitung 32 sowohl positive als auch negative Polarität haben kann, gleichgerichtet. Über den Übertrager 26 wird nun diesem gleichgerichteten Ausgangssignal ein dem Magnetisierungsstrom in der erregten Auswählleitung Y und damit den Störsignalen proportionales Signal mit entgegengesetzter Polarität überlagert, so daß sich bei geeigneter Wahl des ÜberSetzungsverhältnisses des Übertragers 26 die beim Auslesen einer gespeicherten Null entstehenden Störsignale gegen das abgeleitete Signal gerade aufheben. Beim Ablesen einer gespeicherten Eins hat das abgeleitete Signal nur einen geringen Einfluß auf das Ausgangssignal.

Die Schaltkerntreiber 20 und 30 müssen sowohl positive Impulse für den Lesevorgang als auch negative Impulse für den Schreibvorgang liefern, dagegen braucht der Schaltkerntreiber 36 nur Impulse einer Polarität zu erzeugen, da diese Gegenimpulse lediglich den Schreibvorgang in einigen der Ebenen der Speicheranordnung zu verhindern haben.

Die in Fig. 1 gezeigte Speichermatrix hat die Form eines Rechtecks. Es ist daher vorteilhaft, zwei verschiedene Arten von Treibern für die Auswählleitungen X und Y zu verwenden. Die Treiber 30 werden einzeln durch ein Adressensignal von einem hier nicht gezeigten Adressenregister angesteuert, während der Treiber 20 eine weitere Matrix aus Magnetkernen ist, 4-5 welche wiederum aus den vom Adressenregister gesteuerten Treibern 35 und 38 gespeist wird.

In Fig. 2 ist eine der Schaltkern-Treiberstufen 30 der Fig. 1 ausführlicher dargestellt. Der Schaltkern 40, der beispielsweise ein Bandringkern aus 4-79 Mo-Permaloy ist, trägt eine Ausgangswicklung 41 und zwei weitere Wicklungen 42 und 43 mit verschiedenem Wickelsinn. Die Ausgangswicklung 41 ist mit einer der Auswählleitungen Y verbunden. Die Wicklungen 42 und 43 sind mit einem Ende an die Kiemme 44 mit positivem Potential und mit dem anderen Ende an je eine Anode der Röhren Tl und T2 angeschlossen. Die Kathoden dieser Röhren liegen über den Widerstand 45 an der Klemme 46 mit negativem Potential und über die Diode 47 an Masse. Die Diode 47 ermöglicht ein Sperren der Röhren bei einer Eingangsspannung von -30VoIt, indem sie verhindert, daß die Kathodenspannung der Eingangsspannung wie bei einem Kathodenverstärker folgt. Liegt an einer der beiden Gitterleitungen 48 und 49 eine Spannung von +10VoIt, so arbeitet die zugehörige Röhre als Generator mit eingeprägtem Strom. Wird also an die Gitterleitung 48 ein positiver Impuls angelegt, so wird die Röhre Tl leitend, und es fließt ein Strom durch die Wicklung 42. Der Schaltkern 40 wird ummagnetisiert und erzeugt eine Spannung an seiner Ausgangs-

wicklung 41, welche einen Strom in die Auswählleitung Y schickt. Nach Beendigung des Impulses verbleibt der Kern in einem seiner beiden Remanenzzustände. Wenn jetzt ein positiver Impuls an die Gitterleitung 49 angelegt wird, so wird die Röhre T2 leitend, und der Strom durch die Wicklung 43 schaltet den Kern in seinen anderen Remanenzzustand um. Dabei fließt in der Auswählleitung Y ein Strom entgegengesetzter Polarität. Der durch das Leitendwerden der Röhre Tl verursachte Stromimpuls in der Auswählleitung Y ist der Leseimpuls und der durch das Leitendwerden der Röhre T 2 verursachte der Schreibimpuls.

Die Dauer dieser Stromimpulse muß mindestens so groß sein wie die Schaltzeit der Speicherkerne 10 und ihre Amplitude kleiner als der durch die Koerzitivkraft des Magnetmaterials der Speicherkerne gegebene Schwellwert. Die Widerstände 24 haben eine solche Größe, daß die Impedanz der Speicherkerne einer Zeile zusammen mit dem Innenwiderstand des Generators dagegen zu vernachlässigen ist.

Fig. 3 zeigt die Schaltkern-Treiberstufe 36 der Fig. 1. Der Schaltkern 50, der genau wie der Schaltkern 40 ein Bandringkern ist, erhält von der Klemme 52 über den Widerstand 53 und die Wicklung 54 eine Vormagnetisierung. Seine Ausgangswicklung 55 ist über die Diode 56 mit der Gegenimpulsleitung 34 verbunden. Weiter trägt der Kern eine Wicklung 58, welche über die Röhre T 3 und den Widerstand 62 zwischen den Klemmen 60 und 61 positiven bzw. negativen Potentials liegt. Die Kathode der Röhre T3 ist wiederum über die Diode 65 mit Masse verbunden. Die Gitterleitung 66 erhält gleichzeitig mit der Gitterleitung 49 in Fig. 2 dann einen positiven Impuls, wenn in der betreffenden Ebene der Speicheranordnung eine Null gespeichert werden soll. Die von dem Strom durch die Wicklung 54 verursachte Vormagnetisierung setzt den Kern nach Beendigung des Impulses auf der Gitterleitung 66 in seinen Ruhezustand zurück. Die Diode 56 verhindert dabei einen Stromfluß durch die Gegenimpulsleitung 34.

Die in Fig. 1 schematisch dargestellte Schaltkernmatrix 20 wird von den Einstelltreibern 35 und den Vorspanntreibern 38 erregt. Da diese nur Impulse einer Polarität zu liefern haben, können sie genau so aufgebaut sein wie der in Fig. 3 gezeigte Treiber 36. In der in Fig. 4 wiedergegebenen Schaltung werden dagegen einfachere Röhrentreiber verwendet.

Fig. 4 zeigt das ausführliche Schaltbild der Schaltkernmatrix 20. Die wiederum in Zeilen und Spalten angeordneten Schaltkerne 70 tragen je eine Einstellwicklung 72, welche durch alle Kerne einer Zeile führt, und eine durch alle Kerne einer Spalte laufende Vorspannwicklung 74. Weiter trägt jeder Schaltkern 70 eine Ausgangswicklung 76, die mit einer der Auswählleitungen X der Speichermatrix verbunden ist. Die in Reihe geschalteten Vorspannwicklungen 74 sind jeweils über den Widerstand 77 an die positive Klemme 78 einer Spanungsquelle und mit dem anderen Ende an die Anoden der Röhren 38 und 38' angeschlossen. Ähnlich sind die Einstellwicklungen 72 hintereinandergeschaltet und auf einer Seite über den durch den Kondensator 82 abgeblockten Widerstand 81 mit der positiven Klemme 80 einer Spannungsquelle und auf der anderen Seite mit der Anode der Röhre 35 verbunden.

Die Schaltkerne 70 seien zunächst in ihrem negativen Remanenzzustand. Wenn jetzt sämtliche Röhren 38 bis auf eine leitend gemacht werden, so erhalten die Schaltkerne 70 der Matrix bis auf diejenigen, die in der von der einen gesperrten Röhre 38 gesteuerten Spalte liegen, eine negative Vormagnetisierung. In der in Fig. 5 dargestellten Hystereseschleife der Schaltkerne 70 sind die betreffenden Punkte mit α und b gekennzeichnet. Die Kerne einer Spalte befinden sich dann also im Zustand α und sämtliche anderen Kerne im Zustand b. Die eine nicht vormagnetisierte Spalte wird von der Adresse bestimmt. Daraufhin wird von dem Adressensignal eine der Röhren 35 ausgewählt

ίο und leitend gemacht. Dadurch fließt in den Einstellwicklungen 72 des Kernes einer Zeile ein Strom, der den im Schnittpunkt dieser Zeile mit der nicht vormagnetisierten Spalte liegenden Kern vom Zustand α in den Zustand c ummagnetisiiert. An der Ausgangswicklung 76 dieses Kernes entsteht dann eine Spannung, welche den für eine halbe Magnetisierung der Speicherkerne 10 notwendigen Leseimpuls durch die an die Ausgangswicklung 76 angeschlossene Auswählleitung X treibt. Nach Beendigung des Einstellimpulses läuft der ausgewählte Schaltkern 70 auf seiner Hystereseschleife vom Zustand c in den Zustand d. Während des darauffolgenden Schreibvorganges wird die eine bisher gesperrte Röhre 38 ebenfalls leitend gemacht, so daß der ausgewählte Schaltkern 70 von seinem Zustand d in den Zustand b ummagnetisiert wird. Dabei treibt seine Ausgangswicklung 76 den zur halben Magnetisierung notwendigen Schreibimpuls durch die angeschlossene Auswählleitung X. Von dem einen ausgewählten Schaltkern 70 werden also zwei Stromimpulse entgegengesetzer Polarität erzeugt.

Von dem Einstellstrom und von den Vorspannströmen werden nun aber noch weitere Schaltkerne 70 beeinflußt. Sie werden teilweise erregt und verursachen in den Auswählleitungen X Störimpulse, die klein gehalten werden müssen. Wenn in allen Spalten, außer der einen ausgewählten Spalte, die Vorspannströme eingeschaltet werden, so wird in den Ausgangswicklungen der vormagnetisierten Schaltkerne beim Durchlaufen der Hystereseschleife vom Punkt α zum Punkt b eine Spannung induziert. Diese Störspannung kann durch geeignete Wahl der Anstiegszeit der Vorspannimpulse auf einen zu vernachlässigenden Wert gebracht werden. Dieses Verfahren kann jedoch bei den Störimpulsen nicht angewandt werden, die entstehen, wenn die Schaltkerne in der ausgewählten Zeile durch den Einstellstrom vom Zustand b in den Zustand α gebracht werden; denn die Anstiegszeit der Einstellimpulse darf einen bestimmten Wert nicht überschreiten, der dadurch gegeben ist, daß die Anstiegszeit der von dem ausgewählten Kern gelieferten Ausgangsimpulse einen optimalen Wert besitzen muß. Gemäß der Erfindung werden nun durch die Überlagerung einer zweiten Vormagnetisierung auch diese Störimpulse unschädlich gemacht. Zu diesem Zweck dienen die den Röhren 38 parallel geschalteten Röhren 38'. Die Schaltkerne in den nicht ausgewählten Spalten der Matrix erhalten jetzt eine treppenförmige Vormagnetisierung in zwei Stufen. Zuerst werden wie bisher die Röhren 38 in den nicht ausgewählten Spalten eingeschaltet. Der fließende Vorspannimpuls hat eine große Anstiegszeit und magnetisiert die Schaltkerne in den Zustand b vor. Dann werden zu dem Zeitpunkt, in welchem der Einstellimpuls auf die ausgewählte Zeile gegeben wird, in den nicht ausgewählten Spalten auch die Röhren 38' leitend gemacht. Der durch die Röhren 38' fließende Strom verursacht in den Kernen der ausgewählten Zeile etwa die gleiche Durchflutung wie der Einstellstrom, so daß diese Kerne im Zustand b verbleiben. Dann tritt in diesen Kernen keine Flußänderung auf. Diejenigen Schalt-

kerne, die nicht auf einer der ausgewählten Leitungen liegen, werden durch den zusätzlichen Strom weiter in die Sättigung getrieben, und zwar in den Zustand e. Da an dieser Stelle die Hystereseschleife jedoch nur noch eine geringe Neigung hat, entsteht an den Ausgangswicklungen 76 dieser Schaltkerne nur eine sehr geringe Störspannung.

In der Fig. 6 A ist der zeitliche Verlauf der Stromimpulse in der Schaltkernmatrix dargestellt. Die obere Kurve zeigt den Verlauf des resultierenden Vorspann-Stromes in einer nicht ausgewählten Spalte, in der ausgewählten Spalte fließt kein Strom (mittlere Kurve), und in der unteren Kurve ist der Verlauf des Einstellstromes in der ausgewählten Zeile wiedergegeben.

Eine andere Art, die in den Schaltkernen der ausgewählten Zeile entstehenden Störimpulse unwirksam zu machen, besteht darin, sie in der Speichermatrix durch entgegengerichtete Ströme geeigneter Größe im wesentlichen aufzuheben. Gemäß der Erfindung wird die in Fig. 1 gezeigte Leitung 15 nicht wie üblich mit Masse verbunden, so daß der von dem ausgewählten Schaltkern 70 induzierte Strom in der zugehörigen Auswählleitung X durch die übrigen Auswählleitungen zurückfließen muß. Wenn N die Anzahl der Auswählleitungen ist, so führt jede der nicht ausgewählten Leitungen X den (N—l)-ten Teil des Stromes in der ausgewählten Leitung in einer solchen Richtung, daß er dem unerwünschten Strom aus der Schaltkernmatrix entgegenwirkt.

Weitere Störsignale werden durch die gegenseitige magnetische Kopplung der die Vorspannwicklungen 74 verbindenden Leitungen verursacht. Beim Einschalten der Röhren 38 werden in der ausgewählten Spalte kleine Ströme induziert, die Störsignale in den Ausgangswicklungen 76 der Schaltkerne 70 in dieser Spalte bewirken. Gemäß der Erfindung werden diese Störsignale dadurch vermieden, daß auch die Schaltkerne in der ausgewählten Spalte vormagnetisiert werden. Dazu werden zu Beginn des Lesevorganges sämtliche Röhren 38 leitend gemacht, so daß alle Kerne der Schaltkernmatrix eine A'Ormagnetisierung erhalten. Zu dem Zeitpunkt, in welchem die Röhre 35 in der ausgewählten Zeile leitend gemacht wird, wird die Röhre 38 in der ausgewählten Spalte wieder gesperrt, so daß der Schaltkern 70 im Schnittpunkt dieser beiden Reihen ummagnetisiert werden kann.

Aus Fig. 6 B ist der zeitliche Verlauf der Ströme in der Schaltkernmatrix zu ersehen; die obere Kurve gilt für eine der nicht ausgewählten Spalten, die mittlere für die ausgewählte Spalte und die untere für die ausgewählte Zeile.

Die zuletzt beschriebene Art der Störwertunterdrückung bringt noch einen weiteren Vorteil mit sich.

Da zu Beginn des Lesevorganges sämtliche Röhren 38 eingeschaltet werden, kann dieser Vorgang bereits zu einem Zeitpunkt eingeleitet werden, zu welchem die Adresseninformation noch gar nicht zur Verfügung steht. Auf diese Weise wird die effektive Arbeitsgeschwindigkeit der Speicheranordnung erhöht.

Schließlich verursachen Reflexionen an den Enden der die Magnetisierungsströme führenden Leitungen, insbesondere an den Enden der die Einstellwicklungen

ίο 72 verbindenden Leitungen, zusätzliche Störungen, die durch den Abschluß mit einer aus dem Kondensator und dem Widerstand 81 bestehenden Impedanz beseitigt werden. Ohne diesen Abschluß würde der Strom in diesen Leitungen Schwankungen unterworfen sein.

Durch die genannten Maßnahmen gelingt es, die beim Betrieb eines Magnetkernmatrix-Speichers auftretenden Störimpulse auf das für ein betriebssicheres Arbeiten tragbare Maß zu· vermindern. Sie werden vorteilhaft bei Speichern sehr großer Speicherkapazität angewendet.

Claims (3)

Patentansprüche;

1. Magnetkernmatrix-Speicheranordnung mit mindestens einer zur Erzeugung der Auswählimpulse für die Speichermatrix dienenden Schaltkernmatrix, dadurch gekennzeichnet, daß zur Verringerung von Störeffekten zu Beginn eines aus Lesen und Schreiben bestehenden Arbeitsspieles zunächst alle Schaltkerne der Schaltkernmatrix mit einer langsam ansteigenden Vormagnetisierung versehen werden, die dann in einen ausgewählten Spalte zu dem Zeitpunkt abgeschaltet wird, in dem in einer ausgewählten Zeile ein eine Durchflutung umgekehrter Polarität erzeugender Magnetisierungsstrom eingeschaltet wird.

2. Anordung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Vormagnetisierung in den nicht ausgewählten Spalten der Schaltkernmatrix zu dem Zeitpunkt, in dem in einer ausgewählten Zeile ein Magnetisierungsstrom eingeschaltet wird, um einen der Amplitude des Magnetisierungsstromes gleichen Betrag erhöht wird.

3. Anordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Auswählleitungen des Matrixspeichers mindestens einer Koordinateneinrichtung an dem Punkt, an welchem sie über Impedanzen zusammengeschaltet sind, nicht an weitere Schaltungspunkte angeschlossen sind, so daß ein Strom in einer der Auswählleitungen durch die übrigen Auswählleitungen zurückfließt und sich dabei im wesentlichen gleichmäßig auf diese verteilt.

Hierzu 2 Blatt Zeichnungen

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