DE1299035B

DE1299035B - Schaltung zum Einschreiben in einen Matrixspeicher oder zum Ablesen aus einem Matrixspeicher

Info

Publication number: DE1299035B
Application number: DEA40858A
Authority: DE
Inventors: Lee Don Nguey
Original assignee: Ampex Corp
Current assignee: Ampex Corp
Priority date: 1960-11-21
Filing date: 1962-08-01
Publication date: 1969-07-10
Also published as: GB978306A; US3054905A; CH436392A

Description

Die Erfindung bezieht sich auf eine Schaltung zum angeschlossen ist. Im Betrieb eines nach Wörtern Einschreiben in einen Matrixspeicher oder zum Ab- organisierten Speichers muß auf die Stetigkeit und lesen aus einem Matrixspeicher, der eine Anzahl von Stabilität des Anstiegs und des Abfalls des Stromes Magnetkernen, mit diesen Magnetkernen verkoppelte sowie auf dessen Amplitude in den Magnetisierungs-Schreib- bzw. Lesewicklungen, mit den Wicklungen 5 wicklungen besondere Sorgfalt aufgewendet werden, in Reihe geschaltete Dioden und eine den Wicklun- Bei schnellem Betrieb verursacht die Diode in jeder gen einen Treibstrom zuführende Einrichtung auf- Treib- oder Magnetisierungswicklung Schwierigkeiten weist. bei der Erzielung eines linearen Stromanstiegs und

Speicher, bei denen eine große Anzahl von Magnet- der Mindestperiodenzeit, da Dioden, die genügend kernen verwendet wird, von denen jeder im wesent- io starke Ströme verarbeiten können, nennenswerte Verliehen toroidförmig ausgebildet ist und eine im we- zögerungen bewirken, und zwar sowohl beim Leiten sentlichen rechteckige Hysteresisschleife aufweist, in der Vorwärtsrichtung als auch beim Sperren, haben bei neuzeitlichen Rechenanlagen weitgehend Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine

Verbreitung gefunden. Schaltungsanordnung der eingangs genannten Art an-

Für die Verdrahtung des Magnetkernspeichers 15 zugeben, mit der die beschriebenen Nachteile der wurden zahlreiche verschiedene Anordnungen be- Dioden vermieden werden.

nutzt, die sich jedoch im wesentlichen alle auf eine Bei einer Schaltung der vorgenannten Art ist da-

Anordnung zurückführen lassen, bei der ein Strom her gemäß der Erfindung eine Einrichtung vorgesedurch eine oder mehrere Wicklungen geleitet wird, hen, die den Dioden und den mit diesen in Reihe die mit einem Kern induktiv verkoppelt sind, wobei ao geschalteten Wicklungen unmittelbar vor dem Zubezweckt wird, den Kern aus der Sättigung der einen führen des Treibstroms einen Vorbereitungsstrom zuPolarität in die Sättigung der entgegengesetzten PoIa- führt, wobei der Vorbereitungsstrom in bezug auf rität umzumagnetisieren. den Treibstrom schwach ist.

Ein allgemein bekanntgewordenes Speichersystem Weitere Einzelheiten der Erfindung ergeben sich

ist nach »Wörtern« organisiert (ein Wort umfaßt ζ. B. 25 aus der nachfolgenden Beschreibung an Hand der eine Gruppe von acht binären Zahlen) und weist eine Figuren. Es zeigt

Anzahl von Kernebenen auf, deren Anzahl von der Fig. 1 ein Blockschaltbild einer erfindungsgemä-

Anzahl von Bits bestimmt wird, die für ein »Wort« ßen Treibanordnung für einen nach Wörtern organigewünscht werden. Jede Kernebene weist eine Anzahl sierten Speicher und von Kernen auf, die in Spalten und Zeilen angeord- 30 F i g. 2 und 3 zusammen ein Schaltbild einer Ausnet sind, wobei die Anzahl von der Wort-Speicher- führungsform der Erfindung.

"kapazität des Speichers bestimmt wird. Diese Kern- Die Fig. 1 zeigt, in welcher Weise eine Ausfüh-

ebenen sind im allgemeinen so angeordnet, daß ein rungsform der Erfindung zum Betreiben eines nach Kern in jeder Kernebene entweder zum Ablesen oder »Worten« organisierten Magnetkernspeichers benutzt Einschreiben zugleich mit einem Kern in jeder der 35 werden kann. Dieser Speicher enthält eine Anzahl anderen Kernebenen betrieben werden kann. Durch von Ziffernkemebenen 10, 12, 14, 16. Jede dieser geeignete Wahl der Magnetisierungswicklungen kann Kernebenen enthält eine Anzahl von Magnetkernen, bei einem nach »Worten« organisierten Speicher je- die in jeder Kernebene mit 1OA, 1OjB, 12,4, 125, weils ein »Wort« eingetragen oder abgelesen werden. 14,4, 145, 16A und 165 bezeichnet sind. In jeder Die übliche Wicklungsanordnung besteht darin, 40 Ziffernebene sind so viele Kerne vorgesehen, wie daß eine Wicklung mit einem anderen Kern in jeder »Worte« gespeichert werden sollen. Die einzigen Ebene der Kernebenen verkoppelt ist. Diese Kerne Wicklungen, die in der Fig. 1 dargestellt sind, sind sind zwecks Speicherung eines einzelnen »Wortes« die Treibwicklungen zum Ablesen und Einschreiben, einander zugeordnet. Für jede Kernebene sind zwei Bei einer Ausführungsform der Erfindung, die aufweitere Wicklungen vorgesehen. Jede dieser Wick- 45 gebaut wurde, wurden für jede Gruppe von zu einem lungen ist mit jedem einzelnen Kern in der zugehöri- Wort gehörigen Kernen zwei solcher Wicklungen vergen Kernebene verkoppelt. Diese beiden weiteren wendet. Die eine Wicklung 2Oi? wurde zum Ablesen Wicklungen werden üblicherweise die Ziffernebene- und die andere Wicklung 20 W zum Einschreiben Verwicklung und die Abfühlwicklung genannt. Eine Ma- wendet. Diese sind die Wicklungen, die mit den gnetisierungswicklung wird mit Strom versorgt, so 50 Kernen 10,4, 12A, 14A, 16A induktiv gekoppelt daß der zugehörige einzelne Kern in den Kernebenen dargestellt sind. Die andere Gruppe von Treibwickin einen Sättigungszustand mit einer gegebenen PoIa- lungen 22 R, 22 W wird zum Speichern oder Ablesen rität magnetisiert wird. Soll das in diesen Kernen zu- aus den Kernen 105,125,145,165 verwendet, vor gespeicherte »Wort« abgelesen werden, dann er- Das eine Ende aller Wicklungen steht mit einem

mittelt die Abfühlwicklung für jede Ziffernebene, ob 55 gemeinsamen Schalter 24 in Verbindung. Das andere auf Grund des zugeführten Stromes ein Ausgang ab- Ende der Ablesewicklung 2Oi? ist mit dem Ablesegeleitet wird oder nicht. schalter 26 verbunden. Das andere Ende der Schreib-Bei der Herstellung eines nach Wörtern organi- wicklung 20 W steht mit einem Schreibschalter 28 in sierten Speichers wird, damit die Ströme durch die Verbindung, während das andere Ende der Ablese-Magnetisierungswicklungen nur in einer Richtung 60 wicklung 22i? mit einem Ableseschalter 30 verbunfließen, mit jeder Magnetisierungswicklung eine Diode den ist. Das andere Ende der Schreibwicklung 22 W in Reihe geschaltet. Diese Vorsichtsmaßnahme er- ist mit dem Schreibschalter 32 verbunden, folgt nicht nur, um die Wirkungen induzierter Ströme Soll in einen gewissen Abschnitt des Speichers in diesen Wicklungen zu vermeiden, sondern auch zuerst eingeschrieben werden, so werden die Adres- und im besonderen, um zu verhindern, daß Ströme 65 senwählkreise 34 aktiviert und führen eine der Sperüber Kriechstrompfade fließen, welcher Fall eintreten ren 36, 38, 40, 42 einen vorbereiteten Impuls zu. Je kann, wenn das eine Ende aller Magnetisierungs- eine dieser Sperren ist jedem Ableseschalter zugewicklungen an eine gemeinsame Rückleitungsklemme ordnet, während eine andere dieser Sperren jedem

Schreibschalter zugeordnet ist. Wie an sich bekannt, ses, während die F i g. 3 die Schaltung des Strombestehen die Adressenwählkreise 34 aus einer Schal- Stabilisierungskreises zeigt. In allen drei Figuren sind tungsanordnung, die einen vorbereiteten Impuls zu für die einander gleichen oder entsprechenden Schaleine der Sperren leitet, deren Ausgang entweder dem tungselemente die gleichen Bezugszeichen verwendet. Schreibschalter oder dem Ableseschalter zugeführt 5 Als Beispiel sind in der Fig.2 nur die Kerne 1OA, wird, der die Leitung betreibt, die mit den Kernen in 12A, 14A und 16A dargestellt. Diese Kerne sind dem Abschnitt des Speichers verkoppelt ist, in dem mit einer Schreibwicklung 20 W und einer Ableseeine Ablesung oder eine Einschreibung erfolgen soll. wicklung 2Oi? induktiv verkoppelt. Mit diesen Wick-

Es sei angenommen, daß die Adressenwählkreise lungen sind die Dioden 20 WD und 20RD in Reihe 34 die Sperre 38 vorbereitet haben. Eine Schreib- io geschaltet. Die Eingangsimpulsquelle 46 für den geimpulsquelle 44 führt einen Impuls allen Sperren 38, meinsamen Schalter betreibt diesen, der die beiden 42 zu, die mit den Schreibschaltern in Verbindung Transistoren 52, 54 enthält. Die Eingangsimpulsquelle stehen. Ein Ausgangssignal wird jedoch nur von der 46 steht mit der Basiselektrode des Transistors 52 vorbereiteten Sperre 38 erzeugt. Dieses Ausgangs- über eine Diode 60 in Verbindung. Die Emittereleksignal wird dem Schreibschalter 28 zugeführt. Eine 15 trode des Transistors 52 ist über einen Widerstand weitere Impulsquelle 46 führt dem gemeinsamen 55 an eine Betriebspotentialquelle angeschlossen, deSchalter einen Impuls zu. Als Ergebnis der dem ge- ren Spannung als Beispiel mit 16 Volt angegeben ist. meinsamen Schalter 24 und dem Schreibschalter 28 Zwischen die Emitter- und die Basiselektrode des zugeführten Impulse fließt ein von einem Strom- Transistors 52 ist eine Diode 56 geschaltet, während Stabilisierungskreis 48 erzeugter Strom durch den ao zwischen die Basiselektrode des Transistors 52 und Schreibschalter 28, die Leitung 20 W und durch die Erde ein Widerstand 58 geschaltet ist. Zwischen die Diode 20WD zum gemeinsamen Schalter 24. Die Emitterelektrode des Transistors und Erde ist ein Stärke dieses Stromes reicht jedoch nicht aus, um Kondensator 62 geschaltet.

die Kerne 10,4 bis 16 A umzumagnetisieren, reicht Die Emitterelektrode des Transistors 54 ist an eine

jedoch auch aus, um die Diode 20 WD vorzubereiten 35 Betriebspotentialquelle angeschlossen, deren Spanoder in einen Zustand zu versetzen, bei dem die An- nung als Beispiel mit 12 Volt angegeben ist. Die KoI-stiegszeit und die Abfallzeit des Treibimpulses von lektorelektrode des Transistors 52 liegt über einen der Anwesenheit der Diode in der Leitung im we- Widerstand 64 an Erde. Weiterhin liegt die Basis des sentlichen nicht beeinflußt wird, wobei die Wellen- Transistors 54 direkt am Kollektor des Transistors form des Treibimpulses gleichfalls unbeeinflußt bleibt. 30 52. Die Kollektorelektrode des Transistors 54 ist ge-Sobald der Vorbereitungsstrom zugeführt wird, wird erdet. Das eine Ende der durch alle Kerne laufenden von der Treibstromimpulsquelle 50 dem Stromstabili- Wicklungen steht mit der Kollektorelektrode des sierungskreis ein Impuls zugeführt, der diesen Kreis Transistors 54 in Verbindung. Das andere Ende der in einen Zustand versetzt, bei dem dieser den Kernen Wicklung 20 W steht über eine Diode 20 WD mit der 1OA, 12 A, 14A und 16 A den erforderlichen Treib- 35 Kollektorelektrode eines Transistors 68 im Schreibstrom zuführt. schalter in Verbindung. Dieser Schreibschalter ent-

Es wird bemerkt, daß aus Gründen der Übersicht- hält zwei Transistoren 68 und 70.
lichkeit in den Zeichnungen die weiter noch erforder- Die Sperre 38 führt der Basiselektrode des Tranlichen Wicklungen in der Kernebene, z. B. die Zif- sistors 70 über zwei gegenpolig in Reihe geschaltete fernebenenwicklung und die Abfühlwicklung, weg- 4° Dioden 72, 74 ein Ausgangssignal zu. Der Verbingelassen wurden unter der Annahme, daß die Funk- dungspunkt zwischen diesen beiden Dioden steht über tion dieser Wicklungen bekannt und eine Erläuterung einen Widerstand 76 mit dem negativen Pol einer in Verbindung mit der Erfindung nicht erforderlich Spannungsquelle in Verbindung. Daher läßt ein neist. gativer Eingangsimpuls aus der Sperre 38 den Ver-

Aus der Beschreibung des Blockschaltbildes in 45 bindungspunkt zwischen den beiden Dioden negativ der F i g. 1 ist zu ersehen, daß jeweils, wenn eine der werden, wobei die Diode 74 gesperrt und die Basis-Gruppen von Kernen betrieben werden soll, die zum elektrode des Transistors 70 positiv gemacht wird. Speichern eines »Wortes« verwendet werden, die Die Basis des Transistors 70 ist über einen Wider-Adressenwählkreise vorbereitet werden, um diese stand 78 an den positiven Pol einer Spannungsquelle Kerngruppe zu wählen, wonach eine Ableseimpuls- 50 angeschlossen. Die Emitterelektrode des Transistors quelle 52 oder eine Schreibimpulsquelle 44 einen Im- 70 ist geerdet, während die Kollektorelektrode über puls durch die gewählte Sperre sendet, um einen Ab- einen Widerstand 80 mit dem negativen Pol einer lese- oder Schreibschalter zu wählen, der mit derjeni- Spannungsquelle und über einen Widerstand 82 mit gen Treibwicklung in Verbindung steht, die mit den- der Basiselektrode des Transistors 68 verbunden ist. jenigen Kernen verkoppelt ist, bei denen eine Ein- 55 Die Kollektorelektrode des Transistors 70 steht ferschreibung oder eine Ablesung erfolgen soll. Die Im- ner über eine Diode 84 mit dem negativen Pol einer pulsquelle 46 führt dann dem gemeinsamen Schalter Spannungsquelle in Verbindung. Die Kollektorelek-24 einen Vorbereitungsimpuls zu, wobei der gewähl- trode des Transistors 68 liegt einerseits über einen ten Treibleitung ein Vorbereitungsstrom zugeführt Widerstand 86 an einer Spannungsquelle positiven wird. Fast sofort danach bereitet die Treibstromim- 60 Potentials. Andererseits liegt die Kollektorelektrode pulsquelle 50 den Stromstabilisierungskreis 48 vor, des Transistors 68 über eine Begrenzungsdiode 88 an der der gewählten Treibleitung einen Treibstrom der Spannungsquelle, die zum Vorspannen der Basiszuführt, elektrode des Transistors 70 dient. Die Emitterelek-

Es wird nunmehr auf die Fig. 2 und 3 verwiesen, trode des Transistors 68 steht über eine Diode 90 mit die ein Schaltbild der Ausführungsform der Erfin- 65 dem in der F i g. 3 dargestellten Stromstabilisierungsdung zeigen. kreis in Verbindung. Alle Ablese- und Schreibschal-

Die F i g. 2 zeigt die Schaltung des gemeinsamen ter stehen über Dioden mit dem Stromstabilisierungs-Schalters und des Ablese- oder Schreibschalterkrei- kreis in Verbindung. Die Verbindungspunkte sind in

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den Fig.2 und 3 mit dem Buchstaben»^« gekenn- mit der Basiselektrode des Transistors 134. Die zeichnet. Treibstromimpulsquelle 50 steht über eine Diode 166

Die Stromstabilisierungsschaltung weist eine Span- mit der Basiselektrode des Transistors 134 in Vernungsquelle 100 auf, die den Betriebsstrom liefert. bindung.

An diese Spannungsquelle ist ein veränderbarer Wi- 5 Im Ruhezustand, der eintritt, wenn dem Speicher derstand 104 und ein Festwiderstand 102 angeschlos- kein Antrieb erteilt wird, befinden sich die Transen. Die Werte dieser Widerstände sind so gewählt, sistoren des Ablese- und des Schreibschalters im daß für die zu betreibende Niederimpedanzbelastung nichtleitenden Zustand, desgleichen die Transistoren eine einen konstanten Strom erzeugende Quelle ge- des gemeinsamen Schalters. Der Transistor 136 erhält schaffen wird. An diese ist eine Scheinbelastung an- io eine Vorspannung, bei der dieser leitend ist, desgeschlossen, die aus so vielen Transistoren besteht, gleichen der Transistor 134. Infolgedessen wird der wie erforderlich ist, um den für den Betrieb erforder- Transistor 122 gleichfalls leitend gehalten und damit liehen Strom handhaben zu können. Bei einer auf- auch die Transistoren 106,108 und 110. Durch den gebauten Ausführungsform der Erfindung wurden Widerstand 102 und die drei Transistoren 106,108, drei Transistoren 106, 108 und 110 benutzt, deren 15 110, die die Scheinbelastung darstellen, fließt ein Kollektorelektroden gemeinsam an den Widerstand Strom aus der Spannungsquelle. Das Potentiometer 102 angeschlossen sind. An diesen Verbindungspunkt 118 dient zum Einstellen der Stärke dieses Stromes, ist ferner eine Begrenzungsdiode 112 angeschlossen, Soll eine Ablesung oder eine Einschreibung vor-

die ihrerseits mit einer Negatiworspannungsquelle genommen werden, dann wird aus der Eingangsverbunden ist. Die Emitterelektroden der Transisto- 20 impulsquelle 46 dem Transistor 52 ein Impuls zugeren 106, 108 und 110 stehen über die Widerstände führt in demselben Zeitpunkt, in dem dem Transistor 113, 114 bzw. 116 über ein Potentiometer 118 mit 70 aus der Sperre 38 ein Impuls zugeführt wird. Bei einer Betriebspotentialquelle in Verbindung, welches einer aufgebauten Ausführungsform der Erfindung Potentiometer zu einem Widerstand 120 parallel ge- ist der Eingangsimpuls aus der Sperre 38 ein negativ schaltet ist. 35 werdender Impuls, der von OVoIt auf — 4VoIt ab-

Die die Scheinbelastung darstellenden drei Tran- fällt. Hierdurch wurde die an der Emitterelektrode sistoren werden von einem Transistor 122 betrieben. des Transistors 68 liegende Spannung von —2 Volt Die Emitterelektrode des Transistors 122 steht über auf 0,75 Volt verändert. Der Impuls aus der Eineinen Widerstand 124 mit den Basiselektroden aller gangsimpulsquelle des gemeinsamen Schalters setzt Transistoren 106, 108, UO in Verbindung. Ein zwi- 30 den Transistor 52 in den Stand, den Transistor 54 sehen die Basiselektroden der Transistoren 106, 108, einzuschalten, so daß ein Vorbereitungsstrom aus der 110 und Erde geschalteter Kondensator 126 dient Stromstabilisierungsschaltung durch den Transistor zum Ableiten von Stromschwankungen. Die Emitter- 68, durch die mit der Wicklung 20 W in Reihe geelektrode des Transistors 122 steht über einen Wider- schaltete Diode 20 WD und dann durch den Transtand 128 mit dem negativen Pol einer Spannungs- 35 sistor 54 des gemeinsamen Schalters fließen kann. In quelle in Verbindung, während dessen Kollektor- diesem Strompfad steht jedoch nur ein schwacher elektrode über einen Widerstand 130 mit dem positi- Strom zur Verfugung, solange die Schembelastung ven Pol einer Spannungsquelle in Verbindung steht. leitend erhalten wird. Bei einer ausgeführten Aus-Die Basiselektrode des Transistors 122 steht über führungsform der Erfindung betrug der erforderliche einen Widerstand 132 mit der Kollektorelektrode 40 Vorbereitungsstrom ungefähr 15 Milliampere,
eines Transistors 134 in Verbindung. Die KoI- Das Einschalten des gemeinsamen Schalters und

lektorelektrode eines Transistors 136 besitzt über der Ablese- oder Schreibschalterkreise geht nur kurzeinen Widerstand 138 eine Verbindung zur Kollek- zeitig dem Zuführen eines Treibstromimpulses zu den torelektrode eines Transistors 134. Zwischen die KoI- Stromstabilisierungskreisen voran, und zwar beträgt lektorelektrode des Transistors 134 und Erde ist ein 45 diese Zeitspanne ungefähr ¹Ao einer Mikrosekunde. Kondensator 140 geschaltet. Zwischen eine Quelle Bei der Zuführung eines Treibstromimpulses aus der positiver Vorspannung und die Kollektorelektrode Quelle 50 wird der Transistor 134 abgeschaltet, des Transistors 134 ist eine erste Diode 141 geschal- Infolgedessen wird der Transistor 122 und hierbei tet, während eine zweite Diode 142 zwischen die werden die Transistoren 106,108,110 der Schein-Kollektorelektrode des Transistors 134 und Erde ge- 50 belastung gleichfalls abgeschaltet. In der Auswirkung schaltet ist. stellt dies ein Öffnen der Scheinbelastung dar, so daß

Die Emitterelektrode des Transistors 136 steht der Strom durch den Widerstand 102 zum Transistor über einen Widerstand 144 und einem diesem nach- 68 und zur Treibwicklung 20 W in einer Stärke geschalteten Potentiometer 146 mit dem positiven Pol fließen kann, die zum Betreiben der Kerne erfordereiner Spannungsquelle in Verbindung. Die Basis- 55 lieh ist.

elektrode des Transistors 136 steht über einen Wider- Ist der Transistor 134 gesperrt, so wird der Konstand 148 mit einem aus den beiden Widerständen densatorl40 durch den Transistor 136 aufgeladen. 150, 152 bestehenden Spannungsteiler (oder einer Infolgedessen ändert sich die an der Basiselektrode Vorspannungsquelle) in Verbindung, welche beiden des Transistors 122 liegende Spannung linear, so daß Widerstände zwischen die Spannungsquelle und Erde 60 die Sperrung dieses Transistors und der drei Trangeschaltet sind. Zum Widerstand 152 ist ein Konden- sistoren 106,108,110 gleichfalls linear erfolgt. Demsator 154 parallel geschaltet. Die Emitterelektrode entsprechend verstärkt sich der Strom in der Wortdes Transistors 134 steht über einen Widerstand 156 treibleitung in linearem Ausmaß. Durch Einstellen und ein Potentiometer 158 mit einer Quelle einer des Potentiometers 146 kann die Anstiegzeit des negativen Vorspannung in Verbindung. Zwischen €5 Stromes ab 30 Millimikrosekunden bis zu einem gedie Emitterelektrode des Transistors 134 und Erde ist wünschten größeren Wert eingestellt werden,
eine Diode 160 eingeschaltet. Ein Widerstand 164 Nach Ablauf eines Zeitintervalls, das von der

verbindet eine Quelle einer positiven Vorspannung Dauer der den Kreisen zugeführten Impulsen be-

stimmt wird, beginnt der Strom abzufallen. Die Abfallzeit des Stromes wird vom Potentiometer 158 im Emitterkreis des Transistors 134 bestimmt. Hierdurch wird die Zeitdauer bestimmt, die zum Entladen des Kondensators 140 erforderlich ist. Der von der Scheinbelastung gezogene Strom wird durch die Einstellung des Potentiometers 118 bestimmt. Das Potentiometer 104 bestimmt die Spannung, die am Ausgang der Stromstabilisierungsschaltung liegt.

In den vorstehenden Zeilen wurde eine Anordnung zum Betreiben einer Belastung beschrieben, die eine mit einer Induktanz in Reihe geschaltete Diode umfaßt, wobei die von der beim Ein- und Ausschalten starker Ströme verursachten Verzögerungen vernachlässigbar klein gemacht werden. Ferner wurde die durch die Anwesenheit der Diode verursachte Verzerrung der Wellenform des Treibstromes vernachlässigbar gering gemacht. Die Wellenform des Treibstromes weist nunmehr einen linearen Anstieg und Abfall auf, wobei mit Hilfe der Erfindung die Anstiegs- und Abfallzeit unabhängig reguliert werden kann.

Claims

Patentansprüche:

1. Schaltung zum Einschreiben in einen Matrixspeicher oder zum Ablesen aus einem Matrixspeicher, der eine Anzahl von Magnetkernen, mit diesen Magnetkernen verkoppelte Schreib- bzw. Lesewicklungen, mit den in Reihe geschalteten Dioden und eine den Wicklungen einen Treibstrom zuführende Einrichtung aufweist, gekennzeichnet durch eine Einrichtung, die den Dioden (20 RD, 20WD; 22RD, 22WD) und den mit diesen in Reihe geschalteten Wicklungen (2Oi?, 20 W; 22 R, 22 W) unmittelbar vor dem Zuführen des Treibstromes einen Vorbereitungsstrom zuführt, wobei der Vorbereitungsstrom in bezug auf den Treibstrom schwach ist.

2. Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Einrichtung zum Zuführen des Vorbereitungsstromes eine über einen gemeinsamen Schalter (24) an den Wicklungen (20i?, 20W; 22 R, 22W) angeschaltete Impulsquelle (46) sowie eine über ein Stromstabilisierungsnetzwerk (48), Schreib- bzw. Leseschalter (26,28; 30,32) und die Dioden (20RD, 20WD; 22 RD, 22 WD) an die Wicklungen angeschaltete Treibstromimpulsquelle (50) enthält.

3. Schaltungsanordnung nach den Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Stromstabilisierungsnetzwerk (48) so ausgebildet ist, daß bei fehlender Ansteuerung durch die Treibstromimpulsquelle (50) ein die in Reihe zu den Lese- bzw. Schreibleitungen (2Oi?, 2OW; 22R, 22W) liegenden Dioden (20 RD, 20 WD; 22RD, 22WD) durchschaltender, die Magnetkerne jedoch noch nicht ummagnetisierender Vorbereitungsstrom und bei Ansteuerung durch die Treibstromimpulsquelle der volle Treibstrom über die Schreib- bzw. Leseschalter (26, 28; 30, 32) fließt.

4. Schaltung nach den Ansprüchen 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß der gemeinsame Schalter (24) einen Transistor (52) mit einem seinen Kollektor mit Erde verbindenden Widerstand (64), einem an positivem Potential liegenden Widerstand (55) in seiner Emitterleitung, einer seine Basis mit dem Emitter koppelnden Diode (56), einem seine Basis mit Erde verbindenden Widerstand (58), einer seinen Emitter mit Erdpotential verbindenden Kapazität (62) und mit einer seine Basis an die Impulsquelle (46) koppelnde Diode (60) und einen Transistor (54) mit direkter Verbindung seines Kollektors an Erdpotential, einer direkten Kopplung seiner Basis an den Kollektor des Transistors (52), einer direkten Kopplung seines Emitters an positives Potential und mit einer Kopplung seines Emitters über eine Diodenreihenschaltung an den Emitter des Transistors (52) enthält, wobei der Kollektor des Transistors (54) an einer der Schreib- bzw. Leseleitungen (20 W, 2OR; 22 W, 22R) liegt.

5. Schaltung nach den Ansprüchen 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Reihenschaltungen der Wicklungen (2Oi?, 20 W; 22R, 22 W) und der Dioden (20 RD, 20WD; 22RD, 22WD) jeweils zwischen dem Kollektor des Transistors (54) des gemeinsamen Schalters (24) und einer Schalttransistorstufe (68) der Schreib- bzw. Leseschalter (26, 28, 30, 32) liegen.

6. Schaltung nach den Ansprüchen 1 bis 5, gekennzeichnet durch einen Stromstabilisierungskreis (48) mit folgenden Merkmalen:

einen ersten und zweiten Transistor (136,134), deren Kollektoren über einen Widerstand (138) verbunden sind, wobei der Emitter des ersten Transistors über eine Serienschaltung eines festen und eines variablen Widerstandes (144,146) an positivem Potential und der Emitter des zweiten Transistors einerseits über eine Serienschaltung eines festen und eines variablen Widerstandes (156,158) an negativem Potential und andererseits weiterhin über eine Diodenreihenschaltung (160) an Erde liegt, die Basis des ersten Transistors (136) über eine i?C-Kombination (150, 152,154,148) an positivem Potential liegt, so daß dieser Transistor leitet, und die Basis des zweiten Transistors (134) einerseits über einen Widerstand (164) an positivem Potential und andererseits über eine Diode (166) an der Treibstromimpulsquelle (50) liegt, so daß dieser Transistor normalerweise leitet und von Impulsen der Treibstromimpulsquelle gesperrt wird,

einen dritten Transistor (122), dessen Basis einerseits über ein i?C-Glied (132,140) mit einer der Kapazität (140) des i?C-Gliedes gegen Erde parallelliegenden Diode (142) an den Kollektor des zweiten Transistors (134) angekoppelt ist, dessen Kollektor über einen Widerstand (130) an positivem Potential und dessen Emitter über einen Widerstand (128) an negativem Potential liegt, eine eine Scheinbelastung darstellende Transistorstufe mit wenigstens einem Transistor, dessen Basis einerseits über einen Widerstand (124) an den Emitter des dritten Transistors (122) und andererseits über eine Kapazität (126) an Erde liegt, dessen Emitter über einen Emitterwiderstand und eine parallele Schaltung eines Festwiderstandes (120) und eines variablen Widerstandes (118) an positivem Potential liegt und dessen Kollektor einerseits über die Reihenschaltung eines Festwiderstandes (102) und eines variablen Widerstandes (104) am negativen Potential einer Spannungsquelle (100) und

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andererseits über eine Diode (112) an einem gegen das negative Potential der Spannungsquelle (100) kleinen negativen Potential liegt

und einen durch den Kollektor des Transistors gebildeten Ausgang (A), welcher an die Lese- bzw. Schreibschalter (26,28; 30,32) geführt ist.

7. Schaltung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Scheinbelastung bildende Stufe drei Transistoren (106,108,110) enthält, deren Kollektoren und Basen parallel geschaltet sind und in deren Emitterleitungen je ein Emitterwiderstand (113,114,116) vorgesehen ist.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen