DE1499680C3 - Treib- und Leseverstärkeranordnung für magnetische Matrixspeicher - Google Patents

Treib- und Leseverstärkeranordnung für magnetische Matrixspeicher

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DE1499680C3 DE1499680A DE1499680A DE1499680C3 DE 1499680 C3 DE1499680 C3 DE 1499680C3 DE 1499680 A DE1499680 A DE 1499680A DE 1499680 A DE1499680 A DE 1499680A DE 1499680 C3 DE1499680 C3 DE 1499680C3
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Description

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Die Erfindung bezieht sich auf eine Treib- und Leseverstärkeranordnung für durch Koinzidenzaufruf ansteuerbare magnetische Matrixspeicher mit gemeinsamen Bit/Lese-Verbundleitungen, wobei je ein Impulstreiber an die einen Enden von jeweils zwei parallelgeschalteten, an den genannten einen Enden miteinander verbundenen Bit/Lese-Verbundleitungen angeschlossen ist, deren andere Enden an die beiden Eingänge eines Differential-Leseverstärkers angeschlossen sind und ferner über je eine eine Diode und die Primär- bzw. Sekundärentwicklung eines Balanciertransformators enthaltende Serienschaltung mit Massepotential verbunden sind, so daß der Treibimpuls mittels des Balanciertransformators gleichmäßig auf die beiden Verbundleitungen aufgeteilt wird und die so gebildeten Treibimpulse über die Serienschaltungen niederohmig an Masse abgeführt werden.
In einem dreidimensionalen, wortorganisierten Magnetkern-Matrixspeicher erfolgt während der Treiboperation das Einschreiben von Bits in ein Wort in der Weise, daß über eine Sperrleitung an bestimmte Kerne, bei denen eine Umschaltung durch koinzidierende Halbauswahlsignale verhindert werden soll, ein Sperrimpuls von entgegengesetzter PoIarität angelegt wird, der die Wirkung eines Halbauswahlsignals kompensiert. Da die Operationen Schreiben und Lesen zeitlich voneinander getrennt sind, ist es möglich, eine gemeinsame Verbundleitung sowohl als Schreibleitung, d. h. als Sperrleitung, als auch als Leseleitung zu verwenden. Mit einer solchen Verbundleitung spart man in einem dreidimensionalen Matrixspeicher eine Leitung ein, so daß jeder Magnetkern nur von drei Leitungen durchzogen ist, nämlich einer A'-Koordinatenleitung, einer Y-Koordinatenleitung und einer Bit/Lese-Verbundleitung. Da die Treibimpulse jedoch eine wesentlich höhere Amplitude aufweisen als die Lesesignale, muß man bei derartigen Anordnungen dafür sorgen, daß die Leseverstärker vor der übersteuernden Einwirkung der Treibimpulse geschützt werden. Es ist zu diesem Zweck bereits bekannt (deutsche Auslegeschrift 1 219 082), die Sperrimpulse von zwei Quellen aus in differentieller Weise an den Eingang des Leseverstärkers zu führen, so daß sich die von den zwei Quellen kommenden Sperrimpulse gegenseitig aufheben. Das Lesesignal wird dagegen nur an den einen Eingang des Leseverstärkers angelegt, so daß es hier zu keiner gegenseitigen Aufhebung kommen kann und eine genügende Lesespannung zwecks Weiterverarbeitung zur Verfügung steht.
Mit Vergrößerung der Speicherkapazität, d. h., bei Verwendung von immer mehr Speicherkernen für jede einzelne Bit/Lese-Verbundleitung werden auch die Abweichungen der Impedanzwerte der differentiell an den Leseverstärker geschalteten Sperrleitungen größer, wodurch ungleichmäßige Teilimpulse an den Leseverstärkereingang gelangen. Es erhöhen sich somit die Probleme hinsichtlich einer Übersteuerung und Sättigung des Leseverstärkers, so daß die bekannte Maßnahme, nämlich die differenzielle Zuführung der Bit/Lese-Verbundleitungen zu dem Leseverstärker, allein nicht mehr ausreicht. Bei einer dem eigenen älteren Patent 1 296 673 entsprechenden Anordnung der eingangs genannten Art sorgt ein Balanciertransformator dafür, daß der Treibimpuls trotzdem gleichmäßig auf die beiden Verbundleitungen aufgeteilt wird und somit sich die beiden Teilimpulse in besserem Maße am Differential-Leseverstärker gegenseitig aufheben. Die Transformatorwicklungen werden gegenüber den Verbundleitungen und dem Leseverstärker durch die Dioden einseitig entkoppelt.
Es gehört bereits zum Stande der Technik (USA.-Patentschrift 2 915 740), die an die Bit' Lese-Verbundleitungen angeschlossenen Eingänge des Differential-Leseverstärkers für die Polarität der Sperrimpulse über Dioden mit Masse kurzzuschließen. Für das in der Leseperiode erzeugte Lesesignal sind die Dioden in Sperrichtung gepolt, so daß das Lesesignal voll am Eingang des Differential-Leseverstärkers liegt.
Es ist ferner grundsätzlich bekannt (deutsche Auslegeschrift 1 044 467), Speicherleitungen, wie z. B. Wählleitungen, mit ihrem Wellenwiderstand abzuschließen.
Die Aufgabe der Erfindung ist es, bei einer Treib- und Leseverstärkeranordnung der eingangs genannten Art einen verbesserten Leitungsabschluß der Bit/ Lese-Verbundleitungen für das während des Lesezyklus auftretende Lesesignal zu erreichen.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß jeder Eingang des getasteten Differential-Leseverstärkers zusätzlich über je einen zu der genannten Serienschaltung parallelgeschalteten, der charakteristischen Impedanz der Bit/Lese-Verbundleitungen entsprechenden Widerstand mit Massepotential verbunden ist.
Bei der erfindungsgemäßen Anordnung pflanzt sich das durch Umschaltung eines Speicherkerns erzeugte Lesesignal auf der betreffenden Bit/Lese-Ver-
bundleitung in beiden Richtungen mit entgegengesetzter Polarität fort, wobei das eine Lesesignal direkt zu dem einen Eingang des Differential-Leseverstärkers und das andere Lesesignal über die andere Bit/Lese-Verbundleitung zu dem anderen Eingang des Differential-Leseverstärkers gelangt. Während für die Polarität des ersten Lesesignals die an die betreffende Verbundleitung angeschlossene Diode in Sperrichtung gepolt ist, ist zwar für das andere Lesesignal die an die andere Verbundleitung angeschlossene Diode in Durchlaßrichtung gepolt; jedoch weist diese Diode angesichts der geringen Amplitude des Lesesignals für dieses einen hohen Widerstand auf. Für beide Lesesignalanteile sind daher die mit Massepotential verbundenen Abschlußwiderstände der Verbundleitungen maßgebend. Es wird somit bei Aufrechterhaltung des niederohmigen Leitungsabschlusses für die Treibimpulse ein reflektionsfreier Leitungsabschluß für die Lesesignale erreicht, was für eine Verkürzung der Zykluszeiten wesentlich ist.
Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung wird im folgenden an Hand der Zeichnungen näher beschrieben. Es zeigt
F i g. 1 das vereinfachte Blockschaltbild eines Bit/ Lese-Verbundleitungspaares mit dem Impulstreiber, dem Leseverstärker und den Leitungsabschlüssen,
F i g. 2 das zeitliche Ablaufdiagramm der beim Betrieb des Matrixspeichers auftretenden Impulse,
F i g. 3 das Detail-Schaltbild einer bevorzugten Ausführungsform.
Bei der im folgenden beschriebenen Treib- und Leseverstärkeranordnung weisen die Bit/Lese-Verbundleitungen in unterschiedlicher Größe wirksame Leitungsabschlüsse auf, wobei hinsichtlich eines Treibsignals eine niedrige Impedanz wirksam ist, während hinsichtlich des Lesesignals ein Abschluß mit der charakteristischen Impedanz der Bit/Lese-Verbundleitung vorgesehen ist.
In der Anordnung von F i g. 1 erzeugt der Bit-Treiber 3 während des Schreibzyklus einen Treibstrom, der sich auf das gemeinsame Bit/Lese-Verbundleitungspaar 1,2 gleichmäßig verteilt. Die durch die Stromverzweigung entstehenden Treibimpulsanteile bewirken eine Vorspannung der Dioden 5 und 6 in Durchlaßrichtung, so daß ein Leitungsabschluß niedriger Impedanz mit dem Massepotential entsteht. Der Balanciertransformator 7 stellt sicher, daß in beiden Verbundleitungen 1 und 2 jeweils genau gleiche Stromanteile fließen. Der Differential-Leseverstärker 4, an dessen beide Eingänge die Verbundleitungen 1 und 2 angeschlossen sind, ist von den etwa 1 Volt betragenden Spannungsabfällen an den Dioden betroffen, wobei diese beiden Dioden-Spannungsabfälle sich hinsichtlich des Differential-Leseverstärkers 4 überwiegend gegenseitig aufheben. Da es in der Praxis jedoch nie möglich sein wird, eine vollständige Kompensation der beiden Treibimpulsanteile in der Eingangsstufe des Leseverstärkers zu erzielen, ist es wichtig, daß nur kleine Spannungsabfälle anfallen, was durch die Diodenschaltung er- zielt wird.
Auf den Bit/Lese-Verbundleitungen 1 und 2 sind in bekannter Weise mehrere Magnetkerne 10, 11, 12 aufgefädelt. Die Leitungen 1 und 2 sind mit ihren linksseitigen Enden miteinander verbunden und an einen Bittreiber 3 angeschlossen, der beispielsweise zur Erzeugung der Bit-Sperrimpulse dient. Mit ihren rechtsseitigen Enden sind die Verbundleitungen 1 und 2 über die Leitungen 8 und 9 mit der differentiellen Eingangsstufe des Leseverstärkers 4 verbunden. Im Betrieb erzeugt der Bittreiber 3 entsprechende Bit-Sperrimpulse, die gleichmäßig auf beide Verbundleitungen 1 und 2 gegeben werden, auch wenn der Sperrstrom zur Unterdrückung des Einschreiben eines Bits nur in bezug auf eine Kernreihenanordnung benötigt wird, d. h., wenn der Sperrimpuls nur in einer der beiden Leitungen 1,2 fließen müßte. Der vom Bittreiber 3 erzeugte Sperrimpuls verzweigt sich gleichmäßig auf die Leitungen 1 und 2 und fließt über die entsprechenden Dioden 5,6 und die Wicklungen des Balanciertransformators 7 zur Erde (Massepotential). Es ist die Aufgabe des Balanciertransformators 7, sicherzustellen, daß in den Leitungen 1 und 2 genau gleiche Stromanteile fließen; jede Unregelmäßigkeit wird in den entgegengesetzten Wicklungen des Transformators 7 die Entstehung eines gleich großen, jedoch entgegengesetzten Korrekturstromes zur Behebung der Unregelmäßigkeit erzeugen. Die vom Bittreiber 3 erzeugte Sperrimpulsspannung wird mit Hilfe der Leitungen 8 und 9 direkt der Differentialeingangsstufe des Leseverstärkers 4 zugeführt. Durch die ursprüngliche Stromverzweigung auf die Leitungen 1 und 2 und infolge der Wirkung des Balanciertransformators 7 werden diese Signale sehr genau gleich groß gehalten. Für den Leseverstärker stellt sich dabei folgendes Ergebnis ein: Der Leseverstärker sieht auf jedem seiner beiden differentiellen Eingänge die zur Vorspannung der Dioden 5 und 6 in Vorwärtsrichtung benötigten Schwellwertspannungen, die kleiner als 1 Volt sind und normalerweise innerhalb weniger Hundertstel Volt übereinstimmen. Diese kleinen Spannungen — obwohl im allgemeinen größer als die Spannungen des Lesesignals —· entstehen zu einem vom Lesezeitpunkt verschiedenen Zeitpunkt und sind nicht in der Lage, die im Leseverstärker 4 befindlichen Transistoren über einen Zustand einer nur äußerst kurzzeitigen temporären Sättigung hinaus zu treiben. Der Leseverstärker 4 kann sich deshalb von dem Bit-Sperrsignal sehr schnell »erholen«, so daß er sehr schnell in den normalen Empfindlichkeitszustand zurückkehrt. Er ist somit in der Lage, während des nachfolgenden Lesezyklus die dabei gegebenenfalls auftretenden sehr kleinen Lesesignale in gewünschter Weise zu verstärken.
Während des Lesezyklus, der zu einer Zeit stattfindet, nachdem sich der Leseverstärker von der Einwirkung des Bit-Sperrimpulses wieder erholt hat, bewirken die in F i g. 1 nicht in allen Einzelheiten eingezeichneten X- und Y-Koordinatenleitungen 13, 14 die Ansteuerung eines bestimmten Magnetkernes unter gleichzeitiger Umschaltung dieses ausgewählten Kernes aus dem »1 «-Zustand (nehmen wir an, daß er sich in diesem Speicherzustand gerade befinden möge) in den »O«-Zustand, wobei ein Lesesignal entsteht, das in die entsprechende Bit/Lese-Verbundleitung 1 bzw. 2 induziert wird. In F i g. 1 sind einige der eingezeichneten Kerne mit den Bezugszeichen 10, 11, 12 versehen; praktische Ausführungsformen von Magnetkern-Großspeichern umfassen jedoch sehr viele Kerne auf jeder der Leitungen 1 und 2, wobei mehrere Tausend Kerne nichts Ungewöhnliches sind. In einer tatsächlich realisierten speziellen Ausführungsform sind jeder Verbundleitung 2048 Kerne zugeordnet. Nehmen wir an, daß der Kern 11 als Folge von auf den .X7 Y-Koordinatenleitungen 13, 14 auftretenden Lese-Treibimpulsen umgeschaltet wird.
5 6
Durch die damit verbundene Magnetflußänderung stung des Leseverstärkers 4, um eine definierte Auswird in die Verbundleitung 1 ein Lesesignal indu- tastung des Lesesignals herbeizuführen,
ziert, das sich entlang der Leitung 1 bis zur Diode 5 Das im beschriebenen Matrixspeicher angewendete fortpflanzt. Dieses Lesesignal ist jedoch von einer Bit/Lese-Verbundleitungssystem ist in bezug auf den der Sperrichtung der Diode 5 entsprechenden Polari- 5 Leseverstärker durch die differentielle Eingangsstufe tat, so daß sich das Lesesignal in dem Leitungszweig, elektrisch ausbalanciert, während sich für die Bitin dem sich die Diode 5 befindet, praktisch einer of- Treibsignale und die Lesesignale verschiedene Leifenen Schaltung gegenübersieht. Deshalb pflanzt sich tungsabschlußimpedanzen ergeben. Man braucht das Lesesignal entlang der Leitung 8 fort, bis es an diese verschiedenen Leitungsabschlußimpedanzen, den oberen Eingang der differentiellen Eingangsstufe io da sich die Notwendigkeit ergibt, hohe Treibströme des Leseverstärkers 4 gelangt. Außerdem besteht für in Verbundleitungen mit einer niedrigen Abschlußdas Lesesignal noch ein Leitungsabschluß zum Mas- impedanz fließen zu lassen und für das gleiche Leisepotential in Gestalt des Widerstandes 15, dessen tugnssystem nichtreflektierende Leitungsabschlüsse Wert an die charakteristische Impedanz der Lei- mit einer verhältnismäßig hohen Abschlußimpedanz tungl angepaßt ist. Die Anpassung des Leitungsen- 15 für die Lesesignale vorzusehen und diese an sich als des an die charakteristische Impedanz verhindert be- widerspruchsvoll erscheinenden Forderungen miteinkanntlich das Auftreten von Signalreflexionen. In be- ander in Einklang zu bringen. Der Zweck des Leizug auf die Leitung 2 des Verbundleitungspaares 1,2 tungsabschlusses der Bit/Lese-Verbundleitungen 1 ist eine völlig symmetrische Anordnung vorgesehen, und 2 mit ihren charakteristischen Impedanzen bed. h., der Diode 5 entspricht eine Diode 6 und dem 20 steht im Aufbrauchen und in der Zerstreuung der in Widerstand 15 entspricht ein Widerstand 16, dessen den Verbundleitungen durch den Bit-Sperrimpuls Wert in diesem Falle an die charakteristische Impe- noch verbliebenen Energie. Irgendein anderer Leidanz der Leitung 2 angepaßt ist. tungsabschluß könnte zu Reflexionen führen, die bei
Bei der Betrachtung der Betriebsweise des erfin- den für den Speicher vorgesehenen hohen Betriebs-
dungsgemäßen Matrixspeichers nehmen wir Bezug 25 geschwindigkeiten auch noch beim Auftreten der Le-
auf das in F i g. 2 dargestellte Impulsprogramm. Die seimpulse vorhanden sind und dabei die kleinen Le-
Auslösung einer Speicheroperation erfolgt durch den sesignale überdecken könnten.
Selektionsimpuls 21. der Torimpuls 22 versetzt die Ein nichtreflektierender Leitungsabschluß ist auch
Treibschalrungen für die X- und y-Koordinatenlei- nützlich bei der Verarbeitung der Lesesignale in der
tungen in einen Bereitschaftszustand. 30 differentiellen Eingangsstufe des Leseverstärkers.
Unmittelbar darauf aktiviert der Impuls 23 die Der ausgewählte Kern, beispielsweise der Kern 11 in Z-Treiber, die den X-Lese-Treibimpuls liefern. Nach- F i g. 1, erzeugt bei seiner Umschaltung eine Magnetdem die Störungstransienten, die durch die Anstiegs- f hiß änderung, durch die in die Leitung 1 Lesesignale flanke des X-Treibimpulses entstanden sind, Gele- induziert werden, die sich ausgehend vom Kern 11 genheit zum Abklingen hatten, wird der Steuerimpuls 35 auf der Leitung 1 nach rechts und links mit entgegen-24 gegeben, der die Auslösung des Y-Treibimpulses gesetzter Polarität fortpflanzen. Das sich nach rechts bewirkt. Da wir uns im Lesezyklus befinden, bleibt fortpflanzende Lesesignal gelangt über die Leitung 8 der Sperrtreiber inaktiv. Durch Koinzidenz der X- an den oberen Eingang des Leseverstärkers 4, wäh- und Y-Treibströme an der Stelle des ausgewählten rend das sich nach links fortpflanzende Lesesignal Magnetkernes (z.B. Kern 11 in Fig. 1) werden alle 40 über die Leitung2 und die Leitung9 schließlich an ein Wort darstellenden Magnetkerne in den »O«-Zu- den unteren Eingang des Leseverstärkers 4 gelangt, stand geschaltet. Diejenigen Kerne, die sich bereits Die Leitungslängen, über die sich die beiden Lesesivorher im Speicherzustand »0« befunden haben, er- gnalanteile fortpflanzen, bis sie an den Leseverstärleiden keine Umschaltung und erzeugen deshalb auch ker 4 gelangen, sind nicht gleich groß. Das Lesesignal kein effektiv wahrnehmbares Lesesignal. Diejenigen 45 wird bei dem näher gelegenen oberen Eingang des Kerne jedoch, die sich vorher im Speicherzustand Leseverstärkers 4 um ein ganz klein wenig früher ein- »1« befanden, werden in den »O«-Zustand umge- treffen, als der sich vom Kern 11 nach links fortschaltet, pflanzende Lesesignalanteil, der auf den Leitungen
Die mit der Umschaltung aus dem Zustand »1« in 1,2 und 9 einen längeren Weg zurücklegen muß, bis den Zustand »0« verbundene Magnetflußänderung 5° er an den unteren Eingang des Leseverstärkers 4 gebewirkt die Induktion eines verhältnismäßig großen langt. Solange dieser Zeitunterschied klein ist vergli-Lesesignals in die mit dem Kern verkoppelte Bit/ chen mit der Basislänge des Lesesignals, wirkt sich Lese-Verbundleitung. Dieses induzierte Lesesignal die zeitliche Verzögerung nur insofern aus, als es zu wird dem an die Verbundleitung angeschlossenen einer Streckung des Lesesignals an den Eingangs-Leseverstärker zugeführt, in F i g. 1 also dem Le- 55 klemmen des Leseverstärkers 4 führt. Sollten hingeseverstärker 4 über die Verbindungsleitung 8. Wie gen die Leitungsabschlüsse reflektierende Eigenbereits mehrfach erwähnt, gelangt das Lesesignal in schäften haben, so könnte es durch Einfach- und den einen Zweig des differentiellen Eingangskreises Mehrfachreflexionen gegebenenfalls zu einer drastides genannten Leseverstärkers. Die Schaltung des sehen Verformung der Wellenform des Lesesignals Leseverstärkers, die in weiteren Einzelheiten in 60 kommen, wodurch eine Erkennung und Diskriminie-F i g. 3 dargestellt ist, bewirkt eine Verstärkung des rung der Lesesignale sehr erschwert würde. Ein Leizugeführten Lesesignals und das Auftreten des ent- tungsabschluß mit der charakteristischen Impedanz sprechend verstärkten Signals am Ausgang des Le- erhält die Wellenform des Lesesignals im allgemeiseverstärkers 4, wodurch angezeigt wird, daß die von nen unverändert aufrecht, bis auf die erwähnte geder betreffenden Leseanordnung abgefragte Bitstelle 65 ringfügige Streckung im Vergleich zu der vom Kern des ausgewählten Wortes sich im Speicherzustand 11 tatsächlich in die Leitung induzierten Signalspan- »1« befunden hat. Wie noch beschrieben werden nung.
wird, erfolgt während des Lesezyklus eine Impulsta- Um die echten Lesesignale von allenfalls vorkom-
menden Störsignalen, die beim Einschalten der X- und Y-Treibimpulse auftreten können, deutlicher unterscheiden zu können, wird der Leseverstärker 4 während des Lesezyklus durch einen Austastimpuls 26 getastet. Das am Ausgang des Leseverstärkers 4 auftretende, entsprechend verstärkte und ausgetastete Lesesignal wird im allgemeinen in ein Zwischenregister eingeschrieben, das durch ein Steuersignal 27 in einen Bereitschaftszustand zur Aufnahme der während des Lesezyklus übertragenen Lesesignale versetzt wird.
Bei einer Leseoperation werden alle Magnetkerne des angesteuerten Wortes in den »O«-Zustand geschaltet. Die Magnetkerne dieses Wortes befinden sich damit alle in einem einheitlichen Ausgangszustand und sind für den nachfolgenden Schreibzyklus zum Einschreiben einer neuen Information oder zur Regenerierung der alten Information bereit.
Wenn eine Regenerierung der vorher gespeicherten Information gewünscht ist, so findet an Stelle eines Schreibzyklus ein sogenannter Regenerationszyklus statt. Regenerationszyklus und Schreibzyklus unterscheiden sich grundsätzlich nicht voneinander, denn auch der Regenerationszyklus ist ein echter Schreibzyklus, nur wird in die betreffenden Magnetkerne des Wortes diejenige Information wieder eingeschrieben, die während des vorangegangenen Lesezyklus ausgelesen wurde, wobei es sich bei der Leseoperation um eine zerstörende Informationsablesung handelt. Gleichgültig, ob es sich um einen Regenerationszyklus oder um einen Schreibzyklus handelt, es wird in beiden Fällen das anzusteuernde Wort mit Hilfe der X- und Y-Treibimpulse auf den Leitungen 13 und 14 ausgewählt, während die Art der einzuschreibenden Information durch die Aktivierung bzw. Nichtaktivierung der Bittreiber 3 bestimmt wird, welche die Bit-Sperrimpulse erzeugen. Der X-Schreibstrom und der Y-Schreibstrom werden durch die Impulse 28 und 29 ausgelöst, die die entsprechenden Worttreiber aktivieren. Wenn kein Sperrimpuls 30 auftritt, so wird durch Koinzidenz der X- und Y-Impulse 28, 29 der entsprechende Kern des ausgewählten Wortes in den »1 «-Zustand umgeschaltet. Bei denjenigen Kernen, bei denen eine Umschaltung aus dem »0«- in den »1 «-Zustand unterdrückt werden soll, wird über die Bit/Lese-Verbundleitungen 1,2 ein Sperrimpuls 30 gegeben, der im Vergleich zu den X- und Y-Impulsen 28, 29 eine entgegengesetzte Polarität aufweist, so daß sich für den ausgewählten Kern eine resultierende Feldstärke ergibt, die kleiner ist als der Umschaltschwellwert. In dieser Weise wirkt sich also die inhibierende Wirkung der Sperrimpulse aus. Während eines Schreibzyklus werden diejenigen Magnetkerne des ausgewählten Wortes aus dem »0«- in den »1 «-Zustand nicht umgeschaltet, bei denen ein Sperrimpuls angelegt wird, während eine Umschaltung in den »!«-Zustand bei denjenigen Magnetkernen des ausgewählten Wortes stattfindet, bei denen kein Sperrimpuls angelegt wird.
Wie im Zusammenhang mit der Beschreibung des in F i g. 1 schematisch dargestellten Ausführungsbeispiels ersichtlich wurde, sind während des Schreibzyklus und des Lesezyklus verschiedene Leitungsabschlüsse effektiv wirksam, nämlich während des Lesezyklus ein Leitungsabschluß mit der charakteristischen Leitungsimpedanz und während des Schreibzyklus für die auftretenden Sperrimpulse ein Leitungsabschluß mit einer möglichst niedrigen Impedanz, so daß am Eingang des Leseverstärkers keine unzulässig hohen Spannungen auftreten, die eine Übersteuerung und Sättigung des Leseverstärkers verursachen könnten.
In F i g. 3 ist das ausführliche Schaltbild eines bevorzugten Ausführungsbeispiels des Erfindungsgegenstandes dargestellt, wobei aus Gründen der Ubersichtlichkeit aus dem Matrixspeicher auch nur ein Bit/Lese-Verbundleitungspaar 31, 32 mit den entsprechenden Magnetkernen 40, 41, 42 dargestellt ist. Der Ausgang des Bittreibers 33 liefert die während des Schreibzyklus erforderlichen Sperrimpulse auf die genannten Verbundleitungen 31, 32. Am Beispiel des größer herausgezeichneten Magnetkerns 41 ist gezeigt, wie an sich jeder Kern der Anordnung verdrahtet ist. Jeder Kern ist von drei Leitungen durchzogen, nämlich den X- und Y-Koordinatenleitungen 43, 44 und einer Bit/Lese-Verbundleitung 31 bzw. 32. Die Verbundleitungen 31, 32 sind mit Massepotential über den Balanciertransformator 37 und die Dioden 35, 36 sowie über die Widerstände 45, 46, deren Werte den charakteristischen Leitungsimpedanzen entsprechen, verbunden. Die Widerstände 47 und 48 sind über die Leitung 49 mit dem Ausgang des Bittreibers 33 verbunden, um gewisse dynamische Störsignaltransienten auszugleichen und um einen Leitungsabschluß für die Verbindungsleitung des Bittreibers 33 mit dem Verbundleitungssystem zu schaffen.
Die Leitungen 38 und 39 verbinden die Verbundleitungen 31, 32 mit der Basis der Transistoren 51 und 52 des Vorverstärkers. Diese Vorverstärkertransistoren sind mit den Detektortransistoren 53 bis 56 und den Tunneldioden 57, 58 verbunden. Der Detektor liefert Ausgangssignale, die eine Einstellung des in F i g. 3 nicht dargestellten Datenregisters bewirken. Der Detektor wird mit Hilfe einer Tastschaltung, die die Transistoren 59 und 60 umfaßt, gesteuert.
Die Steuerung des Vorverstärkers erfolgt durch den Transistor 61, der seinerseits in zeitlicher und räumlicher Hinsicht entsprechend gesteuert wird, um eine ordnungsgemäße Übernahme der ausgelesenen Informationen zu bewirken. Die Torsteuerung der Vorverstärker gestattet eine -ST-Y-Koordinatenauswahl einer Gruppe von Magnetkernen, die größer als die Wortlänge ist. Die tatsächliche Wortauswahl erfolgt durch eine Torsteuerung der entsprechenden Vorverstärker mit Hilfe von Tortreibstufen wie beispielsweise dem Transistor 62.
Das Einschreiben entsprechender Informationen in die Magnetkerne erfolgt durch selektive Sperrung in Abhängigkeit der im Datenregister stehenden Bits. Die Datenregisterbits steuern den Bit-Sperrtreiber über eine Eingangsschaltung, die z. B. aus den Transistoren 63 und 64 besteht.
Der Bit-Sperrtreiber 33 umfaßt den Eingangstransformator65 sowie die Leistungstransistoren 66, 67, wobei entsprechende Wärmeableitmittel vorgesehen sind. Ein Eingangsimpuls zur Durchführung einer Operation zum Einschreiben oder Regenerieren von Daten gelangt an die Sekundärwicklung des Transformators 65 und bewirkt das Einschalten der beiden Transistoren 66 und 67, die daraufhin in einen Stromleitungszustand versetzt werden.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
409 521/281

Claims (1)

  1. Patentanspruch:
    Treib- und Leseverstärkeranordnung für durch Koinzidenzaufruf ansteuerbare magnetische Matrixspeicher mit gemeinsamen Bit/Leseverbundleitungen, wobei je ein Impulstreiber an die einen Enden von jeweils zwei parallelgeschalteten, an den genannten einen Enden miteinander verbundenen Bit/Leseverbundleitungen angeschlossen ist, deren andere Enden an die beiden Eingänge eines Differential-Leseverstärkers angeschlossen sind und ferner über je eine eine Diode und die Primär- bzw. Sekundärentwicklung eines Balanciertransformators enthaltende Serienschaltung mit Massepotential verbunden sind, so daß der Treibimpuls mittels des Balanciertransformators gleichmäßig auf die beiden Verbundleitungen aufgeteilt wird und die so gebildeten Teilimpulse über die Serienschaltungen niederohmig an Masse abgeführt werden, dadurch gekennzeichnet, daß jeder Eingang des getasteten Differential-Leseverstärkers (4) zusätzlich über je einen zu der genannten Serienschaltung parallelgeschalteten, der charakteristischen Impedanz der Bit/Leseverbundleitungen (1, 2) entsprechenden Widerstand (15, 16) mit Massepotential verbunden ist.
DE1499680A 1965-04-05 1966-04-01 Treib- und Leseverstärkeranordnung für magnetische Matrixspeicher Expired DE1499680C3 (de)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US3181132A (en) * 1962-06-29 1965-04-27 Rca Corp Memory
US3209337A (en) * 1962-08-27 1965-09-28 Ibm Magnetic matrix memory system
US3319233A (en) * 1963-06-05 1967-05-09 Rca Corp Midpoint conductor drive and sense in a magnetic memory

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