DE1499718C - Treiberschaltung für einen Magnetkernspeicher - Google Patents
Treiberschaltung für einen MagnetkernspeicherInfo
- Publication number
- DE1499718C DE1499718C DE19661499718 DE1499718A DE1499718C DE 1499718 C DE1499718 C DE 1499718C DE 19661499718 DE19661499718 DE 19661499718 DE 1499718 A DE1499718 A DE 1499718A DE 1499718 C DE1499718 C DE 1499718C
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- driver
- circuit
- lines
- transistor
- transformer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 230000015654 memory Effects 0.000 title claims description 18
- 238000004804 winding Methods 0.000 claims description 72
- 230000000903 blocking Effects 0.000 description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 210000004940 Nucleus Anatomy 0.000 description 3
- 230000001808 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 2
- 210000004072 Lung Anatomy 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000000875 corresponding Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000006011 modification reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003334 potential Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
Description
30
In der Vergangenheit sind viele verschiedene Treiberschaltungen
für Magnetkernspeicher bekanntgeworden. Bei einem typischen Magnetkernspeicher sind Magnetkerne, die eine rechteckförmige Hystereseschleife
aufweisen, in Zeilen und Spalten angeordnet. Mit ihnen verbundene Treiberschaltungen
adressieren ausgewählte Gruppen der Magnetkerne des Speichers. Jede Zeile und jede Spalte von Magnetkernen
besitzt eine Treiberleitung, der bipolare Lese- und Schreibströme zugeführt werden. Eine
Stromquelle für Lese- und Schreibströme wird wahlweise über Schalter mit den Treiberleitungen verbunden,
um die Magnetkerne bei gleichzeitigem Speisen der den Kernen gemeinsamen Zeilen- und Spalten-Treiberleitungen
in den einen oder den anderen von zwei stabilen Zuständen zu bringen.
In Datenverarbeitungsanlagen mit Magnetkernspeichern werden Transistoren üblicherweise als
Schalter benutzt, um die Treiberströme selektiv den Treiberleitungen zuzuführen. Im Interesse der Wirtschaftlichkeit
wird die Anzahl der Transistorschalter durch Anwenden einer Transistor-Dioden-Wählmatrix
verringert, die die Auswahl der Treiberleitungen steuert.
In einer bekannten Schaltungsanordnung sind die Transistorschalter paarweise angeordnet und werden
als Trciberschalter bezeichnet. Die eine Hälfte der paarweise angeordneten Treiberschalter ist mit den
Zeilentreiberleitungen und die andere Hälfte mit den Spaltentreiberleitungen verbunden. Jedes Paar von
Treiberschaltern ist mit dem einen oder dem anderen Ende einer Treiberleitung über zwei Sätze von entgegengesetzt
gepolten Trenndioden verbunden. Einer der beiden Treiberschalter jedes Treiberschalterpaares
wird eingeschaltet, um einer bestimmten Treiberleitung den Lesestrom zuzuführen, und der andere
Treiberschalter jedes Treiberschalterpaares führt der Leitung den Schreibstrom zu. In dieser Weise wird
die Anzahl der Transistoren, die für eine bestimmte Größe einer Speichervorrichtung erforderlich ist, auf
ein Minimum reduziert.
Diese Treiberschaltung erwies sich als eine der wirtschaftlichsten Konstruktionen für den Hauptspeicher
einer Datenverarbeitungsanlage. In einem typischen Hauptspeicher-werden Sperr-Treiberleitungen
in Verbindung mit den Zeilen- und Spalten-Treiberleitungen benutzt, die oben für das wahlweise Erregen
eines jeden Kernes in einer vorher bestimmten Gruppe von Kernen beschrieben wurden, die während
des Schreibzyklus mit einem Paar von Zeilen- und Spalten-Treiberleitungen verbunden ist.
In einer solchen Treiberschaltung bestand die Stromversorgung, soweit das bekannt ist, aus einer
oder mehreren Gleichstromquellen. In Systemen dieser Art trat ein besonders unangenehmes Problem
dadurch auf, daß die Anstiegszeiten der Treiberstromimpulse charakteristisch langsamer sind, als das
erwünscht ist, wodurch die Arbeitsgeschwindigkeit der Anordnung begrenzt wird. Zumindest ein Teil
des Problems der langsamen Anstiegszeit geht auf die Tatsache zurück, daß die Leseleitungen, die die Ausgangssignale
der Kerne aufnehmen, mit den gleichen Stromversorgungseinheiten gekoppelt sind wie die
Treiberschaltungen und so ein Teil der Energie der Treiberschalter auf diese Leseleitung gekoppelt wird.
Der Magnetkernspeicher besitzt ebenfalls eine bedeutende Streukapazität, die durch die Treiberleitungen
aufgeladen wird und dadurch die Anstiegszeiten der Stromimpulse erhöht.
Die induktive, aber insbesondere die kapazitive Kopplung eines Teiles des Treiberstromes auf die
Leseleitungen, die von den Stromversorgungseinheiten nicht getrennt sind, bedingt ebenfalls einige unangenehme
Probleme in bezug auf Störimpulse. Es wurden Versuche unternommen, die Anordnung
möglichst symmetrisch aufzubauen, um die Probleme bezüglich der Störimpulse zu verringern, aber das
allein ist nicht vollständig befriedigend.
Die genannten Nachteile werden bei einer Treiberschaltung für einen Magnetkernspeicher, dessen
Treiberleitungen über Transistorschalter auswählbar sind, dadurch vermieden, daß erfindungsgemäß zur
Verringerung der Anstiegszeit der Treiberströme in dem Stromkreis zur Speisung der Treiberleitungen
auch die Sekundärwicklung eines Transformators liegt, in der beim Adressieren einer Treiberleitung
ein kurzer Spannungsimpuls hervorrufbar ist, der sich dem Potential der Gleichstromquelle für das Speisen
der Treiberleitung gleichsinnig überlagert.
Gemäß einem weiteren Merkmal der Erfindung sind die Transistorschalter, die die Treiberleitungen
mit der Gleichstromquelle verbinden, durch einen in der ersten Sekundärwicklung eines Transformators,
die an die Emitter-Basis-Strecke des Transistorschalters angeschlossen ist, erzeugten Impuls in den niederohmigen
Zustand bringbar und ist der Emitter-Kollektor-Strecke dieses Transistorschalters eine
Reihenschaltung aus einer weiteren Sekundärwicklung und einer Diode parallel geschaltet.
Die Erfindung wird an Hand der folgenden Beschreibung eines bevorzugten Ausführungsbeispieles
in Verbindung mit den Zeichnungen näher erläutert, von denen zeigt bzw. zeigen
Fig. 1 ein unvollständiges Blockschaltbild, das die verbesserte Treiberschaltung erläutert,
Fig. 2A und 2B unvollständige Schaltbilder, die
die Einzelheiten des bevorzugten Ausführungsbeispieles der Erfindung illustrieren und
F i g. 3 Kurvenläufe, die der Betrieb des bevorzugten Ausführungsbeispieles näher erläutern.
Es sei bemerkt, daß das verbesserte Treibersystem in Kernspeicheranordnungen verwendet werden kann,
die einen zweidimensionalen oder einen dreidimensionalen Aufbau besitzen. Die folgende genauere
Beschreibung bezieht sich auf einen dreidimensional aufgebauten Magnetkernspeicher.
Bei dem Ausführungsbeispiel nach F i g. 1 ist angenommen,
daß die Kernspeicheranordnung 1 64 Zeilen-Treiberleitungen 2-1 bis 2-64 und 64 Spalten-Treiberleitungen
3-1 bis 3-64 aufweist, so daß 4096 adressierbare Speicherstellen vorhanden sind.
Ein erster Satz von Zeilen-Treiberschaltungen 4-1 bis 4-8 ist mit den linken Klemmen der Zeilen-Treiberleitungen
gekoppelt und eine zweite Gruppe von Zeilen-Treiberschaltungen 5-1 bis 5-8 mit den rechten
Klemmen der Zeilen-Treiberschaltungen.
Ein erster Satz von Spalten-Treiberschaltungen 6-1 bis 6-8 ist mit den oberen Klemmen der Spalten-Treiberleitungen
verbunden und ein zweiter Satz von Spalten-Treiberschaltungen 7-1 bis 7-8 mit den unteren
Klemmen der Spalten-Treiberleitungen. Jede Treiberschaltung ist mit jeweils 8 Treiberleitungen
verbunden. Durch das Auswählen einer Zeilen-Treiberschaltung 4-1 bis 4-8 und einer Zeilen-Treiberschaltung
5-1 bis 5-8 wird eine Zeilen-Treiberleitung 2-1 bis 2-64 ausgewählt. In ähnlicher
Weise wird durch Auswahl einer Spalten-Treiberschaltung aus jeder der Gruppen 6-1 bis 6-8 und 7-1
bis 7-8 eine der Spalten-Treiberleitungen 3-1 bis 3-64 ausgewählt.
Daher wird durch Auswähl einer der Treiberschaltungen
4-1 bis 4-8, 5-1 bis 5-8, 6-1 bis 6-8 und 7-1
bis 7-8 ein bestimmter der 4096 Speicherplätze der Anordnung adressiert. Dieser adressierte Speicherplatz
der Anordnung enthält eine Reihe von Magnetkernen, deren Anzahl der Anzahl der Bits der binären
Daten entspricht, die in dem erwähnten Speicherplatz gespeichert werden soll. Während eines Schreibzyklus
werden Sperr-Treiberschaltungen 8 und Sperr-Treiberleitungen 9, von denen jede einer bestimmten
Bitstelle zugeordnet ist, selektiv gesteuert, um zu bestimmen, ob eine binäre Eins oder eine binäre Null
in die Bitstelle eingeschrieben wird. Eine Leseleitung ist jeder Bitstelle zugeordnet, um den binären Wert,
der in dieser Bitstelle gespeichert ist, während eines Lesezyklus auszulesen. In einigen Fällen wird die
gleiche Leitung (z. B. die Leitung 9) sowohl als Sperrais auch als Leseleitung verwendet.
Jede der Zeilen- und Spalten-Treiberschaltungen weist vorzugsweise den gleichen Aufbau auf. Die
Sperr-Treiberschaltungen können in bekannter Weise aufgebaut sein.
Die Zeilen-Treiberschaltung 4-1 enthält eine Lese-Treiberschaltung
10, eine Schreib-Treiberschaltung 11, Lese- und Schreib-Steuerschaltungen 12 und 13
und Und-Schaltungen 14, 15 und 16. Die Lese-Treiberschaltung
10 ist mit dem positiven Pol 20 einer Stromquelle über einen Widerstand 21 und die
Sekundärwicklung 22 eines Transformators 23 verbunden. Die Primärwicklung 24 des Transformators
23 ist mit dem positiven Pol 20 der Stromquelle und mit einer Treiberschaltung 25 verbunden. Die Treiberschaltung
wird ihrerseits durch eine Und-Schaltung 26 gesteuert.
Die Schreib-Treiberschaltung 11 ist mit der negativen Klemme 30 einer Stromquelle über einen Widerstand
31 verbunden. Die Klemmen 20 und 30 der Stromquellen weisen Potentiale gleicher Größe, aber
entgegengesetzter Polarität auf.
Jede der Zeilen- und Spalten-Treiberschaltungen ist in dem bevorzugten Ausführungsbeispiel von
gleichartigem Aufbau. So enthält die Zeilen-Treiberschaltung 4-8 die Lese- und Schreib-Treiberschaltungen
35 und 36, die Lese- und Schreib-Steuerschaltungen 37 und 38 und die Und-Schaltungen 39, 40
und 41.
Die Zeilen-Treiberschaltung 5-1 enthält die Schreibund Lese-Treibschaltungen 42 und 43, die Schreib-
und Lese-Steuerschaltungen 44 und 45 und die Und-Schaltungen
46, 47 und 48.
Die Zeilen-Treiberschaltung 5-8 enthält Schreibund Lese-Treiberschaltungen 49 und 50, Schreibund
Lese-Steuerschaltungen 51 und 52 und die Und-Schaltungen 53, 54 und 55.
Die Sekundärwicklung 22 des Transformators ist
über die Leiter 60 mit den Lese-Treiberschaltungen der Zeilen-Treiberschaltungen 4-1 bis 4-8 verbunden.
Der Widerstand 31 ist mit den Schreib-Treiberschaltungen der Zeilen-Treiberschaltungen 4-1 bis
4-8 über die Leiter 61 verbunden. Die Stromversorgung für die Zeilen-Treiberschaltungen 5-1 bis 5-8
ist der für die Zeilen-Treiberschaltungen 4-1 bis 4-8 beschriebenen ähnlich. Zu dieser Stromversorgung
gehören der positive und negative Pol 70 und 71 einer
Spannungsquelle, die Widerstände 72 und 73 und ein Transformator 74 mit seiner Primärwicklung 75 und
seiner Sekundärwicklung 76. Die Sekundärwicklung 76 ist mit jeder der Schreib-Treiberschaltungen der
Zeilen-Treiberschaltungen 5-1 bis 5-8 über die Leiter 62 verbunden, und der Widerstand 73 ist mit jeder
der Lese-Treiberschaltungen der Zeilen-Treiberschaltungen 5-1 bis 5-8 über die Leiter 63 verbunden. Die
Primärwicklung 75 ist mit einer Treiberschaltung 77 verbunden, die ihrerseits von einer Und-Schaltung
78 beeinflußt wird.
Die Treiberschaltungen für die Spalten-Treiberleitungen sind vorzugsweise identisch mit den oben
für die Zeilen-Treiberleitungen beschriebenen und werden daher nicht weiter erläutert.
Die Fig. 2A und 2B zeigen die Zeilen-Treiberschaltungen
4-1 und 5-1 genauer, um die Wirkungsweise eines bevorzugten Ausführungsbeispieles der
Erfindung näher zu erläutern. In den Fig. 1, 2A und 2 B tragen entsprechende Elemente und Schaltungen
die gleichen Bezugsziffern.
Die Lese-Treiberschaltungen 10 (Fig. 2A) enthält
einen Transistor 100, dessen Kollektor mit der Sekundärwicklung 22 des Transformators 23 und dessen
Emitter über Dioden 101-1 bis 101-8 mit den Zeilen-Treiberleitungen 2-1 bis 2-8 verbunden ist.
Die Lese-Treiberstufe enthält auch eine Diode 102 und die Sekundärwicklung 103 eines Transformators
104. Eine weitere Sekundärwicklung 105 des Transformators 104 ist mit der Basis-Emitter-Diode des
Transistors 100 verbunden.
Die Lese-Steuerschaltung 12 enthält die Primärwicklung 106 des Transformators 104 und eine Transistor-Verstärkerstufe
107. Der Kollektor der Transistor-Verstärkerstufe 107 ist über einen Widerstand
109 mit dem positiven Pol 108 einer Spannungsquelle verbunden und ihr Emitter mit der Primärwicklung
106 und einem Parallelwiderstand 110. Die Und-
5 6
Schaltung 15 ist ebenfalls mit der Primärwicklung 162, einen Widerstand 165, eine Transistor-Ver-
106 und dem Parallelwiderstand 110 verbunden. stärkerstufe 166, den positiven Pol 167 einer Strom-Die
Speiseschaltung für die Transistor-Verstärker- quelle, einen Widerstand 168, eine Diode 169, einen
stufe 107 enthält einen Transformator 111 mit den Transformator 170 mit einer Primärwicklung 171
Sekundärwicklungen 112 und 113 und der Primär- 5 und den Sekundärwicklungen 172 und 173, den
wicklung 114. Die Sekundärwicklung 112 ist mit der positiven Pol 174 einer weiteren Spannungsquelle
Basis-Emitter-Diode der Transistor-Verstärkerstufe und die Widerstände 175 und 176.
107 verbunden, und die Reihenschaltung aus der Die Treiberschaltung 43 enthält eine Diode 180
Sekundärwicklung 113 und einer Diode 115 ist an und die damit in Serie geschaltete Sekundärwicklung
den Emitter und den Kollektor der Transistor-Ver- io 181 eines Transformators 182. Die Steuerschaltung
stärkerstufe 107 angeschlossen. Die Primärwicklung 45 enthält die Primärwicklung 183 des Transforma-
114 ist mit der Und-Schaltung 14 und über einen tors 182 und eine weitere Sekundärwicklung 184, die
Widerstand 115 mit dem positiven Pol 116 einer Widerstände 185, 186, 187 und 188, eine Diode 189,
Spannungsquelle verbunden. Ein Widerstand 117 einen Transformator 190 mit einer Primärwicklung
liegt parallel zur Primärwicklung 114 des Transfor- 15 191 und den Sekundärwicklungen 192 und 193, eine
mators 111. Transistor-Verstärkerstufe 194 und die positiven Pole
Die Schreib-Treiberschaltung 11 ähnelt der Lese- 195 und 196 zweier Spannungsquellen.
Treiberschaltung 10 und enthält einen Transistor 120, Die Treiberschaltung 25 für die Primärwicklung
Treiberschaltung 10 und enthält einen Transistor 120, Die Treiberschaltung 25 für die Primärwicklung
dessen Emitter über einen Widerstand 31 mit dem 24 des Impuls-Transformators 23 enthält ein Paar
negativen Pol 30 einer Spannungsquelle und dessen 20 Transistoren 200 und 201, deren Emitter mit dem
Kollektor über die Dioden 121-1 bis 121-8 mit den Erdpotential und deren Kollektoren über die WiderZeilen-Treiberleitungen
2-1 bis 2-8 verbunden ist. stände 202 und 203 mit der Wicklung 24 verbunden --...
Die Reihenschaltung aus einer Diode 122 und der sind. Ein Transformator 204 enthält die Primärwick- (J ί
Sekundärwicklung 123 eines Transformators 124 ist lung 205, eine Sekundärwicklung 206, die mit der
mit dem Emitter und dem Kollektor des Transistors 25 Basis-Emitter-Diode des Transistors 202 verbunden
120 verbunden. Der Transformator 124 enthält eine ist und die Reihenschaltung aus einer zusätzlichen
weitere Sekundärwicklung 125, die mit der Basis- Sekundärwicklung 207, einer Diode 208, die an den
Emitter-Diode des Transistors 120 verbunden ist. Emitter und den Kollektor des Transistors 200 ange-Die
Primärwicklung 126 des Transformators 124 und schlossen ist. Ein Transformator 210 weist eine
ein dazu parallelliegender Widerstand 127 sind mit 30 Primärwicklung 211 auf, eine Sekundärwicklung 212,
dem Ausgang der Und-Schaltung 15 und dem Emitter die an die Basis-Emitter-Diode des Transistors 201
einer Transistor-Verstärkerstufe 128 verbunden. angeschlossen ist, und eine weitere Sekundärwicklung
Der Kollektor der Transistor-Verstärkerstufe 128 213, die mit einer Diode 214 eine Reihenschaltung
ist über einen Widerstand 130 mit dem positiven Pol bildet, welche an den Emitter und den Kollektor des
129 einer Stromquelle verbunden. Die Reihenschal- 35 Transistors 201 angeschlossen ist. Die Und-Schaltung
tung aus einer Diode 131 und der Sekundärwicklung 26 ist über einen Widerstand 216, die Primärwick-
132 des Transformators 133 ist an den Emitter und lung 205 und deren Parallelwiderstand 217 sowie die
den Kollektor der Transistor-Verstärkerstufe 128 an- Primärwicklung 211 und deren Parallelwiderstand
geschlossen. Eine weitere Sekundärwicklung 134 des 218 mit dem positiven Pol 215 einer Spannungsquelle
Transformators 133 ist mit der Basis-Emitter-Diode 40 verbunden.
der Transistor-Verstärkerstufe 128 verbunden. Die Die Treiberschaltung 77 für die Primärwicklung
Primärwicklung 135 des Transformators 133 und ein des Impulstransformators 74 ähnelt der Treiber-Parallelwiderstand
136 sind mit der Und-Schaltung schaltung 25 und enthält die Widerstände 220, 221,
16 und über einen Widerstand 138 mit dem positiven 222, 223 und 224, die Transistoren 225 und 226, die
Pol 137 einer Spannungsquelle verbunden. 45 Dioden 227 und 228 und die Transformatoren 229
Die Schaltungen 42, 43, 44 und 45 sind den Schal- und 230 und den positiven Pol 237 einer Spannungstungen
10, 11, 12 und 13 ähnlich. So enthält die quelle. Der Transformator 229 besitzt eine Primär-Schreib-Treiberschaltung
42 einen Transistor 150, wicklung 231 und die Sekundärwicklungen 232 und
dessen Emitter über Dioden 152-1 bis 152-8 mit einer 233. Der Transformator 230 besitzt die Primärwick-Anzahl
von Zeilen-Treiberleitungen 2-1, 2-9, 2-17, 50 lung 234 und die Sekundärwicklungen 235 und 236.
2-25, 2-33, 2-41, 2-49 und 2-57 verbunden ist. Die Im folgenden wird die Wirkungsweise der Schalgleichen Zeilen-Treiberleitungen sind auch über die tungen nach den Fig. 2A und 2B für das Speisen
Dioden 154-1 bis 154-8 mit dem Kollektor eines der Zeilen-Treiberleitung 2-1 näher beschrieben.
Transistors 153 verbunden. Während des Schreibzyklus beeinflussen nicht dar-
Von den Zeilen-Treiberleitungen 2-9, 2-17, 2-25, 55 gestellte Adressierschaltungen die Und-Schaltungen
2-33, 2-41, 2-49 und 2-57 ist jede mit der Lese- und 15 und 16 der Zeilen-Treiberschaltung 4-1 und die
Schreib-Treiberschaltung einer der Zeilen-Treiber- Und-Schaltungen 46 und 47, die der Zeilen-Treiberschaltungen
4-2 bis 4-8 (F i g. 1) verbunden. In ahn- schaltung 5-1 zugeordnet sind.
licher Weise ist jede der Zeilen-Treiberleitungen 2-2 Beim Durchlässigwerden der Und-Schaltung 16
bis 2-8 mit der Lese- und Schreib-Treiberschaltung 60 wird Erdpotential an die untere Klemme der Primäreiner
der Zeilen-Treiberschaltungen 5-2 bis 5-8 wicklung 135 angelegt, so daß in der Sekundärwick-(F
i g. 1) verbunden, lung 134 ein Impuls erzeugt wird. Dieser Impuls
Die Treiberschaltung 42 enthält eine Diode 160 macht den Transistor 128 leitend. Wenn die Und-
und die damit in Reihe liegende Sekundärwicklung Schaltung 15 durchlässig wird, gelangt das Erdpoteneines
Transformators 162. Außer der Primär- 65 tial an die obere Klemme der Primärwicklung 126.
wicklung 163 enthält der Transformator eine weitere Daher wird ein Stromkreis für das Speisen der Primär-Sekundärwicklung
164. wicklung über die Und-Schaltung 115, die Primär-
Die Steuerschaltung 44 enthält den Transformator wicklung 126, den Transistor 128, den Widerstand
7 8
130 und den positiven Pol 129 einer Spannungsquelle 101-1, der Zeilen-Treiberleitung 2-1, der Diode 154-1,
geschlossen. Das Speisen der Primärwicklung 126 dem Transistor 153, dem Widerstand 73 und dem
erzeugt einen Impuls in der Sekundärwicklung 125, negativen Pol 71 der Spannungsquelle besteht. Gleich-
der den Transistor 120 leitend macht. zeitig wird die Primärwicklung 24 des Impulstrans-
Die Dioden 131 und 122 und die Sekundärwick- 5 formators 23 gespeist, um in der Sekundärwicklung
lungen 132 und 123 sorgen dafür, daß die Transi- 22 einen rechteckförmigen Spannungsimpuls zum
stören 128 und 120 in der Nähe des Sättigungs- Verringern der Anstiegszeit des Lesestromes zu erbereiches,
aber noch außerhalb dieses Bereiches zeugen.
arbeiten. Wichtig ist die Tatsache, daß dem Transistor Während eines Schreibzyklus verursachen der
120 ein anfänglicher Basisstrom zugeführt wird, io Schreibstrom in der Zeilen-Treiberleitung 2-1, der
durch den er übersteuert wird, um ein schnelles Schreibstrom in einer ausgewählten Spalten-Treiber-Leitendwerden
des Transistors zu erreichen, und daß leitung 3-1 bis 3-64 und das Fehlen von Sperrder
Transistor auch, da er nicht in den Sättigungs- Strömen in ausgewählten der Sperr-Treiberleitungen 9
bereich hinein ausgesteuert wird, wieder rasch nicht- das Umschalten bestimmter bistabiler Magnetkerne
leitend wird. 15 250, durch welche die Zeilen-Treiberleitung 2-1 und
Wenn die Und-Schaltung 46 durchlässig wird, ge- die anderen ausgewählten Leitungen geführt sind,
langt Erdpotential an die untere Klemme der Primär- Diese Kerne werden in ihren entgegengesetzten sta-
wicklung 171, so daß ein Impuls in ihr erzeugt wird. bilen Zustand umgeschaltet und speichern den Binär-
Das hat zur Folge, daß ein Impuls auch in der Sekun- wert Eins.
därwicklung 173 erzeugt wird, durch den der Tran- 20 Während eines Lesezyklus bewirken die Lesesistor
166 leitend gemacht wird. Wenn der Transistor ströme in den ausgewählten Zeilen- und Spalten-
166 leitet und die Und-Schaltung 47 durchlässig wird, Treiberleitungen, daß die vorher umgeschalteten
wird ein Stromkreis zum Speisen der Primärwicklung Magnetkerne wieder in ihren Ausgangszustand zu-
163 des Transformators 162 über die Und-Schaltung rückgeschaltet werden. Dabei erzeugen die Kerne
47, die Primärwicklung 163, den Transistor 166, den 25 auf ihren Leseleitungen Ausgangsimpulse, die dem
Widerstand 168 und den positiven Pol 167 der Span- Binärwert Eins entsprechen. Die gleichen Leitungen
nungsquelle geschlossen. Das Speisen der Primär- können, falls das erwünscht ist, sowohl als Sperrwicklung
163 ruft in der Sekundärwicklung 164 einen leitungen als auch als Leseleitungen dienen.
Impuls für das Leitendmachen des Transistors 150 Die verbesserten Transistortorschaltungen wie z. B. hervor. 30 100, 120, 150 und 153 verbessern durch ihre kurzen
Impuls für das Leitendmachen des Transistors 150 Die verbesserten Transistortorschaltungen wie z. B. hervor. 30 100, 120, 150 und 153 verbessern durch ihre kurzen
Wenn die Transistoren 120 und 150 in der oben Ein- und1 Ausschaltzeiten in Verbindung mit dem
beschriebenen Weise leitend gemacht werden, wird Transformatoren 23 und 74, durch die zu Beginn
ein Stromkreis für das Zuführen des Schreibstromes jedes Lese-Schreibzyklus die Spannung erhöht wird,
zu der Zeilen-Treiberleitung 2-1 geschlossen, der aus die Arbeitsgeschwindigkeit der Kernspeicheranorddem
negativen Pol 30 der Spannungsquelle, dem 35 nung merklich. Darüber hinaus erhöhen die verWiderstand
31, dem Transistor 120, der Diode 121-1, besserten Anstiegs- und Abfallzeiten die Zuverlässigder
Zeilen-Treiberleitung 2-1, der Diode 152-1, dem keit der Kernspeicheranordnung bedeutend, insbe-Transistor
150, der Sekundärwicklung 76, dem Wider- sondere im Hinblick auf die an den Leseleitungen
stand 72 und dem positiven Pol 70 der Stromquelle angeschlossenen Verstärkerschaltungen, auf die sich
besteht. 40 lange Anstiegs- und Abfallzeiten ungünstig auswirken.
Wenn die Und-Schaltungen 15, 16, 46 und 47 Es sind verschiedene Abwandlungen möglich, die
durchlässig werden, wird auch die Und-Schaltung 78 noch im Rahmen der Erfindung liegen. Beispielsdurchlässig
und macht die Treiberschaltung 77 wirk- weise können Impulstransformatoren, die den Imsam.
Beim Durchlässigwerden der Und-Schaltung 78 pulstransformatoren 23 und 74 gleichen, an gegenwird
der unteren Klemme der Primärwicklung 234 45 überliegende Enden der Treiberleitungen zwischen
Erdpotential zugeführt, wodurch ein Stromkreis zum den Widerständen 31 und 73 und die zugehörigen
Speisen der beiden Primärwicklungen 234 und 231 Leitungen 61 und 63 angeordnet werden, wobei die
geschlossen wird. Wenn diese Primärwicklungen ge- kurzen Impulse an beiden Enden der Leitung erzeugt
speist werden, erzeugen sie in den Sekundärwick- würden, um die Anstiegs- und Abfallzeit der Leselungen
235 und 232 Impulse, die die Transistoren 50 und Schreibströme zu verbessern.
226 und 225 leitend machen. Wenn die Transistoren Die Transistoren 100, 120, 150 und 153 können 225 und 226 leitend sind, gelangt Erdpotential an die auch gleichstrommäßig mit den Eingängen gekoppelt Primärwicklung 75 des Transformators 74, so daß werden. Dabei wäre jedoch die Trennung des Emitin der Sekundärwicklung 76 ein im wesentlichen ters, wie sie bei den beschriebenen Treiberstufen vorrechteckiger Impuls erzeugt wird, dessen Spannung 55 handen ist, nicht gegeben. Die Transistoren 100, 120, sich zu dem Potential des positiven Pols 70 der Span- 150 und 153 arbeiten mit gleitendem Emitterpotential, nungsquelle addiert, um die Anstiegszeit des Schreib- d. h., daß das Emitterpotential sich während eines stromes in der Zeilen-Treiberleitung 2-1 zu verringern. Arbeitszyklus infolge der induktiven Belastung merkin F i g. 3 ist der zeitliche Verlauf der Eingangssignale lieh ändern darf und dennoch das Einschalten des und des Schreibstromes dargestellt. 60 Transistors auf Grund der Transformatorkopplung
226 und 225 leitend machen. Wenn die Transistoren Die Transistoren 100, 120, 150 und 153 können 225 und 226 leitend sind, gelangt Erdpotential an die auch gleichstrommäßig mit den Eingängen gekoppelt Primärwicklung 75 des Transformators 74, so daß werden. Dabei wäre jedoch die Trennung des Emitin der Sekundärwicklung 76 ein im wesentlichen ters, wie sie bei den beschriebenen Treiberstufen vorrechteckiger Impuls erzeugt wird, dessen Spannung 55 handen ist, nicht gegeben. Die Transistoren 100, 120, sich zu dem Potential des positiven Pols 70 der Span- 150 und 153 arbeiten mit gleitendem Emitterpotential, nungsquelle addiert, um die Anstiegszeit des Schreib- d. h., daß das Emitterpotential sich während eines stromes in der Zeilen-Treiberleitung 2-1 zu verringern. Arbeitszyklus infolge der induktiven Belastung merkin F i g. 3 ist der zeitliche Verlauf der Eingangssignale lieh ändern darf und dennoch das Einschalten des und des Schreibstromes dargestellt. 60 Transistors auf Grund der Transformatorkopplung
In ähnlicher Weise werden die Lese-Treiberstufen unabhängig vom Emitterpotential gewährleistet ist.
10 und 43 während eines Lesezyklus wirksam ge- Das ist besonders vorteilhaft für die Treiberschaltung
macht, um einen Lesestrom in der Zeilen-Treiber- eines Kernspeichers. Es hat sich ebenso gezeigt, daß
leitung 2-1 zu erzeugen, der eine dem Schreibstrom die Transformatorkopplung in den transistorisierten
entgegengesetzte Polarität aufweist. Der Lesestrom 65 Treiberschaltungen den Einfluß der Störimpulse verfließt
durch einen Stromkreis der aus dem positiven ringert, die auf die Leseleitungen gekoppelt werden,
Pol 20 der Spannungsquelle, dem Widerstand 21, der wodurch die Betriebsweise der Anordnung verbessert
Sekundärwicklung 22, dem Transistor 100, der Diode wird.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen 209 503/903
Claims (2)
1. Treiberschaltung für einen Magnetkernspeicher, dessen Treiberleitungen über Transistorschalter
auswählbar sind, dadurch gekennzeichnet,
daß zur Verringerung der Anstiegszeit der Treiberströme in dem Stromkreis zur Speisung der Treiberleitungen auch die Sekundärwicklung
(76 in Fig. 2B) eines Transformators (74) liegt, in der beim Adressieren einer Treiberleitung
ein kurzer Spannungsimpuls hervorrufbar ist, der sich dem Potential der Gleichstromquelle
(70) für das Speisen der Treiberleitung gleichsinnig überlagert.
2. Treiberschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Transistorschalter (150),
die die Treiberleitungen mit der Gleichstromquelle verbinden, durch einen in der ersten Sekundärwicklung
(z.B. 164 in Fig. 2B) eines Transfermators (162), die an die Emitter-Basis-Strecke
des Transistorschalters (150) angeschlossen ist, erzeugten Impuls in den niederohmigen Zustand
bringbar sind und daß der Emitter-Kollektor-Strecke dieses Transistorschalters eine Reihenschaltung
aus einer weiteren Sekundärwicklung (161) und einer Diode (160) parallel geschaltet
ist.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US49311265A | 1965-10-05 | 1965-10-05 | |
US49311265 | 1965-10-05 | ||
DEJ0031826 | 1966-09-21 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1499718A1 DE1499718A1 (de) | 1970-03-26 |
DE1499718B2 DE1499718B2 (de) | 1973-01-18 |
DE1499718C true DE1499718C (de) | 1973-08-09 |
Family
ID=
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE10032271C2 (de) | MRAM-Anordnung | |
DE1058284B (de) | Magnetkernmatrix-Speicheranordnung mit mindestens einer Schaltkernmatrix | |
DE1250875B (de) | Kennwortadressierter Speicher | |
DE1071387B (de) | Wählschaltung für eine Magnetkernmstrix | |
DE1449806C3 (de) | Matrixspeicher | |
DE1275608B (de) | Zugriffschaltung fuer Speicheranordnungen | |
DE2136515A1 (de) | Bipolare Halbleiter Speicherzelle | |
DE1039567B (de) | Aus bistabilen Magnetkernen bestehende Schaltmatrix | |
DE1186509B (de) | Magnetspeicher mit einem mit zueinander senkrechten Bohrungen versehenen Magnetkern | |
DE1499718C (de) | Treiberschaltung für einen Magnetkernspeicher | |
DE1931765A1 (de) | Koinzidenzspeichermatrix | |
DE1499718B2 (de) | Treiberschaltung fuer einen magnetkernspeicher | |
DE2246756C3 (de) | Elektronischer Datenspeicher | |
DE1296673B (de) | Treib- und Leseverstaerkeranordnung fuer magnetische Matrixspeicher | |
DE1200362B (de) | Schaltungsanordnung zur Auswahl eines Verbrauchers | |
DE1285000B (de) | Schaltungsanordnung zum Abfuehlen von magnetischen Speicherelementen | |
DE1499717A1 (de) | Treiberschaltung fuer einen Magnetkernspeicher | |
DE1181276B (de) | Datengeber aus matrixfoermig angeordneten Ferrit-Ringkernen | |
DE1108956B (de) | Dauerspeicher mit in Reihen von je ?-gruppierten, magnetisch bistabilen Kernen | |
DE1202335B (de) | Anordnung zur Auswahl einer von N induktiven Impedanzen | |
DE1774991B1 (de) | Pruefschaltung fuer eine Auswahlschaltung | |
DE1098540B (de) | Magnetkernschalter | |
DE2020573A1 (de) | Bipolares Treibersystem fuer Matrixspeicher | |
DE2116820C3 (de) | Magnetkernspeicher | |
DE1499717C3 (de) | Treiberschaltung für einen Magnetkernspeicher |