DE1071387B - Wählschaltung für eine Magnetkernmstrix - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft Magn^ernschaltstrpmkreise, insbesondere die Anwendung eines neuen Schaltstromkreises für eine Magnetkernmatrix.

Es ist bekannt; eine Kernschaltung zum Auswählen der Kerne einer statischen Magnetkernmatrix zu verwenden. Eine solche Kernschaltung wird jedoch im allgemeinen wegen des hohen Energiebedarfes und wegen damit im Zusammenhang stehender Stromkreisweiterungen als unwirtschaftlich betrachtet. Die vorliegende Erfindung sieht daher — unter Verwen- : dung von Transistorenschaltern — eine wirtschaftlichere Lösung zum Auswählen der Kerne eines statischen Magnetkernspeichers vor.

In der Rechenmaschinentechnik ist es bekannt, Magnetkerne als Speicherelemente für binäre Daten zu verwenden. Dabei werden zweckmäßigerweise die Kerne in Form einer Matrix angeordnet, wobei die Kerne jeder Reihe mit zwei in Reihe geschaltete Treiberwicklungen zum Lesen bzw. Schreiben und die Kerne jeder Spalte in ähnlicher Weise mit zwei Treiberwicklungen gekoppelt sind.

Soll ein bestimmter Kern zum Lesen ausgewählt werden, so müssen die mit ihm verbundenen Spaltenoder Reihenablesewicklungen jede mit Strom von mindestens der halben, jedoch weniger als der vollen Kernschaltamplitude beschickt werden. Die addierende Wirkung der beiden Treiberströme bewirkt die Umschaltung des ausgewählten Kernes in einer bestimmten Richtung. Da durch die übrigen Kerne der ausgewählten Reihe und Spalte nicht der volle Schaltstrom fließt, verbleiben sie in ihrem ursprünglichen Zustand. Meistens wird ein ausgewählter Kern, der eine binäre »1« speichert, in einen binären »O«-Zustand geschaltet. Hierbei wird auf einer mit dem Kern gekoppelten Ausgangswicklung ein Impuls von verhältnismäßig großer Amplitude erzeugt. Andererseits verbleibt ein eine »0« speichernder Kern im »O«-Zustand, und es wird im wesentlichen kein Impuls auf der Ausgangswicklung erzeugt.

Das Verfahren, Daten in einen ausgewählten Kern einzuschreiben, erfordert die Erregung der mit diesem Kern verbundenen Schreibtreiberwicklungen, wodurch der Kern in eine der Leserichtung entgegengesetzte Richtung geschaltet wird, falls der Kern nicht in seinem ursprünglichen Zustand verbleiben soll.

Das beim Schreiben allgemein verwendete Verfahren besteht darin, die entsprechenden Schreibtreiberwicklungen ohne Rücksicht auf die in einem ausgewählten Kern einzustellende Ziffer zu erregen. Bei Anwendung dieses Verfahrens besitzen die zusammentreffenden Treiberströme eine volle Schaltwirkung, falls von einem binären »0«- in einen binären »1 «-Zustand geschaltet werden soll. Für den Fall jedoch, daß der Kern in einem »O«-Zustand zu Wählschaltung für eine Magnetkernmatrix

Anmelder:

The National Cash Register Company, Dayton, Ohio (V. St. A.)

Vertreter: Dr. A. Stappert, Rechtsanwalt, to Düsseldorf, Feldstr. 80

Beanspruchte Priorität: V. St. v. Amerika Vom 6. März 1956

verbleiben hat, wird eine mit dem Kern verbundene Gegenwicklung durch einen Stromimpuls erregt und steht so der Umschaltung des Kerns durch die zusammentreffenden Antriebsströme entgegen.

Das vorstehend genannte Verfahren zum Ablesen oder Schreiben in Reihe kann unmittelbar auch auf paralleles Ablesen oder Schreiben angewandt werden. In diesem Falle werden die in allen Kernen einer ausgewählten Reihe gespeicherten Daten durch gleichzeitiges Umschalten aller Kerne der Reihe abgelesen, wodurch ein eine »1« oder »0« anzeigendes binäres Signal auf jeder von mehreren mit jeder Kernspalte verbundenen Ausgangswicklungen erzeugt wird.

Sollen Daten in eine Kernreihe eingeschrieben werden, so ist es erforderlich, jeden Kern mit einer eigenen Gegenwicklung zu versehen. Wie schon vorher erwähnt, wird jeder Kern ohne Rücksicht auf die darin einzustellenden binären Daten umgeschaltet.

Durch Erregung der Gegenwicklung der Kerne, die im »O«-Zustand verbleiben sollen, können Daten gleichzeitig in eine ganze Kernreihe eingeschrieben werden. .

Die vorliegende Erfindung betrifft in erster Linie die Anordnung von Schaltstromkreisen zum Auswählen eines beliebigen Kerns zum Ablesen oder Einschreiben.

In einer bekannten Parallelschaltanordnung sind die durch die Kernspalten gefädelten Wicklungen an einem Ende gemeinsam mit einer Impulsquelle, ver-, ____Tjjtti3en. und an "ihren änderen Enden einzeln an die Anoden mehrerer aus einer Vielzahl von Glühkathodenröhren angeschlossen, die als Ablese- oder Schreibschaltelemente dienen. Auf ein dem Steuer-

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Fig. 4 ein Schaltschema eines typischen Treiberstromkreises, wie er in Fig. 3 als P_x dargestellt ist,

Fig. 5 ein Schaltschema des Leseverstärkers,

Fig. 6 ein Schaltschema einer Blockier- und Gatter-5 schaltung,

Fig. 7 ein Diagramm mit dem zeitlichen Verlauf der in der in Fig. 3 gezeigten Speichermatrix auftretenden Spannungen,

Fig. 8 ein Blockschaltbild der zur Erzeugung der

Durch Erregung der Gegenwicklungen jener Kerne, die in den »O«-Zustand versetzt werden sollen, werden gleichzeitig in allen Kernen der Spalte die gewünschten Daten eingestellt.

Aus den vorstehenden Ausführungen geht hervor, daß bei einer aus η Spalten bestehenden Matrix 2 η Glühkathodenröhren oder gleichwertige Schaltelemente erforderlich sind.

gitter einer ausgewählten Ableseröhre zugeführtes Steuersignal hin wird die mit dieser Röhre verbundene Wicklung von der Stromimpulsquelle her erregt und dadurch die zugeordnete Kernspalte in der zum Ablesen erforderlichen Richtung geschaltet. Sollen Daten in eine bestimmte Kernspalte geschrieben werden, so wird dem Steuergitter einer der Spalte zugeordneten Schreibröhre ein Steuerimpuls zugeführt, wodurch ein Schaltkreis für Stromimpulse

geschlossen wird. In der bekannten Anordnung sind io zur Ansteuerung der Speichermatrix erforderlichen die Kerne jeder Reihe mit Gegenwicklungen versehen. Spannungen benutzten Stromkreise.

Die Fig. 1 zeigt das Schaltschema eines n-p-n-Transistors 1, dessen Basis 2 über einen Strombegrenzungswiderstand 6 und einen Parallelkonden-15 sator 7 mit einem Steuereingang 5 verbunden ist. Der Kollektor 3 des Transistors ist durch die Last 9 mit dem Treibereingang 8, und der Emitter 4 mit einer feststehenden Spannung von —10 V verbunden. Soll der n-p-n-Transistor leiten, so muß dessen Basis und Diese Anordnung ist jedoch sehr unwirtschaftlich, 20 Kollektor positiv zum Emitter vorgespannt sein. Da da für umfangreiche Kernmatrizen eine Unmenge, von deshalb der Emitter 4 auf einer konstanten Spannung Schaltelementen benötigt wird. von —10 V liegt, werden die an den Treibereingang 8

Aufgabe der Erfindung ist es, eine Schaltung für angelegten Impulseil mit hohem Spannungspegel geeine Magnetkernmatrix vorzusehen, in der die Anzahl maß dem Spannungspegel der Impulse 12 am Steuerder für die Auswahl eines beliebigen Kernes zum Ab- 25 eingang 5 zum Erregen der Last 9 gesteuert. Ist daher lesen oder Schreiben benötigten Schaltelemente be- am S teuer eingang 5 eine Spannung von —10 V vorträchtlich herabgesetzt ist. handen, so wird der Transistor 1 gesperrt und läßt

Während es in der oben beschriebenen älteren An- die am Treibereingang 8 zwischen —10 und OV Verordnung erforderlich ist, für jede Kernspalte ge- laufenden Impulse 11 nicht durch. Ist jedoch am trennte Ablese- und Schreibschaltelemente vor- 30 Steuereingang eine Spannung von 0 V, dann gelangen zusehen, ermöglicht es die erfindungsgemäße Anord- die Eingangsimpulse 11 durch die Last 9. Bemerkensnung, jede Kernspalte mittels eines einzigen Schalt- wert sind die durch Ausnutzung des Verstärkungselementes zum Ablesen und Schreiben auszuwählen. faktors des Transistors entstehenden relativ hohen Ebenso wird auch jede Kernreihe durch ein einziges Stromeingangsimpulse 11, von z.B. 40'mA, die von Schaltelement ausgewählt. Demzufolge gestattet es 35 einem niedrigen Steuerimpuls 12, von z. B. 1 mA, ohne die erfindungsgemäße Anordnung, jeden gewünschten Überschreitung der Leistungsgrenze eines gegebenen Kern sowohl zum Ablesen als auch zum Schreiben Schalttransistors, gesteuert werden, können, durch zwei Schaltelemente auszuwählen, wohingegen Zum besseren Verständnis der Arbeitsweise des

eine entsprechende Anordnung der bekannten Ein- Transistorschalters wird auf die in Fig. 2 gezeigten richtung zur Erzielung des gleichen Ergebnisses vier 4° Kurven Bezug genommen, welche den zeitlichen Ver-Schaltelemente erfordert. .·■'' lauf der Eingangsimpulse 11 und der Steuerimpulse

Es sind deshalb für. eine Reihen- und Spalten- 12 zeigt. Wie aus den Kurven ersichtlich, erfolgt der Koordinaten-Wählschaltung in einer Magnetkern- Anstieg des Steuerimpulses 12 zur Zeit t_v noch vor matrix zum Auswählen eines Kerns für das Ablesen dem Anstieg des ersten zur Zeit t₂ auftretenden Ein- oder Einschreiben erfindungsgemäß für jede Reihe 45 gangsimpulses 11. Die Zeit Δ t genügt, um einen und jede Spalte der Matrix zwei Koordinatenantriebs- Trägerstrom innerhalb des Transistors 1 zu erzeugen, wicklungen vorgesehen, bei denen der Wicklungs- Daher ist auf Grund des Stromverstärkungsfaktors anfang der einen Wicklung jeder Reihe bzw. Spalte des Transistors 1 nur ein Steuereingangsimpuls 12 über eine Diode an einen Leseimpulsgenerator * und mit geringem Strom von z. B. 1 mA erforderlich, um der Wicklungsanfang der anderen Wicklung jeder 50 den relativ starken, beispielsweise 4OmA großen Reihe bzw. Spalte über eine weitere Diode an einen Stromeingangsimpulsll zu steuern. Der Transistor 1 Schreibimpulsgenerator angeschlossen ist und die bleibt so· lange leitend, bis der Steuereingangsimpuls Wicklungsenden jedes Wicklungspaares an einem 12 zu seinem — 10-V-Pegel zur Zeit t₃ zurückkehrt, gemeinsamen elektronischen Schalter liegen, der bei Zu diesem Zeitpunkt endigt die Trägerstromzuführung Empfang eines Reihen- bzw. Spaltenwählsignals 55 zur Basis 2, und der Transistor 1 wird gesperrt. Treiberströme von den Lese- und Schreibimpuls- Solange der Steuereingangsimpuls 12 andauert, generatoren durch die beiden gemeinsam mit ihm ver- können beliebig viele Stromeingangsimpulse 11 über tundenen Wicklungen hindurchläßt. die Last 9 geschaltet werden. Die durch den Tran-

Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung wird nach- sistor durchgelassenen Impulse sind in Fig. 2 mit der stehend an Hand der Zeichnungen erläutert, und zwar 60 Bezugszahl 13 bezeichnet. Es ist zu beachten, daß die zeigt . Stromspannungsverhältnisse, wie sie in der vorstehen-

Fig. 1 ein Schaltbild des in der Erfindung ver- den Beschreibung angegeben wurden, rein erläuternden wendeten Transistorschalters, Charakter tragen und daß andere Größenordnungen

Fig. 2 die Ansicht von Spannungskurven zur Er- nach Maßgabe der angewandten, besonderen Schaltläuterung der Arbeitsweise des in Fig. 1 gezeigten 65 elemente möglich sind. Transistorschalters, Die eben offenbarte Schaltung wird in der in Fig.

Fig. 3 ein Schaltbild einer statischen Magnetkern- gezeigten Speicheranordnung verwendet, matrix und die Verbindungen der Transistorschalt- Eine Kernspeichermatrix 14 ist in der elek-

kreise und der Impulsquellen zur Auswahl und Er- tronischen Rechenmaschinentechnik an sich bekannt; regung eines Kernes der Matrix, 70 sie ist als hochwirksame, statische Speichereinrich-

tungen verwendbar. Eine Kernspeichermatrix wird durch Koinzidenzströme angesteuert, d. h., um einen angegebenen Kern, ζ. B. Kern 15, in einen gewünschten Magnetisierungszustand zu schalten, müssen gleichzeitig den zugeordneten Reihen- und Spaltenleitern der Kernspeichermatrix Stromimpulse zugeführt werden. Es bedarf der Zusammenwirkung dieser beiden Stromimpulse, um einen Kern von einem remanentmagnetischen Zustand in den anderen zu schalten. Der gewählte Kern wird dann in einer gewünschten Richtung magnetisiert, ohne daß die Zustände der anderen Kerne in dem Gebilde beeinflußt werden. Da der Zustand eines abgefragten Kernes durch dessen Wechsel bestimmt wird, ist eine durch das Lesesignal gesteuerte Rückstellung zum Wiederherstellen der Information in der statischen Speichereinrichtung erforderlich.

Obwohl die Speicherkerne gewöhnlich relativ klein sind, ist doch infolge der Koerzitivkraft des Kernmaterials ein verhältnismäßig großer Strom zur Umschaltung der Kerne erforderlich. Die in Fig. 1 gezeigte Schaltung ist, wie vorstehend ausgeführt wurde, durch Verwendung eines Transistors zum Schalten der Kerne sehr gut geeignet und kann relativ hohe Ströme mittels anderer, kleinerer Ströme steuern und gewährleistet außerdem günstige Anstiegs- und Abfallzeiten für seine Ausgangsimpulse, ohne die Leistungsgrenze der verwendeten Schalttransistoren zu überschreiten.

Der in der Technik bekannte Magnetkernspeicher enthält gewöhnlich nur einen Satz Koordinatenwicklungen für die entsprechenden Reihen und Spalten der Kernmatrix. Die vorliegende, in Fig. 3 gezeigte Anordnung sieht zur Ansteuerung der Kerne zwei Wicklungssätze vor. Ein erster Satz Reihenleiter,, wie z.B. Leiter 16 a, 18 a usw., ist über die entsprechenden Kernreihen mit dem Treiber P_y, ein erster Satz Spaltenleiter, z. B. Leiter 17a, 19a usw., über die entsprechenden Kernspalten mit dem Treiber P_x verbunden. Diese ersten Sätze der Reihen- und Spaltenleiter dienen zur Auswahl eines Kernes, so daß ζ. Β. eine in dem Kern gespeicherte Information über den Leseleiter 25 abgelesen werden kann. Ein zweiter Satz Reihenleiter, z. B. 16 5, 18 & usw., leitet Stromimpulse von Treiber N_y über die entsprechenden Kernreihen der Matrix, ein zweiter Satz Spaltenleiter, z. B. Leiter 17 5, 19 b usw., leitet Stromimpulse vom Treiber N_x über die entsprechenden Kernspalten der Matrix. Diese zweiten Reihen- und Spaltenleitersätze dienen, wie noch zu beschreiben ist, zum Rückschreiben der aus einem Kern durch Impulse auf den ersten Leitersätzen abgelesenen Information in diesen.

Zur Auswahl eines Speicherkernes ist jede Kernreihe der Matrix 14 und jede Spalte mit einem Transistorschalter, ζ. Β. 63 bzw. 64, versehen. Diese arbeiten in der gleichen Weise wie der in Fig. 1 beschriebene Transistorschalter.

Jeder Satz der Reihenleiter, z. B. Reihenleiter 18a und 185 und jeder Satz der Spaltenleiter, z. B. Spaltenleiter 19 α und 19 b, ist mit dem Kollektor des zugeordneten Transistorschalters verbunden.

Eine Diode, z.B. 20a und 20 5, legt jeden Leiter, z. B. 18 a und 18 5, an den Ausgang der Treiber P_y bzw. N_y. In diese Schaltung kann somit infolge der Verwendung von getrennten positiven Impulsquellen für Ablesen und für Rückschreiben und dadurch, daß die Impulse einer Impulsquelle in einer Richtung durch eine Kernreihe und die Impulse der anderen Impulsquelle in der anderen Richtung durch die gleiche Reihe geschickt werden, der gleiche Transistorschalter sowohl für das Ablesen-als auch für das Rückschreiben verwendet werden.

Es ist in der Technik bekannt, daß gleichzeitig mit der Auswahl eines Kernes des Speichers ein Lesesignal in dem für alle Kerne der Matrize 14 gemeinsamen Leseleiter 25 erzeugt wird. Dieses Lesesignal steuert die Anlegung eines Impulses an einen Blockierleiter 24, welcher durch alle Kerne der Matrix läuft. ■ Dieser Blockierimpuls, falls in der Matrix 14 vorhanden, hebt die Wirkung des von dem zweiten Satz der Reihenleiter 16 b, 18 5 usw. empfangenen Rückschreibeimpulse durch Bildung einer Gegenmagnetisierung auf, so daß der Kern während des Rückschreibens seinen Zustand nicht wechseln kann. Ein Signal wird von dem Leseleiter 25 nur dann abgelesen, wenn der abgefragte Kern eine »1« gespeichert hat. Dieses Ausgangssignal wird vom Leseverstärker 26 aufgenommen und über Leiter 23 zum Tasten eines Hilfs-Flip-Flops 27 verwendet, so daß sein »O«-Ausgang 28 dann auf niedriger Spannung liegt. Dadurch wird das Gatter 29 gesperrt und verhindert, daß ein am Toreingang 30 liegender Blockierimpuls an die Blockiertreiber 31 gelangt. Folglich schreiben die von den Treibern N_x und N_y über den zweiten Satz der Koordinatenleiter laufenden gleichzeitigen Stromimpulse die abgelesene Information wieder in den abgefragten Kern ein. . .

Ehe die Arbeitsweise der Speichermatrix weiter beschrieben wird, sei zunächst noch die übrige Schaltung in Fig. 3 erklärt. Jeder Treiber, z. B. P_x, ist nach Fig. 4 aufgebaut. Bei 0 V an der Basis 32 des n-p-n-Transistors 33 wird dieser leitend und hält seinen Kollektor 34 auf der niedrigen Spannung an' seinen Emitter 35, z. B. bei —10 V. Der gemeinsame Basiseingang 37 der drei parallelen Transistoren 38, 39 und 40 liegt daher auf niedriger Spannung; diese sperrt die Transistoren. Auch: der Ausgang 22 des; Treibers wird daher auf einer .niedrigen Spannung von — 10 V gehalten. Gelangt jedoch ein negativer Impuls von z. B. —10 V an die Basis des Transistors 33, so sperrt dieser den Transistor und hebt die Spannung am gemeinsamen Basiseingang 37 der parallelen Transistoren auf OV. Ein positiver Treiberstromimpuls fließt dann von der mit den Kollektoren der parallelen Transistoren verbundenen Stromquelle mit + 5 V über die Emitterwiderstände, z. B. Widerstand 39 a, zu dem Leiter, der durch die Kerne der mit dem Ausgang 22 des Treibers verbundenen Reihe bzw. Spalte geführt ist.

Der in Fig. 5 gezeigte Leseverstärker 26 enthält einen Aufwärtstransformator 55, dessen Primärwicklung 56 auf den durch Schaltung eines Kernes von einem »1«- in einen »O«-Zustand erzeugten Impuls anspricht. Es ist zu bemerken, daß der Leseleiter 25 eine geschlossene Leiterschleife mit der Primärwicklung 56 bildet. Dadurch wird verhindert, daß kapazitive Störungen in die Schaltung gelangen, die z. B. bei geerdeter Verbindung auftreten würden. Der Kollektor 58 eines normalerweise gesperrten n-p-n-Steuertransistors 57 ist an den gemeinsamen Emitterverbindungspunkt 64 zweier n-p-n-Transistoren 59 und 60 angeschlossen, deren Kollektoren über die Sekundärwicklungen 61 und 62 des Transformators verbunden sind.

Durch Zuführung eines positiven Gatterimpulses 49 an die Basis 54 des n-p-n-Steuertransistors 57 wird dieser geöffnet, so daß auch einer der Transistoren 59 oder 60 einen Impuls vom Leseleiter 25 zum Ausgang 23 hindurchläßt, der zum Kippen des Hilfs-Flip-Flops 27 dient. Beim Fehlen eines Impulses auf dem Lese-

leiter 25 jedoch leiten die beiden Transistoren 59 und 60 nicht, und am Ausgang 23 erscheint kein Impuls. Die in Fig. 3 als Block gezeigte Schaltung für den Blockiertreiber 31 und das Gatter 29 wird anschließend in Fig. 6 ausführlich beschrieben. Das Gatter 29 enthält zwei Längswiderstände 43 und 44, die über eine Diode 45 verbunden sind. Wie vorher erwähnt, wird das Hilfs-Flip-Flop 27 in den »1«- Zustand getastet, wenn der Leseverstärker 26 ein »1«-

Koinzidenz der Signale in einem Leiterpaar, z. B. Leiter 18 a und 19 a, eine Umschaltung in den »0«- Zustand. In ähnlicher Weise schaltet eine anschließende Koinzidenz der Signale auf dem anderen. Leiterpaar, z.B. Leiter 18& und 19b, den gleichen Kern in den »1 «-Zustand, vorausgesetzt natürlich, daß dieser Vorgang, wie noch zu beschreiben ist, nicht blockiert wird.

Es sei erwähnt, daß der Leseleiter 25 parallel zu

Signal empfängt. Am unteren Ende des Widerstandes io den durch den Treiber P_x erregten Leitern, ζ. Β. 17α, 44 liegt dann eine niedrige Spannung von —10 V. 19 a, geführt ist. Deshalb können bei Anlegen, des Gelangt in diesem Zustand ein positiver Blockier- Treiberstromes P_x beträchtliche Störsignale in dem impuls 50 an das obere Ende des Widerstandes 43, so Leseleiter 25 induziert werden. Der Treiberstrom P_x kann der normalerweise gesperrte n-p-n-Transistor 52 wird daher bekanntlich so rechtzeitig angelegt, daß nicht leitend werden, da der Impuls über die nun' 15 genügend Zeit zum Abklingen der Einschwingleitende Diode 45 durch Widerstand 44 abfließt, der vorgänge vorhanden ist, bevor der Treiberstrom P_y gegenüber dem Widerstand 43 einen geringeren Ohm- der Matrix 14 zugeführt wird. Es ist verständlich, wert besitzt. Somit bleibt auch der n-p-n-Transistor daß keine Störsignale bei Zuführung des Treiber-53, dessen Basis mit dem Kollektor 54 des Transistors stromes P_y induziert werden, da die dadurch erregten verbunden ist, gesperrt. Unter diesen Verhältnissen 20 Leiter senkrecht zum Leseleiter 25 verlaufen. Wenn wird auf dem Blockierleiter 24 kein Impuls erzeugt, der auf diese Weise gewählte Kern sich in seinem und es kann erneut eine »1« in dem durch die von »1 «-Zustand befindet, erscheint zu diesem Zeitpunkt den Treibern N_x und N_y kommenden Stromimpulse ein Impuls auf Leseleiter 25. Nimmt der Kern den angesteuerten Kern eingeschrieben werden. »0«-Zustand ein, dann erscheint kein Impuls am Lese-

Wird vom Leseverstärker 26 eine »0« abgelesen, 25 leiter 25. Um zu verhindern, daß das System die auf

dann verbleibt das Hilfs-Flip-Flop 27 im »0«-Zustand und dessen »O«-Ausgang 28 und damit das untere Ende des Widerstandes 44 liegen auf hoher Spannung von 0 V. Gelangt nun ein positiver Blockierimpuls 50 an das obere Ende des Widerstandes 43, so bleibt die Diode 45 gesperrt, da der größte Teil der Spannung am Widerstand 43 des Gatters 30 abfällt. Der

Grund des Treiberstromimpulses P_x entstehenden Störsignale als eine »1« wertet, ist der Leseverstärker 26 nur wirksam, wenn der Gatterimpuls 49 (Fig. 5 und 7) vorhanden ist.

Wie in Fig. 7 gezeigt, gelangen die Rückschreibimpulse N_x und N_y unmittelbar nach Beendigung der Koinzidenzimpulse P_x und P_y auf die Leiter 19 b und 18 b. Der Stromimpuls N_y ist während der Rückschreibung nur dann wirksam, wenn kein Blockier-

nur dann auf Leiter 24 auf, wenn keine Spannung auf dem Leseleiter 25 induziert wurde, der das Hilfs-Flip-Flop 27 steuert. In diesem Fall wird die Wir-

Blockierimpuls 50 erhöht daher die Spannung an der Basis des normalerweise nichtleitenden n-p-n-Tran-

sistors 52 und öffnet diesen, Dies hat ein Sinken der 35 impuls auf Leiter 24 vorhanden ist, der einen, gleich

Spannung an der Basis des normalerweise nicht- großen Gegenstrom erzeugt. Ein Blockierimpuls tritt

leitenden p-n-p-Transistors 53 zur Folge, so daß ein Impuls auf den Leiter 24 gegeben wird, der dem Rückschreiben in dem gewählten Kern entgegenwirkt.

Die Arbeitsweise des Speichers wird jetzt weiter 40 kung eines gleichzeitigen Rückschreibimpulses vom an Hand der in Fig. 7 gezeigten Kurven beschrieben. Treiber N₃, aufgehoben, weil der Strom auf Blockier-Um zunächst einen. Kern in der Matrix 14 wählen zu leiter 24 dem im Leiter 18 & entgegengesetzt ist und können, muß der zugeordnete Reihen- und Spalten- seine Induktionswirkung im Kern 15 aufhebt, transistorschalter, z. B. 63 bzw. 64, vor dem Empfang Es ist verständlich, daß die Steuerimpulse für die

der in dem Zeit-Spannungs-Diagramm der Fig. 7 ge- 45 Transistorschalter, die Treiberimpulse, die Blockierzeigten Kerntreiberimpuls durch gleichzeitige posi- und Gatterimpulse in zeitlich fester Beziehung zuein-

tive Impulse leitend werden.

Wenn die Transistorenschalter nach einer kurzen Verzögerung Δ t₁ vollständig leiten, wird ein Treiberander auftreten müssen, um ein richtiges Arbeiten zu gewährleisten. Erfmdungsgemäß werden daher alle Impulse von einem einzigen Taktgeber, z. B. 70

impuls P_x durch den Leiter 19 a und dann nach einer 50 (Fig· 8), erstellt. Die Impulsfrequenz ist so hoch geweiteren Verzögerung A t₂ ein Treiberimpuls P₃, z.B. wählt, daß die Taktimpulse Zähl-Flip-Flops 71 betätigen können, deren Ausgänge beispielsweise über Diodennetzwerke kombiniert werden können, so daß

die erforderlichen Impulsformen in zeitlich fester Be-

durch den Leiter 18 a geschickt. Der angesteuerte beispielsweise eine »1« speichernde Kern 15 wird durch
die beiden Koinzidenzströme auf »0« geschaltet,
während die Magnetisierungszustände der anderen 55 ziehung entstehen. Die Einzelheiten der Zähl-Flip-Kerne der Matrix unverändert bleiben, da sie nur von Flop-Stromkreise dieser Art wurden in der Beschreieinem Halbstrom durchflossen werden. bung und in den Zeichnungen nicht aufgenommen, da

Die zur Betätigung des vorliegenden Speichers ver- diese in der Technik bekannt sind.

wendeten vier Treiberstromimpulse P_x, P₃,, N_x undiVj, Es sei noch einmal darauf hingewiesen, daß sämt-

haben die in Fig. 7 gezeigten Kurvenformen. Wie 60 liehe Dioden,, z. B. 20a, in dem in Fig. 3 gezeigten

Speichersystem zur Entkopplung dienen. Die Kerne der Matrix 14 können in mehreren Ebenen oder, Lagen angeordnet werden, so daß beispielsweise die Transistorschalter 63 und 64 gemeinsam für alle

der Information in den betreffenden Speicherkern 65 η-Ebenen verwendet werden können, so daß sowohl mittels der Impulse von Treibern N_x und N₃, erfolgt. Bauteile als auch Raum und Gewicht gespart werden. Wie bereits vorstehend ausgeführt wurde, fließen durch Weiter ist zu bemerken, daß in diesem Ausführungsdie zwei durch die Kerne führenden Leiterpaare posi- beispiel der Erfindung ebensogut p-n-p-Transistoren tive Stromimpulse in entgegengesetzter Richtung. verwendet werden können, wenn gleichzeitig die Wenn daher der Kern 15 zu wählen ist, ergibt die 70 Polarität der Impulse geändert wird.

schon beschrieben, haben diese Impulse die richtige Dauer und Phasenlage, damit zuerst das Ablesen der Information aus dem Speicherkern mittels der Impulse von Treibern P_x und P₃, und dann das Rückschreiben

Claims (1)

1. Patentanspruch:

   Reihen- und Spalten-Koordinaten-Wählschaltung in einer Magnetkernmatrix zur Auswahl eines Kerns für das Ablesen oder Einschreiben, dadurch gekennzeichnet, daß für jede Reihe und jede Spalte der Matrix zwei Koordinatenwicklungen (z.B. 18a, 18b) vorgesehen sind und der Wicklungsanfang der einen Wicklung (18a) jeder Reihe bzw. Spalte über eine Diode (20 a) an einen Leseimpulsgenerator (z. B. P_y) und der Wicklungsanfang der anderen Wicklung (18 b) jeder Reihe bzw. Spalte über eine weitere Diode (20 b) an einen Schreibimpulsgenerator (z. B. N_y) ange-

   10

   schlossen ist und die Wicklungsenden jedes Wicklungspaares zu einem gemeinsamen elektronischen Schalter (z. B. 63) führen, der bei Empfang eines Reihen- bzw. Spaltenwählsignals Treiberströme von den Lese- und Schreibimpulsgeneratoren (P _y, N_y; P_x, N_x) durch die beiden gemeinsam mit ihm verbundenen Wicklungen hindurchläßt.

   In Betracht gezogene Druckschriften:
   »Electronics«, 1955, Heft März, S. 194 bis 197,
   1956, Heft Februar, S. 158 bis 161.

   In Betracht gezogene ältere Patente:
   Deutsches Patent Nr. 955 606.

   Hierzu 2 Blatt Zeichnungen

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