DE1071387B - Selector circuit for a magnetic core mix - Google Patents
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Description
Die Erfindung betrifft Magn^ernschaltstrpmkreise, insbesondere die Anwendung eines neuen Schaltstromkreises für eine Magnetkernmatrix.The invention relates to Magnet ^ ernschaltstrpmkreise, in particular the application of a new switching circuit for a magnetic core matrix.
Es ist bekannt; eine Kernschaltung zum Auswählen der Kerne einer statischen Magnetkernmatrix zu verwenden. Eine solche Kernschaltung wird jedoch im allgemeinen wegen des hohen Energiebedarfes und wegen damit im Zusammenhang stehender Stromkreisweiterungen als unwirtschaftlich betrachtet. Die vorliegende Erfindung sieht daher — unter Verwen- : dung von Transistorenschaltern — eine wirtschaftlichere Lösung zum Auswählen der Kerne eines statischen Magnetkernspeichers vor.It is known; to use a core circuit for selecting the cores of a static magnetic core matrix. Such a core circuit is, however, in general because of the high energy requirements and Considered uneconomical because of the associated circuit expansions. the The present invention therefore sees - using transistor switches - a more economical one Solution for selecting the cores of a static magnetic core memory.
In der Rechenmaschinentechnik ist es bekannt, Magnetkerne als Speicherelemente für binäre Daten zu verwenden. Dabei werden zweckmäßigerweise die Kerne in Form einer Matrix angeordnet, wobei die Kerne jeder Reihe mit zwei in Reihe geschaltete Treiberwicklungen zum Lesen bzw. Schreiben und die Kerne jeder Spalte in ähnlicher Weise mit zwei Treiberwicklungen gekoppelt sind.In computing machine technology, it is known to use magnetic cores as storage elements for binary data to use. The cores are expediently arranged in the form of a matrix, the Cores of each row with two series-connected driver windings for reading or writing and the Cores of each column are similarly coupled to two driver windings.
Soll ein bestimmter Kern zum Lesen ausgewählt werden, so müssen die mit ihm verbundenen Spaltenoder Reihenablesewicklungen jede mit Strom von mindestens der halben, jedoch weniger als der vollen Kernschaltamplitude beschickt werden. Die addierende Wirkung der beiden Treiberströme bewirkt die Umschaltung des ausgewählten Kernes in einer bestimmten Richtung. Da durch die übrigen Kerne der ausgewählten Reihe und Spalte nicht der volle Schaltstrom fließt, verbleiben sie in ihrem ursprünglichen Zustand. Meistens wird ein ausgewählter Kern, der eine binäre »1« speichert, in einen binären »O«-Zustand geschaltet. Hierbei wird auf einer mit dem Kern gekoppelten Ausgangswicklung ein Impuls von verhältnismäßig großer Amplitude erzeugt. Andererseits verbleibt ein eine »0« speichernder Kern im »O«-Zustand, und es wird im wesentlichen kein Impuls auf der Ausgangswicklung erzeugt.If a particular core is to be selected for reading, the columns or associated with it must be selected Row read turns each with power at least half but less than full Core switching amplitude are charged. The switchover is caused by the adding effect of the two driver currents of the selected core in a certain direction. Because by the remaining nuclei of the selected Row and column do not have the full switching current flowing, they remain in their original state. Most of the time, a selected core that stores a binary "1" will go into a binary "O" state switched. In this case, an impulse of relative large amplitude generated. On the other hand, a core storing a "0" remains in the "O" state, and essentially no pulse is generated on the output winding.
Das Verfahren, Daten in einen ausgewählten Kern einzuschreiben, erfordert die Erregung der mit diesem Kern verbundenen Schreibtreiberwicklungen, wodurch der Kern in eine der Leserichtung entgegengesetzte Richtung geschaltet wird, falls der Kern nicht in seinem ursprünglichen Zustand verbleiben soll.The process of writing data into a selected nucleus requires the excitement of those with it Write driver windings connected to the core, causing the core to move in a direction opposite to the reading direction Direction is switched if the core should not remain in its original state.
Das beim Schreiben allgemein verwendete Verfahren besteht darin, die entsprechenden Schreibtreiberwicklungen ohne Rücksicht auf die in einem ausgewählten Kern einzustellende Ziffer zu erregen. Bei Anwendung dieses Verfahrens besitzen die zusammentreffenden Treiberströme eine volle Schaltwirkung, falls von einem binären »0«- in einen binären »1 «-Zustand geschaltet werden soll. Für den Fall jedoch, daß der Kern in einem »O«-Zustand zu Wählschaltung für eine MagnetkernmatrixThe common technique used in writing is to insert the appropriate write driver windings to excite regardless of the digit to be set in a selected core. When using this method, the driver currents that meet have a full switching effect, if you want to switch from a binary "0" to a binary "1" state. For the However, in the event that the core is in an "O" state to selection circuit for a magnetic core matrix
Anmelder:Applicant:
The National Cash Register Company, Dayton, Ohio (V. St. A.)The National Cash Register Company, Dayton, Ohio (V. St. A.)
Vertreter: Dr. A. Stappert, Rechtsanwalt, to Düsseldorf, Feldstr. 80Representative: Dr. A. Stappert, lawyer, to Düsseldorf, Feldstr. 80
Beanspruchte Priorität: V. St. v. Amerika Vom 6. März 1956Claimed priority: V. St. v. America 6 March 1956
verbleiben hat, wird eine mit dem Kern verbundene Gegenwicklung durch einen Stromimpuls erregt und steht so der Umschaltung des Kerns durch die zusammentreffenden Antriebsströme entgegen.has remained, a counter-winding connected to the core is excited by a current pulse and thus stands in the way of switching the core through the converging drive currents.
Das vorstehend genannte Verfahren zum Ablesen oder Schreiben in Reihe kann unmittelbar auch auf paralleles Ablesen oder Schreiben angewandt werden. In diesem Falle werden die in allen Kernen einer ausgewählten Reihe gespeicherten Daten durch gleichzeitiges Umschalten aller Kerne der Reihe abgelesen, wodurch ein eine »1« oder »0« anzeigendes binäres Signal auf jeder von mehreren mit jeder Kernspalte verbundenen Ausgangswicklungen erzeugt wird.The above-mentioned method for reading or writing in series can also be carried out directly on parallel reading or writing can be used. In this case, those in all cores are selected Row read the stored data by switching all cores of the row at the same time, thereby creating a binary signal indicating a "1" or "0" on each of several with each core column connected output windings is generated.
Sollen Daten in eine Kernreihe eingeschrieben werden, so ist es erforderlich, jeden Kern mit einer eigenen Gegenwicklung zu versehen. Wie schon vorher erwähnt, wird jeder Kern ohne Rücksicht auf die darin einzustellenden binären Daten umgeschaltet.If data are to be written into a core row, each core must be marked with a to provide its own reverse winding. As mentioned earlier, every core is made regardless of the binary data to be set therein switched.
Durch Erregung der Gegenwicklung der Kerne, die im »O«-Zustand verbleiben sollen, können Daten gleichzeitig in eine ganze Kernreihe eingeschrieben werden. .By exciting the reverse winding of the cores, which should remain in the "O" state, data be enrolled in a whole core row at the same time. .
Die vorliegende Erfindung betrifft in erster Linie die Anordnung von Schaltstromkreisen zum Auswählen eines beliebigen Kerns zum Ablesen oder Einschreiben. The present invention relates primarily to the arrangement of switching circuits for selection any core for reading or writing.
In einer bekannten Parallelschaltanordnung sind die durch die Kernspalten gefädelten Wicklungen an einem Ende gemeinsam mit einer Impulsquelle, ver-, ____Tjjtti3en. und an "ihren änderen Enden einzeln an die Anoden mehrerer aus einer Vielzahl von Glühkathodenröhren angeschlossen, die als Ablese- oder Schreibschaltelemente dienen. Auf ein dem Steuer-In a known parallel connection arrangement, the windings threaded through the core gaps are on one end together with a source of impulse, ver, ____Tjjtti3en. and at "their other ends individually to the Anodes of several connected from a variety of hot cathode tubes, which can be used as reading or Write switching elements are used. On one of the tax
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Fig. 4 ein Schaltschema eines typischen Treiberstromkreises, wie er in Fig. 3 als Px dargestellt ist,Fig. 4 is a circuit diagram of a typical driver circuit, as shown in Fig. 3 as P x ,
Fig. 5 ein Schaltschema des Leseverstärkers,5 shows a circuit diagram of the sense amplifier,
Fig. 6 ein Schaltschema einer Blockier- und Gatter-5 schaltung,6 is a circuit diagram of a blocking and gate 5 circuit,
Fig. 7 ein Diagramm mit dem zeitlichen Verlauf der in der in Fig. 3 gezeigten Speichermatrix auftretenden Spannungen,FIG. 7 shows a diagram with the course over time of the memory matrix shown in FIG. 3 Tensions,
Fig. 8 ein Blockschaltbild der zur Erzeugung derFig. 8 is a block diagram of the generation of the
Durch Erregung der Gegenwicklungen jener Kerne, die in den »O«-Zustand versetzt werden sollen, werden gleichzeitig in allen Kernen der Spalte die gewünschten Daten eingestellt.By exciting the counter-windings of those nuclei that are to be put into the "O" state at the same time in all cores of the column the desired Data set.
Aus den vorstehenden Ausführungen geht hervor, daß bei einer aus η Spalten bestehenden Matrix 2 η Glühkathodenröhren oder gleichwertige Schaltelemente erforderlich sind.It can be seen from the foregoing that in the case of a matrix consisting of η columns, 2 η hot cathode tubes or equivalent switching elements are required.
gitter einer ausgewählten Ableseröhre zugeführtes Steuersignal hin wird die mit dieser Röhre verbundene Wicklung von der Stromimpulsquelle her erregt und dadurch die zugeordnete Kernspalte in der zum Ablesen erforderlichen Richtung geschaltet. Sollen Daten in eine bestimmte Kernspalte geschrieben werden, so wird dem Steuergitter einer der Spalte zugeordneten Schreibröhre ein Steuerimpuls zugeführt, wodurch ein Schaltkreis für Stromimpulsegrid fed to a selected reading tube In response to the control signal, the winding connected to this tube is excited by the current pulse source and thereby switched the associated core column in the direction required for reading. If data is to be written into a specific core column, one of the A control pulse is supplied to the column associated with the writing tube, creating a circuit for current pulses
geschlossen wird. In der bekannten Anordnung sind io zur Ansteuerung der Speichermatrix erforderlichen die Kerne jeder Reihe mit Gegenwicklungen versehen. Spannungen benutzten Stromkreise.is closed. In the known arrangement, io are required to control the memory matrix provide the cores of each row with counter-windings. Voltages used circuits.
Die Fig. 1 zeigt das Schaltschema eines n-p-n-Transistors 1, dessen Basis 2 über einen Strombegrenzungswiderstand 6 und einen Parallelkonden-15 sator 7 mit einem Steuereingang 5 verbunden ist. Der Kollektor 3 des Transistors ist durch die Last 9 mit dem Treibereingang 8, und der Emitter 4 mit einer feststehenden Spannung von —10 V verbunden. Soll der n-p-n-Transistor leiten, so muß dessen Basis und Diese Anordnung ist jedoch sehr unwirtschaftlich, 20 Kollektor positiv zum Emitter vorgespannt sein. Da da für umfangreiche Kernmatrizen eine Unmenge, von deshalb der Emitter 4 auf einer konstanten Spannung Schaltelementen benötigt wird. von —10 V liegt, werden die an den Treibereingang 81 shows the circuit diagram of an npn transistor 1, the base 2 of which is connected to a control input 5 via a current limiting resistor 6 and a parallel capacitor 7. The collector 3 of the transistor is connected through the load 9 to the driver input 8, and the emitter 4 is connected to a fixed voltage of -10V. If the npn transistor is to conduct, its base and collector must be positively biased towards the emitter. Since there is a vast number of switching elements required for extensive core matrices, which is why the emitter 4 is at a constant voltage. of -10 V, the inputs to driver input 8
Aufgabe der Erfindung ist es, eine Schaltung für angelegten Impulseil mit hohem Spannungspegel geeine Magnetkernmatrix vorzusehen, in der die Anzahl maß dem Spannungspegel der Impulse 12 am Steuerder für die Auswahl eines beliebigen Kernes zum Ab- 25 eingang 5 zum Erregen der Last 9 gesteuert. Ist daher lesen oder Schreiben benötigten Schaltelemente be- am S teuer eingang 5 eine Spannung von —10 V vorträchtlich herabgesetzt ist. handen, so wird der Transistor 1 gesperrt und läßtThe object of the invention is to provide a circuit for applied pulse cable with a high voltage level Provide magnetic core matrix in which the number measured the voltage level of the pulses 12 at the control for the selection of any core to output 25 input 5 for exciting the load 9 controlled. Is therefore The switching elements required to read or write have a voltage of -10 V at the expensive input 5 is reduced. act, the transistor 1 is blocked and leaves
Während es in der oben beschriebenen älteren An- die am Treibereingang 8 zwischen —10 und OV Verordnung erforderlich ist, für jede Kernspalte ge- laufenden Impulse 11 nicht durch. Ist jedoch am trennte Ablese- und Schreibschaltelemente vor- 30 Steuereingang eine Spannung von 0 V, dann gelangen zusehen, ermöglicht es die erfindungsgemäße Anord- die Eingangsimpulse 11 durch die Last 9. Bemerkensnung, jede Kernspalte mittels eines einzigen Schalt- wert sind die durch Ausnutzung des Verstärkungselementes zum Ablesen und Schreiben auszuwählen. faktors des Transistors entstehenden relativ hohen Ebenso wird auch jede Kernreihe durch ein einziges Stromeingangsimpulse 11, von z.B. 40'mA, die von Schaltelement ausgewählt. Demzufolge gestattet es 35 einem niedrigen Steuerimpuls 12, von z. B. 1 mA, ohne die erfindungsgemäße Anordnung, jeden gewünschten Überschreitung der Leistungsgrenze eines gegebenen Kern sowohl zum Ablesen als auch zum Schreiben Schalttransistors, gesteuert werden, können, durch zwei Schaltelemente auszuwählen, wohingegen Zum besseren Verständnis der Arbeitsweise desWhile in the older version described above at driver input 8 between -10 and OV regulation is required, for each core column passing pulses 11 not through. However, it is on Separated read and write switching elements in front of 30 control input a voltage of 0 V, then arrive the inventive arrangement enables the input pulses 11 through the load 9. each core column by means of a single switching value are to be selected by utilizing the reinforcement element for reading and writing. factor of the transistor is relatively high Likewise, each core row is also powered by a single current input pulse 11, e.g. Switching element selected. Accordingly, it allows 35 a low control pulse 12, of e.g. B. 1 mA, without the inventive arrangement, any desired exceeding the performance limit of a given Core for both reading and writing switching transistor, can be controlled, can, with two switching elements, whereas for a better understanding of the operation of the
eine entsprechende Anordnung der bekannten Ein- Transistorschalters wird auf die in Fig. 2 gezeigten richtung zur Erzielung des gleichen Ergebnisses vier 4° Kurven Bezug genommen, welche den zeitlichen Ver-Schaltelemente erfordert. .·■'' lauf der Eingangsimpulse 11 und der Steuerimpulsea corresponding arrangement of the known on-transistor switches is based on that shown in FIG direction to achieve the same result four 4 ° curves are referred to, which the time Ver-Schaltelemente requires. . · ■ '' run the input pulses 11 and the control pulses
Es sind deshalb für. eine Reihen- und Spalten- 12 zeigt. Wie aus den Kurven ersichtlich, erfolgt der Koordinaten-Wählschaltung in einer Magnetkern- Anstieg des Steuerimpulses 12 zur Zeit tv noch vor matrix zum Auswählen eines Kerns für das Ablesen dem Anstieg des ersten zur Zeit t2 auftretenden Ein- oder Einschreiben erfindungsgemäß für jede Reihe 45 gangsimpulses 11. Die Zeit Δ t genügt, um einen und jede Spalte der Matrix zwei Koordinatenantriebs- Trägerstrom innerhalb des Transistors 1 zu erzeugen, wicklungen vorgesehen, bei denen der Wicklungs- Daher ist auf Grund des Stromverstärkungsfaktors anfang der einen Wicklung jeder Reihe bzw. Spalte des Transistors 1 nur ein Steuereingangsimpuls 12 über eine Diode an einen Leseimpulsgenerator * und mit geringem Strom von z. B. 1 mA erforderlich, um der Wicklungsanfang der anderen Wicklung jeder 50 den relativ starken, beispielsweise 4OmA großen Reihe bzw. Spalte über eine weitere Diode an einen Stromeingangsimpulsll zu steuern. Der Transistor 1 Schreibimpulsgenerator angeschlossen ist und die bleibt so· lange leitend, bis der Steuereingangsimpuls Wicklungsenden jedes Wicklungspaares an einem 12 zu seinem — 10-V-Pegel zur Zeit t3 zurückkehrt, gemeinsamen elektronischen Schalter liegen, der bei Zu diesem Zeitpunkt endigt die Trägerstromzuführung Empfang eines Reihen- bzw. Spaltenwählsignals 55 zur Basis 2, und der Transistor 1 wird gesperrt. Treiberströme von den Lese- und Schreibimpuls- Solange der Steuereingangsimpuls 12 andauert, generatoren durch die beiden gemeinsam mit ihm ver- können beliebig viele Stromeingangsimpulse 11 über tundenen Wicklungen hindurchläßt. die Last 9 geschaltet werden. Die durch den Tran-It is therefore for. a row and column 12 shows. As can be seen from the curves, the coordinate selection circuit takes place in a magnetic core increase of the control pulse 12 at time t v before the matrix for selecting a core for reading the increase in the first writing or recording occurring at time t 2 according to the invention for each row 45 output pulse 11. The time Δ t is sufficient to generate one and each column of the matrix two coordinate drive carrier currents within the transistor 1, windings are provided in which the winding is Column of the transistor 1 only a control input pulse 12 via a diode to a read pulse generator * and with a low current of z. B. 1 mA required to control the winding beginning of the other winding of each 50 the relatively strong, for example 40mA large row or column via another diode to a current input pulse. The transistor 1 write pulse generator is connected and remains conductive until the control input pulse winding ends of each winding pair returns to a 12 to its -10 V level at time t 3 , common electronic switch, which ends at this point in time the carrier current supply Receipt of a row or column selection signal 55 to base 2, and transistor 1 is turned off. Driver currents from the read and write pulses As long as the control input pulse 12 lasts, generators through the two together with it can allow any number of current input pulses 11 to pass over hours of windings. the load 9 can be switched. The transit
Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung wird nach- sistor durchgelassenen Impulse sind in Fig. 2 mit der stehend an Hand der Zeichnungen erläutert, und zwar 60 Bezugszahl 13 bezeichnet. Es ist zu beachten, daß die zeigt . Stromspannungsverhältnisse, wie sie in der vorstehen-An embodiment of the invention is after-sistor transmitted pulses are shown in FIG explained with reference to the drawings, namely 60 denoted by reference number 13. It should be noted that the shows . Current voltage ratios, as they are in the above
Fig. 1 ein Schaltbild des in der Erfindung ver- den Beschreibung angegeben wurden, rein erläuternden wendeten Transistorschalters, Charakter tragen und daß andere Größenordnungen1 shows a circuit diagram of the description given in the invention, purely for explanatory purposes turned transistor switches, bear character and that other orders of magnitude
Fig. 2 die Ansicht von Spannungskurven zur Er- nach Maßgabe der angewandten, besonderen Schaltläuterung der Arbeitsweise des in Fig. 1 gezeigten 65 elemente möglich sind. Transistorschalters, Die eben offenbarte Schaltung wird in der in Fig.2 shows the view of voltage curves in accordance with the particular circuit explanation used the operation of the 65 elements shown in Fig. 1 are possible. Transistor switch, the circuit just disclosed is shown in Fig.
Fig. 3 ein Schaltbild einer statischen Magnetkern- gezeigten Speicheranordnung verwendet, matrix und die Verbindungen der Transistorschalt- Eine Kernspeichermatrix 14 ist in der elek-Fig. 3 uses a circuit diagram of a static magnetic core memory arrangement shown, matrix and the connections of the transistor switching A core memory matrix 14 is in the elec-
kreise und der Impulsquellen zur Auswahl und Er- tronischen Rechenmaschinentechnik an sich bekannt; regung eines Kernes der Matrix, 70 sie ist als hochwirksame, statische Speichereinrich-circles and the impulse sources for the selection and ertronic computing machine technology known per se; excitation of a core of the matrix, 70 it is designed as a highly effective, static storage device
tungen verwendbar. Eine Kernspeichermatrix wird durch Koinzidenzströme angesteuert, d. h., um einen angegebenen Kern, ζ. B. Kern 15, in einen gewünschten Magnetisierungszustand zu schalten, müssen gleichzeitig den zugeordneten Reihen- und Spaltenleitern der Kernspeichermatrix Stromimpulse zugeführt werden. Es bedarf der Zusammenwirkung dieser beiden Stromimpulse, um einen Kern von einem remanentmagnetischen Zustand in den anderen zu schalten. Der gewählte Kern wird dann in einer gewünschten Richtung magnetisiert, ohne daß die Zustände der anderen Kerne in dem Gebilde beeinflußt werden. Da der Zustand eines abgefragten Kernes durch dessen Wechsel bestimmt wird, ist eine durch das Lesesignal gesteuerte Rückstellung zum Wiederherstellen der Information in der statischen Speichereinrichtung erforderlich.can be used. A core memory matrix is driven by coincidence currents, i. h. to a given core, ζ. B. core 15 to switch to a desired magnetization state, must have current pulses at the same time as the assigned row and column conductors of the core memory matrix are fed. It takes the interaction of these two current impulses to produce a core of to switch from one remanent magnetic state to the other. The chosen core is then used in a desired direction magnetized without affecting the states of the other nuclei in the structure will. Since the status of a queried core is determined by its change, one is through the read signal controlled reset to restore of the information in the static storage device is required.
Obwohl die Speicherkerne gewöhnlich relativ klein sind, ist doch infolge der Koerzitivkraft des Kernmaterials ein verhältnismäßig großer Strom zur Umschaltung der Kerne erforderlich. Die in Fig. 1 gezeigte Schaltung ist, wie vorstehend ausgeführt wurde, durch Verwendung eines Transistors zum Schalten der Kerne sehr gut geeignet und kann relativ hohe Ströme mittels anderer, kleinerer Ströme steuern und gewährleistet außerdem günstige Anstiegs- und Abfallzeiten für seine Ausgangsimpulse, ohne die Leistungsgrenze der verwendeten Schalttransistoren zu überschreiten.Although the storage cores are usually relatively small, it is due to the coercive force of the core material a relatively large current is required to switch the cores. The one shown in FIG Switching is, as stated above, by using a transistor for switching of the cores very well suited and can control relatively high currents by means of other, smaller currents and also ensures favorable rise and fall times for its output pulses without the To exceed the power limit of the switching transistors used.
Der in der Technik bekannte Magnetkernspeicher enthält gewöhnlich nur einen Satz Koordinatenwicklungen für die entsprechenden Reihen und Spalten der Kernmatrix. Die vorliegende, in Fig. 3 gezeigte Anordnung sieht zur Ansteuerung der Kerne zwei Wicklungssätze vor. Ein erster Satz Reihenleiter,, wie z.B. Leiter 16 a, 18 a usw., ist über die entsprechenden Kernreihen mit dem Treiber Py, ein erster Satz Spaltenleiter, z. B. Leiter 17a, 19a usw., über die entsprechenden Kernspalten mit dem Treiber Px verbunden. Diese ersten Sätze der Reihen- und Spaltenleiter dienen zur Auswahl eines Kernes, so daß ζ. Β. eine in dem Kern gespeicherte Information über den Leseleiter 25 abgelesen werden kann. Ein zweiter Satz Reihenleiter, z. B. 16 5, 18 & usw., leitet Stromimpulse von Treiber Ny über die entsprechenden Kernreihen der Matrix, ein zweiter Satz Spaltenleiter, z. B. Leiter 17 5, 19 b usw., leitet Stromimpulse vom Treiber Nx über die entsprechenden Kernspalten der Matrix. Diese zweiten Reihen- und Spaltenleitersätze dienen, wie noch zu beschreiben ist, zum Rückschreiben der aus einem Kern durch Impulse auf den ersten Leitersätzen abgelesenen Information in diesen.The magnetic core memory known in the art usually contains only one set of co-ordinate windings for the respective rows and columns of the core matrix. The present arrangement, shown in FIG. 3, provides two sets of windings for controlling the cores. A first set of row conductors, such as conductors 16 a, 18 a , etc., is connected to the driver P y via the corresponding core rows, a first set of column conductors, e.g. B. conductors 17a, 19a, etc., connected to the driver P x via the corresponding core columns. These first sets of row and column conductors are used to select a core so that ζ. Β. information stored in the core can be read via the read conductor 25. A second set of row conductors, e.g. 16 5, 18 & etc., conducts current pulses from driver N y across the appropriate core rows of the matrix, a second set of column conductors, e.g. B. conductor 17 5, 19 b , etc., conducts current pulses from the driver N x over the corresponding core columns of the matrix. These second row and column conductor sets are used, as will be described below, to write back the information read from a core by pulses on the first conductor sets.
Zur Auswahl eines Speicherkernes ist jede Kernreihe der Matrix 14 und jede Spalte mit einem Transistorschalter, ζ. Β. 63 bzw. 64, versehen. Diese arbeiten in der gleichen Weise wie der in Fig. 1 beschriebene Transistorschalter.To select a memory core, each core row of the matrix 14 and each column is equipped with a transistor switch, ζ. Β. 63 and 64, respectively. These work in the same way as that described in FIG Transistor switch.
Jeder Satz der Reihenleiter, z. B. Reihenleiter 18a und 185 und jeder Satz der Spaltenleiter, z. B. Spaltenleiter 19 α und 19 b, ist mit dem Kollektor des zugeordneten Transistorschalters verbunden.Each set of row conductors, e.g. Row conductors 18a and 185 and each set of column conductors, e.g. B. column conductor 19 α and 19 b is connected to the collector of the associated transistor switch.
Eine Diode, z.B. 20a und 20 5, legt jeden Leiter, z. B. 18 a und 18 5, an den Ausgang der Treiber Py bzw. Ny. In diese Schaltung kann somit infolge der Verwendung von getrennten positiven Impulsquellen für Ablesen und für Rückschreiben und dadurch, daß die Impulse einer Impulsquelle in einer Richtung durch eine Kernreihe und die Impulse der anderen Impulsquelle in der anderen Richtung durch die gleiche Reihe geschickt werden, der gleiche Transistorschalter sowohl für das Ablesen-als auch für das Rückschreiben verwendet werden.A diode, e.g. 20a and 20 5, attaches each conductor, e.g. B. 18 a and 18 5, to the output of the driver P y and N y . In this circuit the same can thus be achieved by using separate positive pulse sources for reading and writing back and by sending the pulses of one pulse source in one direction through one core row and the pulses of the other pulse source in the other direction through the same row Transistor switches can be used for both reading and writing back.
Es ist in der Technik bekannt, daß gleichzeitig mit der Auswahl eines Kernes des Speichers ein Lesesignal in dem für alle Kerne der Matrize 14 gemeinsamen Leseleiter 25 erzeugt wird. Dieses Lesesignal steuert die Anlegung eines Impulses an einen Blockierleiter 24, welcher durch alle Kerne der Matrix läuft. ■ Dieser Blockierimpuls, falls in der Matrix 14 vorhanden, hebt die Wirkung des von dem zweiten Satz der Reihenleiter 16 b, 18 5 usw. empfangenen Rückschreibeimpulse durch Bildung einer Gegenmagnetisierung auf, so daß der Kern während des Rückschreibens seinen Zustand nicht wechseln kann. Ein Signal wird von dem Leseleiter 25 nur dann abgelesen, wenn der abgefragte Kern eine »1« gespeichert hat. Dieses Ausgangssignal wird vom Leseverstärker 26 aufgenommen und über Leiter 23 zum Tasten eines Hilfs-Flip-Flops 27 verwendet, so daß sein »O«-Ausgang 28 dann auf niedriger Spannung liegt. Dadurch wird das Gatter 29 gesperrt und verhindert, daß ein am Toreingang 30 liegender Blockierimpuls an die Blockiertreiber 31 gelangt. Folglich schreiben die von den Treibern Nx und Ny über den zweiten Satz der Koordinatenleiter laufenden gleichzeitigen Stromimpulse die abgelesene Information wieder in den abgefragten Kern ein. . .It is known in the art that, simultaneously with the selection of a core of the memory, a read signal is generated in the read conductor 25 common to all cores of the die 14. This read signal controls the application of a pulse to a blocking conductor 24 which runs through all the cores of the matrix. This blocking pulse, if present in the matrix 14, cancels the effect of the write-back pulses received from the second set of row conductors 16 b, 18 5, etc. by forming a counter magnetization so that the core cannot change its state during the write-back. A signal is only read from the read conductor 25 if the interrogated core has stored a "1". This output signal is picked up by the sense amplifier 26 and used via conductor 23 to key an auxiliary flip-flop 27, so that its "O" output 28 is then at a low voltage. As a result, the gate 29 is blocked and prevents a blocking pulse at the gate input 30 from reaching the blocking driver 31. As a result, the simultaneous current pulses traveling from drivers N x and N y over the second set of coordinate conductors write the information read back into the interrogated core. . .
Ehe die Arbeitsweise der Speichermatrix weiter beschrieben wird, sei zunächst noch die übrige Schaltung in Fig. 3 erklärt. Jeder Treiber, z. B. Px, ist nach Fig. 4 aufgebaut. Bei 0 V an der Basis 32 des n-p-n-Transistors 33 wird dieser leitend und hält seinen Kollektor 34 auf der niedrigen Spannung an' seinen Emitter 35, z. B. bei —10 V. Der gemeinsame Basiseingang 37 der drei parallelen Transistoren 38, 39 und 40 liegt daher auf niedriger Spannung; diese sperrt die Transistoren. Auch: der Ausgang 22 des; Treibers wird daher auf einer .niedrigen Spannung von — 10 V gehalten. Gelangt jedoch ein negativer Impuls von z. B. —10 V an die Basis des Transistors 33, so sperrt dieser den Transistor und hebt die Spannung am gemeinsamen Basiseingang 37 der parallelen Transistoren auf OV. Ein positiver Treiberstromimpuls fließt dann von der mit den Kollektoren der parallelen Transistoren verbundenen Stromquelle mit + 5 V über die Emitterwiderstände, z. B. Widerstand 39 a, zu dem Leiter, der durch die Kerne der mit dem Ausgang 22 des Treibers verbundenen Reihe bzw. Spalte geführt ist.Before the mode of operation of the memory matrix is described further, the remaining circuit in FIG. 3 will first be explained. Each driver, e.g. B. P x , is constructed according to FIG. At 0 V at the base 32 of the npn transistor 33 this becomes conductive and keeps its collector 34 at the low voltage on 'its emitter 35, z. B. at -10 V. The common base input 37 of the three parallel transistors 38, 39 and 40 is therefore at a low voltage; this blocks the transistors. Also: the output 22 of the; The driver is therefore kept at a low voltage of -10 V. However, if a negative impulse of z. B. -10 V to the base of transistor 33, this blocks the transistor and raises the voltage at the common base input 37 of the parallel transistors to OV. A positive driver current pulse then flows from the current source connected to the collectors of the parallel transistors with + 5 V via the emitter resistors, e.g. B. resistor 39 a, to the conductor which is passed through the cores of the row or column connected to the output 22 of the driver.
Der in Fig. 5 gezeigte Leseverstärker 26 enthält einen Aufwärtstransformator 55, dessen Primärwicklung 56 auf den durch Schaltung eines Kernes von einem »1«- in einen »O«-Zustand erzeugten Impuls anspricht. Es ist zu bemerken, daß der Leseleiter 25 eine geschlossene Leiterschleife mit der Primärwicklung 56 bildet. Dadurch wird verhindert, daß kapazitive Störungen in die Schaltung gelangen, die z. B. bei geerdeter Verbindung auftreten würden. Der Kollektor 58 eines normalerweise gesperrten n-p-n-Steuertransistors 57 ist an den gemeinsamen Emitterverbindungspunkt 64 zweier n-p-n-Transistoren 59 und 60 angeschlossen, deren Kollektoren über die Sekundärwicklungen 61 und 62 des Transformators verbunden sind.The sense amplifier 26 shown in Fig. 5 includes a step-up transformer 55, the primary winding 56 to the pulse generated by switching a nucleus from a "1" to an "O" state appeals to. It should be noted that read conductor 25 forms a closed conductor loop with the primary winding 56 forms. This prevents capacitive interference from getting into the circuit z. B. would occur with a grounded connection. The collector 58 of a normally blocked n-p-n control transistor 57 is connected to the common emitter connection point 64 of two n-p-n transistors 59 and 60 connected, their collectors via the secondary windings 61 and 62 of the transformer are connected.
Durch Zuführung eines positiven Gatterimpulses 49 an die Basis 54 des n-p-n-Steuertransistors 57 wird dieser geöffnet, so daß auch einer der Transistoren 59 oder 60 einen Impuls vom Leseleiter 25 zum Ausgang 23 hindurchläßt, der zum Kippen des Hilfs-Flip-Flops 27 dient. Beim Fehlen eines Impulses auf dem Lese-By supplying a positive gate pulse 49 to the base 54 of the n-p-n control transistor 57, this is opened, so that one of the transistors 59 or 60 sends a pulse from the read conductor 25 to the output 23 lets through, which is used to tilt the auxiliary flip-flop 27. In the absence of an impulse on the reading
leiter 25 jedoch leiten die beiden Transistoren 59 und 60 nicht, und am Ausgang 23 erscheint kein Impuls. Die in Fig. 3 als Block gezeigte Schaltung für den Blockiertreiber 31 und das Gatter 29 wird anschließend in Fig. 6 ausführlich beschrieben. Das Gatter 29 enthält zwei Längswiderstände 43 und 44, die über eine Diode 45 verbunden sind. Wie vorher erwähnt, wird das Hilfs-Flip-Flop 27 in den »1«- Zustand getastet, wenn der Leseverstärker 26 ein »1«-Conductor 25, however, conduct the two transistors 59 and 60 does not, and no pulse appears at output 23. The circuit shown in Fig. 3 as a block for the Blocking driver 31 and gate 29 are then described in detail in FIG. That Gate 29 contains two series resistors 43 and 44 which are connected via a diode 45. As previously mentioned, the auxiliary flip-flop 27 is in the "1" - State keyed when the sense amplifier 26 has a "1" -
Koinzidenz der Signale in einem Leiterpaar, z. B. Leiter 18 a und 19 a, eine Umschaltung in den »0«- Zustand. In ähnlicher Weise schaltet eine anschließende Koinzidenz der Signale auf dem anderen. Leiterpaar, z.B. Leiter 18& und 19b, den gleichen Kern in den »1 «-Zustand, vorausgesetzt natürlich, daß dieser Vorgang, wie noch zu beschreiben ist, nicht blockiert wird.Coincidence of the signals in a pair of conductors, e.g. B. conductors 18 a and 19 a, a switch to the "0" state. Similarly, a subsequent coincidence of the signals switches on the other. Pair of conductors, for example conductors 18 & and 19b, have the same core in the "1" state, provided of course that this process, as will be described below, is not blocked.
Es sei erwähnt, daß der Leseleiter 25 parallel zuIt should be noted that the read conductor 25 is parallel to
Signal empfängt. Am unteren Ende des Widerstandes io den durch den Treiber Px erregten Leitern, ζ. Β. 17α, 44 liegt dann eine niedrige Spannung von —10 V. 19 a, geführt ist. Deshalb können bei Anlegen, des Gelangt in diesem Zustand ein positiver Blockier- Treiberstromes Px beträchtliche Störsignale in dem impuls 50 an das obere Ende des Widerstandes 43, so Leseleiter 25 induziert werden. Der Treiberstrom Px kann der normalerweise gesperrte n-p-n-Transistor 52 wird daher bekanntlich so rechtzeitig angelegt, daß nicht leitend werden, da der Impuls über die nun' 15 genügend Zeit zum Abklingen der Einschwingleitende Diode 45 durch Widerstand 44 abfließt, der vorgänge vorhanden ist, bevor der Treiberstrom Py gegenüber dem Widerstand 43 einen geringeren Ohm- der Matrix 14 zugeführt wird. Es ist verständlich, wert besitzt. Somit bleibt auch der n-p-n-Transistor daß keine Störsignale bei Zuführung des Treiber-53, dessen Basis mit dem Kollektor 54 des Transistors stromes Py induziert werden, da die dadurch erregten verbunden ist, gesperrt. Unter diesen Verhältnissen 20 Leiter senkrecht zum Leseleiter 25 verlaufen. Wenn wird auf dem Blockierleiter 24 kein Impuls erzeugt, der auf diese Weise gewählte Kern sich in seinem und es kann erneut eine »1« in dem durch die von »1 «-Zustand befindet, erscheint zu diesem Zeitpunkt den Treibern Nx und Ny kommenden Stromimpulse ein Impuls auf Leseleiter 25. Nimmt der Kern den angesteuerten Kern eingeschrieben werden. »0«-Zustand ein, dann erscheint kein Impuls am Lese-Receiving signal. At the lower end of the resistor io the conductors excited by the driver P x , ζ. Β. 17α, 44 is then a low voltage of -10 V. 19 a, is carried. Therefore, when a positive blocking driver current P x is applied in this state, considerable interference signals can be induced in the pulse 50 at the upper end of the resistor 43, so reading conductor 25. The driver current P x can, as is well known, the normally blocked npn transistor 52 is applied in good time so that it does not become conductive, since the pulse flows over the now 15 sufficient time for the transient conductive diode 45 to decay through resistor 44, which processes are present, before the driver current P y is fed to the matrix 14 with a lower ohmic value than the resistor 43. It's understandable, worth owning. Thus, the npn transistor also remains so that no interfering signals are blocked when the driver 53 is supplied, the base of which is induced with the collector 54 of the transistor current P y , since the one excited thereby is connected. Under these conditions 20 conductors run perpendicular to the reading conductor 25. If no pulse is generated on the blocking conductor 24, the core selected in this way is in its and a "1" can again be found in the "1" state, at this time the drivers N x and N y appear Coming current pulses a pulse on read conductor 25. If the core takes the activated core to be written. "0" status on, then no pulse appears on the read
Wird vom Leseverstärker 26 eine »0« abgelesen, 25 leiter 25. Um zu verhindern, daß das System die aufIf the read amplifier 26 reads a "0", 25 conductor 25. To prevent the system from opening the
dann verbleibt das Hilfs-Flip-Flop 27 im »0«-Zustand und dessen »O«-Ausgang 28 und damit das untere Ende des Widerstandes 44 liegen auf hoher Spannung von 0 V. Gelangt nun ein positiver Blockierimpuls 50 an das obere Ende des Widerstandes 43, so bleibt die Diode 45 gesperrt, da der größte Teil der Spannung am Widerstand 43 des Gatters 30 abfällt. Derthen the auxiliary flip-flop 27 remains in the "0" state and its "O" output 28 and thus the lower one The end of the resistor 44 are at a high voltage of 0 V. If a positive blocking pulse 50 is now received to the upper end of the resistor 43, the diode 45 remains blocked, since most of the voltage drops at resistor 43 of gate 30. Of the
Grund des Treiberstromimpulses Px entstehenden Störsignale als eine »1« wertet, ist der Leseverstärker 26 nur wirksam, wenn der Gatterimpuls 49 (Fig. 5 und 7) vorhanden ist.The sense amplifier 26 is only effective when the gate pulse 49 (FIGS. 5 and 7) is present because the interference signals arising from the driver current pulse P x are evaluated as a "1".
Wie in Fig. 7 gezeigt, gelangen die Rückschreibimpulse Nx und Ny unmittelbar nach Beendigung der Koinzidenzimpulse Px und Py auf die Leiter 19 b und 18 b. Der Stromimpuls Ny ist während der Rückschreibung nur dann wirksam, wenn kein Blockier-As shown in Fig. 7, the write-back pulses N x and N y of the coincidence pulses P x and P y arrive immediately after the conductor 19 b and B 18. The current pulse N y is only effective during the write-back if there is no blocking
nur dann auf Leiter 24 auf, wenn keine Spannung auf dem Leseleiter 25 induziert wurde, der das Hilfs-Flip-Flop 27 steuert. In diesem Fall wird die Wir-on conductor 24 only when no voltage has been induced on read conductor 25, which is the auxiliary flip-flop 27 controls. In this case, the
Blockierimpuls 50 erhöht daher die Spannung an der Basis des normalerweise nichtleitenden n-p-n-Tran-Blocking pulse 50 therefore increases the voltage at the base of the normally non-conductive n-p-n tran-
sistors 52 und öffnet diesen, Dies hat ein Sinken der 35 impuls auf Leiter 24 vorhanden ist, der einen, gleichsistor 52 and opens it, this has a decrease in the 35 pulse present on conductor 24, which is equal to one
Spannung an der Basis des normalerweise nicht- großen Gegenstrom erzeugt. Ein Blockierimpuls trittVoltage generated at the base of the normally non-large countercurrent. A blocking impulse occurs
leitenden p-n-p-Transistors 53 zur Folge, so daß ein Impuls auf den Leiter 24 gegeben wird, der dem Rückschreiben in dem gewählten Kern entgegenwirkt.conductive p-n-p transistor 53 result, so that a pulse is given to the conductor 24, the Counterwriting in the chosen core counteracts this.
Die Arbeitsweise des Speichers wird jetzt weiter 40 kung eines gleichzeitigen Rückschreibimpulses vom an Hand der in Fig. 7 gezeigten Kurven beschrieben. Treiber N3, aufgehoben, weil der Strom auf Blockier-Um zunächst einen. Kern in der Matrix 14 wählen zu leiter 24 dem im Leiter 18 & entgegengesetzt ist und können, muß der zugeordnete Reihen- und Spalten- seine Induktionswirkung im Kern 15 aufhebt, transistorschalter, z. B. 63 bzw. 64, vor dem Empfang Es ist verständlich, daß die Steuerimpulse für dieThe operation of the memory will now be further described with the aid of the curves shown in FIG. Driver N 3 , canceled because the current was initially on blocking order. Core in matrix 14 to choose conductor 24 that is opposite in conductor 18 & and can, the assigned row and column must cancel its induction effect in core 15, transistor switch, e.g. B. 63 or 64, before reception It is understandable that the control pulses for the
der in dem Zeit-Spannungs-Diagramm der Fig. 7 ge- 45 Transistorschalter, die Treiberimpulse, die Blockierzeigten Kerntreiberimpuls durch gleichzeitige posi- und Gatterimpulse in zeitlich fester Beziehung zuein-the transistor switch, the drive pulses, which showed blocking in the time-voltage diagram of FIG Core driver pulse through simultaneous positive and gate pulses in a fixed time relationship to one another.
tive Impulse leitend werden.tive impulses become leading.
Wenn die Transistorenschalter nach einer kurzen Verzögerung Δ t1 vollständig leiten, wird ein Treiberander auftreten müssen, um ein richtiges Arbeiten zu gewährleisten. Erfmdungsgemäß werden daher alle Impulse von einem einzigen Taktgeber, z. B. 70If the transistor switches fully conduct after a short delay Δ t 1 , a driver change will have to occur to ensure proper operation. According to the invention, therefore, all pulses from a single clock, z. B. 70
impuls Px durch den Leiter 19 a und dann nach einer 50 (Fig· 8), erstellt. Die Impulsfrequenz ist so hoch geweiteren Verzögerung A t2 ein Treiberimpuls P3, z.B. wählt, daß die Taktimpulse Zähl-Flip-Flops 71 betätigen können, deren Ausgänge beispielsweise über Diodennetzwerke kombiniert werden können, so daßpulse P x through the conductor 19 a and then after a 50 (Fig. 8). The pulse frequency is so high further delay A t 2 a driver pulse P 3 , for example, selects that the clock pulses can operate counting flip-flops 71, the outputs of which can be combined, for example via diode networks, so that
die erforderlichen Impulsformen in zeitlich fester Be-the required pulse shapes in a fixed time
durch den Leiter 18 a geschickt. Der angesteuerte beispielsweise eine »1« speichernde Kern 15 wird durch
die beiden Koinzidenzströme auf »0« geschaltet,
während die Magnetisierungszustände der anderen 55 ziehung entstehen. Die Einzelheiten der Zähl-Flip-Kerne
der Matrix unverändert bleiben, da sie nur von Flop-Stromkreise dieser Art wurden in der Beschreieinem
Halbstrom durchflossen werden. bung und in den Zeichnungen nicht aufgenommen, dasent through the conductor 18 a. The activated core 15 storing a "1", for example, is through
the two coincidence currents switched to "0",
while the magnetization states of the other 55 draw arise. The details of the counting flip-cores of the matrix remain unchanged, since they can only be flown through by flop circuits of this type in the description of a half-current. Exercise and not included in the drawings, there
Die zur Betätigung des vorliegenden Speichers ver- diese in der Technik bekannt sind.Those for actuating the present memory are known in the art.
wendeten vier Treiberstromimpulse Px, P3,, Nx undiVj, Es sei noch einmal darauf hingewiesen, daß sämt-applied four driver current pulses P x , P 3 ,, N x undiVj, It should be pointed out once again that all
haben die in Fig. 7 gezeigten Kurvenformen. Wie 60 liehe Dioden,, z. B. 20a, in dem in Fig. 3 gezeigtenhave the waveforms shown in FIG. Like 60 borrowed diodes, e.g. B. 20a, in that shown in FIG
Speichersystem zur Entkopplung dienen. Die Kerne der Matrix 14 können in mehreren Ebenen oder, Lagen angeordnet werden, so daß beispielsweise die Transistorschalter 63 und 64 gemeinsam für alleStorage system serve for decoupling. The cores of the matrix 14 can be in several planes or layers be arranged so that, for example, the transistor switches 63 and 64 common to all
der Information in den betreffenden Speicherkern 65 η-Ebenen verwendet werden können, so daß sowohl mittels der Impulse von Treibern Nx und N3, erfolgt. Bauteile als auch Raum und Gewicht gespart werden. Wie bereits vorstehend ausgeführt wurde, fließen durch Weiter ist zu bemerken, daß in diesem Ausführungsdie zwei durch die Kerne führenden Leiterpaare posi- beispiel der Erfindung ebensogut p-n-p-Transistoren tive Stromimpulse in entgegengesetzter Richtung. verwendet werden können, wenn gleichzeitig die Wenn daher der Kern 15 zu wählen ist, ergibt die 70 Polarität der Impulse geändert wird.of the information in the relevant memory core 65 η-planes can be used, so that by means of the pulses from drivers N x and N 3 takes place. Components as well as space and weight can be saved. As has already been explained above, it should also be noted that in this embodiment the two conductor pairs leading through the cores, for example of the invention, just as well pnp transistors, have current pulses in the opposite direction. can be used if at the same time the If therefore the core 15 is to be selected, the 70 results in the polarity of the pulses is changed.
schon beschrieben, haben diese Impulse die richtige Dauer und Phasenlage, damit zuerst das Ablesen der Information aus dem Speicherkern mittels der Impulse von Treibern Px und P3, und dann das Rückschreibenalready described, these pulses have the correct duration and phase position so that the information is first read from the memory core by means of the pulses from drivers P x and P 3 , and then the writing back
Claims (1)
»Electronics«, 1955, Heft März, S. 194 bis 197,
1956, Heft Februar, S. 158 bis 161.Considered publications:
"Electronics", 1955, March issue, pp. 194 to 197,
1956, February issue, pp. 158 to 161.
Deutsches Patent Nr. 955 606.Legacy Patents Considered:
German Patent No. 955 606.
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