DE1574763C - Storage matnx made of magnetic core elements - Google Patents

Storage matnx made of magnetic core elements

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DE1574763C
DE1574763C DE19641574763 DE1574763A DE1574763C DE 1574763 C DE1574763 C DE 1574763C DE 19641574763 DE19641574763 DE 19641574763 DE 1574763 A DE1574763 A DE 1574763A DE 1574763 C DE1574763 C DE 1574763C
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Description

Die Erfindung betrifft eine Speichermatrix aus magnetischen Kernelementen, in der die Kernelemente in einer Anordnung sich schneidender Zeilen und Spalten angeordnet sind und durch jedes Kernelement eine Zeilenleitung, eine Spaltenleitung, eine diagonal durch die Matrixebene verlaufende Leseleitung sowie eine spaltenparallel verlaufende Inhibitleitung mit in aufeinanderfolgenden Spalten abwechselndem Richtungssinn verlaufen, und mit einer Inhibitimpulsquelle. The invention relates to a memory matrix of magnetic core elements in which the core elements are arranged in an array of intersecting rows and columns and through each core element a row line, a column line, a read line running diagonally through the matrix plane and an inhibit line running parallel to the columns with alternating columns in successive columns Directional sense run, and with an inhibit pulse source.

Eine derartige Speichermatrix wird auch als Kernspeicher bezeichnet und dient zum Speichern-binärer Informationen.Such a memory matrix is also referred to as a core memory and is used for storing binary Information.

Der magnetische Kernspeicher gemäß der Erfindung basiert auf dem Prinzip eines Speichersystems, das im Kapitel8 des Buches von R. K. Richards:The magnetic core memory according to the invention is based on the principle of a memory system, that in chapter 8 of the book by R. K. Richards:

»Digital Computer Components and Circuits« im Verlag Van Nostrand Co., Inc. 1959, erläutert ist. Um die Probleme eines solchen bekannten Systems und ihre Lösung zu würdigen, sei das bekannte System kurz erläutert. Da eine derartige Betrachtung in Verbindung mit den F i g. 1 und 2 stark erleichtert wird, seien zuerst alle Figuren aufgezählt."Digital Computer Components and Circuits" published by Van Nostrand Co., Inc. 1959, is explained. Around To appreciate the problems of such a known system and their solution is the known system briefly explained. Since such a consideration in connection with FIGS. 1 and 2 is greatly facilitated, let us first enumerate all figures.

F i g. 1 zeigt schematisch eine mögliche Ausführungsform eines einzelnen magnetischen Kernelements, das als Speicherzelle bekannter Speicheran-Ordnungen und der Erfindung brauchbar ist, und zusätzlich die Beziehung des magnetischen Kernelements zu den verschiedenen Leitungen der Speicheranordnung; F i g. 1 schematically shows a possible embodiment of a single magnetic core element known as memory arrays as a memory cell and the invention is useful, and in addition the relationship of the magnetic core element to the various lines of the memory array;

F i g. 2 veranschaulicht die Hysteresisschleife des magnetischen Elements der F i g. 1;F i g. Figure 2 illustrates the hysteresis loop of the magnetic element of Figure 2. 1;

F i g. 3 veranschaulicht schematisch eine ebene Matrix aus magnetischen Kernen mit einer Inhibitleitung, die gemäß der einen Ausführungsform der Erfindung ausgelegt ist;F i g. 3 schematically illustrates a planar matrix of magnetic cores with an inhibit line, which is designed according to one embodiment of the invention;

F i g. 4 veranschaulicht die elektrische Beziehung zwischen der Lese- und der Inhibitleitung bei bekannten Anordnungen der Inhibitleitung;F i g. Figure 4 illustrates the electrical relationship between the sense and inhibit lines in known ones Arrangements of inhibit line;

F i g. 5 zeigt schematisch die elektrische Beziehung zwischen der Lese- und der Inhibitleitung gemäß der Erfindung;F i g. FIG. 5 schematically shows the electrical relationship between the read and inhibit lines according to FIG Invention;

F i g. 6 und 7 sind Schaltbilder für andere Ausführungsformen der Inhibitleitung nach F i g. 3.F i g. 6 and 7 are circuit diagrams for other embodiments of the inhibit line of FIG. 3.

In F i g. 1 ist ein Ringkern 10 mit einer Mittelöffnung 12 dargestellt, dessen Brauchbarkeit als bistabiles Speicherelement bekannt ist. Der Kern 10 besteht aus einem ferromagnetischen Material, z. B. aus gewissen Ferriten. Dieser Kern besitzt eine etwa rechtwinklige Hysteresisschleife und damit die Eigenschaft großer Remanenz (F i g. 2).In Fig. 1 shows a toroidal core 10 with a central opening 12, which can be used as a bistable Memory element is known. The core 10 is made of a ferromagnetic material, e.g. B. from certain Ferrites. This core has an approximately right-angled hysteresis loop and thus the property large remanence (Fig. 2).

Bei der Hysteresisschleife nach F i g. 2 ist auf der Abszisse der Strom oder die magnetisierende Kraft aufgetragen, wobei der positive Strom nach rechts läuft. Die Ordinate sibt die im Kern induzierteIn the hysteresis loop according to FIG. 2 is the current or the magnetizing force on the abscissa plotted with the positive current running to the right. The ordinate is the one induced in the nucleus

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magnetische Flußdichte wieder. Wenn eine magneti- regt werden, die zu den magnetisierenden Kräften sierende Kraft, die von einem / übersteigenden, posi- einen Beitrag leisten, erhält der Kern ein sättigendes tiven Strom geliefert wird, dem Kern aufgeprägt wird, Magnetisierungsfeld und ändert seinen Zustand, falls wird der Kern in einer Richtung gesättigt, die als er sich nicht bereits in dem durch dieses Feld bepositive magnetische Sättigung bezeichnet sei. Nach 5 stimmten Zustand befindet. Die Leseleitung spricht Abschalten des Sättigungsstroms verbleibt im Kern auf die Zustandsänderung des Kerns an und fühlt den ein magnetisches Remanenzfeld -\-BT. Der magne- in diesem gespeicherten Wert des Bits ab. Die Inhibittische Kern befindet sich dann im 1-Zustand. Wenn leitung führt bei ihrer Erregung einen Strom, dessen ein Kern einen —/ übersteigenden, negativen Strom Größe etwa I1 ist und die Überführung des Kerns von in der negativen Richtung bis zur Sättigung magneti- io einem in den anderen Zustand verhindert, weil er siert und die magnetisierende Kraft beseitigt wird, eine magnetisierende Kraft liefert, die der von der X-verbleibt im Kern ein magnetisches Restfeld — Bn und F-Antriebsleitung erzeugten Kraft entgegengedas als O-Zustand des Magnetismus im Kern bezeich- richtet ist. Die entgegenwirkende Leitung soll nur net sei. während der Schreibperiode der Anordnung in Be-magnetic flux density again. When a magnetizing force is excited to the magnetizing forces, which make a positive contribution from a / exceeding, the core receives a saturating current is supplied, the core is impressed, magnetizing field and changes its state if is the nucleus is saturated in a direction which is not already indicated as being positive magnetic saturation by this field. After 5 is correct state. The read line responds to switching off the saturation current, remains in the core to the change in state of the core and feels the magnetic remanence field - \ - B T. The magne- in this stored value of the bit. The inhibitory core is then in the 1-state. If conduction carries a current when it is excited, one core of which is a negative current of magnitude about I 1 , which exceeds / exceeds, and prevents the core from being transferred in the negative direction to saturation magnetio one into the other state because it sates and the magnetizing force is eliminated, providing a magnetizing force opposing the force generated by the X- remaining in the core - B n and F-drive line - which is referred to as the O-state of magnetism in the core. The counteracting line should only be net. during the writing period of the arrangement in

Falls sich der Kern zuerst im O-Zustand befindet 15 trieb genommen werden.If the core is first in the O-state, it can be used.

und als magnetisierende Kraft ein positiver Strom Z1 Bei den bekannten Matrixspeicheranordnungen ist zugeführt wird, der zu klein sei, um das Magnetfeld es üblich, daß die Leseleitung und Inhibitleitung Einim Kern über das negative Knie der Hysteresis- heitsleitungen sind, die mit allen Kernen 10 einer schleife hinaus zu bringen, dann verbleibt bei Ab- speziellen ebenen Matrix magnetisch gekoppelt sind, schaltung des Stroms I1 das Magnetfeld im Kern auf 20 Die Leseleitung geht üblicherweise diagonal durch dem Wert — Br und der Kern im O-Zustand. Falls die Spalten und Zeilen der ebenen Matrix hindurch, ein Strom 2 χ I1 als magnetisierende Kraft dem Kern um jeden Kern anzuschließen. Das bekannte Veraufgeprägt wird, wobei 211 > / ist, wird für den fahren zur Ausbildung einer Inhibitleitung besteht Kern ein positiver Sättigungsstrom hergestellt, der darin, an einer Ecke der ebenen Matrix zu beginnen also den Kern in positiver Richtung sättigt, so daß bei 25 und alle Kerne einer speziellen Spalte oder Zeile anBeseitigung der magnetisierenden Kraft der Kern zukoppeln, bevor man der Reihe nach zur nächsten im 1-Zustand verbleibt. Bei gleichzeitigem Zuführen Spalte oder Zeile übergeht. Dabei verläuft der Inhibitbeider Ströme I1, von denen jeder allein den Zustand draht bei den meisten der bekannten Matrixanorddes Kerns nicht ändern kann, die aber zusammen nungen in aufeinanderfolgenden Spalten oder Zeilen größer als / sind, wird der Kern aus dem O-Zustand 30 mit abwechselndem Richtungssinn (brit. PS 909 871, in den 1-Zustand überführt. Wenn sich der Kern im Fig. 1), weil eine solche Verdrahtungsform einfacher 1-Zustand befindet, wird er in ähnlicher Weise infolge ist als die ebenfalls bekannte, bei der der Inhibitder Zufuhr zweier Ströme von -I1 in den 0-Zu- draht in aufeinanderfolgenden Spalten (Zeilen) stets stand gebracht. den gleichen Richtungssinn aufweist, aber von Spal-and a positive current Z 1 as the magnetizing force to bring out a loop, then remains in the special flat matrix are magnetically coupled, switching the current I 1 the magnetic field in the core to 20 The read line usually goes diagonally through the value - B r and the core in the O-state. If the columns and rows of the flat matrix pass through, a current 2 χ I 1 as a magnetizing force will connect the core around each core. The well-known Veraufdruck is, where 2 1 1 > /, a positive saturation current is produced for the drive to the formation of an inhibit line core, which begins at a corner of the flat matrix so saturates the core in the positive direction, so that at 25 and couple all cores of a specific column or row to remove the magnetizing force of the core before remaining in the 1-state one after the other. Column or row is skipped when fed in at the same time. In this case, the inhibition of both currents I 1 runs , each of which alone cannot change the state wire in most of the known matrix arrangements of the core, but which together are greater than / in successive columns or rows, the core from the 0 state 30 with alternating sense of direction (British. PS 909 871, transferred to the 1-state. If the core is in Fig. 1), because such a wiring form is simply 1-state, it is in a similar way as a result of the also known, in the the inhibition of the supply of two currents of -I 1 in the 0-supply wire in successive columns (rows) was always brought to a standstill. has the same sense of direction, but of

Die magnetischen Speicherzellen von der in Ver- 35 tenende zu Spaltenanfang bzw. Zeilenende und Zeibindung mit den F i g. 1 und 2 erläuterten Art haben lenanfang zwischen den Spalten geführt werden muß. somit eine etwa rechtwinklige Hysteresisschleife mit Bei beiden Verdrahtungsarten beginnt also bisher die einer großen magnetischen Remanenzflußdichte, Inhibitleitung an einer Ecke der ebenen Matrix, die wenn das Speicherelement in den einen oder anderen dann nacheinander Spalte um Spalte oder Zeile um Zustand umgeschaltet wird. Wegen dieser Eigen- 40 Zeile mit allen magnetischen Elementen in eine schäften, nämlich der Hysteresis und der Remanenz, ■ magnetische Beziehung gebracht wird und an einer sind die magnetischen Speicherzellen oder -elemente weiteren Ecke der ebenen Matrix endigt. Die Leseinsbesondere zum Speichern binärer Informationen leitung liegt bei den bekannten Matrizen in einer brauchbar. Alle Elemente können eine Ziffer oder Ebene, die parallel zu der Ebene der Inhibitleitung ein Bit einer binären Information speichern. 45 ist und etwa mit dieser Ebene übereinstimmt. Wie dieThe magnetic memory cells from the end of the column to the beginning of the column or the end of the row and line binding with the F i g. 1 and 2 explained type have lenanfang must be performed between the columns. thus an approximately right-angled hysteresis loop with both types of wiring a large remanent magnetic flux density, inhibit conduction at a corner of the planar matrix, the if the storage element is in one or the other then one after another column by column or row by State is switched. Because of this inherent 40 line with all magnetic elements in one shafts, namely the hysteresis and the remanence, ■ magnetic relationship is brought and at one the magnetic memory cells or elements are terminated further corner of the planar matrix. The reading in particular for storing binary information line is in the known matrices in one useful. All elements can have a digit or plane that is parallel to the plane of the inhibit line store one bit of binary information. 45 and roughly coincides with this level. As the

Zur Speicherung einer großen Anzahl von Bits als Inhibitleitung steht sie mit allen Kernen in einer Information ist eine ebene Matrix aus magnetischen speziellen ebenen Matrix in einer magnetischen BeElementen vorgesehen, in der die Elemente in sich ziehung.To store a large number of bits as an inhibit line, it is in one with all cores Information is a flat matrix of magnetic special flat matrix in a magnetic BeElementen provided in which the elements are drawn.

gegenseitig schneidenden Zeilen und Spalten ange- Wenn auch eine große Zahl von Verdrahtungsordnet sind. Mehrere ebene Matrizen dieser Art 50 formen für die Leseleitung bekanntgeworden ist, können übereinandergestapelt sein und eine drei- verbinden diese normalerweise alle magnetischen dimensionale Speicheranordnung bilden. Mehrere, Elemente in einer solchen Art, daß die Leseleitung gewöhnlich vier elektrische Leitungen sind magne- möglichst quer zur Richtung der Inhibitleitung läuft, tisch mit der magnetischen Zelle gekoppelt und be- d. h. ein Parallellaufen von Lese- und Inhibitdraht wirken eine magnetische Zustandsänderung einiger 55 vermieden ist. Da die Inhibitleitung und die Lesespezieller Zellen. Diese magnetische Zustandsände- leitung in etwa derselben Ebene liegen, besteht zwirung erfolgt dann, wenn die elektrischen Ströme sehen diesen beiden Leitungen eine ziemlich große durch die vorgeschriebenen Leitungen, die einem Kopplung, die bei Verwendung induktiver Kopplung speziellen Element zugeordnet sind, in vorgegebener durch die vorgenannte »Quer-Führung« der Leselei-Weise zusammenfallen. 60 tung zur Inhibitleitung weitgehend kapazitiver Artarranged in mutually intersecting rows and columns, albeit a large number of wiring arranged are. Several flat matrices of this type 50 shapes for the reading line has become known, can be stacked on top of each other and a three- usually connect these all magnetic form dimensional storage array. Several, elements in such a way that the reading line Usually four electrical lines are magne- if possible runs across the direction of the inhibit line, table coupled with the magnetic cell and loading d. H. parallel running of read and inhibit wire act a magnetic change of state of some 55 is avoided. Since the inhibit line and the reading of special cells. This magnetic state conduction lies in roughly the same plane, there is a force occurs when the electrical currents see these two lines a fairly large through the prescribed lines, the one coupling, the one when using inductive coupling are assigned to a special element, in a predetermined manner by the aforementioned "cross guidance" of the reading-reading manner to coincide. 60 direction to inhibit line of a largely capacitive type

Die vier elektrischen Leitungen, die wie Wicklun- ist; da diese Kopplung etwa völlig in derselben Richgen mit einer Windung wirken, sind durch jeden Kern tung erfolgt, wird in der Leseleitung ein elektrisches (F i g. 1) geführt; es sind also eine Z-Antriebsleitung Signal induziert, das fehlerhaft als Signal gelten kann, 14, eine Y-Antriebsleitung 15, eine Inhibitleitung 16 das von einem binären Bit in einem magnetischen und eine Leseleitung 17 vorhanden. Bei einer Erre- 65 Element erzeugt wird. In mit geringer Geschwindiggung führen die X- und Y-Antriebsleitung je einen keit arbeitenden Speichersystemen ist die Zeit geStrom von I1. Wenn also beide Antriebsleitungen nügend lang, in der dieses induzierte Signal zwischen eines speziellen Kerns gleichzeitig von Strömen er- dem Schreib- und dem folgenden Lesevorgang aufThe four electric wires that is like winding; since this coupling act approximately in the same direction with one turn, are carried out through each core, an electrical (Fig. 1) is carried in the read line; Thus, a Z-drive line signal is induced, which can incorrectly count as a signal, 14, a Y-drive line 15, an inhibit line 16 that is a binary bit in a magnetic and a read line 17 is present. At an Erre- 65 element is generated. The X and Y drive lines each run a storage system that works at low speed, the time is flow from I 1 . So if both drive lines are long enough, this induced signal between a special core is carried out simultaneously by currents during the write and the subsequent read process

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Null abklingt; daher stört es nicht besonders. Da die findung ,enthält. Bei der Ausführungsform nachZero decays; therefore it doesn't particularly bother. As the finding contains. In the embodiment according to

Geschwindigkeit dieser Speichersysteme zunehmend F i g. 3 sind mehrere gesonderte magnetische KerneThe speed of these storage systems is increasing. 3 are several separate magnetic cores

größer wird, nimmt die Zeit, die dem falschen Signal 10 derart angeordnet, daß mehrere Spalten und Zei-becomes larger, takes the time that the wrong signal 10 is arranged in such a way that several columns and lines

zum Abklingen in der Leseleitung zur Verfügung len in etwa derselben Ebene liegen. Wenn auch dieto decay in the reading line available len lie in approximately the same plane. Even if the

steht, stark ab; somit sind in zunehmendem Maße 5 Matrix nach F i g. 3 eine 10 χ 10-Matrix ist, sostands, strong; thus there are increasingly 5 matrixes according to FIG. 3 is a 10 χ 10 matrix, so

Fehlermöglichkeiten gegeben. kann sie doch je nach den Erfordernissen des anzu-Possible errors are given. it can, depending on the requirements of the

Wie zur Betonung dieser letzten Feststellung er- wendenden Systems in beiden Richtungen eine andere wähnt sei, haben bei geringeren Geschwindigkeiten Zahl von Magnetkernen aufweisen. Eine Leseleitung irgendwelche derart in die Leseleitung eingekoppelte 17 verbindet fortschreitend alle magnetischen EIe-Ströme so viel Zeit, daß sie vor dem Lesevorgang io mente der Matrix 20 und kann eine beliebige beauf Null abklingen können. Im Falle von mit hoher kannte Gestalt annehmen; bei der dargestellten AusGeschwindigkeit arbeitenden Speichern kann die Zeit- führungsform überquert sie diagonal die Spalten und dauer zwischen dem Schreibvorgang und dem Lese- Zeilen der Matrix 20 und steht mit den Kernen 10 in Vorgang zu gering sein, so daß ein angemessenes Ab- einer magnetischen Beziehung.As for the system using both directions to emphasize this last statement, another was mentioned, have a number of magnetic cores at lower speeds. A reading line any 17 so coupled into the read line progressively connects all magnetic EIe currents so much time that they io elements of the matrix 20 before the reading process and can act as desired Can fade away to zero. In the case of taking on known shape with high; at the shown off-speed Working memory can be timed, it crosses the columns and diagonally duration between the write process and the read lines of the matrix 20 and is with the cores 10 in Operation to be too small, so that a reasonable ab- a magnetic relationship.

klingen unmöglich wird. Somit können die Ströme, 15 Gemäß der Erfindung ist die Inhibitleitung in mehdie während des Schreibvorgangs von der Inhibitlei- rere Abschnitte geteilt. Nach F i g. 3 weist sie zwei tung in die Leseleitung eingekoppelt werden, noch Abschnitte 21 und 22 auf, die auch als »Inhibit während des Lesevorgangs vorhanden sein und am und »Inhibit Β« bezeichnet seien. Sie verlaufen innerAusgang der Leseleitung als Störsignal erscheinen. halb der ebenen Matrix 20 in Form einer Doppellei-sound becomes impossible. Thus, the currents, 15 According to the invention, the inhibit line is divided into several sections during the write process from the inhibit line. According to FIG. 3 it has two devices that are coupled into the read line, and also sections 21 and 22, which are also present as "Inhibit A" during the reading process and are designated am and "Inhibit Β" . They run inside the output of the read line appear as an interfering signal. half of the flat matrix 20 in the form of a double

Zur Kompensation kapazitiv eingekoppelter Stör- 20 tung, die mit ihrem einen Leiter 21 als Hinleiter undTo compensate for capacitively coupled interference, which with its one conductor 21 as an outgoing conductor and

signale ist es bereits bekannt (Elektronik 1961, mit ihrem anderen Leiter 22 als Rückleiter stetssignals it is already known (Electronics 1961, with its other conductor 22 as the return conductor always

Nr. 11, S. 325 bis 328, insbes. Seite 327), als Lesever- durch unmittelbar benachbarte Spalten führt. NachNo. 11, pp. 325 to 328, in particular. Page 327), as a reading process, leads through directly adjacent columns. To

stärker einen Differentialverstärker zu verwenden, F i g. 3 sind die beiden Abschnitte der Inhibitleitungmore to use a differential amplifier, FIG. 3 are the two sections of the inhibit line

der jedoch einen gewissen Aufwand darstellt. innerhalb der Matrix Spalte um Spalte zwischen Spal-which, however, represents a certain amount of effort. within the matrix column by column between column

Mit der Erfindung wird dagegen, ohne daß ein 25 ten α und 7 angeordnet. Der Abschnitt Λ tritt an derWith the invention, however, without a 25 th α and 7 is arranged. The section Λ occurs at the

Differentialverstärker erforderlich wäre, die Wirkung einen Ecke in die Matrix ein; nachdem er durch dieDifferential amplifiers would be required to effect a corner in the matrix; after going through the

der Kopplung zwischen der Leseleitung und Inhibit- Elemente 10 der Spalte α nach unten gelaufen ist,the coupling between the read line and inhibit elements 10 of column α has run down,

leitung und somit des unerwünschten Störsignals mit bildet er eine Schleife und läuft dann durch dieline and thus the unwanted interference signal, it forms a loop and then runs through the

Hilfe einer speziellen Anordnung der Inhibitleitung Elemente der Spalte d nach oben, darauf durch dieUsing a special arrangement of the inhibit line elements of column d upwards, then through the

auf ein Kleinstmaß herabgesetzt. Wie bisher ist die 30 Elemente der Spalte e nach unten, weiter durch diereduced to a minimum. As before, the 30 elements of column e is down, further through the

als Ganzes betrachtete Inhibitleitung magnetisch mit Elemente der Spalte h nach oben und schließlichconsidered as a whole inhibit line magnetic with elements of column h upwards and finally

allen Zellen der Matrix gekoppelt. durch die Elemente der Spalte / nach unten. Dercoupled to all cells of the matrix. through the elements of the column / down. the

Nach der Erfindung ist die Inhibitleitung als in je zweite Abschnitt B tritt in die Matrix an einer SpalteAccording to the invention, the inhibit line is as in each second section B enters the matrix at a column

zwei benachbarten Spalten verlaufende Doppelleitung ein, die unmittelbar dem Eintrittspunkt des Ab-a double line running through two adjacent columns, which is directly at the entry point of the

mit einem Hinleiter und einem Rückleiter ausgebil- 35 Schnitts A benachbart ist, und läuft der Reihe nachis formed with a forward conductor and a return conductor 35 section A adjacent, and runs one after the other

det, die in ihrer elektrischen Mitte mit Bezugspoten- durch die Elemente der Spalte b nach unten, durchdet, which in their electrical center with reference potential- through the elements of column b downwards, through

tial (Masse) verbunden ist, und die Inhibitimpuls- die Elemente der Spalte c nach oben, durch dietial (ground) is connected, and the inhibit pulse- the elements of column c upwards, through the

quelle ist in zwei synchron betätigbare, gleichsinnig Elemente der Spalte / nach unten, durch die Spalte g source is divided into two synchronously actuated elements of the column / down in the same direction, through column g

hintereinandergeschaltete amplitudengleiche Impuls- nach oben und schließlich durch die Spalte/ nachseries-connected impulses of the same amplitude upwards and finally through the column / to

quellen aufgespalten, die an ihrem Verbindungspunkt 40 unten und endigt unmittelbar neben dem Endpunktsources split up at their junction 40 below and ends immediately next to the end point

ebenfalls mit dem genannten Bezugspotential (Masse) des Abschnitts A. Der Abschnitt A bzw. B ist auf denalso with the mentioned reference potential (ground) of section A. Section A or B is on the

verbunden sind. gesamten Durchläufen durch die Spalten der Matrixare connected. entire passes through the columns of the matrix

Dies bedeutet, daß die Inhibitleitung in mehrere elektrisch zusammenhängend.This means that the inhibit line in several electrically connected.

Teile oder Abschnitte geteilt ist, die je nur mit einem Jeweils eine Klemme der beiden Abschnitte A Abschnitt der Zellen der Matrix magnetisch gekoppelt 45 und B ist an ein Bezugspotential angeschlossen. Gesind. Alle Abschnitte der Inhibitleitung liegen mit maß F i g. 3 liegen die Abschnitte A und B je über ihrem einen Ende auf einem Bezugspotential. Die einen Widerstand 23 bzw. 24 an Erde. Diese Wideranderen Enden der Inhibitleitungsabschnitte sind an stände dienen in erster Linie der Strombegrenzung. Impulsspannungsquellen angeschlossen. Von der An der entgegengesetzten Eingangsklemme der beieinen Quelle werden Impulse der einen Polung und 50 den Abschnitte der Inhibitleitung ist der betreffende von der anderen Impulse der entgegengesetzten Abschnitt A bzw. B über je einen elektrischen Leiter Polung erzeugt. Die eine Hälfte der Abschnitte liegt 29 an eine Impulsspannungsquelle 26 bzw. 28 angean der einen Spannungsquelle, während die andere schlossen, deren andere Klemme möglichst mit dem Hälfte mit der anderen Spannungsquelle verbunden vorgenannten Bezugspotential verbunden ist.
ist. Die verschiedenen Abschnitte der Inhibitleitung 55 Die Impulsquellen 26 und 28 sind an sich bekannt sind abwechselnd innerhalb der Matrix angeordnet. und werden in üblicher Weise für die Inhibitleitungen Somit befinden sich alle Kreuzungspunkte der Lese- benutzt. Bei der dargestellten Ausführungsform Heleitung mit einem Abschnitt der Inhibitleitung, die fert die Quelle 26 einen positiven Rechteckimpuls, an die eine Spannungsquelle angeschlossen ist, neben während die Quelle 28 negative Rechteckimpulse einem Kreuzungspunkt der Leseleitung mit einem 60 abgibt. Die zuvor erwähnten Impulse der beiden Abschnitt der Inhibitleitung, die an die andere Span- Quellen 26 und 28 sind relativ gesehen positiv bzw. nungsquelle angeschlossen ist. Infolge dieses Auf- negativ, brauchen aber nicht unbedingt positiv bzw. baus werden die von der Inhibitleitung auf die Lese- negativ gegenüber Erde zu sein. Ferner brauchen die leitung gekoppelten, unerwünschten Ströme unwirk- Abschnitte der Inhibitleitung nicht unbedingt an einer sam gemacht, so daß sie nicht als Ausgangssignal in 65 einzigen üblichen Bezugspotentialquelle zu liegen. Bei dieser Leseleitung erscheinen. einer speziellen Ausführungsform der Erfindung kann
Parts or sections are divided, each with only one terminal of the two sections A section of the cells of the matrix magnetically coupled 45 and B is connected to a reference potential. Servants. All sections of the inhibit line are measured at F i g. 3, the sections A and B are each at one end at a reference potential. The one resistor 23 or 24 to earth. These other ends of the inhibit line sections are used primarily to limit the current. Pulse voltage sources connected. From the at the opposite input terminal of the one source, pulses of one polarity and the sections of the inhibit line are generated, the relevant from the other pulses of the opposite section A or B via an electrical conductor each polarity. One half of the sections is connected to a pulse voltage source 26 or 28 to one voltage source, while the other is closed, the other terminal of which is connected as possible to the aforementioned reference potential which is connected to half of the other voltage source.
is. The various sections of the inhibit line 55. The pulse sources 26 and 28 are known per se and are arranged alternately within the matrix. and are used in the usual way for the inhibit lines. In the embodiment shown, a line with a section of the inhibit line, which produces the source 26 a positive square-wave pulse to which a voltage source is connected, while the source 28 emits negative square-wave pulses at a point of intersection of the read line with a 60. The aforementioned pulses of the two sections of the inhibit line which are connected to the other voltage sources 26 and 28 are relatively positive or voltage source. As a result of this up- negative, but do not necessarily have to be positive or construction, the inhibit line to the read- negative to earth. Furthermore, the line-coupled, undesired currents ineffective sections of the inhibit line do not necessarily have to be made to a sam, so that they do not lie as an output signal in the only common reference potential source. Appear at this reading line. a special embodiment of the invention can

In F i g. 3 ist erne ebene magnetische Kernmatrix der Abschnitt A auf einem Bezugspotential von 0 VIn Fig. 3 is a plane magnetic core matrix of section A at a reference potential of 0 V.

20 dargestellt, die eine Inhibitleitung gemäß der Er- liegen und seine Impulsquelle 26 zwischen der Span-20 shown, which lie an inhibit line according to the er- and its pulse source 26 between the voltage

hung von OV und +30V laufen. Der Abschnitts kann auf einem Bezugspotential von + 30 V liegen; während seine Impulsquelle 28 von der Spannung -f· 30 V nach 0 V läuft. Vorzugsweise ist die Abweichung Von der benutzten Bezugsspannung in beiden Richtungen mit Hilfe der beiden Quellen 26 und 28 etwa größengleich, aber in der Richtung entgegengesetzt. : '. . : .'' , : run from OV and + 30V. The section can be at a reference potential of + 30 V; while its pulse source 28 runs from the voltage -f · 30 V to 0 V. The deviation from the reference voltage used is preferably approximately the same size in both directions with the aid of the two sources 26 and 28, but opposite in direction. : '. . : . '', :

Wenn die beiden Abschnitte der Inhibitleitung erregt werden sollen, werden die beiden Quellen 26 und 28 derart betätigt, daß die betreffenden positiven und negativen Spannungsimpulse etwa die gleiche Breite besitzen und etwa gleichzeitig den beiden' Abschnitten A und B zugeführt werden. Wenn die Spannungsimpulse bei der Anordnung nach F i g. 3 den Abschnitten der Inhibitleitung zugeführt werden, fließt der Strom im Abschnitt^ durch die Spalten nach unten, durch die Spaltet nach oben, durch die Spalte e nach unten, durch die Spalte h nach oben und schließlich durch die Spalte/ nach unten. Im Abschnitt B fließt der Strom durch die Spalte b nach oben, durch die Spalte c nach unten, durch die Spalte / nach oben, durch die Spalte g nach unten und schließlich durch die Spalte / nach oben.When the two sections of the inhibit line are to be excited, the two sources 26 and 28 are actuated in such a way that the positive and negative voltage pulses in question have approximately the same width and are supplied to the two sections A and B at approximately the same time. When the voltage pulses in the arrangement according to FIG. 3 are fed to the sections of the inhibit line, the current in section ^ flows down through the columns, up through the column, down through column e , up through column h and finally through column / down. In section B , the current flows up through column b , down through column c , up through column /, down through column g and finally through column / up.

Wie bereits erwähnt, ist bei der bekannten Verdrahtungsform der Inhibitleitung der Inhibitdraht der Reihe nach Spalte um Spalte mit den magnetischen Elementen einer Matrix gekoppelt. Eine derartige Leitung würde an einer Ecke, z. B. am selben Ort wie der Abschnitt A nach F i g. 3 in die Matrix eintreten. Bei der bekannten Leitungsart würde dann der Inhibitdraht durch die Spalte α nach unten, durch die Spalte b nach oben usw. verlaufen, bis die gesamte Matrix gewickelt ist und die Leitung an einer weiteren Ecke endigt. Wenn die Ausgangsklemme dieser Leitung nun an Erde liegt und ein positiver Spannungsimpuls dem anderen Ende der Leitung zugeführt wird, fließt der Strom in der Leitung durch die Spalte α nach unten, durch die Spalte b nach oben, durch die Spalte c nach unten usw.As already mentioned, in the known wiring form of the inhibit line, the inhibit wire is coupled to the magnetic elements of a matrix one after the other, column by column. Such a line would be at a corner, e.g. B. at the same place as section A of FIG. 3 enter the matrix. With the known type of line, the inhibit wire would then run down through column α , up through column b, and so on, until the entire matrix is wound and the line ends at another corner. If the output terminal of this line is now grounded and a positive voltage pulse is fed to the other end of the line, the current in the line flows down through column α , up through column b , down through column c, and so on.

Wenn man die Stromrichtung in der Inhibitleitungsanordnung gemäß der Erfindung mit der bekannten vergleicht, so ist erkennbar, daß die Stromrichtung in den verschiedenen Spalten unverändert beibehalten ist. Somit wird durch die Erfindung auch die bisherige Beziehung der Stromrichtung in der X- und Y-Antriebsleitung und der Inhibitleitung zur Änderung des magnetischen Zustandes der magnetischen Elemente beibehalten.If the direction of current in the inhibit line arrangement according to the invention is compared with the known one, it can be seen that the direction of current in the various columns is retained unchanged. The present invention thus also maintains the previous relationship between the direction of current in the X and Y drive lines and the inhibit line for changing the magnetic state of the magnetic elements.

Der Hauptvorteil der Erfindung gegenüber den bekannten Anordnungen ist am besten in Verbindung mit den F i g. 4 und 5 zu erkennen. F i g. 4 veranschaulicht die elektrische Beziehung zwischen der Leseleitung und der Inhibitleitung bei den bekannten Anordnungen, während die F i g. 5 dieselbe Beziehung gemäß der Erfindung zeigt.The main advantage of the invention over the known arrangements is best in connection with the F i g. 4 and 5 can be seen. F i g. 4 illustrates the electrical relationship between Read line and the inhibit line in the known arrangements, while the F i g. 5 same relationship shows according to the invention.

In F i g. 4 ist die Inhibitleitung als Leitung 30 zu sehen, deren eines Ende über einen Widerstand 32 an Erde liegt. Von einer Stromquelle werden positive Spannungsimpluse 34 dem anderen Ende der Leitung 30 zugeführt. Eine Leitung 36 stellt die Leseleitung dar, die über elektrische Leiter 39 und 40 an einem geerdeten Widerstand 38 liegt, der ein Hilfsmittel zur Ausnutzung der in der Leseleitung induzierten Signale während des Lesevorgangs darstellt. Die Kopplung zwischen der Inhibitleitung und der Leseleitung besteht in erster Linie an den Kreuzungspunkten dieser beiden Leitungen innerhalb der Matrix (F i g. 3) und ist in Fig. 4 durch mehrere Kondensatoren 42 (gestrichelt) wiedergegeben, die parallel zwischen den Leitungen 30 und 36 angeschlossen sind. Wenn der positive Impuls 34 der Leitung 30 (der Inhibitleitung) zugeführt wird, laden sich die Kondensatoren 42 auf: Die Ladung der Kondensatoren 42 wird auf die Leitung 36 (die Leseleitung). übertragen, wodurch in dieser Leitung Ströme entstehen (wie durch Pfeile in F i g. 4 angedeutet ist): Diese Ströme addieren sichIn Fig. 4 the inhibit line can be seen as line 30, one end of which is connected via a resistor 32 Earth lies. From a power source, positive voltage impulses 34 are applied to the other end of the line 30 supplied. A line 36 represents the read line, which is connected via electrical conductors 39 and 40 to one grounded resistor 38 is located, which is an aid for utilizing the signals induced in the read line represents during the reading process. The coupling between the inhibit line and the read line exists primarily at the crossing points of these two lines within the matrix (FIG. 3) and is shown in Fig. 4 by a plurality of capacitors 42 (dashed), the parallel between the Lines 30 and 36 are connected. When the positive pulse 34 of line 30 (the inhibit line) is supplied, the capacitors 42 are charged: The charge on capacitors 42 is transferred to the line 36 (the reading line). transmitted, which creates currents in this line (as indicated by arrows in F i g. 4): These currents add up

id und können gemeinsam so groß werden,- daß sie an einer am Ausgang liegenden Vorrichtung (Wider-id and can get so big together - that they at a device located at the exit (counter

. stand 38) als Signal erscheinen, das einen gespeicher-. stand 38) appear as a signal that indicates a stored

' ' "ten, binären Bit in einem Kern des Systems anzeigt.
F i g. 5 stellt die elektrische Beziehung zwischen der Leseleitung und der Inhibitleitung gemäß der Erfindung dar. Wie in F i g. 4 ist die Leseleitung durch die Leitung 36 wiedergegeben, die über die Leiter 39 und 40 mit dem geerdeten Widerstand 38 verbunden ist, der wiederum ein Hilfsmittel zur Ausnutzung der Signale darstellt, die während des Lesevorgangs auf die Leseleitung gekoppelt werden. Die Inhibitleitung gemäß der Erfindung ist hier von Leitungen 50 und 52 gebildet, die je einen Leitungsabschnitt darstellen. Das eine Ende beider Leitungen 50 und 52 liegt über je einen Widerstand 51 bzw. 53 an Erde. Wie zuvor tritt die zwischen der Leseleitung und der Inhibitleitung vorhandene Kopplung in erster Linie an den Kreuzungspunkten dieser beiden Leitungen auf und kann durch mehrere Kondensatoren angedeutet werden. In F i g. 5 ist ein Satz von Kondensatoren 56 (gestrichelt gezeichnet) zwischen der Leitung 50 und der Leitung 36 und ein weiterer Satz von Kondensatoren 58 (auch gestrichelt dargestellt) zwischen der Leitung 52 und der Leitung 36 eingezeichnet.
''"indicates binary bits in a core of the system.
F i g. FIG. 5 illustrates the electrical relationship between the sense line and the inhibit line in accordance with the invention. As shown in FIG. 4 shows the read line through the line 36, which is connected via the conductors 39 and 40 to the grounded resistor 38, which in turn represents an aid for utilizing the signals which are coupled to the read line during the read process. The inhibit line according to the invention is formed here by lines 50 and 52, each of which represents a line section. One end of the two lines 50 and 52 is connected to earth via a resistor 51 and 53, respectively. As before, the coupling present between the read line and the inhibit line occurs primarily at the crossing points of these two lines and can be indicated by several capacitors. In Fig. 5 shows a set of capacitors 56 (shown in dashed lines) between the line 50 and the line 36 and a further set of capacitors 58 (also shown in dashed lines) between the line 52 and the line 36.

Im Betrieb wird ein positiver Impuls 60 der Leitung 50 und ein negativer Impuls 62 der Leitung 52 zugeführt. Wie bei der Anordnung nach F i g. 4 werden die Ladungen der Leseleitung 36 zugeführt. Im vorliegenden Fall, der durch Pfeile in F i g. 5 veranschaulicht ist, verbleibt die Ladung jedoch nicht in der Leseleitung, sondern wird statt dessen auf den anderen Abschnitt der Inhibitleitung übertragen. Gemäß F i g. 5 erfolgt dieser Ladungstransport oder Strom von der Leitung 50 über den Kondensator 56 längs einer kleinen Länge der Leseleitung 36 und über den Kondensator 58 auf die Leitung 52. Somit bleibt die von der Inhibitleitung auf die Leseleitung gekoppelte störende Ladung annähernd Null, so daß praktisch keine Ladung, die von der Inhibitleitung ausgeht, einen Strom in der Leseleitung bewirken kann, der mit Hilfe des Widerstandes 38 nachweisbar wäre.In operation, a positive pulse 60 on line 50 and a negative pulse 62 on line 52 fed. As with the arrangement according to FIG. 4, the charges are fed to the read line 36. in the present case, indicated by arrows in FIG. 5, however, the charge does not remain in the read line, but is instead transmitted to the other section of the inhibit line. According to F i g. 5, this charge transport or current takes place from the line 50 via the capacitor 56 along a small length of read line 36 and via capacitor 58 onto line 52. Thus the interfering charge coupled from the inhibit line to the read line remains approximately zero, so that practically no charge emanating from the inhibit line causes a current in the read line can, which would be detectable with the help of the resistor 38.

Die F i g. 6 und 7 zeigen zwei andere mögliche Ausführungsformen der Inhibitleitung gemäß der Erfindung. In diesen Figuren sind die Kerne 10, die Leseleitung und die X- und F-Antriebsleitung der Deutlichkeit wegen weggelassen, und nur die allgemeine Anordnung der Inhibitleitung ist dargestellt. F i g. 6 unterscheidet sich von der Ausführungsform nach F i g. 3 darin, daß zwei Doppelleitungen 70/71 und 72/73 benutzt sind. Wie bei F i g. 3 sind bei der Ausführungsform nach F i g. 6 abwechselnde Abschnitte der Inhibitleitung vorgesehen, die mit einem positiven bzw. negativen Impuls gespeist werden. Die den Abschnitten 70 und 72 zugeführten Impulse können z. B. positiv sein, während die den Abschnitten 71 und 73 zugeführten negativ sind. Eine Analyse der Anordnung nach F i g. 6 zeigt, daß dieselben elek-The F i g. 6 and 7 show two other possible embodiments of the inhibit line according to the invention. In these figures, the cores 10, the sense line, and the X and F drive lines are omitted for clarity and only the general arrangement of the inhibit line is shown. F i g. 6 differs from the embodiment according to FIG. 3 in that two double lines 70/71 and 72/73 are used. As with F i g. 3 are in the embodiment according to FIG. 6 alternating sections of the inhibit line are provided, which are fed with a positive or negative pulse. The pulses supplied to sections 70 and 72 can e.g. B. be positive while those fed to sections 71 and 73 are negative. An analysis of the arrangement according to FIG. 6 shows that the same elec-

frischen Beziehungen bezüglich der Leseleitung und
der X- und Y-Antriebsleitungen auch für diese Ausführungsform gelten.
fresh relationships regarding reading management and
of the X and Y drive lines also apply to this embodiment.

F i g. 7 zeigt eine weitere mögliche Ausführungsform der Inhibitleitung gemäß der Erfindung. Bei die- 5
ser sind längs der einen Seite der Matrix zwei Anschlußschienen 80 und 82 mit einer positiven bzw.
negativen Spannungsimpulsquelle verbunden. An der
entgegengesetzten Seite der Matrix befinden sich zwei
zusätzliche Schienen 84 und 86, die den Schienen 80 io
F i g. 7 shows a further possible embodiment of the inhibit line according to the invention. With the- 5
There are two connection rails 80 and 82 along one side of the matrix with a positive or
negative voltage pulse source connected. At the
opposite side of the matrix are two
additional rails 84 and 86, which the rails 80 io

und 82 entsprechen. Zwischen diesen beiden Schienenpaaren liegen Abschnitte 83 und 85, die mit den Kernspalten der Matrix in Beziehung stehen. Die die Schienen 80 und 84 verbindenden Abschnitte 83 sind in der gesamten Matrix abwechselnd mit den Abr schnitten 85, die die Schienen 82 und 86 verbinden, angeordnet, so daß tatsächlich dieselben elektrischen Beziehungen wie bei den beiden bereits beschriebenen Ausführungsformen der Erfindung vorhanden sind.and 82 correspond. Between these two pairs of rails lie sections 83 and 85 which are related to the core gaps of the matrix. The rails 80 and 84 connecting portions 83 are in the entire matrix alternately cut with the Abr 85, arranged so that in fact the same electrical relationships as in the two previously described embodiments of the invention, the rails 82 and 86 connect available.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen1 sheet of drawings

Claims (8)

Patentansprüche:Patent claims: 1. Speichermatrix aus magnetischen Kernelementen, in der die Kernelemente in einer Anordnung sich schneidender Zeilen und Spalten angeordnet sind und durch jedes Kernelement eine Zeilenleitung, eine Spaltenleitung, eine diagonal durch die Matrixebene verlaufende Leseleitung sowie eine spaltenparallel verlaufende Inhibitleitung mit in aufeinanderfolgenden Spalten abwechselndem Richtungssinn verlaufen, und mit einer Inhibitimpulsquelle, dadurch gekennzeichnet, daß die Inhibitleitung als in je zwei benachbarten Spalten verlaufende Doppelleitung mit einem Hinleiter (21) und einem Rückleiter (22) ausgebildet ist, die in ihrer elektrischen Mitte mit Bezugspotential (Masse) verbunden ist, und daß die Inhibitimpulsquelle in zwei synchron betätigbare, gleichsinnig hintereinandergeschaltete amplitudengleiche Impulsquellen (26, 28) aufgespalten ist, die an ihrem Verbindungspunkt ebenfalls mit dem genannten Bezugspotential (Masse) verbunden sind.1. Memory matrix of magnetic core elements in which the core elements are arranged in an arrangement intersecting rows and columns are arranged and through each core element one Row line, a column line, a read line running diagonally through the matrix plane and an inhibit line running parallel to the columns with alternating columns in successive columns Sense of direction run, and with an inhibit pulse source, characterized that the inhibit line as a double line running in two adjacent columns is formed with a forward conductor (21) and a return conductor (22) which are in their electrical center is connected to reference potential (ground), and that the inhibit pulse source is divided into two synchronously actuated, equal amplitude pulse sources (26, 28) connected one behind the other in the same direction are split which are also connected to the mentioned reference potential (ground) at their connection point. 2. Speichermatrix nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Inhibitleitungen (83) der ungeradzahligen Spalten elektrisch parallel geschaltet sind und Inhibitimpulse der einen Polarität aus der Inhibitimpulsquelle erhalten und die Inhibitleitungen (85) der geradzahligen Spalten ebenfalls elektrisch parallel geschaltet sind und Inhibitimpulse entgegengesetzter Polarität aus der Inhibitimpulsquelle erhalten, so daß mehrere »positive« Inhibitleitungen und eine gleiche Anzahl »negativer« Inhibitleitungen gebildet sind (Fig. 7).2. Memory matrix according to claim 1, characterized in that the inhibit lines (83) of the odd columns are electrically connected in parallel and inhibit pulses of one polarity obtained from the inhibit pulse source and the inhibit lines (85) of the even-numbered columns are also connected electrically in parallel and inhibit pulses of opposite polarity from the Inhibit pulse source received so that several "positive" inhibit lines and an equal number "Negative" inhibit lines are formed (FIG. 7). 3. Speichermatrix nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der eine Leiter (21) der Doppelleitung durch die Kernelemente (10) der Spalten 1, 4, 5, 8, 9... und der andere Leiter (22) durch die Kernelemente der Spalten 2, 3, 6, 7, 10... geführt ist (F i g. 3).3. Memory matrix according to claim 1, characterized in that the one conductor (21) of the Double line through the core elements (10) of columns 1, 4, 5, 8, 9 ... and the other conductor (22) is passed through the core elements of columns 2, 3, 6, 7, 10 ... (Fig. 3). 4. Speichermatrix nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die einzelnen Leiter der Doppelleitung mehrere Gruppen bilden, wobei die Wicklungslängen jeder Gruppe elektrisch in Reihe geschaltet sind, so daß eine Gruppe mit einer in Reihe geschalteten Impulsquelle zur Bildung mehrerer »positiver« Inhibitleitungen und eine zweite Gruppe mit einer in Reihe geschalteten Impulsquelle zur Bildung mehrerer »negativer« Inhibitleitungen verbunden ist (F ig. 6).4. Memory matrix according to claim 1, characterized in that the individual conductors of the Double line form several groups, with the winding lengths of each group electrically in Are connected in series, so that a group with a series-connected pulse source to form several "positive" inhibit lines and a second group with one connected in series Pulse source is connected to form several "negative" inhibit lines (Fig. 6). 5. Speichermatrix nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Anzahl der Inhibitleitungen bei allen Gruppen gleich ist.5. Memory matrix according to claim 4, characterized in that the number of inhibit lines is the same for all groups. 6. Speichermatrix nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, daß eine erste Inhibitleitung durch die Kernelemente der Spalten 1, 8, 9,16,17..., eine zweite Inhibitleitung, der Impulse gleicher Polarität wie der ersten Inhibitleitung zugeführt werden, durch die Kernelemente der Spalten 3, 6,11,14,19..., eine dritte Inhibitleitung, der Impulse mit entgegengesetzter Polarität wie der ersten Inhibitleitung zugeführt werden, durch die Kernelemente der Spalten 2, 7,10,15, 18... und eine vierte Inhibitleitung, der Impulse mit gleicher Polarität wie der dritten Inhibitleitung zugeführt werden, durch die Kernelemente der Spalten 4, 5,12,13, 20 geführt ist (F i g. 6).6. Memory matrix according to claim 4 or 5, characterized in that a first inhibit line through the core elements of columns 1, 8, 9, 16, 17 ..., a second inhibit line, the pulses the same polarity as the first inhibit line are fed through the core elements of columns 3, 6, 11, 14, 19 ..., a third inhibit line, of pulses with opposite polarity than the first inhibit line are fed, through the core elements of columns 2, 7, 10, 15, 18 ... and a fourth inhibit line, the pulses are supplied with the same polarity as the third inhibit line through the core elements of columns 4, 5, 12, 13, 20 is performed (Fig. 6). 7. Speichermatrix nach einem der Ansprüche 4 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß jede Inhibitleitung über einen getrennten individuellen ohmschen Widerstand mit dem auf Bezugspotential liegenden Punkt verbunden ist.7. Memory matrix according to one of claims 4 to 6, characterized in that each inhibit line via a separate individual ohmic resistor with the reference potential lying point is connected. 8. Speichermatrix nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß das Bezugspotential das Massepotential ist. 8. Memory matrix according to one of claims 1 to 7, characterized in that the reference potential is the ground potential.
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