AT222917B - - Google Patents

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AT222917B
AT222917B AT928560A AT928560A AT222917B AT 222917 B AT222917 B AT 222917B AT 928560 A AT928560 A AT 928560A AT 928560 A AT928560 A AT 928560A AT 222917 B AT222917 B AT 222917B
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Veb Elektronische Rechenmaschinen-Wissenschaftlicher Industriebetrieb-Karl-Marx-Stadt
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    • G06F7/00Methods or arrangements for processing data by operating upon the order or content of the data handled
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Description


   <Desc/Clms Page number 1> 
 



  Anordnung zum Lesen und Schreiben von Informationen mit 
 EMI1.1 
 
Die Erfindung bezieht sich auf eine Anordnung zum Lesen und Schreiben von Informationen in einer Kernspeichermatrix   mit Kompensation der Störsignale   und   selbsttätiger Korrektur von Störfunktionen.   



   Speicher dieser Art verwenden als Speicherkerne Ferritkerne mit rechteckiger Hysteresisschleife mit den   Remanenzpunkten : ! : Br   und sind durch die Anordnung der Speicherkerne in den Kreuzungspunkten der Spalten-und Zeilenleitungen gekennzeichnet, so dass beim Entnehmen einer Information aus einem Kern immer eine ganze Spalten- als auch eine ganze Zeilenleitung vom zugeordneten Strom 1/2 durchflossen wird. Aber nur an dem Kern, der im Kreuzungspunkt der Spalten- mit der Zeilenleitung liegt, entsteht je nach dem Speicherzustand dieses Kerns ein Ausgangssignal, das je nach Verwendungszweck einer Auswerteinrichtung zugeführt wird oder zu einem Zwischenspeicher gelangt, der aus einem bistabilen Element besteht.

   Da dabei alle dieselbe Spaltenleitung und Zeilenleitung besitzenden Kerne von diesem Spalten- als auch Zeilenhalbstrom 1/2 durchflossen werden, treten Störsignale auf, die ebenfalls auf der Ausgangsleitung erscheinen und das dort vorhandene Ausgangssignal verfälschen. Um das zu verhindern durchsetzt die Ausgangsleitung entweder die Kerne derart, dass sie in jedem Kern eine andere Richtung besitzt, wodurch sich die Störsignale gegenseitig aufheben, oder die Ausgangsleitung durchsetzt die Kerne in gleicher Richtung, um durch zusätzliche Kompensationskerne in der Matrix die Störsignale zu unterdrücken. Deren   Kompensationswickll1ng   erzeugt eine Induktionsspannung, die den Störsignalen entgegengerichtet ist und diese kompensiert. 



   Eine weiters bekannte Ausführung beinhaltet ein Verfahren und eine Einrichtung zum Eingeben einer Information in die Matrix und   nichtlöschendem Entnehmen   einer Information aus derselben. Nach diesem werden zunächst alle Speicherkerne auf "0" gestellt, Speicherkerne, In die eine Information eingegeben wird, werden nach dem Löschen auf einen Wert entmagnetisiert, der beträchtlich kleiner ist als die Remanenz. Die Information wird entnommen, indem ihnen Impulse wechselnder Polarität zugeführt werden, die gleiche Amplitude aufweisen   ll1JÒ     kleiiger   sind als die Koerzitivkraft. Nachteilig ist, dass zur Durchführung dieses Verfahrens an jeder Spalte und Zeile je drei Stromquellen angeschlossen sein müssen, wodurch der Wirkungsgrad dieser Einrichtung wesentlich herabgesetzt wird. 



   Es ist ferner bekannt, die entnommenen Informationep in einem Zwischenspeicher aufzubewahren, um sie nach dem Entnahmevorgang wieder eingeben zu können. Zur Spalten-und Zeilenauswahl verwendet diese Kernspeichermatrix Register mit unterschiedlicher Anzahl bistabiler Elemente, die durch eine Decoderschaltung von Element zu Element weitergeschaltet werden. Ihre Ausgangssignale wirken auf Koinzidenzkreise ein, deren Ausgangsspannungen wiederum die Spalten- und Zeilentreiber speisen. Die   Spalten- und Zeilendrähte   sind doppelt aber mit entgegengesetzter Durchlaufrichtung geführt, so dass die Treiberstufen Impulse gleicher Amplitude und gleicher Polarität abgeben. Die der Kernspeichermatrix entnommene Information wird über einen Verstärker einem Register zugeführt und dort bis zum Eingabevorgang, der auf den Entnahmevorgang folgt, gespeichert. 



   Aus all dem geht hervor, dass zum Entnehmen einer Information und zu ihrer wiederholten Eingabe zwei Zyklen erforderlich sind, nämlich der Entnahme- und Eingabezyklus. Darin ist auch der entscheidende Mangel aller dieser Verfahren zu suchen. Sollen derartige Kernspeicher als Register Anwendung 

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 finden, bei denen es darauf ankommt, dass die Information nach dem Entnehmen erhalten bleibt, ist durch diese Arbeitsweise die Geschwindigkeit beim Entnehmen begrenzt, da nach dem Entnahmezyklus der Eingabezyklus folgt. Ausserdem ist es von Nachteil, dass beim Eingeben der Information der Leseverstärker gesperrt sein muss und die Information nur stellenrichtig wiedereingegeben werden kann. 



   Es ist Aufgabe der Erfindung, diese Nachteile zu beseitigen und eine Anordnung zu entwickeln, die gestattet, in wesentlich kürzerer Zeit die in den Speicherkernen der Matrix enthaltenen Informationen zu entnehmen und einzugeben und Einrichtungen zu schaffen, um entweder die einem Speicherkern entnommene oder eine beliebige andere Information dem gleichen oder einem andern Speicherkem zuzuführen. 



   Erfindungsgemäss wird das dadurch erreicht, dass eine bistabile Kippstufe und UND-Gatter die in einem bistabilen Element zwischengespeicherte Information mittels einer Schalterauswahl als Eingangsgrösse für eine Kernspeichermatrix als Umlaufregister auswählen, wobei dann einem Kern eine Information entnommen wird, wenn einem Kern in vorrangiger Stelle der Kernspeichermatrix eine im vorangegangenen Zeitintervall in ihm gespeicherte Information wieder eingeschrieben wird und die Kippstufe und die UND-Gatter mit demselben zeitlichen Ablauf eine Information mittels der Schalterauswahl als Eingangsgrösse für eine Kemspeichermatrix als akkumulatives Register bestimmen, wobei der Schaltzustand einer Kippstufe die stellengleiche oder stellenversetzte Eintragung dieser Information angibt und eine Hilfssignaleinrichtung eine Korrekturinformation bildet,

   um eine in der Kernspeichermatrix gebildete Störfunktion selbsttätig zu korrigieren. 



   ImRahmen der erfindungsgemässenAnordnung sind Einrichtungen vorgesehen, die so gesteuert werden, dass sie Stromamplituden gleicher Polarität für mindestens eine Zeile und eine Spalte in wechselnder Durchlaufrichtung zur Verfügung stellen. Sie verwendet Mittel, die die abgegebenen Signale der Matrix in Impulse umformen und diese zwischenspeichern und eine Adressenauswahleinrichtung zur Steuerung der Spaltenströme besitzt sowie Einrichtungen, die die wiederholte Eingabe der Information steuern und Verschiebungen derselben in beide Richtungen gestatten. 
 EMI2.1 
 die in Fig. 1 eine   Kemspeichermatrix,   Fig. la die positiven Richtungen der   Spalten- und Zeilenströme,   Fig.

   Ib eine Hystereseschleife von Ferritkernen, Fig. 2 ein Diagramm, das die Schaltzustände eines bistabilen Elementes in Abhängigkeit von den an den Kernen auftretenden Signalen zeigt, Fig. 3 einen Verstärker, Fig. 4 eine Speichermatrix als Umlaufregister, Fig. 5a - h ein Kurvendiagramm der in den Kernen, Spalten- und Zeilenleitungen auftretenden Signale, Fig. 6 eine Speichermatrix als Umlauf-und akkumulatives Register, Fig.   Ga   ein Diagramm der an den Kernen nach Fig. 6 auftretenden Signale, Fig. 7 eine der in Fig. 6 verwendeten Schalterstufe, Fig. 8 die Kernspeichermatrix nach Fig. 6 mit einer Stellenverschiebungseinrichtung, Fig. 9 eine   Flip-Flop-Schiebelinie,   Fig. 10 eine Kemspeichermatrix nach Fig. 6 und 8 mit nur einer Treiberstufe für die Informationseingabe und-entnahme, Fig. 11 eine Kernspeichermatrix nach Fig.

   6,8, 10 mit einem Hilfsspaltengenerator, Fig. 12 eine Kernspeichermatrix mit einer   Stellenverschiebungseinrichtung,   Fig. 13 eine Kernspeichermatrix mit besonders geführter Leseleitung, Fig. 14 eine Ausführungsform des bistabilen Elementes, Fig. 15 eine Weiterbildung des Verstärkers nach Fig. 3, Fig. 16 eine Kernspeichermatrix mit einem Kern zur Erzeugung der Korrekturinformation, Fig. 17 eine   Adressenauswahleinrichtung   zeigen. 



   In Fig. 1 ist eine Matrix dargestellt, die quadratisch aufgebaut ist und vierundsechzig Speicherkerne aufweist. Die Speicherkerne sind Ferritkerne mit rechteckiger Hysteresisschleife (Fig.   Ib).     die im posi-   tivenRemanenzzustand +Br   eine duale l="L", im negativen Remanenzzusrand -Er eine duale 0="0" darstel-   len und zwei Magnetisierungswicklungen und eine Ausgangswicklung tragen, von denen eine der Magnetisierungswicklungenmit der Spaltenleitung und die andere mit der Zeilenleitung und die Ausgangswicklung mit   derLeseleitung verbundensind.

   Wird im folgenden vomEin- oderAuszustand einesKernes Knm gesprochen, so bedeutet das, dass im Kern Knm eine" L" oder eine" 0" gespeichert ist. Ändert sich die Information des Ker-   nes, durchläuft dieser die Hysteresisschleife in   positiver Richtung vom Remanenzpunkt-B, ; zu + Br, wenn eine   Information "L" eingegeben oder eingeschrieben werden soll und vorher eine "0" gespeichert war und von +Br   zu-B, wenn   eine   Information"L"entnommen   oder gelesen werden soll und er vorher   eine"L"gespei-   
 EMI2.2 
 

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 EMI3.1 
 das über Leitung 4   (Fig.

   l)   dem Leseverstärker V zugeführt wird, der einen entsprechenden Impuls abgibt, wodurch das als Zwischenspeicher arbeitende bistabile Element 8 in den Einzustand geschaltet wird, wenn es zu Beginn des Lesens auf"0"stand. Im Takt t+1 werden Spaltenleitung 1 und Zeilenleitung Il entgegen den bevorzugten Stromrichtungen mit Impulsen beaufschlagt, so dass Kern   K21 (Fig. 1, 2),   der sich eben- 
 EMI3.2 
 sprechender Amplitude beaufschlagt ist, die die zu Fig. la entgegengesetzte, negative Stromrichtung aufweisen. Die Leseleitung 4 (Fig. l) ist durch die Kerne   Kj so geführt,   dass sich deren induzierte Spannungen gegenseitig aufheben, also kein Ausgangssignal "L" auftritt, wenn in beiden Kernen eine Flussumkehr stattfindet. Dadurch verbleibt das bistabile Element 8 (Fig.   1, 2)   in seinem Einzustand.

   Ist aber   imKern K -eine"0"gespeichert,   so hätte das Schreibsignal von Kern KIlim Takt t+l das bistabile Ele- 
 EMI3.3 
 tiven Stromrichtungen. Dadurch wird Kern    kader   die   Information"0"enthält, gelesen. ZeHenlei-   tung II erhält 1/2 in negativer Richtung, wodurch das bistabile Element 8 ausgeschaltet wird. Dabei ist vorausgesetzt, dass sich das bistabile Element 8 im Einzustand befand. Es ergibt sich, dass die bpalteuleitungen   1 - 8   fortlaufend in positiver und negativer Richtung   I/2-Werte   führen, während die Zeilenleitungen I, III, V, VII in Takten ungerader Zahl in positiver Richtung (Fig. la) und in Takten gerader Zahl in negativer Richtung Stromamplituden 1/2 weiterleiten, was vom Zustand des bistabilen Elementes 8 abhängig ist.

   Die Zeilenleitungen II, IV, VI,   VIII   leiten den Strom in Takten gerader Zahl in negativer Richtung und in Takten ungerader Zahl in positiver Richtung, wobei letztere nur dann zur Wirkung kommen, wenn sich das bistabile Element 8 im Einzustand befindet. 



   Die Fig. 5a - 5h geben Aufschluss über verschiedene Impulszüge, wie sie in der erfindungsgemässen AnordnungAnwendung finden. Der Kurvenzug 45 (Fig. 5a) stellt einen Spaltenstrom 1/2 in positiver Rich- 
 EMI3.4 
 vorruft. 



   Erfindungsgemäss wird dafür der Spaltenstrom Ix benutzt, da dieser alle Kerne in einer Spalte, aber mindestens den zu schreibenden und den zu lesenden durchfliesst, so dass damit ein gleiches Umschalten gewährleistet ist. In 47 (Fig. 5c) ist das Störsignal eines Kerns dargestellt, das eine   gestörte "0" bein-   haltet. Im Kurvenzug 48 (Fig. 5d) stellt die ausgezogene Linie die Schaltzeit eines ersten Kerns dar, während die gestrichelte Linie eine unterschiedliche Schaltzeit eines zweiten Kerns gegenüber dem ersten bedeutet. 



   In Fig. 5g ist gezeigt, wie die beiden Ausgangssignale der gegeneinandergeschaltetenKernemitden   beiden unterschiedlichen Schallzeiten r verlaufen. Dabei ist 49 das Ausgangssignal in positiver Richtung,    50 das Ausgangssignal in negativer Richtung, beispielsweise das an der Leseleitung auftretende Signal beim Einschreiben, während der Kurvenzug 51 die Differenz aus beiden darstellt. Für den Fall, dass eine derartige Schaltzeit Ta Schwierigkeiten bereitet, kann eine Steuerung nach 52 (Fig. 5e) erfolgen, beider   derTreiberstrom in Spaltenrichtung einerelativ flache Anstiegsflanke Ta in der Grössenordnung der Schalt-    zeit T erhält.

   Dadurch sinkt zwar das Nutzspannungssignal, aber gleichzeitig auch das Störspannungssignal, das noch weiter zurückgeht als das Nutzspannungssignal, da die Störimpulslänge weitaus kürzer ist als die Nutzimpulslänge. In einer derartigen Anordnung lässt sich sogar das   Stör-Nutzverhältnis   noch verbessern, da eine integrierende Wirkung beim Umschalten der Kerne erzielt wird. Dadurch werden die Schaltzeitkurven weitaus besser aneinander   angeglichen. 53 (Fig. 5f)   stellt eine derartige Kurve der abgelesenenSpannung dar, und 51 (Fig. 5h) beinhaltet wieder die Kompensation von Schreiben und Lesen von je einer Information "L". Es lassen sich also durch derartige Anordnungen die Stör-Nutzverhältnisse weitaus günstiger gestalten.

   Ungünstig ist die Anordnung, bei der der Spaltenstrom nach Kurve 52 (Fig. 5e) erfolgt, wenn die Kerne nicht vollkommen gleiche Koerzitivkräfte besitzen, so dass die Kerne zu unter- 

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 schiedlicher Zeit zu schalten beginnen. 



   Fig. 3 veranschaulicht einen Leseverstärker V. An Leitung 4 erscheint das Lesesignal"L", das Impulse wechselnder Polarität beinhaltet. Die positiven Signale werden in einem Linear-, vorzugsweise Schwellwertverstärker 5, verstärkt, wobei diese über die Begrenzerstufe 6, die eine nochmalige Begrenzung gegenüber negativen Impulsen und kleinen positiven Störimpulsen durchführt, über ODER-Kreise 7 zum Element 8 gelangen, das je nach Anzahl entweder ein-oder ausschaltet. Bei ungerader Impulszahl nimmt das Element 8 den Einzustand, bei gerader den Auszustand an. Den zweiten Weg über   Umkebrstufe   9, Begrenzer 10 nehmen die negativen Signale, so dass am ODER-Kreis 7 Impulse gleicher Polarität vorliegen.

   Soll eine Kernspeichermatrix als Umlaufregister arbeiten, muss gewährleistet sein, dass entnommene Informationen ihr so lange wieder zugeführt werden, bis der Umlauf gestoppt wird, 
 EMI4.1 
 gelangen   über Leitung   27   zur Treiberstufe A. über   Leitung 29, ODER-Kreis 14 und über Leitungen 27, 42, UND-Kreis 16 zur Treiberstufe AII.Ausgang A4 ist über Leitung 31 zur zur Treiberstufe BIV sowie zum ODER- 
 EMI4.2 
 befinden sich im Einzustand. Der am Ausgang A1 des Ringzählers 24 im Takt t auftretende Impuls bereitet über Leitungen 19,20, ODER-Dreis 14 und Leitung 21 die Treiberstufe A1 und über Leitung 19 die Treiberstufe AI vor, so dass der Synchronisierimpuls von Leitung 12 an die Ausgänge der Treiberstufen A,    A ge-   
 EMI4.3 
 positiven Remanenzzustand in den negativen schaltet.

   Ist in dem Kern K   eine Information"L"gespei-   chert, wird ein Ausgangssignal "L" induziert, das dem Leseverstärker V über Leitung 4 und von diesem dem   bistabilenElement   8 zugeführt wird. Dieses wird vom Ruhezustand in den   Einzustand"L"geschaltet,   wobei es eine Ausgangsinformation an die Leitungen 11', 11 weiterleitet. Währenddessen hat im Takt t+1 der Ringzähler 24 eine Stellung weitergeschaltet, so dass jetzt ein Impuls vom Ausgang    A   abgegeben wird. Dieser läuft einmal über Leitung 26 an den UND-Kreis 15 und ODER-Kreis 13 nach der Treiberstufe   B, anderseits über   Leitungen 24, 26 zur Treiberstufe   B.

   Zur   gleichen Zeit gelangt ein Synchronisier- 

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 EMI5.1 
 
Blnisierimpuls die Treiberstufe BI erreicht, die durch ein Ausgangssignal vom UND-Kreis 15 vorbereitet ist, das durch logische Verknüpfung des Impulses vom Ausgang A2 des Ringzählers 24 mit der Ausgangsinformation des bistabilen Elementes 8 entstand. Die Treiberstufe BI gibt über Leitung 34 ebenfalls einen 
 EMI5.2 
 im Kern K induzierte Signal -"L" korrigiert, so dass keine Ausgangsspannung auftritt, und das bistabile Element 8 verbleibt im Einzustand. 



   Zur Taktzeit t+2 tritt am Ausgang A3 des Ringzählers 24 ein Impuls auf, der über Leitung 29, ODER- Kreis 14 und Leitung 21 an die Treiberstufe   A, über   Leitung 27 an die Treiberstufe    A   sowie über Lei- tung 42 an den UND-Kreis 16 gelangt. An diesem liegt aber auch das Ausgangssignal der   bistabilen Kipp-   
 EMI5.3 
 sen einen Treiberstrom aus, der über Leitung 33 zur Spaltenleitung 1, über Leitungen 35, 36 an Zeilenleitungen II und III abgegeben wird, wodurch dem Kern K die gespeicherte Information entnommen und dem Kern K die im Takt t+1 gelesene Information wieder eingeschrieben wird. 
 EMI5.4 
 Kreis 13 sowie über Leitung 22 an die Treiberstufe    B   ab.

   Er gelangt gleichzeitig über Leitung 30 an den UND-Kreis 17, an dem über Leitungen 11', 11 die Information vom Element 8 anliegt, so dass die Treiberstufe    BILL   eine Information vom UND-Kreis 17 empfängt. Der   Synchronisierimpuls   im Takt t+3 wird von Leitung 12 über Leitung 23 an die Treiberstufe B, über Leitungen 40,43 an die Treiberstufen   B,     BIV geführt, so dass die Treiberstufe einen Strom in negativer Richtung an Spaltenleitung 1 und Trei-   berstufen    Bill, Biv   einen Strom über leitungen 36, 37 zu den Zeilenleitungen Ill, IV in negativer Richtung auslösen.

   Damit wird im Takt t+3 der Kern K4 gelesen und der dem Kern K im Takt t+2 entnommene Speicherwert im Takt t+3 wieder eingeschrieben. 
 EMI5.5 
 leitet UND-Kreis 18 eine Information zur Treiberstufe A, die nach dem Anliegen des Synchroniser- impulses auf Leitungen 12,41 einen positiven Halbstrom für die Zeilenleitung IV zur Verfügung stellt, während die Treiberstufe    A   über Leitung 33 den positiven Halbstrom für die Spalte 1 bereitstellt. So- mit wird der im Takt t +3 gelesene Kern K im Takt t+4 zur Speicherung verwendet, während alle andern Kerne den in ihm ursprünglich gespeicherten Wert enthalten. 



   Ist in irgendeinem der Kerne eine "O" gespeichert, leitet das Element 8 keine Information zur Lei-   tung 11 weiter, so dass UND-Kreise 15, 16, 17 und 18 nur einen Impuls von den Ausgängen A -A des 1 5   Ringzählers 24 erhalten und demnach keine Information an die Treiberstufen B. -B A -A abge- ben können. Das Lesen des   Speicherwertes "0" in   irgendeinem der Kerne kann ohne weiteres erfolgen, 
 EMI5.6 
 

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 EMI6.1 
 gespeichert werden soll, müssen bei Berücksichtigung des zeitlichen Ablaufes dieses Vorganges Enrichtungen angeordnet werden, die neben den Störsignalen auftretende Störfunktionen beseitigen.

   Eine solche Matrix arbeitet als akkumulatives Register und besitzt ausser den Einrichtungen nach Fig. 4   Hilfszeilen   I' 
 EMI6.2 
 Impulse leitfähig werden und mit dem Kollektorstrom Schaltvorgänge auslösen. Eine bistabile Kippstufe 69 ist so angeordnet, dass durch ihre Umschaltung die vom Element 8 abgegebene Information A zur Information B oder die in die Kernspeichermatrix einlaufende Information C durch UND-Kreise   55,   56 zur Information B gestaltet werden können. Ist A = B, arbeitet die Kernspeichermatrix, wie beschrieben als Umlaufregister, für C = B als akkumulatives Register.

   Gibt das bistabile Element 8 eine Information A = B 
 EMI6.3 
 gezeigten Einrichtung Steuerbefehle, die an dem Ausgang der Kippstufe 69 eine positive Schaltspannung entstehen lassen, so erzeugt der UND-Kreis 55 eine Ausgangsinformation A = B, die an den ODER-Kreis 63 läuft, an dessen   zweitenEingang eine vomNegator   65 und UND-Kreis 56 gebildete "0" anliegt. Die durch den UND-Kreis 55 gebildete InformationA gelangtaufLeitung 70 und tritt als Information Bin die Steuereinrichtung STE ein. Vom ODER-Kreis 63 gelangt die Information B an den UND-Kreis 57 und Negator 66. 



  Am UND-Kreis 57 ist die Information A vom Negator 67 eingetroffen, so dass UND-Kreis 57 eine Informa-   tion"0"an UND-Kreise 59, 61 und ODER-Kreise 64 abgibt. Dadurch kannschalter S geschlossen werden, da der ODER-Kreis 64 auch eine "0" vom UND-Kreis 58 erhalten hat. Der UND-Kreis 58 hat eine"0"   Information an die UND-Kreise 60 und 62 weitergeleitet. Da der ODER-Kreis 74 so geschaltet wird, dass er bei Lesung von Kernen in Zeilen mit geraden   fudizes "0" Werte, sonst "L" Werte   abgibt, können die UND-Kreise 59, 60, 61, 62 nur die Information "0" an die ODER-Kreise   72, 73   weiterleiten, so dass die Schalter   S   und    S   geöffnet bleiben und keine der Zeilenleitungen   I',     n* ausgewählt   werden, die die Konekturinformation liefern. 



   Dieser Vorgang ist der zur Kernspeichermatrix nach Fig. 4 beschriebene Registerumlauf, da die Information A nichts anderes als das über den Hörverstärker V durch das Element 8 geformte Ausgangssignal eines Kernes darstellt, das mittels der Steuereinrichtung STE in denselbenKern wiedereingeschrieben wird. 



  Bei diesem ist es ohnehin nicht erforderlich, Korrekturinformationen zu bilden. 



   Die Steuereinrichtung STE (Fig. 6) ist identisch mit der in Fig. 4 beschriebenen Steuereinrichtung. 



  Soll die angebotene Information C zur Information B werden, ist Voraussetzung, dass die Kippstufe 69 im 
 EMI6.4 
 ist,eine Information abgibt, die über den ODER-Kreis 63 auf Leitung 70 als B-Information auftritt und iD der Steuereinrichtung STE die einzuschreibende Information darstellt. Bei diesem Vorgang arbeitet die Kernspeichermatrix als akkumulatives Register. 



   Die Arbeitsweise der Kernspeichermatrix nach Fig. 6 als Umlaufregister und akkumulatives Register soll durch die folgende Tabelle beschrieben werden, in der die Vorzeichen in Richtung des Durchlaufes der Leseleitung 76 durch die Kerne, bezogen auf die Stromrichtung bedeuten. 

 <Desc/Clms Page number 7> 

 



  Tabelle 1 
 EMI7.1 
 
<tb> 
<tb> A <SEP> D <SEP> B <SEP> Y <SEP> X <SEP> Z
<tb> Information <SEP> Information <SEP> Einzuschrei-Störfunktion <SEP> Notwendige <SEP> Korrekturim <SEP> Trigger <SEP> vom <SEP> Kern <SEP> bende <SEP> Infor-der <SEP> Matrix <SEP> Information <SEP> information
<tb> 8 <SEP> vom <SEP> Kern <SEP> K <SEP> im <SEP> Takt <SEP> mation <SEP> in <SEP> im <SEP> Takt <SEP> t <SEP> am <SEP> Trigger-am <SEP> Kern
<tb> K <SEP> im <SEP> Takt <SEP> t <SEP> Kern <SEP> K <SEP> im <SEP> eingang <SEP> im <SEP> K
<tb> Taktik <SEP> "
<tb> 10 <SEP> 0 <SEP> 0 <SEP> 0 <SEP> 0 <SEP> 0 <SEP> 0 <SEP> 
<tb> 2 <SEP> 0 <SEP> 0 <SEP> -1.

   <SEP> -L <SEP> 0 <SEP> L
<tb> 30 <SEP> L <SEP> O <SEP> L <SEP> L <SEP> 0
<tb> 4 <SEP> 0 <SEP> L <SEP> -L <SEP> 0 <SEP> L <SEP> L
<tb> 5 <SEP> L <SEP> 0 <SEP> 0 <SEP> 0-L
<tb> 6 <SEP> L <SEP> 0 <SEP> -L <SEP> -L <SEP> -L <SEP> 0 <SEP> 
<tb> 7 <SEP> L <SEP> L <SEP> 0 <SEP> -L <SEP> 0 <SEP> -L <SEP> 
<tb> 8 <SEP> L <SEP> L <SEP> -L <SEP> 0 <SEP> 0 <SEP> 0 <SEP> 
<tb> 
 A ist die Information, die im Kern K enthalten war und im Taktintervall t an das Element 8 ge- 
 EMI7.2 
 im Taktintervall t einzuschreibende Information ist, die gleich den Informationen A oder C sein kann. 



  Y stellt die Störfunktion dar, die in der Kernspeichermatrix im Takt t gebildet wird, in dem dieser Information D entnommen und Information B im gleichen Taktintervall t zugeführt werden. Die notwendige Information X im Taktintervall t wird in Abhängigkeit von der Störfunktion Y gebildet und ist die Elimination der Störfunktion Y der am Eingang des Elementes 8 auftretenden Information. Die Elimination von Y wird mit der Korrekturinformation Z erreicht. Danach sind die Funktionen der Matrix durch drei Gleichungen gekennzeichnet : 
 EMI7.3 
 
Die Bedingung für das Umlaufregister ist dabei die Gleichheit der Beträge der Information A, B, was nur durch 1, 3,6 und 8 der Tabelle verwirklicht wird. Für 1, 3,6 und 8 müssen die Gleichungengelten. 



  Gleichung - Z = A + B für 1, 3,   6 und   8 der Tabelle ist identisch erfüllt. Eine Korrekturinformation Z am Kern K braucht nicht aufgebracht zu werden. Die Gleichung Y = D + B ist erfüllt für die Fälle 1 und 8, da in diesen keine Störfunktion Y auftritt. Die in den Fällen 3 und 6 in der Matrix gebildeten Störfunktionen Y = L werden zur Schaltung der Steuereinrichtung STE benutzt, wie es zum Umlaufregister nach Fig. 4 und zur Matrix nach Fig. 6 für die Gleichheit der Information A = B dargelegt wurde, so dass eine im Takt t gelesene Information im Takt tel eingeschrieben werden kann.

   Im Fall 8 sorgt für die Freigabe derTreiberstufen B der Steuereinrichtung STE das Ausgangssignal des Elementes 8, das diese vom Kern K erhielt und welches auf Leitungen   11 f,   11 (Fig. 4) oder Leitung 70 (Fig. 6) in die Steuereinrichtung STE geführt wird. Für den Fall 1 der Tabelle 1 : D = B = 0, in dem das Element 8 die Information 0 vom Kern K speichert, wird der Kern K durch Impulse vom Ringzähler 24 und durch den   Synchronisierimpuls   auf Leitung 12 (Fig. 4) und auf Leitung 71 (Fig. 6) gelesen. Mit der Gleichung Y = D + B ist auch die Gleichung X =   D - A   für das Umlaufregister erklärt, da In den das Umlaufregister kennzeichnenden Fällen Y = X ist, so dass die Störfunktion Y immer die an dem Element 8 zum Registerumlauf notwendige Information X selbst ist.

   Diese Identität verlangt für die Matrix (Fig. 6) weiterhin, dass die Schaltzustände des Elementes 8 und der Kippstufe 69 nicht übereinstimmen müssen, da für den Registerumlauf die Kippstufe 69 im Einzustand ist, wenn der UND-Kreis 55 eine Information über den ODER-Kreis 63 an die Leitung 70 und damit zur Steuereinrichtung STE weiterleiten soll. 



   Die aufgestellten Gleichungen für Z, Y, X müssen auch Gültigkeit haben für eine Matrix, die als 

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 akkumulatives Register arbeitet. Dazu ist Voraussetzung, dass die einzuschreibende Information eine nicht in der Matrix gespeicherte Information ist. Es hat also zu gelten B = C, was durch 2, 4, 5 und 7 der Tabelle erfüllt ist. Damit ist aber auch die für den Registerumlauf notwendige Bedingung der Schaltzustände zwischen dem Element 8 und der Kippstufe 69 für das akkumulative Register aufgehoben, da der Schaltzustand der Kippstufe 69 beim Eingeben einer Information C in die Matrix ständig der Auszustand ist. 
 EMI8.1 
 tet, so dass auch von den UND-Kreisen 55 und 58 dieser Wert bereitgestellt wird. Die Kippstufe 69 gibt eine "O" an den UND-Kreis 55 und an den Negator 65.

   Demzufolge kommt vom UND-Kreis 55 die Information "O" zum ODER-Kreis 63 und vom UND-Kreis 56 eine Information "L", so dass an dem UNDKreis 57 eine Information "L" anliegt, die mit einem "L" vom Negator 67 konjungiert wird. Die vom ODER-Kreis 63 abgegebene Information "L" gelangt über Leitung 70 in die Steuereinrichtung STE und zumNegator 66, der diese zur Information "O" am UND-Kreis 58 negiert. Dieser leitet eine Information "O" zum ODER-Kreis 64, der die Information "L" vom UND-Kreis 57 besitzt, und weiterhin an die UNDKreise 60 und 62. Die   Information "L." vom   ODER-Kreis 64 wird durch den Negator 68 zur Information 
 EMI8.2 
 
Sformation "L" geführt. Vom ODER-Kreis 74 wird den UND-Kreisen 61, 62 eine Information "L", den UND-Kreisen 59,60 über Negator 75 eine Information "O" zugeleitet. so dass die Ausgangsinformation 
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 wird.

   Damit ist über Leitung ll' Kem 9' zur Abgabe der Korrekturinformation Z = L = I ausgewählt worden, die auf Leitung 76 wirksam wird und damit das Störsignal Y =-L korrigiert. Damit entsteht die am Element 8 notwendige Information X = O. Die erforderliche Stromamplitude I ergibt sich aus der doppelten Führung der Spaltenleitung 78 durch den Hilfskem   9',     ir derem   zur Spaltenleitung 1   richtungsgleichen   parallelen Teil die Addition der Stromamplituden 1/2 erfolgt. Auf der Leitung 76 läuft dann das bei der Umschaltung des Kernes K9' entstehende Ausgangssignal zum Element 8, das in seiner Stellung entspre-   chend korrigiert wird.

   Befindet sich der Kern K im Takt t in einer Zeile L-L mit ungeradem Index, n. 18    ändert sich mit dem Ausgangssignal des ODER-Kreises 74 die Stellung der Schalter S1 und    52'so dass dann   eine andere der Zeilenleitungen I',   H'Kerne l'-9'zur   Abgabe der Korrekturinformation Z bestimmen. 
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 befindet. Der Negator 65 gibt an den einen Eingang des UND-Kreises 56 das Ausgangssignal "L", so dass die Information C weitergeleitet wird.

   Vom ODER-Kreis 63 gelangt   die "L" an   den Negator 66, der sie in 
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 zu diesem Zeitpunkt vom ODER-Kreis 74 eine "O" kommt, wenn sich der Kern K21 in einer Zeile mit ungeradem Index befindet, wird im Negator 75   eine "L" erzeugt,   und es entsteht am Ausgang des UNDKreises 59   eine "L",   die den Schalter    S   über den ODER-Kreis 72 schliesst. Anderseits liegt am Ausgang des UND-Kreises 58 "O", die sowohl zum UND-Kreis 60 und zum ODER-Kreis 64 gelangt, der diese mit der Information "L" vom UND-Kreis 57 verknüpft, um mit der Ausgangs-   information "0" vom Negator 68 den Schalter S offen zu halten.

   An die Eingänge des UND-Kraises 61 3   gelangen vom ODER-Kreis 74"0"und vom UND-Kreis 57 "L", so dass er nur eine "O" Information an den 
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 Z = L = I entnommen wird.   DaderKernK eine   Information D = L besitzt, würde durch die in Kern    kill   einzuschreibende Information "L" kein Ausgangssignal auftreten, da sich die beiden Informationen in der Leseleitung kompensieren.

   Durch die Korrekturinformation Z = L, die zu dem Lesesignal addiert wird, tritt jedoch der erforderliche Leseimpuls auf, da die Korrekturinformation die einzuschreibende Information B   =-L   kompensiert, und damit wird das Lesesignal von Kern K wie erforderlich wirksam und schaltet das bistabile Element 8   von "0" auf "L".   Ist die Information A = L nach 7 der Tabelle einem Kern    K   entnommen worden, so befindet sich das bistabile Element 8 im Einzustand. Weiterhin soll eine Information B = C = 0 eingeschrieben werden. Am UND-Kreis 55 liegen also "O" und "L" an, da die Kippstufe 69 auf "O" steht und die Matrix als akkumulatives Register arbeiten soll. Die Information C = 0 ergibt mit der vom Negator 65 kommenden "L" ein "O" Ausgangssignal am UND-Kreis 56 und am ODER-Kreis 63. 



    Diese "0" wird über   den Negator 66 geführt, so dass an den Eingängen des UND-Kreises 58 eine"L"vom bistabilen Element 8 und vom Negator 66 vorliegt. Diese "L" gelangt dann an die UND-Kreise 60 und 62   und an den ODER-Kreis 64. Damit bleibt über den Negator 68 Schalter S offen. Die UND-Kreise 59 und 3   61 erhalten vom UND-Kreis 57 eine "O" und geben damit an die ODER-Kreise 72 und 73 ebenfalls eine "0"ab. Da der ODER-Kreis 74 die Information "L" beiträgt, weil ein Kern in einer geraden Zeile gelesen werden soll, wird über Negator 75 auch der UND-Kreis 60 gesperrt, so dass der ODER-Kreis 73 auch hievon eine Information "O" erhält und damit den Schalter    S   geöffnet hält.

   Lediglich UND-Kreis 62 erhält von UND-Kreis 58 und ODER-Kreis 74 eine   Information "L",   so dass diese tiber ODER-Kreis 72 den Schalter    S   schliesst. Die in Tabelle 1 weiter vorgesehenen Umläufe lassen sich ohne weiteres durch die in Fig. 6 gezeigten Anordnungen durchführen. Die während dieses Vorganges gerräss Zeile 7 der Tabelle 1 auftretenden Informationen sind in Fig. 6a dargestellt. 



   Die Information A = L nach Zeile 7 der Tabelle 1 befindet sich im Kern K und wird im Takt t dem Element 8 zugeführt, das in den Einzustand kippt. Im Takt tel wird dem Kern K eine Information 
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 wird. Es tritt dadurch in der Matrix eine Störfunktion Y   = L   auf, da im Kern K eine Information "0" wieder eingeschrieben wird, während die Information A   = L   gelesen wurde. Dadurch entsteht eine fehlerhafte Informationsgabe gleich der Störfunktion Y, die mittels der Korrekturinformation Z korrigiert wird. Letztere wird in den Hilfskernen l*-9'gebildet. Die Korrekturinformation Z ist dem Betrag nach gleich der Störfunktion und unterscheidet sich nur in der Polarität. Die notwendige Information X ist gleich"0", da das bistabile Element 8 bereits im Einzustand ist. 



   Um mit diesem Kernspeicher (Fig. 6) auch Rechenoperationen durchführen zu können, muss sich in ihm eine Information A = B oder B = C stellenversetzt eintragen lassen, wie es in Fig. 8 gezeigt ist. Von 
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 jede zweite am Kreuzungspunkt mit der Spaltenleitung 1 im Kern Knm von entgegengesetzter Richtung als die vorausgegangene oder nachfolgende ist, so dass die Kerne K an Zeilen gerader Indizes Strom 
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 pelwiderstände der einzelnen Transistoistufen   T1 - T20   dar. Die Anordnung weist ferner UND-Kreise 80 bis 87 und ODER-Kreise   88 - 91   auf.

   An den Eingängen    E   oder E erscheint die einzuschreibende Information, wobei, wie bereits in Fig. 6 gezeigt, die einzuschreibende Information B gleich der Information A ist, wenn die bistabile Kippstufe 69 eine   Ausgangsinformation"L"abgibt,   während   bei "0" aJl1   Ausgang von 69   C   = B ist. Durch die   bistabileKippstufe   79 kann nunmehr ausgewählt werden, ob die einzuschreibende Information an Eingang E oder E anliegen soll, da stets nur einer der UND-Kreise 130 

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 nach leitet UND-Kreis 80 die am Eingang E auftretende Information zur Zeilenleitung    L   weiter.

   Durch die Verschiebungen erscheint erst am Ausgang des ODER-Kreises 92 die tatsächlich einznschreibende Information B, die in die   Hilfszeilenauswahl   HZA eingespeist wird, um ein entsprechendes Korrektursignal zu bilden. 



   Besondere Bedeutung kommt dem ODER-Kreis 74 zu, der nur zu den Taktzeiten   A,A,A   von einem Eingangsimpuls des Ringzählers 24 beaufschlagt wird, wenn also Zeilen gerader Indizes ausgewählt 
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   Matrix umzuschalten. Die Leitungen Lt, Lt Lt dienen der bereits in Fig. 6 beschriebenen Ar- 2. 1 3, 2 4,3   beitsweise, wobei die Information in den gleichen Kern wieder eingeschrieben und der nächste Kern im 
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 Verwendung, wobei die Information A oder B nur dann mittels Transistor Tl eingeschrieben wird, wenn im Takt t+3 der Ringzähler 24 am Ausgang    A   einen Impuls abgibt, der mit der Information V'= A oder V'= B auf die UND-Kreise 80,82, 84, 86 trifft, von denen aber nur UND-Kreis 80 über Leitung Lt7 mit der Eingangsklemme E verbunden ist.

   Damit tritt die Information B = B'am Eingang    x   des ODER-Krei- ses 92 auf, wie sie auch durch Transistor Tl in den Kern K eingetragen wird. Das gleiche tritt auf, 
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   Informationgespeichert und soll in den Kern K die Information vom Kern K eingeschrieben werden, ist eine Ver- 11 31   schiebung der Information vom Kern K um zwei Stellen erforderlich. Diese Information wird als   B=C=0   in die'Matrix eingegeben, so dass auch an den UND-Kreisen 130,131 das Ausgangssignal "O" auftreten muss, das als "O" an der Eingangsklemme E4 liegt. Vom Ausgang A1 des Ringzählers 24 läuft ein negativer 
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 nommene Information wird mittels Leseleitung 76 über den Verstärker V in das bistabile Element 8 gegeben.

   Die beiden Eingänge des ODER-Kreises wie auch je ein Eingang der ODER-Kreise 72,73 sind mit je einer "O" beaufschlagt, da unabhängig vom Schaltzustand der Kippstufe 79 die Informationen V und   V'= 0   sind, so dass auch der ODER-Kreis 92 das Ausgangssignal "O" abgibt. Inzwischen erscheint 
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 des Transistors T20 fliesst. Da die Informationen V und   V'eine "0" zum   Inhalt haben, werden Eingänge der UND-Kreise   80 - 87   mit einer "O" beaufschlagt und geben als Ausgangssignal ebenfalls   die"0"-In-   formation ab, so dass alle Transistoren ausser T17 und T20 gesperrt bleiben und auch an den Eingängen   x < -x,   des ODER-Kreises 92 je elne "O" auftritt.

   Die Information B = C = 0 gelangt an den UND-Kreis   E7   und als negierte   0=   L an den UND-Kreis 58, wo sie mit der "L" des Elementes 8 eine "L"-Ausgangsinformation hervorrufen, wodurch, wie schon beschrieben wurde, der Schalter    S   geschlossen wird, wäh- 
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 gebildete Korrekturinformation Z = L bringt den Kern K zum Speicherwert des Kernes   K-0.   



   Wesentlich einfacher gestaltet sich der Vorgang, wenn eine Vorwärtsverschiebung wirksam   werde !   soll. Bekanntlich erscheint am Ausgang des bistabilen Elementes 8 die gelesene Information A, die mittels einer bekannten   Flip-Flop-Verschiebelinie   (Fig. 9) entsprechend verschoben wird. Das von der Leseleitung 76 (Fig.   6, 9)   in den Verstärker V einlaufende Signal wird über die   Verzögerungseinrichtung   VE zum Element 8 geleitet, von dem es als Information A abgenommen oder über einen der UND-Kreise 93, 94 mit Taktimpulsen vom Eingang E verknüpft zum Flip-Flop 95 gegeben werden kann. Dort wird sie als verzögerte Information A'bereitgestellt. Aus der Information   A'lässt   sich auf dieselbe Weise mit den UND-Kreisen 96, 97 und Flip-Flop 98 die Information A"gewinnen.

   Am Ausgang A'erscheint dann die um einen Takt verschobene Information A =   A',   am Ausgang A" die um zwei Takte verschobene Information A = A". Werden diese Informationen   A'und A"als Information   C (Fig. 8) eingegeben, findet eine Verschiebung entsprechend der Anzahl der dazwischengeschalteten Flip-Flop-Stufen statt. 



   Es ist weiterhin möglich, eine Stellenverschiebung um nur eine Stelle rückwärts durchzuführen. Dies geschieht derart, dass über Eingang    E   4 eine Information um zwei Stellen rückwärts verschoben wird, aber über die Verschiebung mit der Flip-Flop-Schiebelinie (Fig. 9) um eine Stelle vorwärts versetzt wird, so dass nur eine Verschiebung um eine Stelle rückwärts übrig bleibt. Dadurch ist es möglich, eine einfache Stellenverschiebung in beiden Richtungen durchzuführen, indem stets bei Verschiebung die Vorwärtsverschiebung um einen Schritt eingeschaltet und   die Stellenversetzung dann durch   die Kippstufe 79 bestimmt wird. 



   In Fig. 10 besteht die Treiberanordnung der Steuereinrichtung STE (Fig. 4, 6) aus Transistoren T21s - T25s, die vom Ringzähler 24 gesteuert werden. Als Arbeitswiderstände dienen Widerstände 
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 - R33,sind. Weiterhin werden die Spaltenleitungen von einer Adressenauswahl AW gesteuert. 



   Bisher waren zum Lesen und Schreiben je zwei Treiber der Treiberstufen AI - AIV.BI-BIV (Fig. 4) erforderlich, die mit hohem Aufwand ausgestattet waren. Nach der Erfindung ist es   möglich,   einen Tran-   sistor, beispielsweise T21s, mit   seinem   zugehörigen Widerstand R2 9   als Treiber sowohl zum Lesen als auch zum Schreiben zu verwenden. Daraus ergibt sich, dass die Fädelrichtung jeder zweiten Leseleitung stets umgekehrt sein muss, damit jede zweite Zeilenleitung   LI - L4   mit der umgekehrten Stromrichtung beaufschlagt wird. Diese Anordnung lässt sich sowohl für das Umlaufregister als auch für ein akkumulatives Register verwenden, wobei in Fig. 10 nur das Umlaufregister gezeigt ist.

   Zum Zwecke des Einschreibens einer Information B = C sind die genannten Hilfszeilen I' und II' (Fig. 8) anzuordnen, ebenso wie die Hilfssignaleinrichtung HZA. Eine Verschiebung ist in beiden Richtungen möglich, wenn die dafür beschriebenen Einrichtungen vorgesehen werden. 



   An Hand eines Beispiels sei der Registerumlauf erläutert. Es ist Information A = B = O. Vom Aus-   gang A1 des Ringzählers 24 wird im Takt t ein Impuls an die Basis des Transistors T21s abgegeben, der diese Emitterbasisstufe in den leitenden Zustand versetzt. Dadurch entsteht ein +1/2 Impuls, der mit   
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 nen andern Remanenzzustand zu stellen versucht. Da der Kern K von Anfang an auf "O" stand, wird nur ein Störsignal induziert. Dieses läuft auf der Leseleitung 76 über den Hörverstärker V auf das bistabile Element 8, das in seinem Auszustand verharrt, so dass Transistor T26s leitend bleibt. Das bedeutet,   dass nicht wieder eingeschrieben wird.

   Im Takt t+1 wird vom Ausgang A ein Impuls an die Basiselektrode des Transistors T22s abgegeben, der daraufhin die Zeilenleitung Lz über Widerstand R30 mit einem   
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 und Transistor T26s abfliesst, wodurch Kern   K.   der eine"L"gespeichert hat, gelesen wird. Dadurch kann der Spaltenstrom, der Kern K2 liest, nicht durch die vorherige Zeile fliessen und in Kern seine 
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 Zeile   L.DiodeDi zum   Transistor   T27s. wodurch   in Kern    Keine     eine"L"wiedereingeschrieben   wird. 



   Soll eine Information C = B wiedereingeschrieben werden, gelangt die auslaufende Information A über logische Elemente (Fig. 8) an die Hilfssignaleinrichtung HZA zur Bestimmung der Korrekturinformation Z, die in dem ausgewählten Kern wirksam wird, wie das bereits bei den Fig. 6 und 8 beschrieben wurde. Um nicht die Spaltenleitung wie in Fig. 6 durch die Hilfskerne   l'- 15'zu   führen, kann eine Hilfssignaleinrichtung in der Ausführung eines Hilfsspaltengenerators HSG Anwendung finden (Fig. 11), die die genannten Hilfssignale der Grösse I zur Verfügung stellt, die zur Ummagnetisierung notwendig sind. 



  Die Kippstufe 99 wird vom Takt gesteuert, der die Kippstufe 99 jeweils Zeile für Zeile umschaltet, wo- 
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 Kippstufe 99 voreingestellt wird. Die Kippstufe 99 gibt Impulse an die Schalterauswahl SW ab, um die UND-Kreise 59-62 zu veranlassen, einen Impuls an ihre entsprechenden ODER-Kreise   72. 73 abzugeben.   DieSchalterstufe    S   wird nur dann, wie bekannt, geschlossen, wenn kein Korrektursignal Z zu bilden ist, also die Matrix als Umlaufregister, wie unter Fig. 6 beschrieben, arbeitet. 



   In Fig. 12 ist die Stellenverschiebung auf Grundlage der   Fig.'10   gezeigt. Sie besitzt Transistoren   T26-T38,   die sowohl zum Lesen als auch zum Schreiben als Treiberstufen Verwendung finden. Widerstände   R34 - R46   sind im   Kollektorstiomkreis   der genannten Transistoren angeordnet, während die Emitter an Masse liegen. Es sind vier Zeilenleitungen durch jeden Kern geführt, um eine Verschiebung um mehrereStellen rückwärts ausführen zu   können (Klemmen O, 2, 4). Es   sind immer zwei Leitunger durch jeden 
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 schrieben, ist jede zweite Zeile in entgegengesetzte. Richtung mit den Leitern zu durchsetzen, da in jeder zweiten Zeile die Stromrichtung umgekehrt sein soll. In Fig. 12 ist dies der Übersichtlichkeit halber nicht dargestellt.

   Jede zweite Zeile müsste deshalb in entgegengesetzter Richtung durch die Kerne gelegt sein. Ausser der ersten Leitung in Zeile    L   sind alle über Dioden    D1 - D42 entkoppelt,   wobei die Dio- den    D - D eine   gemeinsame Ausgangsleitung 77 aufweisen, die an den Kollektor des Transistors T42 läuft, dessen Kollektorpotential an Betriebsspannung -Ub liegt. Die Basen der Transistoren T26 - T38 liegen amAusgang von UND-Kreisen 100 - 112, deren zweite Eingänge vom Takt auf Leitung 71 gesteuert werden, während die ersten Eingänge von einem Ringzähler 24 mit Impulsen beaufschlagt werden. Diese Eingänge weisen Abzweigungen b1-b12 auf, die als Eingänge für ODER-Kreise 119 und 120 sowie 74 vor- 
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 zustand des Transistors T42 von dem der Transistoren T39-T41 abhängig.

   Letztere werden nur leitend, wenn vom Eingang der Information C an den UND-Kreisen 114-116 - 116 eine "L" anliegt und eine oder auch   keine Stellenverschiebung erforderlich ist, so dass eine der Leitungen Lt. Lt, Lt ausgewähirwird. 



  1- 2- 6   Liegt aber an diesen Transistoren T39-T41 eine"O", so wird diese über ODER-Kreis 117, Negator 118 an den Transistor T42 abgegeben, wodurch dieser leitend wird, so dass eine "0" eingeschrieben werden kann. 



   Die Wirkungsweise dieser Anordnung sei an Hand eines Beispieles näher erläutert : Einem Kern    K   wird im Takt t eine Information A = L nach Zeile 5 der Tabelle 1 entnommen, die am bistabilen Ele-   ment 8 zur Verfügung steht. Im Kern K ist eine Information D = 0 enthalten, und es soll im Kern K 21 11   eine Information B = 0 im Takt t+3 eingeschrieben werden, die im Kern K gespeichert ist. Die im Kern K enthaltene Information "L" schaltet im Takt t das Element 8 in den Einzustand. Da in Kernen K
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 da sich das Element 8 im Einzustand befindet, ohne dass ein Einschreibvorgang ausgeführt worden ist. 



  Durch das Korrektursignal wird das Element 8 ausgeschaltet und verbleibt beim Lesen von Kern K im 
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   zwei Stellen versetzt in den Kern K11 eingeschrieben werden. Da durch diese Information C == 0 sämt-   liche Transistoren   T39 - T41   gesperrt sind, läuft nur ein Lesevorgang ab. Die Information vom Kern K 

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   Kern K auftung 76 das Element 8 umgeschaltet worden ist. Demnach ist Schalter    S   3 geschlossen worden. Wenn der Kern K gelesen wird, gibt der Ausgang   A des Ringzählers   24 keine Information an den ODER-Kreis 120 ab, so dass am ODER-Kreis 120   eine "0" als   Ausgangssignal auftritt, die durch den Negator 122 in   eine"L"gewandelt   wird, die zum UND-Kreis 115 gelangt. Dieser UND-Kreis 115 wird von einemnicht 
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 als Kommando zur Verschiebung der InformationT39 und T41 durch die Ausgangsspannung "0" der UND-Kreise 114,116 gesperrt sind, wird in dem Kern
K die Information "0" eingetragen. Ausserdem entsteht über ODER-Kreis 117, Negator 118   eine "L",   die den Transistor T42 schliesst.

   Dadurch ist es beim Lesen des Kerns K möglich, dass der Strom über Leitung    L   Diode D3 und über Transistor T42 abfliesst. 



   Nach dem Takt   t+4   hat der Ringzähler 24 weitergeschaltet, so dass in Verbindung mit den ODERKreisen 119,120 an den UND-Kreisen 115 und 116 eine "L" gelangt, die durch die Negatoren 122,123 gebildet wurde. Im Takt t+9 soll die Information C = L an den UND-Kreisen 114 - 116 anliegen. Vom 
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    K91forrpa. tion "0",   die über Leitung 133 zur Hilfssignaleinrichtung HZA gelangt. Der ODER-Kreis 74 erhält im Takt t+9 durch b eine Information L, so dass auch von diesem in die Hilfssignaleinrichtung HZA eine Information "L" geführt wird und beim Einschreiben von C = L über den UND-Kreis 116, ODERKreis 117 und Negator 118 Hilfssignaleinrichtung HZA so gesteuert wird, dass Schalter    S   geöffnet bleibt. 



  Dadurch wird Zeile l'an Masse gelegt, so dass der Kern l'die Korrekturinformation Z erzeugt. Beim Einschreiben der stellenversetzten Information fliesst der Strom vom Transistor T35 über Widerstand R49, 
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   L10 spannung -U b.    



   In Fig. 13 ist die Leseleitung 76 so geführt, dass sich ihre Richtung zu den Spalten ändert, während sie in Richtung zu den Zeilen konstant bleibt. Das bedeutet, dass die Richtung der Leseleitung 76 zu jeder zweiten Zeile die gleiche ist. Damit ist neben der ungeraden Anzahl der Zeilen die weitere Voraussetzung geschaffen, dass die Matrix ein Wort über mehrere Zeilen speichern kann, da der letzte Kern in einer Spalte mit ungeradem Index eine Information empfangen kann, ohne dass ein Kern der ersten Zeile einer andern Spalte beeinflusst wird. Auch die Spaltenleitungen zur Bildung der Korrekturinformation sind durch die Kerne   l'- 8'so geführt, dass   nur von dem Kern eine Information Z abgegeben wird, bei dem sich die   Ströme addieren. Sämtliche Zeilenleitungen sind durch die Dioden D-D entkoppelt.

   Weitere Be- 43 52   standteile sind die Hilfssignaleinrichtung HSG zur Bestimmung der Kerne   l'- 8',   die die Korrekturinformation zu bilden haben, eine Schalterauswahl SW, Schalter S1 -S3, eine Zeilenauswahl ZA und eine Adressenauswahl AW. Der Ausgang der Leseleitung 76 führt über den Verstärker V zum Element 8. Die Zeilenauswahl besteht aus dem Ringzähler 24, den UND-Kreisen 100-112 und Transistoren T26 - T38 (Fig. 12). Die Adressenauswahl A W wird von der Zeilenauswahl ZA um eine Stelle weitergeschaltet, wenn ein Umlauf der Zeilenauswahl beendet ist. 



   Die erste aufgerufene Zeilenleitung ist ZL1, die erste Spaltenleitung SL1. Sind sämtliche Zeilen-   leitungen ZL1 - ZL5 gelesen, so wird Spaltenleitung SL2 eingeschaltet. Gelesen wird dabei der Kern K 12   mit den Leitungen SL2 und   ZL1. Gleichzeitig   ist aber noch in der Spaltenleitung SL1 Strom vorhanden, der für das Wiedereinschreiben der Zeilenleitung ZL5 erforderlich ist. Der Strom in Leitung SL1 ist aber auf 
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Spalterichtung von Leitung SL2. Dadurch wird das Lesen in dem Kern K am Kreuzungspunkt der Leitungen SU und ZL1 unterdrückt, da beide Ströme sich in ihrer Wirkung aufheben.

   Das gleiche gilt, wenn mit Lei- 

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 aber die Korrekturinformation nur durch eine Spalte gebildet werden darf, ist die Anordnung so aufgebaut, dass beim Auftreten des Spaltenstromes in Leitung SL2 dieser durch einen entgegengesetzt geführten Leiter durch die Kerne 4'und 5'soweit in seiner Wirkung reduziert wird, dass die Kerne nur noch den Strom 1/2 erhalten. Am Ende des Wortumlaufes werden mittels des Generators HSG sämtliche Kerne 1'-8' wieder in den Anfangszustand versetzt. 



   Grundsätzlich sind auch dreidimensionale Anordnungen   möglich, indem entweder   ein Hilfsspaltengenerator HSG Verwendung findet oder jeder Spaltenstrom eigene Hilfskerne steuert, die dann vom doppelten Spaltenstrom durchflossen werden. Beim Einschreiben einer   andem   als der gelesenen Information wird, wie bereits beschrieben, die Schalterauswahl SW angesprochen, so dass eine Schalterstufe    S      oder S2 zur   Bil- dung einer Korrekturinformation Z geschlossen wird. Zur Kompensation von Störsignalen werden wie üblich Kompensationskerne benutzt, die in Fig. 13 nicht enthalten sind. 



   Die Fig. 14 zeigt eine Ausführungform des bistabilen Elementes 8. Zu seinem Aufbau sind Röhren
Rö1 und   Rö   erforderlich, wobei vorzugsweise eine Doppeltriode Verwendung findet, deren Kathoden über 
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 Gitterpotential auf einen Punkt festlegen. Ist ein System gesperrt, dann liegt das Gitterpotential dieses Systems   nederiger   als das an derKathode. Die Kondensatoren   C, C   dienen zur Stabilisierung beim Um- schalten. Als Arbeitswiderstände fungieren Widerstände R52, R53. Die Wirkungsweise einer solchen Anordnung darf als bekannt vorausgesetzt werden. 



   Wird die Leseleitung 76 durch eine Matrix so geführt, dass sie in jeder Zeile die gleiche Richtung aufweist und benachbarte Zeilen durch wechselnde Leseleitungsrichtung ausgezeichnet sind   (Fig. 13),   ist es   möglich.   einen vereinfachten Verstärker V aufzubauen, dessen Blockschaltbild Fig. 15 zeigt. Er enthält neben der Leseleitung 76 als Eingangsleitung einen Vorverstärker 134, eine Phasenteilerstufe 135, die 
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 formen und eine Unterdrückung der nicht gewünschten Polarität herbeiführen und Störsignale nicht mit aufnehmen. Die Ausgänge zu den Leitungen   Lt, Lt   dienen zum Ein-bzw. Ausschalten einer nicht gezeigten Flip-Flop-Stufe, die das soeben im Kern gelesene Signal beinhaltet. Durch die besondere Führung der Leseleitung kann das Flement 8 eine bekannte Flip-Flop-Stufe sein.

   Impulse der einen Polarität rufen dann an ihr das Einschalten hervor, während die der ändern das Ausschalten bewirken. Es muss dabei berücksichtigt werden, dass die Störimpulse sich zeilenweise addieren, u. zw. nur beim Einschreiben   einer"O",   so dass diese durch Kompensationskerne unterdrückt werden. 



   In Fig. 16 bildet ein Ringzähler 24a die   Adressenauswahleinrichtung   AW. Dieser steuert genauso wie der Ringzähler 24 Treiberstufen. Die Stellenzahl der beiden Ringzähler 24,24a ist ungleich und teilerfremd, um zyklisch hintereinander sämtliche Kerne der Matrix nur einmal aufzurufen. So ist es nicht möglich, für die Ringzähler 24,24a vier und sechs Stufen zu verwenden, da durch diese Art der Anordnung nur jeweils eine Hälfte der Kerne in Funktion tritt, was sich nach drei Umläufen wiederholt. Vorteilhaft sind Anordnungen, in denen einer der Ringzähler N Stufen, der zweite   N+l Stufen   aufweist.

   Die 
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 zur Erzeugung der Korrekturinformation Z, die Schalterwahl SW, die vorzugsweise   aus UND-Kreisen 59 - 62,   ODER-Kreisen 72,73 und 73a bestehen, wobei der Ausgang des ODER-Kreises 73a zum Eingang des Negators 145 führt. Die UND-Kreise   59 - 62   weisen drei Eingänge auf, wovon UND-Kreis 59 die Eingangsleitungen 147,146, 148 besitzt. Jeder UND-Kreis ist mit zwei ODER-Kreisen verbunden. Zur Steuerung der Schalterstufen   S-S   findet einmal der Trigger 143 Anwendung, der seinerseits durch den Takt ge- 

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 steuert wird, andererseits werden die Schalterstufen S6 und S7 durch die Information C gesteuert. Das Element 8 erhält vom Verstärker V seine Impulse, die es entweder   ein- oder ausschalten.

   Die Fingzähler   24, 24a werden vom Takt weitergeschaltet und geben zunächst Impulse an die Treiberstufen ab, die den Kern K beeinflussen. 



   Es werden also die Spaltenleitung SL1 und die Zeilenleitung ZL1 mit Impulsen beaufschlagt. Da das Element 8 im Anfang sich im Nullzustand befindet, ist auch an dessen Ausgang eine"0". Weiterhin wird   angenommen, dass keine Information   einzuschreiben ist, somit besitzt Leitung   f.'   keine Information. Damit geben die UND-Knoten   59 - 62 eine "or ab,   die durch Leitungen 150,   147   nit der Leitung 158 verbunden sind. Über ODER-Kreis 73a, Negator 145 wird die Schalterstufe S3 geschlossen. Es wird also kein Korrektursignal Z erzeugt und die Information, die im Kern 1 steht, wird gelesen und läuft über Leitung 76 in den Verstärker V ein. Unter der Voraussetzung, dass es eine "L ist, entsteht am Verstärker V ein Ausgangsimpuls zum Element 8, das den Einzustand annimmt.

   In den Kernen K21, K31 und K4   werden durch Spaltenleitung SL1 Störsignale erzeugt, die sich aber durch die Kerne K-K kompen- 22 42   
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 induziert. In Kern K soll eine "0" eingeschrieben werden. Diese läuft   von Leitung 158   an die Schalterstufe S, die geschlossen wird, da Negator 151   diese   eine "L" umkehrt, Dadurch fliesst der Trei- 
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 der Leitung SL1 durchfliesst Kern K und schreibt in diesen   eine "0" ein. Da   aber Element 8 sich bereits im Einzustand befindet und Kern K eine Information "L" abgibt, muss diese korrigiert werden. In Leitung 148 befindet sich eine   Information "L", während   Leitung 150 mit einer "O" beaufschlagt ist. Da- 
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 die UND-Kreise 59 und 60 vorbereitet, währendabhängig.

   Dieser wird durch Taktimpulse gesteuert, so dass eine der Leitungen 151 oder 146 mit einer "L" beaufschlagt ist. Der über Leitung 152 abfliessende Spaltenstrom durchsetzt den Kern 142 beim Schliessen   der Schalterstufe S mit dem doppelten Strom, da dessen Windung zweifach durch den Kern 142 geführt 5   ist. Umgekehrt gilt, wenn die Schalterstufe    S   geschlossen wird, dass der Kern 142 in umgekehrter Rich- tung vom doppelten Strom durchflossen wird. Da durch den Takt der Trigger 143 ständig umgeschaltet wird, wird der Kern 142 bei jedem Taktimpuls in umgekehrter Richtung durchflossen. Damit entstehen in der Leseleitung 76 Impulse wechselnder Polarität. 



   Vorausgesetzt, dass vom Trigger 143 auf Leitung 151 eine "L" gegeben worden ist, ist die Schalterstufe S geschlossen und derKern 142 wird durchflutet. Über Leitungen 147,148 und 151 erhält der UND- Kreis 60 je eine "L" zugeführt, so dass die ODER-Kreise 73a und 73 an einem ihrer Eingänge   eine "L" er-   halten. Dadurch wird die Schalterstufe    S   geöffnet und Schalterstufe    S   geschlossen, Leitung 153 an Masse gelegt, so dass an ihr beim Durchtritt durch den Kern 142 eine Spannung induziert wird, die am Punkt P eine   einergelesenen"L"entgegengesetzteRichtung aufweist, wenn   der Kern 142 vom Spaltenstrom durchflossen wird.

   Durch die entgegengesetzte Polarität der beiden Spannungen, die in Kern 142 und Kern K22 induziert werden, tritt am Ausgang keine Spannung auf, so dass der Verstärker V keinen Ausgangsimpuls 

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 abgibt und das Element 8 in seinem Zustand verbleibt. 



   Im nächsten Takt wird Kern K gelesen. Er enthält eine "O". Zu diesem Zweck werden Leitun- gen SL3 und ZL3 mit einem Halbstrom zum Lesen beaufschlagt. Beim Lesen dieses Kernes K entsteht. 
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 "L".zeugt, das in entgegengesetzter Richtung wie das einer   gelesenen"L"verläuft   und das Element 8 in seinen Auszustand versetzt. 



   Es ist also kein Korrektursignal erforderlich. Dieses kann auch nicht gebildet werden, da durch die Leitungen 151 und 150, die beide die   Information"L"tragen,   die UND-Kreise 59 und 61 vorbereitet wer- 
 EMI16.2 
 



   Der Trigger 143 ist durch den nächsten Taktimpuls in seine andere stabile Lage gesteuert worden. 



  Dadurch wird Kern 142 durch den in   entgegengesetzterRIchümgfliessenden   Spaltenstrom, der durch Leitung SL3, Leitung 152 zur Schalterstufe    S   4 abfliesst, ummagnetisiert. Eine Kompensation der Störspannungen tritt selbständig auf, da gleichviel Kerne in der einen Richtung wie auch in der andern Richtung vom Zeilenstrom der Leitung ZL3 durchflossen werden und die Leitung SL3 in entgegengesetzter Richtung 
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 ist,SL4 und ZL4 mit Strom beaufschlagt. Das bistabile Element 8 befindet sich im Auszustand. Es soll über Leitung 151 eine "L" eingeschrieben werden.

   Die Schalterstufe    S   ist geschlossen, und der Zeilenstrom 
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 so, dass eine Ausgangsspannung entsteht, die einer   gelesenen"L"entspricht.   Diese Spannung steht am Punkt    PI'Da   in der Matrix selbst keine Spannung induziert wird, tritt am Ausgang der Matrix dieselbe Spannung auf wie am Punkt P, so dass   diese"L"über   Leitung 76 und Verstärker V das Element 8 in den 
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 signal wirksam wird, erfüllt. 



   Für die Korrektursignalerzeugung sind auch andere Wege möglich. Beispielsweise können der Spalten-wie der Zeilenstrom gemeinsam zur Erzeugung solcher Signale herangezogen werden, die ausreichen, diesen Kern in seinen andern Remanenzzustand zu schalten. Dies ist zweckmässig, wenn der Zei-   len- wie der Spaltenstrom zeitlich   nicht genau übereinstimmen. Dadurch würden Zeitdifferenzen beim Umschalten der Kerne auftreten, da dann die Zeile vom Halbstrom durchsetzt ist und die Kerne vorbe- 

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 reitet sind, während der Hilfssignalkem 142 sich noch im Remanenzpunkt befindet. Nimmt man sowohl Zeilen- als auch Spaltenstrom und lässt damit den Hilfskern 142 gemeinsam durchfliessen, so hat man dasselbe Strombild im Hilfskern 142 vorliegen wie in den gelesenen Kernen. 



   Die Fig. 17 zeigt die Adressenauswahleinrichtung   AW   (Fig. 6,8,10,12,13), die zur schrittweisen Weiterschaltung einer sechzehnspaltigen Speichermatrix von Spalte zu Spalte benutzt wird. Je vier aus-   zuwählende Spalten der Speichermatrix   liegen in einer Zeile, wobei die Spalten der Speichermatrix durch zwei Leitungen SL1,   SLl'- SL4, SL4'mit   entgegengesetzter Stromrichtung dargestellt sind, von denen die Leitungen, die mit einem Apostroph versehen sind, mit der entgegengesetzten Stromrichtung beaufschlagt werden. Diese Leitungen der Speichermatrix sind über Dioden DW1, DW1'-DW16, DW16' mit den Spalten W1-W4, W1'-W4' der Auswahleinrichtung AW verbunden.

   Von einem Adressenspeicher AS 
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 Leitungen Wu W1'-W4' abgezweigt, die über Widerstände   R54 - R61   und Dioden DW1-DW4 und DW1'-DW4'über Leitung SL1-SL4 und SL1'-SL4' mit deren Schalter    S9   verbunden sind. 



   Über die Dioden   DWS - DWl1   und   DWS'- DWl1'sind   die Leitungen   Wl - W4   und W1'-W4' mit Schaltern S    4 und S verbunden, die   aus je einem Transistor in Emitter-Basis-Schaltung bestehen, deren 
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 muss durch die Adressenauswahl   A W   der Leitung SL1 (Fig. 17) der Spalte 1 der Speichermatrix der Spaltenstrom +1/2 zugeführt werden. In diesem Zeitpunkt werden vom Adressenspeicher AS auf Leitungen 158 und 160 Signale abgegeben, die am UND-Kreis Ul ein Ausgangssignal erzeugen, das den Schalter S8 
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    Sgegeben, das diesen Schalter schliesst. Dadurch   ist die Leitung ZW1 derAuswahleinrichtung AS ausgewählt. 



  Liegen gleichzeitig am UND-Kreis U8 vom Adressenspeicher AS Ausgangssignale L, wird durch den Ne- 
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 verzögert gegenüber dem Takt an den Trigger 156 ein Ausgangssignal abgegeben, das diesen umschaltet. 



  Der UND-Kreis U10 erhält eine Information L vom Takt und vom Trigger 156, so dass eine "L" an Ne- 
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 der Speichermatrix der Strom-1/2 anliegt. Dieser Spaltenstrom -1/2 ist erforderlich zum Lesen eines Kernes in der folgenden Zeile der Speichermatrix als auch zum Wiedereinschreiben einer Information in einen bereits gelesenen Kern. 

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 geschlossen werden. Der UND-Kreis U2 erhält vom Adressenspeicher AS Impulse über Leitungen 159, 160 zugeführt. Mit dessen Ausgangssignal wird Schalter S geschlossen, so dass über Schalter S die Leitung ZW2 über Diode ST an Masse gelegt ist. Am UND-Dreis U6 wirken über Leitungen 162,165 Signale "L" vom Adressenspeicher AS ein.

   Das dabei auftretende Ausgangssigna'"L"wird am Negator N2 umgekehrt, 
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 ter    5   geöffnet und die Verbindung zwischen-Ub, Leitung W3, Diode D ebenfalls unterbrochen. Damit fliesst nun ein Strom von -U über Leitung W3, Diode DW7 und Leitung SL7 durch den Schalter S und die Diode ST nach Masse, so dass die Spaltenleitung SL7 der Spalte 7 der Speichermatrix ausgewählt 
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S241.

   Anordnung zum Lesen und Schreiben von Informationen in einer Kernspeichermatrix mit Registern ungleicher Stellenzahl zur Zeilen- und Spaltenauswahl und durch Koinzidenzkreise gespeiste Treiberstufen sowie eine mit wechselnder Richtung geführte Leseleitung oder mit Kernen zur Kompensation der Störsignale, dadurch gekennzeichnet, dass der Ausgang einer bistabilen Kippstufe (69) mit einem der Eingänge von zwei UND-Kreisen (55,56), der andere Eingang des einen UND-Kreises   f.

   55)   mit einem   bistabi-   len Element(8) und der des zweiten UND-Kreises (56) mit einer Informationen tragenden Leitung (C = B), und die Ausgänge der UND-Kreise (55,56) mit einem ODER-Kreis (63) verbunden sind, ferner durch einen UND-Kreis (58) das bistabile Element (8) und durch den ODER-Kreis (63) die UND-Kreise (55, 56) über einen UND-Kreis (57) an eine Hilfssignaleinrichtung (HZA) mit einer Schalterauswahl (SW) angeschlossen sind, derart, dass bei Koinzidenz der Eingangssignale am ersten UND-Kreis (55) die in einem Kern   (K)   im vorangegangenen Zeitintervall (t) gespeicherte Information (A) als Information (B) wieder eingeschrie- 
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 ses (56) in demselben zeitlichen Ablauf eine Information (C) mittels der Schalterauswahl (SW) in die Kernspeichermatrix einläuft, wobei die Hilfssignaleinrichtung (HZA)

   eine Korrekturinformation (Z) bildet, um eine in der   Kernspeichermptrix   entstandene Störfunktion (Y) selbsttätig zu korrigieren, und dass der Schaltzustand einer Kippstufe (79) die stellengleiche und stellenversetzte Eintragung der Eingangssignale (A = B, C = B) bestimmt.

Claims (1)

  1. 2. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Kippstufe (69) durch die UNDKreise (55,56, 57), ODER-Kreise (63, 64) mit Schaltern (S1,S2) der Hilfssignaleinrichtung (HZA) und einem weiteren Schalter (S) verbunden ist, so dass im Auszustand der Kippstufe (69) der weitere Schal- ter (S) geöffnet und einer der erstgenannten Schalter (S,S) geschlossen ist ; während im Einzustand der Kipp- EMI18.5 signaleinrichtung (HZA) geöffnet bleiben, wenn ein ODER-Kreis (74) zu geradzahligen Zeilen"0"-Werte an UND-Kreise (60,61) abgibt.
    3. Anordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass Spaltenleitungen (1-8) und <Desc/Clms Page number 19> EMI19.1 dem der folgenden Kerne (I'- 15') in der gleichen als auch in der folgenden Spalte unterscheidet und jede Spaltenleitung (1 - 8) jeden Kern (1'- 15') mäanderförmig durchsetzt, so dass Korrekturinformationen (Z) verschiedener Polarität gebildet werden, die dem Verfahrer Nicht-zurück-nach-Null entsprecheu und über die Leseleitung (76) das bistabile Element (8) auf die notwendige Information (X) einstellen.
    4. Anordnung nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, dass UND-Kreise (130,131) an die erwähnten zwei UND-Kreise (55, 56) durch den ODER-Kreis (63) und an die Kippstufe (79) sowie an UND-Kreise (80-87) angeschlossen sind, so dass bei Koinzidenz der Eingangsspannungen am UND-Kreis (131) die um zwei Stellen rückwärts versetzte Eintragung der Information in die Kernspeichermatrix, bei Koinzidenz der Eingangsspannungen des UND-Kreises (130) die stellengleiche Eintragung der Information erfolgt, wobei an Eingängen (x -x) eines ODER-Kreises (92) die tatsächlich eingetragene Information auftritr, wenn an einem der UND-Kreise(80-87) koinzidente Signale von einem der UND-KrLise (130, 131) und einem der Ausgänge (A-A) eines Ringzählers (24) vorliegen.
    5. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass ein Transistor (T42) Transistoren (T27-T38) über Zeilenleitungen (L2 - L13) mit mindestens je drei Abzweigungen zuge- EMI19.2 115, 116)Transistoren (T39, T40, T41) der Anzahl der UND-Kreise (114, 115, 116) und diese der Anzahl der möglichen Stellenverschiebungen entspricht, und die UND-Kreise (114,115, 116) über die Transistoren (T39, T40, T41) mit ihren Leitungen (Li,Lt,Lt) eine Abzweigung der Zeilenleitungen (L"L J zur stellenversetzten Eintragung der Information bestimmen.
    6. Anordnung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass das Ausgangssignal des UND-Kreises (115) den Transistor (T40), das Ausgangssignal des UND-Kreises (116) den Transistor (T41) einschaltet und damit eine Stellenversetzung um zwei oder vier Stellen bewirkt wird, während durch das Ausgangssignal vom UND-Kreis (114) der Transistor (T39) geschaltet wird und keine Stellenverschiebung erfolgt und der Transistor (T42) auch dann Strom weiterleitet, wenn die Information "O" eingegeben wird.
    7. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass das bistabile Element (8) an Flip-Flop-Stufen (95, 98) und UND-Kreisen (93,94, 96 und 97) einer Schiebekette derart angeschlossen ist, dass am Ausgang (A) des Elementes (8) die in der Matrix gespeicherte Information, am Ausgang (A') der Flip-Flop-Stufe (95) die um eine Stelle vorwärts versetzte, am Ausgang (A") der Flip- EMI19.3 96,97, 98) ist, so dass eine Information um n-Stellen rückwärts, dann um m-Stellen vorwärts, insgesamt aber um n-m-Stellen rückwärts versetzt in dieKernspe1chermatrix eingetragen wird.
    9. Anordnung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass der Verstärker (V) aus einem Linearoder Schwellwertverstärker (5), einer Begrenzerstufe (6) und ODER-Kreis (7) für positive Eingangsamplituden und dem Linear- oder Schwellwertverstärker (5), einer Umkehrstufe (9), einer Begrenzerstufe (10) und dem ODER-Kreis (7) für negative Eingangsamplituden aufgebaut ist, damit das bistabile Element (8) einer durch Signale positiver Amplituden in den Ein- oder Auszustand geschaltet wird.
    10. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass der Strom in Zeilenrichtung (I, 46) bei beliebiger Flankenanstiegszeit (T) seinen optimalen Wert erreicht haben muss, wenn der Strom in Spaltenrichtung (Ix, 45) einsetzt, wobei dessen Flankenanstiegszeit (T) in der Grössen- ordnung der Schaltzeit (T) liegt.
    11. Anordnung nach einem der Ansprüche l bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass die Schalter (S-S) Transistor-Kurzschlussschalter sind.
    12. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet dass jede Zeile eine EMI19.4 <Desc/Clms Page number 20> tion besitzt, die Abzweigungen nachfolgender Leitungen (L'L) sind, dass ausser der ersten Leitungin der ersten Zeile alle weiteren Leitungen über Dioden (D-D) entkoppelt sind und der ersten Zeile eine Information entnommen wird, wenn in der letzten Zeile oder in einer um zwei n-Stellen zurückliegenden Zeile eine Information eingeschrieben wird.
    13. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 8 oder 12, gekennzeichnet durch jeweils einen der Transistoren (T21s-T25s)als Treiberstufe zum Lesen von Informationen in einer Zeile (LI - L4) und zum Einschreiben einer Information in eine vorhergehende Zeile, indem die Stromamplituden von Transistoren (T21s - T25s) die ihnen zugeordneten Zeilenleitungen (Ll-L4) durchfliessen und in Abhängigkeit des einzuschreibenden Signals entweder durch die vorhergehende oder eine weiter zurückliegende Zeile fliesst, wobei nur dann eingeschrieben wird, wenn ein Transistor (T27s) leitend und ein Transistor (T26s) gesperrt ist, während im umgekehrten Schaltzustand der fransistoren (T26s, T27s) Informationen der Kernspeichermatrix entnommen werden.
    14. Anordnung nach einem der Ansprüche l bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass die Hilfssignaleinnchtung (HZA) aus einem Hilfsspaltengenerator (HSG) und zwei Hilfskernen (l*, 2') besteht, wobei der Hilfsspaltengenerator (HSG) die Spaltenströme für die Hilfskerne (1', 2') erzeugt, die zur Abgabe der Korrekturinformation (Z) mittels einer Kippstufe (99) über die Schalterauswahl (SW) ausgewählt werden, EMI20.1 S)(AW, ZA) zur Auswahl der Spalten- und Zeilenleitungen (SL1-SL4, ZL1-ZL5) vorhanden sind und die Auswahleinrichtung (AW) der Spaltenleitungen (SL1-SL4) durch die Zeilenauswahleinrichtung (ZA) weitergeschaltet wird, derart, dass immer erst dann die nächste Spaltenleitung (SL2) Strom führt, wenn alle Kerne (K * K) der vorangegangenen Spaltenleitung (SL1)
    Stromamplituden vom Betrag I empfangen haben.
    16. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 15, gekennzeichnet durch Hllfskerne (1'-8') der Hilfssignaleinrichrung (HZA) mit drei Stromzuführungen, von denen zwei der doppelt geführten Spaltenleitung und eine einem Hilfsleiter zugeordnet sind, in der Weise, dass eine Korrekturinformation (Z) von dem Hilfskem (1'-8') in einer von zwei Spalten gebildet wird, die zur Informationsentnahme ausgewählt worden ist, wenn in der andern noch Informationen eingetragen werden und dass der Hilfsspaltengenerator (HSG) sämtliche Hilfskerne (1'-8') der Hilfssignaleinrichtung (HZA) in den Anfangszustand zurückstellt.
    17. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 16, dadurch gekennzeichnet, dass jede der Spaltenleitungen (SL1-SL5) Speicherkerne in mindestens zwei Spalten der Kernspeichermatrix durchsetzt, und so, dass Speicherkerne der ersten und letzten Spalte und jede folgende die Speicherkeme in der vor ihr EMI20.2
    Spalte beeinflusst, so18. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 17, dadurch gekennzeichnet, dass ein Kern (142) von Ausgangsleitungen der Schalter (S,S) einmal und von Ausgangsleitungen von Schaltern (S 4's5) zwei- mal durchsetzt wird und Schalter (S., S 6's7) derart eingefügt sind, dass die Ausgangsleitungen der ersten Schalter (S1, S 2) durch den geschlossenen Schalter (S) an Masse gelegt sind und keine Korrekturinformation (Z) gebildet wird, während immer eine Korrekturinformation (Z) zu bilden ist, wenn einer dieser Schalter (S1, S2) geschlossen ist, wobei die Richtung der Amplitude der Korrekturinformation (Z) durch EMI20.3 S)die Information "L" eingeschrieben wird.
    19. Anordnung nach einem der Ansprüche l bis 18, dadurch gekennzeichnet, dass die Schalter (S,S ) und die Schalterauswahl (SW) durch einen Trigger (143) gesteuert werden.
    20. Anordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Spaltenleitungen (SLl-SL16, SL1'-SL16') der Kernspeichermatrix über Dioden (DW1-DW16, DW1'-DW16') <Desc/Clms Page number 21> anSpaltenleltungen (Wl-W4, Wl'-W4') einer matrixförmigen Adressenauswahl (AW) der Gestalt n. m angeschlossen sind und sich in den Kreuzungspunkten der Zeilenleitungen (ZW1-ZW4) mit den Spaltenleitungen (Wl-W4, Wl'-W4') derAdressenauswahl (AW) die Spaltenleitungen (SL1 - SL4, SL1'- SL4') derKernspeichermatrix befinden und zur Auswahl der Spaltenleitungen (Wl - W4, W1'- W4') der Adressenauswahl (AW) zwei m-Zeilenschalter (S1 - S14) und zwei n Spaltenschalter (S16-S23) angeordnet sind,
    von denen die Zeilenschalter (S8 - S14) im Ruhezustand gesperrt, die Spaltenschalter (S16-S23) leitend sind und zur Auswahl einer derSpaltenleitungen (Wl-W4, Wl'-W4') nur einer der Zeilenschalter (S9, S11, S13, S15) und (n-1) Spaltenschalter (S16-S25) an Massepotential liegen. wenn Schalter (S24, S25) die entsprechenden Spaltenleitungen (W1-W4, W1'-W4') sperren oder freigeben.
    21. Anordnung nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, dass Ausgangsleitungen (158 - 161) eines EMI21.1
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