DE1178896B - Matrix-Waehlanordnung - Google Patents

Description

BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND

DEUTSCHES

PATENTAMT

AUSLEGESCHRIFT

Internat. Kl.: H 03 k

Nummer:
Aktenzeichen:
Anmeldetag:
Auslegetag:

Deutsche Kl.: 21 al-37/80

J19854IX c/21 al

3. Mai 1961

1. Oktober 1964

Die Erfindung bezieht sich auf eine Matrix-Wählanordnung, die sich besonders für die Verwendung in einem Informationsspeicher eignet. Bei einem solchen Informationsspeicher wird eine Anzahl von magnetischen Speicherkernen zur Speicherung von jeweils einem Informationsinhalt (Bit) verwendet. Die einzelnen Informationsinhalte werden normalerweise in Registern oder Wörtern gespeichert, und alle für ein Wort erforderlichen Speicherkerne werden zum Schreiben und Lesen gleichzeitig gewählt.

Bei einer Speichermatrix dieser Art sind die gespeicherten Wortgruppen in Zeilen und Spalten angeordnet, und zwei zugehörige Leitergruppen dienen dazu, jedes einzelne Register von Speicherkernen zu wählen. Eine Leitergruppe ist den Reihen und die andere Gruppe den Spalten zugeordnet. Eine gemeinsame Wählwicklung ist an alle Kerne einer Wortgruppe angeschlossen, und jede dieser Wählwicklungen ist als ein Verbraucherkreis zwischen einem Zeilen- und einem Spaltenleiter angeordnet. Daher wird eine Wortgruppe von Speicherkernen gewählt, indem zunächst die zugehörigen Zeilen- und Spaltenleiter gewählt werden und indem dann an die gewählten Leiter eine Betätigungsspannung gelegt wird. Sodann fließt ein Wählstrom durch den gewünschten Verbraucherzweig.

Es ist bekannt, in jedem Verbraucherzweig eine Diode mit dem Verbraucher in Reihe zu legen, um einen Stromfluß in den nicht gewählten Verbraucherzweigen, die mit den gewählten Zeilen- und Spaltenleitern verbunden sind, zu verhindern. Die mit den gewählten Leitern verbundenen Dioden, die gleichzeitig mit den nicht gewählten Verbraucherzweigen in Verbindung stehen, stellen eine kapazitive Gegenimpedanz gegen die Betriebsspannung dar, und die Dioden zusammen liefern einen belastenden kapazitiven Nebenschluß für das Wählsystem.

Bei einer Matrix mit einer großen Anzahl von Verbraucherzweigen, d. h. einer Matrix zur Speicherung einer großen Anzahl von Informationen bzw. Wörtern, kann die gesamte Nebenschlußkapazität so groß werden, daß sie die effektive maximale Arbeitsgeschwindigkeit des Wählsystems begrenzt. Diese Geschwindigkeit kann dann sehr wohl niedriger sein als die für ein einzelnes Wort zulässige Arbeitsgeschwindigkeit. Daher kann das Vorhandensein dieses kapazitiven Nebenschlusses eine ernste Begrenzung der Arbeitsgeschwindigkeit der Gesamtanlage darstellen.

Mit der Erfindung wird nun eine Anordnung zur Verringerung der Gesamtbelastung durch den kapazitiven Nebenschluß dadurch geschaffen, daß eine Matrix-Wählanordnung

Anmelder:

International Computers and Tabulators Limited, London

Vertreter:

Dr.-Ing. K. Boehmert

und Dipl.-Ing. A. Boehmert, Patentanwälte,

Bremen 1, Feldstr. 24

Als Erfinder benannt:
William Geoffrey Eyles,
John Bernard James,
Stevenage (Großbritannien)

Beanspruchte Priorität:

Großbritannien vom 3. Mai 1960 (15 542)

Vorspannung an die nicht gewählten Leiter von einer der Leitergruppen angelegt wird und daß die Vorspannung größer ist als die im gewählten Arbeitszweig auftretende Spannung. Diese Vorspannung unterbricht die Nebenschlußwege durch den nicht gewählten Verbraucherzweig und verringert so die kapazitive Gesamtbelastung durch Nebenschluß.

Die Erfindung sei an in der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispielen veranschaulicht.

Fig. 1 zeigt das Schaltbild eines Teils einer Gruppe magnetischer Speicherkerne zur Bildung einer Speichermatrix,

F i g. 2 das Schaltbild einer anderen Ausführungsform und

F i g. 3 ein vereinfachtes Schaltschema einer Anordnung zur selektiven Erregung der Leiter einer Speichermatrix.

Fig. 1 zeigt einen Teil einer Schar von magnetischen Speicherelementen, bestehend aus Kernen 1, die in Registern Wl bis W 9 geordnet sind, welche jeweils die zur Speicherung aller zu einem sogenannten Wort gehörenden Bits umfassen und selbst als Wörter bezeichnet werden. Aus Gründen der Deutlichkeit der Darstellung sind in jedem Wort W nur vier Kerne für vier Bits dargestellt. Es ist aber zu beachten, daß in Wirklichkeit jedes Wort gewöhnlich eine viel größere Anzahl von Kernen umfaßt. Beispielsweise kann jedes Wort vierzig Kerne enthalten,

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um die vierzig Bits zu speichern, welche erforderlich bunden. Dadurch ergibt sich eine Vorspannung für sind, um ein Wort von zehn Dezimalstellen in binär diejenigen Dioden, wie D4 und Dl, welche an einem verschlüsselter Dezimalform wiederzugeben. Leiter liegen, der nicht durch Schließen des zuge-Jedes Kernregister oder Wort Wi bis W9 ist mit hörigen Schalters gewählt wurde. Die Vorspannung einer Wicklung 2 verbunden, welche in Fig. 1 als 5 dieser Dioden vermindert wesentlich die kapazitive Wicklung mit einer einzigen Windung dargestellt ist. Belastung, die sonst zwischen dem Leiter 6 und Erde Jede Wicklung 2 ist zur Bildung eines Verbraucher- infolge kapazitiven Widerstandes der verschiedenen kreises mit einer der Dioden D1 bis D 9 in Reihe ge- Dioden in der Sperrichtung auftreten würde. Wenn schaltet. Die Verbraucherzweige dienen zur Koordi- die Schalter 51 und 5 4 geschlossen werden, ergibt nierung von Leitern, indem jeder Verbraucherzweig io sich eine Spannung zwischen Leiter 6 und Erde, zwischen einen von mehreren Zeilenleitern 3, 4, 5 Diese Spannung liegt über einer Anzahl kapazitiver und einen von mehreren Spaltenleitern 6, 7, 8 gelegt Nebenschlußwege, welche über Dioden in nicht geist. Diese beiden Leitergruppen bilden zusammen mit wählten Wicklungen führen. Einer dieser Nebenzugehörigen Gruppen von Wahlschaltern 51 bis 53 schlußwege führt beispielsweise über Diode Dl, und 54 bis 56 eine Matrix zur wahlweisen Erregung 15 Wort Wl, Wort W8, Nebenschlußkapazität von £>8, irgendeiner der Wicklungen 2 oder Wörter Wl bis Spaltenleiter 7, Diode D 2, Wort W 2, Zeilenleiter 3 W 9. Die Betätigung je eines Wahlschalters in jeder und Schalter 51 nach Erde. Ein zweiter Nebenschlußder beiden Leitergruppen ermöglicht die Auswahl weg führt über D 7, Wort W1, Wort W 9, Nebenvon Wicklungen aus den neun Wörtern Wl bis W 9. . Schlußkapazität von D 9, Spaltenleiter 8, Diode D 3, In Wirklichkeit enthält eine Matrix eine sehr viel 20 Wort W 3, Zeilenleiter 3 und Schalter 51 nach Erde, größere Zahl von Wahlleitern in jeder Gruppe, um Entsprechende Nebenschlußwege führen über die die Auswahl aus einer entsprechend größeren Zahl Diode D 4.

von Kernregistern oder Wörtern zu ermöglichen. Im allgemeinen Fall einer Matrix mit η · η Leitern Eine Seite jedes der Schalter 51, 52, 53 für die ist die Gesamtkapazität der Nebenschlußwege x-Richtung der Matrix ist mit Erde verbunden und 25 («—l)²-mal so groß wie die Nebenschlußkapazität eine Seite jedes der Schalter 54, 55, 56 für die einer einzelnen Diode. Diese resultierende Kapazität y-Richtung der Matrix mit einem gemeinsamen kann in einer großen Matrix recht erhebliche Werte Widerstand Rl. Eine Stromquelle 9 mit einer Be- annehmen, obwohl die Nebenschlußkapazität einer triebsspannung von — V1 Volt liegt zwischen dem einzelnen Diode nur klein ist. In einer Matrix von Widerstand R1 und Erde. Um die Wicklung 2 des 30 64 · 64 Leitern, welche die Auswahl irgendeines von Wortes Wl zu erregen, werden die Schalter 51 und 4096 Registern oder Wörtern ermöglicht, ist die ge-54 geschlossen. Es führt dann ein Stromweg von der samte Nebenschlußkapazität beispielsweise etwa Stromquelle 9 über den Widerstand R1, den nunmehr 4000mal so groß wie die Kapazität einer einzelnen geschlossenen Schalter 54, den Spaltenleiter 6, die Diode. Hinzu kommt noch die Kapazität der Schal-Diode Dl, die Wicklung 2 des Wortes Wl, den Zei- 35 ter und der mit ihnen verbundenen Belastungen. Ienleiter3, den nunmehr geschlossenen Schalter 51 Die resultierende Nebenschlußkapazität kann leicht und Erde zurück zur Stromquelle 9. Infolgedessen so groß werden, daß sie die maximale Arbeitsgefließt ein Strom durch die Wicklung 2 des Wortes Wl, schwindigkeit der Speichermatrix bestimmt und eine dessen Stärke von der Größe des Widerstandes R1, Grenze der Geschwindigkeit ergibt, welche wesentdem Durchgangswiderstand der Diode D1 und der 40 lieh unter der Geschwindigkeit liegt, mit der ein einImpedanz der Wicklung 2 abhängig ist. Die Größe zelnes Register oder Wort betätigt werden kann. Dies des Widerstandes R1 und die Spannung Vl werden bedeutet natürlich eine schwerwiegende Einengung so gewählt, daß der Strom im wesentlichen unabhän- der Arbeitsmöglichkeiten für das Speichersystem, gig von Änderungen der Wicklungsimpedanz ist. Der Das oben Gesagte setzt natürlich voraus, daß die Strom ist ausreichend, um ein Umklappen der Ma- 45 Dioden D 4 und D1 für den Nebenschlußpfad leiten, gnetisierung des Kernes aus dem einen in den an- Wenn ein Verbraucherzweig eregt wird, erscheint an deren Sättigungs- und Remanenzzustand herbeizu- ihm eine Spannung Vm. Die Spannung V 2 wird führen. Jeder der Speicherkerne besitzt eine beson- größer gewählt als die Spannung Vm. Auf diese dere, in den Zeichnungen nicht dargestellte Wick- Weise leiten die Dioden D4 und Dl nicht. Dadurch lung, und diese einzelnen Wicklungen sind in üb- 50 werden aber die Nebenschlußwege gesperrt, welche licher Weise mit den Ausgangsschaltungen verbun- nur bestehen, wenn diese Dioden leitend sind und es den. Deshalb werden in den einzelnen Wicklungen wird infolgedessen die Nebenschlußkapazität auf die-Signale induziert, die den vorherigen Zustand der jenige der parallel zueinander liegenden Dioden D 4 Kerne anzeigen. und Dl herabgesetzt. Die Nebenschlußkapazität be-So können die gespeicherten Wörter in an sich be- 55 trägt dabei nur das (n — l)-fache der Kapazität einer kannter Weise gelesen werden. Die Impedanz der einzelnen Diode. Das bedeutet natürlich eine sehr Wicklung 2 hängt von der Zahl der Kerne ab, welche wesentliche Herabsetzung, insbesondere wenn die jeweils durch den Wicklungsstrom aus dem einen in Zahl η der Wörter groß ist, und es wird dadurch eine den entgegengesetzten Sättigungszustand umklappen. erhebliche Steigerung der Arbeitsgeschwindigkeit der

Wie aus F i g. 1 ersichtlich ist, besteht für die 60 Matrix erreicht.

Stromquelle 9 nur der oben beschriebene Gleich- Dieselbe Berechnung gilt für jede beliebige Ausstrompfad über die geschlossenen Schalter 51 und wahl von Leitern der beiden Leitergruppen. Es ist 54. Man kann annehmen, daß die Dioden in der wünschenswert, daß die Schalter derjenigen Leiter, Sperrichtung eine rein kapazitive Belastung dar- an welchen die Vorspannung liegt, zuerst betätigt stellen. 65 werden, weil das Schließen dieser Schalter eine kurz-Jeder der Zeilenleiter 3, 4 und 5 ist über je einen zeitige Störung der auf den anderen Leitern der Widerstand Ä2 an eine gemeinsame Stromquelle 10 Gruppe auftretenden Vorspannung hervorruft. Die von — Vl Volt geführt, und diese ist mit Erde ver- Größe und Dauer dieser Störung hängt von der Ka-

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pazität dieser Leiter gegen Erde, der Nebenschluß- gleich in der Zeichnung aus Gründen der Deutlichkapazität der Dioden und der Größe der Wider- keit die Wicklungen 2 b so dargestellt sind, als ob die stände R 2 ab. Ein Schalter der anderen Leiter- Auswahlströme darin in der entgegengesetzten Richgruppe kann geschlossen werden, nachdem die Stö- tung durch das Wort fließen als in der Wickrung abgeklungen ist. Es besteht auch die Möglich- 5 lung 2 a, praktisch diese Ströme durch die Wicklunkeit, die elektrischen Konstanten der Schaltung so gen 2 α und 2 b mit Bezug auf das Wort in einer zu wählen, daß die Störungen hinreichend klein wer- Richtung fließen, die von dem Wicklungssinn abhanden, um die richtige Vorspannungsbildung an den gig ist, in welchem die Wicklungen mit den Kern-Dioden nicht zu hindern. Die Vorspannung kann registern verkettet sind.

gleicherweise dadurch erreicht werden, daß die io Der Schreibvorgang für ein einziges Wort erfor-

Widerstände R 2 mit den Spaltenleitern 6, 7 und 8 dert somit die Auswahl des Schreibstromkreises,

verbunden werden und eine Spannungsquelle mit welcher dem Wort zugeordnet ist, nämlich durch die

positiver Vorspannung benutzt wird. Wahl je eines Leiters der Zeilenleitergruppe 3, 4, 5

Bei Magnetkernspeichermatrizen besteht häufig und der Spaltenleitergruppe 6 a, Ta, 8 a, während ein die Forderung, ein Register oder Wort zu verschie- 15 Lesevorgang die Auswahl je eines Leiters aus der denen Zeiten während einer Arbeitsperiode von Zeilenleitergruppe 3,4,5 und der Spaltenleitergruppe einem in den anderen Remanenzzustand umklappen 6 b, 7 b, 8 b erfordert. Die Zeilenleitergruppe 3, 4, S zu lassen. Um z.B. ein Wort in einem Kernregister ist somit für Schreib- und Lesevorgang dieselbe, wähzu speichern, kann ein sogenannter Halbstrom auf rend getrennte Spaltenleitergruppen für Schreiben alle Kerne des Registers während einer Schreib- oder 20 und Lesen vorgesehen sind. Es kann wünschenswert Speicherphase der Periode gegeben und es können sein, eine Verblockungssteuerung vorzusehen, um einzelne Kerne des Registers durch gleichzeitige Ma- sicherzustellen, daß jeweils nur diejenige Leitergnetisierung durch einen zweiten Halbstrom über an- gruppe ausgewählt wird, die den gewünschten Vordere mit den Kernen verbundene Wicklungen in gang auslöst. Beispielsweise kann ein Lesesteuereinen der beiden Remanenzzustände gebracht wer- 25 gerät vorgesehen sein, durch das sichergestellt wird, den, so, wie es für die Speicherung des Wortes er- daß während eines Lesevorgangs nur die Schalter forderlich ist. Während einer Lesephase der Periode S4b, S5b und S6b zur Auswahl vorbereitet sind, kann ein Ganzstrom auf alle Kerne des ausgewähl- und ein Schreibsteuergerät kann in gleicher Weise ten Registers gegeben werden, der alle Kerne in den zur Vorbereitung der Schalter S 4 α, 55α und 56α zweiten, entgegengesetzten stabilen Remanenzzustand 30 benutzt werden.

zu bringen sucht. Dabei werden alle Kerne, die wäh- Es ist zu bemerken, daß die Darstellung der Schalrend der Schreibphase in den ersten Zustand ge- ter51 bis 56 als elektrische Kontaktschalter nur bracht worden sind, während der Lesephase in den schematisch aufzufassen ist und daß in der Praxis zweiten Zustand zurückversetzt. Die Schreib- und jeder dieser Schalter durch eine Elektronenröhre, Lesewahlströme können auf getrennte, mit allen 35 einen Transistor oder einen äquivalenten, schnell-Kernen des Registers verkettete Wicklungen oder wirkenden elektronischen Schalter gebildet wird, beide auf eine einzige Wicklung gegeben werden. Einer der beiden Schaltersätze kann auch durch Vor-Bisher hat man die Wicklungen so mit den Kernen richtungen, wie magnetische Kerne, ersetzt werden, verkettet, daß bei den gegebenen Stromrichtungen welche die Funktionen des Schaltens und der Impulsin der Schreib- und Lesephase die Kerne zum Um- 40 erzeugung in sich vereinigen. Es ist bekannt, Spanklappen in entgegengesetzte Remanenzzustände nei- nungsimpulse beider Polaritäten auf eine für jedes gen. Im letzteren Fall, d. h. bei Benutzung derselben Wort vorgesehene einzige Wicklung zu geben, um Wicklung für Schreib- und Lesestrom, fließen die Lese- und Schreibvorgänge zu erleichtern. F i g. 3 Schreibstrom und Lesestrom durch die gemeinsame zeigt nähere Einzelheiten einer bevorzugten Anord-Wicklung in entgegengesetzten Richtungen. 45 nung für eine Ausführung mit Schaltern, die sowohl

F i g. 2 zeigt eine Abwandlung der Anordnung zum Lesen als auch zum Schreiben eingerichtet sind, nach Fig. 1, in welcher mit jedem Register oder Dabei ist eine gemeinsame, mit allen Kernen eines Wort zwei Wicklungen verkettet sind. Um ein Wort Registers oder Wortes verkettete Wicklung für zum Aufschreiben auszuwählen, arbeitet die Ein- Schreib- und Lesewahl vorgesehen. Einander entrichtung, wie für Fig. 1 beschrieben ist. Dabei sind 50 sprechende Elemente in Fig. 1, 2 und 3 sind mit die Schreibwahlleiter 2a mit DiodenDIa bis D9α denselben Bezugszeichen versehen. So wie in Fig. 2 für die Wörter Wl bis W9 in Reihe geschaltet, und ist jeder der Spaltenleiter 6, 7 usw. in Fig. 1 durch die Auswahl erfolgt durch Schalter 51, 52, 53 und ein Leiterpaar 6a und 6b, la und Ib usw. ersetzt. 54a, 55a, 56a in Verbindung mit Spaltenleitern 6a, Der eine Leiter jedes Paares dient zur Wahl der 7 a und 8 a in der vorbeschriebenen Weise. Jedes 55 Schreibphase und der andere Leiter zur Wahl der Wort hat ferner eine zweite Wicklung 2b für seine Lesephase. Die Schalter 52 und 53 der Fig. 1 Auswahl während einer Lesephase. Die Wicklungen und 2 sind in der Schaltung der F i g. 3 ersetzt wor- 2 b der Wörter Wl bis W 9 liegen in Reihe mit den durch Transistoren Γ 2 und Γ 3 bzw. Magnetkerne Dioden DIb und D9b. Die Auswahl eines Wortes C2 und C3 und die Schalter 54 und 55 durch Tranerfolgt in ähnlicher Weise, wie zuvor beschrieben, 60 sistoren Γ 4 und T 5 bzw. Magnetkerne C 4 und C 5. mit Hilfe von Schaltern51, 52, 53 und S4b, SSb, Im Lesestromkreis der Fig. 3 stellen die Transisto- S6b in Verbindung mit Spaltenleitern 6b, Ib und ren T4 und T5 Äquivalente dar für die Schalter 54 8b. In diesem Fall ist zu beachten, daß, da die Aus- und 55, während die Schalter 52 und 53 durch wahlströme in der Matrix von den Schaltern in der- Kerne C 2 und C 3, welche zugleich als Spannungsseiben Richtung fließen, durch eine einzige Vorspan- 65 erzeuger dienen und somit der Stromquelle 9 entnungsquelle 10 die erforderliche Vorspannung so- sprechen, ersetzt sind. Analog stellen im Schreibwohl bei der Schreib- als auch der Leseauswahl ge- Stromkreis der Fig. 3 die Transistoren Γ2 und T3 liefert wird. Es ist ferner zu beachten, daß, wenn- Äquivalente für die Schalter 52 und 53 dar, wäh-

rend die Schalter 54 und 55 durch Kerne C 4 und C 5 (zugleich Spannungserzeuger) ersetzt sind.

Um in dem Wort W 4 gespeicherte Informationen zu lesen, wird beispielsweise durch ein Lesewählgerät 17 eine Spannung auf die Basis des Transistors Γ 4 gegeben, so daß dieser leitend wird. Zur selben Zeit oder zweckmäßig ein wenig später wird vom Lesewählgerät 17 Strom auf eine mit dem Kern C 2 verbundene Wicklung 12 gegeben. Der Kern C 2 ist ein üblicher magnetischer Schaltkern mit einer rechteckigen Hystereseschleife, und der Strom in der Wicklung 12 bringt den Kern zum Umklappen von einen in den entgegengesetzten Sättigungszustand bzw. Remanenzzustand. Dieses Umklappen des Magnetisierungszustandes im Kern C 2 induziert einen im wesentlichen konstanten Stromimpuls in der Wicklung 13, der über Diode 14, Leiter 4, gemeinsame Wicklung 2 des Wortes W 4, Diode D 4 a, Leiter 6 a, Diode 15 und Transistor T 4 nach Erde fließt und ausreichend ist, um alle Kerne des Wortes W 4 auf den Sättigungszustand einer Richtung zu bringen. Diejenigen Kerne des Wortes W 4, die dabei vom einen in den anderen Sättigungszustand umklappen, erzeugen in der konventionellen Weise Lesesignale in den ihnen zugehörigen getrennten Lesewicklungen 16. Der Kern C 2 wird in seinen magnetischen Zustand durch einen Gegenstrom über Wicklung 12 wieder zurückgeworfen, nachdem das Wort W 4 durch den vom Lesesteuergerät 17 gegebenen Lesestrom gelesen worden ist. Dabei wird durch die Diode 14 ein Stromfluß als Folge der durch das Umklappen des Sättigungszustandes in der Wicklung 13 induzierten Spannung verhindert. Die Schaltmagnete können zur Rückstellung oder Wiederherstellung ihres Remanenzzustandes natürlich auch mit einer getrennten Wicklung versehen sein.

Eine von einer Spannungsquelle 18 von — V 3 Volt über Widersände R 3 (F i g. 3) auf die Spaltenleiter gegebene Vorspannung unterdrückt die kapazitive Nebenschlußwirkung der in den Verbraucherzweigen liegenden Dioden in derselben Weise, wie schon für das Ausführungsbeispiel der F i g. 1 beschrieben.

Die Erregung der mit allen Kernen des Wortes W 4 verflochtenen Wicklung zum Schreiben der Informationen erfolgt in ähnlicher Weise wie bei dem beschriebenen Lesevorgang. Ein Schreibwähler 11 gibt eine Spannung auf die Basis von Transistor T 2 und schaltet den Kern C 4 um. Dadurch wird in der Wicklung 13 des Kerns C 4 ein Spannungsimpuls induziert, der einen Schreibstrom über Diode 14, Spaltenleiter 6 b, Diode D 4 b, Wicklung 2 des Wortes W 4, Zeilenleiter 4, Diode 15, Transistor T 2 zurück zur Kernwicklung 13 treibt. Dieser Schreibstrom ist dem Lesestrom entgegengerichtet, und seine Amplitude ist halb so groß, als sie erforderlich ist, um den Remanenzzustand der Kerne des Wortes W 4 zum Umklappen zu bringen. Entsprechende Halbwertströme werden auf ausgewählte Einzelwicklungen 19 der Kerne des Wortes J^4 gegeben, so daß diese entsprechende Informationen speichern.

Die von der Spannungsquelle 10 auf die Zeilenleiter über die Widerstände R2 gegebene Vorspannung verringert in der schon beschriebenen Weise die Nebenschlußkapazität während des Schreibvorganges.

Wird einer der Transistoren Γ 2, Γ 3 leitend gemacht, so wird damit ein Strompfad von den Zeilenleitern über diesen Transistor nach Erde hergestellt.

Der Wert des Widerstandes R 2 muß genügend groß sein, um den Strom auf einen Wert zu begrenzen, der den Transistor nicht überlastet. Andererseits soll der Wert des Widerstandes auch genügend klein sein, um eine brauchbare Zeitkonstante für die Wiederbereitmachung der Zeilenleiter zu erzielen. Die Vorspannung — V 2 kann kleiner sein als die Vorspannung — V 3, da die Spannung am Verbraucherzweig beim Schreiben kleiner ist als beim Lesen.

ίο Die in F i g. 3 dargestellte Anordnung hat den Vorteil einer einfachen Verflechtung der Leiter und Kerne, da dieselbe Wicklung für Schreib- und Lesestrom benutzt wird. Es können aber auch wie in Fig. 2 getrennte Wicklungen für Schreiben und Lesen vorgesehen sein. In den Schaltungen der Fig. 1 und 2 liegen die Schalter 51 und S3 zwischen Matrix und Erde, und die Quellen 9 und 10 sind ebenfalls mit einem Pol geordnet. Diese Erdverbindungen bilden eine gemeinsame Rückleitung für die Steuer- und Vorspannungsstromkreise. Bei der Schaltung nach F i g. 3 wird die gemeinsame Rückleitung durch einen einzigen Leiter 20 gebildet, über den die verschiedenen Stromkreise verkettet sind. In praktischen Matrixausführungen für hohe Frequenzen ist es jedoch zweckmäßig, die Selbstinduktion auf möglichst kleine Werte herabzusetzen. Dies kann z. B. dadurch geschehen, daß getrennte Rückpfade für Zeilen- und Spaltenleiter vorgesehen werden. Eine Art solcher Rückpfadbildung besteht in der Anordnung eines zusätzlichen Zeilen- und Spaltenrückleiters für jedes Kern-Transistor-Paar. Beispielsweise ließe sich ein Zeilenrückleiter an den gemeinsamen Verbindungspunkt von Transistor Γ2 und Kern Cl anschließen. Ein entsprechender Rückleiter würde für die Transistor-Kern-Kombinationen T3-C3, T4-C4 und T S-C 5 vorzusehen sein, nämlich ein Zeilenleiter für T3-C3, T4-C4 und T5-C5. Diese Rückleiter sind entlang den Zeilen und je ein Spaltenleiter für die Kombinationen und Spalten der Matrix anzuordnen, und jeder Zeilenrückleiter ist mit dem ihn kreuzenden Spaltenrückleiter zu verbinden. Diese Anordnung verringert die effektive Länge des Rückweges für jede Selektion und damit die Selbstinduktion des Stromkreises und auch die Bildung offener Schleifen.

Die gemeinsame Rückleitung in einer Schaltung dieser Art wird bisher durch ein Netzwerk von Rückleitern gebildet. Andererseits wird aber die Gesamtnebenschlußkapazität der Schaltung durch diese Rückleitanordnung vergrößert, wodurch die Unterdrückung der durch die Dioden in den Verbraucherkreisen hervorgerufenen Nebenschlußkapazität nur noch wichtiger wird.

Im Rahmen der Erfindung sind noch mancherlei Abänderungen und andere Ausführungen möglich.

Die Erfindung ist am Beispiel einer Diodenmatrix für magnetische Speicherkerne beschrieben, ist aber auch auf Diodenmatrixen für andere Zwecke anwendbar.

Claims (8)

Patentansprüche:

1. Matrix-Wählanordnung mit einer ersten und einer zweiten Gruppe von einander koordinatenartig zugeordneten Leitern, Verbraucherzweigen, die jeweils an den Kreuzungsstellen zwischen die Leiter der beiden Leitersätze eingeschaltet sind, wobei zu jedem Verbraucherzweig eine Diode in Reihe geschaltet ist, und die Wahl eines bestimm-

ten Verbraucherzweiges durch die Wahl des zugehörigen Paares der Koordinatenleiter erfolgt, worauf eine Betätigungsspannung an die gewählten Leiter gelegt wird, dadurch gekennzeichnet, daß eine Vorspannung (V 2) an die nicht gewählten Leiter (3, 4, 5) von einer der Leitergruppen angelegt wird und daß die Vorspannung größer ist als die im gewählten Arbeitszweig auftretende Spannung.

2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch ge- ίο kennzeichnet, daß die Verbraucherzweige (Wl bis W 9) jeweils eine Wicklung (2) enthalten, die eine Verbindung mit einem Register aus Speicherkernen herstellt.

3. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß für die Wahl der gewünschten Leiter einer Gruppe Schalttransistoren (T 2, T 3, T 4, T S) vorgesehen sind.

4. Vorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß für die erste Leitergruppe Schalttransistoren (T 4, Γ 5) und für die zweite Leitergruppe magnetische Schaltkerne (C 2, C 3) vorgesehen sind und daß eine Steuerschaltung (17) dazu dient, den Zustand des magnetischen Schaltkemes der mit dem gewünschten Leiter der zweiten Gruppe verbunden ist, umzukehren (Fig. 3).

5. Vorrichtung nach Anspruch 2 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß jedes Register (Wl bis W9) von Speicherkernen getrennte Lese- und Schreibwicklungen (2 b, 2 a) besitzt und daß diese getrennten Wicklungen jeweils mit den Kernen der Register in entgegengesetztem Sinn verbunden sind, wobei die einzelnen Wicklungen jeweils Dioden (Dia, DIb bis D 9 a, D9b) besitzen und daß die erste Gruppe der Koordinatenleiter zwei Untergruppen (6 a, 6 b bis 8 a, 8 b) enthält, wobei eine Untergruppe zum Schreiben und die andere Untergruppe zum Lesen dient (Fig. 2).

6. Vorrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Vorspannung (— V 2) mit der zweiten Gruppe der Koordinatenleiter (3,4,5) verbunden ist.

7. Vorrichtung nach Anspruch 2 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Verbraucherzweigwicklung (2) gleichzeitig zum Lesen und Schreiben verwendet wird, daß die erste Gruppe der Koordinatenleiter zwei Untergruppen (6a, Ta und 6b, Ib) besitzt, wobei eine Untergruppe zum Schreiben und die andere zum Lesen dient, und daß die gemeinsame Verbraucherzweigwicklung jeweils mit einem Leiter und mit jeder der Untergruppen durch gegensinnig gepolte Dioden (D4a, D4b usw.) verbunden ist (Fig. 3).

8. Vorrichtung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß ein Leiter einer Untergruppe durch einen Schalttransistor (T 4, T 5) gewählt wird, daß ein Leiter der anderen Untergruppe durch einen Schaltkern (C 4, C 5) gewählt wird und daß jeder Koordinatenleiter der zweiten Gruppe mit zwei parallelen Leitungswegen verbunden ist, wobei der eine Leitungsweg einen Schalttransistor (T 2, T 3) und der andere Leitungsweg einen Schaltkern (C 2, C 3) enthält.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

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