DE1574759C - Magnetkernspeicher mit gemeinsamer Schreib und Leseleitung - Google Patents

Description

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Die Erfindung bezieht sich auf einen Magnetkern- F i g. 2 das Schaltschema der Schwellenwertschalspeicher mit gemeinsamer Schreib- und Leseleitung, tungen des Magnetkernspeichers nach Fig. 1.
die sowohl an einen Schreibverstärker als auch an Der in F i g. 1 schematisch dargestellte Magneteinen Leseverstärker angekoppelt ist. kernspeicher weist eine Anzahl von Magnetkernen 12

Derartige bekannte Magnetkernspeicher haben den 5 auf, die in Spalten und Reihen angeordnet sind, von Nachteil, daß sie die unmittelbare Verbindung zwi- denen jeweils eine Spalte einen Speicher bildet. Jeder sehen Lese- und Schreibverstärker besitzen, über die der Magnetkerne 12 weist zwei senkrecht zueinander Störsignale und insbesondere das Rauschen des angeordnete Öffnungen auf, die ein zerstörungsfreies Schreibverstärkers ungehindert in den Leseverstärker Lesen der gespeicherten digitalen Informationen ergelangen, und zwar auch während eines Lesezyklus. io möglichen.

Infolgedessen ist bei diesen bekannten Magnetkern- Die Magnetkerne 12 sind in Reihen 11 angeordnet

speichern das Signal-Rausch-Verhältnis für das aus- von denen eine jede Reihe dem gleichen Bit einer

gelesene Signal relativ schlecht. Anzahl von Wörtern zugeordnet ist. Durch die obere

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Öffnung jedes Magnetkernes 12 einer Reihe 11 ist

Magnetkernspeicher der oben beschriebenen Art so 15 eine Leitung 13 hindurch geführt, die zu der Ein-

zu verbessern, daß während des Lesevorganges Stör- speisung von Schreibimpulsen in die Reihe 11 dient,

signale von der Schreibimpuls-Treiberstufe nicht die von einem Schreibverstärker 14 geliefert werden,

mehr in den Leseverstärker gelangen können und da- der über eine Schwellenwertschaltung 18 an beide

durch den Störabstand des Lesesignals zu verbessern. Enden der Leitung 13 angeschlossen ist. Die Leitung

Die Aufgabe wird nach der Erfindung dadurch ge- 20 13 ist außerdem mit einem Leseverstärker 16 für

löst, daß zwischen den Ausgangsklemmen des Lesevorgänge verbunden. Ein Abfrageverstärker 15

Schreibverstärkers und der gemeinsamen Schreib- und liefert während des Lesens Abfrageströme für die

Leseleitung eine oder zwei Schwellenwertschaltungen unteren Öffnungen der Elemente 12.

angeordnet sind. Durch die Erfindung wird ein Ein- Beim Betrieb des Magnetkernspeichers nach

dringen von Rauschspannungen auf den Leitungen des 25 Fig. 1 erfolgt sowohl das Einschreiben als auch das

Schreibverstärkers in den Leseverstärker verhindert. Auslesen von Informationen in die bzw. aus den EIe-

Andererseits stellen die Schwellenwertschaltungen menten 12 der Reihen 11 über die Leitung 13. Der

während des Schreibens kein nennenswertes Hinder- Schreibverstärker 14 liefert während des Schreibens

nis dar. Schreibimpulse über die Schwellenwertschaltung 18

Bei einer bevorzugten Ausführungsform der Erfin- 30 an die Leitung 13. Während des Lesens liefert dung sind als Schwellenwertschaltung mindestens an dagegen die Leitung 13 Impulse an den Leseverstärein erstes Ende der Schreib- und Leseleitung zwei ker 16, die auf Abfragesignale hin von den Elementen Dioden mit gegensinniger Polung angeschlossen und 12 der Reihe 11 geliefert werden. Während des Lesens es ist die Anode der einen Diode über einen Schalter ist es für einen verbesserten Störabstand des Lesemit dem positiven Ausgang des Schreibverstärkers 35 signals sehr zweckmäßig zu verhindern, daß irgendverbindbar, während die Kathode der anderen Diode welche Signale die Leitung 13 aus dem Schreibüber einen Schalter an den negativen Ausgang des verstärker 14 erreichen. Daher arbeitet die Schwellen-Schreibverstärkers anschließbar ist. Außerdem ist die wertschaltung 18 so, daß sie den Schreibverstärker 14 Anode der einen Diode über einen Widerstand an ein von der Leitung 13 während der Lesevorgänge vollnegatives Vorspannungspotential und die Kathode der 40 ständig entkoppelt.

anderen Diode über einen Widerstand an ein positives Fig. 2 zeigt schematisch ein Schaltbild mit Einzel-Vorspannungspotential angeschlossen. Irgendwelche heiten der Schwellenwertschaltung 18 des Magnetkomplizierten Steuerungsanordnungen sind also für kernspeichers nach Fig. 1. Wie ersichtlich, ist die die diese Entkopplung nicht erforderlich. Magnetkerne 12 einer Reihe 11 durchlaufende Lei-

Diese Schwellenwertschaltung harden besonderen 45 tung 13 an ihren beiden Enden mit dem Leseverstär-Vorteil, daß sie zum Einschreiben von Informationen ker 16 verbunden, und es ist außerdem das eine auf die Schreib- und Leseleitung sowohl positive als Ende α der Leitung 13 mit den Anschlüssen positiver auch negative Impulse zuläßt, weil sie zwei gegen- und negativer Polarität des Schreibverstärkers 14 über sinnige Dioden enthält, die den Weg zur Schreib- und einen Teil der Schwellenwertschaltung 18 verbunden, Leseleitung in beiden Stromrichtungen öffnet. Trotz- 50 der zwei parallel zueinander an das Ende α der Leidem wird durch die erfindungsgemäße Anordnung tung 13 angeschlossene, entgegengesetzt gepolte Diwährend des Lesezyklus eine vollständige Entkopp- öden 21 und 22 enthält.

lung zwischen dem Schreibverstärker und dem Lese- Die der Leitung 13 abgewandte Anode der Diode

verstärker erzielt, weil dann die Dioden infolge der 21 ist über einen strombegrenzenden Widerstand 31

angelegten Spannungen gesperrt sind, die diese 55 sowie einen Schalter 33 mit dem positiven Anschluß

Dioden in der Sperrichtung stark vorspannen. Diese des Schreibverstärkers 14 verbunden, während die

Sperrung tritt automatisch ein, wenn vom Ausgang der Leitung 13 abgewandte Kathode der Diode 22

des Schreibverstärkers auf die die Schwellenwert- über einen strombegrenzenden Widerstand 34 und

schaltung enthaltenden Leitungen keine Impulse ge- einen Schalter 35 an dem negativen Anschluß des

geben werden, die freien Endungen dieser Leitungen 60 Schreibverstärkers 14 liegt. Das andere Ende b der

also potentialfrei sind. Leitung 13 ist entsprechend über entgegengesetzt ge-

Weitere Einzelheiten und Ausgestaltungen der Er- polte Dioden 26 und 27 sowie Schalter 37 und 38 mit

findung sind der folgenden Beschreibung zu entneh- einem Erdanschluß des Schreibverstärkers 14 verbun-

men, in der die Erfindung an Hand des in der Zeich- den. Die Kathode der Diode 27 und die Anode der

nung dargestellten Ausführungsbeispiels näher be- 65 Diode 26 liegen gemeinsam an dem Ende b der Lei-

schrieben und erläutert wird. Es zeigt tung 13. Dieloioden 21, 22, 26 und 27 der Schwellen-

F i g. 1 die schematische Darstellung eines Magnet- wertschaltung 18 sind in Sperrichtung mit einem Vor-

kernspeichers nach der Erfindung, Spannungspotential beaufschlagt, das verhindert, daß

während der Lesevorgänge Strom durch die Dioden fließt. Um diese sperrende Vorspannung zu erzeugen, ist ein B—-Potential über einen Widerstand 23 an die Anode der Diode 21 gelegt, ein B+-Potential über einen Widerstand 24 an die Kathode der Diode 22, ein B+-Potential über einen Widerstand 28 an die Kathode der Diode 26 und ein B —-Potential über einen Widerstand 29 an die Anode der Diode 27. Die Enden α und b der Leitung 13 sind durch Widerstände 41 und 42 überbrückt, deren Mittelpunkt an Erde angeschlossen ist und die zusammen mit den Widerständen 23 und 24 bzw. 28 und 29 das Einhalten der gewünschten Vorspannung gewährleisten. Während der Schreibvorgänge sind die Impulse des Schreibverstärkers 14 ausreichend hoch, um das Sperrpotential an den Dioden zu überwinden.

Soll beim Betrieb der Anordnung nach F i g. 2 während der Schreibphase in eine Reihe 11 eine Information positiver Polarität eingeschrieben werden, so läuft ein positiver Impuls, dessen Stärke ausreicht, um das Minuspotential an der Anode der Diode 21 und das positive Potential an der Kathode der Diode 27 zu überwinden von dem Schreibverstärker 14 über den Schalter 33, die Diode 21 an das Ende 13 α der Leitung 13 und, nachdem er die Reihe 12 durchlaufen hat, vom Ende 13 b über die Diode 26 und den Schalter 37 zurück zum Erdanschluß des Schreibverstärkers 14. In gleicher Weise läuft ein Impuls negativer Polarität, dessen Stärke ausreicht, um das B+-Potential an der Kathode der Diode zu überwinden, vom Minusanschluß des Schreibverstärkers 14 über den Schalter 35, die Kathoden-Anoden-Strecke der Diode 22 und das Ende 13 α der Leitung 13 durch die Kernreihe 12 zu dem Ende 13 b der Leitung. Von dem Ende 13 b läuft dann der Impuls über die Kathoden-Anoden-Strecke der Diode 27 sowie den Schalter 38 zum Erdanschluß des Schreibverstärkers 14. Der Impuls hat auch eine ausreichende Stärke, um das B —-Potential ander Anode der Diode 27 zu überwinden. Während des Lesens gehen von dem Schreibverstärker keine Impulse und keine Störsignale aus, deren Stärke ausreicht, um das Sperrpotential an den Dioden zu überwinden. Auf diese Weise wird durch die beschriebene Schwellenwertschaltung eine positive Entkopplungswirkung erreicht, welche verhindert, daß aus dem Schreibverstärker irgendwelche Streu- und insbesondere Rauschsignale auf die Leitung 13 gelangen. Beim Lesen bestehen daher die Signale auf der Leitung 13 ausschließlich aus den Impulsen, die durch eine Kraftflußänderung in den Magnetkernen 12 der Reihe 11 bedingt sind und die von dem Leseverstärker 16 verarbeitet werden.

Die nach der Erfindung vorgesehene Schwellenwertschaltung, die durch eine einfache Diodenschaltung verwirklicht werden kann, führt zu einer positiven Entkopplung, durch die verhindert wird, daß während der Lesevorgänge und damit in den Leseverstärker irgendwelche Streusignale in die Leitung 13 eintreten können. Das Signal-Rausch-Verhältnis oder der Störabstand des Lescsignals wird daher stark verbessert, so daß ein sicheres Lesen von Impulsen geringer Stärke möglich ist.

Claims (4)

Patentansprüche:

1. Magnetkernspeicher mit gemeinsamer Schreib- und Leseleitung, die sowohl an einen Schreibverstärker als auch an einen Leseverstärker angekoppelt ist, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen den Ausgangsklemmen des Schreibverstärkers (14) und der gemeinsamen Schreib- und Leseleitung (13) eine oder zwei Schwellenwertschaltungen (18) angeordnet sind.

2. Magnetkernspeicher nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens an ein erstes Ende (a) der Schreib- und Leseleitung (13) zwei Dioden (21 und 22) mit gegensinniger Polung angeschlossen sind und die Anode der einen Diode (21) über einen Schalter (33) mit dem positiven Ausgang des Schreibverstärkers (14) verbindbar ist, während die Kathode der anderen Diode (22) über einen Schalter (35) an den negativen Ausgang des Schreibverstärkers anschließbar ist, und daß außerdem die Anode der einen Diode (21) über einen Widerstand (23) an ein negatives Vorspannungspotential und die Kathode der anderen Diode (22) über einen Widerstand (24) an ein positives Vorspannungspotential angeschlossen ist.

3. Magnetkernspeicher nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß auch an das zweite Ende (Jb) der Schreib- und Leseleitung (13) zwei Dioden (26 und 27) mit gegensinniger Polung angeschlossen sind und die Kathode der einen Diode (26) über einen Schalter (37) und die Anode der anderen Diode (27) über einen Schalter (38) mit Masse verbindbar ist, daß außerdem die Kathode der einen Diode (26) über einen Widerstand (28) an ein negatives Vorspannungspotential und die Anode der anderen Diode (27) über einen Widerstand (29) an ein negatives Vorspannungspotential angelegt ist und daß die Schalter (33 und 37 bzw. 35 und 38), die jeweils den beiden an die Enden der Schreib- und Leseleitung gleichsinnig angeschlossenen Dioden (21 und 26 sowie 22 und 27) zugeordnet sind, stets gleichzeitig geschlossen oder geöffnet sind.

4. Magnetkernspeicher nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß in die Verbindung zwischen den mit dem ersten Ende (a) der Schreib- und Leseleitung (13) verbundenen Dioden (21 und 22) und den zugeordneten Schaltern (33 und 35) je ein Strombegrenzungswiderstand (31 bzw. 34) eingeschaltet ist.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen