DE1186509B - Magnetspeicher mit einem mit zueinander senkrechten Bohrungen versehenen Magnetkern - Google Patents
Magnetspeicher mit einem mit zueinander senkrechten Bohrungen versehenen MagnetkernInfo
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Description
BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND
DEUTSCHES
PATENTAMT
AUSLEGESCHRIFT
Internat. Kl.: H 03 k
Deutsche KL: 21 al-37/06
Nummer: 1186 509
Aktenzeichen: J 23925IX c/21 al
Anmeldetag: 22. Juni 1963
Auslegetag: 4. Februar 1965
Die Erfindung betrifft einen insbesondere als Magnetkern-Matrixspeicher elektronischer Rechenmaschinen
und andere Geräte zur automatischen Datenverarbeitung verwendbaren Magnetspeicher mit
mindestens einem mit zueinander senkrechten Bohrangen versehenen Magnetkern aus einem Material
mit nahezu rechteckiger Hystereseschleife.
Die bisher bekannten derartigen Magnetspeicher, bei denen normale Ringkerne zum Ermöglichen
einer zerstörungsfreien Ablesung mit einer Quer- ία
bohrung versehen sind, haben, wie alle Magnetspeicher mit diskreten Speicherelementen, den Nachteil,
daß ihre Herstellung durch das erforderliche Auffädeln der Speicherelemente schwierig und daher
teuer ist und ihr Raumbedarf durch die Tatsache, daß durch die Bohrung jedes Magnetkernes mehrere
Leiter in verschiedenen Richtungen führen und dieser daher eine bestimmte Mindestgröße aufweisen
muß, kaum mehr verringert werden kann.
Gegenstand der Erfindung ist ein Magnetspeicher der eingangs genannten Art, der diese Nachteile nicht
aufweist, der einfach und platzsparend aufgebaut werden kann und es dadurch ermöglicht, die Speicherkapazität
gegenüber bisher bekannten Speicheranordnungen um mindestens eine Größenordnung zu
erhöhen. Dies wird erfindungsgemäß dadurch erreicht, daß der Magnetkern röhrenförmig ausgebildet
und neben seiner Längsbohrung mit einer Anzahl von Querbohrungen versehen ist, deren Achsen
senkrecht oder nahezu senkrecht auf der Achse der Längsbohrung stehen, und weiterhin dadurch, daß
durch diese Bohrungen Leiter verlaufen, die derart erregbar sind, daß bei koinzidenter Erregung des
durch die Längsbohrung verlaufenden Leiters sowie jeweils eines der durch die Querbohrungen verlaufenden
Leiter ein wellenförmig um die entsprechende Querbohrung herum verlaufender ringförmiger Teil
der Rohrwand des Magnetkernes ummagnetisiert wird.
Im folgenden wird die Erfindung an Hand eines in den Zeichnungen dargestellten Ausführungsbeispieles
eines wortorientierten Magnetkern-Matrixspeichers näher beschrieben.
F i g. 1 a, Ib und 1 c zeigen ein Schema des Magnetspeichers
nach der Erfindung, dessen länglicher Kern 10 aus magnetischem Material eine nahezu
rechteckige Hysteresekurve aufweist. Der Kern 10 hat eine Hauptöffnung 12, und entlang seiner Längenausdehnung
besitzt er einen abgegrenzten Teil mit zwei Sekundäröffnungen 14 und 16. Die Sekundär-Öffnungen
14 und 16 liegen einander so gegenüber, daß die Mittellinie der Öffnungen quer zur Längs-Magnetspeicher
mit einem mit zueinander
senkrechten Bohrungen versehenen Magnetkern
senkrechten Bohrungen versehenen Magnetkern
Anmelder:
International Business Machines Corporation,
Armonk, N. Y. (V. St. A.)
Armonk, N. Y. (V. St. A.)
Vertreter:
Dipl.-Ing. H. E. Böhmer, Patentanwalt,
Böblingen (Württ.), Sindelfinger Str. 49
Als Erfinder benannt:
Robert Frederick Elf ant, Yorktown Heights, N. Y.; Kurt Rudolph Grebe, Beacon, N.Y. (V.StA.)
Beanspruchte Priorität:
V. St. v. Amerika vom 29. Juni 1962 (206 356)
achse des Kerns 10 verläuft. Der abgegrenzte Teil des Kerns 10 besteht aus dem Material, das sich
direkt neben und zwischen den Sekundäröffnungen 14 und 16 befindet. Die Sekundäröffnungen 14 und
16 können entweder zentral angeordnet sein, wie es der Querschnitt des Kerns 10 in F i g. 1 b zeigt, oder
sie können versetzt liegen, wie es der Querschnitt in Fig. Ic zeigt. Ein erster Leiter W ist durch die
Hauptöffnung 12 gefädelt und ist so mit dem ganzen Material des Kerns 10 gekoppelt. Ein zweiter Leiter
B geht durch beide Sekundäröffnungen 14 und 16 hindurch und ist so mit dem abgegrenzten Teil des
Kerns 10 gekoppelt. Das eine Ende des ersten Leiters W ist geerdet, und das andere Ende ist an einen
Impulsgenerator 18 zum Lesen und Rückstellen und einen Wortimpulsgenerator 20 angeschlossen. Bei
dem zweiten Leiter B ist das eine Ende an eine zweipolige Schaltvorrichtung 22 und das andere
Ende an eine ähnliche Schalteinrichtung 24 angeschlossen. Der Schalter 22 verbindet den Leiter B
entweder mit der Erde oder mit einem Bitimpulsgenerator 26, und der Schalter 24 verbindet den
Leiter B entweder mit der Erde oder mit einem Lastwiderstand 28. Die Schalter 22 und 24 sind funktionell
miteinander verbunden, derart, daß entweder der Schalter 22 den Leiter B an den Impulsgenerator
26 anschließt und der Schalter 24 den Leiter B
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erdet oder der Schalter 24 den Lastwiderstand 28 an 16 das durch die Erregung des Leiters W-entstandene
den Leiter B legt und der Schalter 22 den Leiter B magnetische Feld das ^FeId'verstärkt, das durch die
erdet. Erregung des Leiters B entsteht. Im rechten Teil des
Im Betriebszustand wird zunächst der Impuls- sKerns 10 verstärkt angrenzend an die., öffnungΛ14
generator 18 betätigt, um den Leiter W. mit einem 5 das "durch die Erregung des Leiters W- entstehende
negativen Impuls einer solchen Größe zu erregen, magnetische Feld das durch die Erregung des Leidaß
der Kern in eines Bezugs-Remänenzzustand ge- ters B erzeugte magnetische Feld, während angrenbracht
wird, wie es Fig. 2a zeigt. Dort ist die rema- zend an die öffnung 16 das durch die Erregung des
nente Flußverteilung in dem Kern 10 durch mit Pfei- Leiters W gebildete magnetische Feld dem durch die
len versehene Linien 30, 32, 34 und 36 dargestellt. io Erregung des Leiters B erzeugten magnetischen Feld
Zur Erleichterung der Darstellung wird immer dann, entgegengerichtet ist. Die durch die Erregung der
wenn der Leiter W durch den Impulsgenerator 18 Leiter W und B erzeugten Felder heben also einerregt
wird, um den Kern 10 in den Bezugszustand ander im linken Teil des Kerns 10 an der öffnung 14
von Fig. 2a zu bringen, dieser Vorgang nachstehend und im rechten Teil des Kerns 10 an der öffnung 16
als »Auslesen« des Kerns 10 bezeichnet. 15 auf. Diese Felder verstärken einander im rechten Teil
Wenn nun der Kern 10 im Bezugszustand ist, wird des Kerns 10 an der Öffnung 14 und im linken Teil
bei Erregung des Impuisgenerators 20 der Leiter W des Kerns 10 an der öffnung 16. Dort wo diese FeI-
durch. einen positiven. Strom erregt. Dieser erzeugt der einander verstärken, wird die Magnetisierung des
ein magnetisches Feld, das um den Umfang des Materials nicht umkehrbar umgeschaltet, und die
Kerns 10 herum verläuft und dem remanenten Fluß, 20 remanente Fluß verteilung entspricht der in Fig. 2 b
der durch die Linien 30 bis 36 definiert ist, entgegen- dargestellten, die willkürlich als gespeicherte binäre
gerichtet ist. Die Größe des vom Impulsgenerator 20 »1« bezeichnet wird.
gelieferten Stromimpulses wird so gewählt, daß die Aus Fig. 2b, die eine Abwicklung des Kems 10
Größe des· an den Kern 10 angelegten Feldes allein darstellt, geht hervor, daß die remanente Flüßvernicht
ausreicht, um eine vollständige nicht umkehr- 25 teilung in dem Kern 10 gegenüber der von Fig. 2a
bare Änderung der remanenten Magnetisierung des insofern verändert ist, als das an die öffnung 14 anKerns
gemäß F i g. 2 a zu bewirken. Bei Beendigung grenzende Material im rechten Teil des Kems und
des Impulses aus dem Impulsgenerator 18 bleibt das an die öffnung 16 angrenzende Material im linalso
der Kern 10 remanent magnetisiert, wie es ken Teil des Kems entgegengesetzt magnetisiert sind
F i g. 2 a darstellt. 30 und so eine Flußverteilung definieren, wie sie durch
Es sei angenommen, daß die Schalter 22 und 24 die mit Pfeilen versehenen Linien 30, 35, 38, 40 dar-
so betätigt sind, daß das eine Ende des Leiters B gestellt ist. Man sieht, daß die Flußverteilung be-
mit dem Impulsgenerator 26 und das andere Ende züglich der Linien 30 und 36 etwa dieselbe bleibt,
init der Erde verbunden ist und daß der Impuls- aber bei den Linien 38 und 42 eine gebogene und
generator 26 betätigt ist. Der Leiter B wird durch 35 bei der Linie 40, die mit dem Material gekoppelt ist,
den Impulsgenerator 26 mit einem positiven Impuls das angrenzend an die öffnungen 14 und 16 umge-
erregt. Der Leiters koppelt einen abgegrenzten Teil kippt wird, eine geknickte Form annimmt. Bei gleich-
des Keims 10 und erzeugt ein magnetisches Feld, zeitiger Anlegung der magnetischen Felder enthält
welches um die Sekundäröffnungen 14 und 16 des der zwischen den öffnungen 14 und 16 befindliche
Kerns herum im Uhrzeigersinne verläuft. Im linken 40 Teil des Kems 10 eine die remanente Flußverteilung
Teil des Kerns 10 verläuft das Magnetfeld des Lei- darstellende Linie 40, die anzeigt, daß dieser Teil des
ters B angrenzend an die öffnung 14 in Richtung des Kems 10 eine nicht umkehrbare Flußänderüng
remanenten Flusses indem Material und sättigt da- durchmacht.
her das Material weiter, während das an die Öffnung Beim Auslesen des Kerns 10 werden die Schalter
16 im linken Teil angrenzende Material ein Feld er- 45 22 und 24 jeweils so betätigt, daß Leiter B an Erde
hält, das dazu neigt, den Magnetfluß in den entgegen- und an den Lastwiderstand 28 gelegt wird. Wenn im
gesetzten Zustand umzuschalten. Im rechten Teil des Kern 10 eine binäre »1« gespeichert ist (Fig. 2b)
Kerns 10 wird an das an die öffnung 14 angrenzende und dieser ausgelesen wird, um den in Fig. 2a geMaterial
ein Feld angelegt, das dazu neigt, den Ma- zeigten Bezugszustand herzustellen, findet eine nicht
gnetfluß umzuschalten, während das an die öffnung 5° umkehrbare Flußänderung in dem Kern statt. So-16
angrenzende Material weiter in die Sättigung ge- wohl das an die öffnung 14 des rechten Kernteils antrieben
wird. Der von dem Impulsgenerator 26 ge- grenzende Material als auch das an die öffnung 16
lieferte Stromimpuls wird jedoch so gewählt, daß die des linken Kernteils angrenzende Material werden
Größe des durch den Leiter B an den Kern 10 aage- umgeschaltet, und es entsteht in dem Leiter B eine
legten Feldes allein nicht ausreicht, um eine wahr- 55 Spannung, welche diese Flußänderung anzeigt,
nehmbare Änderung in der remanenten Magnetisie- In F i g. 3 ist ein Impulsprogramm der verschierung des Kerns zu bewirken. In der Praxis wird denen Impulsgeneratoren 18, 20 und 26 gezeigt, zuallerdings auch hier eine geringe Flußmenge umge- sammen mit den Ausgangsspannungen, die im Leischaltet, die aber hier außer acht gelassen wird. ter B während einer Ausleseoperation für die ver-
nehmbare Änderung in der remanenten Magnetisie- In F i g. 3 ist ein Impulsprogramm der verschierung des Kerns zu bewirken. In der Praxis wird denen Impulsgeneratoren 18, 20 und 26 gezeigt, zuallerdings auch hier eine geringe Flußmenge umge- sammen mit den Ausgangsspannungen, die im Leischaltet, die aber hier außer acht gelassen wird. ter B während einer Ausleseoperation für die ver-
Es sei nun angenommen, daß der-Kem 10 rema- 60 schiedenen angelegten Felder induziert wird. Wenn
nent magnetisiert ist, wie es F i g. 2 a zeigt, und daß der Leiter W durch den Generator 20 erregt wird
die Impulsgeneratoren 20 und 26 beide betätigt sind, (W20), entsteht im Leiter B während des Auslesens
um gleichzeitig die Leiter W bzw. B zu erregen. In ein kleines positives Ausgangssignal (528). Wenn
dem Unken Teil des Kems 10 ist angrenzend an die nur der Leiter B erregt wird (526), entsteht während
öffnung 14 das durch die Erregung des Leiters W 65 des Auslesens ein weit kleineres Signal (B 28). Wenn
gebildete magnetische Feld dem magnetischen Feld jedoch die Leiter W und B gleichzeitig erregt wer-
entgegengerichtet, das durch die Erregung des Lei- den, wird im Leiter B während des Auslesens des
ters B entsteht, während angrenzend an die öffnung Kems 10 ein Ausgangssignal induziert, das viel grö-
ßer als dasjenige ist, das bei alleiniger Erregung des Leiters W erzeugt wird (Zi 28). In der Praxis verhalten
sich diese beiden Ausgangssignale mindestens wie 10:1.
In F i g. 4 ist ein Matrixspeicher mit dem Magnetspeicher nach der Erfindung schematisch dargestellt.
Der Speicher ist wortorientiert und enthält mehrere Wort-Spaltenleiter Wl bis W 3 und mehrere
Bit-Zeilenleiter Bl bis B 3. Jedem Wortleiter Wl
bis W 3 ist ein röhrenförmiger Kern 10.1 bis 10.3 zugeordnet. Entlang jedes röhrenförmigen Kerns 10.1
bis 10.3 sind mehrere getrennte Sekundäröffnungen paarweise ebenso angeordnet wie die in F i g. 1 a gezeigten
Sekundäröffnungen 14 und 16. Jeder Bit-Zeilenleiter koppelt einen anderen Teil eines Kerns
10.1 bis 10.3. Bei den Wort-Spaltenleitern ist das eine Ende geerdet, während das andere Ende mit
einem Worttreiber 44 verbunden ist, der eine Adressenauswahl einer bestimmten Wortleitung Wl bis
W 3 und die den Impulsgeneratoren 18 und 20 von Fig. la entsprechende Impulserzeugung vornehmen
kann. Die Bit-Zeilenleiter B1 bis B 3 sind mit einem
Bittreiber 46 über zugeordnete Schalter 22.1 bis 22.3 sowie über Schalter 24.1 bis 24.3 mit Lastwiderständen
28.1 bis 28.3 verbunden. Der Treiber 46 erfüllt die Funktion der Bitadressierung und Impulserzeugung
entsprechend dem Impulsgenerator 26 von F i g. 1 a, während die Schalter 22.1 bis 22.3 und
24.1 bis 24.3 den Schaltern 22 und 24 von F i g. 1 a entsprechen. Die Wirkungsweise dieses Speichers
gleicht derjenigen der Vorrichtung von Fig. la. Während der Schreibzeit eines Speichertaktes werden
eine bestimmte Wortleitung Wl bis W 3 und gleichzeitig damit diejenigen Bit-Zeilenleiter Bl bis
B 3 erregt, bei denen eine binäre »1« gespeichert werden soll. Für diejenigen Bitstellen der Kerne 10.1
bis 10.3, in denen entweder der zugehörige Bit-Zeilenleiter oder der entsprechende Wortleiter nicht erregt
ist, findet keine wahrnehmbare Rußänderung statt. Für das Auslesen wird ein ausgewählter Wortleiter
Wl bis W 3 durch einen negativen Impuls erregt, während die Schalter 22 und 24 so betätigt werden,
daß sie die Lastwiderstände 28 mit den Bit-Zeilenleitern B verbinden.
Während die in F i g. 1 a gezeigte Speichervorrichtung den Leiter!? durch entsprechendes Betätigen
der Schalter 22 und 24 sowohl als Informations-Eingabeleiter
als auch als Ausgangsleiter verwendet, kann auch ein weiterer dem Leiter JB entsprechender Leiter
für das Ausgangssignal vorgesehen werden, wodurch die Schalter 22 und 24 unnötig werden. Weiter
dürfte es, obwohl in F i g. 4 ein wortorientierter Speicher dargestellt ist, dem Fachmann ohne weiteres
verständlich sein, daß in gleicher Weise auch ein bitorientierter Speicher aufgebaut werden kann, wenn
lediglich noch ein Inhibitleiter verwendet wird, der parallel zum Leiter W verläuft und mit allen Bitstellen
einer Ebene gekoppelt ist.
Claims (5)
1. Magnetspeicher mit mindestens einem mit zueinander senkrechten Bohrungen versehenen
Magnetkern aus einem Material mit nahezu rechteckiger Hystereseschleife, dadurch gekennzeichnet,
daß der Magnetkern (10) röhrenförmig ausgebildet und neben seiner Längsbohrung (12) mit einer Anzahl von Querbohrungen
(14,16) versehen ist, deren Achsen senkrecht oder nahezu senkrecht auf der Achse
der Längsbohrung stehen und daß durch diese Bohrungen Leiter verlaufen (W, B), die derart
erregbar sind, daß bei koinzidenter Erregung des durch die Längsbohrung verlaufenden Leiters (W)
sowie jeweils eines der durch die Querbohrungen verlaufenden Leiter ein wellenförmig um die entsprechende
Querbohrung (14,16) herum verlaufender ringförmiger Teil (40) der Rohrwand des
Magnetkernes (10) ummagnetisiert wird.
2. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der durch die Längsbohrung
verlaufende Leiter (Wl) einer der Spaltenleiter und die durch die Querbohrungen verlaufenden
Leiter (Bl bis B 3) einige der Zeilenleiter eines Magnetkern-Matrixspeichers sind.
3. Anordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß jeder der durch die
Querbohrungen verlaufenden Leiter (B) durch eine Umschaltvorrichtung (22, 24) wahlweise an
einen Impulsgenerator (26) oder an einen Lastwiderstand (28) anschließbar ist.
4. Anordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß jeder der durch die
Querbohrungen verlaufenden Leiter an einen Impulsgenerator und je ein weiterer parallel verlaufender
Leiter an einen Lastwiderstand angeschlossen ist.
5. Anordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß parallel zu dem durch die
Längsbohrung verlaufenden Leiter ein weiterer Inhibitleiter vorgesehen ist.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
509 507/131 1.65 © Bundesdruckerei Berlin
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US206356A US3289179A (en) | 1962-06-29 | 1962-06-29 | Magnetic memory |
US206403A US3134096A (en) | 1962-06-29 | 1962-06-29 | Magnetic memory |
US250908A US3271748A (en) | 1962-06-29 | 1963-01-11 | Magnetic element and memory |
US253467A US3243870A (en) | 1962-06-29 | 1963-01-23 | Method of making an array of magnetic storage elements |
US325337A US3267447A (en) | 1962-06-29 | 1963-11-21 | Magnetic memory |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1186509B true DE1186509B (de) | 1965-02-04 |
Family
ID=27539541
Family Applications (4)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DEJ23925A Pending DE1186509B (de) | 1962-06-29 | 1963-06-22 | Magnetspeicher mit einem mit zueinander senkrechten Bohrungen versehenen Magnetkern |
DEJ23939A Pending DE1202332B (de) | 1962-06-29 | 1963-06-25 | Magnetspeicher mit einem mit zueinander senkrechten Bohrungen versehenen Magnetkern |
DEJ25099A Pending DE1199323B (de) | 1962-06-29 | 1964-01-11 | Magnetischer Datenspeicher und Verfahren zur Herstellung derartiger Speicher |
DEP1268A Pending DE1268674B (de) | 1962-06-29 | 1964-11-14 | Magnetspeicher mit mindestens einem roehrenfoermigen Magnetkern aus einem Material mit nahezu rechteckiger Hystereseschleife |
Family Applications After (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DEJ23939A Pending DE1202332B (de) | 1962-06-29 | 1963-06-25 | Magnetspeicher mit einem mit zueinander senkrechten Bohrungen versehenen Magnetkern |
DEJ25099A Pending DE1199323B (de) | 1962-06-29 | 1964-01-11 | Magnetischer Datenspeicher und Verfahren zur Herstellung derartiger Speicher |
DEP1268A Pending DE1268674B (de) | 1962-06-29 | 1964-11-14 | Magnetspeicher mit mindestens einem roehrenfoermigen Magnetkern aus einem Material mit nahezu rechteckiger Hystereseschleife |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (5) | US3289179A (de) |
BE (3) | BE634300A (de) |
CH (5) | CH409009A (de) |
DE (4) | DE1186509B (de) |
FR (4) | FR1361117A (de) |
GB (4) | GB998891A (de) |
NL (2) | NL6400483A (de) |
SE (2) | SE315311B (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1300973B (de) * | 1965-03-19 | 1969-08-14 | Philips Patentverwaltung | Verfahren zur Herstellung von Speicher-Matrixanordnungen |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
BE642382A (de) * | 1962-06-29 | |||
US3293624A (en) * | 1963-08-19 | 1966-12-20 | Ibm | Non-destructive readout magnetic memory |
US3403323A (en) * | 1965-05-14 | 1968-09-24 | Wanlass Electric Company | Electrical energy translating devices and regulators using the same |
DE1296203B (de) * | 1965-09-06 | 1969-05-29 | Siemens Ag | Nach dem Koinzidenzprinzip arbeitender Speicher |
DE1946760A1 (de) * | 1969-09-16 | 1971-03-25 | Siemens Ag | Magnetischer Informationsspeicher |
US3818465A (en) * | 1970-07-06 | 1974-06-18 | Velsinsky M | Traveling magnetic domain wall device |
US3866193A (en) * | 1970-07-06 | 1975-02-11 | Velinsky Milton | Asymetric bistable magnetic device |
US3774179A (en) * | 1971-07-22 | 1973-11-20 | J Wiegand | Ferromagnetic storage medium |
US8696403B2 (en) * | 2012-03-26 | 2014-04-15 | Bras To Help Save The Ta Tas, Llc | Surgical Bra with Mastectomy Kit |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL200371A (de) * | 1954-09-13 | |||
US3004243A (en) * | 1957-08-12 | 1961-10-10 | Sperry Rand Corp | Magnetic switching |
NL113479C (de) * | 1958-02-06 | |||
US3134964A (en) * | 1958-03-24 | 1964-05-26 | Ford Motor Co | Magnetic memory device with orthogonal intersecting flux paths |
FR1232690A (fr) * | 1958-03-24 | 1960-10-11 | Ford Motor Co | Perfectionnements apportés aux éléments de circuit pour des dispositifs à mémoire électroniques |
NL239586A (de) * | 1958-05-28 | |||
NL250321A (de) * | 1959-04-10 | |||
GB914365A (en) * | 1959-06-29 | 1963-01-02 | Nat Res Dev | Improvements in data storage apparatus |
FR1267616A (fr) * | 1959-09-16 | 1961-07-21 | Ericsson Telefon Ab L M | Montage de mémoire magnétique |
US3100295A (en) * | 1960-01-25 | 1963-08-06 | Telefunken Gmbh | Method of making magnetic matrices and resulting article |
US3077021A (en) * | 1960-05-27 | 1963-02-12 | Ibm | Method of forming memory arrays |
US3142048A (en) * | 1960-12-16 | 1964-07-21 | Bell Telephone Labor Inc | Magnetic memory circuit |
US3071756A (en) * | 1961-04-11 | 1963-01-01 | Ibm | Magnetic memory |
BE642382A (de) * | 1962-06-29 |
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Cited By (1)
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FR85756E (de) | 1965-12-29 |
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