DE1194907B - Magnetisches Speicherelement - Google Patents
Magnetisches SpeicherelementInfo
- Publication number
- DE1194907B DE1194907B DEJ21913A DEJ0021913A DE1194907B DE 1194907 B DE1194907 B DE 1194907B DE J21913 A DEJ21913 A DE J21913A DE J0021913 A DEJ0021913 A DE J0021913A DE 1194907 B DE1194907 B DE 1194907B
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- transfluxors
- winding
- state
- word
- windings
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004804 winding Methods 0.000 claims description 50
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims description 23
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 7
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 claims description 4
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims 3
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 claims 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000009738 saturating Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/80—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used using non-linear magnetic devices; using non-linear dielectric devices
- H03K17/82—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used using non-linear magnetic devices; using non-linear dielectric devices the devices being transfluxors
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/08—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using multi-aperture storage elements, e.g. using transfluxors; using plates incorporating several individual multi-aperture storage elements
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C15/00—Digital stores in which information comprising one or more characteristic parts is written into the store and in which information is read-out by searching for one or more of these characteristic parts, i.e. associative or content-addressed stores
- G11C15/02—Digital stores in which information comprising one or more characteristic parts is written into the store and in which information is read-out by searching for one or more of these characteristic parts, i.e. associative or content-addressed stores using magnetic elements
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Coils Of Transformers For General Uses (AREA)
- Read Only Memory (AREA)
Description
BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND
DEUTSCHES
PATENTAMT
AUSLEGESCHRIFT
Int. Cl.:
H03k
Deutsche Kl.: 21 al - 37/60
Nummer: 1194 907
Aktenzeichen: J21913IXc/21 al
Anmeldetag: 9. Juni 1962
Auslegetag: 16. Juni 1965
Die Erfindung betrifft ein magnetisches Speicherelement mit mehreren stabilen Betriebszuständen zur
Verwendung in mehrdimensionalen Speichermatrizen.
In größeren Speicheranordnungen elektronischer Rechenmaschinen oder anderer Geräte zur Informationsverarbeitung
werden die einzelnen Speicherelemente im allgemeinen zur Einsparung von Treibergeneratoren
nicht unmittelbar durch je einen Treibergenerator, sondern durch das Zusammenwirken mehrerer,
je einer Koordinatenrichtung zugeordneter Treibergeneratoren aufgerufen. Die bisher bekannten
derartigen Anordnungen weisen den Nachteil auf, daß die Impulse der einzelnen Treibergeneratoren
zumindest beim Einschreiben oder Rückschreiben koinzident oder mindestens überlappend angelegt werden
müssen.
Es ist bereits ein magnetisches Speicherelement mit mehreren stabilen Betriebszuständen bekanntgeworden,
das vier magnetische Flußpfade enthält, die durch drei in einer Gerade liegende Öffnungen
getrennt sind. Durch Erregen von einer bzw. zwei Wicklungen durch die Öffnungen des Speicherelementes
lassen sich den beiden Binärwerten entsprechende bzw. keinem Binärwert entsprechende
Flußrichtungen in den Flußpfaden einstellen. Die 25" Ausgangswicklung ist hierbei mit einem der Flußpfade
verkettet.
Die Erfindung geht von einem derartigen Speicherelement aus. Sie stellt sich die Aufgabe, bei einem
derartigen Speicherelement das erzielbare Nutzsignal möglichst groß zu machen. Bei magnetischen Speichereinrichtungen,
besonders bei solchen mit sehr vielen Speicherelementen, ist es von Wichtigkeit, sowohl
die den beiden Binärwerten entsprechenden Ausgangssignale gut voneinander unterscheiden zu
können als auch den Absolutbetrag eines Signals im Vergleich zu eingestreuten Störsignalen möglichst
groß zu machen.
Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe dadurch
gelöst, daß die Ausgangswicklung mit eine Flußquerschnitt verkettet wird, der etwa doppelt so groß
ist wie bei der bekannten Einrichtung. Außerdem wurde die Zuordnung der Flußrichtungen zu den
Binärwerten so gewählt, daß der mit der Ausgangs·^ wicklung verkettete, doppelte Querschnitt nur dann
von einem Fluß durchsetzt wird, wenn in dem magnetischen Speicherelement Flußrichtungen eingestellt
sind, die demjenigen Binärwert zugeordnet sind, der beim Auslesen ein Signal abgibt; bei allen
anderen möglichen Betriebszuständen führt der mit der Ausgangswicklung verkettete Querschnitt keinen
magnetischen Fluß.
Magnetisches Speicherelement
Anmelder:
International Business Machines Corporation,
Armonk, N. Y. (V. St. A.)
Vertreter:
Dipl.-Ing. H. E. Böhmer, Patentanwalt,
Böblingen (Württ), Sindelfinger Str. 49
Als Erfinder benannt:
Louis Allen Russell, Poughkeepsie, N. Y.
(V. St. A.)
Beanspruchte Priorität:
V. St. v. Amerika vom 12. Juni 1961 (116 411)
Gegenstand der Erfindung ist demnach ein magnetisches
Speicherelement, mit dem Merkmal, daß die Remanenzflußrichtungen des einen Binärwertes mittels
einer ersten, durch die mittlere und im Gegensinn durch eine erste äußere Öffnung verlaufende
Wicklung und die Flußrichtungen des anderen Binärwertes mittels der ersten und einer zweiten, die andere
äußere Öffnung durchsetzenden Wicklung eingestellt werden, daß die keinem Binärwert zugeordneten
Flußrichtungen mittels einer dritten, die äußeren Öffnungen je im Gegensinn durchsetzende Wicklung
eingestellt werden und daß die Ausgangswicklung die mittlere Öffnung durchsetzt.
Beim Speichern von Binärwerten hat es sich als vorteilhaft erwiesen, dem Speicherwert L einen Betriebszustand
des Speicherelementes zuzuordnen, welcher nur beim Erregen der ersten Koordinatenrichtung
verlassen wird, da dann der beim Rückstellen entstehende Ausgangsimpuls stets die gleiche
Amplitude besitzt.
Weitere Merkmale sind den Unteransprüchen zu entnehmen.
Im folgenden wird die Erfindung an Hand eines in der Zeichnung erläuterten Ausführungsbeispiels
näher beschrieben, in welchem ein Transfluxor mit drei nebeneinander angeordneten Öffnungen gleichen
Durchmessers als Speicherlement in einer zweidimensionalen wortorientierten Speichermatrix verwendet
wird.
F i g. 1 zeigt einen Transfluxor 20, welcher durch die drei Öffnungen 28 bis 30 in die vier Schenkel 22
509 580/138
bis 25 und die beiden Joche 26 und 27 geteilt wird. Der Transfluxor trägt eine Rückstellwicklung 32,
welche durch die öffnung 30 in einer ersten Richtung und durch die Öffnung 28 in einer zweiten Richtung
verläuft. Die Rückstellwicklung wird von einem Impulsgenerator 34 mit einem Stromimpuls in der angegebenen
Richtung erregt und dient zum Rückstellen des Transfluxors 20 in seine Ausgangsstellung
sowie zum Ablesen einer gespeicherten Information, wobei nur die Information L ein Ausgangssignal erzeugt.
Daneben trägt der Transfluxor eine 0-Einstellwicklung 36, welche durch die öffnung 29 in einer
ersten Richtung und durch die öffnung 30 in der entgegengesetzten Richtung verläuft. Diese Wicklung
wird von einem Impulsgenerator 38 erregt und dient zum Einstellen des Speicherwertes O. Weiterhin trägt
der Transfluxor eine Wicklung 40, welche in der genannten ersten Richtung durch die Öffnung 28 verläuft,
von dem Impulsgenerator 42 erregt wird und zusammen mit der Wicklung 36 zum Einstellen des
Speicherwertes L dient. Schließlich trägt der Transfluxor 20 eine Ausgangswicklung 44, welche durch
die öffnung 29 verläuft und zum Abfühlen eines durch einen Strom in der Rückstellwicklung 32 verursachten
Wechsels von dem dem Speicherwert L zugeordneten Betriebszustand in den Ausgangszustand
und zum Weiterleiten des dabei auftretenden Spannungsimpulses an den Ausgangsverstärker 46 dient.
In Fig. 2 ist die Arbeitsweise der Anordnung nach F i g. 1 zum Einstellen, Aufrechterhalten und
Abfühlen des Speicherzustandes L dargestellt. F i g. 2 a und 2 c zeigen zwei verschiedene Betriebszustände
des Transfluxors 20 zusammen mit den angelegten Strömen, Fig. 2b und 2d die sich daraufhin
einstellenden Betriebszustände. Fig. 2d gibt weiterhin die Richtung des beim Abfühlen einer gespeicherten
L gemäß Fig. 2c entstehenden Ausgangssignales an.
In Fig. 3c bis 3h ist die Arbeitsweise der Anordnung
nach Fig. 1 zum Einstellen, Aufrechterhalten und Abfühlen des Speicherzustandes O dargestellt.
Auch hier zeigen die linksstehenden F i g. 3 c, 3e und 3 g bestimmte Betriebzustände, die durch
Anlegen der dargestellten Ströme in die rechts dargestellten Betriebszustände gemäß F i g. 3 d, 3 f und
3 h übergehen.
In F i g. 3 a wird der Transfluxor 20 durch einen Strom in der Rückstellwicklung 32 beeinflußt. Unabhängig
von dem Zustand, in welchem der Transfluxor vor dem Anlegen dieses Stromes war, wird er
hierdurch in seinen Ausgangszustand gemäß F i g. 3 b zurückgestellt. In diesem Zustand verläuft der die
einzelnen Schenkel nahezu sättigende remanente Magnetfluß in den Schenkeln 22 und 25 nach unten
und in den Schenkeln 23 und 24 nach oben, so daß um die öffnung 28 ein Magnetfluß im Gegenuhrzeigersinn
und um die Öffnung 30 ein Magnetfluß im Uhrzeigersinn existiert. Hierdurch ist der Magnetfluß
an beiden Enden des Transfluxors ausgeglichen, so daß in den beiden horizontalen Jochen 26 und 27
kein Magnetfluß existiert.
In Fig. 2a befindet sich der Transfluxor 20 in seinem Ausgangszustand. Er wird durch einen Strom
in den Einstellwicklungen 40 und 36 beeinflußt, wodurch er wie folgt in den ZustandL gemäß Fig. 2b
gebracht wird. Der Strom in der Wicklung 36 ist mit dem Schenkel 24 verkettet und trachtet danach, in
diesem Schenkel einen nach unten gerichteten Magnetfluß zu erzeugen. Damit jedoch der Fluß in dem
Schenkel 24 von oben nach unten umgeschaltet werden kann, muß in einem anderen Schenkel der Fluß
von unten nach oben geschaltet werden können. Der Strom in der Einstellwicklung 40 ist mit dem Schenkel
22 in ganz ähnlicher Weise verkettet und trachtet danach, den Fluß in diesem Schenkel von unten nach
oben umzuschalten. Die Ströme in den Wicklungen 40 und 36 wirken daher zusammen und schalten den
Fluß in den Schenkeln 22 und 24 um, während der Fluß in den Schenkeln 23 und 25 bestehenbleibt.
Hierdurch wird das Gleichgewicht des Flusses in dem Transfluxor gestört, da der Fluß in den beiden
rechten Schenkeln 24 und 25 nach unten und in den beiden linken Schenkeln 22 und 23 nach oben verläuft.
Es entsteht daher in dem Transfluxor ein Gesamtfluß in Uhrzeigerrichtung, dabei ist der Fluß in
dem Joch 26 von links nach rechts und in dem Joch 27 von rechts nach links gerichtet. Dieser Fluß in
den horizontalen Jochen 26 und 27 ist charakteristisch für den Zustand L, da in keinem der anderen
Betriebszustände ein horizontaler Fluß existiert.
Dieser Zustand L ist durch keine weiteren Einstellströme zu stören, denn sowohl Ströme in den Einstellwicklungen
36 und 40 als auch in der Einstellwicklung 36 allein finden die entsprechenden Schenkel
bereits in der Richtung gesättigt vor, in welcher sie den Fluß einzustellen trachten.
Der Transfluxor 20 wird gemäß Fig. 2c durch einen Strom in der Rückstellwicklung 32 zurückgestellt
und gleichzeitig ausgelesen. Dieser Strom trachtet danach, wie in F i g. 3 a und 3 b besonders
gezeigt ist, in den Schenkeln 22 und 25 einen Fluß nach unten und in den Schenkeln 23 und 24 einen
Fluß nach oben zu erzeugen. Da jedoch die Schenkel 23 und 25 bereits in den entsprechenden Richtungen
gesättigt sind, wird nur der Fluß in den Schenkeln 22 und 24 umgekehrt, so daß der Transfluxor in seinen
Ausgangszustand gemäß Fig. 2d zurückkehrt. Hierdurch entsteht wieder eine ausgeglichene Flußverteilung
in dem Transfluxor, d. h., um die öffnung 28 entsteht ein Fluß im Gegenuhrzeigersinn und um die
Öffnung 30 ein Fluß im Uhrzeigersinn. Der horizontale Fluß in den Jochen 26 und 27 kann nicht mehr
aufrechterhalten werden. Er fällt von seinem remanenten Wert auf einen unbedeutenden Rest ab, und
es entsteht in der Ausgangswicklung 44, welche mit dem Joch 26 und mit dem Joch 27 verkettet ist, eine
Ausgangsspannung, welche in beiden Fällen so gerichtet ist, daß sie einen Strom in der angedeuteten
Richtung durch die Ausgangswicklung 44 treibt.
In F i g. 3 c ist das Einstellen des Zustandes O
durch Anlegen eines Stromes an die Einstellwicklung 36 gezeigt. Dieser Strom trachtet danach, den nach
oben gerichteten Fluß im Schenkel 24 nach unten umzuschalten. Hierzu muß jedoch der Fluß in einem
weiteren Schenkel von oben nach unten umgeschaltet werden. Da der Schenkel 23 bereits nach oben gesättigt
ist, können höchstens die Schenkel 22 und 25 umgeschaltet werden. Der Schenkel 22 ist weiter vom
Schenkel 24 entfernt als der Schenkel 25. Daher ist auch der magnetische Widerstand des Pfades mit den
Schenkeln 22 und 24 größer als derjenige des Pfades mit den Schenkeln 25 und 24, so daß der Schenkel
25 leichter umschalten kann als der Schenkel 22. Es wird also der Fluß in den Schenkeln 24 und 25 umgekehrt,
und der Transfluxor nimmt den Zustand O nach F i g. 3 d ein.
Claims (5)
- 5 6Die Anordnung nach der Erfindung ist unemp- in den Zustand O nach F i g. 3 d gelangen. Wenn findlich gegen weitere Versuche, den Zustand des später in dem Register für Wort 2 der Wert LL ge-Transfiuxors zu ändern, wenn er sich bereits in speichert werden soll, so muß dieses Register zueinem der Zustände L oder O befindet. Dies wurde nächst durch Anlegen eines Stromes an die Rückfür den Zustand L bereits gezeigt. Im folgenden soll 5 Stellwicklung 32-3 rückgestellt werden, wie es im Zunun dargelegt werden, daß dies auch für den Zu- sammenhang mit F i g. 3 a beschrieben wurde, wostand O gilt. In F i g. 3 e wird im Zustand O des durch die Transfluxoren 20-21 und 20-22 in ihren Transfluxors ein Strom an die Einstellwicklungen36 Ausgangszustand nach Fig. 3b gebracht werden, und 40 angelegt. Der Schenkel 24' ist bereits nach Anschließend wird durch Anlegen eines Stromes an unten gesättigt, so daß der Strom in der Einstell- io die Einstellwicklungen 36-1 und 40-1 der Transwicklung 36 keinen Einfluß hat. Dagegen vermag der fluxor 20-21 und durch Anlegen eines Stromes an Strom in der Einstellwicklung 40 den Fluß in den die Einstellwicklungen 36-2 und 40-2 der TransSchenkeln 22 und 23 umzukehren. Die damit erhal- fluxor20-22 in den ZustandL nach Fig. 2d getene Flußverteilung nach Fig. 3f für einen Zu- bracht. Die Ströme in den Einstellwicklungen36-1 stand O unterscheidet sich von der Flußverteilung 15 und 40-1, 36-2 sowie 40-2 haben, wie bereits benach F i g. 3 d für den Zustand O dadurch, daß der schrieben, keinen Einfluß auf die Transfluxoren Fluß um die Öffnung 28 entgegengesetzt verläuft. Sie 20-11 und 20-12 des Registers für Wort 1, da einmal ist ihr aber insofern äquivalent, als in beiden Fällen der Transfluxor 20-11 sich bereits in dem Zustand L in den beiden horizontalen Jochen 26 und 27 kein befindet und zum anderen der Transfluxor 20-12, der Fluß existiert, so daß beim Zurückstellen durch einen 20 vorher im Zustand O war, durch den Strom in den Strom in der Wicklung 32 in beiden Fällen keine Einstellwicklungen 36-2 und 40-2 in der im Zusam-Ausgangsspannung in der Ausgangswicklung 44 ent- menhang mit F i g. 3 e beschriebenen Weise in den steht. Der Strom in der Rückstellwicklung 32 vermag Zustand O nach F i g. 3 f gelangt. Auf diese Weise nämlich im Zustand O gemäß F i g. 3 g lediglich den ist es also möglich, den Einfluß der Einstellwicklun-Fluß um die Öffnung 30 und im Zustand O nach 25 gen auf diejenigen Wortregister zu beschränken, F i g. 3 f lediglich den Fluß um die beiden Öffnungen welche vorher in ihren Ausgangszustand zurück-28 und 30 umzukehren, so daß in keinem der beiden gestellt wurden.Joche 26 und 27 eine Flußänderung stattfindet und Ein Arbeitszyklus der Speicheranordnung nach derin beiden Fällen der Ausgangszustand nach Fig. 3h Erfindung besteht wie bei den bekannten derartigeneintritt. Es sei noch besonders darauf hingewiesen, 30 Anordnungen aus dem Ablesen bzw. Rückstellendaß die Ausgangszustände nach Fig. 2a, 2d, 3b, eines Wortregisters und dem darauffolgenden Ein-3 h identisch sind. schreiben neuer Information bzw. Wiedereinschrei-Fig. 4 zeigt die Anwendung einer Anordnung ben der soeben abgelesenen Information. Während nach F i g. 1 in einer zweidimensionalen wortorien- nun bei den bisher bekannten Speicheranordnungen tierten Speichermatrix mit einer Kapazität von bei- 35 sowohl beim Rückstellen als auch beim Einschreiben spielsweise zwei Wörtern zu je zwei Bits. Dabei ein Adressieren des betreffenden Wortregisters ersollen die Transfluxoren 20-11 und 20-12 zum forderlich ist, muß in der Speicheranordnung nach Wort 1 und die Transfluxoren 20-21 und 20-22 zum der Erfindung diese Adressierung nur einmal beim Wort 2 gehören und die Transfluxoren 20-11 und Rückstellen des Wortregisters durchgeführt werden, 20-21 dem Bit 1 und die Transfluxoren 20-12 und 40 da durch das Rückstellen das Register auch wieder 20-22 dem Bit 2 zugeordnet sein. Durch Erregen der zur Aufnahme von Information vorbereitet wird. Einstellwicklung 36-1 können die Transfluxoren Durch diese Eigenschaft der Speicheranordnung nach 20-11 oder 20-21 in den Zustand O oder, durch der Erfindung kann die Steuereinrichtung für die gleichzeitiges Erregen einer weiteren Wicklung 40-1, Speicheranordnung beträchtlich einfacher aufgebaut in den Zustand!, gebracht werden. Beim Ablesen 45 werden.einer L in einem der beiden Transfluxoren 20-11 Beim Aufbau und Betrieb der Speicheranordnung oder 20-21 entsteht in der Ausgangswicklung 44-1 nach der Erfindung treten keine kritischen Faktoren, für das Bit 1 ein Ausgangssignal. Ähnliche Wick- wie z. B. Transfluxorabmessungen und Stromamplilungen befinden sich auf den Transfluxoren 20-12 tuden, auf. Es hat sich aber als vorteilhaft erwiesen, und 22-22, welche dem Bit 2 der Matrix zugeordnet 50 die Joche der Transfluxoren mit dem doppelten sind. Durch die Transfluxoren 20-12 und 20-11 Querschnitt auszubilden wie die Schenkel, und die führt eine Rückstellwicklung 32-1 zum Rückstellen Transfluxoren aus einem Magnetmaterial herdieser beiden zum Wort 1 gehörenden Transfluxoren. zustellen, dessen Hystereseschleife nahezu recht-Ähnlich führt eine Rückstellwicklung 32-2 durch die eckig ist.Transfluxoren 20-22 und 20-21 zum Rückstellen 55 Patentansprüche·
dieser zum Wort 2 gehörenden Transfluxoren.Es sei zunächst angenommen, daß in der Anord- 1. Magnetisches Speicherelement mit vier nung nach Fig. 4 keine der Transfluxoren einen durch drei auf einer Geraden liegenden Öffnun-Sättigungsfluß führen. Wenn z. B. in den zum Bit 1 gen getrennten Flußpfaden etwa gleichen Quergehörenden Transfluxoren 20-11 und 20-21 eine L 60 Schnitts und mit die Öffnungen durchsetzenden eingeschrieben werden soll, so werden die Einstell- Wicklungen zur Einstellung solcher Remanenzwicklungen 36-1 und 40-1 mit einem Strom erregt, flußrichtungen in den Flußpfaden, welche je wie es im Zusammenhang mit Fig. 2 a beschrieben einem Binärwert bzw. keinem Binärwert zugeordwurde. Hierdurch werden die Transfluxoren in den net ist, sowie einer Ausgangswicklung, da-ZustandL nach Fig. 2b gebracht. Wenn weiterhin 65 durch gekennzeichnet, daß die Remain den Transfluxoren 20-12 und 20-22 eine O ge- nenzflußrichtungen des einen Binärwertes mittels speichert werden soll, so wird die Einstellwicklung einer ersten durch die mittlere und im Gegensinn 36-2 gemäß F i g. 3 c erregt, so daß die Transfluxoren durch eine erste äußere Öffnung verlaufendeWicklung (36) und die Flußrichtungen des anderen Binärwertes mittels der ersten und einer zweiten die andere äußere Öffnung durchsetzenden Wicklung (40) eingestellt werden, daß die keinem Binärwert zugeordneten Flußrichtungen mittels einer dritten, die äußeren öffnungen je im Gegensinn durchsetzenden Wicklung (32) eingestellt werden und daß die Ausgangswicklung (44) die mittlere öffnung durchsetzt. - 2. Magnetisches Speicherelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die zur Einstellung der Remanenzflußrichtungen dienenden Wicklungen (32, 36, 40) mit Erregerströmen nur einer Polarität gespeist werden.
- 3. Zweidimensionale wortorientierte Speichermatrix mit Speicherelementen nach den Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Wortauswahl zum Auslesen der Speichermatrix vermittels durch die Speicherelemente je einer Spalte der Speichermatrix verlaufender Rückstellwicklungen (32-2) und die Einstellung der Speicherwerte O oder L vermittels durch die Speicherelemente je einer Zeile der Speichermatrix verlaufender Einstellwicklungen (36-1, 40-1) erfolgt.
- In Betracht gezogene Druckschriften:
österreichische Patentschrift Nr. 203 765. - Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US116411A US3213434A (en) | 1961-06-12 | 1961-06-12 | Mono-selected matrix and storage element therefor |
US118979A US3213435A (en) | 1961-06-12 | 1961-06-22 | Magnetic storage device and system |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1194907B true DE1194907B (de) | 1965-06-16 |
Family
ID=26814213
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DEJ21913A Pending DE1194907B (de) | 1961-06-12 | 1962-06-09 | Magnetisches Speicherelement |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US3213434A (de) |
DE (1) | DE1194907B (de) |
GB (2) | GB943181A (de) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3298003A (en) * | 1962-12-14 | 1967-01-10 | Amp Inc | Core device |
US3314054A (en) * | 1963-03-22 | 1967-04-11 | Westinghouse Electric Corp | Non-destructive readout memory cell |
US3373411A (en) * | 1963-11-06 | 1968-03-12 | Sperry Rand Corp | Memory apparatus and method for sampling transient electrical signals |
US3378821A (en) * | 1963-12-23 | 1968-04-16 | Ibm | Magnetic thin film memory apparatus with elongated aperture |
US3344414A (en) * | 1964-03-05 | 1967-09-26 | Rca Corp | Magnetic shift register |
US3432824A (en) * | 1964-06-25 | 1969-03-11 | Us Air Force | Multiapertured magnetic memory element |
US3344415A (en) * | 1965-05-27 | 1967-09-26 | Rca Corp | Magnetic shift register |
US3500355A (en) * | 1967-01-30 | 1970-03-10 | North American Rockwell | Non-destructive readout memory element having dual apertures |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
AT203765B (de) * | 1957-07-31 | 1959-06-10 | Western Electric Co | Magnetische Speicheranordnung |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2685653A (en) * | 1952-01-31 | 1954-08-03 | Burroughs Corp | Gate circuit |
US3007141A (en) * | 1956-04-09 | 1961-10-31 | Research Corp | Magnetic memory |
US3126530A (en) * | 1959-02-20 | 1964-03-24 | Energy | |
US3040305A (en) * | 1959-11-02 | 1962-06-19 | Bell Telephone Labor Inc | Magnetic memory circuits |
US3023400A (en) * | 1960-10-24 | 1962-02-27 | Ibm | Non-destructive read out ferrite memory element |
-
1961
- 1961-06-12 US US116411A patent/US3213434A/en not_active Expired - Lifetime
- 1961-06-22 US US118979A patent/US3213435A/en not_active Expired - Lifetime
-
1962
- 1962-06-04 GB GB21382/62A patent/GB943181A/en not_active Expired
- 1962-06-09 DE DEJ21913A patent/DE1194907B/de active Pending
- 1962-06-12 GB GB22540/62A patent/GB983323A/en not_active Expired
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
AT203765B (de) * | 1957-07-31 | 1959-06-10 | Western Electric Co | Magnetische Speicheranordnung |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US3213434A (en) | 1965-10-19 |
GB943181A (en) | 1963-12-04 |
US3213435A (en) | 1965-10-19 |
GB983323A (en) | 1965-02-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE1239731B (de) | Magnetisches Speicherelement | |
DE1259387B (de) | Speichermatrix | |
DE1058284B (de) | Magnetkernmatrix-Speicheranordnung mit mindestens einer Schaltkernmatrix | |
DE1194907B (de) | Magnetisches Speicherelement | |
DE1424575B2 (de) | Magnetischer festwertspeicher | |
DE1186509B (de) | Magnetspeicher mit einem mit zueinander senkrechten Bohrungen versehenen Magnetkern | |
DE1268678B (de) | Magnetische Speicheranordnung | |
DE1449806C3 (de) | Matrixspeicher | |
DE1047248B (de) | Schaltungsanordnung zum Registrieren und/oder Reproduzieren von Informationen | |
DE1149391B (de) | Anordnung zur Steuerung des Auslesevorgangs bei Magnetkernspeichern | |
DE1299326B (de) | Speicherverfahren fuer einen aus einer Verzoegerungsleitung aufgebauten dynamischen Speicher und Anordnung zur Durchfuehrung des Verfahrens | |
DE1299035B (de) | Schaltung zum Einschreiben in einen Matrixspeicher oder zum Ablesen aus einem Matrixspeicher | |
DE1229589B (de) | Schaltungsanordnung zur selektiven Betaetigung von stromerregten Vorrichtungen | |
DE1108956B (de) | Dauerspeicher mit in Reihen von je ?-gruppierten, magnetisch bistabilen Kernen | |
DE1268676B (de) | Magnetkernspeicher | |
DE1186244B (de) | Vergleichsschaltung | |
DE1181276B (de) | Datengeber aus matrixfoermig angeordneten Ferrit-Ringkernen | |
DE1204269B (de) | Verfahren zum Ablesen einer Magnetelement-matrix und Speichermatrix zur Durchfuehrung des Verfahrens | |
DE1292197B (de) | Informationsspeicherschaltung mit Drahtspeicherelementen | |
DE1178896B (de) | Matrix-Waehlanordnung | |
DE1216366B (de) | Speicheranordnung | |
AT233871B (de) | Verfahren zum Ablesen von in Matrixform angeordneten magnetisierbaren Elementen und Speichermatrix zur Durchführung dieses Verfahrens | |
DE1282086B (de) | Verfahren zum Betrieb eines Ferritplatten-Magnetspeichers | |
DE1499715C (de) | Magnetischer Dünnschichtspeicher | |
DE1186107B (de) | Magnetspeicher mit mindestens einer Platte aus einem magnetisierbaren Material |