DE1229589B - Schaltungsanordnung zur selektiven Betaetigung von stromerregten Vorrichtungen - Google Patents
Schaltungsanordnung zur selektiven Betaetigung von stromerregten VorrichtungenInfo
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Description
BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND
DEUTSCHES
PATENTAMT
AUSLEGESCHRIFT
Int. Cl.:
GlIc
Deutsche Kl.: 21 al - 37/60
Nummer: 1229 589
Aktenzeichen: R 34813IX c/21 al
Anmeldetag: 28. März 1963
Auslegetag: 1. Dezember 1966
Die Erfindung bezieht sich auf eine Schaltungsanordnung, die eine Mehrzahl von Vorrichtungen
enthält, von denen bestimmte ausgewählt und betätigt werden sollen. Insbesondere bezieht sich die
Erfindung auf eine Steuerschaltung, um stromerregte Vorrichtungen selektiv in Abhängigkeit von Erregersignalen
zu betätigen.
Vorrichtungen zum Lochen von Lochkarten oder zum Lochen eines Bandes und ferner elektromechanische
Druckeinrichtungen stellen Beispiele für Einrichtungen dar, in denen eine Anzahl von- stromerregten
Elementen, beispielsweise Lochhämmer oder Druckhämmer, verwendet wird. Im allgemeinen werden
diese Vorrichtungen mittels eines Solenoids betätigt und erfordern ein Betätigungssignal von einer
bestimmten Mindestdauer. Aus der Vielzahl der erwähnten Vorrichtungen können auch einzelne in Abhängigkeit
von Informationssignalen ausgewählt werden, die vorher in einem Signalspeicher gespeichert
wurden. Eine erstrebenswerte Form eines derartigen zo
Signalspeichers ist ein Speicher mit magnetischen Kernen, da ein derartiger Speicher sowohl sehr
schnell arbeiten kann als auch verhältnismäßig billig ist und schließlich sehr zuverlässig ist. Eine Schwierigkeit
besteht darin, daß die Informationssignale von einem derartigen Speicher häufig eine nicht ausreichende
Dauer und Amplitude besitzen, um die Solenoide zu betätigen, welche eine verhältnismäßig
Tange Ansprechzeit aufweisen.
Gemäß dem Stand der Technik wurde das Amplitudenproblem
durch Verwendung von ebenso vielen Verstärkern gelöst, als Solenoide in der Schaltung
vorhanden waren. Mittels eines Zwischenspeichers, beispielsweise einer Flip-Flop-Anordnung, wurde das
Problem der zu geringen Dauer der Erregersignale gelöst. Die Nachteile der bekannten Einrichtungen
bestehen darin, daß eine große Zahl von Verstärkern und Zwischenspeicher die Kosten der ganzen Anlage
erhöhen, ihren Raumbedarf steigern und ferner auch zur Störanfälligkeit beitragen.
Der Zweck der Erfindung besteht darin, eine Schaltungsanordnung anzugeben, welche keine getrennten
Verstärker benötigt, welche außerdem stromerregte Vorrichtungen mit verhältnismäßig
langer Ansprechzeit mit kurzen Signalen zu steuern gestattet, beispielsweise mit Signalen, die aus einem
Speicher entnommen wurden.
Die Erfindung betrifft eine matrizenförmig aufgebaute Auswahlschaltung mit einem Matrixspeicher
zur Lieferung von Signalen zur Betätigung bzw. Nichtbetätigung von stromerregten Vorrichtungen,
die ihrerseits durch die Auswahlschaltung ausgewählt Schaltungsanordnung zur selektiven Betätigung
von stromerregten Vorrichtungen
von stromerregten Vorrichtungen
Anmelder:
Radio Corporation of America,
New York, N. Y. (V. St. A.)
Vertreter:
Dr.-Ing. E. Sommerfeld und Dr. D. v. Bezold,
Patentanwälte, München 23, Dunantstr. 6
Patentanwälte, München 23, Dunantstr. 6
Als Erfinder benannt:
Gerald Spector, Philadelphia, Pa.;
James Vernon Fayer,
Lindenwold, N. J. (V. St. A.)
Gerald Spector, Philadelphia, Pa.;
James Vernon Fayer,
Lindenwold, N. J. (V. St. A.)
Beanspruchte Priorität:
V. St. v. Amerika vom 3. April 1962 (184 818)
werden, wobei die Auswahlschaltung je Speicherelement ein Koinzidenzgatter enthält, dessen erster
Eingang an alle Speicherelemente, dessen zweiter und dritter Eingang an die Adressierschaltungen des
Speichers angeschlossen sind, um ein Gatter zu aktivieren, wenn das zugeordnete Speicherelement adressiert
wird. Die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß jede der stromerregten Vorrichtungen über eine
signalgesteuerte bistabile Schaltvorrichtung an eines der Koinzidenzgatter angeschlossen ist, daß eine Erregerschaltung
an alle stromerregten Vorrichtungen angeschlossen ist, um ihnen einen Erregerimpuls, der
gleichzeitig den die Information »1« bzw. »0« liefernden Matrixspeicher ansteuert, zuzuführen, so daß,
wenn eines der Koinzidenzgatter aktiviert ist, die zugeordnete Schaltvorrichtung in den einen ihrer Betriebszustände
gebracht wird und die mit ihr in Reihe liegende stromerregte Vorrichtung für eine der Breite
des Erregerimpulses entsprechende Dauer aktiviert wird.
F i g. 1 ist ein Blockschaltbild einer dem Stand der Technik entsprechenden Schaltungsanordnung zur
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selektiven Betätigung von stromerregten Vorrichtungen;
F i g. 2 ist ein schematisches Schaltbild einer Einrichtung gemäß der Erfindung;
F i g. 3 a ist eine Darstellung eines gesteuerten PNPN-Siliziumgleichrichters, der als bistabiles Element
in der Schaltung nach Fig. 2 benutzt ist; ·
Fig. 3b ist eine mit zwei Transistoren arbeitende, der Einrichtung nach F i g. 3 a äquivalente Schaltung,
und
F i g. 4 ist ein Stromspannungsdiagramm eines gesteuerten Siliziumgleichrichters.
F i g. 1 enthält eine bekannte Schaltung, die sich für Lochungszwecke mit elektromechanischer Betätigung
des Lochstempels und für Druckzwecke eignet. Die Solenoide 524 a bis 524 d dienen zur Betätigung
einer gleich großen Zahl von Vorrichtungen, von denen eine bei D24ä dargestellt ist. Die betätigten
Vorrichtungen können beispielsweise Druckhämmer sein. Jedes Solenoid 524 wird durch einen Strom erregt,
welcher seine Spule für eine über einer gewissen Mindestdauer liegende Zeit durchfließt. Ein Signalspeicher
410 dient zur Speicherung derjenigen Informationen, die zur Auswahl eines gewünschten Solenoids
oder mehrerer gewünschter Solenoide benutzt werden. Der Signalspeicher 410 kann aus einer Mehrzahl
von magnetischen Kernen bestehen, beipielsweise aus ebenso vielen magnetischen Kernen, als verschiedene
Solenoide524a bis S24d vorhanden sind. Es kann beispielsweise der Kern C 24 α dem Solenoid
S 24 α entsprechen, der Kern C 24 b dem Solenoid
S 24 b usw. Der Einfachheit der Darstellung halber ist der Speicher 410 als nur aus zweimal zwei Kernen
bestehend dargestellt, jedoch werden normalerweise die betreffenden; Signalspeicher eine viel größere
Kapazität besitzen. Im Signalspeicher 410 wird die Information an gewünschten Speicherstellen in Abhängigkeit
von den Spaltenadressenkreisen 220 und den Zeilenadressenkreisen 230 gespeichert. Diese
Ädressenkreise 220 und 230 stellen bekannte Schaltungsanordnungen dar und arbeiten derart, daß den
Spaltenspulen und Zeilenspulen des gewünschten Kerns C 24 selektiv Ströme zugeführt werden.
Die Ausgangsseite des ausgewählten Kerns wird an einen von vier Leseverstärkern 310 α bis 310 d
durch eine von vier Lesewicklungen angeschlossen. Beispielsweise erhält der Verstärker 310 a den Ausgangsstrom
des Kerns C 24 α usw. Die Ausgangsseiten der Verstärker werden an die Einstellungseingänge 5 der Flip-Flops eines Speicherregisters 240
angeschlossen, welches eine getrennte Stufe für jeden der Leseverstärker 310 a bis 31Od enthält. Ein binäres
Signal, beispielsweise das Signal »eins«, welches dem Signalspeicher entnommen wird, bewirkt eine
Einstellung oder Betätigung des angeschlossenen Flip-Flops. Wenn ein Flip-Flop eingestellt oder betätigt
ist, so ist der Ausgang »eins« des Flip-Flops beispielsweise ein niedriger Strompegel. Nach der
Rückstellung ist der Strompegel »eins« jedoch hoch. Für das Register 240 kann eine gemeinsame Rückstellung
R verwendet werden. Der Zustand Sa des Registers speichert, das dem Kern C 24 α entnommene
Informationssignal, der Zustand 5& die dem Kern
C 24 b entnommene Information usw.
Jede Stufe des Registers 240 wird durch einen anderen der Stromverstärker 600 α bis 600 d an eines der
Solenoide524a bis 524d angeschlossen. Die Verstärker
600 liefern bei Erregung durch ein Flip-Flop-Signal des Registers 240 einen relativ starken Strom
an die betreffenden Solenoide.
Das Register 240 speichert temporär die Ausgangssignale des Signalspeichers, so daß die resultierenden
Befehlssignale eine genügende Dauer besitzen, um die Solenoide zu erregen.
Fig. 2 ist eine schematische Darstellung einer Schaltungsanordnung gemäß der Erfindung. Sie enthält
einen Speicher 400, der beispielsweise zwölf magnetische Kerne, die in vier Spalten und in drei
Zeilen angeordnet sind, enthalten kann. Die Information
wird in jedem Kern durch Ströme gespeichert, welche durch die Spaltenadressenkreise 200 und die
Zeilenadressenkreise 210 gleichzeitig zugeführt werden. Jeder der vier Ausgänge der Spaltenadressenkreise
200 ist an eine der vier Spaltenspulen 920 a bis 920 d angeschlossen. Jeder der drei Ausgänge der
Zeilenadressenkreise 210 ist dem entsprechend an eine der drei Zeilenspulen 910 a bis 910 c angeschlos-
zo sen. Die Zeilenspulen 910 und die Spaltenspulen 920 durchsetzen die betreffenden Speicherkerne und sind
je an eine positive Vorspannungsquelle F2 angeschlossen.
Eine Lesewicklung 930 ist mit allen Speicherkernen des ganzen Speichers verkettet und ist an
einem Ende an die positive Vorspannungsquelle F2 und am anderen Ende an den Leseverstärker 300 angeschlossen,
so daß die Ausgangssignale jedes der magnetischen Kerne den Verstärker 300 erreichen.
Die Ausgangsklemme des Verstärkers 300 ist an die Eingangsklemmen einer Anzahl gleichartiger Signalsteuergatter
(z.B. G23) angeschlossen. Jedes dieser Gatter ist einem Magnetkern im Speicher 400 zugeordnet,
als beispielsweise das Gatter G 23 dem Kern C 23. Die Signalsteuergatter haben drei Eingänge
und geben nur dann ein Signal ab, wenn an sämtlichen drei Eingängen ein Signal anliegt (Dreifach-Und-Schaltung).
Der Einfachheit halber ist in F i g. 2 nur das Gatter
G 23 dargestellt, die übrigen Gatter sind in entsprechender Weise geschaltet. Die Gatter enthalten die
Dioden 30 a, 30 & und 30 c. Die Kathoden der Dioden 30 a, 30 b und 30 c sind im Punkt 31 zusammengeschaltet.
Die Anoden dieser Dioden bilden die Eingangsklemmen der Gatter, z. B. des Gatters G 23.
Die Ausgangsseite des Verstärkers 300 ist an alle ersten Eingangsklemmen der Gatter jeweils an der
Anode der Diode 30 b angeschlossen. Was das Gatter G 23 betrifft, so ist die Zeilenausgangsseite »2« des
Zeilenadressenkreises 210 an eine zweite Eingangsklemme des Gatters G 23 an der Anode der Diode
30 a angeschlossen und die Spaltenausgangsseite »3« des Spaltenadressenkreises 200 an die dritte Eingangsklemme
des Gatters G 23 an der Anode der Diode 30 c angeschlossen. Jedes betrachtete Paar von
Ausgangsklemmen des Spaltenadressenkreises 200 und des Zeilenadressenkreises 210 ist an zwei Eingänge
der übrigen elf Gatter angeschlossen, die den übrigen Speicherstellen zugeordnet sind.
Der gemeinsame Schaltungspunkt 31 ist über einen Widerstand 42 an eine negative Vorspannung F3 angeschlossen
und über einen Widerstand 40 mit der Basiselektrode 78 eines Transistors 90 verbunden.
Die Basiselektrode 78 ist über einen Widerstand 43 mit einer positiven Vorspannung F1 verbunden. Die
Emitterelektrode 80 des Transistors 90 ist mit einer positiven Vorspannung F2 verbunden, die Kollektorelektrode
79 dieses Transistors über einen Widerstand 45 mit der negativen Vorspannung F3. Der
Kollektor 79 ist durch eine sogenannte Klemmdiode 32 normalerweise an ein Bezugspotential, welches als
Erde gezeichnet ist, gebunden. Wenn negative Signale gleichzeitig allen Eingangsklemmen des Gatters G 23
zugeführt werden, wird der Transistor 90 stromdurchlässig gemacht, und die Kollektorspannung
steigt von ihrem normalen Wert auf einen gegenüber Erde positiven Betrag.
Die Ausgangsseite des Gatters G 23 ist über einen
trode 77 des Transistors 93 ist über eine Diode 36 an Erde und an die Emitterelektrode 86 des Transistors
94 angeschlossen. Die Ausgangselektrode 84 des dritten Transistors 94 bildet die Ausgangsklemme
5 der Erregerschaltung 500.
F i g. 3 a zeigt das Ersatzschaltbild eines gesteuerten
PNPN-Siüziumgleichrichters, wie er in F i g. 2 wiederholt verwendet wird. Dieser Gleichrichter hat
eine Gatterelektrode G, eine Anode A und eine
Kondensator 60 an eine Reihenschaltung einer bi- io Kathode K. Derartige gesteuerte Gleichrichter sind
stabilen Schaltvorrichtung, beispielsweise eines ge- an sich bekannt. Die gleiche bistabile Arbeitsweise
kann durch Benutzung von zwei getrennten Transistoren gemäß dem Ersatzschaltbild nach Fig. 3b
erhalten werden. Dort ist ein PNP-Transistor 700 mit
dieser Kondensator gleichzeitig an einer negativen Vorspannungsquelle F4, die außerdem mit der Ka-
steuerten Siliziumgleichrichters SCR 23 und eines
Solenoids 523 angeschlossen. Der Kondensator 60
ist über einen Widerstand 44 mit dem Gitter oder der
Steuerelektrode 120 des gesteuerten Gleichrichters 15 seinem Kollektor bzw. mit seiner Basis mit der Basis verbunden. Über einen Widerstand 46 liegt bzw. dem Kollektor eines NPN-Transistors 710 verbunden. Der Emitter 800 des Transistors 700 entspricht der Anode A, der Emitter 850 des Transistors
Solenoids 523 angeschlossen. Der Kondensator 60
ist über einen Widerstand 44 mit dem Gitter oder der
Steuerelektrode 120 des gesteuerten Gleichrichters 15 seinem Kollektor bzw. mit seiner Basis mit der Basis verbunden. Über einen Widerstand 46 liegt bzw. dem Kollektor eines NPN-Transistors 710 verbunden. Der Emitter 800 des Transistors 700 entspricht der Anode A, der Emitter 850 des Transistors
thode 110 des Gleichrichters SCR 23 verbunden ist. 710 entspricht der Kathode K, und die Basis des
Die Anode 130 dieses Gleichrichters SCR 23 ist über 20 Transistors 710 entspricht dem Gatter G des Gleicheinen
Widerstand 48 an das Solenoid 523 ange- richters in F i g. 3 a.
schlossen. Ein Widerstand 50 ist diesem Solenoid Der gesteuerte Siliziumgleichrichter arbeitet inso-
parallel geschaltet, um einen Stromweg zu bilden, fern analog einem Thyratron oder Ingotron, als auch
wenn SCR 23 stromdurchlässig gemacht ist. Hier- diese Vorrichtungen über die Beendigung eines Ausdurch
wird die Verzögerung, welche von der induk- 25 löseimpulses hinaus leitfähig bleiben, vorausgesetzt,
tiven Belastung durch das Solenoid hervorgerufen daß eine geeignete Anodenspannung und ein geeigwird,
ausgeschaltet und die Einschaltzeit des Gleich- neter äußerer Stromweg vorhanden sind. F i g. 4 zeigt
richters SCR 23 verkleinert. Mit D 23 ist eine Vor- die Stromspannungskennlinie eines gesteuerten SiIirichtung
nach Art eines Druckhammers bezeichnet, ziumgleichrichters. Wenn der Gleichrichter in seiner
welche durch den Stromfluß durch das Solenoid 523 30 Durchlaßrichtung vorgespannt ist, wird durch einen
betätigt wird. Strom IGl, welcher der Gatterelektrode des Gleich-
DieSolenoide 5OO bis 5O3, 510 bis 513 und 520 richters zugeführt wird, der Gleichrichter über seinen
bis 523 sind alle an den Schaltungspunkt 32 ange- Bereich negativen Widerstands hinweg in den Beschlossen.
Jedes der Solenoide SOO bis 5O3, 510 reichen hohen Stromes übergeführt. Der Gleichrichter
bis 513 und 520 bis 523 ist mit seinem anderen 35 bleibt nun stromdurchlässig, bis die Anoden-Katho-Ende
an die Anode eines der gesteuerten Silizium- den-Strecke unterbrochen wird, was beispielsweise
gleichrichter SCROO bis SCRO 3, SCR 10 bis 5Ci? 13 dadurch geschehen kann, daß man eine umgekehrte
und SCR 20 bis SCR 23 (nicht mit dargestellt) ange- Spannung an die Anode anlegt. Die Unterbrechung
schlossen. Die Steuerelektrode jedes dieser gesteuer- des Anodenstromes des Gleichrichters kann auch
ten Siliziumgleichrichter ist mit der Ausgangsseite 40 dadurch geschehen, daß man die Größe des Stromes
von getrennten Steuergattern (nicht dargestellt) ver- in der Anoden-Kathoden-Strecke unter einen Wert In
bunden, die je drei Eingänge besitzen, wie es bei dem vermindert. Dieser Stromwert ist diejenige Strom-Gatter
G 23 der Fall ist. größe am Ende des Bereiches negativen Widerstandes,
Eine Erregerschaltung 500 ist an den gemeinsamen Fig. 4 zeigt außerdem bei /G2, daß die Durchlaß-Schaltungspunkt
32 angeschlossen. Dieser Kreis 500 45 spannung noch weiter vermindert werden kann, wenn
enthält einen ersten Transistor 92, welcher mit seiner der der Gatterelektrode des Gleichrichters zugeführte
Emitterelektrode 76 an eine positive Vorspannung Strom erhöht wird.
F0 angeschlossen ist und mit seiner Kollektorelek- Zur Erläuterung der Wirkungsweise sei beispiels-
tröde 74 über einen Widerstand 56, der in Reihe mit weise angenommen, daß die Vorrichtung D 23 beeinem
Widerstand 54 liegt, an eine negative Vorspan- 50 tätigt werden soll und daß ein Signal »Eins« in dem
nungF3. Seine Basiselektrode 72 ist ebenfalls über entsprechenden Kern C 23 gespeichert ist. Während
einen Widerstand 52 an die negative Vorspannung des nächsten Ablesevorgangs wird durch die gleich-F3
angeschlossen. Ein Erregerimpuls P2 wird der zeitig der ersten Spaltenleitung 920 α und der dritten
Basiselektrode 72 des Transistors 92 über einen Kon- Zeilenleitung 910 c zugeführten Signale der Kern C 23
densator 62 zugeführt. Ein zweiter Transistor 93 ist 55 aus dem Zustand »Eins« in den Zustand »Null« übermit
seiner Kollektorelektrode 75 über einen Wider- geführt. Der Kern 23 induziert also ein Signal in der
stand 58 an die negative Vorspannungsquelle F3 an- Lesewicklung 930, das dem Verstärker 300 zugeführt
geschlossen und mit seiner Basiselektrode 73 über wird. Das Ausgangssignal des Verstärkers 300 ist ein
den vorgespannten Widerstand 54 an die negative negativer Impuls mit einer Größe -V2. Diejenigen
Vorspannungsquelle F3. Ein sogenannter Beschleuni- 60 Signale, welche die erste Spalte und die dritte Zeile
gungskondensator 64 liegt parallel zum Widerstand auswählen und von der Zeilenadressenschaltung 210
54. Durch die Diode 34 wird die Basiselektrode 73 und der Spaltenadressenschaltung 200 geliefert werdes
Transistors 93 an die Emitterelektrode 77 des den, sind ebenfalls negative Impulse mit einer Größe
gleichen Transistors angeschlossen. Die Emitterelek- - F2, die derart entstehen, daß die Spannung von
trode 77 des Transistors 93 ist ferner mit der Basis- 65 + F2 auf Null geändert wird. Diese drei Signale werden
gleichzeitig den Eingangsklemmen des Gatters G 23 zugeführt. Der Transistor 90 ist normalerweise
gesperrt, und die Spannung an seiner Kollektorelek-
elektrode 82 eines dritten Transistors 94 verbunden und über einen Kondensator 66 mit der Kollektorelektrode
84 des Transistors 94. Die Emitterelek-
trade 79 wird durch die Diode 32 etwa bei dem Wert Null gehalten. Die drei Eingangssignale, welche dem
Gatter G 23 zugeführt werden, machen den Transistor 90 stromdurchlässig, und seine Ausgangsspannung
am Kollektor 79 nimmt daher auf einen Wert von + V2 zu. Die Zuführung dieser positiv gerichteten
Spannung an die Gatterelektrode 120 des gesteuerten Siliziumgleichrichters SCR 23 bringt diesen in
seinen leitenden Zustand, solange eine positive Spannung an seiner Anode 130 liegt.
Der Erregerimpuls Pl wird der Eingangsklemme eines Steuerkreises 500 gleichzeitig oder kurz vor der
Zuführung der Auswahlsignale an den Speicher zugeleitet. Der Erregerimpuls P2 bringt den Transistor
92 aus seinem normalerweise leitenden Zustand in seinen nicht leitenden Zustand. Die Spannung an der
Kollektorelektrode 74 wird dadurch ungefähr zu -F3, die ihrerseits über den aus den Widerständen
56 und 64 bestehenden Spannungsteiler an die Basiselektrode
73 des Transistors 93 gelegt wird. Die negative Spannung an der Basiselektrode dieses Transistors
ruft einen Stromfluß in dem Transistor 93, der in Emitter-Folge-Schaltung angeordnet ist, hervor.
Die Diode 34 wird nunmehr gesperrt. Die Basiselektrode 82 des dritten Transistors 92 wird ebenfalls
stärker negativ, so daß der Transistor 94 stromdurchlässig gemacht wird und die Diode 36 gesperrt
wird. Die positive Spannung am Kollektor 84 des dritten Transistors 94 wird als Erregersignal dem
Schaltungspunkt 32 zugeführt und erreicht daher auch die Anode 48 des gesteuerten Siliziumgleichrichters
SCR23. Das Erregersignal wird während der Zuführung des Befehlssignals vom Gatter G 23 an die
Gatterelektrode 120 des gesteuerten Siliziumgleichr-iehters SCR 23 zugeführt.
•Das Solenoid523 wird, wenn der Gleichrichter
SCR 23 Strom führt, genügend lange erregt, um D 23 zu aktivieren. Wenn der Erregerimpuls P2 verschwindet,
so wird der Transistor 92 stromdurchlässig, und die Transistoren 93 und 94 werden gesperrt. Die negative
Spannung am Kollektor 84 des dritten Transistors 94 schaltet ihrerseits den Gleichrichter SCR 23 ab.
Wenn in dem Speicherkern C 23 die Binärzahl »0« gespeichert ist, so entsteht keine oder höchstens eine
kleine Spannung in der Lesewicklung 930, und der Leseverstärker 300 wird nicht aktiviert. Somit wird
das Gatter G 23 nicht aktiviert, und es wird kein Befehlssignal der Steuerelektrode von 5Ci? 23 zugeführt.
Der Erregerimpuls ruft dann keinen Stromübergang in SCR 23 hervor, und die Vorrichtung D 23 wird
nicht betätigt. Die anderen Vorrichtungen DOO bis D 22 können in ähnlicher Weise in Abhängigkeit von
der in den entsprechenden Speicherkernen gespeicherten Information ausgewählt werden.
Claims (4)
1. Matrizenförmig aufgebaute Auswahlschaltung mit einem Matrixspeicher zur Lieferung von
Signalen zur Betätigung bzw. Nichtbetätigung von stromerregten Vorrichtungen, die ihrerseits durch
die Auswahlschaltung ausgewählt werden, wobei die Auswahlschaltung je Speicherelement ein Koinzidenzgatter
enthält, dessen erster Eingang an alle Speicherelemente, dessen zweiter und dritter
Eingang an die Adressierschaltungen des Speichers angeschlossen sind, um ein Gatter zu aktivieren,
wenn das zugeordnete Speicherelement adressiert wird, dadurch gekennzeichnet,
daß jede der stromerregten Vorrichtungen (z.B. D 23) über eine signalgesteuerte bistabile
Schaltvorrichtung (z. B. SCR 23) an eines der Koinzidenzgatter (z. B. G 23) angeschlossen ist, daß
eine Erregerschaltung (500) an alle stromerregten Vorrichtungen (z. B. D 23) angeschlossen ist, um
ihnen einen Erregerimpuls, der gleichzeitig den die Information »1« bzw. »0« liefernden Matrixspeicher
(400) ansteuert, zuzuführen, so daß, wenn eines der Koinzidenzgatter (z. B. G 23) aktiviert
ist, die zugeordnete Schaltvorrichtung (z. B. 5CR 23) in den einen ihrer Betriebszustände
gebracht wird und die mit ihr in Reihe liegende stromerregte Vorrichtung (z. B. 23) für eine der
Breite des Erregerimpulses entsprechende Dauer aktiviert wird.
2. Auswahlschaltung nach Anspruch 1 mit magnetischen Kernen als Speicherelemente, dadurch
gekennzeichnet, daß zur Ankopplung der Gatter an die Speicherelemente eine Lesewicklung dient,
welche mit allen magnetischen Speicherelementen verkettet ist, und daß ein Verstärker mit
seinem einen Eingang mit der Lesewicklung verbunden ist und daß eine gemeinsame Verbindung
aller ersten Eingangsstellen der Gatter zu dem Ausgang des Verstärkers besteht.
3. Auswahlschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß in jedem Eingang der
Signalgatter eine Diode in Reihenschaltung mit den Eingangsklemmen des Signalgatters liegt und
daß diese Dioden in bezug auf einen dem Gatter zugeführten Impuls so gepolt sind, daß ein Gatter
nur dann aktiviert wird, wenn die Polarität eines Speicherelementes bei einem Ablesevorgang geändert
wird.
4. Auswahlschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die mit allen stromerregten Vorrichtungen verbundene Erregerschaltung
einen elektronischen Schalter enthält, der in Reihe mit einem gemeinsamen Stromweg für alle
stromerregten Vorrichtungen liegt.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
609 729/294 11.66 © Bundesdruckerei Berlin
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US184818A US3151311A (en) | 1962-04-03 | 1962-04-03 | Magnetic core control circuit for actuating solenoid devices utilizing a single sense amplifier |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1229589B true DE1229589B (de) | 1966-12-01 |
Family
ID=22678472
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DER34813A Pending DE1229589B (de) | 1962-04-03 | 1963-03-28 | Schaltungsanordnung zur selektiven Betaetigung von stromerregten Vorrichtungen |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3151311A (de) |
BE (1) | BE630440A (de) |
DE (1) | DE1229589B (de) |
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0
- NL NL291014D patent/NL291014A/xx unknown
- BE BE630440D patent/BE630440A/xx unknown
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Publication number | Publication date |
---|---|
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BE630440A (de) | |
NL291014A (de) | |
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