DE1295656B - Assoziativer Speicher - Google Patents

Description

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Die Erfindung betrifft einen assoziativen Speicher Diese Aufgabe wird nun bei einem assoziativen mit einer aus Speicherlementen aufgebauten Matrix, . Speicher der eingangs genannten Art erfindungsgemäß bei der die für die Speicherung eines Wortes vor- dadurch gelöst, daß für alle Zifferabfrageleitungen gesehenen Speicherelemente jeder Zeile durch eine ein einheitliches Abfragesignal vorgesehen ist, entwe-Wortleseleitung und die Wortbits gleichen Stel- 5 der das Suchwort in die Speicherelemente einer Zeile lenwertes speichernden Speicherelemente jeder Spalte der Matrix eingespeichert und die auf der diese Zeile durch eine Zifferabfrageleitung verbunden sind, und zugeordneten Wortleseleitung auftretenden Signale mit einer Abfrageeinrichtung zunwAbfragen der Spei- mit den auf den anderen Wortleseleitungen auftrechermatrix nach einem mit einem Suchwort überein- tenden Signalen kombiniert werden oder in alle Speistimmenden gespeicherten Datenwort, die eine An- io cherelemente einer Zeile die Binärziffer »0« und in steuerschaltung zum Beaufschlagen der Zifferabfrage- alle Speicherelemente einer anderen Zeile die Binärleitungen mit Abfragesignalen und den Wortleselei- ziffer »!«eingespeichert ist und bei einem Suchbit »0« tungen zugeordnete Leseeinrichtungen zum Feststel- die auf der der einen Zeile zugeordneten Wortleselen der auf die Abfragesignale hin auf den Wortlese- leitung auftretenden Signale, jedoch bei einem Suchleitungen auftretenden Signale aufweist. 15 bit »1« die auf der der anderen Zeile zugeordneten Es sind bereits assoziative Speicher bekannt, bei Wortleseleitung auftretenden Signale mit den auf den denen als Speicherelemente Flip-Flops verwendet wer- weiteren · Wortleseleitungen auftretenden Signalen den. Unter Verwendung von Flip-Flops aufgebaute kombiniert werden und die kombinierten Signale zur assoziative Speicher sind sehr kostspielig, da pro Flip- Feststellung von Übereinstimmung oder Nichtüber-Flop zahlreiche Bauelemente und insbesondere 20 einstimmung abgetastet werden, zusätzliche logische Verknüpfungsglieder (UND-, Bei dem assoziativen Speicher nach der Erfindung ODER-Schaltungen) zur Erzeugung des Übereinstim- kommt man mit einem Abfragesignal aus, das für alle mungssignals erforderlich sind. Man kann zwar die Zifferabfrageleitungen den gleichen Wert hat. Durch Flip-Flops in bekannter Weise aus relativ einfachen Feststellung des Unterschiedes zwischen den auf der Kryotronelementen aufbauen, jedoch muß man auf 25 dem Suchwort zugeordneten Wortleseleitung auf ein sehr tiefe Temperaturen kühlen. Abfragesignal hin auftretenden Signale und den auf Es ist weiterhin auch bereits bekannt, an Stelle der jeder anderen Wortleseleitung auftretenden Signalen Flip-Flops Magnetkerne mit mehreren Öffnungen zu kann in einfacher Weise die Übereinstimmung zwiverwenden. Jedes Speicherelement wird dabei aus sehen Suchwortbit und Datenwortbits festgestellt zwei Magnetkernen aufgebaut. Diese Speicherele- 30 werden.

mente können ebenfalls wie die aus Flip-Flops aufge- Bei einer Ausführungsform der Erfindung ist jeder

bauten Speicherlemente ohne Zerstörung der gespei- Wortleseleitung ein Differenzverstärker zugeordnet,

cherten Information abgefragt werden und sind dar- dessen einer Eingang jeweils mit der zugeordneten

über hinaus zur Durchführung des logischen Verglei- Wortleseleitung und dessen "anderer Eingang jeweils ches geeignet, so daß sich der Aufwand an logischen 35 mit der WorÜeseleitung verbunden ist, die den das

Verknüpfungsgliedern verringert. Störend ist jedoch Suchwort speichernden Speicherelementen zugeord-

der Bedarf von zwei Magnetkernen pro Speicher- net ist.

element. Bei einer anderen Ausführungsform der Erfindung Es ist auch bereits bekannt, daß man einen asso- ist die Wortleseleitung, die den das Suchwort speiziativen Speicher mit sogenannten Biaxelementen oder 40 chernden Speicherelementen zugeordnet ist, in Reihe ähnlichen, mit orthogonalen Magnetfeldern arbeiten- zu jeder der anderen Wortleseleitungen verbunden, den Magnetelementen aufbauen kann. Auch ist es wodurch sich in Übereinstimmungsfällen die Signale ■ generell bekannt, assoziative Speicher für einen »Grö- herausheben und dadurch mit Hilfe eines einfachen ßer als«- oder »Kleiner als«-Vergleich zu verwenden. Verstärkers Nichtübereinstimmung oder Übereinstim-Ein älterer Vorschlag befaßt sich bereits mit einem 45 mung leicht feststellbar ist. Die Wortleseleitung, die unter Verwendung von Biaxelementen aufgebauten den das Suchwort speichernden Speicherlementen zuassoziativen Speicher der eingangs genannten Art, bei geordnet ist, kann in einfacher Weise dadurch in dem zum Abfragen der Strom durch jede Ziffer- Reihe zu den anderen Wortleseleitungen geschaltet abfrageleitung je nach dem Wert des der Ziffer- werden, daß ihr eines Ende mit Masse und ihr andeabfrageleitung zugeordneten Suchbits entweder er- 50 res Ende mit den von dem Verstärker entfernt liegenhöht oder verringert wird und die auf den Wortlese- den Enden der anderen Wortleseleitungen verbunden leitungen auftretenden Signale der einen Polarität als wird. Mittels einer einfachen Umschalteinrichtung Nichtübereinstimmungssignale abgetastet werden. kann jede Wortleseleitung wahlweise in Reihe zu den Bei allen bekannten assoziativen Speichern wird anderen Wortleseleitungen geschaltet werden, so daß bei der Durchführung eines Suchvorganges durch 55 jedes im Speicher gespeicherte Datenwort als Suchjede Ziffernspalte ein vom Wert des zugeordneten wort verwendet werden kann.

Suchwortbits abhängiger Abfragestrom, beispiels- Bei einer weiteren Ausführungsform der Erfindung weise ein positiver oder negativer Abfragestrom auf sind in den Speicherelementen einer Zeile der Speieiner Zifferabfrageleitung oder ein Abfragestrom be- chermatrix nur Binärziffern »0« und in den Speicherstimmter Polarität auf einer von zwei Zifferabfrage- 60 elementen einer anderen Zeile nur Binärziffern »1« leitungen hindurchgeführt. Dies bedingt einen auf- gespeichert. Jeweils eine der diesen beiden Speicherwendigen Aufbau des Suchwortregisters. elementzeilen zugeordneten Wortleseleitungen ist in Der Erfindung liegt nun die Aufgabe zugrunde, Reihe zu den übrigen Wortleseleitungen über eine einen assoziativen Speicher der eingangs genannten einpolige Umschalteinrichtung geschaltet, die ent-Art derart auszugestalten, daß der für die Einrichtung 65 sprechend den Werten der Suchwortbits betätigbar der Abfragesignale erforderliche Aufwand möglichst wird.

gering ist und daß dabei trotzdem eine äußerst zu- Die Erfindung wird nun näher an Hand von Zeich-

verlässige Arbeitsweise gewährleistet wird. nungen erläutert, in denen zeigt

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Fig. 1 ein schematisches Blockschaltbild einer Worttreiberleitungen WD2, WD 3 und WDn zuge-Ausführungsform nach der Erfindung, ordnet. In der gleichen Weise sind den Speicherele-

F i g. 2 a eine perspektivische Darstellung eines in menten der Spalte 1, 2, 3 und 4 der Matrix Ziffertreider Ausführungsform nach Fig. 1 verwendbaren berleitungenDD1,DD2,DD3 und DD4 zugeordnet. Speicherelementes, 5 In F i g. 2 a ist ein Speicherelement dargestellt,

Fig. 2b Wellenformen zur Erläuterung der Ar- aus dem die in Fig. 1 dargestellte Speichermatrix 10 beitsweise des Speicherelementes nach F i g. 2 a, aufgebaut werden kann. Das Verhalten des in F i g. 2 a

F i g. 3 a ein schematisches Blockschaltbild einer dargestellten Speicherelementes, aus dem ohne Zeranderen Ausführungsform der Erfindung, störung der gespeicherten Information abgelesen wer-

Fig. 3b Wellenformen zur Erläuterung der beim io den kann, ist in Fig. 2b an Hand von Wellenformen Betrieb der Ausführungsform nach F i g. 3 a auftre- näher erläutert, tenden Signale und Bei dem in F i g. 2 a dargestellten Magnetspeicher-

Fig. 4 ein schematisches Blockschaltbild einer element handelt es sich um ein sogenanntes »Biaxweiteren Ausführungsform eines in bezug auf den In- element«. Es besteht aus einem Magnetmaterialblock, Mit adressierbaren Speichers nach der Erfindung. 15 der mit senkrecht zueinander verlaufenden Durch-

Der in F i g. 1 dargestellte Speicher enthält eine gangen 22 und 24 versehen ist. Durch den Durchaus Speicherelementen aufgebaute quadratische Spei- gang 22 ist eine Ziflerabfrageleitung und durch den chermatrix 10, ein Datenregister 12, in dem die zum Durchgang 24 sind eine Wortleseleitung, eine Wort-Einschreiben in die Speichermatrix vorgesehene In- treiberleitung und eine Ziffertreiberleitung hindurchformation gespeichert wird, eine Einschreibwählein- ao geführt. Die Zifferabfrageleitung dient zum Abfragen richtung 14, die zum Auswählen der Stellen dient, des Zustandes des Elementes 20 und liegt zwischen in die Information eingeschrieben werden soll, eine einem Bezugspotential, beispielsweise Erde, und einem Abfrageeinrichtung 16, die nacheinander in bezug Schalter 26, der mit einer Stromquelle 28 in Verbinauf jedes der Suchwortbits wirkt, und eine Leseein- dung steht. Die Wortleseleitung dient zur Abnahme richtung 18, mit deren Hilfe festgestellt wird, ob jedes as eines den Zustand des Elementes 20 wiedergebenden gespeicherte Bit mit einem entsprechenden Suchwort- Lesesignals und liegt zwischen einem Bezugspotenbit übereinstimmt oder nicht. tial, beispielsweise Erde und einer Leseeinrichtung 30.

Die in Fig. 1 dargestellte Matrix 10 enthält N Die Worttreiberleitung liegt zwischen einer Bezugswaagerechte Zeilen aus Q Speicherelementen 20. Bei- potentialquelle, beispielsweise Erde, und zwei Schalspielsweise ist N = 4 und Q = 4, so daß jede der' 30 tern 32 und 34, von denen der eine mit einer einen vier Zeilen aus vier Speicherelementen besteht, die Strom — I₀ liefernden Stromquelle und der andere wiederum vier senkrechte Spalten bilden. Jedes Spei- mit einer einen Strom + ²IsI₀ liefernden Stromquelle cherelement 20 besteht aus einer bistabilen Anord- in Verbindung steht. Die Schalter 32 und 34 können nung, die zwei verschiedene Zustände annehmen unabhängig voneinander, jedoch nicht gleichzeitig ge-Tcann, die den binären Ziffern oder Bits »0« und »1« 35 schlossen werden. Der Strom I₀ reicht zur Umschalentsprechen. Jede Matrixzeile kann als Speicherzelle tung der Flußrichtung im Magnetelement 20 aus. bezeichnet werden, in der die ein einziges Wort dar- Beim Schließen des Schalters 32 wird also ein Strom «teilende Bitfolge gespeichert werden kann. Die in der Größe I₀ in negativer Richtung durch die Wort-F i g. 1 dargestellte Anordnung ermöglicht die Spei- treiberleitung hindurchgeschickt und dadurch im EIecherung von Wörtern mit einer Wortlänge von vier 40 ment 20 eine Flußrichtung erzeugt, die dem Bit »0« Bits. Die Anordnung kann natürlich auch für jede entspricht. Beim Schließen des Schalters 34 wird ein andere Wortlänge ausgelegt werden. Strom der Größe ²IsI₀ in positiver Richtung durch

Jede Matrixspalte Q besteht aus einer Anzahl von die Worttreiberleitung hindurchgeführt, der jedoch Speicherelementen 20, von denen jede zur Speiche- im allgemeinen zur Änderung der Flußrichtung im rung von Information entsprechenden Gewichts in 45 Element 20 nicht ausreicht. Die Ziffertreiberleitung einer anderen Zeile oder Speicherzelle dient. Das be- liegt auch zwischen einem Bezugspotential, beispielsdeutet, daß die Wörter tatsächlich numerische Grö- weise Erde, und zwei Schaltern 36 und 38. Der Schalßen darstellen können und es üblich ist, in solchen ter36 steht mit einer einen Strom +¹IsI₀ liefernden Wörtern Bits entsprechenden Gewichts in entspre- Stromquelle und der Schalter 38 mit einer den Strom chend angeordneten Speicherelementen zu speichern. 50 — ¹IsI₀ liefernden Stromquelle in Verbindung. Die Beispielsweise kann man binäre Information in den Schalter 36 und 38 können nicht gleichzeitig geElementen der Speichermatrix derart speichern, daß schlossen werden. Soll Information in das Speicherdie Elemente der Spalte 1 der Speichermatrix die be- element 20 eingeschrieben werden, dann wird zudeutsamsten Bits und die Elemente der Spalten 2 nächst durch Schließen des Schalters 32 die im Speibis 4 die Bits mit abnehmenden Gewicht speichern. 55 cherelement befindliche Information auf »0« gelöscht. Den Speicherelementen 20 in Spalte 1 der Matrix Anschließend wird dann die neue Information einist eine Zifferabfrageleitung DI1 zugeordnet. In ahn- geschrieben. Zum Einschreiben von »1« werden die licher Weise sind den Speicherelementen der Spal- Schalter 34 und 36 und zum Einschreiben von »0« ten 2, 3 und 4 der Matrix Zifferabfrageleitungen DI2, wird der Schalter 38 geschlossen. Obwohl im Ideal- DI3 und DI4 zugeordnet. Andererseits ist den Spei- 60 fall der Strom — ¹IsI₀ nicht erforderlich wäre, wird cherlementen der Zeile 1 der Matrix eine Wortlese- er jedoch bei Verwendung des Biaxelementes angeleitung IWl zugeordnet. Auch hier sind in gleicher wendet, um sicherzustellen, daß der der Worttreiber-Weise wiederum den Speicherelementen der Zei- leitung allein zugeführte Strom + ²IsI₀ das Speicherlen 2, 3 und η der Matrix Wortleseleitungen JW 2, element 20 nicht in den Zustand »1« schaltet. WS3 und WSn zugeordnet. Weiterhin ist den Spei- 65 In Fig. 2b sind die beim Einschreiben und Abcherelementen der Zeile 1 der Matrix eine Worttrei- lesen auf den verschiedenen Leitungen auftretenden berleitung WD1 zugeordnet. In ähnlicher Weise sind Signale näher dargestellt. Zur Feststellung des Zuauch den Speicherelementen der Zeilen 2, 3 und η Standes des Elementes 20 wird der in der Ziffer-

äbfrageleitung liegende Schalter 26 geschlossen und leitung ein Strom I₀ fließt, während bei geöffnetem dadurch der in F i g. 2b in Zeile α dargestellte posi- UND-Gatter 50 der Transistor 42 so vorgespannt tive Stromimpuls erzeugt. Falls man annimmt, daß wird, daß in der Worttreiberleitung in entgegenim Speicherelement 20 eine »0« gespeichert ist, dann gesetzter Richtung ein Strom ²IsI₀ fließt, wird auf Grund des in der Zifferabfrageleitung auf- 5 Die vorgesehene Decodierschaltung 52 besitzt eine tretenden Stromes auf der Wortleseleitung zunächst der Anzahl der Zeilen der Matrix 10 entsprechende ein positiver Spannungsimpuls und anschließend ein Anzahl von Ausgängen. Jeder Ausgang steht mit dem negativer Spannungsimpuls erzeugt. Falls anderer- Eingang eines anderen Paares von UND-Gattern 48 seits im Element 20 eine »1« gespeichert ist, verur- und 50 in Verbindung. Weiterhin ist eine Steuerung sacht der auf der Zifferabfrageleitung auftretende ίο 54 vorgesehen, die einen Löschausgang, Schreibaus-Stromimpuls auf der WorÜeseleitung zunächst einen gang, Suchausgang und Decodierausgang besitzt. Der negativen Spannungsimpuls und anschließend einen Löschausgang steht mit den Eingängen der UND-positiven Spannungsimpuls. Die Feststellung des Zu- Gatter 48 und der Schreibausgang mit den Eingänstandes des Speicherelementes erfolgt dabei zerstö- gen der UND-Gatter 50 in Verbindung. Der Decorungsfrei, d, h., der durch die Zifferabfrageleitung 15 dierausgang liefert das Eingangssignal für die Decohindurchfließende Strom induziert zwar auf der Wort- dierschaltung 52, durch welche einer ihrer Ausgänge leseleitung Spannungsimpulse, bewirkt jedoch keine und dementsprechend eine Matrixzeile eindeutig fest-Änderung des Zustandes des Speicherelementes 20. gelegt wird.

Der Zustand des Speicherelementes kann natürlich Die Ziffertreiberleitungen liegen in ähnlicher Weise

mit Hilfe eines üblichen Leseverstärkers festgestellt 20 zwischen Erde und zwei Schalttransistoren 56 und 58, werden, der anzeigt, ob der erste auf der Worüese- die den Schaltern36 und 38 in Fig. 2a entsprechen, leitung auftretende Impuls positiv oder negativ ist. Der Emitter des Transistors 56 steht mit der jeweili-Falls zunächst ein positiver Impuls und anschlie- gen Ziffertreiberleitung in Verbindung, während der ßend ein negativer Impuls auftritt, speichert das EIe- Kollektor über einen Widerstand 60 mit einer negament 20 natürlich eine »0«. Falls andererseits zu- 25 tiven Potentialquelle verbunden ist. Der Kollektor nächst ein negativer Spannungsimpuls und anschlie- des Transistors 58 steht ebenfalls mit der Ziffertreißend ein positiver Spannungsimpuls auftritt, speichert berleitung in Verbindung, während der Emitter des natürlich das Element 20 eine »1«. Transistors 58 über einen Widerstand 62 an eine po-

Aus Zeile d von Fig. 2b ist ersichtlich, daß bei sitive Potentialquelle angeschlossen ist. Mit der Basis Zufuhr eines Stromimpulses —I₀ zur Worttreiberlei- 30 des Transistors 56 steht der Ausgang eines UND-tung, beispielsweise durch Schließen des Schalters 32, Gatters 64 und mit der Basis des Transistors 58 der auf der WorÜeseleitung ein Ausgangsimpuls entsteht, Ausgang eines UND-Gatters 66 in Verbindung. Die falls das Speicherelement eine »1« speichert, da der UND-Gatter liefern im geöffneten Zustand eine ne-Fluß im Element 20 dabei seine Richtung ändert. gative Vorspannung. Die Werte der Widerstände 60^; Falls andererseits ein Strom + -Is I_c der Worttreiber- 35 und 62 werden so gewählt, daß, je nachdem ob das leitung und ein Strom — ¹IsI₀ der Ziffertreiberleitung UND-Gatter 64 oder das UND-Gatter 66 geöffnet ist, zugeführt wird, entsteht auf der WorÜeseleitung kein ein Strom ¹Is I₀ durch die Ziffertreiberleitung abwärts merkliches Signal, da im Speicherelement 20 keine durch den Transistors 56 oder durch den Transistor merkliche Flußänderung stattfindet. Falls jedoch der 58 aufwärts durch die Ziffertreiberleitung fließt. Strom + ²/3l_c der Worttreiberleitung und gleichzeitig 40 Die zum Einschreiben in irgendeine Speicherzelle ein Strom + ¹IsI₀ der Ziffertreiberleitung zugeführt der Speiehermatrix vorgesehene Information wird wird, erscheint auf der WorÜeseleitung ein Impuls, zunächst in ein Datenregister 12 eingeführt, das aus falls das Speicherelement 20 eine »0« speichert. vier Flip-Flop-Stufen besteht, von denen jeder einen

An Stelle des beschriebenen Biax-Speicherelemen- Ja-Ausgang und einen Nein-Ausgang besitzt. Der tes können natürlich auch andere Speicheranordnung 45 Ja-Ausgang T jedes Flip-FIops steht mit dem Eingang gen verwendet werden, die in der anHandvon Fig. 2 b des zugeordneten UND-Gatters 64 und der Neinbeschriebenen Weise arbeiten. Ausgang F mit dem Eingang des zugeordneten UND-Bei der Ausführungsform nach F i g. 1 liegen die Gatters 66 in Verbindung. Der Schreibausgang der Worttreiberleitungen zwischen Erde und zwei Schalt- Steuerung 54 ist mit den Eingängen aller UND-Gatter transistoren 40 und 42, die den in F i g. 2 a dargestell- 50 64 und 66 verbunden.

tenSchaltern 32 und 34 entsprechen. Der Kollektor Zum Einschreiben von Informationen in die

des Schalttransistors 40 steht dabei mit der jeweiligen Speichermatrix 10 liefert die Steuerung 54 zunächst Worttreiberleitung in Verbindung, während der Emit- an den Löschausgang ein Ja-Signal und weiterhin ter des Transistors 40 über einen Widerstand 44 mit geeignete Signale an die Decodierschaltung 52, durch einer positiven Potentialquelle verbunden ist. Die 55 welche eine der Matrixzeilen festgelegt wird. Dadurch Worttreiberleitung steht darüber hinaus mit dem werden alle in der festgelegten Zeile befindlichen Emitter des Transistors 42 in Verbindung, dessen Speicherelemente gelöscht und in den Zustand »0« Kollektor über einen Widerstand 46 mit einer negati- übergeführt. Anschließend liefert die Steuerung ein ven Potentialquelle verbunden ist. Die Basis des Ja-Signal an den Schreibausgang, wodurch ein Strom Transistors 40 steht mit dem Ausgang eines UND- 60 +²IsI₀ der durch die Decodierschaltung 52 fest-Gatters 48 und die Basis des Transistors 42 mit dem gelegten Worttreiberleitung und entsprechend dem Ausgang eines UND-Gatters 50 in Verbindung. Die Inhalt des Datenregisters 12 Ströme +¹IsI₀ oder UND-Gatter 48 und 50 liefern im Durchlaßzustand -¹IsI₀ den Ziffertreiberleitungen zugeführt werden, ein negatives Potential, durch welche die Schalttran- Man kann auf diese Weise also Information wahlsistoren in Durchlaßrichtung vorgespannt werden. 65 weise in die Speichermatrix 10 einführen. Die Widerstände 44 und 46 sind derart bemessen, Es wurde bereits darauf hingewiesen, daß bei einem

daß bei geöffnetem UND-Gatter 48 der Transistor 40 in bezug auf den Inhalt adressierbaren Speicher (assoso vorgespannt wird, daß in der Worttreiber- ziativer Speicher) der Süchvorgang nicht unter Zu-

grundelegung einer Adresse einer Speicherzelle, sondern vielmehr unter Zugrundelegung des in einer Speicherzelle gespeicherten Inhalts durchgeführt wird. Bei den bekannten Anordnungen assoziativer Speicher wird ein Suchwort in einem Suchwortregister gespeichert und gleichzeitig mit allen im Speicher befindlichen Wörtern verglichen. Bei den Ausführungsformen nach der Erfindung wird nun kein Suchwortregister verwendet, sondern das Suchwort wird vielmehr in einer Speicherzelle der Speichermatrix ge- ίο speichert, beispielsweise in der Zeile η der Speichermatrix nach Fig. 1. Die Einführung bestimmter Information in bestimmte Speicherzellen der Speichermatrix dürfte klar sein.

Zur Durchführung eines Vergleichs zwischen dem Suchwort und jedem anderen in der Speichermatrix gespeicherten Wort ist die der Zeilen zugeordnete Wortleseleitung mit dem einen Eingang aller Differentialleseverstärker 70 verbunden. Der andere Eingang jedes Differentialleseverstärkers 70 steht mit einer anderen Wortleseleitung in Verbindung. So besitzt der der Zeile 1 der Speichermatrix zugeordnete Differentialleseverstärker DSA1 zwei Eingänge, von denen der eine mit der Wortleseleitung WSl und der andere mit der Wortleseleitung WSn in Verbindung steht. In ähnlicher Weise besitzt der der Zeile 2 der Speichermatrix zugeordnete Differentialleseverstärker DSA 2 zwei Eingänge, von denen der eine mit der Wortleseleitung WS 2 und der andere mit der Wortleseleitung WSn in Verbindung steht. Jede der in F i g. 1 dargestellten Wortleseleitungen steht mit ihrem linken Ende mit einem Bezugspotential, beispielsweise Erdpotential, in Verbindung und ist in der gleichen Weise durch alle zugeordneten Speicherelemente hindurchgeführt.

Die Abfrageeinrichtung 16 dient dazu, um den Zifferabfrageleitungen nacheinander Abfrageströme zuzuführen. Die Abfrageeinrichtung 16 enthält einen Verstärker 72, dessen Eingang mit dem Suchausgang der Steuerung 54 in Verbindung steht. Der Ausgang des Verstärkers 72 steht unmittelbar mit der Zifferabfrageleitung DIl und über eine Verzögerungsschaltung 74 mit der Zifferabfrageleitung DI2 in Verbindung. Die Verzögerungsschaltung 74 enthält einen Widerstand 76 und einen dazu in Reihe liegenden Kondensator 78 sowie einen auf die Kondensatorspannung ansprechenden Schwellwertverstärker 80. Die Zifferabfrageleitung DI2 steht über eine ähnliche Verzögerungsschaltung 74 mit der Zifferabfrageleitung DI3 in Verbindung, die wiederum über eine entsprechende Verzögerungsschaltung mit der Zifferabfrageleitung DI4 verbunden ist.

Zur Auslösung eines Suchvorganges, bei welchem das in Zeile η der Speichermatrix gespeicherte Suchwort mit jedem anderen im Speicher gespeicherten Wort verglichen wird, liefert die Steuerung 54 an ihren Suchausgang ein Ja-Signal. Auf dieses Signal hin liefert dann der Verstärker 72 an die Zifferabfrageleitung DI1 einen Rechteckwellenimpuls der in Fig. 2b in Zeile α dargestellten Art. Dieser Abfrageimpuls veranlaßt jedes Element in Spalte 1 der Matrix zur Erzeugung eines Ausgangssignals auf der zugeordneten Wortleseleitung, das vom Speicherzustand des Elementes abhängt und entweder die in F i g. 2 in Zeile b oder in Zeile c gestellte Form besitzt. Die auf den Wortleseleitungen entstehenden Signale gelangen zu den Differentialleseverstärkern 70. Nimmt man an, daß die Elemente in Spalte 1 die in F i g. 1 in Klammern angegebenen Bits speichern, dann entspricht das auf der Wortleseleitung WSl auftretende Signal dem auf der Wortleseleitung WSn auftretenden Signal, während die auf den Wortleseleitungen WS2 und WS3 auftretenden Signale sich von dem auf der Wortleseleitung WSn auftretenden Signal unterscheiden. Die Differentialverstärker 70 sprechen auf die Differenz der ihren Eingängen zugeführten Signale an und liefern ein Ausgangssignal, das jeweils einem mit ihrem Ausgang in Verbindung stehenden bistabilen Element 71 zugeführt wird. Da bei den Eingängen des Differentialleseverstärkers DSA1 gleiche Signale zugeführt werden, liefert dieser Differentialverstärker kein Ausgangssignal. Hingegen liefern die Differentialverstärker DSA 2 und DSA 3 Ausgangssignale, da zwischen den ihren Eingängen zugeführten Signalen eine Differenz besteht. Diese Differenz sollte im wesentlichen zweimal so groß sein wie die Größe des von einem der Speicherelemente 20 abgeleiteten Ausgangssignals. Die Ausgangssignale der Differentialverstärker können als Nichtübereinstimmungssignale betrachtet werden, durch welche die zugeordneten bistabilen Elemente 71 eingestellt werden. So werden beispielsweise die den Zeilen 2 und 3 zugeordneten bistabilen Elemente eingestellt und dadurch angezeigt, daß die in den Zeilen 2 und 3 gespeicherten Worte nicht mit dem in Zeile η befindlichen Suchwort übereinstimmen. Das der Zeile 1 der Matrix zugeordnete bistabile Element bleibt jedoch zurückgestellt, wodurch angezeigt wird, daß das in Spalte 1 der Matrixzeile 1 gespeicherte Bit mit dem ersten Suchwortbit übereinstimmt.

Ein Teil der vom Verstärker 72 gelieferten Ausgangsenergie fließt über den Widerstand 76 zum Kondensator 78, wodurch dieser aufgeladen wird. Dadurch steigt das Potential am Eingang des Verstärkers 80 an, so daß schließlich der Schwellwert des Verstärkers 80 überschritten wird, so daß der Verstärker 80 an die Zifferabfrageleitung DI2 einen Abfrageimpuls liefert. Dadurch entstehen auf den entsprechenden Wortleseleitungen den Zuständen der Speicherelemente in der Spalte 2 der Matrix entsprechende Signale. Zwischen den den Eingängen des Differentialverstärkers DSA1 zugeführten Signalen besteht auch hier wiederum kein Unterschied, so daß das mit diesem Verstärker in Verbindung stehende bistabile Element 71 auch hier zurückgestellt bleibt. Der Differentialverstärker DSA 2 liefert zwar kein Ausgangssignal, jedoch bleiben die den Matrixreihen 2 und 3 zugeordneten bistabilen Elemente eingestellt und zeigen dadurch an, daß die in ihnen gespeicherten Wörter nicht mit dem Suchwort übereinstimmen.

Anschließend liefert die zwischen der Zifferabfrageleitung DI2 und der Zifferabfrageleitung DI3 liegende Verzögerungsschaltung einen Abfrageimpuls an die Zifferabfrageleitung D/3, wodurch der Differentialverstärker DSA1 zur Erzeugung eines Ausgangssignals veranlaßt wird, durch das das angeschlossene bistabile Element 71 eingestellt wird. Da nun alle bistabilen Elemente eingestellt sind, stimmt offensichtlich keines der in der Speichermatrix gespeicherten Wörter mit dem in der Zeile η gespeicherten Suchwort überein.

Die durch die Verzögerungsschaltung 74 erzielte Zeitverzögerung muß so groß sein, daß der in der vorhergehenden Zifferabfrageleitung fortschreitende

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ίο

Abfrageimpuls wenigstens das am nächsten liegende Speicherelement erreichen kann, so daß auf der entsprechenden Wortleseleitung ein Signal entstehen kann, bevor ein nachfolgendes Speicherelement auf dieser Leitung ein Signal erzeugen kann. Die zwischen der Zifferabfrageleitung 2?/1 und der Zifferabfrageleitung DI2 liegende Verzögerungsschaltung 74 muß also eine solche Verzögerung bewirken, daß der Abfrageimpuls in der Zifferabfrageleitung DIl

gestellt, daß die Suchwortleitung in entgegengesetztem Sinne mit jeder anderen Wortleseleitung verbunden wird.

Das rechte Ende einer einzigen Wortleseleitung, z.B. der WortleseleitungWSn,, wird geerdet, indem die mit dem rechten Ende in Verbindung stehenden Schalttransistoren 90, 92 in Durchlaßrichtung vorgespannt werden. Die Wortleseleitung WSn steht mit

bistabilen Elemente 71 durch eine Wählanordnung (nicht gezeigt) geprüft werden, die eine Kommutatoranordnung enthalten kann, durch welche die nach

folgende von den Differentialleseverstärkern gelieferte Nichtübereinstimmungssignale die bistabilen Elemente der zweiten Gruppe einstellen.

In F i g. 3 a ist eine andere Ausführungsform der 5 Erfindung dargestellt. Die Ausführungsform nach Fig. 3a ist im wesentlichen ähnlich wie die Ausführungsform nach Fig. 1 aufgebaut, jedoch werden an Stelle von Differentialleseverstärkern 70 übliche Leseverstärker 70' verwendet, und die Differenz zwi-

das in Spalte 1 und Zeile η liegende Speicherelement io sehen den Signalen auf der Suchwortleseleitung und zur Erzeugung eines Signals auf der Wortleseleitung auf jeder anderen Wortleseleitung wird dadurch her- WSn veranlaßt, bevor durch das in Spalte 2 und
Zeile η liegende Speicherelement auf dieser Wortleseleitung ein Signal erzeugt werden kann. Falls die
durch die Verzögerungsschaltung 74 bewirkte Ver- 15
zögerung unzureichend ist, können die Differentialverstärker nicht zwischen nacheinander auf den
Wortleseleitungen auftretenden Signalen unterscheiden. Falls andererseits die Verzögerung zu groß

ist, entstehen unnötig lange Suchzeiten. 20 dem Emitter des Transistors 90 in Verbindung, des-

Nach Beendigung eines Suchvorganges können die sen Kollektor geerdet ist, und ist außerdem mit dem

Kollektor des Transistors 92 verbunden, dessen Emitter ebenfalls geerdet ist. Die Basiselektroden der Transistoren 90 und 92 stehen mit einer der AusDurchführung eines Suchvorganges im Rückstell- 25 gangsklemmen der Decodiereinrichtung 94 in Verzustand befindlichen bistabilen Elemente 71 der bindung, die durch eine Steuerung 54 gesteuert wird. Reihe nach festgestellt werden können. Die Decodiereinrichtung 94 liefert zu jedem Zeit-

Bei der Erläuterung der Ausführungsform nach punkt jeweils nur an eine Ausgangsklemme ein Si-Fig. 1 wurde lediglich auf die Durchführung eines gnal. Es wird daher z.B. lediglich das rechte Ende Suchvorganges eingegangen, bei dem das Suchwort 30 der Wortleseleitung WSn geerdet, während die rech- und die gespeicherten Wörter auf Gleichheit ver- ten Enden aller anderen Wortleseleitungen unmittelglichen wurden. Mit der Ausführungsform nach
Fig. 1 können natürlich auch »Größer als«- und
»Kleiner als«-Suchvorgänge durchgeführt werden.
Zur Durchführung von Größenvergleichen ist ledig- 35
lieh eine zweite Gruppe von bistabilen Elementen
(nicht gezeigt) erforderlich, von denen jedes mit
einem anderen bistabilen Element über eine Einrichtung in Verbindung steht, welche, wenn sie nicht

daran gehindert wird; eine Umschaltung des ent- 40 der Punkt und mit b ein rechts vom Element liegensprechenden bistabilen Elementes "bewirkt, wenn das der Punkt bezeichnet. Der auf ein Abfragesignal auf zugeordnete bistabile Element 71 in einen Einstell- der Zifferabfrageleitung Z)/1 auf der Wortleseleitung zustand umgeschaltet wird. Diese Kopplungseinrich- WSl induzierte Spannungsabfall zwischen Punkt« tung sollte in den Fällen gehemmt werden, in denen und Punkt b dient zur Darstellung einer gespeicherten ein von den Differentialverstärkern geliefertes Nicht- 45 »0«. Die zwischen den Punkten α und b der Wortübereinstimmungssignal bedeutet, daß das zugeord- abtastleitungen WS2 und WS3 auftretenden Spannete gespeicherte Wort innerhalb eines angegebenen nungsabfälle entsprechen einem Bit »1«. Der Span-Kriteriums mit dem Suchwort übereinstimmt. Zur nungsabfall von Punkt« zu Punkt & auf der Wortnäheren Erläuterung sei angenommen, daß ein . leseleitung WSn entspricht natürlich dem Spannungs- »Größer als «-Suchvorgang durchgeführt wird und 5° abfall zwischen den entsprechenden Punkten auf der alle Wörter, die einen größeren Wert haben als das Wortleseleitung WSl. Da das rechte Ende der Wort-Suchwort, als übereinstimmend bezeichnet werden. abtastleitung WSn geerdet ist, wird der Spannungs-Betrachtet man die in der ersten Spalte gespeicherten abfall zwischen dem Punkt b und dem Punkt α auf Bits, zu denen auch ein Suchwortbit »0« gehört, dann der Wortleseleitung WSn zu den Spannungsabfällen sollte die Kopplung zwischen den bistabilen Elemen- 55 zwischen den Punkten α und b auf den anderen ten 71 und den nicht gezeigten bistabilen Elementen Wortleseleitungen addiert und den Eingängen der der zweiten Gruppe nicht gehemmt werden, da Leseverstärker 70' zugeführt. Dem Leseverstärker irgendwelche von den Differentialleseverstärkern 70 SA1 wird daher kein Eingangssignal zugeführt, wähunter diesen Bedingungen erzeugten Nichtüberein- rend, wie in F i g. 3 b angeführt ist, den Verstärkern Stimmungssignale tatsächlich bedeuten, daß die die- 60 SA 2 und SA 3 Eingangssignale zugeführt werden, sen Übereinstimmungssignalen zugeordneten Wörter die im wesentlichen doppelt so groß sind wie ein größer sind als das Suchwort und daher mit dem von einem einzigen Speicherelement erzeugter Aus-Suchwort innerhalb des angegebenen Kriteriums gangsimpuls. Es werden daher die bistabilen EIeübereinstimmen. Die nicht gezeigten bistabilen EIe- mente 71 der Zeilen 2 und 3 eingestellt, wodurch mente sollten daher in diesem FaE nicht eingestellt 65 angezeigt wird, daß die in den Matrixzeilen 2 und 3 werden, um eine Fehlanzeige zu verhindern. Die ent- gespeicherten Wörter nicht mit dem in der Matrixsprechenden bistabilen. Elemente 71 müssen jedoch zeilen gespeicherten Suchwort übereinstimmen, eingestellt werden,-um zu verhindern, daß nach- Mit EGKe der Steuerung 54 kann über die Codier

bar mit dem Eingang eines Abtastverstärkers 70' in Verbindung bleiben. Die linken Enden aller Wortieseleitungen sind miteinander verbunden.

In F i g. 3 b sind die Ausgangssignale dargestellt, die auf den verschiedenen Wortleseleitungen auftreten, wenn durch die Zifferabfrageleitung Z)/1 ein Abfragestrom hindurchgeschickt wird. Mit α ist dabei ein auf jeder Wortleitung links vom Element liegen-

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einrichtung 94 jede beliebige Wortleseleitung ent- angenommen wird, daß das erste Bit im Datengegengesetzt zu allen anderen Wortleseleitungen ge- register eine »1« ist, dann wird das UND-Gatter 112 schaltet werden, wodurch jedes gespeicherte Wort geöffnet, wodurch wiederum durch das ODER-als Suchwort dienen kann. Diese Möglichkeit ist Gatter 110 die Transistoren 106 und 108 in Durchaußerordentlich nützlich, da sie ein schnelles Ab- 5 laßrichtung vorgespannt und dadurch die Wortlesesuchen eines großen Speichers nach doppelt vorhan- leitung WSn+1 entgegengesetzt zu den anderen dener Information gestattet. Da irgendwelche Bits Wortleseleitungen geschaltet wird. Durch den durch der Suchwörter wahlweise dadurch ausgeblendet die Zifferabfrageleitung D/1 hindurchfließenden Abwerden können, daß der entsprechenden Ziffer- fragestrom werden wiederum die Wortleseleitungen abfrageleitung kein Abfragestrom zugeführt wird, 10 WSn und WSn + 1 auf das Suchbit für die zweite können auch die im Speicher befindlichen Wörter, Spalte eingestellt, d.h., die ZifferabfrageleitungDI1 die nahezu identisch sind, leicht festgestellt werden. steht zusammen mit dem Ja-Ausgang und dem Nein-

F i g. 4 zeigt eine weitere Ausfuhrungsform der Ausgang der Stufe 2 des Datenregisters mit dem EinErfindung. Die Ausführungsform nach F i g. 4 ist gang von UND-Gattern 116 und 118 in Verbindung, ähnlich wie die Ausführungsformen nach F i g. 1 15 Der Ausgang des UND-Gatters 116 steht mit dem und 3 a aufgebaut, jedoch sind an Stelle des in einer Eingang des ODER-Gatters 110 und der Ausgang Speicherzelle gespeicherten Suchwortes in einer des UND-Gatters 118 mit dem Eingang des ODER-Speicherzelle nur Bits »0« und in einer anderen Gatters 104 in Verbindung. In ähnlicher Weise steht Speicherzelle nur Bits »1« und in einem Daten- die Ziffer abfrageleitung DI2 mit dem Eingang von register das Suchwort gespeichert, wobei das Daten- 20 UND-Gattern 120 und 122 und die Zifferabfrageregister, abhängig von seinem Informationsinhalt, leitung DI3 mit dem Eingang von UND-Gattern 124 bei der sukzessiven Abfrage der Spalten steuert, ob und 126 in Verbindung. Der Ja-Ausgang der Stufe 3 aus der Speicherzelle mit den Bits »0« oder aus der des Datenregisters steht mit dem Eingang des UND-Speicherzelle mit den Bits »1« ein Abfragesignal ab- Gatters 120 und der Nein-Ausgang mit dem Eingang gegeben wird. Wie F i g. 4 zeigt, ist in der Zeile η as des UND-Gatters 122 in Verbindung. In ähnlicher ein aus Bits »0« bestehendes Wort und in Zeile n+1 Weise ist der Ja-Ausgang der Stufe 4 des Datenein aus Bits »1« bestehendes Wort gespeichert. Die registers mit dem Eingang des UND-Gatters 124 und Wortleseleitung WS η steht mit dem Emitter eines der Nein-Ausgang mit dem Eingang des UND-Gatters Transistors 100 in Verbindung, dessen Kollektor ge- 126 verbunden. Die Ausgänge der UND-Gatter 120 erdet ist. Die Wortleseleitung WSn ist weiterhin mit 30 und 124 stehen mit den Eingängen des ODER-dem Kollektor eines Transistors 102 verbunden, des- Gatters 110 und die Ausgänge der UND-Gatter 122 sen Emitter geerdet ist. Die Basiselektroden der und 126 mit den Eingängen des ODER-Gatters 104 Transistoren 100 und 102 stehen mit dem Ausgang in Verbindung. Die Arbeitsweise der Ausführungseines ODER-Gatters 104 in Verbindung. In ähnlicher form nach F i g. 4 ist sonst ähnlich wie die Ausfüh-Weise ist die Wortleseleitung WSn + 1 mit dem 35 rungsformen nach F i g. 1 und 3 a. Emitter eines Transistors 106 und dem Kollektor In manchen praktischen Situationen können die eines Transistors 108 verbunden. Der Kollektor des auf den Wortleseleitungen WSn und WSn+ 1 aufTransistors 106 sowie der Emitter des Transistors tretenden Spannungen nicht ausreichen, um die 108 sind geerdet. Mit den Basiselektroden der Tran- Transistoren 100, 102, 106 und 108 in Durchlaßsistoren 106 und 108 steht der Ausgang eines ODER- 40 richtung vorzuspannen. In diesen Fällen könnte eine Gatters 110 in Verbindung. andere Schaltungsanordnung verwendet werden, bei

Wenn die Transistoren 100 und 102 in Durchlaß- welcher das rechte Ende dieser Wortleseleitungen richtung vorgespannt werden, wird die Wortlese- geerdet ist, während am linken Ende ein Gatter und leitung WSn im entgegengesetzten Sinne an alle an- ein Verstärker vorgesehen sind und die Gatter durch deren Wortleseleitungen des Speichers angeschlos- 45 die Ausgangssignale der Gatter 104 und 110 besen, wodurch ein ein Bit »0« darstellendes Ausgangs- tätigt werden.

signal im entgegengesetzten Sinne allen anderen Bei den beschriebenen Ausführungsformen eines Wortleseleitungen zugeführt wird. Wenn die Tran- inhaltlich adressierbaren Speichers dienen also sistoren 106 und 108 in Durchlaßrichtung vorge- Matrixspeicherelemente zur Erzeugung von das Suchspannt werden, wird in ähnlicher Weise ein einem 50 wortbit darstellenden Signalen. Diese Signale werden Bit »1« entsprechendes Ausgangssignal im entgegen- verwendet, um Ausgangssignale, die übereinstimgesetzten Sinne allen anderen Wortleseleitungen zu- mende gespeicherte Bits darstellen, auszulöschen, geführt. Bei jeder Ausführungsform der Erfindung wird eine

Die Eingänge der ODER-Gatter 104 und 110 wer- etwas andere Einrichtung zur Durchführung dieser den von den Ausgängen der Stufen des Daten- 55 Auslöschung verwendet. Bei der ersten Ausführungsregisters gebildet, das zur Speicherung des Such- form nach der Erfindung werden sowohl das gewortes verwendet wird. Der Ja-Ausgang der Stufe 1 speicherte Bit als auch das Suchbit darstellende Ausdes Datenregisters bildet einen Eingang des UND- gangssignale den Eingangsklemmen eines Diffe-Gatters 112, und der Nein-Ausgang der Stufe 1 bildet rentialleseverstärkers zugeführt, der anzeigt, ob das einen Eingang des UND-Gatters 114. Der zweite 60 gespeicherte Bit und das Suchbit übereinstimmen Eingang jedes UND-Gatters 112 und 114 steht mit oder nicht. Bei der zweiten Ausführungsform der dem Suchausgang der Steuerung 54 in Verbindung. Erfindung werden die Wortleseleitungen, die der Der Verstärker 72 bewirkt eine geringe Verzögerung, Speicherzelle zugeordnet sind, in welcher das Suchso daß durch die UND-Gatter 112 und 114 entweder wort gespeichert ist, im entgegengesetzten Sinne an die Wortleseleitung WSn oder WSn+1 im entgegen- 65 alle anderen Wortleseleitungen angeschlossen. Bei gesetzten Sinne mit den anderen Wortleseleitungen der dritten Ausführungsform der Erfindung schließverbunden wird, bevor der Zifferabfrageleitung DIl lieh werden die Wortleseleitungen, die zwei Speicherein Abfragestrom zugeführt wird. Falls beispielsweise zellen zugeordnet sind, von denen die eine nur »0«

und die andere »1« enthält, entsprechend den Bits eines in einem Datenregister gespeicherten Suchwortes entgegengesetzt an die anderen Wortleseleitungen angeschlossen.

Bei den verschiedenen Ausführungsformen der Erfindung kann eine Abfrageeinrichtung eingesetzt werden, welche die Durchführung eines Bit-Suchvorganges innerhalb kürzester Zeit ermöglicht.

Die in den beschriebenen Ausführungsformen verwendeten Speicherelementmatrizen bestehen aus orthogonal zueinander verlaufenden Zeilen und Spalten. Die physikalische Orientierung dieser Speicherelemente ist jedoch im allgemeinen von geringer Bedeutung. Die Ausdrücke Zeilen und Spalten können natürlich auch ausgetauscht werden und bezeichnen Gruppen von Speicherelementen, die nicht notwendigerweise derart angeordnet zu sein brauchen, daß sie orthogonal zueinander verlaufende Linien festlegen.

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Claims (4)

Patentansprüche:

1. Assoziativer Speicher mit einer aus Speicherelementen aufgebauten Matrix, bei der die für die Speicherung eines Wortes vorgesehenen Speicherelemente jeder Zeile durch eine Wortleseleitung und die Wortbits gleichen Stellenwertes speichernden Speicherelemente jeder Spalte durch eine Zifferabfrageleitung verbunden sind, und mit einer Abfrageeinrichtung zum. Abfragen der Speichermatrix nach einem mit einem Suchwort überemstimmenden gespeicherten Datenwort, die eine Ansteuerschaltung zum Beaufschlagen der Zifferabfrageleitungen mit Abfragesignalen und den Wortleseleitungen zugeordnete Leseeinrichtungen zum Feststellen der auf die Abfragesignale hin auf den Wortleseleitungen auftretenden Signale aufweist, dadurch gekennzeichnet, daß für alle Zifferabfrageleitungen (DIl bis D/4) ein einheitliches Abfragesignal vorgesehen ist, entweder das Suchwort in die Speicherelemente (20) einer Zeile der Matrix (10) eingespeichert und die auf der dieser Zeile zugeordneten Wortleseleitungen (WSn) auftretenden Signale mit den auf den anderen Wortleseleitungen (WSl bis WS 3) auftretenden Signalen kombiniert werden oder in alle Speicherelemente einer Zeile die Binärziffer »0« und in alle Speicherelemente einer anderen Zeile die Binär^ ziffer »1« eingespeichert ist und bei einem Suchbit »0« die auf der der einen Zeile zugeordneten Wortleseleitung (WSn) auftretenden Signale, jedoch bei einem Suchbit »1« die auf der der anderen Zeile zugeordneten Wortleseleitung (WSn+1) auftretenden Signale mit den auf den weiteren Wortleseleitungen (WSl bis WS 3) auftretenden Signalen kombiniert werden und die kombinierten Signale zur Feststellung von Übereinstimmung oder Nichtübereinstimmung abgetastet werden.

2. Speicher nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß jeder Wortleseleitung (WS) ein Differenzverstärker (DSA) zugeordnet ist, dessen einer Eingang jeweils mit der zugeordneten Wortleseleitung und dessen anderer Eingang jeweils mit der Worüeseleitung (WSn) verbunden ist, die den das Suchwort speichernden Speicherelementen (20) zugeordnet ist.

3. Speicher nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß jeder Worüeseleitung ein Verstärker (SA) zugeordnet ist, dessen Eingang mit der zugeordneten Wortleseleitung verbunden ist, und die den das Suchwort speichernden Speicherelementen zugeordnete Wortleseleitung (WSn) bzw. die der Zeile mit den die Binärziffer »0« speichernden Speicherelementen (20) zugeordnete Wortleseleitung (WSn+1) oder die der Zeile mit den die Binärziffer »1« speichernden Speicherelementen zugeordnete Wortleseleitung (WSn) in Reihe zu jeder der übrigen Wortleseleitungen (WSl bis WS2) geschaltet ist.

4. Speicher nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß an den Ausgang jedes Verstärkers (DSA bzw. SA) eine als Anzeigeeinrichtung dienende bistabile Kippstufe (71) angeschlossen ist.

Hierzu 2 Blatt Zeichnungen