DE10118196C2 - Verfahren zum Betrieb einer MRAM-Halbleiterspeicheranordnung - Google Patents
Verfahren zum Betrieb einer MRAM-HalbleiterspeicheranordnungInfo
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Description
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Betrieb
einer MRAM-Halbleiterspeicheranordnung mit einer Vielzahl
von TMR-Speicherzellen, die in einem Speicherzellenfeld an
ihrem einen Ende mit Bitleitungen verbunden und an ihrem an
deren Ende an Wortleitungen angeschlossen sind.
Eine MRAM-Halbleiterspeicheranordnung beruht bekanntlich auf
ferromagnetischer Speicherung mit Hilfe des TMR-Effekts: an
der Kreuzungsstelle einer Wortleitung und einer Bitleitung
liegt eine TMR-Speicherzelle, die einen Schichtstapel aus
einer weichmagnetischen Schicht, einer Tunnelwiderstands
schicht und einer hartmagnetischen Schicht aufweist. Allge
mein ist die Magnetisierungsrichtung der hartmagnetischen
Schicht vorgegeben, während die Magnetisierungsrichtung der
weichmagnetischen Schicht einstellbar ist, indem durch die
Wortleitung und die Bitleitung entsprechende Ströme in be
stimmten Richtungen geschickt werden. Mit diesen Strömen
kann die weichmagnetische Schicht parallel oder antiparallel
zur hartmagnetischen Schicht magnetisiert werden. Bei paral
leler Magnetisierung ist der Widerstandswert des Schichtsta
pels niedriger als bei antiparalleler Magnetisierung, was
als logischer Zustand "0" bzw. "1" oder umgekehrt ausgewer
tet werden kann. Alternativ kann Information auch in der
hartmagnetischen Schicht gespeichert werden, wobei die
weichmagnetische Schicht zum Auslesen dient. Dabei ist je
doch nachteilig, dass ein erhöhter Schreibstrom zum Schalten
der Magnetisierung der hartmagnetischen Schicht benötigt
wird.
Für eine MRAM-Halbleiterspeicheranordnung wurden bisher im
wesentlichen zwei sich voneinander unterscheidende Architek
turen vorgeschlagen:
Bei dem sogenannten "Crosspoint"-Aufbau liegen die einzelnen TMR-Speicherzellen direkt zwischen sich kreuzenden, Bit- und Wortleitungen bildenden Leiterbahnen. Bei diesem Crosspoint- Aufbau werden für die einzelnen Speicherzellen keine Halb leiterbauelemente und insbesondere keine Transistoren benö tigt, so dass ohne weiteres mehrere Lagen von TMR- Speicherzellen übereinander gestapelt werden können. Damit lassen sich für einen MRAM sehr hohe Integrationsdichten er reichen. Allerdings fließen bei einem derartigen "Cros spoint"-Aufbau zwangsläufig parasitäre Ströme über nicht ausgewählte Speicherzellen. Daher müssen in großen Speicher zellenfeldern die einzelnen TMR-Speicherzellen mit einem sehr hohen Widerstand ausgestattet werden, um diese parasi tären Ströme gering halten zu können. Infolge des hohen Wi derstandes der einzelnen TMR-Speicherzellen ist der Lesevor gang relativ langsam.
Bei dem sogenannten "Crosspoint"-Aufbau liegen die einzelnen TMR-Speicherzellen direkt zwischen sich kreuzenden, Bit- und Wortleitungen bildenden Leiterbahnen. Bei diesem Crosspoint- Aufbau werden für die einzelnen Speicherzellen keine Halb leiterbauelemente und insbesondere keine Transistoren benö tigt, so dass ohne weiteres mehrere Lagen von TMR- Speicherzellen übereinander gestapelt werden können. Damit lassen sich für einen MRAM sehr hohe Integrationsdichten er reichen. Allerdings fließen bei einem derartigen "Cros spoint"-Aufbau zwangsläufig parasitäre Ströme über nicht ausgewählte Speicherzellen. Daher müssen in großen Speicher zellenfeldern die einzelnen TMR-Speicherzellen mit einem sehr hohen Widerstand ausgestattet werden, um diese parasi tären Ströme gering halten zu können. Infolge des hohen Wi derstandes der einzelnen TMR-Speicherzellen ist der Lesevor gang relativ langsam.
Bei der anderen Architektur ist jeder einzelnen TMR-Spei
cherzelle mit dem oben genannten Schichtstapel zusätzlich
ein Schalt- oder Auswahltransistor zugeordnet (vgl. hierzu
M. Durlam: "Nonvolatile RAM based on Magnetic Tunnel Junc
tion Elements").
Die beiliegende Fig. 1 zeigt schematisch und perspektivisch
einen Abschnitt aus vier TMR-Speicherzellen TMR1, TMR2,
TMR5, TMR6, denen jeweils ein derartiger Auswahltransistor
TR11, TR12, TR21, TR22 zugeordnet ist. Wie erwähnt besteht
jede TMR-Speicherzelle aus einem Schichtstapel der hartma
gnetischen Schicht 11, der Tunnelwiderstandsschicht 12 und
der weichmagnetischen Schicht 13. Bitleitungen BL1 und BL2
bilden Leiterbahnen oberhalb der weichmagnetischen Schicht
13 und sind direkt mit dieser verbunden. Daten- oder Digit
lines DL1 sind in einer die Bitleitungen BL1, BL2 kreuzenden
Richtung unterhalb der hartmagnetischen Schicht 11 angeord
net und mit letzterer verbunden. Mit jeder TMR-Speicherzelle
ist ein Auswahltransistor TR11, TR12, TR21 und TR22 gekop
pelt, deren Gates an Wortleitungen WL1 und WL2 liegen.
Eine MRAM-Halbleiterspeicheranordnung mit TMR-
Speicherzellen, die mit derartigen Schalttransistoren ver
bunden sind, zeichnet sich dadurch aus, dass parasitäre
Ströme praktisch ausgeschlossen sind. Dadurch können die
Speicherzellen auch in großen Speicherzellenfeldern mit ei
nem geringeren Widerstandswert des TMR-Elementes versehen
werden. Auch ist das Leseverfahren vereinfacht, so dass ein
schnellerer Zugriff als beim "Crosspoint"-Aufbau möglich
ist. Allerdings hat der Aufbau mit Transistor-TMR-
Speicherzellen den Nachteil, dass die Abmessungen gegenüber
dem Crosspoint-Aufbau erheblich größer sind. Außerdem kann
keine direkte Stapelung von TMR-Zellenebenen vorgenommen
werden, da für jede Speicherzelle eines Speicherzellenfelds
ein Transistor und damit eine Siliziumoberfläche benötigt
wird.
Von der vorliegenden Anmelderin wurde in einer früheren Pa
tentanmeldung eine MRAM-Speicheranordnung vorgeschlagen, bei
der die Vorteile eines "Crosspoint"-Aufbaus weitgehend mit
den Vorteilen von Transistor-TMR-Speicherzellen vereint
sind.
Die beiliegende Fig. 2 zeigt eine derartige einen Cros
spoint-Aufbau mit einem Transistor-TMR-Speicherzellenaufbau
kombinierende MRAM-Halbleiterspeicheranordnung. Dabei sind
Gruppen aus jeweils mehreren TMR-Speicherzellen gebildet.
Die TMR-Speicherzellen TMR1, TMR2, TMR3 und TMR4 einer Grup
pe sind jeweils mit ihrem einen Ende gemeinsam an einer Bit
leitung BL und an ihrem Ende gemeinsam an einem Auswahltran
sistor TR1 angeschlossen, an dessen Gate die Wortleitung 1
liegt. In einer weiteren TMR-Speicherzellengruppe sind eben
falls mehrere, zum Beispiel vier TMR-Speicherzellen TMR5,
TMR6, TMR7 und TMR8 mit ihrem einen Ende gemeinsam mit derselben
Bitleitung BL und mit ihrem anderen Ende gemeinsam
mit einem zweiten Auswahltransistor TR2 verbunden, an dessen
Gateanschluss eine zweite Wortleitung WL2 angeschlossen ist.
Bei der in Fig. 2 gezeigten MRAM-Halbleiterspeicheranordnung
kann durch die Zuordnung von nur einem Schalt- oder Auswahl
transistor TR1, TR2 zu jeweils mehreren TMR-Speicherzellen,
zum Beispiel vier TMR-Speicherzellen, der für die Transisto
ren TR1, TR2 erforderliche Platzbedarf erheblich reduziert
werden, so dass eine derartige MRAM-
Halbleiterspeicheranordnung eine erhöhte Packungsdichte im
Speicherzellenfeld erlaubt.
Allgemein besteht bei MRAM-Halbleiterspeicheranordnungen das
Problem, dass die Reproduzierbarkeit oder die Verteilung der
Widerstände der TMR-Speicherzellen ungenau realisierbar bzw.
unausgeglichen sein kann, da die Widerstände der TMR-Spei
cherzellen extrem empfindlich (exponentiell) von der Barrie
rendicke, d. h. der Dicke der Tunnelschicht abhängen. Dies
erschwert die Realisierung einer sinnvollen Referenz zum Be
werten des Lesesignals. Zur Lösung dieses Problems wurden
bislang im wesentlichen zwei Möglichkeiten diskutiert:
- - Man sieht eine äußere Referenz (Referenzzelle oder Refe renzstrom/Spannungsquelle) vor. Dafür muss der TMR-Hub deutlich größer sein als die Schwankungen der Widerstände. Für eine Speicheranordnung mit mehreren parallelen TMR- Speicherzellen pro Transistor, wie oben beschrieben, wäre dieses Verfahren unmöglich.
- - Zerstörendes Lesen: Die TMR-Speicherzelle wird nach dem Le sen in eine bestimmte Richtung umgeschrieben und damit verglichen; anschließend muss rückgeschrieben werden. Hier dient die Speicherzelle selber als Referenz, so dass Wi derstandsschwankungen der Speicherzelle keine Rolle spie len. Dieses Verfahren ist jedoch zeitaufwendig und führt zu Datenveränderungen, wenn das Leseverfahren nicht 100% zuverlässig ist. Da häufiger geschrieben werden muss, kön nen Zuverlässigkeitsprobleme entstehen.
Im einzelnen beschreibt die EP 1 003 176 A2 ein Verfahren,
bei dem verschiedene Magnetfelder an MRAM-Zellen angelegt
werden, um durch diese Felder bedingte Änderungen des Wider
standes der Zelle zu erfassen. Da die beiden Magnetschichten
der Zelle unterschiedliche Dicken haben, werden so insgesamt
vier Grenzwerte geschaffen, zwischen denen das angelegte Ma
gnetfeld variieren kann, ohne eine Änderung der Ausgangs
spannung der Zelle in Kauf nehmen zu müssen. Auf diese Weise
kann auf eine genaue Steuerung der Stärke des Magnetfeldes
verzichtet werden.
Weiterhin ist aus der US 5,703,805 A ein magnetischer Spei
cher bekannt, bei dem eine Auswerteschaltung eine Ver
gleichsschaltung besitzt, mittels welcher ein von einem
Referenzelement geliefertes Referenzsignal mit einem Sen
sesignal der auszulesenden Speicherzelle verglichen wird.
Es ist somit Aufgabe der Erfindung, ein Verfahren zum Be
trieb einer MRAM-Halbleiterspeicheranordnung mit einer Viel
zahl von TMR-Speicherzellen, die in einem Speicherzellenfeld
an ihrem einen Ende mit Bitleitungen verbunden und an ihrem
anderen Ende an Wortleitungen angeschlossen sind, so zu er
möglichen, dass die Speicherzelle selbst als Referenz dienen
kann und die Information in der Speicherzelle nicht zerstört
wird, d. h. dass nicht zurückgeschrieben werden muss.
Diese Aufgabe wird anspruchsgemäß gelöst.
Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren werden reversible magne
tische Änderungen an der TMR-Speicherzelle vorgenommen und
ein dadurch hervorgerufenes Stromsignal mit dem ursprüngli
chen Stromsignal verglichen; dadurch kann die Speicherzelle
selbst als Referenz dienen, obwohl die Information in der
Speicherzelle nicht zerstört wird, d. h. es muss nicht zu
rückgeschrieben werden.
Das erfindungsgemäße Verfahren ist bevorzugt bei einem TMR-
Speicherzellentyp mit einer nicht mit der Speicherzelle
elektrisch verbundenen Schreibleitung (zum Beispiel die TMR-
Speicherzelle plus Transistor) anwendbar. Eine Anwendung bei
einem reinen Crosspoint-Aufbau, d. h. einer TMR-Speicherzelle
ohne Transistor ist jedoch auch möglich.
Besonders vorteilhaft ist das erfindungsgemäße Verfahren bei
einer oben beschriebenen MRAM-Halbleiterspeicheranordnung
anwendbar, bei der mehrere TMR-Speicherzellen parallel an
einen Auswahltransistor angeschlossen sind (vgl. Fig. 2).
Nachstehend werden zwei Ausführungsbeispiele der Erfindung
bezogen auf die Zeichnungsfiguren näher erläutert. Die Figu
ren zeigen im einzelnen:
Fig. 1 schematisch und perspektivisch einen bereits be
schriebenen Aufbau einer MRAM-Halbleiterspei
cheranordnung mit jeweils einer TMR-Zelle zuge
ordnetem Auswahltransistor und
Fig. 2 als schematisches Ersatzschaltbild eine bereits
beschriebene MRAM-Halbleiterspeicheranordnung mit
mehreren parallel an einen Auswahltransistor an
geschlossenen TMR-Zellen.
Bei einem ersten Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen
Verfahrens wird Information in der weichmagnetischen Schicht
13 (Fig. 1) gespeichert. Beim Lesen wird das der in der TMR-
Speicherzelle gespeicherten Information entsprechende Strom
signal zunächst ohne von außen angelegtes Magnetfeld aufge
nommen. Dann wird die Magnetisierung der weichmagnetischen
Schicht 13 durch das Feld, welches durch einen Stromimpuls
in der nicht verbundenen Schreibleitung, z. B. WL2, erzeugt
wird, um ca. 45-60° gegenüber der leichten Magnetisie
rungsachse (Easy-Achse) gedreht und das dadurch veränderte
Stromsignal mit dem zuvor aufgenommenen Stromsignal vergli
chen. Falls die Magnetisierung der weichmagnetischen Schicht
13 parallel zur Magnetisierung der hartmagnetischen Schicht
11 war (zum Beispiel entsprechend logisch "0"), erhöht sich
der Widerstand; falls die Magnetisierung der weichmagneti
schen Schicht 13 antiparallel zu der der hartmagnetischen
Schicht 11 war (entsprechend logisch "1") erniedrigt sich
der Widerstand. Danach fällt die Magnetisierung aufgrund der
magnetischen Anisotropie in die der gespeicherten Informati
on entsprechende ursprüngliche Richtung zurück. Das Ausfüh
rungsbeispiel des erfindungsgemäßen Verfahrens ermöglicht
somit ein Lesen der in der Zelle gespeicherten Information
ohne dass diese Information zerstört wird, wobei die Zelle
selbst als Referenz dient. Nachteil dieses Verfahrens ist im
Vergleich mit dem zerstörenden Lesen ein maximal ein Drittel
so großes Lesesignal.
Bei einem zweiten Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen
Verfahrens wird die Information in der hartmagnetischen
Schicht 11 gespeichert. Die weichmagnetische Schicht 13
dient zum Auslesen. Durch einen Stromimpuls durch die elek
trisch nicht verbundene Schreibleitung (zum Beispiel WL2)
wird die weichmagnetische Schicht in eine definierte Rich
tung parallel zur "Easy"-Achse gebracht und der Messwert mit
dem bei genau entgegengesetzt orientierter weichmagnetischer
Schicht verglichen. Die Signaldifferenz zwischen logisch "0"
und "1" entspricht hier maximal dem Doppelten TMR-Hub, d. h.
sie ist sechsmal höher als im ersten Ausführungsbeispiel.
Die in der hartmagnetischen Schicht 11 gespeicherte Informa
tion wird hierdurch nicht verändert. Nachteil dieses Verfah
rens ist der zum Schalten der Magnetisierung der hartmagne
tischen Schicht notwendige höhere Schreibstrom.
TMR1, . . ., TMR8 TMR-Speicherzelle
BL, BL1, BL2 Bitleitung
WL1, WL2 Wortleitung
DL1, DL2 Daten-Digitleitung
TR1, TR2, TR11, TR12, TR21, TR22 Schalttransistoren
BL, BL1, BL2 Bitleitung
WL1, WL2 Wortleitung
DL1, DL2 Daten-Digitleitung
TR1, TR2, TR11, TR12, TR21, TR22 Schalttransistoren
11
hartmagnetische Schicht
12
Tunnelwiderstandsschicht
13
weichmagnetische Schicht
Claims (4)
1. Verfahren zum Betrieb einer MRAM-Halbleiterspeicheranord
nung mit einer Vielzahl von TMR-Speicherzellen (TMR), die in
einem Speicherzellenfeld an ihren einen Enden mit Bitleitun
gen (BL) verbunden und an ihrem anderen Ende an Wortleitun
gen (WL) angeschlossen sind,
dadurch gekennzeichnet,
dass beim Lesen einer Information die TMR-Speicherzelle
(TMR) durch einen Stromimpuls einer kurzzeitigen reversiblen
magnetischen Änderung unterworfen wird und das dadurch ver
änderte Stromsignal mit dem ursprünglichen Stromsignal ver
glichen wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
dass die Information in der weichmagnetischen Schicht der TMR-Speicherzelle (TMR) gespeichert wird,
dass beim Lesen ein Stromsignal in der Leseleitung (BL) zu erst ohne ein von außen angelegtes magnetisches Feld erfasst wird,
dass anschließend durch einen Stromimpuls durch die elek trisch nicht verbundene Schreibleitung (WL1, WL2) die Magne tisierung der weichmagnetischen Schicht (13) reversibel ge genüber der Easy-Magnetisierungsachse derselben gedreht wird,
dass das dadurch veränderte Stromsignal in der Leseleitung (BL) mit dem zuerst erfassten Stromsignal verglichen wird und
aus diesem Vergleich die gespeicherte Information ermittelt wird.
dass die Information in der weichmagnetischen Schicht der TMR-Speicherzelle (TMR) gespeichert wird,
dass beim Lesen ein Stromsignal in der Leseleitung (BL) zu erst ohne ein von außen angelegtes magnetisches Feld erfasst wird,
dass anschließend durch einen Stromimpuls durch die elek trisch nicht verbundene Schreibleitung (WL1, WL2) die Magne tisierung der weichmagnetischen Schicht (13) reversibel ge genüber der Easy-Magnetisierungsachse derselben gedreht wird,
dass das dadurch veränderte Stromsignal in der Leseleitung (BL) mit dem zuerst erfassten Stromsignal verglichen wird und
aus diesem Vergleich die gespeicherte Information ermittelt wird.
3. Verfahren nach Anspruch 2,
dadurch gekennzeichnet,
dass die durch den Stromimpuls bewirkte Drehung der Magneti
sierung der weichmagnetischen Schicht gegenüber der Easy-
Magnetisierungsachse etwa 45 bis 60° beträgt.
4. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
dass die Information in der hartmagnetischen Schicht (11) der TMR-Speicherzelle (TMR) gespeichert wird,
dass durch einen Stromimpuls durch die elektrisch nicht ver bundene Schreibleitung (WL) die weichmagnetische Schicht (13) in eine definierte Richtung parallel zur Easy- Magnetisierungsachse gebracht wird,
dass anschließend das dadurch veränderte Stromsignal in der Leseleitung (BL) gemessen wird,
dass der Messwert mit dem Stromsignal bei genau entgegenge setzt orientierter weichmagnetischer Schicht (11) verglichen wird und
dass aus diesem Vergleich die gespeicherte Information der TMR-Speicherzelle (TMR) ermittelt wird.
dass die Information in der hartmagnetischen Schicht (11) der TMR-Speicherzelle (TMR) gespeichert wird,
dass durch einen Stromimpuls durch die elektrisch nicht ver bundene Schreibleitung (WL) die weichmagnetische Schicht (13) in eine definierte Richtung parallel zur Easy- Magnetisierungsachse gebracht wird,
dass anschließend das dadurch veränderte Stromsignal in der Leseleitung (BL) gemessen wird,
dass der Messwert mit dem Stromsignal bei genau entgegenge setzt orientierter weichmagnetischer Schicht (11) verglichen wird und
dass aus diesem Vergleich die gespeicherte Information der TMR-Speicherzelle (TMR) ermittelt wird.
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