DE1449705C - Nach dem Koinzidenzstrom Prinzip arbeitende Magnetkern Speichermatrix - Google Patents

Description

kann. Diese Schaltkreise, die häufig »Wähler« genannt werden, sollten darüber hinaus sehr schnell arbeiten können, damit die Arbeitsgeschwindigkeit des Speichers nicht beeinträchtigt wird. Üblicherweise verwendet man Transistorschaltungen für solche Wähler. Bei bekannten Systemen verwendet man üblicherweise eine Schaltung, die die Höhe des Stromes bestimmt, und Primär- und Sekundär-Wähler für die Zeilen und die Spalten. Die Verwendung von Primär- und Sekundär-Wählern ermöglicht es, daß man z. B. mit insgesamt 32 (d. h. 16 primären und 16 sekundären) Wählern in einer 64 X 64-Bit-Matrix unter Verwendung von 16 stromerzeugenden Schaltungen auskommt und keine 64 Wähler und 64 stromerzeugende Schaltungen für die gleiche Matrizengröße benötigt.

Bestimmte Schwierigkeiten treten auf, wenn für die Wähler Transistorschaltungen verwendet werden, man jedoch einen Speicher hoher Kapazität und schnellen Zugriffes benötigt.

Die erste Schwierigkeit beruht auf den Leistungen, die von den Transistoren geschaltet werden sollen. In Schaltkreisen mit konstantem Strom muß der Transistor der primären Wählstufe ungesättigt bleiben, um sicherzustellen, daß die Kernleitung über eine Quelle hoher Impedanz gespeist wird. •Transistoren jedoch, die in der Lage sind, solche Leistungen zu schalten, sind jedoch verhältnismäßig träge. Es ist daher bekannt, einen Strombegrenzungskreis vorzusehen, dessen Transistor dauernd aufgesteuert ist, wobei der Strom bei nicht angewählter Kernleitung abgeleitet wird, jedoch bei einer Anwahl der Kernleitung in diese fließt (britische Patentschrift 909 782). Eine weitere Schwierigkeit ergibt sich jedoch bei Speichern, bei denen primäre und sekundäre Wählerstufen mit Transistoren vorgesehen sind. Zu Beginn und am Ende eines Halbimpulses in der Kernleitung entstehen Ausgleichsvorgänge, die den Betrieb des Speichers beeinträchtigen können. Schließlich wird durch den in der Kernleitung fließenden Halbimpuls eine Gegenspannung induziert, durch die Rückwirkungen auf andere nicht angesteuerte Wähler möglich sind.

Aufgabe der Erfindung ist es daher, eine nach dem Koinzidenzstrom-Prinzip arbeitende Magnetkern-Speichermatrix zu schaffen, bei der bei der Anwahl entsprechender Kernleitungen der Matrix in diesen Impulse konstanter Amplitude gegeben werden können und bei der die üblicherweise durch die Transistoren auftretenden Schwierigkeiten beseitigt werden. ■

Die Aufgabe der Erfindung wird dadurch gelöst, daß in Serie zu jeder sekundären Wählstufe eine dritte Wählstufe geschaltet ist, die innerhalb der Ansteuerungszeit der Transistoren der primären und sekundären Wählstufe aufsteuerbar ist.

Der Transistor steht in Wirkungsverbindung mit einer Arbeitsspannung aufweisenden zweiten, wahlweise benutzbaren Spannungsquelle, wenn eine dritte Wählerstufe eingeschaltet wird. Die zweite, wahlweise benutzbare Spannungsquelle ist mit der stromerzeugenden Schaltung über die Primär-Wählerstufe, die Treiberleitung, die Sekundär-Wählerstufe und die dritte Wählerstufe verbunden. Die Wählerschaltung arbeitet so, daß, wenn die Primär- und Sekundär-Wählerstufen arbeitsbereit sind, die dritte Wählerstufe bei ihrer Ansteuerung den Durchlauf eines definierten Stromimpulses durch den Treiberdraht steuert. Der Stromimpuls beginnt nach dem Anfang und endet vor dem Ende derjenigen Zeitspanne, während der die Primär- und Sekundär-Wählerstufen arbeitsbereit gemacht worden sind. .

Im folgenden wird ein Ausführungsbeispiel der Erfindung beschrieben und an Hand der Zeichnung erläutert. In der Zeichnung bedeutet ■■. -'

F i g. 1 den Schaltplan eines 64 X 64er Magnetkernspeichers und

ίο F i g. 2 Einzelheiten der Wählerstufen und der stromerzeugenden Schaltung für eine bestimmte Kernleitung CL.

, F i g. 1 zeigt zunächst nur zwei- Spaltenleitungen 1 und 64 und zwei Zeilenleitungen 1 und 64. Jede durch die Kerne führende Leitung kann zum Lesen und Schreiben verwendet werden, indem man die Stromrichtung in der Leitung umkehrt. Um schreiben zu können, ist für jede Kernleitung eine taktgebende Wählerstufe, wie z. B. TS1, für die Spaltenleitung 1 vorgesehen sowie ein Sekundär-Wähler, wie z.B. WYSl, ein Primär-Wähler, wie z.B. WYPl, und eine stromerzeugende Schaltung, wie z.B. TXDA. Ähnlich sind zum Lesen für jede Kernleitung eine taktgebende Wählerstufe, wie z.B. TS4, für die Spaltenleitung 1, ein Sekundär-Wähler, wie z. B. RYSl, ein Primär-Wähler, wie z. B. RY P1, und eine stromerzeugende Schaltung, wie z.B. TXDl, vorgesehen. Die Schreib- und Leseschaltungen werden voneinander elektrisch durch die Dioden D10, D 11, D 12 und D 13 voneinander getrennt Ähnliche. Treiberanordnungen sind für die Zeilenleitungen vorgesehen. Die in Fig. 1 dargestellten Blockschaltungen stellen die taktgebenden Wähler TSl bis TS 8 dar und bestehen aus der Schaltung, die innerhalb der gestrichelten Linien in Fig. 2 gezeigt und mit TS bezeichnet ist. Die Blockschaltungen, die die Primär- und Sekundär-Wähler darstellen, weisen die gleiche Schaltung mit wenigen Unterschieden auf, auf die bei der Beschreibung von Fig. 2 genauer eingegangen wird. Zusätzlich bestehen die Blockschaltungen in Fig. 1, die die stromerzeugenden Schaltungen TX D 1 bis TX D 8 darstellen, allesamt aus einer Schaltung, die innerhalb des gestrichelten Rechteckes dargestellt ist, nämlich aus dem Transistor TXD nach Fig. 2. In Fig. 1 sind die Eingangsleitungen, die der Leitung IP in F i g. 2 entsprechen, mit IP1, /P 2 und IP 3 bezeichnet und gehören zum taktgebenden Wähler TS % zum Sekundär-Wähler WYSl und zum Primär-Wähler WYPl.

Die anderen Eingängsleitungen in F i g. 1 tragen das allgemeine Bezugszeichen/P.

Die Kernleitungen sind in Achtergruppen zusammengefaßt. Um eine Kernleitung ansteuern zu können, hat man die Primär-Wähler alle jeweils mit den Kernleitungen einer bestimmten Gruppe verbunden, während die Sekundär-Wähler jeweils an entsprechende Kernleitungen in allen Gruppen angeschlossen sind. Es ist daher der zum Schreiben dienende Primär-Wähler WYPl, wie in Fig. 1 angezeigt, mit den Kernleitungen 1 bis 8 verbunden, d. h., er ist mit allen Kernleitungen der ersten Gruppe verbunden, während der zum Schreiben dienende Sekundär-Wähler WY 51 mit den Kernleitungen 1,9, 17, 25, 33, 41, 49 und 57 verbunden ist, d. h. der ersten Kernleitung jeder der 8 Gruppen. In ähnlicher Weise ist der zum Lesen dienende Primär-Wähler .RYPl mit den Kernleitungen 1 bis 8 verbunden, während der zum Lesen dienende Sekundär-Wähler

RYS1 mit den Kernleitungen 1, 9,17, 25, 33, 41, 49 und 57 verbunden ist. Die zum Schreiben und Lesen dienenden primären und sekundären Wähler WY P 2, WYS2, RYP2 und RYS2 sind in ähnlicher Weise angeschlossen. Das gleiche gilt für die zum Lesen und Schreiben dienenden primären und sekundären Wähler WXPl, WX P 2, WXSl, WX S 2, RXPl, RXP2, RXSl und RXS2 bei den Zeilenleitungen. Die in Klammern gesetzten Bezugszeichen bei den verschiedenen Zuleitungen in Fi g. 1 geben die Kernleitungen an, mit denen diese Leitungen verbunden sind.

F i g. 2 zeigt nur die taktgebende Wählerstufe TS mit genaueren Einzelheiten. Diese Stufe verwendet den Transistor TX T. Außerdem werden die Primär- und Sekundär-Wählerstufen gezeigt, die jeweils Transistoren TXP und TXS verwenden und in ähnlicher Weise aufgebaut sind wie die taktgebende Wählerstufe. Die Widerstände R 2 und R 3 und die zu-, gehörigen Stöpselleitungen WL1 und WL 2 sind bei ihnen weggelassen. Die den Transistor TXA verwendende Schaltung stellt eine typische Ausgangsstufe eines Impulsverstärkers dar, der dazu benützt wird, die taktgebende Wählerstufe anzusteuern, während der Transistor TX D in der den Stromimpuls erzeugenden Schaltung verwendet wird.

Im Ruhezustand der Schaltungen, d. h., wenn keine Kernleitung angesteuert wird, leiten alle stromerzeugenden Transistoren TXD (TXD 1 bis TXDS, F i g. 1). Diese Transistoren sind so ausgelegt, daß sie einen Nennstrom durchlassen, der durch den Wert des Emitterwiderstandes RD (F i g. 2) und die stabilisierte Basisspannung VST bestimmt wird, die in bezug auf Erde positiv ist. Die Diode Dl dient für den Transistor TX D als Stromquelle, wenn die Transistoren der anderen Wählerstufen abgeschaltet sind. Die gegen Erde negativen Spannungen V 3 sind negativer als die ebenfalls gegen Erde negative Spannung Vl. .

Es sei nun angenommen, daß die Kernleitung CL der Spalte 1 zum Schreiben angesteuert werden soll. Es werden dann die Primär- und Sekundär-Wählerstufen WYPl und WYSl (Fig. 1) durch die Vorderflanke eines Eingangs-Treiberimpulses auf den Eingangsleitungen IP 2 und IP 3 betätigt. Die Transistoren TXP und TXS (Fig. 2) leiten zu diesem Zeitpunkt in diesen Wählerstufen nicht genügend, um einen Kollektorstrom fließen zu lassen, der eine wesentliche Wirkung auf die auf die Kernleitung CL aufgefädelten Magnetkerne haben könnte. Die Dauer der Eingangs-Treiberimpulse an den Primär- und Sekundär-Wählerstufen wird durch die Eigenschaften eines Eingangsübertragers bestimmt, der dem Eingangsübertrager Tl in den taktgebenden Wählerstufen entspricht. Die Schaltung ist dabei so ausgelegt, daß der Eingangs-Treiberimpuls langer dauert als ein Impuls, der durch den Übertrager Γ1 des taktgebenden Wählers erzeugt wird.

Die taktgebende Wählerstufe TS, die den Transistor TX T verwendet, wird durch eine ins Negative gehende Impulsflanke betätigt. Dieser Spannungssprung kann z. B. von 0 bis minus 6 V gehen. Er wird an die Basis des Transistors TX A angelegt, der den Ausgangstransistor des Treiberverstärkers der Wählerstufe darstellt. Der Spannungssprung verursacht, daß der Transistor TX A leitet, wodurch eine rasche Stromänderung in der Primärwicklung des Übertragers Tl entsteht. Das Übersetzungsverhältnis dieses Transformators ist so ausgelegt, daß eine maximale Treiberspannung an die Wählerstufe abgegeben werden kann, ohne der Begrenzerdiode D S den Strom zu entziehen, wenn der Transistor TXA leitet und wenn der von dem Übertrager erzeugte Treiberimpuls ansteht. Der Widerstand R 7 im Kollektorstromkreis des Transistors TX A dient dazu, den Kollektorstrom auf einen Wert zu begrenzen, der innerhalb der Verlustleistungsgrenze des ίο verwendeten Transistors liegt, wenn der Transistor TX A wegen auftretender Fehler weiterhin leitet.

Der in der Sekundärwicklung des Übertragers T1 erzeugte Stromimpuls läuft über die Widerstände R 5 und R 6 und verursacht, daß der Transistor TX T leitet. Der Kondensator C 2 dient dazu, die Anstiegszeit der Vorderflanke des Stromimpulses herabzusetzen. Zwei Sekundärwicklungen sind gezeigt. Die zweite Sekundärwicklung ist an einen anderen, nicht gezeigten taktgebenden Wähler angeschlossen, der dazu verwendet werden kann, die Hälfte der Ebenen einer Magnetkernmatrix großer Kapazität anzusteuern. Die Sekundärwicklung braucht natürlich bei einer Wählerstufe nicht vorgesehen zu sein.

Wenn der Transistor TX T leitet, führen die TransistorenT^fS und TXP Kollektorstrom. Praktisch erzeugen diese Transistoren den gesamten Kollektorstrom des stromerzeugenden Transistors TX D. Wie oben erwähnt, stellt dieser Strom den exakt definierten Halbstrom-Impuls dar, der dazu benötigt wird, nach dem Koinzidenz-System die Kerne anzusteuern. Es ist sehr erwünscht, wenn die gesamte zur Verfugung stehende Spannung dazu verwendet werden kann, die Kernleitung CL zu steuern. Es ist daher wichtig, daß die Transistoren der Wählerstufen einen möglichst kleinen Spannungsabfall haben. Im Idealfall sollten diese Transistoren in die Sättigung gelangen. Die Sättigung verursacht jedoch beim Abschalten eine Verzögerung. Daher wird eine die Sättigung verhindernde Diode, wie die Diode D 4 in der taktgebenden Wählerstufe, dazu verwendet, keine Sättigung auftreten zu lassen und den Spannungs-' abfall am Transistor zu begrenzen.

Wenn der Stromimpuls aus der Sekundärwicklung des Übertragers Π zu Ende ist, wird der Transistor TXT abgeschaltet, wodurch auch der Stromimpuls auf der Kernleitung CL beendet wird. Die Diode D1 liefert dann wieder Kollektorstrom für den Transistor TXD. Die an der Kernleitung CL entstandene induzierte Gegenspannung verursacht, daß der Kollektor des Transistors TXS in bezug auf Erde positiv wird. Durch die Diode D 2 wird verhindert, daß die induzierte Gegenspannung einen Betrag erreichen kann, durch die sie den Transistor TXD beschädigen kann. Diese Diode verhindert, daß der Kollektor des Transistors TXD positiver als plus V 2 werden kann. Diese Spannung liegt innerhalb des durch die maximale Kollektor-Emitter-Sperrspannung des Transistors gebildeten Bereichs. Wenn der Transistor TX T ein- und ausgeschaltet wird, dann können die großen und schnellen Spannungswechsel an dem Kollektor des stromerzeugenden Transistors TXD, welche über die beiden Sekundärwicklungen des primären Eingangsübertragers mit der nicht angesteuerten Eingangswicklung einer Primär-Wählerstufe, die von derselben stromerzeugenden Schaltung angesteuert, aber für die spezielle Auswahl nicht benötigt wird, gekoppelt und dann zu den Sekundärwicklungen dieser nicht angewählten Primär-Wähler-

stufe zurücktransformiert werden und diesen Primärwähler in Betrieb setzen. Diese nicht anzuwählende primäre Wählerstufe ist außerdem mit der benötigten sekundären Wählerstufe verbunden. Es dürfen jedoch keine zwei Kernleitungen angesteuert werden.

Um die obenerwähnten Schwierigkeiten zu beseitigen, hat man einen Widerstand Λ 4 in der taktgebenden Wählerstufe vorgesehen, und zwar sowohl in den primären als auch sekundären Wählerstufen. Mit diesem Widerstand können diese Störspannungen gedämpft werden. Der Widerstand R 4 kann in der Primär-Wählerstufe durch eine Diode ersetzt werden, deren Kathode an der Basis des Transistors TX P liegt, wenn man bessere Dämpfungsergebnisse erreichen will.

Nachdem der Treiberimpuls für die taktgebende Wählerstufe zu Ende ist, endigt auch der Treiberimpuls der sekundären Wählerstufe. Die Transistoren dieser Wählerstufe werden abgeschaltet.

Aus obiger Beschreibung geht hervor, daß der den Strom erzeugende und bestimmende Transistor TX D ständig leitet. Man kann daher einen relativ »langsamen«, billigen Transistor verwenden. Da die Wählerstufeo durch Übertrager angesteuert werden, benötigt man keine ausgefeilte, die Spannung ändernde Schaltung, um diese Stufen· mit der notwendigen Treiberleistung zu versorgen. Sie können daher in Schaltkreise für logische Schaltungen eingegliedert werden, die mit den normalen Spannungspegeln arbeiten, die bei logischen Schaltungen, ins- besondere bei Speichern mit großer Kapazität und schnellem Zugriff, verwendet werden. Die Widerstände/? 2 und R 3 sind mit den kurzschließenden Stöpselleitungen WL1 und WL 2 versehen, um so die Unterschiede in der Anstiegszeit ausgleichen zu

ίο können, die bei Transistoren hohen und niederen Verstärkungsfaktors auftreten. Wahlweise kann man dies auch durch einen angezapften Treiberübertrager erreichen. Der Widerstand R 1 und der Kondensator C1, die aus der F i g. 1 weggelassen wurden, um die Zeichnung nicht zu überladen, dienen als Kompensationsschaltung, um das Überschwingen bei Stromimpulsen zu verhindern. Ihre Werte hängen von dem Betrag an Streukapazität ab, die beim fertigen Speicher auftritt.

ao In der Beschreibung wurden hauptsächlich npn-Transistoren im Zusammenhang mit den strombestimmenden und Wählerstufen-Transistoren erwähnt. Hierauf soll die Erfindung nicht beschränkt sein. Man kann nämlich auch pnp-Transistoren verwenden, wenn man die Spannungswerte entsprechend ändert.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (7)

1 2 Die Erfindung betrifft eine nach dem Koinzidenz-Patentansprüche: strom-Prinzip arbeitende Magnetkern-Speichermatrix, bei der im gewählten Zustand einer Kernleitung zwi-

1. Nach dem koinzidenzstrom-Prinzip ar- sehen dem einen Ende der Kernleitung und dem beitende Magnetkern-Speichermatrix, bei der im 5 Ausgang einer Strombegrenzungsstufe eine primäre, gewählten Zustand einer Kernleitung zwischen einen Transistor enthaltende Wählstufe und an das dem einen Ende der Kernleitung und dem Aus- andere Ende der Kernleitung eine sekundäre, ebengang einer Strombegrenzungsstufe eine primäre, falls einen Transistor enthaltende Wählstufe geeinen Transistor enthaltende Wählstufe und an schaltet ist und bei der der Transistor der Stromdas andere Ende der Kernleitung eine sekundäre, io begrenzungsstufe nicht angewählter Kernleitungen ebenfalls einen Transistor enthaltende Wählstufe dauernd aufgesteuert ist.

geschaltet ist und bei der der Transistor der Solche Speicher umfassen eine Matrix aus sich

Strombegrenzungsstufen nicht angewählter Kern- überkreuzenden Steuerleitungen, wobei an jedem

leitungen dauernd aufgesteuert ist, dadurch Kreuzungspunkt oder an einer Vielzahl' von

gekennzeichnet, daß in Serie zu jeder i₅ Kreuzungspunkten - ein magnetischer Kern vorge-

sekundären Wählstufe eine dritte Wählstufe (TS) sehen ist. Jeder magnetische Kern wird durch einen

geschaltet ist, die innerhalb der Ansteuerungszeit Impuls gesteuert, der auf jede der zwei verschiedenen

der Transistoren (TXP, TXS) der primären und Arten von Steuerleitungen oder mindestens auf zwei

sekundären Wählstufe aufsteuerbar ist. einer größeren Anzahl von Steuerleitungen gegeben

2. Magnetkern-Speichermatrix nach An- ao wird, die durch den Kreuzungspunkt laufen, an dem spruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine der anzusteuernde Kern liegt. Die Anordnung ist Diode (Dl) mit einer Elektrode an die Ver- dabei so getroffen, daß der Kern umschaltet, wenn bindung zwischen der Strombegrenzungsstufe an den ausgewählten Kreuzungspunkt koinzidente (TXD) und dem Transistor (TX P) der primären Impulse angelegt werden. Die Kerne werden zwi-Wählstufe angeschlossen ist und mit der anderen 25 sehen zwei Sättigungszustände geschaltet. Der eine Elektrode an einem vorgegebenen Potential (Vl) Sättigungszustand wird willkürlich als der »Eins«- liegt, das so bemessen ist, daß die Diode (Dl) Zustand und der andere Sättigungszustand als nur bei Aufsteuerung der dritten Wählstufe (TS) »Null«-Zustand bezeichnet.

in Sperrichtung beaufschlagt ist. Bei Matrizen, die nach dem Koinzidenzstrom-

3. Magnetkern-Speichermatrix nach An- 30 Prinzip arbeiten, ist es sehr wichtig, daß die spruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß eine koinzidenten Ströme, die zur Erzeugung beider weitere Diode (D 2) mit einer Eletkrode an die Sättigungszustände angelegt werden, stets die gleiche Verbindung zwischen Strombegrenzungsstufe Form haben. Haben z. B. die Koinzidenzstrom- (TXD) und dem Transistor (TXP) der primären Impulse bei zweidimensionalen Matrizen einen Wert, Wählstufe angeschlossen ist und mit der anderen 35 der unterhalb des benötigten Halbstromwertes liegt, Elektrode an einem vorgegebenen Potential (V 2) so wird der Kern nicht umgeschaltet. Wenn anderer-

..liegt, das so bemessen ist, daß die Diode (D 2) seits die Koinzidenzstrom-Impulse eine zu große von einer beim Zusteuern der dritten Wählstufe Amplitude haben, so werden auch über den an- (TS) in der gewählten Kernleitung induzierten gesteuerten Kern hinaus andere Kerne umgeschaltet. Spannung in Öffnungsrichtung beaufschlagt ist. 40 Außerdem ist festgestellt worden, daß ein ma-

4. Magnetkern-Speichermatrix nach einem der gnetischer Kern niemals bis zur sogenannten »abAnsprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß soluten Sättigung« geschaltet wird, denn die Treiberin den Eingang der dritten Wählstufe (TS) ein impulse, die man dazu benötigen würde, diesen Zu-Transformator (Γ1) geschaltet ist, der durch stand zu erreichen, müßten eine unendlich hohe Wählimpulse beaufschlagt wird. 45 Amplitude haben. Legt man daher verschiedene

5. Magnetkern-Speichermatrix nach An- Impulse an den Magnetkernschalter, so wird der spruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Kern längs unterschiedlicher Hysterese-Kurven geSekundärwicklung des Transformators (T 1) über schaltet, die sich ein wenig voneinander untereinen Widerstand (R5,R6) an der Basis eines scheiden. Wenn daher ein erster Impuls angelegt Transistors (TX T) angeschlossen ist, dessen 50 wird, der den Kern in einen ersten Sättigungszustand Emitter-Kollektor-Strecke in Serie mit dem Tran- bringt, und wenn danach ein zweiter Impuls unter-SiStOr(JZi) der sekundären Wählstufe liegt, und schiedlicher Amplitude angelegt wird, um den Kern daß ein Abgriffpunkt des Widerstands (RS,R6) in den entgegengesetzten Sättigungszustand zu mit der Anode einer Diode (D 4) verbunden ist, bringen, so wird der Kern bei wieder wiederholtem während die Kathode an dem Kollektor des 55 Anlegen der beiden anfangs angelegten Stromimpulse Transistors (TX T) angeschlossen ist. längs einer Hysterese-Kurve magnetisiert, die sich

6. Magnetkern-Speichermatrix nach An- von der unterscheidet, längs welcher er magnetisiert spruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß ein wurde, als die ersten Impulse angelegt worden sind. Dämpfungswiderstand (R 4) zwischen Basis und Da der gemessene Ausgangsstrom direkt mit der Emitter des Transistors (TX T) geschaltet ist. 60 beim Schalten durchlaufenen Hysterese-Kurve zu-

7. Magnetkern-Speichermatrix nach einem der sammenhängt, ändern sich die Amplituden der AusAnsprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß gangssignale, wenn man nicht nahezu identische eine Reihenschaltung aus einem Widerstand (R 1) Stromimpulse dazu verwendet, die Magnetkerne in und einem Kondensator (Γ 2) an dem Kollektor die beiden Sättigungszustände zu schalten.

des Transistors (TX S) der sekundären und an 65 Es ist daher sehr wünschenswert, daß man ge-

dem Emitter des Transistors (TXP) der primären eignete Schaltkreise zur Verfügung hat, die die not-

Wählstufe angeschlossen ist. wendigen »Lese«- und »Schreibe-Ströme erzeugen,

mit denen man eine Magnetkernmatrix ansteuern