DE1282707B - Magnetkernspeicher - Google Patents

Description

BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND

DEUTSCHES

PATENTAMT

AUSLEGESCHRIFT

Int. CI.:

GlIc

Deutsche Kl.: 21 al - 37/60 .

Nummer: 1282707

Aktenzeichen: P 12 82 707.5-53 (S 69876)

Anmeldetag: 10. August 1960

Auslegetag: 14. November 1968

Die Erfindung bezieht sich auf Informationsspeicher mit magnetischen Speicherkernen. Derartige Speicher werden häufig in -elektronischen Rechenanlagen und ähnlichen Vorrichtungen verwendet, um Informationen zu speichern. Die in solchen Speichern verwendeten magnetischen Kerne können zwei stabile Magnetisierungszustände einnehmen. Mit Hilfe entsprechender Stromkreise kann der jeweils ausgewählte Kern in eines der beiden Sättigungsgebiete einer vorzugsweise rechteckigen Hysteresischarakteristik magnetisiert werden und verbleibt in dem betreffenden Zustand, bis er in den anderen Zustand geschaltet wird. Infolgedessen sind derartige Kerne besonders geeignet, um Binärzeichen zu speichern. >■

Um die Ansteuerung der einzelnen Kerne und die Auswertung der in ihnen eingespeicherten Informationen zu erleichtern, werden die Magnetkerne in Form einer Matrix angeordnet. Ein an dem Schnittpunkt zweier in verschiedenen Richtungen ange- · ordneter Auswahlleitungen liegender Kern kann hier- ao bei durch in beiden Leitungen koinzident fließende Ströme ummagnetisiert werden.

Wenn man davon ausgeht, daß durch jede dieser Auswahlleitungen in einer Matrix mehrere tausend Kerne beeinflußt werden müssen (es gibt Fälle, bei denen dreitausend Kerne, die in verschiedenen Ebenen angeordnet sind, von einer einzigen Auswahlleitung durchdrungen werden), ist es augenscheinlich, daß eine einzelne Auswahlleitung mehrere Wicklungen enthält. Damit liegt im Zuge dieser Leitung eine große Anzahl von Induktivitäten, deren Größe mehr oder weniger voneinander abweicht und welche mehr oder weniger gleichmäßig längs der betreffenden Leitung verteilt sind. Eine derartige einzige Auswahlleitung besitzt außerdem mehr oder weniger gleichmäßig verteilte Kapazitäten gegenüber Erde und gegenüber den anderen Leitungen. Eine solche Auswahlleitung arbeitet infolgedessen ähnlich wie eine Übertragungsleitung, die verschiedene Probleme aufwirft.

Eines davon ist, daß die Übertragungsleitung die in sie eingespeisten Impulse an ihrem Ende reflektiert, wenn sie nicht mit einem Abschlußwiderstand, der ihrem Wellenwiderstand entspricht, abgeschlossen ist.

Zur Verhinderung solcher Reflexionen ist es bereits bekannt, die Auswahlleitung (Schaltleitung) an ihrem Ende mit einem ihrem Wellenwiderstand gleichen Widerstand abzuschließen. Nach einem älteren Vorschlag wird darüber hinaus auch noch der Leitungseingang mit dem Wellenwiderstand abgeschlossen.

■:. Magnetkernspeicher

' Anmelder:

Sperry Rand Corporation, .
New York, N. Y. (V. St. A.) .

Vertreter:

Dipl.-Ing. E. Weintraud, Patentanwalt,

6000 Frankfurt 1, Mainzer Landstr. 134-146

Als Erfinder benannt: .

William John Bartik, Hatbor% Pa.;

Kurt Grunensfelder, Ambler, Pa- (V. StA.)

·. Beanspruchte Priorität:
V. St. v. Amerika vom 17. August 1959 (843 275)

■ Ein solcher Abschlußwidersfänd nimmt aber, wenn er am Ende der Schaltleitung· in Serie zu dieser angebracht wird, den gleichen Strom auf wie die Schaltleitung, was insbesondere"'-bei einem hohen Wert des Wellenwiderstands -—'und damit auch des Abschlußwiderstands — eine nicht tragbare Verlustleistung zur Folge hat. -^: - ■ "

Erst recht gilt dies, wenn auch am Anfang der Schaltleitung ein Widerstand zwischen Stromquelle und Schaltleitung eingeschleift ist, um auch eingangsseitig einen reflexionsfreien Abschluß zu haben.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, bei Schaltleitungen, welche an ihrem Ende bzw. am Anfang und Ende mit einem ihrem Wellenwiderstand entsprechenden Widerstand angeschlossen sind, eine Verlustleistung im eingeschwurigenen Zustand weitgehend zu vermeiden. Eine Lösung dieser Aufgabe erreicht die Erfindung bei einem Magnetkernspeicher mit in Reihen und Spalten angeordneten Speicherkernen, welche durch gemeinsame Schaltleitungen angesteuert werden, die je mit einem ihrem Wellenwiderstand entsprechenden Widerstand abgeschlossen sind, dadurch, daß der dem Wellenwiderstand einer Schaltleitung entsprechend bemessene Widerstand der Schaltleitung parallel liegt.

In einer zweiten Lösungsvariante erfolgt die Lösung dadurch, daß der dem Wellenwiderstand einer Schaltleitung entsprechend bemessene Widerstand an die Schaltleitung nur wechselstrommäßig angekoppelt ist.

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Wird der Abschlußwiderstand in bekannter Weise Es sei zunächst angenommen, daß sich alle Kerne in Reihe mit der Leitung angeordnet, dann wird in dem einen remanenten Zustand befinden. Es ist jegliche Reflexion eines Impulses vermieden. Der nun möglich, einen der Kerne in den entgegen-Abschlußwiderstand kann aber nach der Erfindung gesetzten Schaltzustand zu bringen, indem sowohl parallel zu der Leitung angeordnet werden; dann 5 der Zeilenleitung 11 als auch der entsprechenden wird der Widerstand erst nach der ersten Reflexion Spaltenleitung 12 jeweils die Hälfte des zur Umwirksam und unterdrückt jegliche weitere Reflexion, magnetisierung des betreffenden Kernes erforderwodurch die Arbeitsgeschwindigkeit des Kern- liehen Stromes zugeführt wird. An der Kreuzungsspeichers nicht wesentlich eingeschränkt wird, jedoch stelle der entsprechenden Zeilen- und Spaltenleitung eine wesentlich geringere Verlustleistung im Ab- io wird damit auf den Kern eine Ummagnetisierungs-. schlußwiderstand erzielt wird. kraft ausgeübt, die größer ist als die Koerzitivkraft

Ein Ausfuhrungsbeispiel der Erfindung ist in den des betreffenden Kernes, so daß der betreffende Kern

Zeichnungen dargestellt. Es zeigt in den entgegengesetzten Magnetisierungszustand

Fig. 1 eine schematische Darstellung eines übergeführt wird. Durch zusätzliche Steuerleitungen, Magnetkernspeichers im Rahmen der vorliegenden 15 die nicht dargestellt sind, die aber in den verErfindung, schiedensten Formen bekannt sind, kann man die

Fig. la einen schematischen Stromlauf für eine betreffenden Kerne wieder in ihren Ursprungs-

der Schaltleitungen von Fig. 1, zustand zurückführen, so daß es möglich ist, binäre

~" Fig.Ib ein schematisches Schaltdiagramm einer Informationen in die einzelnen Kerne einzuspeichern anderen Möglichkeit .zur Beeinflussung der Kerne, ao und durch Ansteuerung der ummagnetisierten-Kerne

das in Fig. 1 angewendet werden kann, eine Ausspeicherung der aufgenommenen Informa-

Fig. 2 eine schematische Darstellung einer tion wieder vorzunehmen,

anderen Ausführungsform der Erfindung, Für die Beschreibung der Schaltvorgänge in Fig. 1

Fig. 3 ein schematisches Schaltdiagramm, das sei angenommen, daß der Kern 10 in der linken

eine weitere Ausführungsform der Erfindung be- as oberen Ecke der Matrix in einen Magnetisierungs-

inhaltet, zustand gebracht werden soll, der dem Ursprungs-

Fig. 4 eine schematische Darstellung, durch die zustand entgegengerichtet ist. Zu diesem Zweck wer-

die Anordnung nach den F i g. 1 oder 1 a abgeändert den den Basen der Transistoren 14 negative Impulse

wird, und zugeführt. Durch die den Basen der Transistoren 14

Fig. 5 eine schematische Darstellung einer Ab- 30 zugeführten negativen Impulse werden diese leitend

Wandlung der Anordnung nach Fig. 4. und legen dadurch Erdpotential an die an den

In Fig. 1 besitzt der Magnetkernspeicher eine Kollektor angeschlossenen Schaltleitungen. Die anVielzahl von Magnetkernen 10, die in der Form einer deren Enden dieser Schaltleitungen liegen normaler-Matrix angeordnet sind. Diese Matrix enthält Aus- weise an Potential—El, und zwar über die Diode wahlleitungen 11 und 12, die die einzelnen Kerne in 35 19, die mit der Spannungsquelle—El verbunden ist. Zeilen und Spalten durchdringen. Durch eine weitere Im Ruhezustand fließt ein Strom aus der Stromquelle Leitung 13 werden alle Kerne miteinander ver- —El über die Diode 19, den Widerstand 15, die bunden. Diese Leitung dient zum Herauslesen einer Induktivität 17 zu der Potentialquelle—E 2. Werden Information aus der Matrix. Die Kerne besitzen eine die anderen Enden der Schaltleitungen über die im wesentlichen rechteckförmige Hysteresisschleife. 40 Schalttransistoren 14 an Erde geschaltet, so fließt ein Die beiden unterschiedlichen magnetischen Zustände Strom von der Erde über die entsprechenden Schaltdienen dazu, Binärzeichen einzuspeichern. Es sind in leitungen zu den Enden 21 und sperrt dadurch die Fig. 1 lediglich sechzehn derartiger Kerne einge- jeweils angeschlossene Diode 19. Infolge der Impezeichnet, damit die Darstellung verhältnismäßig ein- dänz der aus dem Widerstand 15 und der Induktivifach gehalten werden kann. Selbstverständlich ist es 45 tat 17 bestehenden Kombination, die im Vergleich ohne weiteres möglich, Hunderte oder Tausende mit der Impedanz der Auswahlleitung verhältnisderartiger Kerne in einer einzigen Matrix zusammen- mäßig hochohmig ist, ist es augenscheinlich, daß der zufassen, die durch entsprechende Auswahlleitungen Stromkreis, der die Diode 19, den Widerstand 15 angesteuert werden. und die Induktivität 17 enthält, dazu dient, in den

Jede der horizontalen Auswahlleitungen 11 und 50 einzelnen Schaltleitungen einen im wesentlichen stets der senkrecht angeordneten Auswahlleitungen 12 ist konstanten Stromfluß zu bewirken. Wird gleichzeitig mit einem Ende mit dem Kollektor je eines PNP- Strom durch die der oberen Reihe zugeordnete Transistorschalters 14 verbunden. Jeder der Emitter Schaltleitung und die der linken Spalte zugeordnete der einzelnen Transistoren ist mit Erde verbunden, Schaltleitung geschickt, wobei dieser Strom in jedem während die Basis jedes der Transistoren an eine 55 Falle etwa dem halben Strom entspricht, der zur negative Signalimpulse liefernde Impulsquelle ange- Ummagnetisierung eines Kernes notwendig ist, so erschlossen ist. Das andere Ende 21 der einzelnen gibt sich, daß der volle Schaltstrom dem um-Auswahlleitungen ist mit einer Potentialquelle—E 2 zumagnetisierenden Kern zugeführt wird und daß verbunden, und zwar über einen Widerstand 15 und dieser nunmehr seinen Schaltzustand ändert, eine Induktivität 17. Außerdem liegt an diesem Ende 60 Die Vorsehung von Widerständen 16, die dem 21 der einzelnen Leitungen eine Potentialquelle jeweiligen Wellenwiderstand der Schaltleitung lic — E1, die positiver istals die Potentialquelle—E 2, gemäß Ersatzschaltbild nach Fig. la entsprechen, wobei der ersteren eine Diode 19 vorgeschaltet ist. stellt sicher, daß in diesen Leitungen keine den Parallel zu jeder der Auswahlleitungen ist zwischen Normalwert überschreitenden Ströme auftreten. In den Kollektor des Transistors 14 und das andere 65 der F i g. 1 sind diese Widerstände 16 parallel zu den Ende 21 der betreffenden Leitung ein Widerstand 16 einzelnen Leitungen an deren Steuerende geschaltet, geschaltet. Dieses andere Ende entspricht dem Fig. la zeigt die Schaltung einer Schaltleitung, wie Leitungsanfang, da es an der Stromquelle liegt. sie in F i g. 1 enthalten ist. Bei der Aussendung eines

Stromimpulses durch die hochohmige Stromquelle 14 β ergibt sich eine Stromteilung, da ein Teil des Stromes über die Leitung 11 α und ein anderer Teil über den parallelgeschalteten Widerstand 16 α fließt. Wenn der Stromimpuls das Ende der Leitung erreicht, das der Stromquelle 14 α gegenüberliegt, so wird er mit einer vergrößerten Amplitude zurückreflektiert. Die Impedanz der Stromquelle 14 α ist, in rückwärtiger Richtung gesehen, sehr hoch (sie entspricht im wesentlichen der Impedanz des Wider- χ₀ Standes 15 und der Induktivität 17), und der Widerstand 16 λ entspricht im wesentlichen dem Wellenwiderstand der Leitung 11 α, der beträchtlich tiefer liegt. Infolgedessen wird die reflektierte Welle von dem Widerstand 16 a vollständig absorbiert, und i_S irgendwelche Schwingungserscheinungen auf der Leitung werden damit beendet. Infolgedessen stellt sich lediglich eine einzige Reflexion ein, und die jeweilige Auswahlleitung nimmt sehr schnell den jeweiligen stabilen Zustand ein. ao

Bei dieser Ausführungsform der Erfindung wird während des jeweiligen stabilen Zustandes durch die zu den Schaltleitungen parallelgeschalteten Widerstände zwar auch Strom entnommen, jedoch ist diese Stromentnahme sehr viel geringer als in dem _a5 Fall, daß der Abschlußwiderstand in Reihe mit den Schaltleitungen und dem Schalttransistor 14 geschaltet ist.

Nimmt man beispielsweise zur Vereinfachung der Rechnung an, daß der Wellenwiderstand Z einer Schaltleitung 100 Ohm beträgt und zur Durchführung einer Ummagnetisierung ein Stromfluß von V2 Ampere in der einzelnen Schaltleitung benötigt wird, so ist es augenscheinlich, daß während des stabilen Zustandes unter der Annahme, daß der be- ₃-treffende Abschlußwiderstand der Größe Z in Reihe mit der Leitungsimpedanz liegt, sich im Abschlußwiderstand ein Leistungsverlust einstellt, der sich bemißt nach der Formel/2-Z = 25 Watt. Wird aber entsprechend der Erfindung der Abschlußwiderstand Z parallel zu der jeweiligen Schaltleitung gelegt und wird der ohmsche Widerstand der Schaltleitung mit 10 Ohm, wie es üblich ist, angenommen, während die übrigen Werte dieselben bleiben, so ergibt sich nunmehr ein Stromfluß von etwa V40 Ampere durch den Widerstand 16, und der Leistungsverlust ist auf Vs Watt reduziert.

Obgleich sich bei der Parallelschaltung des Abschlußwiderstandes eine Reflexion einstellt, durch die die Zeitspanne, die zur Erreichung des stabilen Zu-Standes verstreicht, etwas vergrößert wird, ergibt sich doch keine störende Einwirkung auf die Wirkungsweise der Speichervorrichtung. Es stellt sich im Gegenteil eine wesentliche Verbesserung ein, da im stabilen Zustand nur eine geringe Stromentnahme stattfindet. Ungeachtet dieser einen Reflexion ergibt sich keine Veränderung in der Kurvenform des angeschalteten Impulses, sondern es wird während des Impulses ein im wesentlichen konstanter Strom aufrechterhalten.

Die F i g. 1 b zeigt eine Schaltleitung einer Matrix gemäß der F i g. 1, deren übrigen Teile in der in F i g. 1 ersichtlichen Weise ausgebildet sind. Einander entsprechende Schaltelemente tragen dieselben Bezugszeichen unter Hinzufügung des Buchstabens b. s_g In F i g. 1 b ist eine übliche Pentode P gezeigt, über die die Stromimpulse an die Leitung angeschaltet werden, wobei diese Pentode P die Transistorschalter der F i g. 1 ersetzt. Ein Widerstandselement 16 b, das etwa dem Wellenwiderstand der Leitung gemäß dem Ersatzschaltbild 11 α entspricht, ist parallel zu der Auswahlleitung geschaltet und hat hinsichtlich des Abschlußwiderstandes dieser Leitung die oben geschilderte Wirkung.

Es ist augenscheinlich, daß die verschiedensten Arten von Stromquellen vorgesehen werden können, um die einzelnen Schaltleitungen mit Ummagnetisierungsimpulsen zu versehen, und daß die Erfindung infolgedessen nicht auf die in der Zeichnung dargestellten Stromstoßquellen beschränkt ist. Es können beispielsweise auch Magnetverstärker an Stelle der Pentode als Schaltelemente benutzt werden, die auch Transistorschalter ersetzen können.

In F i g. 2 ist eine einzige Auswahlleitung gezeigt, die eine Vielzahl von Kernen 20 enthält, die durch eine Leitung 22 miteinander verbunden sind und aus einer Stromquelle 24 ihre Ummagnetisierungsimpulse erhalten. Auch bei dieser Ausführungsform der Erfindung ist ein Widerstand 28 mit einem dem Wellenwiderstand gemäß der Leitung 11 a des Ersatzschaltbildes entsprechenden Wert parallel zur Schaltleitung 22 gelegt. Es ist jedoch außerdem noch eine Kapazität 26 vorgesehen, die in Reihe mit diesem Widerstand liegt.

Wird bei dieser Ausführungsform der Erfindung ein Stromimpuls an die Schaltleitung angelegt, so stellt sich wiederum eine Reflexion in der Leitung ein, wie sie im vorstehenden beschrieben wurde. Wenn der reflektierte Impuls an der Stromquelle ankommt, so gelangt er infolge seiner nur vorübergehenden Wirkung über die Kapazität 26 zum Widerstand 28 und wird von diesem absorbiert. Da eine Kapazität keinen stetigen Stromfluß zuläßt, so ergibt sich, daß, sobald der stabile Zustand erreicht wird, auf dem zu den einzelnen Schaltkernen 20 liegenden Parallelweg kein Stromverbrauch mehr eintreten kann.

Eine andere Anordnung zur Verringerung von Schwingungserscheinungen auf einer Schaltleitüng ist in Fig. 3 gezeigt. Die Schaltleitung der Fig. 3 entspricht im wesentlichen der oben beschriebenen Leitung und enthält eine Vielzahl von Kernen 30, die durch eine Auswahlleitung 32 miteinander verbunden sind, der aus der Stromquelle 34 die einzelnen Magnetisierungsimpulse zugeführt werden. In Reihe mit der Leitung 32 liegt die Primärwicklung 33 eines Transformators 35, dessen Sekundärwicklung über einen Widerstand 38, der etwa dem Wellenwiderstand der Schaltleitung entspricht, abgeschlossen ist. Der Widerstand 38 übt während des Stromanstieges und -abfalls die Wirkung des Abschlußwiderstands aus und verhindert damit Reflexionserscheinungen auf der Schaltleitung. Sobald der stabile Zustand erreicht ist, besitzt die Primärwicklung des Transformators eine vernachlässigbare Impedanz, und es wird nunmehr keine Spannung mehr in der Sekundärwicklung induziert. Der Transformator verbindet infolgedessen den Abschlußwiderstand am Ende der Leitung 32 lediglich während der einzelnen Schaltvorgänge und trennt den Abschlußwiderstand im jeweiligen stabilen Zustand wieder ab. Infolgedessen wird keine oder kaum eine Leistung während des stabilen Zustandes durch ihn beansprucht, mit Ausnahme desjenigen Leistungsanteils, der verursacht wird durch die Einschaltung der Primärwicklung des Transformators in die jeweilige Schaltleitung.

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,;; In den an Hand;der Fig. 2 und 3 beschriebenen Fig. 1 und la beschrieben wurde. Der Stromkreis Beispielen.sind ,die Abschlußwiderstände nur wirk- der Fig..4 hat den weiteren Vorteil, daß während sam während des Anstieges und Abfalls der einzel- des stabilen Zustandes keinerlei Stromverbrauch ;nen Stromimpulse. .Diese Abschlußwiderstände sind stattfindet, und zwar infolge des hohen Widerstandes frequenzabhängig, da der Abschlußwiderstand durch 5 der Dioden 55 und 56 im gesperrten Zustand,
die jeweils zugeordnete Steuerleitung nur während Dasselbe Ergebnis kann durch eine Anordnung

der instabilen Zustände während des Anstieges und gemäß Fig. 5 erreicht werden. Hier sind wiederum Abfalls der Stromimpulse angesteuert wird. Andere Dioden 66 und 67 miteinander verbunden und liegen Anordnungen für einen wirkungsvollen Abschluß in Serie mit Abschlußwiderständen 68, wobei die einer Steuerleitung, ohne daß dadurch im stabilen io gesamte Anordnung parallel zu der Steuerleitung 62 Zustand nennenswerte. Verluste eintreten, sind in den und der Stromquelle 64 geschaltet ist. In diesem Fall Fig. 5 und 6 dargestellt. werden Zener-Dioden verwendet, wodurch es un-

; In Fig. 4 enthält eine Steuerleitung eine Mehrzahl nötig ist, zwei getrennte Netzwerke zu verwenden, von Kernen 50, die durch eine Auswahlleitung 52 und auch die Vorspannungsquelle wegfallen kann, miteinander verbunden sind, die ihrerseits an eine 15 Derartige Dioden werden in der einen Durchlaß-Stromquelle 54 angeschlossen ist. Parallel mit der richtung nur dann leitend, wenn eine bestimmte Steuerleitung 52 ist eine Vielzahl von Netzwerken kritische Spannung, die sogenannte Zener-Spannung, geschaltet. Diese Netzwerke enthalten erste und angelegt wird, während sie in der anderen Richtung zweite Dioden 55 und 56, die an den Anfang der einen vernachlässigbar kleinen Widerstand besitzen. Leitung geschaltet sind und entgegengesetzt gepolt ao In der einen Richtung ist die Wirkungsweise der werden. Jede dieser Dioden ist mit einem Abschluß- Zener-Diode ähnlich der einer gewöhnlichen Diode, widerstand 57 geeigneter Impedanz., verbunden. Die die sich in einem bestimmten Vorspannungszustand Widerstände 57 sind an die einander entgegengesetzt befindet. Durch entsprechende Wahl der Zenergepolten Klemmen zweier Vorspannungsquellen 58 Spannungen, d. h. bei Angleichung der Zener- und 59 geschaltet, deren andere Ausgänge mit einem 25 Spannung an die Spannung der Batterien 58 und 59, gemeinsamen Verbindungspunkt gekuppelt sind. In ergeben die Dioden 66 und 67 dieselbe Wirkung wie F i g. 5 sind zwei verschiedene Netzwerke dargestellt, die Dioden 55 und 56 in F i g. 4. Die Diode 67 ist in von denen jedes seinen eigenen Abschlußwiderstand der einen Richtung für positive Stromimpulse leitend, • 57 enthält. - während die Diode 66 bei negativen Stromimpulsen,

' Die Stromquelle 54 ist derart ausgebildet, daß sie 30 die der Stromspannungsquelle 64 entnommen werentgegengesetzt gerichtete Stromimpulse liefert, durch den, leitend wird.

die die Kerne in entgegengesetzte Schaltzustände ge- - Ein zusätzlicher Vorteil der mit Dioden bestückten bracht werden können. Schwingungserscheinungen Anordnung der Fig.4 und 5 besteht darin, daß infolge der ansteigenden und abfallenden Flanken innerhalb der Steuerleitung eine bessere Konstantder Pulse werden durch die entgegengesetzt gepolten 35 haltung der Stromverhältnisse erreicht wird. Dies Dioden 55 und 56 zusammen mit den entsprechen- kann bei einer Betrachtung der Auswahlleitung von den Vorspannungsquellen 58 und 59 unterdrückt. Da Fig. 1 a, die Hunderte oder Tausende von Kernen in den_;Ausführungsformen nach den Fig. 1 bis 4 enthalten kann, gesehen iwerden. Die durch die keine Dioden verwendet werden, sind diese vor- Kerne 10 erzeugte Gegen-EMK kann unterschiedbeschriebenen - Ausführungen auch nicht strom- 40 liehe Werte annehmen, da bei einem Schaltvorgang richtungsabhängig, und es war infolgedessen ledig- der betreffende Strom beispielsweise Jceine Kerne lieh ein einziger Abschlußkreis erforderlich. umsteuert, während bei einem anderen Schaltvorgang

Während der Inbetriebnahme sind normalerweise eine große Zahl von Kernen umgeschaltet wird. Inbeide Dioden infolge ihrer Vorspannungsquellen ge- folge'der induzierten Spannungen fließt dann ein sperrt. Die stark ansteigende Spannung an der Ein- 45 Strom durch die Steuerleitung, und zwar über die gangsflanke eines positiven Stromimpulses 51 ver- Schleife der Auswahlleitung 11 α und den Widerursacht längs der Steuerleitung einen Potentialabfall, stand 16 α. Dieser Strom variiert nach der Formel der ausreicht, um die Diode 56 leitend zu machen, E'/Rl, wobei JE die maximale Gegen-EMK darstellt, d. h., sie besitzt in der einen Richtung einen vernach- während R1 den Widerstand der Steuerleitung 11 a lässigbar kleinen Widerstand, so daß die Steuer- 5° und den Widerstand 16 α umfaßt,
leitung nunmehr durch den Abschlußwiderstand57 In Fig. 4 sind nunmehr die Dioden55 und 56 in

mit der geeigneten Impedanz verbunden ist. Infolge- Reihe mit den Widerständen 57 geschaltet. Die dessen wird nunmehr dieser Widerstand 57 mit der Spannung, die notwendig ist, um die Diode 55 leitend Steuerleitung gekuppelt, um Schwingungserscheinun- zu machen, ist größer als der durch den Widerstand gen auf dieser Leitung zu verringern. Wenn jedoch 55 der Steuerleitung bedingte Spannungsabfall plus der der stabile Zustand erreicht ist, reicht der durch Gegen-EMK von einem oder mehreren Kernen. Inden konstanten Strom der Steuerleitung bedingte folgedessen ist der Strom, der durch die Steuer-Spannungsabfall nicht mehr aus, um die Diode 56 leitung fließt, unabhängig von der Zahl der zu im leitenden Zustand zu halten. Bei der Beendigung schaltenden Kerne, falls die Zahl dieser Kerne nicht des Impulses 51 wird eine negativ gerichtete 60 über ein bestimmtes Maß geht und die Stromquelle Spannung induziert, die die Diode 55 leitend macht 54 den Idealbedingungen entspricht,
und damit den mit ihr verbundenen Widerstand 57 Eine Anordnung, die ähnlich derjenigen ist, wie

mit der Steuerleitung52 kuppelt. In ähnlicher Weise sie in Fig. 4 oder 5 beschrieben wurde, kann man werden somit die Dioden 55 und 56 an den an- auch erhalten, wenn man nichtlineare Widerstände steigenden und abfallenden Kanten, eines negativen 65 als Abschlußwiderstand 16b in Fig. Ib verwendet. Impulses 53 wirksam gemacht. Die Widerstände 57 Derartige Widerstände sind beispielsweise Varistoren, verringern die Schwingungserscheinungen in einer bei welchen bekanntlich ein Halbleiterelement ähnlichen Weise, wie dies bereits an Hand der einen nichtlinearen Widerstand besitzt,. der von der

angelegten Spannung abhängig ist. Der effektive Widerstand des Varistors entspricht bei der angenommenen Spannung etwa dem Wellenwiderstand der Schaltung. Die bei der Ein- und Ausschaltung des Stromes entstehende hohe induzierte Spannung setzt den Widerstand herab und verursacht damit einen sehr großen Stromfluß durch den Varistor. Während der Rückkehr in den stabilen Zustand sinkt der den Varistor durchfließende Strom sehr schnell ab und wird im stabilen Zustand vernachlässigbar klein.

Wie aus vorstehendem ersehen werden kann, sind die verschiedensten Möglichkeiten gegeben, um Veränderungen der Stromimpulse in Steuerleitungen von Kernmatrizen zu vermeiden. Alle diese Vorrichtungen enthalten einen Abschlußwiderstand für eine Schaltleitung, durch den die gewünschte Wirkung erreicht wird, ohne daß dadurch während des stabilen Zustandes ein nennenswerter Stromverbrauch stattfindet.

Claims (9)

Patentansprüche:

1. Magnetkernspeicher mit in Reihen und Spalten angeordneten Speicherkernen, welche durch gemeinsame Schaltleitungen angesteuert werden, die je mit einem ihrem Wellenwiderstand entsprechenden Widerstand abgeschlossen sind, dadurch gekennzeichnet, daß der dem Wellenwiderstand einer Schaltleitung entsprechend bemessene Widerstand (16, 28, 57, 68) der Schaltleitung parallel liegt.

2. Magnetkernspeicher mit in Reihen und Spalten angeordneten Speicherkemen, welche durch gemeinsame Schaltleitungen angesteuert werden, die je mit einem ihrem Wellenwiderstand entsprechenden Widerstand abgeschlossen sind, dadurch gekennzeichnet, daß der dem Wellenwiderstand einer Schaltleitung entsprechend bemessene Widerstand (38) an die Schaltleitung nur wechselstrommäßig angekoppelt ist.

3. Magnetkernspeicher nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Parallelwiderstand (28, 57, 68) über nur während der Einschwingzeit bzw. Ausschwingzeit durchlässige Schaltglieder (26, 55, 56, 66, 67) angeschlossen ist.

4. Magnetkernspeicher nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Parallelwiderstand (28) mit einem Kondensator (26) in Reihe geschaltet ist.

5. Magnetkernspeicher nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Parallelwiderstand (57) in Reihe mit spannungsabhängigen Schaltmitteln (55, 56; 66, 67) liegt, welche in Abhängigkeit von auf der Schaltleitung auftretenden Induktionsspannungen stromdurchlässig werden.

6. Magnetkernspeicher nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß zwei Parallelwiderstände (57) vorgesehen sind, von denen jeder in Reihe mit einer Diode (55, 56) und einer Vorspannungsquelle (58, 59) liegt und deren Dioden und Vorspannungsquelle der verschiedenen Parallelwiderstände unterschiedlich gepolt sind.

7. Magnetkernspeicher nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Parallelwiderstand (68) in Reihe mit einem Paar entgegengesetzt gepolter Zenerdioden (66, 67) liegt.

8. Magnetkernspeicher nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Parallelwiderstand in Reihe mit einem nichtlinearen Widerstand liegt.

9. Magnetkernspeicher nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der dem Wellenwiderstand der Schaltleitung entsprechend bemessene Widerstand (38) an die Sekundärwicklung (36) eines Transformators angeschaltet ist, dessen Primärwicklung (33) in Reihe mit der Schaltleitung liegt.

In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Auslegeschrift Nr. 1044 467.

In Betracht gezogene ältere Patente:
Deutsches Patent Nr. 1098536.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

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