DE1166259B - Schaltkernmatrix - Google Patents
SchaltkernmatrixInfo
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- G11C11/06007—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using single-aperture storage elements, e.g. ring core; using multi-aperture plates in which each individual aperture forms a storage element using a single aperture or single magnetic closed circuit
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Description
BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND DEUTSCHES VJÜTW^S^ PATENTAMT
Internat. KL: H 03 k
AUSLEGESCHRIFT
Nummer:
Aktenzeichen:
Anmeldetag:
Auslegetag:
Aktenzeichen:
Anmeldetag:
Auslegetag:
Deutsche Kl.: 21 al - 36/18
J 21603 VIII a/21 al
12. April 1962
26. März 1964
12. April 1962
26. März 1964
Die Erfindung betrifft eine Schaltkernmatrix, insbesondere für die Aufrufeinrichtungen von Magnetkern-Matrixspeichern,
in welcher die Ausgangswicklungen der Magnetkerne mit ihren zugehörigen Verbrauchern
in Reihe geschaltet und diese Reihenschaltungen für eine Ebene der Schaltkernmatrix parallel
geschaltet sind.
Bie großen Magnetkern-Matrixspeichern, wie sie in programmgesteuerten Rechenmaschinen und anderen
Geräten zur automatischen Informationsverarbeitung Verwendung finden, werden die Aufrufeinrichtungen
zu ihrer Vereinfachung und zur Einsparung von Treibern häufig mit Schaltkernmatrizen
aufgebaut, in denen jeder Zeilen- und Spaltenleitung des Matrixspeichers ein Magnetkern als Treiber zugeordnet
ist. Im allgemeinen werden diese Schaltkernmatrizen ähnlich wie die Speichermatrizen selbst nach
dem Stromkoinzidenzprinzip betrieben. Da die Hystereseschleife der zur Verfügung stehenden Magnetmaterialien
von der idealen Rechteckform abweichen, treten wie bei den Speicherkernen auch bei
den Schaltkernen in den nur halbgewählten Kernen Störimpulse auf. Während diese Störimpulse bei den
Speichermatrizen jedoch leicht kompensiert werden können, ist dies bei Schaltkernmatrizen nicht ohne
weiteres möglich, da auf jeden Verbraucher nur ein Schaltkern arbeitet und alle Schaltkerne Impulse
gleicher Polarität abgeben müssen.
Es ist nun eine Schaltkernmatrix bekanntgeworden, in der die auftretenden Störimpulse dadurch kompensiert
werden, daß die Ausgangswicklungen der Schaltkerne mit ihren zugehörigen Verbrauchern in Reihe
geschaltet und diese Reihenschaltungen für eine Ebene der Schaltkernmatrix parallel geschaltet sind,
so daß der Ausgangsstrom eines ausgewählten Schaltkernes nach Durchlaufen des zugehörigen Verbrauchers
sich im wesentlichen gleichmäßig auf die restlichen Reihenschaltungen aufteilt und den darin aufgetretenen
Störimpulsen entgegenwirkt. Diese Anordnung hat jedoch den Nachteil, daß der Belastungswiderstand
des ausgewählten Magnetkernes durch die mit ihm in Reihe geschaltete Serien-Parallel-Kombination
und damit auch die Anstiegszeit des Ausgangsstromes nicht unwesentlich vergrößert wird.
Gegenstand der Erfindung ist eine Schaltkernmatrix der eingangs genannten Art, welche diesen Nachteil
nicht aufweist. Dies wird erfindungsgemäß dadurch erreicht, daß der Parallelschaltung der Reihenschaltungen
von Ausgangswicklungen und Verbraucher der Magnetkerne eine Induktivität parallel geschaltet
ist, die derart bemessen ist, daß der Spannungsabfall des Ausgangsstromes eines ausgewählten Magnet-Schaltkernmatrix
Anmelder:
International Business Machines Corporation,
New York, N.Y. (V. St. A.)
Vertreter:
Dipl.-Ing. H. E. Böhmer, Patentanwalt,
Böblingen (Württ.), Sindelfinger Str. 49
Als Erfinder benannt:
Jack Keith Shortle, Poughkeepsie, N.Y.,
Russell Arthur Rowley, Saratoga, Calif.
(V. St. A.)
Jack Keith Shortle, Poughkeepsie, N.Y.,
Russell Arthur Rowley, Saratoga, Calif.
(V. St. A.)
Beanspruchte Priorität:
V. St. ν. Amerika vom 13. April 1961 (102 737)
kernes an dieser Induktivität weitgehend der Störspannung an der Ausgangswicklung eines nicht ausgewählten
Magnetkernes gleich ist. Nach einem weiteren Merkmal der Erfindung wird die Induktivität
durch die Ausgangswicklung eines ähnlich den nicht ausgewählten Magnetkernen dieser Ebene der Schaltkernmatrix
erregten und auch gleich bemessenen weiteren Magnetkernes gebildet.
Die Erfindung wird an Hand zweier in den Zeichnungen dargestellter Ausführangsbeispiele näher beschrieben.
F i g. 1 zeigt das erste Ausführungsbeispiel einer Schaltmatrix nach der Erfindung. Sie stellt eine der
für den Aufruf eines aus mehreren Speicherebenen bestehenden Magnetkern-Matrixspeichers erforderliche
Matrixebene dar. Eine zweite Schaltmatrixebene ist angedeutet.
Die dargestellte Schaltmatrixebene besteht aus einer
Anzahl bistabiler Magnetkerne 10 a bis 1On, von denen jeder eine Hysteresekurve der in F i g. 2 gezeigten
Form hat. Eine nicht gezeigte Vormagnetisierungswicklung durch alle Kerne der Ebene führt
einen Dauerstrom, welcher diese Kerne auf einen weit im negativen Sättigungsbereich der Hysteresekurve
liegenden Punkt S vorspannt. Weiterhin gehen durch jeden Kern der Ebene eine Zeileneingangswicklung
12, eine Spalteneingangswicklung 14 (in Fig. 1 ist nur eine gezeigt) und eine der Ausgangs wicklungen
409 540/468
I 166
16« bis 16« hindurch. Mit jeder Ausgangswicklung
ist die Treiberwicklung für eine Zeile oder eine Spalte des Matrixspeichers in Reihe geschaltet. Diese Treiberwicklungen
bilden die Belastung für die Treiberkerne. Sie sind in Fig. 1 als Kombinationen 18a bis
18« von Induktivität und Widerstand dargestellt. Die Reihenschaltungen von Ausgangswicklung undTreiberwicklung
sind für jede Ebene zwischen zwei gemeinsamen Leitungen 20 und 22 parallel geschaltet. Eine
Leitung 23, die nur eine Induktivität 24 enthält, ist ebenfalls zwischen die Leitungen 20 und 22 geschaltet.
Gemäß Fig. 1 verkettet die Zeileneingangswicklung 12 alle Kerne in einer Ebene der Schaltmatrix.
Ein dieser Wicklung zugeführtes Signal treibt jeden dieser Kerne vom Punkt5 (Fig. 2) zum Punkt//
auf seiner Hysteresekurve. Die dadurch in diesen Kernen stattfindende Flußänderung Bn induziert eine
Spannung En (F i g. 3 a) in der Ausgangswicklung 16
jedes dieser Kerne. Diese Ausgangsspannung hat den Wert Durch entsprechende Wahl des Wertes der Induktivität
L kann erreicht werden, daß der Durchschnittswert E1 gleich dem Durchschnittswert von EH wird:
d/V
d/
d/
dt
EH =
dU η
dt
wobei L1. die Induktivität eines einzelnen Magnetkernes
und /,·„ der in der Eingangswicklung 12 fließende
Strom ist.
F i g. 1 läßt außerdem erkennen, daß jede Spalteneingangswicklung 14 durch je einen Kern aus jeder
Ebene der Schaltmatrix hindurchgeht. Auch das der Eingangswicklung 14 zugeführte Signal vermag in
jeder Ebene einen Kern zum Punkt// seiner Hysteresekurve
zu treiben. Bei gleichzeitiger Anlegung von Signalen an die Eingangswicklungen 12 und 14 eines
Kernes wird dieser zum Punkt F seiner Hysteresekurve getrieben. Hierdurch wird eine Flußänderung
Bt bewirkt, die eine Spannung E1. (F i g. 3 b) in
der Ausgangswicklung des Kerns induziert.
Es sei angenommen, daß alle Magnetkerne der dargestellten Ebene am Punkt S ihrer Hysteresekurve
arbeiten und daß ein positives Ausgangssignal in der Ausgangswicklung 16 b dagegen kein Ausgangssignal
in irgendeiner der anderen Ausgangswicklungen erzeugt werden soll. Zu diesem Zweck werden gleichzeitig
an die Eingangswicklungen 12 und 14 Eingangssignale angelegt, welche den Kern 10 b zum Punkt F
(Fig. 2) seiner Hysteresekurve und die Kerne 10a
und 10 c bis 1On zum Punkt H ihrer Hysteresekurve treiben. Die dadurch in diesen Kernen ausgelösten
Flußänderungen induzieren die gewünschte Ausgangsspannung EF an der Ausgangswicklung 16Zj, aber
außerdem unerwünschte Halbwählspannungen En an den anderen Ausgangswicklungen der Ebene.
Die Schaltung nach der Erfindung soll nun verhindern, daß diese Halbwählspannungen einen Strom
durch die Belastungen 18 a und 18 c bis 18 η treiben, ohne gleichzeitig die Belastung des ausgewählten
Magnetkernes 10 b merklich zu vergrößern. Das wird durch die Parallelschaltung der obenerwähnten Induktivität
24 erreicht. Der Strom in der ausgewählten Treiberleitung 18 b fließt durch diese Induktivität 24
zurück und läßt an dieser eine Spannung EL abfallen:
= L-
dip
dt
wobei L die Induktivität des Elementes 24 und iF der
durch die ausgewählte Treiberleitung 18 b fließende Strom ist.
E1 und En haben dieselbe Polarität. Wenn daher
der Wert von L so gewählt wird, daß die Größe dieser Spannungen gleich ist. ist die Summe der Spannungen
in jeder beliebigen geschlossenen Schleife der Schaltung, die die ausgewählte Treiberleitung 18 b nicht
enthält, gleich Null. Zum Beispiel wäre dann der Durchschnittswert der Spannungen in der geschlossenen
Schleife, die die Treiberleitung 18 a und die Induktivität 24 enthält, gleich En — EL = 0. Ebenso
wäre die Summe der Spannungen in der geschlossenen Schleife, die die Treiberleitungen 18« — 1 und 18π
enthält, gleich En — En = 0. Daher kann in diesen
Schleifen kein Strom fließen, sondern lediglich in den Schleifen, die die ausgewählte Treiberleitung 186 enthalten.
Praktisch sind die Wellenformen von En und EL nicht genau gleich, so daß zu gewissen Zeitpunkten
ein allerdings kleiner Strom in den die Induktivität 24 enthaltenden Schleifen fließt.
Für die kurze Zeitdauer, bis der eingeschwungene Zustand erreicht ist, fließen in den nichtgewählten
Treiberleitungen Rückströme, deren Wert etwa gleich
* ist. Diese Ströme sind den in diesen Leitungen
induzierten Halbwählströmen entgegengerichtet und neigen dazu, sie aufzuheben. Nach Erreichen des
eingeschwungenen Zustandes stellt die Induktivität 24 dem Strom IF jedoch keinen Widerstand mehr entgegen,
so daß diese eine einem Kurzschluß nahekommende Rückleitung für diesen Strom bildet.
Ein vollständiger Arbeitszyklus des Magnetkern-Matrixspeichers erfordert vom Treiber zunächst ein
»Lese«-Signal der einen Polarität und dann ein »Schreib«-Signal der entgegengesetzten Polarität. Die
bisher beschriebene Schaltung liefert nur das Lesesignal. Ein Schreibsignal der entgegengesetzten Polarität
entsteht, wenn bei Beendigung der Eingangssignale auf den Eingangswicklungen 12 und 14 der
ausgewählte Magnetkern durch den Dauerstrom auf der (nicht gezeigten) Vormagnetisierungsleitung zum
Punkts seiner Hysteresekurve zurückgestellt wird. Dieses erwünschte Ausgangssignal £>' (F i g. 3 b) wird
von Halbwähl-Störimpulsen En (F i g. 3 a) begleitet,
die bei der Rückstellung der halbgewählten Kerne entstehen. Durch die Induktivität 24 werden auch
diese Halbwähl-Störimpulse daran gehindert, einen unerwünschten Stromfluß zu erzeugen, und zwar in
derselben Weise, wie es bei der »Lese«-Hälfte des Zyklus beschrieben worden ist. Der einzige Unterschied
besteht darin, daß alle Polaritäten umgekehrt sind.
Die gleichen Ergebnisse werden, wenn auch in etwas anderer Weise, dadurch erreicht, daß gemäß
F i g. 4 als Induktivität 24 die Ausgangswicklung 30 eines Magnetkerns 32 des gleichen Typs wie die Magnetkerne
10a bis 10« verwendet wird. Dieser zusätzliche Kern wird von der Zeileneingangswicklung
12 beeinflußt; er besitzt aber keine Spalteneingangswicklung 14. Da die Hysteresekurve dieses Kerns der
in F i g. 2 gezeigten gleicht, wird durch den der Wicklung 12 zugeführten Strom auch an seiner Ausgangswicklung
eine Spannung En induziert, welche dann
die Störsignale in derselben Weise aufhebt wie die an
der Induktivität 24 erzeugte Spannung Is1. Da die
Leitung 23 wiederum nur eine Induktivität enthält, stellt sie nach Erreichen des eingeschwungenen Zustandes
auch jetzt dem Strom IF keinen Widerstand mehr entgegen. .
Claims (2)
1. Schaltkernmatrix, insbesondere für die AufrufeinrichtungenvonMagnetkern-Matrixspeichern,
in welcher die Ausgangswicklungen der Magnetkerne mit ihren zugehörigen Verbrauchern in
Reihe geschaltet und diese Reihenschaltungen für eine Ebene der Schaltkernmatrix parallel geschaltet
sind, dadurch gekennzeichnet, daß der Parallelschaltung der Reihenschaltungen von
Ausgangswicklungen (16) und Verbraucher (18) der Magnetkerne (10) eine Induktivität (24) parallel
geschaltet ist, die derart bemessen ist, daß der Spannungsabfall des Ausgangsstromes eines
ausgewählten Magnetkernes (10) an dieser Induktivität weitgehend der Störspannung an der Ausgangswicklung
(16) eines nicht ausgewählten Magnetkernes (10) gleich ist.
2. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Induktivität (24) durch die
Ausgangswicklung (30) eines ähnlich den nicht ausgewählten Magnetkernen (10) dieser Ebene der
Schaltkernmatrix erregten und auch gleich bemessenen weiteren Magnetkernes (32) gebildet
wird.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
409 540/468 3.64 © Bundesdruckerei Berlin
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---|---|---|---|
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DE1166259B true DE1166259B (de) | 1964-03-26 |
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ID=26799680
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DEJ21676A Pending DE1193551B (de) | 1961-04-13 | 1962-04-25 | Schaltkernmatrix |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DEJ21676A Pending DE1193551B (de) | 1961-04-13 | 1962-04-25 | Schaltkernmatrix |
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- 1961-04-26 US US105797A patent/US3208044A/en not_active Expired - Lifetime
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1962
- 1962-04-12 DE DEJ21603A patent/DE1166259B/de active Pending
- 1962-04-13 GB GB14360/62A patent/GB981906A/en not_active Expired
- 1962-04-13 FR FR894357A patent/FR1331395A/fr not_active Expired
- 1962-04-16 JP JP1458162A patent/JPS3926508B1/ja active Pending
- 1962-04-25 DE DEJ21676A patent/DE1193551B/de active Pending
Also Published As
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---|---|
GB981906A (en) | 1965-01-27 |
DE1193551B (de) | 1965-05-26 |
FR1331395A (fr) | 1963-07-05 |
JPS3926508B1 (de) | 1964-11-20 |
US3208044A (en) | 1965-09-21 |
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