DE1044467B - Verfahren und Vorrichtung zur Erzeugung eines nahezu konstanten Strom- bzw. Spannungsverlaufes auf der gesamten Laenge einer Leitung, insbesondere der Waehlleitung einerSpeichermatrix - Google Patents
Verfahren und Vorrichtung zur Erzeugung eines nahezu konstanten Strom- bzw. Spannungsverlaufes auf der gesamten Laenge einer Leitung, insbesondere der Waehlleitung einerSpeichermatrixInfo
- Publication number
- DE1044467B DE1044467B DEI11729A DEI0011729A DE1044467B DE 1044467 B DE1044467 B DE 1044467B DE I11729 A DEI11729 A DE I11729A DE I0011729 A DEI0011729 A DE I0011729A DE 1044467 B DE1044467 B DE 1044467B
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- line
- entire length
- constant current
- pulses
- generating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000015654 memory Effects 0.000 title claims description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 8
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 title claims description 6
- 238000004804 winding Methods 0.000 claims description 24
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 1
- 239000011162 core material Substances 0.000 description 41
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 230000005417 remagnetization Effects 0.000 description 3
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 2
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/06—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using single-aperture storage elements, e.g. ring core; using multi-aperture plates in which each individual aperture forms a storage element
- G11C11/06007—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using single-aperture storage elements, e.g. ring core; using multi-aperture plates in which each individual aperture forms a storage element using a single aperture or single magnetic closed circuit
- G11C11/06014—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using single-aperture storage elements, e.g. ring core; using multi-aperture plates in which each individual aperture forms a storage element using a single aperture or single magnetic closed circuit using one such element per bit
- G11C11/06021—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using single-aperture storage elements, e.g. ring core; using multi-aperture plates in which each individual aperture forms a storage element using a single aperture or single magnetic closed circuit using one such element per bit with destructive read-out
- G11C11/06028—Matrixes
- G11C11/06035—Bit core selection for writing or reading, by at least two coincident partial currents, e.g. "bit"- organised, 2L/2D, or 3D
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
Description
DEUTSCHES
In elektronischen Rechengeräten werden in zunehmendem Maße Magnetkerne mit rechteckiger
Hystereseschleife zum Speichern von binären Angaben verwendet. In den sogenannten Matrixspeichern
sind die Magnetkerne in einzelnen Ebenen, die den Binärstellen eines Wortes zugeordnet sind, in Zeilen
und Spalten angeordnet und mit mehreren Wicklungen versehen, die in bekannter Weise zur Auswahl
einer Speicheradresse, zur Entnahme der Ausgangsimpulse, zur Steuerung des Schreibvorganges und
eventuell zur Erzeugung einer Vormagnetisierung dienen.
Bei den am häufigsten verwendeten dreidimensionalen Speicheranordnungen, die mit dem Auswählverhältnis
2 :1 arbeiten, werden zwei der meist durch alle Ebenen geführten Wählleitungen mit einer Stromeinheit
erregt, und nur ein Kern in jeder Ebene, der an der Kreuzungsstelle dieser beiden Wählleitungen
liegt, erhält die zu seiner Ummagnetisierung notwendigen zwei Stromeinheiten. Dreidimensionale
Speicher benötigen .eine relativ große Anzahl von Treibern. Wenn das Kernmaterial ein kleineres Auswählverhältnis
als 2 :1 erlaubt, so kann die Anzahl der benötigten Treiber dadurch verringert werden, daß
die Speicheranordnung mehrdimensional betrieben wird, d.h., daß allgemein m Wählleitungen mit einer
Stromeinheit so erregt werden, daß in jeder Ebene nur ein Kern die zu seiner Ummagnetisierung notwendigen
wi Stromeinheiten erhält. Solche mehrdimensionalen
Speicheranordnungen haben den Nachteil, daß ihre Wählleitungen durch eine größere Anzahl
von Magnetkernen hindurchgehen müssen als bei der üblichen dreidimensionalen Anordnung.
Jede Wählleitung besitzt Serieninduktivität und -widerstand, Parallelkapazität und Ableitung und
wirkt daher stets wie eine mit Verlusten und endlicher Laufzeit behaftete Übertragungsleitung. Die
dadurch auftretende Impulsdämpfung kann bei dreidimensionalen Speicheranordnungen großer Speicherkapazität
und bei mehrdimensionalen Anordnungen nur mäßiger Kapazität solche Ausmaße annehmen,
daß an vom Speisepunkt entfernt liegenden Stellen der Speicheranordnung die zum Ummagnetisieren
eines Kernes erforderliche Durchflutung nicht mehr erreicht wird.
Gegenstand der Erfindung ist es nun, diese Impulsdämpfung wesentlich zu verringern. Dies wird mit
Hilfe eines Verfahrens zur Erzeugung eines nahezu konstanten Strom- bzw. Spannungsverlaufes auf der
gesamten Länge einer Leitung, insbesondere der Wählleitung einer Speichermatrix dadurch erreicht,
daß die Einspeisung der Strom- bzw. Spannungsimpulse an zwei oder mehreren Stellen der Leitung,
vorzugsweise an den beiden Enden der Leitung, gleich-Verfahren und Vorrichtung
zur Erzeugung eines nahezu konstanten
zur Erzeugung eines nahezu konstanten
Strom- bzw. Sp annungs verlauf es
auf der gesamten Länge einer Leitung,
insbesondere der Wählleitung
einer Speichermatrix
Anmelder:
IBM Deutschland
Internationale Büro-Maschinen
Gesellschaft m. b. H.r
Sindelfingen (Württ.), Tübinger Allee 49
Sindelfingen (Württ.), Tübinger Allee 49
Beanspruchte Priorität:
V. St. v. Amerika vom 27. Mai 1955
V. St. v. Amerika vom 27. Mai 1955
Louis Allen Russell, Poughkeepsie, N. Y. (V. St. A.),
ist als Erfinder genannt worden
ist als Erfinder genannt worden
zeitig erfolgt, und zwar mit einem Impulsgenerator, der es ermöglicht, die zweiseitige Speisung mit nicht
mehr Schaltelementen durchzuführen, als ein üblicher Impulsgenerator für die einseitige Speisung benötigt.
Zur Erläuterung der nachfolgenden Beschreibung der Erfindung dienen die Zeichnungen.
Fig. 1 ist eine schematische Darstellung einer Ebene einer mit dem Auswählverhältnis 2:1 betriebenen
Magnetkernspeicheranordnung;
Fig. 2 a, 2 b und 2 c zeigen einzelne Sätze von Wicklungen, welche auf ein und demselben Satz von
Magnetkernen einer mit dem Auswählverhältnis 3 :2 betriebenen Speicheranordnung liegen;
Fig. 3 veranschaulicht die Dämpfung und die Verzögerung der Treiber-Stromimpulse bei der üblichen
einseitigen Speisung nach Fig. 1 und 2;
Fig. 4 zeigt die Verringerung der Dämpfung der Treiber-Stromimpulse bei zweiseitiger Speisung, und
Fig. 5 stellt ein Ausführungsbeispiel einer Treiberstufe
für zweiseitige Speisung der Wählleitungen einer Magnetkernspeicheranordnung dar.
In Fig. 1 ist eine Ebene einer durch koinzidente Ströme betriebenen Magnetkernspeicheranordnung gezeigt,
welche mit einem Aus wähl verhältnis von 2 :1 arbeitet. Der gesamte Speicher besteht aus mehreren
ähnlich aufgebauten Ebenen, deren Anzahl der Stellenzahl des längsten zu speichernden Wortes ent-
.809 67ft'635
spricht. Die Magnetkerne 10 sind in Reihen und Spalten
angeordnet und werden von vier Wicklungen durchzogen. Zum Ummagnetisieren eines Kernes
müssen jeweils zwei Eingangsimpulse koinzidieren, um eine zum Überwinden der Koerzitivkraft dieses
Kernes ausreichende MMK zu erzeugen. Zu diesem Zweck werden eine der Spaltenwicklungen X und eine
der Zeilenwicklungen Y durch X- bzw. Y-Treiber gleichzeitig erregt. Diese Treiber liegen üblicherweise
an einem Ende jeder Wählleitung, das andere Ende 10 liegt über einen Widerstand R an Masse. Die Ausgangsimpulse
werden einer Ausgangsleitung 5* entnommen, welche in bekannter Weise so durch die
Kerne einer Ebene geführt ist, daß sich die StörWenn nun die Halteleitung einen Impuls enthält,
empfängt der ausgewählte Kern insgesamt nur zwei Stromeinheiten, und alle anderen Kerne in derselben
Bitebene empfangen eine, null, minus eine oder minus 5 zwei Stromeinheiten. Diese Speicheranordnung wird
fünfdimensional genannt, da sie von vier Adressenvariablen und einer Variablen für die Steuerung der
einzuführenden Angaben (Z-Haltewicklung), also insgesamt
von fünf Variablen gesteuert wird.
Der in Fig. 2 a, 2 b und 2 c gezeigte fünfdimensionale
Speicher benötigt weniger Adressenwählleitungen und zugeordnete Treiber pro Adresse als die in Fig. 1
gezeigte dreidimensionale Anordnung. Eine η Adressen enthaltende dreidimensionale Anordnung benötigt
impulse gegenseitig aufheben, welche beim Ablesen 15 insgesamt 2-n0·5 Wählleitungen und Treiber, eine
an den nur teilweise erregten Kernen entstehen. Die Haltewicklung Z, welche ebenfalls durch alle Kerne
fünfdimensionale Anordnung dagegen nur 4·η0·25.
Wenn z.B. η gleich 4096 ist, so benötigt eine dreidimensionale
Anordnung 128 Treiber und eine fünfdimensionale Anordnung nur 32.
Obwohl das fünfdimensionale System weniger Treiber pro Adresse erfordert, wird die Kernanordnung
selbst komplizierter, da vier Gruppen von Wählleitungen verwendet werden und diese Leitungen durch eine
größere Anzahl von Kernen hindurchgehen. Bei einer
einer Ebene führt, wird beim Schreiben eines Wortes in den Ebenen durch einen Impuls erregt, in denen
eine Null geschrieben werden soll, und verhindert 20 dort das Schreiben einer Eins.
Erlaubt das Kernmaterial ein Arbeiten mit einem kleineren Auswählverhältnis, so kann die Speicheranordnung
in ähnlich einfacher Weise wie bei der
eben beschriebenen dreidimensionalen Speicheranord- 25 Wortlänge von 40 Bits in einem Speicher mit 4096
nung mehrdimensional aufgebaut und dadurch die An- Adressen gehen z. B. die Wählleitungen bei einem
zahl der benötigten Koordinatentreiber herabgesetzt dreidimensionalen System durch 2560 Kerne und bei
werden. Bei einer solchen mehrdimensionalen Anord- einem fünfdimensionalen System durch 20480 Kerne,
nung ist dann die Anzahl der Kerne, durch welche Jede Wählleitung besitzt Serieninduktivität und
eine Wählleitung hindurchgeht, wesentlich größer als 30 -widerstand, Parallelkapazität und Ableitung und
bei einer dreidimensionalen. " wirkt daher wie eine gewöhnliche Übertragungsleitung.
Eine Anordnung, die mit einem kleineren Auswahl- Wie auf dieser tritt auf ihr eine gewisse Impulsverzöverhältnis
arbeitet, ist in Fig. 2a, 2b und 2c gezeigt. gerung und -dämpfung auf, die selbst bei nur 12000
Dort sind die verschiedenen Sätze von Wicklungen, Kernen schon deutlich festzustellen ist. Bei fünfdimen die
in einer Kernebene benötigt werden, in getrennten 35 sionalen Anordnungen der obenerwähnten Größe und
Abbildungen dargestellt, um Verwechslungen zu ver- bei dreidimensionalen Anordnungen mit vergleichmeiden.
Fig. 2 a zeigt eine Anordnung von 16-16 Ker- barer Wählleitungslänge sind die Impulsverzerrungen
nen mit zwei Gruppen von Wählleitungen V und W, schon so stark, daß ein derart betriebener Schnelldie
die Anordnung in Blocks so aufteilen, daß alle speicher nicht mehr zufriedenstellend arbeitet. Die
Kerne in einem bestimmten Block gemeinsam eine V- 40 Dämpfung und Impulsverzögerung auf einer Wähl-
und eine W-Wicklung besitzen. In Fig. 2 b sind X- leitung einer größeren Anordnung sind in Fig. 3 ver-
und F-Wählleitungen für dieselben Kerne dargestellt. anschaulicht, und zwar ist dort die Impulsamplitude
Sie gehen durch alle Blocks in gleicher Anordnung am Anfang (am Treiber), in der Mitte und am Ende
hindurch, und zwar jede X- und jede F-Leitung durch (am Abschluß widerstand R) einer Leitung der Länge I
jeden einzelnen Block. Wenn daher eine Wählleitung 45 graphisch dargestellt. Mit λ; ist die Entfernung auf der
in jeder Gruppe eine Stromeinheit führt, so treffen bei Leitung vom Treiber aus bezeichnet,
dem adressierten Kern vier Einheiten des Adressen- Erfindungsgemäß werden beide Enden einer Adreswählstroms zusammen, bei allen anderen Kernen drei, senwählleitung gleichzeitig mit einem Schreib- oder zwei, eine oder null Einheiten. Um nun das Wählver- Ableseimpuls betrieben. Dann ist der resultierende hältnis von 4:3 auf 3 :2 herabzusetzen, kann eine Vor- 50 Strom an einem beliebigen Punkte auf der Leitung spannung an jeden Kern gelegt werden. Zu diesem Zweck die Summe der Ströme aus den beiden Treibern. ist die in Fig. 2 c dargestellte Z-Wicklung vorgesehen. Wäre die Dämpfung der Impulse eine lineare Funk-Sie geht durch alle Kerne einer Ebene hindurch und tion der Entfernung χ vom Leitungsanfang, so wäre führt eine Stromeinheit solcher Polarität, daß sie den die Summe dieser beiden Treiberimpulse unabhängig Strömen in den Wählleitungen X, Y, V und W sowohl 55 von der Entfernung x. Da jedoch die Dämpfung sich zur Ablese- als auch zur Schreibzeit entgegengesetzt exponentiell mit Ix — Ioe~u verändert (u ist eine ist, so daß ein ausgewählter Kern ± 3 Stromeinheiten Funktion der Eigenschaften der Wählleitung und der empfängt und alle anderen Kerne +2, ± 1, null oder Impulsform), hängt der resultierende Strom auch noch + 1 Einheiten erhalten. Da beim Schreiben die Um- von der Entfernung χ ab, und zwar tritt die niedrigste magnetisierung eines ausgewählten Kerns verhindert 60 Stromstärke stets am Mittelpunkt der Leitung auf.
werden muß, wenn in der betreffenden Ebene eine Fig. 4 veranschaulicht die Impulsform bei zwei-NuIl geschrieben werden soll, geht weiterhin eine hier seitiger Speisung, und zwar ist der Strom von dem einen nicht gezeigte Haltewicklung durch alle Kerne einer Treiber mit I1 und der von dem anderen Treiber mit Ebene der kubischen Anordnung hindurch, so daß die I2 bezeichnet. Die Enden der Leitung sind mit ihrem Steuerung in allen Adressen in derselben Weise ge- 65 charakteristischen Widerstand^ abgeschlossen. Jeder schient, wie sie in Verbindung mit der Anordnung Treiber enthält einen bistabilen Magnetkern, der durch von Fig. 1 beschrieben worden ist. Die Haltewirkung Impulse auf sogenannte Eihstell- und Rückstellwickwird durch eine Stromeinheit erreicht, die den Strömen lungen in den einen oder den anderen stabilen Rein den Adressenwählleitungen X, Y, V oder W zur manenzzustand gebracht werden kann. Bei Einstellung Schreibzeit beim Schreiben einer Null entgegenwirkt. 70 des Treiberkerns in einen ersten Remanenzzustand
dem adressierten Kern vier Einheiten des Adressen- Erfindungsgemäß werden beide Enden einer Adreswählstroms zusammen, bei allen anderen Kernen drei, senwählleitung gleichzeitig mit einem Schreib- oder zwei, eine oder null Einheiten. Um nun das Wählver- Ableseimpuls betrieben. Dann ist der resultierende hältnis von 4:3 auf 3 :2 herabzusetzen, kann eine Vor- 50 Strom an einem beliebigen Punkte auf der Leitung spannung an jeden Kern gelegt werden. Zu diesem Zweck die Summe der Ströme aus den beiden Treibern. ist die in Fig. 2 c dargestellte Z-Wicklung vorgesehen. Wäre die Dämpfung der Impulse eine lineare Funk-Sie geht durch alle Kerne einer Ebene hindurch und tion der Entfernung χ vom Leitungsanfang, so wäre führt eine Stromeinheit solcher Polarität, daß sie den die Summe dieser beiden Treiberimpulse unabhängig Strömen in den Wählleitungen X, Y, V und W sowohl 55 von der Entfernung x. Da jedoch die Dämpfung sich zur Ablese- als auch zur Schreibzeit entgegengesetzt exponentiell mit Ix — Ioe~u verändert (u ist eine ist, so daß ein ausgewählter Kern ± 3 Stromeinheiten Funktion der Eigenschaften der Wählleitung und der empfängt und alle anderen Kerne +2, ± 1, null oder Impulsform), hängt der resultierende Strom auch noch + 1 Einheiten erhalten. Da beim Schreiben die Um- von der Entfernung χ ab, und zwar tritt die niedrigste magnetisierung eines ausgewählten Kerns verhindert 60 Stromstärke stets am Mittelpunkt der Leitung auf.
werden muß, wenn in der betreffenden Ebene eine Fig. 4 veranschaulicht die Impulsform bei zwei-NuIl geschrieben werden soll, geht weiterhin eine hier seitiger Speisung, und zwar ist der Strom von dem einen nicht gezeigte Haltewicklung durch alle Kerne einer Treiber mit I1 und der von dem anderen Treiber mit Ebene der kubischen Anordnung hindurch, so daß die I2 bezeichnet. Die Enden der Leitung sind mit ihrem Steuerung in allen Adressen in derselben Weise ge- 65 charakteristischen Widerstand^ abgeschlossen. Jeder schient, wie sie in Verbindung mit der Anordnung Treiber enthält einen bistabilen Magnetkern, der durch von Fig. 1 beschrieben worden ist. Die Haltewirkung Impulse auf sogenannte Eihstell- und Rückstellwickwird durch eine Stromeinheit erreicht, die den Strömen lungen in den einen oder den anderen stabilen Rein den Adressenwählleitungen X, Y, V oder W zur manenzzustand gebracht werden kann. Bei Einstellung Schreibzeit beim Schreiben einer Null entgegenwirkt. 70 des Treiberkerns in einen ersten Remanenzzustand
1 U44 4Ö7
wird ein Ausgangsimpuls der einen Polarität durch Transformatorwirkung in einer an das Ende der
Wählleitung angeschlossenen Sekundärwicklung erzeugt, und bei seiner Rückstellung in den Ausgangszustand
wird in ihr ein Ausgangsimpuls der entgegengesetzten Polarität erzeugt. Die Einstell- und Rückstellwicklungen
der Treiber an beiden Enden der Wählleitung werden gleichzeitig erregt.
Bei der beschriebenen zweiseitigen Speisung wird die Abnahme der Impulsamplitude auf der Wählleitung
infolge der Leitungsdämpfung ganz wesentlich verringert. Wenn z. B. in einer Anordnung der erwähnten
Speicherkapazität bei der -üblichen einseitigen Speisung nach Fig. 3 der Impuls am Ende der Wählleitung
um 60 %> gedämpft ist, so ist die Impulsamplitude bei zweiseitiger Speisung — wie man durch
einfache Berechnungen zeigen kann — am kritischsten Punkt der Leitung, am Mittelpunkt (X = 1/2), erst um
knapp 10% gesunken.
Eine Schaltung für zweiseitige Speisung kann mit der gleichen Anzahl von Schaltelementen je Wählleitung
auskommen wie eine Schaltung für einseitige Speisung. Eine solche Anordnung ist in Fig. 5 gezeigt.
Die Primärwicklung p eines Übertragers mit dem Bandringkern c mit rechteckiger Hystereseschleife
liegt mit ihrem Mittelabgriff an der Gleichspannungsquelle B + und mit ihren beiden Enden an der Ablese-Treiberröhre
T% bzw. an der Schreib-Treiberröhre Tw.
Die Sekundärwicklung h liegt mit ihrem Mittelabgriff an Masse und mit ihren beiden Enden an den Enden
der Wählleitung. An beiden Hälften liegen einstellbare Widerstände Rz, welche die Wählleitung an beiden
Seiten mit ihrem charakteristischen Widerstand abschließen.
Zur Erzeugung von Abfühlstromimpulsen wird durch Anlegen eines Impulses an das Gitter die Röhre
TR geöffnet, und es fließt ein Strom von B + über den
linken Teil der Primärwicklung p. Ähnlich werden Schreibstromimpulse durch einen Strom über die
Röhre Τψ und den rechten Teil der Primärwicklung p
erzeugt. Der linke Teil der Primärwicklung stellt den Bandringkern c von einem Ausgangsremanenzzustand
in den entgegengesetzten Remanenzzustand, während der rechte Teil den Bandringkern zurück in den Ausgangsremanenzzustand
stellt. Jede Hälfte wirkt dabei als getrennte Primärwicklung für beide Sekundärwicklungshälften.
Als Treiber können auch getrennte Übertrager in der in Fig. 4 gezeigten Weise oder herkömmliche
Magnetkernmatrixschalter mit in der Mitte angezapften Sekundärwicklungen ähnlich wie in Fig. 5 mit
der Wählleitung verbunden werden. Weiterhin können zur zweiseitigen Speisung übliche elektronische Treiber
oder andere Kombinationen von Röhren und Kernen benutzt werden, wenn beide Generatoren
gleichzeitig gesteuert werden, z. B. durch dieselben Ablese- und Schreibsignale. Schließlich kann das
Prinzip der zweiseitigen Speisung auch noch bei größeren, durch koinzidente Spannungsimpulse betriebenen
ferroelektrischen Kondensatorspeichern angewandt werden.
Claims (5)
1. Verfahren zur Erzeugung eines nahezu konstanten Strom- bzw. Spannungsverlaufes auf der
gesamten Länge einer Leitung, insbesondere der Wählleitung einer Speichermatrix, dadurch gekennzeichnet,
daß die Einspeisung der Strombzw. Spannungsimpulse an zwei oder mehreren Stellen der Leitung gleichzeitig erfolgt.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Einspeisung der Impulse an den
beiden Enden der Leitung erfolgt.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Einspeisung der Impulse an den
beiden Enden der Leitung durch einen gemeinsamen Impulsgenerator erfolgt.
4. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch 3, gekennzeichnet durch
einen Impulsgenerator, der einen Übertrager mit bistabilen! Magnetkern enthält, dessen Primärwicklungen
abwechselnd zu betätigen sind, um in ihm den einen oder den anderen stabilen Remanenzzustand
herzustellen.
5. Vorrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die an beide Enden der zu
steuernden Leitung angeschlossene Sekundärwicklung des Übertragers eine geerdete Mittelanzapfung
besitzt und die Leitung beiderseits mit ihrem Wellenwiderstand abgeschlossen ist.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen
© «09 679/635 11.58·
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US511445A US2929050A (en) | 1955-05-27 | 1955-05-27 | Double ended drive for selection lines of a core memory |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1044467B true DE1044467B (de) | 1958-11-20 |
Family
ID=24034942
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DEI11729A Pending DE1044467B (de) | 1955-05-27 | 1956-05-25 | Verfahren und Vorrichtung zur Erzeugung eines nahezu konstanten Strom- bzw. Spannungsverlaufes auf der gesamten Laenge einer Leitung, insbesondere der Waehlleitung einerSpeichermatrix |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US2929050A (de) |
| DE (1) | DE1044467B (de) |
| FR (1) | FR1167591A (de) |
| GB (1) | GB825860A (de) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1188653B (de) * | 1962-03-27 | 1965-03-11 | Siemens Ag | Schaltungsanordnung fuer Matrixspeicher mit wortweiser Ansteuerung |
| DE1257204B (de) * | 1962-08-20 | 1967-12-28 | Siemens Ag | Schaltungsanordnung zur Ansteuerung von Matrixanordnungen |
| DE1268678B (de) * | 1959-02-04 | 1968-05-22 | Western Electric Co | Magnetische Speicheranordnung |
| DE1280318B (de) * | 1963-07-27 | 1968-10-17 | Ibm | Magnetischer Datenspeicher |
| DE1282707B (de) * | 1959-08-17 | 1968-11-14 | Sperry Rand Corp | Magnetkernspeicher |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1069681B (de) * | 1957-02-22 | 1959-11-26 | ||
| US2991454A (en) * | 1958-12-08 | 1961-07-04 | Ibm | Matrix switching means |
| NL245559A (de) * | 1958-11-19 | |||
| US3155943A (en) * | 1959-03-09 | 1964-11-03 | Ampex | Magnetic-core memory driving system |
| US3110017A (en) * | 1959-04-13 | 1963-11-05 | Sperry Rand Corp | Magnetic core memory |
| US3068452A (en) * | 1959-08-14 | 1962-12-11 | Texas Instruments Inc | Memory matrix system |
| US3099274A (en) * | 1959-09-17 | 1963-07-30 | Fitzsimons Alan Rayment | Control circuits for money issuing system |
| GB882771A (en) * | 1960-08-23 | 1961-11-22 | Mullard Ltd | Improvements in or relating to coincident-current magnetic matrix storage systems |
| US3231871A (en) * | 1960-12-30 | 1966-01-25 | Ibm | Magnetic memory system |
| US3825907A (en) * | 1971-07-26 | 1974-07-23 | Ampex | Planar core memory stack |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US1607473A (en) * | 1925-01-22 | 1926-11-16 | Western Union Telegraph Co | Duplexing loaded submarine cable |
| US2088699A (en) * | 1933-01-17 | 1937-08-03 | Gen Railway Signal Co | Centralized traffic controlling system for railroads |
| US2360940A (en) * | 1942-04-25 | 1944-10-24 | Bell Telephone Labor Inc | Negative resistance loading |
| US2691154A (en) * | 1952-03-08 | 1954-10-05 | Rca Corp | Magnetic information handling system |
| US2856596A (en) * | 1954-12-20 | 1958-10-14 | Wendell S Miller | Magnetic control systems |
| US2802203A (en) * | 1955-03-08 | 1957-08-06 | Telemeter Magnetics And Electr | Magnetic memory system |
-
1955
- 1955-05-27 US US511445A patent/US2929050A/en not_active Expired - Lifetime
-
1956
- 1956-05-17 FR FR1167591D patent/FR1167591A/fr not_active Expired
- 1956-05-24 GB GB16064/56A patent/GB825860A/en not_active Expired
- 1956-05-25 DE DEI11729A patent/DE1044467B/de active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1268678B (de) * | 1959-02-04 | 1968-05-22 | Western Electric Co | Magnetische Speicheranordnung |
| DE1282707B (de) * | 1959-08-17 | 1968-11-14 | Sperry Rand Corp | Magnetkernspeicher |
| DE1188653B (de) * | 1962-03-27 | 1965-03-11 | Siemens Ag | Schaltungsanordnung fuer Matrixspeicher mit wortweiser Ansteuerung |
| DE1257204B (de) * | 1962-08-20 | 1967-12-28 | Siemens Ag | Schaltungsanordnung zur Ansteuerung von Matrixanordnungen |
| DE1280318B (de) * | 1963-07-27 | 1968-10-17 | Ibm | Magnetischer Datenspeicher |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US2929050A (en) | 1960-03-15 |
| FR1167591A (fr) | 1958-11-26 |
| GB825860A (en) | 1959-12-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE1044467B (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Erzeugung eines nahezu konstanten Strom- bzw. Spannungsverlaufes auf der gesamten Laenge einer Leitung, insbesondere der Waehlleitung einerSpeichermatrix | |
| DE2432559B2 (de) | ||
| DE1044461B (de) | Schaltungsanordnung zum Aufruf von Magnetkernspeichern | |
| DE1058284B (de) | Magnetkernmatrix-Speicheranordnung mit mindestens einer Schaltkernmatrix | |
| DE1259387B (de) | Speichermatrix | |
| DE1449806C3 (de) | Matrixspeicher | |
| DE1039567B (de) | Aus bistabilen Magnetkernen bestehende Schaltmatrix | |
| DE1186509B (de) | Magnetspeicher mit einem mit zueinander senkrechten Bohrungen versehenen Magnetkern | |
| DE1224782B (de) | Wortorganisierte Speichervorrichtung | |
| DE1181276B (de) | Datengeber aus matrixfoermig angeordneten Ferrit-Ringkernen | |
| DE1285000B (de) | Schaltungsanordnung zum Abfuehlen von magnetischen Speicherelementen | |
| DE1499792C3 (de) | Schreib- und Leseschaltung für einen magnetischen Kernspeicher | |
| DE1549061C3 (de) | Vorrichtung zur induktiven Entstörung der Informationssignale in den Leseleitungen eines Magnetspeichers | |
| DE1033449B (de) | Aufrufanordnung fuer Speichermatrix | |
| DE1204269B (de) | Verfahren zum Ablesen einer Magnetelement-matrix und Speichermatrix zur Durchfuehrung des Verfahrens | |
| DE1282086B (de) | Verfahren zum Betrieb eines Ferritplatten-Magnetspeichers | |
| DE2048124A1 (de) | Auswahlmatrix zur Ansteuerung matrix formig angeordneter Verbraucher | |
| DE1474481C3 (de) | Nach dem Koinzidenzprinzip arbeitender Speicher | |
| DE2129940C2 (de) | Festwertspeicher | |
| DE1186107B (de) | Magnetspeicher mit mindestens einer Platte aus einem magnetisierbaren Material | |
| DE1250876B (de) | Aus magnetischen Elementen beste hender Datenspeicher | |
| DE1499897C (de) | Festwertspeicher | |
| DE2257842A1 (de) | Matrixspeicher mit stoerungsausgleich | |
| DE1073542B (de) | Schaltungsanordnung zur wahlw eisen Verteilung von Stromimpulsen auf mehrere Leitungen | |
| DE1499720B1 (de) | Elektronisches Speicherelement |