DE1201402B - Schaltvorrichtung mit einem rueckgekoppelten Transistor und einer Diode - Google Patents

Description

BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND

DEUTSCHES

PATENTAMT

AUSLEGESCHRIFT

Int. α.:

H03k

Deutsche Kl.: 21 al - 36/18

Nummer: 1201402

Aktenzeichen: J 25168 VIII a/21 al

Anmeldetag: 23. Januar 1964

Auslegetag: 23. September 1965

Die Erfindung betrifft eine Schaltvorrichtung mit einem rückgekoppelten Transistor und einer Diode.

Bei einer bekannten Schaltvorrichtung dieser Art ist der Transistor über einen sättigungsfreien Stromwandler überkritisch rückgekoppelt, und die Diode liegt außerhalb des Rückkopplungskreises in einem Verbraucherkreis. Mit dieser Schaltung soll eine hohe Leistungsverstärkung erzielt werden; hohe Schaltgeschwindigkeiten sind mit solchen Schaltungen nicht erzielbar.

Aufgabe der Erfindung ist es, eine Schaltung dieser Art so auszugestalten, daß sie möglichst schnell schalten kann.

Die Erfindung ist gekennzeichnet durch einen Transformator, dessen eine Wicklung als Rückkopplungswicklung in Reihe mit einer in Sperrichtung vorgespannten Diode den Emitter des Transistors mit dem Kollektor verbindet und dessen zweite Wicklung im Steuerkreis des Transistors liegt und durch eine derartige Bemessung der Wicklungen des Transformators, daß die Spannung, die durch den durch die Rückkopplungswicklung fließenden Strom in der Wicklung erzeugt wird, auf den Transistor sperrend wirkt.

Der zum Zwecke der Rückkopplung nach der Erfindung vorgesehene Transformator weist gemäß einer zweckmäßigen Weiterbildung der Erfindung eine Primärwicklung für einen Eingangskreis auf. Der Schaltkreis, bestehend aus dem Transistor, dem Steuerkreis für diesen Transistor und dem Rückkopplungskreis, ist dann transformatorisch an den Eingangskreis angekuppelt und liegt bezüglich seines Potentials frei; mit anderen Worten, es ist nicht erforderlich, den Schaltkreis an ein bestimmtes Bezugspotential anzuschließen. Dies gestattet es, Schaltvorrichtungen nach der Erfindung vielseitiger einzusetzen.

Die Erfindung wird nun an Hand der Zeichnung näher erläutert. In der Zeichnung zeigt

F i g. 1 die Schaltung eines Ausführungsbeispiels nach der Erfindung,

F i g. 2 einen gegenüber der Darstellung in F i g. 1 zur Verkürzung der Schaltzeit abgeänderten Eingangskreis,

F i g. 2 a einen Stromkreis aus F i g. 2 zur Erläuterung der Wirkungsweise der in F i g. 2 dargestellten Anordnung,

F i g. 3 ein Diagramm zur Erläuterung der Wirkungsweise der Schaltungsanordnung nach F i g. 2 und

F i g. 4 ein Blockschaltbild einer logischen Schaltung mit dem Schaltkreis 10 aus F i g. 1.

Schaltvorrichtung mit einem rückgekoppelten
Transistor und einer Diode

Anmelder:

International Business Machines Corporation,

Armonk,N.Y. (V. St. A.)

Vertreter:

Dr. H. K. Hach, Patentanwalt,

Leonberg, Bodelschwinghweg 4

Als Erfinder benannt:
Edward Hugo, Sommerfield,
Wappingers Falls, N. Y. (V. St. A.)

Beanspruchte Priorität:

V. St. v. Amerika vom 1. April 1963 (269 370)

In F i g. 1 ist mit 10 ein Ausführungsbeispiel eines auf freiem Potential liegenden Schaltkreises mit Überlastungsschutz nach der Erfindung bezeichnet. Mit 11 ist ein Transistor bezeichnet, dessen Basis mit 12, dessen Emitter mit 13 und dessen Kollektor mit 14 bezeichnet ist. Die Basis 12 ist an den Anschluß X der Sekundärwicklung 155 des Transformators 16 angeschlossen. An den anderen Anschluß Fder Sekundärwicklung 155 ist der Emitter 13 angeschlossen, der außerdem mit dem Ausgangsanschluß 1 verbunden ist. Über einen Kurzschlußbügel 18 und einen Widerstand 28 liegt die positive Spannung V₂ einer Batterie 30 an dem Ausgangsanschluß.

Der Kollektor 14 ist an die Anode einer Diode 19 angeschlossen, deren Kathode mit dem Anschluß X' einer sekundärseitigen Rückkopplungswicklung 15 C des Transformators 16 verbunden ist. An den anderen Anschluß Y' der Rückkopplungswicklung 15 C ist der Emitter 13 angeschlossen. Der Kollektor 14 ist außerdem mit einem zweiten Ausgangsanschluß 2 verbunden, an den über einen Kurzschlußbügel 22 und einen Widerstand 25 die negative Spannung — V₂ der Batterie 30 gelegt ist.

Die Sekundärwicklungen 155 und 15C haben gleichen Windungssinn, aber nicht die gleiche Win-

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dungszahl. In einem Ausführungsbeispiel ist die Windungszahl der Rückkopplungswicklung 15 C doppelt so groß wie die der Sekundärwicklung 155.

Die Kurzschlußbügel 18 und 22 sind in der Zeichnung zur Erläuterung der Funktionsweise des Schaltkreises 10 eingezeichnet. Wie in F i g. 1 angedeutet, können die Widerstände 25 und 28 oder nur einer dieser Widerstände allein in der Schaltung vorgesehen sein. Dementsprechend liegt dann die Spannung — V₂ und/oder + V₂ an dem Schaltkreis 10. Es sei darauf hingewiesen, daß entweder der eine oder der andere der Widerstände 25 und 28 erforderlich ist, um den Stromfluß zu begrenzen. Ein Ausgangssignal kann entweder von dem Ausgangsanschluß 1 oder dem Ausgangsanschluß 2 oder von beiden Ausgangsanschlüssen abgenommen werden, d. h., daß an einen der Ausgangsanschlüsse 1 und 2 oder an beide Ausgangsanschlüsse eine Belastung angeschlossen werden kann. In F i g. 1 ist eine erste Belastung 50 einerseits an eine Spannung — V₂ und andererseits an den Ausgangsanschluß 2 angeschlossen, während eine zweite Belastung 51 einerseits an eine positive Spannung + V₂ und andererseits an den Ausgangsanschluß 1 angeschlossen ist. Es ist nicht erforderlich, daß die Spannungen für die Belastungen gerade — V₂ und +V₂ betragen. Wesentlich ist nur, daß bei gesperrtem Transistor 11 die sich daraus ergebende Spannung am Kollektor 14 negativ mit Bezug auf die Spannung am Emitter 13 ist (diese Spannungsbedingung ist umgekehrt, wenn ein NPN-Transistor an Stelle des PNP-Transistors 12 vorgesehen ist).

Der Anschluß X" der Primärwicklung 15-4 des Transformators 16 liegt über einen Widerstand 23 an der Spannung — V₁ der Batterie 40, während der andere Anschluß, Y", über einen elektronischen Impulsschalter an sich bekannter Bauart geerdet ist. An den Anschluß Y" der Primärwicklung 15 A ist außerdem die Kathode einer Diode 27 angeschlossen, deren Anode an der Spannung — V₁ liegt. Die Primärwicklung 15^4 ist mit gleichem Wicklungssinn wie die beiden Sekundärwicklungen gewickelt, wie dies auch durch die Punkte oberhalb der Wicklungen in F i g. 1 zum Ausdruck gebracht ist. Die Wirkungsweise der Anordnung ist folgende:

Es sei angenommen, daß der Impulsschalter 20 gesperrt ist und daß sich der Schaltkreis 10 zunächst im Ruhezustand befindet. Der Transistor 11 ist dann gesperrt, und die Diode 19 ist durch die Spannungen -V₂ und +V₂ in Sperrichtung vorgespannt, und in der Primärwicklung 15 A des Transformators 16 fließt kein Strom. Der Transistor 11 ist in diesem Fall gesperrt, weil die Basis 12 mit dem Emitter 13 über die Sekundärwicklung 155 im wesentlichen kurzgeschlossen ist.

Wenn nun der Impulsschalter durch einen Impuls, wie er in F i g. 1 angedeutet ist, leitfähig wird, dann ist über den Impulsschalter 20 die Primärwicklung 15^4, den Widerstand 23 und die Batterie 40 ein Stromkreis geschlossen, in dem der Strom Z₁ fließt. Dieser Strom Z₁ ist im wesentlichen konstant und durch die Größe des Widerstandes 23 und der Spannung — V₁ bestimmt. Die Folge ist ein im wesentlichen konstantes Magnetfeld JV₁Z₁, das sich in dem Transformator 16 aufbaut. Dabei ist, wie üblich, JV₁ die Windungszahl der Primärwicklung 15A, N₂ die Windungszahl der Sekundärwicklung 155 und YV₃ die Windungszahl der Rückkopplungswicklung 15 C. Durch das Magnetfeld JV₁Z₁ entsteht eine Spannung j>₂ über den AnSchlüssen X und Y der Wicklung 155 des Transformators 16. Die Spannung v_z ist so bemessen und so polarisiert, daß der Transistor dadurch auf Durchlaß geschaltet wird. Die Spannung v₂ über der Wicklung 155 ist wegen der Diodenwirkung der Emitter-Basis-Verbindung konstant, und infolge der Transformatorwirkung sind auch die Spannungen V₁ und v_s über den Wicklungen 15v4 und 15 C konstant. Wenn man die Transformatorverluste außer acht läßt und wenn die ίο Diode 19 gesperrt ist, dann fließt in dem Transistor 11 der Basisstrom k, der dem Strom i₂ in der Sekundärwicklung 155 identisch ist (die Bezeichnungen Z& und i₂ werden im folgenden nebeneinander verwendet). Der Strom Z& fließt in einem Stromkreis von dem An-Schluß Y über die Emitter-Basis-Verbindung des Transistors 11, den Anschluß Xund die Wicklung 155 zurück zum Anschluß Y. Die Größe des Stromes i_b ergibt sich aus der Beziehung JV₂Z₂ = JV₁Z₁ (bei diesem Ausführungsbeispiel besteht folgende Beziehung, JV₁: JV₂: JV₃ = 1:1: 2).

Während sich die Spannung v₂ in der Wicklung 155 aufbaut, baut sich über der Wicklung 15 C eine Spannung v_s auf, für die folgende Beziehung gilt:

V₃ = V₂

Zunächst fließt dabei kein Strom in der

Wicklung 15 C, weil die Diode 19, die mit ihrer Anode über den Widerstand 25 an der negativen Spannung -F₂ und mit ihrer Kathode über die Wicklung 15 C und den Widerstand 28 an die positive Spannung + F₂ angeschlossen ist, gesperrt ist. Die Spannung v₃ über der Wicklung 15 C ist zwar richtig gepolt, aber nicht groß genug, um die Diode 19 leitfähig zu steuern.

Durch den Basisstrom Z&, der in dem Emitter-Basis-Kreis des Transistors 11 fließt, wird ein Emitter-Kollektor-Strom i_c ausgelöst. Ein Teil des Kollektorstroms Ze, nämlich ein Ladestrom il, fließt in einem Stromkreis, der von der positiven Spannungsseite der Batterie 30 über den Widerstand 28, den Kurzschlußbügel 18, die Emitter-Kollektor-Verbindung und den Widerstand 25 zur negativen Spannungsseite der Batterie 30 führt. Der Kollektorstrom i_c ist gleich der Summe aus dem Ladestrom il und dem Strom Z₃, der durch die Wicklung 15 C zurückfließt. Der Strom ih steigt an, bis durch die Spannung v_Ce über dem Emitter- und Kollektoranschluß mit der Spannung v_s über den Anschlüssen X' und Y' der Wicklung 15 C die Diode 19 leitend wird. Die Anordnung ist so bemessen, daß die Diode 19 leitend wird, wenn der Ladestrom il 250 mA beträgt, und daß der Diödenstrom dann 17 mA beträgt. Wenn die Diode 19 leitend ist, dann fließt der Strom Z₃ in dem Rückkopplungskreis vom Anschluß Y' der Wicklung 15 C, über Emitter und Kollektor des Transistors 11, die Diode 19 zum Anschluß X' und über die Wicklung 15 C zurück zum Anschluß Y'.

Die Magnetfelder, die durch die Ströme in den Wicklungen 155 und 15 C erregt werden, sind entgegengesetzt gepolt, wie das konstante Feld, das durch N₁I₁ in der Wicklung 15 A erregt wird. Da in diesem Ausführungsbeispiel die Windungszahlen der Wicklungen 15^4, 155 und 15 C in dem Verhältnis

N₁: N₂: JV₃ = 1:1:2

stehen, ist die Stromstärke in den Wicklungen 155 und 15 C ungefähr 5 bzw. 17,5 mA, wenn in der Wicklung 15 A ein Strom mit 40 mA fließt. Bei diesem Ausführungsbeispiel sind die Stromstärken wie folgt: Die Stromstärke des Basisstromes /& = i₂ beträgt

5,34 mA, die Stromstärke des Rückkopplungsstromes i₃ in der Wicklung 15 C beträgt 17,33 mA, und der Kollektorstrom i_c, also die Summe der Ströme il und z₃, beträgt 267,33 mA. Wie bereits oben erwähnt, setzt sich der Kollektorstrom i_c aus dem Ladestrom z/, und dem Rückkopplungsstrom i₃ zusammen.

Wenn die Diode 19 gesperrt ist, dann ist die Stromstärke des Stromes Z₁ in der Wicklung 15,4 ungefähr 40 mA, und die Stromstärke des Stromes h oder i₂ in der Wicklung 155 beträgt ebenfalls etwa 4OmA; wenn dagegen die Diode 19 leitend wird, dann fällt die Stromstärke des Stromes i_b in der Wicklung 155 auf etwa 5 mA ab, und die Stromstärke in der Wicklung 15 C beträgt etwa 17,5 mA.

Dies ist begründet durch die Beziehung

N₁I₁ = N₂I₂ + N₃i₃ = (1 · 5 mA)

+ (2 · 17,5 mA) = 40 mA.

20

Wie sich aus der vorausgegangenen Erläuterung ergibt, besteht der Basisstrom i& mit 40 mA, bevor die Diode 19 leitend wird, und sobald die Diode leitend ist, sinkt der Strom /e auf ungefähr 5 mA. Auf diese Weise entsteht ein großer Anfangsstrom /&, durch den der Transistor eingeschaltet wird. Dieser Strom wird dann für die restliche Impulsdauer abgesenkt. Bei dem Transistor 11 dieses Ausführungsbeispiels ist der maximale Ladestrom z'z, 250 mA. Wenn man einen Verstärkungsfaktor A gleich 50 annimmt, dann reicht ein Basisstrom z"& von ungefähr 5 mA (genauer 5,15 mA) aus, den einmal geöffneten Transistor geöffnet zu halten. Wenn also der Transistor 11 eingeschaltet wird, dann fließt zunächst ein Basisstrom /& von 40 mA, der einer Übersteuerung von 800% entspricht. Die Folge ist, daß der Transistor 11 sehr schnell durchlässig aufgeschaltet wird.

Wenn der Ladestrom Il 250 mA überschreitet, dann sinkt die Spannung v_ce ab. In der Diode 19 und in der Wicklung 15 C fließt dann mehr Strom, und das Magnetfeld JV₃Z₃, das dem Magnetfeld N₁Z₁ entgegengerichtet ist, verstärkt sich. Die Folge ist, daß sich der Basisstrom /& und der Kollektorstrom i_c und damit auch der Ladestrom z'z, verringern, bis die Spannung v_ce wieder im Arbeitspunkt liegt.

Wenn der Ladestrom den vorgesehenen Wert — im Beispiel 250 mA — unterschreitet, dann überschreitet die Spannung v_ce die Spannung v₃, und an der Diode 19 liegt Sperrspannung. Der Strom z'₃ in der Wicklung 15 C wird dadurch unterbrochen, und das Magnetfeld N₃i₃ bricht zusammen. Dies hat zur Folge, daß der Basisstrom h und der Kollektorstrom i_c und damit auch der Ladestrom größer werden, bis die Spannung v_ce über dem Kollektor 14 und dem Emitter 13 wieder im Arbeitspunkt liegt.

Die Spannung v_ce ist immer so groß, daß der Transistor 11 nicht in den Sättigungsbereich geraten kann. Diese Spannung ist durch das Übersetzungsverhältnis N₃ : N₂ festgelegt, wenn man davon ausgeht, daß die Diode 19 in Durchlaßrichtung keinen Innenwiderstand hat. Da dies jedoch nicht der Fall ist, ist die Spannung um den Spannungsabfall über der Diode 19 geringer.

Der Transformator 16 wirkt infolge seiner Induktivität als Energiespeicher. Wenn der Impulsschalter 20 gesperrt wird, dann entsteht zunächst eine gegen die gespeicherte Induktionsenergie gerichtete Spannung in den Wicklungen 15,4, 155 und 15C. Dadurch entsteht sofort eine Sperrspannung für die Diode 19. Da der Strom z'ö nach dem Einschaltvorgang des Transistors 11 nur ungefähr 5 mA beträgt, ist im Basisbereich des Transistors 11 nur wenig Ladung gespeichert, die dann schnell abfließen kann.

Bei Schaltungen nach der Erfindung ist es besonders vorteilhaft, daß kein festes Bezugspotential erforderlich ist; mit anderen Worten, die Arbeitsweise der Schaltung hängt nicht von einem festgelegten Emitterpotential ab, denn die Schaltung kann ungesättigt arbeiten, auch wenn das Emitterpotential zeitlich schwankt. Dies gestattet es, Ausgangsbelastungen entweder an den Kollektor oder den Emitter des Transistors anzuschließen oder auch an beide Elektroden.

Für den Schaltkreis 10 gibt es vielfältige Anwendungsmöglichkeiten. Der Schaltkreis 10 kann z. B. in üblichen logischen Schaltungen Verwendung finden, wobei jeweils eine Vielzahl dieser Schaltkreise 10,4 in Parallelschaltung oder in Serienschaltung eingesetzt werden kann. In F i g. 4 ist eine logische Schaltung dargestellt, die mit einer Vielzahl von Schaltkreisen 10,4 in Parallel- und in Serienschaltung ausgestattet ist. Die in F i g. 4 dargestellten Schaltkreise 10,4 enthalten alle einen Transistor 11, Sekundärwicklungen 155 und 15 C eines Transformators 16 und eine Diode 19 wie der in F i g. 1 dargestellte Schaltkreis (dementsprechend sind gleiche Schaltelemente in den F i g. 1 und 4 mit gleichen Bezugszeichen versehen). Der oberste und der unterste Schaltkreis 10,4 sind über Widerstände 25 bzw. 28 an die Spannungen — V₂ bzw. + V₂ angeschlossen. Jedes logische Eingangssignal gelangt an jeden der Schaltkreise 10,4. Die Ausgangsimpulse können von dem Anschluß 2 des obersten Schaltkreises oder vom Anschluß 1 des untersten Schaltkreises abgenommen werden. Bei dem in F i g. 4 dargestellten Ausführungsbeispiel sind die Schaltkreise 10 A so aneinander geschlossen, daß die der Schaltung zugrunde liegende logische Funktion

A + (5 · C ■ D)

lautet. Der den einzelnen Schaltungen zugehörige Faktor ist in F i g. 4 an der Umrißlinie der zugehörigen Blocks eingezeichnet.

In F i g. 2 ist eine abgeänderte Ausführungsform des Eingangskreises aus F i g. 1 dargestellt, der eine schnellere Erholung des Transformators 16 zwischen zwei Impulsen gestattet. In F i g. 1 und 2 sind für gleiche Schaltelemente die gleichen Bezugszeichen verwendet. Gemäß F i g. 2 ist der Anschluß Y" der Primärwicklung 15,4 über die in Serie geschalteten Widerstände 235 und 23,4 an den negativen Pol mit dem Potential — V₁ der Batterie 40 angeschlossen. Der Widerstand 23 aus F i g. 1 ist also in F i g. 2 durch zwei Widerstände 23,4 und 235 ersetzt. Bei diesen Ausführungsbeispielen hat der Widerstand 23 100 Ohm, der Widerstand 23,4 25 0hm und der Widerstand 235 75 Ohm. An Stelle der beiden Widerstände 23,4 und 235 kann auch ein einziger Widerstand mit einem Mittelabgriff vorgesehen sein. Die Kathode der Diode 25 liegt an der Verbindung D zwischen den beiden Widerständen 235 und 23,4, und ihre Anode liegt an einem Abgriff der Batterie 40, also an einer Spannung, die niedriger als die Spannung — V₁ der Batterie 40 ist. Im Ausführungsbeispiel nach F i g. 2

, y

beträgt diese Spannung —~-. Wie auch in F i g. 1

Claims (1)

1. 7 8

   liegt der andere Anschluß Y" der Wicklung 15 A über Diode 27 zur Wicklung 15 A. Die entsprechende

   dem Impulsschalter 20 auf Erdpotential. An dem Gleichung lautet:

   Anschluß Y" der Wicklung 15,4 liegt die Kathode _ .

   einer Diode 27, deren Anode an dem Potential — V₁ I L \ / L

   der Batterie 40 liegt. 5 . _ I . 2 . 2

   Die Wirkungsweise der in Fig. 2 dargestellten ^h^ \ R₂₃A J y R₂₃Af
   Schaltung ist folgende:

   Bevor der Impulsschalter 20 leitfähig wird, fließt wobei

   ein stationärer Strom i_q von dem Potential —γ- durch ^ I₁(J) der dabei durch die Wicklung 15,4 und die

   die Diode 25 und den Widerstand 235 zu dem Poten- ^{Diode 27} fließende Strom,

   tial — V₁. Die Verbindung D liegt demzufolge etwa t em Zeitfaktor und

   , „j τ» * χ· ι — ?i /j ο uf ii ^e der bekannte Koeffizient 2,718 ist.

   auch auf dem Potential —y-¹ (der Spannungsabfall . '

   über der Diode 25 soll zur Erleichterung des Ver- 15 Nach einiger Zeit erreicht der Strom Z₁(O den Wert ständnisses hier außer acht gelassen werden). 0 Ampere. Zu dieser Zeit Z sperrt die Diode 27 den Wenn der Impulsschalter 20 leitend wird, dann Stromkreis, weil über der Diode 27 dann, im Gegenfließt ein Strom Z₁ durch die Widerstände 23.4 und 235, satz zur Diode 25, keine Spannung mehr liegt,
   und das Potential an der Verbindung D wird positiver, Aus der oben angegebenen Gleichung für I₁(O folgt, und zwar so weit, bis die Diode 25 gesperrt wird. 20 daß mit fortschreitender Zeit t der Strom einen

   ,-,j , .,j τ. ^. x· 1 — Vi j π··· zunehmenden negativen Wert annehmen würde; mit

   Dadurch wird das Potenüal -^ von der Primär- _{anderen ψοΛα}* _{der Strom} ^ ^ ^ _entg;_gen.

   wicklung 15,4 abgetrennt. Nun arbeiten die Wider- gesetzter Richtung fließen, wenn nicht beim Nullstände 23 A und 235, solange die Anordnung ein- durchgang der Stromkreis unterbrochen worden wäre, geschaltet ist, genauso wie der Widerstand 23 aus der 25 Die Zeitverzögerung, mit der der Nulldurchgang Schaltung der F i g. 1. erreicht wird, ist bei der Schaltung nach F i g. 2

   Die in F i g. 2 dargestellte Schaltung arbeitet also wesentlich kürzer als die bei der Schaltung nach

   während der Impulsschalter 20 eingeschaltet ist und F i g. 1. Dies ist am besten aus F i g. 3 ersichtlich,

   die Anordnung im stationären Betrieb arbeitet In F i g. 3 ist mit 60 der Stromverlauf beim Aus-

   genauso wie die in F i g. 1 dargestellte Schaltung. 30 schaltvorgang der Schaltung nach F i g. 1 bezeichnet.

   Während der Impulsschalter 20 leitend ist, fließt der Die zugehörige e-Funktion lautet:
   Strom I₁ durch die Wicklung 15,4. Der Stromkreis

   für den Strom I₁ umfaßt den Impulsschalter 20, die e'V^I*
   Wicklung 15,4, die Widerstände 23,4 und 235 und die

   Batterie 40. Die in der Wicklung 15,4 induzierte 35 Mit 61 ist der entsprechende Stromverlauf aus der in

   Spannung ist am Anschluß Y" positiv und am An- F i g. 2 dargestellten Schaltung bezeichnet. Die zu-

   schluß X" negativ. gehörige e-Funktion lautet:

   Beim Ausschaltvorgang, also wenn der Schalter 20 ^

   geöffnet wird, spielt sich bei der in Fig. 2 dar- _e~("ii")^f
   gestellten Schaltung folgendes ab: 40

   Bei Beginn des Ausschaltvorganges ändert, wie oben Der Nulldurchgang, bei dem bei der in F i g. 2

   beschrieben, die Spannung V₁, die über der Wicklung dargestellten Schaltung die Diode 27 den Schaltkreis

   15A induziert wird, ihre Polarität, so daß am An- öffnet, ist in F i g. 3 mit T₀ bezeichnet. Der weitere

   Schluß JST" positive und am Anschluß Y" negative Verlauf der Kurve 61 über diesen Nulldurchgang

   Spannung liegt. Diese Spannung V₁ wirkt in der 45 hinaus ist in F i g. 3 gestrichelt eingezeichnet. Ent-

   Richtung, daß der Strom I₁ aufrechterhalten bleibt. sprechend diesem Verlauf würde also Strom in um-

   Für den Strom Z₁ steht ein Stromkreis zur Verfügung, gekehrter Richtung fließen, wenn die Diode 27 nicht

   der aus der Wicklung 15,4, den Widerständen 23,4 vorgesehen wäre. Bei der Darstellung in F i g. 3 gilt und 235 und der Diode 27 besteht. Sobald durch diesen

   Strom Z₁ an der Verbindung D eine Spannung entsteht, 50 J- 100 μη

   ,. . . , ,. _ — V₁ , . , ,. R_i3 100 Ohm

   die negativer ist als die Spannung —x-⁵- dann wird die _T, , _, ,

   *■ — V 0 Volt

   Diode 25 leitend. Wenn der Strom Z₁ weiterfließt, ^₂₃ _

   dann bleibt die Spannung an der Verbindung D "T " ^K^^A ~ ^{2t> Utim}

   bei =£- (wenn man davon ausgeht, daß dieDiode25 ⁵⁵ _{Der Transistor} Π _ist bei diesem Ausführungsbeispiel eine ideale Diode ist). Bekanntlich fließt durch eine ein PNP-Transistor. Statt dessen kann auch ein Diode außer dem Leckstrom kein Strom in um- NPN-Transistor vorgesehen sein. Die Vorspannungsgekehrter Richtung. Um jedoch das Verständnis zu potentiale und die Polaritäten der Wicklungen und erleichtern, wird im folgenden davon ausgegangen, 60 Belastungen müssen dann entsprechend geändert daß, wenn die Diode leitend ist, die Verbindung D werden.

   unmittelbar an die Spannung ^~- angeschlossen ist. Patentansprüche:

   Geht man von dieser Annahme aus, dann besteht 1. Schaltvorrichtung mit einem rückgekoppelten

   ein Stromkreis von dem Anschluß X" durch den 65 Transistor und einer Diode, gekennzeichnet

   Widerstand 23,4, von der Verbindung D zu dem durch einen Transformator (16), dessen eine

   r> «. · ti ο —Pi j 1. j· τ, · ™ λ λ- Wicklung als Rückkopplungswicklung(15C) in

   Batterieanschluß -^ durch die Batterie 40 und die _Rdhe ^ _{einer in S}£_TI-J_mng ^spannten

   Diode (19) den Emitter des Transistors (11) mit dem Kollektor verbindet und dessen zweite Wicklung (155) im Steuerkreis des Transistors (11) liegt, und durch eine derartige Bemessung der Wicklungen (15 C und 155) des Transformators (16), daß die Spannung, die durch den durch die Rückkopplungswicklung (15C) fließenden Strom in der Wicklung (155) erzeugt wird, den Transistor (11) sperrt.

   2. Schaltvorrichtung nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch eine derartige Bemessung der Schaltelemente, daß der Arbeitspunkt des Transistors (11) nach Ablauf eines Einschaltvorganges stark absinkt.

   3. Schaltvorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, gekennzeichnet durch je einen Ausgangsanschluß (1,2) für je eine Belastung (50,51) an dem Emitter (13) und dem Kollektor (14) des Transistors (11).

   4. Schaltvorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch einen Eingangskreis, zu dem eine Primärwicklung (15 A) des Transformators (16) gehört, der derart bemessen ist, daß durch einen aufgegebenen Eingangsimpuls in dem Steuerkreis des Transistors (11) eine den Transistor leitfähig steuernde Spannung erzeugt wird, die wesentlich größer als die zum Leitfähigsteuern erforderliche ist.

   5. Schaltvorrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Eingangskreis eine Diode (27) aufweist, die kathodenseitig direkt und anodenseitig über einen Widerstand (23, 23.4, 235) an die beiden Anschlüsse der Primärwicklung (15.4) angeschlossen ist, und daß über der Diode (27) eine Batterie (40) mit einem Schalter (20) in Reihe liegt, die so gepolt ist, daß sie bei geschlossenem Schalter (20) eine Sperrspannung über der Diode (27) erzeugt.

   6. Schaltvorrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Widerstand (23) geteilt ist (23^4, 235) und daß eine Diode (25) vorgesehen ist, die kathodenseitig an den Mittelabgriff (D) der Widerstände (23^4,235) und anodenseitig an einen Mittelabgriff der Batterie (40) angeschlossen ist.

   7. Schaltvorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Schalter (20) ein Transistor ist, an den der Eingang für Steuerimpulse angeschlossen ist.

   8. Anwendung von mehreren den Transistor (11), den Steuerkreis, die Diode (19) und die Rückkopplungswicklung (15) nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche enthaltenden Schaltkreisen in Reihe oder in Parallelschaltung und einem für mehrere, vorzugsweise alle Schaltkreise (10^4) gemeinsamen Eingangskreis nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche in einer Schaltung zur Realisierung logischer Funktionen.

   In Betracht gezogene Druckschriften:
   Deutsche Auslegeschrift Nr. 1 061 823.

   Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

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