DE2907673A1

DE2907673A1 - Schaltungsanordnung zur ansteuerung eines bistabilen relais

Info

Publication number: DE2907673A1
Application number: DE19792907673
Authority: DE
Inventors: Hideki Fukuzono; Yasuyoshi Kameyama; Hiromi Nishimura; Shinsuke Okamoto; Yoshie Watari
Original assignee: SDS Elektro GmbH
Current assignee: Panasonic Electric Works Europe AG
Priority date: 1977-10-24
Filing date: 1979-02-27
Publication date: 1980-01-03
Also published as: AU4101178A; IT1160004B; ATA745678A; AT378090B; GB2009549A; CH635210A5; GB2009549B; AU526699B2; IT7829037A0

Description

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SDS-Elektro GmbH " ■ 79/2/1

Schaltungsanordnung zur Ansteuerung eines bistabilen Relais (Zusatz zur Patentanmeldung P 27 47 6o7«9-34)

Die Hauptanmeldung P 27 47 6o7„9~34 bezieht sich auf eine Schaltungsanordnung zur Ansteuerung eines bistabilen Relais, dessen Erregerspule mit einem Kondensator in Serie liegt, bei der die Serienschaltung von Spule und Kondensator zur Erregung des Realis und gleichzeitigen Aufladung des Kondensators an Erregerspannung gelegt wird und bei fehlender Erregerspannung durch einen mit seinem Ausgangskreis zu ihr parallelgeschalteten Halbleiterschalter kurzschließbar ist, wodurch das Relais in seine Ausgangsstellung zurückschaltet.

Die der Hauptanmeldung zugrunde liegende Aufgabe besteht darin, eine Schaltungsanordnung der genannten Art so auszubilden, daß das bei Wegfall der Erregerspannung gewünschte selbsttätige Zurückschalten des bistabilen Relais mit geringerem Aufwand an Bauteilen realisierbar ist als bei einer bekannten Anordnung .

Die Lösung dieser Aufgabe wird nach dem Hauptpatent dadurch erreicht, daß der Halbleiterschalter mit seinem Eingangskreis zu einem in Serie zu Erregerspule und Kondensator liegenden Widerstandselement parallelgeschaltet ist und nach erfolgter Aufladung des Kondensators und abgeschalteter Erregerspannung durch einen am Widerstandselement auftretenden Spannungsabfall leitfähig steuerbar ist.

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Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die in der Patentanmeldung P 27 47 6o7.9-34 vorgeschlagenen Schaltungsanordnungen dahingehend weiterzubilden, daß auch mit anderen Schaltungsmaßnahmen definierte Ansprech- und Abfallspannungen für das verwendete Relais sowie Unempfindlichkeit gegen Störungen, z.B. in Form von Spannungseinbrüchen realisiert werden.

Diese Aufgabe wird gelöst durch die in den Ansprüchen definierten Maßnahmen. Dabei ist einerseits ein wirtschaftlicher Aufbau der jeweiligen Schaltungsanordnung auch mit diskreten Bauteilen durchführbar, andererseits werden Schaltungsvarianten angegeben, durch die aufwendige, in einer eventuell in Betracht gezogenen Integrationstechnik nur mit großem Aufwand zu realisierenden Einzelbauteilen vermieden werden.

Im einzelnen wird die Erfindung im folgenden anhand von in den Figuren 5 bis 24 dargestellten Ausführungsbeispielen näher erläutert.

Fig. 5 zeigt eine Variante einer Anordnung nach Fig. 3 bzw. Fig. 2 der Patentanmeldung P 27 47 6o7;9, wobei anstelle der Zenerdiode ZD1 die Parallelschaltung eines Widerstandes R 11 und einer Diode D 6 verwendet ist. Dies ist insbesondere bei

einem Schaltungsaufbau mit diskreten Bauteilen eine wirtschaftliche Alternative. Die an der Basis des Transistors T 6 anliegende Referenzspannung ist dabei aus der Serienschaltung des Widerstandes R 5, der Zenerdiode ZD 2 und der Diode D 7 gewonnen. Die Kennlinie der Diode D 7 zeigt dabei Fig. 6. Sobald die Erregerspannung ü die Referenzspannung überschreitet, wird die Kippstufe T 5, T 6 leitend und das Relais RIs spricht an.

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Bei dem in Fig. 7 gezeigten Ausführungsbeispiel ist der Widerstand R 1 sowie die Zenerdiode ZD 1 von Fig. 2 der Patentanmeldung 27 47 6o7.9 durch eine Kippstufe T 5, T 6 mit einem Basisspannungsteiler R 13, R 14 ersetzt. Die Kippstufe wird dabei leitend, wenn der durch die Erregerspannung U bedingte Spannungsabfall die Schwellenspannung der Basis-Emitterdiode des ersten Kippstufentransistors T 6 überschreitet. Das Relais RIs wird hierbei erregt und der Kondensator C 1 aufgeladen. In Fig. 8 sind gleichzeitig der zusätzliche Transistor T 1o leitend und die Diode D 5 gesperrt.

Wird jedoch die Erregerspannung U unterbrochen, so sperrt der Transistor T 1o und die Diode D 5 leitet, so daß ein geringer Entladestrom des Kondensators C 1 über den Widerstand R 2 fließt, der einen Spannungsabfall verursacht, der zur Durchsteuerung der Kippstufe T2, T3 ausreicht. Nun kann sich der Kondensator C 1 über die Kippstufe T 2, T 3 entladen und das RIs schaltet zurück in die Ausgangslage.

Die aus den Transistoren T 2, T 3 bzw. T 5, T 6 aufgebauten Kippstufen SCR 1, SCR 2 sind identisch und können ebenso durch andere steuerbare Halbleiter, z.B. Thyristoren, ersetzt werden.

Während bei der in Fig. 2 der Patentanmeldung P 27 47 6o7.9 dargestellten Anordnung, bedingt durch die Sperrschichtkapazität der Zenerdiode ZD 1, kurze Spannungseinbrüche oder Schwankungen der Erregerspannung U eine Entladung des Kondensators C 1, bzw. ein Zurückschalten des Relais RIs auslösen können, wird dies in der Schaltung nach Fig. 9 durch den der Kippstufe T 2, T 3 vorgeschalteten Transistor T 4 vermieden. Die Basiselektrode des Transistors T 4 ist zu diesem Zweck über die Serien-Schaltung eines Widerstandes R 16 und einer Zenerdiode ZD 3 mit deren Kathode an den Pluspol der ErregerSpannungsquelle angeschlossen. Die Zenerspannung der Diode ZD 3 legt dabei den Spannungswert fest, bis

zu welchem die Erregerspannung U absinken kann, ohne daß eine unbeabsichtigte Entladung des Kondensators C 1 und damit ein Zurückschalten des Relais RIs bewirkt wird.

Bei der in Fig. 1o gezeigten Schaltungsanordnung ist gegenüber der von Fig. 2 der Patentanmeldung P 27 47 6o7.9 zusätzlich der ohmsche Widerstand R 17 zwischen die Basiselektrode des Transistors T 2 und die Kollektorelektrode des Transistors T eingefügt. Man erreicht hierdurch, daß weder eine zu hohe Strombelastung oder gar ein Kurzschluß an der Kippstufe T 2, T 3 auftreten kann, wenn der Spannungsanstieg an dieser Kippstufe zu steil ist. Ebenso gut kann anstelle des Widerstandes R 17 auch ein ohmscher Widerstand zwischen die Kollektorelek- · trode des Transistors T 2 und die Basiselektrode des Transistors T 3 eingefügt sein.

Fig. 11 stellt ein Ausführungsbeispiel dar, bei dem wie in Fig. 5 anstelle der Zenerdiode ZD 1 (Fig. 2) der Patentanmeldung P 27 47 6o7.9 eine Parallelschaltung eines Widerstandes R 11 und einer in Durchlaßrichtung zur Erregerspannung U gepolten Diode D 6 verwendet ist. Bei Abschalten der Erregerspannung ü erfolgt die Ansteuerung der aus den Transistoren T 2, T 3 bestehenden Kippstufe durch den Spannungsabfall an dieser Parallelschaltung D 6, R 11. Hierbei wird der Kondensator C 1 entladen und das Relais Rls in seiner Ausgangslage zurückgeschaltet.

In Weiterentwicklung der Ausführungsform nach Fig. 11 ist gemäß Fig. 12 eine weitere Kippstufe, umfasssend die Transistoren T 5, T 6, vorgeschaltet. Diese Kippstufe entspricht in ihrer Funktion der Kippstufe nach Fig. 3, unterscheidet sich jedoch in ihrem Aufbau von dieser dadurch, daß die Referenzspannung durch die Zenerdiode ZD 4 gewonnen wird, die zwischen die Basiselektrode des ersten Transistors T 6 und die Emitterelektrode des zweiten Transistors T 5 eingeschaltet ist.

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Fig. 13 und 14 erläutern die Funktion der Schaltung nach Fig. 12, wobei Fig. 13 die Kennlinie der Zenerdiode ZD 4 und Fig. 14 das Schaltverhalten der Schaltungsanordnung bei ansteigender und abfallender Erregerspannung U veranschaulicht. Steigt gemäß Fig. 14 (a) die Erregerspannung U langsam an, so setzt ein Stromfluß erst bei Erreichen der Zenerspannung Uz ein. Erst in diesem Moment wirkt sich gemäß Fig. 14 (b) die Spannung für die aus Relais RIs und Kondensator C 1 bestehende Serienschaltung aus. Der Kondensator wird geladen, und das Relais spricht an. Bei Absinken der Erregerspannung U gemäß Fig. 14 (c) bleibt die Zenerdiode ZD 4 bis zum Erreichen der Restspannung Uo durchgeschaltet. Nach Unterschreiten dieser Restspannung sperrt die die Zenerdiode ZD und die Transistoren T 5, T 6 enthaltende Kippstufe, so daß sich am Ausgang der Kippstufe der Spannungsverlauf gemäß Fig. 14 (d) ergibt. In diesem Moment beginnt der Kondensator C 1 sich über die Kippstufe T 2, T 3 zu entladen, und das Relais schaltet in seiner Ausgangslage zurück.

Fig. 15 stellt eine Variante der Schaltung nach Fig. 2 der Patentanmeldung P 27 47 6o7.9 dar, die darin besteht, daß in den Emitterkreis des Transistors T 3 ein zusätzlicher pnp-Transistor T 11 eingeschaltet ist, dessen Basiselektrode über eine in Sperrichtung zur Erregerspannung U gepolte Diode D 1o mit dem Pluspol der Erregerspannung verbunden ist. Durch diese zusätzliche Maßnahme ist gewährleistet, daß der aus den Transistoren T 2, T 3 bestehende Halbleiterschalter auch bei Auftreten höherer Erregerspannungen zuverlässig gesperrt bleibt.

In Abwandlung der Schaltungsanordnung nach Fig. 1 der Patentanmeldung P 27 47 6o7.9 ist gemäß Fig. 16 als Halbleiterschalter ein npn-Transistor T1' verwendet, der mit seiner Emitterelektrode an die Anode der Diode D 1 und mit seiner Basiselektrode an die Kathode dieser Diode angeschlossen ist. Der Diode D 1 sind ferner eine Zenerdiode ZD 1 in Durchlaßrichtung zur Erregerspannung

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sowie die Kollektor-Emitter-Strecke eines Schalttransistors T 12 vorgeschaltet, an dessen Basiselektrode eine Referenzspannung liegt. Im vorliegenden Fall ist die Referenzspannung durch eine Serienschaltung aus einem Widerstand R 18 und einer weiteren Zenerdiode ZD 5 realisiert. Die Abfallspannung des Relais RIs wird durch diese Referenzspannung festgelegt.

Als Variante von Fig. 16 ist in der Schaltung nach Fig. 17 anstelle der npn-Transistoren T1' und T 12 jeweils ein Thyristor SCR 2 und SCR 1 verwendet.

Bei dem Ausführungsbeispiel nach Fig. 18 ist ähnlich wie bei dem nach Fig. 4 der Patentanmeldung P 27 47 6o7.9 zur Ansteuerung des Halbleiterschalters T 8 ein Schmitt-Trigger mit den Transistoren T 7, T 1o vorgesehen. Um dessen Funktion auch bei abgeschalteter Erregerspannung U sicherzustellen, ist in der Schaltung nach Fig. 4 der Speicherkondensator C 3 vorgesehen, der dann die Stromversorgung übernimmt. In der Schaltung nach Fig. 18 wird der Strom zum Betrieb des Schmitt-Triggers bei abgeschalteter Erregerspannung dagegen aus dem Kondensator C über eine Diode D 11 zugeführt. Die Anordnung nach Fig. 18 ist insbesondere dann vorteilhaft, wenn die Schaltung in integrierter Schaltungstechnik ausgeführt werden soll, weil der in Fig. vorgesehene Speicherkondensator C 3 eingespart wird.

Eine andere Möglichkeit, die für den Schmitt-Trigger T 7, T benötigte Energie bei abgeschalteter Erregerspannung zur Verfügung zu stellen besteht gemäß Fig. 19 darin, daß parallel zu der Serienschaltung aus Kondensator C 1 und Relaiswicklung RIs ein pnp-Transistor T 15 eingeschaltet ist, dessen Basiselektrode über in Sperrichtung gepolte Dioden D 11 an den Pluspol der Erregerspannung U angeschlossen ist. Solange die Erregerspannung vorhanden ist, sind die Dioden D 11 und damit auch der Transistor T 15 gesperrt. Bei abgeschalteter Erregerspannung dagegen wird der Transistor T 15 leitend, so daß dieser

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Transistor mit seinem Basisstrom über die Dioden D 11 den Schmitt-Trigger T 7, T 1 ο versorgt, welcher den Transistorschalter T 8 ansteuert. Dieser Wiederum schließt dann die ^ Serienschaltung aus Kondensator C 1 und Relaiswicklung RIs

Eine Weiterbildung der Schaltungsanordnung nach Fig. 12 ist in Fig. 2o dargestellt. Wie in Fig. 12 bewirkt auch hier die zwischen die Basiselektrode des ersten Kippstufentransistors T 6 und die Emitterelektrode des zweiten Kippstufentransistors T 5 eingeschaltete Zenerdiode ZD 4, daß die Kippstufe erst bei überschreiten der Zenerspannung leitend wird.

Anstelle jeder Zenerdiode ist es auch möglich, eine Parallelschaltung zweier Diodenzweige zu verwenden, bei der im einen Zweig mehrere Dioden in gleicher Polung hintereinander geschaltet sind, während im anderen Zweig eine einzige Diode antiparallel liegt. Ersetzt man beispielsweise in Fig. 2o die Zenerdiode ZD 1 und/oder ZD 4 durch eine derartige Dioden-Parallelschaltung, so richtet sich die Abfallspannung des Relais nach der Anzahl der mit gleicher Polung hintereinander liegenden Dioden des einen Diodenzweiges.

Eine Weiterbildung der Schaltungsanordnung nach Fig. 2 der Patentanmeldung P 27 47 6o7.9 ist in Fig. 21 veranschaulicht, bei der statt der Zenerdiode ZD 1 eine Diode D 6 in Durchlaßrichtung zur Erregerspannung U eingeschaltet ist. Eine direkt gekoppelte Kippstufe, bestehend aus zwei Transistoren T 13, T 14, ist zwischen die Anschlüsse der Erregerspannung eingeschaltet, wobei die Diode D 6 zwischen den Emitterelektroden der Transistoren T 13, T 14 liegt. Die Abfallspannung des Relais RIs wird durch den Spannungsteiler R 19, R 2o, an dessen Abgriff die Basis des Transistors T 13 liegt, bestimmt. Solange die gewünschte Erregerspannung ü anliegt, ist der Transistor T 13

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leitend und der Transistor T 14 gesperrt. Schwankungen der Erregerspannung bleiben undwirksam, solange der am Widerstand R 2o auftretende Spannungsabfall den Transistor T 13 leitend erhält. Wird jedoch bei sinkender Erregerspannung die zur Durchsteuerung der Emitter-Basis-Strecke des Transistors T 13 erforderliche Mindestspannung unterschritten, so sperrt dieser Transistor, und der Transistor T 14 wird leitend. Durch diese Maßnahme erreicht man bei einer vorbestimmten Abfallspannung ein schlagartiges Durchschalten der Kippstufe T 2, T 3, wodurch der Kondensator C 1 entladen und das Relais RIs zurückgeschaltet wird. Gegenüber Fig. 1 der Patentanmeldung P 27 47 6o7.9 wird somit eine definierte Abfallspannung erreicht.

Die Schaltung nach Fig. 21 läßt sich, wie Fig. 22 zeigt, auch derart abwandeln, daß anstelle des Transistors T 14 der Fig. eine Diode D 7 zwischen die Kollektorelektroden der Transistoren T 3, T 13 eingeschaltet wird. Auch bei der Schaltung nach Fig. ist die Abfallspannung des Relais RIs durch das Spannungsteilerverhältnis der Widerstände R 19, R 2o vorgegeben.

Fig. 23 und 24 zeigen Weiterbildungen der Schaltungsanordnung nach Fig. 3 der Patentanmeldung P 27 47 6o7.9. So ist in Fig. insbesondere der Diode D 1 eine weitere Diode D 6 in Durchlaßrichtung zur Erregerspannung U vorgeschaltet sowie in den Eingangskreis des Halbleiterschalters T 2, T 3 eine weitere Diode D 9 eingefügt, deren Kathode an der Steuerelektrode des Halbleiterschalters liegt. Außerdem ist der Basiselektrode des Transistors T 4 eine weitere Diode D 8 in Durchlaßrichtung zur Erregerspannung vorgeschaltet sowie dessen Kollektorelektrode über einen ohmschen Widerstand R 23 an den Verbindungspunkt von Kondensator C 1 und Halbleiterschalter T 2, T 3 gelegt. Man erreicht durch diese Maßnahmen, daß der Halbleiterschalter bei höheren Erregerspannungen U nicht unbeabsichtigt kippt sowie insgesamt eine Verringerung der Strombelastung der Transistoren T 2, T 3.

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In den beiden Schaltungen nach Fig. 23 und Fig. 24 sind jeweils zwei mit + gekennzeichnete Eingänge vorgesehen, von dem der in der Zeichnung obere Anschluß, der direkt mit dem Eingang des Halbleiterschalters T 2, T 3 verbunden ist, für niedrigere Erregerspannungen vorgesehen ist, während der in den Zeichnungen untere Eingang infolge der Zwischenschaltung der weiteren Kippstufe T 5, T 6 für höhere Erregerspannungen vorgesehen ist.

Die Schaltungsanordnung nach Fig. 24 unterscheidet sich von der nach Fig. 23 dadurch, daß anstelle der weiteren Kippstufe T 5, T 6 ein von einem Feldeffekttransistor FET angesteuerter Thyristor SCR 3 vorgesehen ist. Die Schaltung nach Fig. verhält sich im wesentlichen in gleicher Weise wie die Schaltung nach Fig. 23.

27 Patentansprüche
Figuren 5-24

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-4t'

Leerseite

Claims

Zusatz zu P 27 47 6o7»9-34 79/2/1

Patentansprüche

{ 1 . Schaltungsanordnung zur Ansteuerung eines bistabilen Relais, V.v' dessen Erregerspule mit einem Kodendensator in Serie liegt, bei der die Serienschaltung von Spule und Kondensator zur Erregung des Relais und gleichzeitigen Aufladung des Kondensators an Erregerspannung gelegt wird und bei fehlender Erregerspannung durch einen mit seinem Ausgangskreis zu ihr parallelgeschalteten Halbleiterschalter kurzschließbar ist, wodurch das Relais in seine Ausgangsstellung zurückschaltet, nach einem der Ansprüche 1 bis 8 der Patentanmeldung P 27 47 6o7„9-34 dadurch gekennzeichnet, daß dem Widerstandselement ein Thyristor vorgeschaltet ist, an dessen Steuerelektrode eine Referenzspannung angelegt ist, derart, daß der Thyristor stromführend wird, wenn die Erregerspannung die Höhe der Referenzspannung überschreitet«

2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 9 der Patentanmeldung P 27 47 607=9-34, dadurch gekennzeichnet, daß die Kollektorelektrode des ersten Kippstufentransistors (pnp) (T6) mit der Basiselektrode des zweiten Kippstufentransistors (npn) (T5) und die Kollektorelektrode des zweiten Kippstufentransistors (T5) mit der Basiselektrode des ersten Kippstufentransistors (T6) verbunden ist, daß die Basis-Emitterstrecken beider Transistoren (T5, T6) mit je einem ohmschen Widerstand (R5,R6) überbrückt sind, daß die -Basis-Emitterstrecke des zweiten Kippstufentransistors (T5) durch die Parallelschaltung eines ohmschen Widerstandes (R 11) und einer in Durchlaßrichtung zur Versorgungsspannung (U) gepolten Diode (D6) überbrückt ist und daß zwischen die Emitterelektrode des zweiten Kippstufentransistors (T5) und das Massepotential ein weiterer ohmscher Widerstand (R 12) eingeschaltet ist» (Fig. 5)„

3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 9 der Patentanmeldung

P 27 47 6o7.9-34, Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Referenzspannung durch die Serienschaltung einer in Sperrichtung zur Erregerspannung gepolten Zenerdiode (ZD2) und einer Diode (D7) mit negativem differentiellem Widerstand realisiert ist, und daß die Kippstufe (T5, T6), bzw. der dem Widerstandselement vorgeschaltete Thyristor stromführend wird, wenn die Erregerspannung (U) die Referenzspannung überschreitet. {Fig. 5).

4. Schaltungsanordnung nach Anspruch 5 der Patentanmeldung

P 27 47 6o7.9-34, dadurch gekennzeichnet, daß anstelle der dem Widerstandselement in Durchlaßrichtung zur Erregerspannung (U) vorgeschalteten Zenerdiode (ZD1) eine weitere aus komplementären Transistoren (T5, T6) aufgebaute Kippstufe vorgesehen ist, und daß an die Basiselektrode des ersten Kippstufentransistors (T6) der Mittelabgriff eines zu den Anschlüssen der Erregerspannung (U) parallelgeschalteten Spannungsteilers (R 13, R 14) angeschlossen ist (Fig. 7).

5. Schaltungsanordnung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Kollektorelektrode des ersten Kippstufentransistors (pnp) (T6) mit der Basiselektrode des zweiten Kippstufentransistors (npn) (T5) und die Kollektorelektrode des zweiten Kippstufentransistors (T5) mit der Basiselektrode des ersten Kippstufentransistors (T6) verbunden ist. (Fig. 7).

6. Schaltungsanordnung nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, daß der zwischen der Basiselektrode des ersten Kippstufentransistors (T6) und dem Massepotential eingeschaltete Teilerwiderstand (R14) des Spannungsteilers in zwei Widerstände (R141, R142) aufgeteilt ist, daß der Verbindungspunkt der Widerstände (R141, R142) an die Basiselektrode eines pnp Transistors (T 1o) angeschlossen ist, welcher emitterseitig an den einen Anschluß der Erregerspannung (U) und kollektorseitig unter Zwischenschaltung eines ohmschen Widerstandes

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(R15) an das Massepotential der Schaltungsanordnung angeschaltet ist,, und daß die Kollektorelektrode des Transistors (T1o) mit der Kathode einer Diode (D5) verbunden ist, die anodenseitig an der Emitterelektrode des zweiten Kippstufentransistors (T5) liegt. (Fig. 8). "

7. Schaltungsanordnung nach Anspruch 5 der Patentanmeldung P 27 47 6o7.9-34, dadurch gekennzeichnet, daß dem Kippstufentransistor (T3) ein weiterer Transistor (npn) (T4) vorgeschaltet ist, derart, daß dessen Kollektorelektrode mit der Basiselektrode des Kippstufentransistors (T3) , dessen Emitterelektrode mit dem gemeinsamen Fußpunkt der Schaltungsanordnung und dessen Basiselektrode über einen ohmschen Widerstand (R16) mit der Anode einer Zenerdiode (ZD3) verbunden ist, die kathodenseitig am positiven Anschluß der Erregerspannung (U) liegt (Fig. 9),

8. Schaltungsanordnung nach Anspruch 5 der Patentanmeldung

P 27 47 6o7.9-34, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen die Basiselektrode des einen und die Kollektorelektrode des anderen Transistors der Kippstufe (T2„ T3) ein ohmscher Widerstand (R17) eingeschaltet ist- (Fig- 1ο)-.

9. Schaltungsanordnung nach Anspruch 5 der Patentanmeldung P 27 47 6o7„9-34, dadurch gekennzeichnet, daß dem Widerstandselement anstelle einer Zenerdiode (ZD1) eine in Durchlaßrichtung zur Erregerspannung (U) gepolte Diode (D 6) vorgeschaltet und von einem ohmschen Widerstand (R 11) überbrückt ist. (Fig. 11).

1o. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1o der Patentanmeldung P 27 47 6o7„9-34, dadurch gekennzeichnet, daß zur Erzielung der Referenzspannung zwischen die Basiselektrode des ersten Transistors (T 6) und die Emitterelektrode des

zweiten Transistors (T 5) eine Zenerdiode (ZD 4) in Sperrrichtung zur ErregerSpannung (U) eingeschaltet ist. (Fig.12).

11. Schaltungsanordnung nach Anspruch 5 der Patentanmeldung

P 27 47 6o7.9-34, dadurch gekennzeichnet, daß ein zusätzlicher Transistor (T 11) mit seiner Kollektor-Emitterstrecke in den Emitterkreis des Transistors (T 3) des Halbleiterschalters eingeschaltet ist, und daß die Basiselektrode des zusätzlichen Transistors (T 11) über eine in Sperrichtung zur Erregerspannung (U) gepolte Diode (D1o) mit dem Pluspol der Erregerspannung verbunden ist. (Fig. 15).

12. Schaltungsanordnung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß der zusätzliche Transistor (T 11) ein pnp-Transistor ist» welcher emitterseitig mit dem Transistor (T 3) des Halbleiterschalters und kollektorseitig mit dem Massepotential der Schaltungsanordnung verbunden ist.

13. Schaltungsanordnung nach Anspruch 2 der Patentanmeldung

P 27 47 6o7.9-34, dadurch gekennzeichnet, daß als Widerstandselement eine in Durchlaßrichtung zur Erregerspannung (U) geschaltete Diode (D1) und als Halbleiterschalter ein npn-Transistor (T 1 ') verwendet ist, und daß der Transistor (T T) mit seiner Emitterelektrode mit der Anode der Diode (D 1) verbunden ist. (Fig. 16).

14. Schaltungsanordnung nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß der Diode (D 1) eine Zenerdiode (ZD1) in Durchlaßrichtung zur Erregerspannung (U) sowie die Kollektor-Emitterstrecke eines Schalttransistors (npn) (T 12) vorgeschaltet ist, daß zwischen die Kollektorelek trode des Schalttransistors (T 12), die mit der Kathode der Zenerdiode (ZD 1) verbunden ist und dem Massepotential der Schaltungsanordnung ein ohmscher Widerstand (R 1) eingeschaltet ist, und daß an die Basis-

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elektrode des Schalttransistors (T 12) eine Referenzspannung angelegt ist. (Fig. 16).

15« Schaltungsanordnung nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß zur Erzeugung der Referenzspannung ein ohmscher Widerstand (R 18) mit einer Zenerdiode (ZD 5) in Serie geschaltet ist.

ο Schaltungsanordnung nach Anspruch 13 bis 15„ dadurch gekennzeichnet^ daß anstelle des als Halbleiterschalter dienenden npn-Transistors (T 1 °) und/oder des Schalttransistors (T 12) je ein Thyristor (SCR 1, SCR 2) verwendet ist- (Fig- 17).

17. Schaltungsanordnung nach Anspruch 15 der Patentanmeldung P 27 47 6o7.9-34, dadurch gekennzeichnet, daß eine Diode (D 11) zwischen den Verbindungspunkt des Kondensators C 1 mit dem Halbleiterschalter und den Pluspol der Erregerspannung (U) in Sperrichtung eingeschaltet ist. (Fig. 18).

18. Schaltungsanordnung nach Anspruch 15 der Patentanmeldung 27 47 6o7.9-34, dadurch gekennzeichnet, daß die Serienschaltung von Erregerspule (RIs) und Kondensator (C) durch die Kollektor-Emitterstrecke eines Transistors (pnp) (T 15) überbrückt ist, und daß die Basiselektrode dieses Transistors (T 15) über wenigstens eine in Sperrichtung zur Erregerspannung (U) eingeschaltete Diode (D 11) mit dem Pluspol der Erregerspannung verbunden ist. (Fig. 19).

9. Schaltungsanordnung nach Anspruch 5 der Patentanmeldung P 27 47 6o7„9-34, dadurch gekennzeichnet, daß an die Anode der dem Widerstandselement vorgeschalteten Zenerdiode (ZD 1) eine weitere aus komplementären Transistoren

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(T 5, T 6) aufgebaute Kippstufe vorgeschaltet ist, und daß an die Basiselektrode des ersten Kippstufentransistors (T 6) eine Referenzspannung angelegt ist, derart, daß die Kippstufe erst dann leitend wird, wenn die Erregerspannung die Höhe der Referenzspannung überschreitet. (Fig. 2o).

20. Schaltungsanordnung nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet, daß die Kollektorelektrode des ersten Kippstufentransistors (pnp) (T 6) mit der Basiselektrode des zweiten Kippstufentransistors (npn) (T 5) und die Kollektorelektrode des zweiten Kippstufentransistors (T 5) mit der Basiselektrode des ersten Kippstufentransistors (T 6) verbunden ist, daß die Basis-Emitterstrecken beider Transistoren (T 5, T 6) mit je einem ohmschen Widerstand (R 5, R 6) überbrückt sind, daß zwischen der an einem Anschluß der Erregerspannung liegenden Emitterelektrode des ersten Transistors (T 6) und dessen Basiselektrode ein Kondensator (C 2) eingeschaltet ist, und daß zur Erzielung der Referenzspannung zwischen die Basiselektrode des ersten Kippstufentransistors (T 6) und die Emitterelektrode des zweiten Kippstufentransistors (T 5) eine Zenerdiode in Sperrichtung eingeschaltet ist. (Fig. 2o).

21. Schaltungsanordnung nach Anspruch 19 oder 2o, dadurch gekennzeichnet, daß anstelle der Zenerdiode (ZD 1) und/oder als Referenzspannungsquelle jeweils zwei zueinander parallelgeschaltete Zweige von Dioden verwendet sind, daß in dem einen Zweig eine der gewünschten Referenzspannung entsprechende Anzahl von Dioden in Serie geschaltet ist, derart, daß die Anode einer Diode mit der Kathode der folgenden Diode verbunden ist, und im anderen Zweig eine einzige Diode liegt, deren Anode mit der Kathode des an einem Ende des erstgenannten Zweiges liegenden Diode und deren Kathode mit der Anode der am anderen Ende des erstgenanten Zweiges liegenden Diode verbunden ist.

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22. Schaltunganordnung nach Anspruch 5 der Patentanmeldung P 27 47 6o7.9-34, dadurch gekennzeichnet, daß anstelle der Zenerdiode (ZD 1) eine Diode (D 6) in Durchlaßrichtung zur Erregerspannung eingeschaltet ist, daß eine direkt gekoppelte Kippstufe (T 13, T 14) zwischen die Anschlüsse der Erregerspannung (U) eingeschaltet ist, derart, daß die Diode (D 6) zwischen den Emitterelektroden beider Transistoren (T 13, T 14) liegt, und daß die Abfallspannung des Relais (RIs) durch einen für den Transistor (T 13) vorgesehenen Basisspannungsteiler (R 19, R 2o) festgelegt ist. (Fig." 21).

23. Schaltungsanordnung nach Anspruch 5 der Patentanmeldung P 27 47 6o7„9-34, dadurch gekennzeichnet, daß anstelle der Zenerdiode (ZD 1) eine Diode (D 6) in Durchlaßrichtung zur Erregerspannung eingeschaltet ist, daß ein Transistor (T 13) mit einem Basisspannungsteiler (R 19, R 2o) zwischen die Anschlüsse der Erregerspannung (U) eingeschaltet ist, derart, daß dessen Emitterelektrode an der Anode der Diode (D 6) und dessen Kollektorseite unter Zwischenschaltung eines ohmschen Widerstandes (R 21) am Massepotential der Schaltungsanordnung liegt und daß eine weitere Diode (D 7) mit ihrer Kathode an die Kollektorelektrode des Transistors (T 13) und mit ihrer Anode an die Kollektorelektrode des Transistors (T 3) des Halbleiterschalters angeschaltet ist. (Fig. 22).

24. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 11 der Patentanmeldung P 27 47 6o7»9-34, dadurch gekennzeichnet, daß dem Widerstandselement eine Diode (D 6) in Durchlaßrichtung zur Erregerspannung (U) vorgeschaltet ist» (Fig. 23).

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S09331/05¹?!

25. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 11 der Patentanmeldung P 27 47 6o7.9-34 oder Anspruch 24, dadurch gekennzeichnet, daß in den Eingangskreis des Halbleiterschalters eine Diode (D 9) eingeschaltet ist, derart, daß deren Kathode an der Steuerelektrode des Halbleiterschalters liegt. (Fig. 23).

26. Schaltungsanordnung nach Anspruch 8 der Patentanmeldung

P 27 47 6o7.9 , Anspruch 24 oder 25, dadurch gekennzeichnet daß die Kollektorelektrode des weiteren Transistors (T 4) über einen ohmschen Widerstand (R 23) an den Verbindungspunkt von Kondensator (C 1) und Halbleiterschalter angeschlossen ist, und daß in der Basiszuleitung des weiteren Transistors (T 4) eine Diode (D 8) in Durchlaßrichtung zur Erregerspannung (U) eingeschaltet ist. (Fig. 23).

27. Schaltungsanordnung nach Anspruch 9, 1o der Patentanmeldung P 27 47 6o7.9-34 oder Anspruch 24 bis 27, dadurch gekennzeichnet, daß anstelle der weiteren Kippstufe (T 5, T 6) ein von einem Feldeffekttransistor (FET) angesteuerter Thyristor (SCR 3) vorgesehen ist. (Fig. 24).

30SS81/057