DE1257205B - Wortorganisierte Speichermatrix - Google Patents

Description

BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND

DEUTSCHES

PATENTAMT

PATENTSCHRIFT

Int CL:

. GlIc

Deutsche Kl.: 21 al-37/60

Nummer:

Aktenzeichen:

Anmeldetag:

W37497IXc/21al
4. September 1964
28. Dezember 1967
27. Juni 1968

Auslegetag:

Ausgabetag:

Patentschrift stimmt mit der Auslegeschrift überein

Die Erfindung bezieht sich auf eine wortorganisierte, mit externer Wortwahl betriebene, über die Schaltkerne einer Schaltmatrix bezüglich ihrer Wortzeilen gesteuerte Speichermatrix, deren ausgewählter Matrixschalter-Sclialtkern einen Wortzeilenimpuls relativ großer Amplitude (als Nutzimpuls) in die anzusteuernde Wortzeile schickt, wobei in störender Weise auch die gleichzeitig mit angesteuerten Schaltkerne in der den angewählten-Schaltkern enthaltenden Zeile und Spalte der Schaitmatrix einen Störimpuls relativ niedriger Amplitude in die nicht anzusteuernden Wortzeileii abgeben.

Magnetäsche Speicheranordnungen, in denen binäre .Informationen in Form von repräsentativen magnetischen remanenten Zuständen in einer Vielzahl von magnetischen Elementen gespeichert wird, sind bereits bekannt. Kurz gesagt, kann ein derartiger Speicher aus einer Koordinatenanordnung von magnetischen Ring-Jcernen bestehen, die jeweils im wesentlichen rechteckige Hysteresiskennlinien aufweisen. Wenn ein derartiger Speicher' auf Wortbasis organisiert ist, sind durch die Kernzeilen einzelne' ¥/ortleiter geführt, welche bei selektiver Erregung während der Abfragung des Speichers diejenigen Kerne einer Zeile, welche binäre »len« enthalten, von einem rernanenten Zustand in den anderen umschalten und diejenigen Kerne, welche binäre »Oen« enthalten, weiter in die Sättigung bringen. Diese Flußänderungen erzeugen Informationen darstellende Lesesignale in Leseleitern, welche durch die entsprechende Kerne der Wortzeilen geführt sind. Die Lesesignale, welche binäre »len« darstellen, sind groß im Vergleich zu den Störsignalen, welche durch die nichtumgeschalteten Kerne erzeugt werden, die binäre »Oen« enthalten, wobei die Anxplitudendifferenz die Unterscheidung zwischen den Signalen ermöglicht. Während einer Abfragung wird nur ein Wortzeilenleiter erregt, während im Idealfall an die anderen Wortzeilenleiter der nicht ausgewählten Zeilen keine erregenden Steuerströme angelegt sein sollten.

Die Wortzeilenleiter können selbst durch das Umschalten eines magnetischen Schaltkerns erregt werden. Wenn der Speicher eine Vielzahl von Speicherebenen enthält, sind bekannterweise die letztgenannten Kerne ebenfalls in Zeilen und Spalten angeordnet, wobei die Spalten zu den Ebenen des Speichers gehören und die Zeilen die entsprechenden Wortzeilen der Ebenen definieren. Durch die Zeilen und Spalten der Kerne eines derartigen Matrixschalters werden Zeilen- und Spalien-Steuerieiter geführt, wobei die Wortzeilerileiter des Speichers dann die Ausgangswicklungen für die Kerne des Schalters bilden. Die Wahl eines Schaltkerns und damit die Wahl eines Wortzeilenleiters des Speichers wird in bekannter Weise durch die koinzidierende Er-Wortorganisierte Speichermatrix

Patentiert für:

Western Electric Company Incorporated,
New York, N.Y. (V. St. A.)

Vertreter:

Dipl.-Ing. H. Fecht, Patentanwalt,
Wiesbaden, Hohealohestr. 21

Ais Erfinder benannt:
Jules Rächard Conrath,

Salisbury Township, Pa. (V. St. A.)

Beanspruchte Priorität:
V. St. ν. Amerika vom 24. September 1963
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regung eines gewählten Zeilenleiters und eines gewählten Spaltenleiters durchgeführt. An die beiden letztgenannten Leiter wird ein Halbwählstromimpuls angelegt, der allein nicht ausreicht, um einen angekoppelten Kern von einem remanenten Zustand in den anderen umzuschalten. An dem durch die erregten Zeilen- und Spaltenleiter definierten Kreuzpunkt wird der hierdurch definierte gewählte Kern offensichtlich durch beide Halbwählstromimpulse gesteuert, die zusammen so bestimmt sind, daß sie ausreichen, um den gewählten Kern umzuschalten, Herkömmlicherweise wird beim Umschalten des Schaltkerns ein Stromimpuls ,in dem angekoppelten Wortzeilenleiter des Speichers erzeugt, der dann als Abfrageström für den Speicher während der Abfragung dient.

Bei dem oben allgemein beschriebenen Matrixschalter ist angenommen, daß sich der gewählte Kern in einem magnetischen Zustand befand, der dem Zustand des Steuerimpulses entgegengesetzt ist, der durch die koinzidierenden Wählstromimpulse angelegt wurde. Um sicherzustellen, daß dies der Fall ist, sind im Schalter Mittel vorgesehen, um einen gewählten Kern in den magnetischen Zustand zurückzubringen, den er vor seiner Wahl erhalten hat. Ein Schaltungsmittel hierfür besteht in einer fortlaufenden Wicklung, die durch jeden der Kerne im gleichen Sinn geführt ist. An diese Wicklung wird ein Gleichstrom angelegt, der alle Kerne bis zur Sättigung in der gewünschten Richtung

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vormagnetisiert. Die koinzidierenden Halbwählstrom- wobei sie nur eine vernachlässigbare Impedanz für die impulse, die mit Hilfe der Zeilen- und Spaltenleiter an- durch den Matrixschalter erzeugten Nutzsignale dargelegt werden, überwinden diesen Vormagnetisierungs- stellt.

strom, um den gewählten Kern umzuschalten. Am Ende Die Erfindung wird an Hand der eingehenden Er-

dieser Wählströme bringt der dauernd angelegte Vor- 5 läuterung eines Ausführungsbeispiels und der Zeich-

magnetisierungsstrom den gewählten Kern in seinen nungen verständlich.

früheren magnetischen Zustand zurück. Ein derartiger F i g. 1 der Zeichnungen zeigt ein Ausführungsbei-

Matrixschalter ist also Schalter mit vormagnetisierten spiel der Erfindung;

Kernen bekannt. F i g. 2 A und 2 B zeigen in idealisierter Form einen

Wenn immer bei dem oben beschriebenen Matrix- io Vergleich der Hysteresiskennlinien von zwei Kerneie-

schalter ein besonderer Kern durch die koinzidierende menten, die bei dem Ausführungsbeispiel der Erfin-

Erregung der Zeilen- und Spalten-Steuerstromleiter, dung in F i g. 1 verwendet werden;

weiche diesen Kern definieren, gewählt wird, wird offen- F i g. 3 zeigt bei einer Speicheranordnung mit einer

sichtlich an alle übrigen Kerne der Zeile und Spalte, in einzigen Ebene ein weiteres Ausführungsbeispiel der

denen sich der gewählte Kern befindet, ein Halbwähl- 15 Erfindung.

stromimpuls angelegt.. Diese »halbgewählten« Kerne Das .Erfindungsprinzip wird an Hand der in F i g. 1 werden nicht umgeschaltet, insbesondere im Fall des dargestellten Speicheranordnung am besten verständ-Schalters mit vormagnetisierten Kernen, wenn sie lieh. Da die Bestandteile eines Speichers, bei dem die durch den Vormagnetisierungsstrom in Richtung der Erfindung verwendet werden kann, bekannt sind, brau-Sättigung gebracht werden, W^regen des an die anderen 20 chen sie nur in allgemeiner Form hier beschrieben zu Kerne der gewählten Zeile und Spalte angelegten Halb- werden. Der Speicher selbst, in dem eine binäre Inforwählsteuerstroms findet jedoch eine gewisse Auswan- mation gespeichert wird, besteht aus einer Vielzahl von derung entlang der Hysteresisschleife statt. In einem Ebenen 1O₁ bis ίθ_β, die jeweils ihrerseits aus einer Maidealen Kern mit einer idealen Rechteckschleife hat trixanordnung von Informationsspeicherelementen 11 diese Auswanderung keine Wirkung, da keine Ände- 25 bestehen. Die Speicherebenen 10 können in der Praxis rung der Flußdichte entsteht. In der Praxis ist die Per- bekanntermaßen verschiedenartige Formen annehmen, meabilität eines gesättigten Kerns nicht Null, so daß sie sind daher nur strichpunktiert dargestellt. Wenn die durch die Halbwählstromimpulse verursachten auch die Informationsspeicherelemente II ebenfalls Flußänderungen in der Tat Ströme in den angekoppel- verschiedene Fof men annehmen können, so sollen sie ten Wortzeilenleitern des Speichers erzeugen. Somit 30 doch aus magnetischen Speicherelementen bestehen, werden zusätzlich zu dem abfragenden Stromimpuls, die remanente magnetische Eigenschaften aufweisen, der durch das vollständige Umschalten des gewählten derart, daß sie in einem bestimmten remanenten ma-Kerns des Matrixschalters an den gewählten Wort- gnetischen Zustand bleiben, wenn sie durch eine geeigzeilenleiter angelegt wird, in jedem der Wortzeilen- nete magnetomoiorische Kraft in diesem Zustand geleiter, die mit den Kernen gekoppelt sind, welche sich 35 bracht sind, wobei sie in einen anderen remanenten main derselben Zeile und Spalte wie der gewählte Kern be- gnetischen Zustand umgeschaltet werden können, finden, Störströme induziert. Diese Störströme sind im wenn eine andere magnetomotorische Kraft an sie anVergleich zu dem Abfrageimpuls, den der vollerregte gelegt wird. So können z. B. die Informationsspeicher-Schaftkern abgibt, klein, und zwar kleiner als der elemente aus magnetischen Ringkernen bestehen, fer-Grenzsteuerimpuls, der zur Umschaltung der Infor- 40 ner aus den Adressensegmenten von magnetischen mationsspeicherkerne des Speichers notwendig ist. In Speicherdrähten, weiterhin aus den Adressengebieten den letzgenannten Kernen reichen diese Störströme je- von durchbohrten magnetischen Scheiben oder schließdocfa aus, um eine gewisse Flußauswanderung zu ver- Hch aus irgendwelchen anderen magnetischen Elemenursachen. Infolgedessen werden durch die gestörten ten, die bei Abfrage durch einen ZugrifFssteuerstrom in Kerne der Wortzeilen, die nicht durch den erregten 45 mit ihnen gekoppelten Leseleitern Informationen dar-Matrixschalter befragt werden, ebenfalls Störsignale stellende Lesesignale erzeugen und die Störsignale ererzeugt. Für die Wortzeilen der Ebene, welche durch zeugen können, wenn sie durch Teilsteuerströme erregt die Spalte der Kerne definiert.ist, in der der gewählte werden, die während einer Abfrageoperation angelegt Schaltkern erscheint, sind diese Störsignale additiv, da werden.

sie in den selben Leseleitern erscheinen, sie können in 50 Der herkömmliche Speicher ist auf Wortbasis erschweren Fällen dieselbe Größenordnung aufweisen ganisiert, d. h., jede der Elemente 11 einer Zeile ent-, wie die Nutzlesesignale, welche-die Information, dar- hält die Bits eines binären Worts, er ist somit mit Hilfe stellen. Die Störströme, welche auf diese Weise durch einer Vielzahl von Wortleitern 12 aufgebaut, die jedie koinzidierende Stromwahl im Matrixschalter er- weils in Serie mit sämtlichen Speicherelementen einer zeugt werden, können den.Arfjeiisspielraum des Spei- 55 Zeile gekoppelt sind. An die entsprechenden Speicherchers ernsthaft beeinträchtigen und die Feststellung elemente der Worizeiien sind ferner serienmäßig in der gewünschten Informationsausgangssignaie störee.. bekannter Weise die Leseleiter 13 gekopppeit, die aa

Die Aufgabe der Erfindung besteht daher darin, die einem Ende in Informationsverbraucherschaltungen 14

Störsignale einer Schaltmatrix zu unterdrücken, deren enden. Diese Organisation des Speichers ist im einzel-

Schaltkerne die Wortwählströme eines wortorganisier- 60 nen nur in der Speiclierebene W₁ dargestellt, selbstver-

ten Speichers liefern. siändlich sind die übrigen Ebenen 10_a bis W₆ in gleicher

Die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß eine Weise organisiert. Die anderen Enden der Leiter 13

nicht lineare Induktivität mit jedem der "Wortzeilen im Speicher sind der Einfachheit halber weggelassen,

leiter gekoppelt ist, die eine geringe Impedanz für das natürlich .sind in der Praxis geeignete Mittel zur Ver-

Nuizsignal, eine hohe Impedanz für das Siörs'ignal dar- 65 voUständigung der Schaltung vorgesehen.

stellt. Die auf diese Weise angekoppelte Induktivität Zu den Wortzeilen des Speichers erhält man seiek-

wirkt somit als Begrenzungseinrichtung, welche die tiy Zugriff mit. Hilfe eines Matrixschalters, der im

ekircii den Matrixschalter erzeugten Störsignale sperrt, Vordergrund der F s g. 1 dargestellt ist. Dieser Ma-

trixschalter besteht in bekannter Weise aus einer Matrixanordnung von Magnetkernen 15, deren Spalten zu den Ebenen 10 des Speichers und deren Zeilen zu den entsprechenden Wortzeilen der letztgenannten Ebenen gehören. Durch die Zeilen der Kerne 15 ist jeweils ein Zeilenleiter 16 und durch die Spalten der Kerne 15 jeweils ein Spaltenleiter 17 geführt. Die Zeilennnd Spaltenleiter 16 und 17 enden jeweils an der einen Seite in einer Erdsammelleitung 18, während an der anderen Seite diese Leiter in einem Zeilenwählschalterl9 und einem Spaltenwählschalter 20 enden. Durch die Kernels ist ferner fortlaufend ein Vormagnetisierungs-Ieiter21 geführt, der an der einen Seite in der Erdsammelleitung 18 und an der anderen Seite in einer Vorma gnetisierungssiromquelle 22 endet.

Durch die Kerne 15 des Matrixschalters sind schließlich die Wortleiter. 12 der Speicherebenen geführt. Entsprechend der obenerwähnten Zugehörigkeit der Kerne des Matrixschalter und der Speicherebenen sind die Wortleiter 12 der Ebenen 10 mit den Kernen 15 der Kernspalten des Matrixschalters gekoppelt. Um die Zeichnung nicht zu komplizieren, sind die Enden der Wortleiier 12 weggelassen, wenn auch in der Praxis geeignete Mittel zur Vervollständigung der Schaltung vorgesehen werden.

Entsprechend dem Erfindungsprinzip ist jeder der Worileiter 12 durch einen Unterdrückungskern 25 geführt. Die Kerne 25, von denen in der Zeichnung nur einige dargestellt sind, haben jeweils nichtlineare Hyste- »•esiskennlinien und sind so ausgebildet, daß sie einen Flußweg aufweisen, der so kurz wie möglich ist. Aus Gründen, die später offensichtlich werden, ist die Sätiigungsflußdichte der Kerne 25 wesentlich kleiner, z. B. um den/Faktor 10 oder 20, als die Flußdichte, die beim vollständigen Umschalten eines Kerns 15 des Matrixschalters umgeschaltet wird, wenn auch die Sättigungsflnßdichte der Kerne 25 größer als die Flußdichtenänderung in einem Kern 15 ist, die durch einen HaIbwählstroriiimpuls erzeugt wird, wie später geschildert wird. Andere Eigenschaften der Kerne 25 werden nachfolgend im Zusammenhang mit der Arbeitsweise des Speichers der F i g. 1 beschrieben.

Für die Beschreibung des erfindungsgemäßen Aufbaus-soil die Abfrage'der oberen Wortzeile der Ebene löj des Speichers gewählt werden, die die Speicherelemente 1ί_β enthält. Es sei ferner angenommen, daß diese Wortzeile das binäre Wort 1,0,1 ... 0 enthält. .

Die Abfrage der Speicherelemente H₆ der als Beispie! gewählten Wortzeile geschieht herkömmlicherweise durch die Wahl des Matrixschalter-Kerns 15', mit dem der zugehörige Wortleiier 12' gekoppelt ist. Diese Wahl geschieht ihrerseits durch die Wahl von Zeilen- und Spaltenleitern 16' und 17', welche den gewählten Kern 15' definieren, und zwar durch das koinzidierende Anlegen von Halbwählstromimpulsen der Zellen- und'■ Spaltenwählschalter 19 und 26. Vor und während dieser koinzidierenden Anlegung wirkt auf den gewählten Kern 15', wie auch auf alle anderenKerne IS des Matrixschalters: der Vormagnetisierungsstrom, der von der 'Vormagnetisierungsstromquelle 22 mit Hilfe des Vormagnetisieruhgsleiters 21 geliefert wird. Dieser Strom ist symbolisch in F i g. 2 A an Hand, einer idealisierten-Hysteresiskennlinie 26 der Kernels und IS' dargestellt. Der Vormägnetisierungsstrom b 'hält vor dem Anlegen der koinzidierenden Wählströme alle Kerne des Matrixschalters in magnetischer Sättigung im Punkt s der Kennlinie 26. Wenn die koinzidierenden additiven Halbwählströme,- die einzeln in F i g. 2 A ahd/2 angegeben sind, an den gewählten Kern IS angelegt werden, wird bewirkt, daß dieser Kern von seinem Punkt s auf seiner Hysteresiskennlinie zum Punkt s' mit entgegengesetzter Sättigung umgeschaltet wird. Die entstehende vollständige Flußumkehr induziert einen Abfragestromimpuls im angekoppelten Zeilenleiter 12', der in herkömmlicher Weise bewirkt,daß die Speicherelemente H₆ der gewählten Wortzeile abgefragt v/erden. Die Elemente, welche binäre »len« enthalten, induzieren ebenfalls in herkömmlicher Weise verhältnismäßig große Lesesignale in ihren Leseleitern 13, während die Elemente, welche binäre Nullen enthalten, nur vernachlässigbare Signale in ihren Leseleitern 13 erzeugen.

Bei der obigen Arbeitsweise bewirken an die Zeilen- und Spaltenleiter 16' und 17' angelegte koinzidierende Ströme offensichtlich, daß Halbwählsteuerströme, die in Fig. 2 A durch den Pfeil dß' angedeutet sind, an alle übrigen Kerne 15 angelegt werden, die sich in den Zeilen- und Spaltenleitern 16' und 17' befinden. Bei jedem dieser Kerne wird dementsprechend der angelegte Vormagnetisierungsstrom b aufgehoben,. so daß sie sich infolge der Halbwählsteuerströme dß' auf ihren Hysteresiskennlinien zum Punkt h bewegen. Die in diesen Kernen entstehende Flußdichtenänderung/ erzeugt in ihren angekoppelten Zeilen Zeilenleitern 12 Störströme, die an die Speicherlemente 11 der Speicherebenen 10 angelegt werden. Diese Störströme verursachen ihrerseits kleinere Flußauswanderungen in den Speicherelementen mit dem Ergebnis, daß in den angekoppelten Leseleitern 13 ebenfalls Störsignale erzeugt werden. Im Fall der Ebene 1O₁, welche die abgefragte Wortzeile enthält, sind diese Störsignale additiv, da in allen ihren Zeilenleitern 12, außer dem Zeilenleiter 12', Pendelungen durch die Halbwahl der Kerne 15 auftritt, die mit dem Spaltenleiter 17' gekoppelt sind. Die Zeile der Informationselemente 11 in den Ebenen 1O₂ bis 1O₆ werden ebenfalls durch die Störströme erregt, die durch die mit dem erregten Zeilenleiter 16' gekoppelten halbgewählten Kernen 15 erzeugt werden. Bei der in F i g. 1 dargestellten Speicherorganisation haben die hierdurch erzeugten Störsignale eine minimale störende Wirkung, da keine der erregten Elemente in dieselbe Ebene fällt. In gewissen Speicheranordnungen "können diese Störsignale aber den Arbeitsspielraum des Speichers einengen.

Erfindungsgemäß verringern die nur mit den Wortleitern gekoppelten Kerne 25 in vorteilhafter Weise die Störströme, welche durch halbgewählte Schaltkerne des Matrixschalters erzeugt werden und beseitigen damit im wesentlichen die Erregung der Speicherelemente von nicht abgefragten Wortzeilen des Speichers. Die Arbeitsweise eines Unterdrückungskerns 25 hängt voa seiner Fähigkeit ab, den Fluß bei einem kleinen Steuerstrom schnell umzuschalten. Dieser Strom ist demgemäß der Wert, auf den der Störstrom in einem halbgewählten Worileiter 12 bei dieser Erfindung begrenzt ist. Obwohl es ideal wäre, wenn der Unterdrückungskern mit dein Strom Null umgeschaltet wird, so wird.

δα doch in der Praxis der Kern 25'eine Hysteresiskennlinie aufweisen, wie sie in idealer Weise in F i g. 2B dargestellt ist. wobei diese Figur von der Fig. 2A aus projiziert ist. Wie dort ersichtlich ist, ist ein Kern 25 bis zu den .Sättigungspunkten-Jj undij' linear, wonach seine Flußdichte ohne Rücksicht auf eine Erhöhung des angelegten Steuerstroms konstant bleibt. Wie auch ■die Form der Hysteresiskennlinie ist, soll dock der Kern 25 eine solche Größe haben, daß sein Sättigun'gs·

fluß größer ist als der in einem halbgewählten Zugriffskern 15 pendelnde Fluß, er soll jedoch, wie vorher erwähnt wurde, viel geringer — um einen Faktor 10 oder 20 — als der Sättigungsfluß eines Schaltkerns 15 sein. Dieser Vergleich ist in F i g. 2 A dargestellt, wo der Fluß/, der in einem Kern 15 pendelt, auf F i g. 2B projiziert ist. Er ist in der Zeichnung kleiner als die Sättigungspunkte ss und ss' des Unterdrückungskerns 25, wobei aber diese Sättigungspunkte wesentlich kleiner als die Sättigungspunktes unds' eines Schaltkerns 15 sind.

Bei der obigen als Beispiel dargestellten Arbeitsweise bringt der vollwertige Abfragestromimpuls, der durch die vollständige Umschaltung des Kerns 15' an den Wortzeilenleiter 12'angelegt wird, den Unterdrückungskern 25' schnell in die Sättigung, wobei die vom letztgenannten Kern dargestellte Impedanz im wesentlichen auf Null heruntergeht. Die Amplitude dieses Abfrageimpulses wird somit nur vernachlässigbar verringert. Die Störimpulse, die durch die anderen Kerne 15 der so gewählten Zeile und Spalte des Matrixschaliers erzeugt werden, haben andererseits eine nicht hinreichende Größe, um die zugehörigen Unterdrückungskerne 2S zu sättigen. Die Spannungen, welche an der durch die leizgenannien Unterdrückungskerne dargestellten Impedanz erzeugt werden, haben eine entgegengesetzte Polarität wie die Spannungen, die in den Wortleiiern 12 durch die zugehörigen Kerne IS erzeugt werden, und haben jeweils eine Größe, die im wesentlichen' die letztgenannten Spannungen aufhebt. Die.in den nicht gewählten ■ Wortzeilenleitern 12 vorhandenen Störströme werden somit wesentlich herabgesetzt, ofaae den vollwertigen Abfragestrom in dem gewählten Wortzeiienleiter 12' wesentlich zu beeinträchtigen.

■ Bei einer Ausführung der Erfindung würde festgestellt, daß die Störströme, die von Schaltkeraen aus Mii-Mg-Cd-Ferrit mit den Abmessungen Außendurchmesser 0,425 cm,-Innendurchmesser 0,200 cm «öd Höhe 0,250 cm erzeugt werden, wesentlich herabgesetzt werden, wenn Unterdrückungsringkerne aus Ni-Zn-Ferrit mit den ' Abmessungen Außendurchmesse 0,139 cm, Innendurchmesser 0,089 cm und Höhe 0,076 cm entsprechend der Erfindung verwendet werden. In diesem Fall betrugen jeweils die an die Schaltkerne angelegten Halbwähldurchflutungeh 2,4 Amperewindungen miteinerAnstiegszeitvon0,5Mikrosekimden und einer Dauer von 2,0 Mikrosekunden bei einer Gleichstromvordurchflutung von 2,4 Amperewindungen.

Eine weitere vorteilhafte Ausführung der Erfindung ist in F i g. 3 dargestellt. Bei dieser Ausführung nehmen die einzelnen Unterdrückungskerne 25 der Ausführung der F i g. 1 die Form eines einzigen Induktivitätsbandes 30 an. Obgleich die Speicherelemente wiederum irgendeine bekannte Form haben können, ist das Induktivitätsband 30 in Zusammenhang mit einer Speicherebene dargestellt, in der jedes der Informationselemente aus einem Segment eines magnetischen Speicherdrahtes besteht. Derartige Speicherelemente sind bekannt. Die Informationselemente sind auf einer Vielzahl von parallelen Speicherdrähten 31 durch eine Vielzahl von parallelen Qüerwortzeilenleitern 32 definiert, wobei die Leiter die Form von flachen Bandspulen annehmen. Die Leiter.32 sind um die Speicherdrähte 31 geführt, so daß sie induktiv gekoppelt sind, ferner um eine Halteplatte 33 in einer für den Fachmann bekannten Weise. Die Leiter 32 bilden femer eine geschlossene Schleife, wobei mit ihnen, wie im Vordergrund der F i g. 3 dargestellt ist, jeweils' ein magnetischer Kern 35 gekoppelt ist. Der Einfachheit balber ist in F i g. 3 nur eine Ebene eines aus mehreren Ebenen aufgebauten Speichers dargestellt. Jedocb ist selbstverständlich die Ausführung dieser Figur in eimer der F i g. 1 identischen Weise organisiert. So sind die Kerne 35 zusammen mit anderen gleichen Kernen,; die sieht dargestellt sind, in einer KoordinatenanordiKsag organisiert, so daß sie einen Matrixschalter der bereits eiageiiend beselmei»- nen Art bilden.

Vorteilhafterweise geht das ladrfctivitätsband 3Θ, das dieselben Kennlinien aufweist, wie sie an Hand der Induktivitätskerne 25 der ÄBsfltaisg der F i g.. I beschreiben wurde, fortlaufend durch die beides Teile der Wortzeilenleiter 32 Mnämsk und ist mti dieses Elementen induktiv gekoppelt. Bei bekannten Bafeaspeicherelementanordniingen werden die Elemente zweckmäßigerweise in eis Sssibles Band aas nicbtmagnetischem Material eingebettet Bas Induktiyitätsband 30 kann somit in vorteiSäsferweise der Sp-nchsrelementanordnung hinzugefügt werdea. Die Arbeits-' weise der Ausführung der F i g. 3 gleicht dsrjsmgea,. die an Hand der in F i g, 1 dargestellten Ansführusg beschrieben wurde und braxscM daher hier rieht w!sderholt zu werden. Die Stöiströme, weiche währead der Abfragung eines erssfeigsgamäß aufgebauten Speichers unerwünschte Störsigsaie erzeugen Mimen., v/erden wesentlich verringert min damit der Arbeite-Spielraum verbessert.

Claims (4)

Patentansprüche:

1. Mit externer Wortwahl betriebene, über dis Schaltkerne einer Scliaiössiiis bezüglich ■ ihrer Wortzeilen gesteuerte Spsichenaatrix, derea ausgewählter Matrixschalterschaltkem eisen Wortzeilenimpuls' relativ großer Amplitude (als Νκίζ-impuls) in die anzusteuernde Wortzeile schickt, wobei in störender Weise »acts die gleichzeitig mit angesteuerten Schaltkerae is der den angewählten Schaltkern enthaltendes Zeile Bud Spalte der Sc&altmatrix einen Störimpuls relativ niedriger Amplitude in die nicht anzusteuernden Worfzeiien abggfoes, dadurchgekennzelcfe a et, daß eise oicht lineare Induktivität mit jedem der Wortzeäenieiier gekoppelt ist, die eine gering? Impedanz für das Nutzsignal, eine hohe Impedanz for das Störsigeai darstellt.

2. Speichermatrix nach Äiispracfs 1, dadofdi gekennzeichnet, daß die oidkt lineare Induktivität

. aus einem Magnetriiigkers ijesfeiiL

3. Speichermatrix nach Aiaspradi 2 rat RiHgkernen als Schaltkemea, dadurch gekennzeichnet, daß der Flußweg des InduMvitätskerns kürzer als der Flußweg der Schaltkerae ist

4. Speichermatrix nach Ansprach 1, dadurch gekennzeichnet, daß die sieht lineare Induktivität durch ein flaches, quer ze raefereree Wortzeäea angeordnetes Band gebildet ist.

In Betracht gezogene Drackscluriften:
Deutsche Auslegeschrift Nf. 1Ö25 651.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

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