DE1474352C - Matrixspeicher - Google Patents

Description

65

Die Erfindung bezieht sich auf einen Matrixspeicher mit einzeln anrufbaren bistabilen Speicherelementen, mit in Gruppen orthogonal zueinander verlaufenden Auswahl-Treibleitern und mit weiteren Leitern, die zu den Auswahl-Treibleitern in einer Gruppe teilweise parallel verlaufen und zu einer Leseleiter-Anordnung verknüpft sind, die in bezug auf die Auswahl-Treibleiter, je einer gleichen Anzahl Speicherelemente gegensinnig' zugeordnet ist, wobei in jeder Zeile ein Leseleiter-mit dem Treibleiter der glechen Zeile nur über die halbe Zeilenlänge gleichsinnig verläuft.

Bei Magnetkern- oder anderen Matrixspeichern sind bereits zahlreiche Verdrahtungsmuster für die zum Betrieb der Matrix notwendigen Treib- und Leseleiter bekannt. Diese Verdrahtungsmuster bilden im allgemeinen eine orthogonale Matrix mit X- und y-Treibleitern und einem Leseleiter, der schachbrettartig durch die Matrix oder über den Bereich zweier Zeilen oder Spalten in Form einer einseitig offenen 8 geführt und den einzelnen Speicherelementen zugeordnet ist, um Halbauswahl-Störsignale zu kompensieren. Derartige Halbauswahl-Störsignale sind das Resultat von kleinen Zustandsänderungen in den Speicherelementen, beispielsweise Magnetkernen, einer Matrix, welche einem X- oder einem Y-Leiter zugeordnet sind, der zur Auswahl eines am Kreuzungspunkt mit einem bestimmten Y- oder Z-Leiter befindlichen Kernes erregt wird. Die Auswahl geschieht durch koinzidente Halbströme in den sich kreuzenden Leitern. Alle übrigen nicht am Kreuzungspunkt befindlichen Speicherelemente eines erregten Leiters werden somit nur zur Hälfte ausgewählt, wodurch sich kleine Störsignale im zugeordneten Leseleiter ergeben. Durch die relativ große Anzahl Kerne in einer Matrix ist es möglich, daß sich die durch eine Halbauswahl erzeugten Störsignale im Leseleiter summieren und das resultierende Störsignal größer ist als das Nutzsignal des ausgewählten Kernes. Zur Vermeidung dieses Nachteiles ist es bereits bekannt, die Kerne einer Matrix in zwei Gruppen zu unterteilen, indem der Leseleiter schachbrettartig durch die Matrix geführt ist oder über den Bereich von zwei Zeilen oder Spalten die Form einer einseitig offenen 8 bildet. Die Polarität der Halbauswahl-Signale der ersten Gruppe ist entgegengesetzt zu der Polarität der entsprechenden Signale der zweiten Gruppe. Da die Zahl der Kerne in jeder Gruppe gleich ist, haben die entgegengesetzt polarisierten Signale die gleiche Amplitude und löschen sich daher gegenseitig aus.

Zur Herstellung derartig ausgebildeter Magnetkern-Speichermatrizen wurden Methoden zur maschinellen Durchfädelung der X- und Y-Treibleiter durch die Speicherkerne entwickelt. So ist es z. B. bekannt, eine Matrixebene in zwei Hälften zu teilen und jede Hälfte separat jeweils so zu verdrahten, daß sich eine störsignalkompensierte Leitungsführung ergibt, wenn die Leseleitungen beider Hälften an einen gemeinsamen Leseverstärker angeschlossen werden (Electronis, Februar 1956, S. 158 bis 161). Bei einer solchen Anordnung kann die Fädelung insofern geradlinig verlaufen, als die Leseleitungen einer jeden Hälfte jeweils parallel zu den AT-Treibleitungen gefürht sind, und zwar in der Form, daß in zwei parallelen, nebeneinanderliegenden Zeilen der Lesedraht entgegengesetzten Richtungssinn aufweist. Diese Verdrahtungsstruktur hat den Nachteil, daß die Leseleitungen nicht in einem Zug durch die Kerne einer ganzen Matrixzeile gefädelt werden können, weil in

der Mitte der Matrixebene Umkehrschleifen gebildet werden müssen, was einen hohen Zeitaufwand bei der maschinellen Fädelung bereitet.

Die beiden Hälften der Matrixebene können aber auch getrennt als je eine Teilmatrix gefädelt und erst danach zusammengeschaltet werden. Man spricht in diesem Falle von einer Faltung der Matrixebene. Durch jede der beiden Teilmatrizen bzw. Halbmatrizen wird die Leseleitung so gefädelt, daß sie einerseits in den einander gleichgeordneten Zeilen beider Teilmatrizen gegenüber der Zeilen-Treibleitung den entgegengesetzten Rchtungssinn aufweist und andererseits innerhalb einer jeden Teilmatrix eine jede Spaltenlekung an der einen Hälfte der Kreuzungsstellen in der einen Richtung und an der anderen Hälfte der Kreuzungsstellen in der anderen Richtung schneidet. Die beiden Leseleitungen sind dabei an eine geeignete Leseschaltung parallel angeschlossen, die vorzugsweise als Differentialverstärker ausgebildet ist. In einer solchen Anordnung kompensieren sich sowohl die Halbauswahl-Störsignale als auch die durch den Leitungsverlauf hervorgerufenen induktiven und kapazitiven Störsignale. Des weiteren wird die Umkehrschleife der Leseleitung in der Mitte der Matrix vermieden. Bei gleicher Matrixgröße bzw. Speicherstellenzahl ist aber dennoch ein erhöhter Zeit- und Arbeitsaufwand für die Herstellung der beiden Teilmatrizen bzw. Halbmatrizen notwendig, da jede separat gefädelt werden muß. Außerdem erfordert die räumliche Unterbringung der zwei Teilmatrizen zusätzliche konstruktive Maßnahmen, die insbesondere deshalb ins Gewicht fallen, weil man im Interesse von kurzen Leiterlängen (Impulslaufzeit) an einem gedrängten Aufbau des Speichers interessiert ist.

Das letzte Verdrahtungsschema ist im Prinzip auch für die Führung der Leseleitungen durch die Matrixspalten bekannt (französische Patentschrift 1 248 127). Dort ist eine Speicheranordnung angegeben, bei der eine jede Matrixebene ebenfalls aus zwei Teilmatrizen besteht, die wegen ihrer geradlinigen Leiterführung eine maschinelle Fädelung gestatten. Je nach Ausführungsform werden dabei zwei an die gemeinsame Leseschaltung angeschlossene, zueinander parallelgeschaltete Spalten-Leseleitungen oder eine einzelne, nacheinander durch beide Teilmatrizen geführte Spaltenieseleitung verwendet. Für den Richtungssinn der verschiedenen Leiter relativ zueinander gelten die gleichen Überlegungen, wie sie oben für die in Zeilenrichtung gefaltete Matrix erläutert wurden. Die dort genannten Nachteile des erhöhten zeitlichen Aufwandes bei der Speicherverdrahtung und der zusätzlichen Maßnahmen für die räumliche Anordnung beider Halbmatrizen treffen auch für diese Speicheranordnung zu.

Eine andere bekannte Methode dieser Art sieht vor, daß die Kerne erne Matrixebene in zwei Rahmen gehalten werden (deutsche Patentschrift 1024270). Jeder Rahmen trägt eine halbe Kernebene. Vor Beginn der Einfädelung der Leseleitungen werden die beiden Rahmen um eine Zeile gegeneinander verschoben. Daraufhin wird die Leseleitung zickzackförmig durch die Zeilen gefädelt, wobei jeweils eine Zeile übersprungen wird, so daß die Leseleitung durch alle ungeradzahligen Zeilen des einen Rahmens und durch alle geradzahligen Zeilen des anderen Rahmens führt. Nach dieser Operation werden die beiden Rahmen in Gegenrichtung um zwei Zeilen zurückverschoben, dann wird die Leseleitung rückläufig wiederum zickzackförmig durch die vorher übersprungenen Zeilen gefädelt. Vor dem Einfädeln der Zeilentreibleitungen werden die beiden Rahmen in die Normalstellung gebracht, d. h. um eine Zeile in der ersten Richtung verschoben^ so daß alle ungeradzahligen und alle geradzahligen Zeilen jeweils gemeinsame Matrixzeilen bilden. Diese Me₇ thode ermöglicht eine geradlinige und damit maschinell ausführbare Fädelung der sich in Zeilenmitte in Form einer 8 überkreuzenden Leseleitungen. Nachteilig bei dieser Anordnung ist jedoch, daß die eingefädelten Leseleitungen zweimal gegeneinander verschoben werden müssen, wobei sich die Leseleitungen vor der zweiten Verschiebung bereits überkreuzen. Es kann so durch Reibungen der Leitung aneinander oder an den Kernen sehr leicht die Leitungsisolation beschädigt werden* Außerdem ergeben sich ungleiche Leiterlängen im Überkreuzungsbereich, da die für die Zeilenversetzung um zwei Zeilen benötigte Leiterlänge bei der Rückversetzung um eine Zeile teilweise wieder überflüssig wird. Hierdurch kann eine Schleifenbildung entstehen, die unkontrollierte und nicht kompensierte induktive oder kapazitive Störimpulse zur Folge haben kann.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Matrixspeicher anzugeben, der bei Vermeidung der genannten Nachteile ein Verdrahtungsschema aufweist, das die Herstellung einer einheitlichen (ungefalteten) Matrixebene durch geradlinige und damit über die gesamte Matrixzeilen- bzw. Matrixspaltenlänge maschinell ausführbare Fädelung gestattet, wobei der Leitungsverlauf der einheitlichen Matrix in sich störsignalkompensiert ist. Gemäß der Erfindung wird dies bei einem Speicher der eingangs genannten Art dadurch erreicht, daß alle Leiter einer der beiden Gruppen, deren Leiter von Gruppe zu Gruppe parallel zueinander verlaufen, in Zeilenmitte in der gleichen Richtung um eine bestimmte Zeilenzahl gegenüber den über die ganze Zeile geradlinig verlaufenden Leitern der anderen Gruppe versetzt sind.

Diese Anordnung vermeidet bei der Herstellung die Notwendigkeit einer zweimaligen Verschiebung der beiden Matrixhälften gegeneinander. Insbesondere ist keine Verschiebung der Matrixhälften mit bereits gefädelten, sich kreuzenden Leitungen notwendig, da die Mittenversetzung in nur einer Richtung vorgenommen wird. Hierdurch ergeben sich auch geordnete Verhältnisse für die Leiterlagen im Bereich der Mittenversetzung. Außerdem wird ein kreuzungsfreier Verlauf der Leseleitungen innerhalb der Matrix erzielt. Letzteres ist insbesondere bei Matrixspeichern von Bedeutung, die mit streifenförmigen Treibleitern ausgestattet sind, wie beispielsweise magnetische Dünnschicht-Speicher.

Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind aus den Ansprüchen ersichtlich. Nachfolgend sind an Hand von Zeichnungen zwei Ausführungsbeispiele der Erfindung beschrieben. Es zeigt

F i g. 1 eine vereinfachte Darstellung einer erfindungsgemäß ausgebildeten Kernspeicherebene,

F i g. 2 die Matrix nach F i g. 1 vor der Einfädelung der Leseleiter,

F i g. 3 den Verlauf einer Sperr-Leseleiteranordnung für ein Verdrahtungsmuster nach F i g. 2 und

F i g. 4 ein Verdrahtungsmuster einer weiteren Ausführungsform des erfindungsgemäßen Matrixspeichers.

Allgemeines

Die dargestellten Ausführungsbeispiele betreffen Magnetkern-Speichermatrizen mit einem Verdrahtungsmuster, das die Verwendung geradlinig verlaufender Leseleiter gestattet und dabei eine Störsignalkompensation für die durch eine Halbauswahl in den einzelnen Kernen verursachten Störsignale ermöglicht. Eine Anzahl von Magnetkernen 1 ist an Schnittpunkten von X-Leitungen2a bis 2d und Y-Leitungen3a bis 3d angeordnet. Zusätzliche X-Leitungen 5 a bis 5 d sind lediglich zur Andeutung der Ausweitungsmöglichkeit der Matrix eingezeichnet. Die X-Leitungen verlaufen nicht gerade geradlinig über die ganze Länge der Zeilen, sondern sind in Zeilenmitte um zwei Zeilen versetzt. Diese Versetzung von zwei Zeilen gestattet eine geradlinige Durchf ädelung der Leseleiter 4 c bis 4 h durch die Kerne. Die Verbindung der Leseleiter 4 a bis 4/ durch Verbindungsstücke 6 a bis 61 ergibt durch Serienschaltung eine allen Kernen gemeinsame Leseleitung, die zwei gleichen Gruppen von Kernen in bezug auf die X-Leitungen entgegengesetzt zugeordnet ist. Von den sechzehn dargestellten Kernen ist durch eine erste Gruppe von acht Kernen eine erste Leseleitung und durch eine zweite Gruppe von acht Kernen eine zweite Leseleitung gefädelt. Die vier Kerne, durch die ein gegebener X- oder ein gegebener Y-Leiter führt, sind in zwei Gruppen von je zwei Kernen aufgeteilt, die die beiden Leseleiter in einer solchen Weise beeinflussen, daß eine Kompensation der Halbauswahl-Lesesignale durch einen Differentialverstärker, an den beide Leseleiter angeschlossen sind, ermöglicht wird. Jeder Zeilenleiter, der mit X-Leitern bezeichnet werden kann, ist um eine konstante Anzahl von Zeilen K versetzt. Jeder Leseleiter führt daher durch die erste Gruppe bzw. die Hälfte der Kerne des X-Leiters η und die zweite Gruppe bzw. die Hälfte der Kerne des X-Leiters (n + K).

Ausführungsbeispiel 1

Unter Bezugnahme auf Fig. 1 wird angenommen, daß der X-Leiter2d und der Y-Leiter 3 ft mit HaIbaiuswahl-Strömen beliefert werden, um den Kern la auszuwählen. Der Kern la, der in Fig. 1 schwarz ausgezeichnet ist, liefert daraufhin ein Ausgangssignal. Sechs weitere Kerne werden bei diesem Auswahlvorgang zur Hälfte ausgewählt und liefern daher Halbauswahl-Störsignale. Die Kerne Ib bis Id werden gleichzeitig durch den Y-Halbauswahlstrom halberregt, und ebenso werden die Kerne Ie bis Ig gleichzeitig durch den X-Halbauswahlstrom halberregt. Diese Kerne sind in F i g. 1 schraffiert dargestellt.

Die Halbauswahl-Störsignale von den Kernen Ib und 1 e erscheinen am Anschlußpunkt 7. Die Halbauswahl-Störsignale von den Kernen lc, ld, I/ und Ig erscheinen am Anschlußpunkt 8. Das Vollauswahl-Signal vom Kern la tritt am Anschlußpunkt? auf.

Diese Operation verwendet gestaffelte Leseimpulse, d. h., der X-Leseimpuls eilt gegenüber dem Y-Leseimpuls um ein Zeitintervall voraus, das ausreicht, um die X-Halbauswahl-Störsignale und die durch die Treibimpulse kapazitiv eingekoppelten Störsignale abklingen zu lassen. Beim Anstieg des X-Lese-Treibimpulses erzeugen die Kerne Ie und la ein Halbauswahl-Störsignal am Anschlußpunkt 7, und die Kerne 1/ und Ig erzeugen ein Halbauswahl-Störsignal am Anschlußpunkt 8. Diese Störsignale werden über einen mit den Anschlußpunkten 7 und 8 in Verbindung stehenden Differentialverstärker ausgeglichen. Werden den Zeilen weitere Kerne hinzugefügt, so sind diese wie die Kerne Ie und Ig gepaart, so daß keine Änderung des Ausgleichszustandes eintritt. Der X-Lese-Treibimpuls verursacht durch kapazitive Kopplung vorübergehende Störhnpulse

ίο gleicher Amplitude an den Anschlußpunkten 7 und 8, da die erste Hälfte des X-Leiters 2 d parallel und unmittelbar benachbart mit der ersten Hälfte des Leseleiters 4/ verläuft, der mit dem Anschlußpunkt 7 verbunden ist, und die zweite Hälfte des X-Leiters Id parallel und unmittelbar benachbart mit der zweiten Hälfte des Leseleiters 4 h verläuft, der mit dem Anschlußpunkt 8 verbunden ist.

Der Y-Lese-Treibimpuls erzeugt infolge seines orthogonalen Verlaufes zum Leseleiter einen relativ

ao kleinen, kapazitiv gekoppelten Übergang; diese kleinen Kopplungen führen jedoch ebenfalls zu ausgeglichenen Signalen an den Anschlußpunkten 7 und 8, da die Anzahl der Kreuzungspunkte zwischen einem Y-Leiter und einem jeden der beiden mit den Anschlußpunkten 7 und 8 verbundenen Leseleiter zumindest annähernd gleich ist.

Der Y-Lese-Treibimpuls auf Leitung 3 & zusammen mit dem X-Lese-Treibimpuls auf Leitung 2 d erzeugen magnetische Felder, die sich im Kern la addieren. Dieser Kern wird daher voll ausgewählt und liefert am Anschlußpunkt 7 ein Ausgangssignal, das die gewünschte Information darstellt.

Die Halbauswahl-Störsignale von den Kernen Ic und Id erscheinen am Anschlußpunkt 8 zum Zeitpunkt des Anstieges des Y-Lese-Treibimpulses. Ein Halbauswahl-Störsignal vom Kernlö erscheint zu gleicher Zeit am Anschlußpunkt 7. In einem praktisch ausgeführten Speicher wurden einer Y-Leitung wesentlich mehr Kerne zugeordnet sein; die HaIbauswahl-Störsignale würden jedoch ebenso wie bei den Kernen 1 ft und Id ausgeglichen sein. Die maximale Ungleichheit der Y-Halbäuswahl-Störsignale am Eingang des Differentialverstärkers kann jeweils nur das Halbauswahl-Störsignal eines einzigen Kernes sein, und dieses Störsignal steht einem Vollauswahl-Signal, beispielsweise dem vom Kern la, entgegen. Wenn der Kern la eine binäre »0» enthält und daher ebenfalls nur ein Halbauswahl-Störsignal liefert, ist die Ungleichheit null.

Die F i g. 1 zeigt eine fertige Matrix mit drei Leitergruppen für die Matrixkoordinaten X und Y sowie den Leseleiter. Diese Leiter sind mit 2, 3 und 4 bezeichnet. Die Leseleitung kann in einem bit-organisierten oder in einem dreidimensionalen Matrixspeieher auch als Inhibit-Leitung dienen, wenn dies gewünscht wird.

Die F i g. 2 zeigt nur die X-Leitungen 2 und die Y-Leitungen 3 mit den Kernen 1. Zusätzliche X-Leitungen 5 α bis 5 d, die nicht mit Kernen versehen sind, zeigen die Erweiterungsmöglichkeit der Anordnung. Der Hauptvorteil der erfindungsgemäßen Ausbildung besteht darin, daß sie eine vollständige Mechanisierung der Matrixverdrahtung gestattet. Eine Kerndurchfädelmaschine führt mechanisch die X- und Y-Leiter durch die Kerne. Daraufhin können die X- und Y-Leiter nach ihren Kernen im z. B. rechten Teil der Matrix, d. h. ab Zeilenmitte, um K Zeilen versetzt werden. Die Zahl K kann dabei

positiv oder negativ sein, je nachdem, ob die Verschiebung nach oben oder unten erfolgt. Ist dies geschehen, so kann mit dem Einfädeln der geradlinig und parallel zu den X-Leitungen verlaufenden Leseleitungen begonnen werden. Nach diesem Einfädelungsvorgang erstreckt sich jede Leseleitung geradlinig durch eine Gruppe von Kernen, durch die auch die erste Hälfte der X-Leitung η führt, sowie durch eine weitere Gruppe von Kernen, durch welche die zweite Hälfte der X-Leitung (n + K) gefädelt ist. Es ist daraus ersichtlich, daß sowohl die X- und Y-Lel·· ter als auch die Leseleiter maschinell durch die Kerne gefädelt werden können.

In einem in der Praxis ausgeführten Speicher wird die Anzahl der Kerne wesentlich höher sein. Beispielsweise kann die Matrix einen Umfang von 64 · 64 Stellen einnehmen. Trotz dieser Größenänderungen bleiben jedoch die vorausgehend erläuterten Verhältnisse für die Matrixverdrahtiung und die Störsignalkompensation erhalten.

Die F i g. 3 zeigt lediglich die Leseleitungen in Verbindung mit den Y-Leitern. Verbindungsstücke 6 dienen dazu, einzelne Leseleiterteile in den Zeilen miteinander in Serie zu schalten. Wenn es gewünscht wird, können die Anschlußpunkte 9 und 10 eine gemeinsame Verbindung zu Erdpotential erhalten, wie dies beispielsweise die Fig. 1 zeigt. Die Leseleiteranordnung ist in bezug auf die von den X-HaIbströmen ausgelösten Halbauswahl-Störsignale sowie in bezug auf die von den Y-Halbströmen hervorgerufenen Halbauswahl-Störsignale ausgeglichen.

Ausführungsbeispiel 2

Die F i g. 4 zeigt ein zweites Ausführungsbeispiel einer Magnetkernmatrix, in der die X- und Y-Leitungen geradlinig verlaufen und die Inhibit-Leseleiter aus zwei Teilen bestehen, die gegeneinander versetzt sind. Diese Versetzung kann in Zeilenmitte liegen.

Zur Erreichung einer Störsignalkompensation wird ein jeder von zwei Inhibit-Leseleitern schleifenförmig durch benachbarte Zeilen geführt, um einen Abgleich mit den X-Leitern herzustellen. Jeder Inhibit-Leseleiter führt durch eine gleiche Anzahl von Kerngruppen.

Die ΑΓ-Leiter verlaufen zwar geradlinig; sie sind jedoch in bezug auf die Inhibit-Leseleiter um K Zeilen versetzt. Wenn jede Zeile mit Bezug auf den zugehörigen Z-Leiter definiert ist, durchsetzt jeder Inhibit-Leseleiter alle Kerne einer ersten Kerngruppe (linke Hälfte), durch den der Z-Leiter η gefädelt ist, und alle Kerne einer zweiten Kerngruppe (rechte Hälfte), durch die der Z-Leiter (n + K) gefädelt ist.

Werden die Matrixleitungen von Hand durch die Kerne gefädelt, so kann der Leseleiter ohne Unterbrechung am Matrixrand in der benachbarten Zeile zurückgeführt werden. Die Anordnung nach F i g. 4 läßt sich jedoch abenfalls durch die in Verbindung mit den F i g. 1 und 2 beschriebene Technik herstellen, indem zuerst alle Y-Leiter und alle Leseleiter geradlinig durch die Matrixspalten und -zeilen gefädelt werden, worauf die gewünschte Zeilenversetzung in Zeilenmitte vorgenommen wird und dann die Z-Leiter geradlinig durch die sich ergebenden neuen Matrixzeilen geführt werden. Zur Herstellung der beiden gemeinsamen Leseleiter werden die Enden der einzelnen Leseleiterteile in der gewünschten Form durch Verbindungsstücke, beispielsweise gedruckte Schaltungsteile, miteinander verbunden.

In der Anordnung nach Fig. 4 werden durch derartige Verbindungsstücke zwei sich gegenseitig ausgleichende Inhibit-Leseleitungen hergestellt. Die Orientierung der X- und Y-Leiter wechselt von Zeile zu Zeile. Die Richtung der Inhibit-Leseleitung wechselt dementsprechend ebenfalls von Zeile zu Zeile. Um eine geeignete Störsignalkompensation ohne störende Beeinflussung der Inhibit-Funktion zu erreichen, muß eine feste Beziehung zwischen den Z-Leitern und den Inhibit-Abfühlleitern aufrechterhalten werden. In Übereinstimmung hierzu werden die aufeinanderfolgenden Inhibit-Leseleiterteile auf einer Seite der Matrix paarweise verbunden, während bei ihrer paarweisen Verbindung auf der anderen Matrixseite jeweils ein Zeilenpaar übersprungen wird.

In den vorausgehend dargestellten Ausführungsbeispielen sind die X-Leitungen in bezug auf die Leseleiterteile in Zeilenmitte um zwei Zeilen versetzt. Es kann jedoch auch eine Ausführung gewählt werden, bei der die Zeilenversetzung nicht genau in Zeilenmitte, sondern an einem anderen Punkt der Zeile liegt. Andererseits kann die Versetzung auch um eine andere Zeilenzahl vorgenommen werden, solange durch diese Versetzung die zu durchfädelnden Kerne in Gruppen geteilt werden, die unter sich im wesentlichen gleiche Halbstrom-Signalcharakteristiken aufweisen.

Die Kerngruppen müssen so. gepaart werden, daß eine Gruppe mit dem einen Eingang des Differentialverstärkers gekoppelt werden kann, während die andere Gruppe mit dem zweiten Eingang des Differentialverstärkers gekoppelt ist, wobei beide Gruppen im wesentlichen gleiche Kernzahlen in bezug auf die Leiter, die eine Halbauswahl bewirken, aufweisen müssen.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

209 549/464

Claims (6)

Patentansprüche:

1. Matrixspeicher mit einzeln anrufbaren bistabilen Speicherelementen, mit in Gruppen orthogonal zueinander verlaufenden Auswahl-Treibleitern und mit weiteren Leitern, die zu den Auswahl-Treibleitern in einer Gruppe teilweise parallel verlaufen und zu einer Leseleiter-Anordnung verknüpft sind, die in bezug auf die Auswahl-Treibleiter je einer gleichen Anzahl Speicherelemente gegensinnig zugeordnet ist, wobei in jeder Zeile ein Leseleiter mit dem Treibleiter der gleichen Zeile nur über die halbe Zeilenlänge gleichsinnig verläuft, dadurch gekennzeichnet, daß alle Leiter (2, 5) einer der beiden Gruppen, deren Leiter von Gruppe zu Gruppe der gleichen Richtung um eine bestimmte Zeilenparallel zueinander verlaufen, in Zeilenmitte in der gleichen Richtung um eine bestimmte Zeilenzahl gegenüber den über die ganze Zeile geradlinig verlaufenden Leitern (4) der anderen Gruppe versetzt sind.

2. Speicher nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Auswahl-Treibleiter (2, 5) die Zeilenversetzung aufweisen.

3. Speicher nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Leiter der weiteren Treibleitergruppe (4) auf einer Seite der Matrix von Leiter zu Leiter und auf der anderen Matrixseite jeweils unter Auslassung eines Leiterpaares paarweise miteinander verknüpft sind, daß ein Leiterpaar einem ersten von zwei an einen gemeinsamen Leseverstärker angeschlossenen Leseleitern und das benachbarte Leiterpaar dem zweiten dieser Leseleiter angehört und daß die zu den Leseleitern parallel verlaufenden Auswahl-Treibleiter (2, 5) in Zeilenmitte um je zwei Zeilen versetzt sind.

4. Speicher nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Leseleiter die Zeilenversetzung aufweisen.

5. Speicher nach Anspruch 1 und 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Leiter der weiteren Treibleitergruppe auf einer Seite der Matrix von Leiter zu Leiter und auf der anderen Seite der Matrix jeweils unter Auslassung eines Leiterpaares paarweise miteinander verknüpft sind, daß ein Leiterpaar mit jedem zweiten der folgenden Leiterpaare zu einem ersten Leseleiter in Serie geschaltet ist und die zwischen diesen Leiterpaaren befindlichen Leiterpaare in Seriehschaltung einen zweiten Leseleiter bilden und daß die Leseleiter gegenüber den in der gleichen Richtung verlaufenden Auswahl-Treibleitern in Zeilenmitte um je zwei Zeilen versetzt sind.

6. Speicher nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß zur paarweisen Verknüpfung der Leiter der weiteren Leitergruppe an den beiden Matrixseiten separate Verbindungsstücke (6) dienen, die nachträglich mit den Leitern verknüpfbar sind.