DE1902734C3 - Magnetdrahtspeicher - Google Patents

Description

_:,_{ eines Drahtes mit einer darauf angebrachten zunehmen. niagnetisierbaren Schicht sowie ein Blindelement
la Form eines nicht uiagnetisierbaren Drahtes

aufweist, wobei ferner ein Aktivdrahtselektor 15

% vorgesehen ist, um ein eintreffendes Speicheradreß-

J wort zu dekodieren, so daß nur eines der genannten

Speicherelemente ausgewählt wird, and außerdem Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf sin

ί em BHnddrabtselektor vorgesehen ist, der für den elektrisch änderbares Speichersystem, welches als Schreibzyklus immer das Blindelement in jenem 20 Speicherelemente elektrische Leiter verwendet, die

Teil wählt, in welchem sich der gewählte aktive mit einer dünnen ferromagnetischen Filmschicht plat-

Speicherelement-Draht nicht befindet, dadurch tieit sind. Solche Speichersysteme haben den Vorteil,

gekennzeichnet, daß der Blinddrahtselek- daß sie einen hohen volumetrischen Wirkungsgrad

tor (10 in F ig. 2) zum Vergleich des eintreffenden besitzen, d.h. sehr viele Binärziffern oder Bits pro

Speicheradreßwortes mit einem vorangegangenen as Volumeinheit aufnehmen können. Es wird in dieser

Speicheradreßwort ausgebildet ist, um dadurch Hinsicht auf die Publikation »A 500 Nanosecond Main

Vergleichssignale zu erzeugen und während den Compatet Memory Utilizing Plated-Wire Elements«,

Lesezyklen dasselbe Blindelement (Z)I, Dl) aus- AFIPS, Conference Proceedings, Bd. 29, 1966, FJCC,

zuwählen, das beim unmittelbar vorangegangenen S. 305 bis 314, verwiesen.

Lese- oder Schreibzyklus verwendet wurde, wenn 30 Magnetdrahtspeicheranlagen, welche von der Madie genannten Adreßwörter die gleichen sind, und gnetisierung von Flächen längs einem leitenden Draht, das andere Blindelement (Di, Dl) auszuwählen, der mit einer dünnen ferromagnetischen Filmschicht wenn die genannten Adreßwörter verschieden sind. plattiert ist, Gebrauch machen, können in den bekann-

2. Magnetdrahtspeicher nach Anspruch 1, da- ten wortorganisierten oder bitorganisierten Speicherdurch gekennzeichnet, daß zur Auswahl des 35 anlagen Verwendung finden. Der hohe volumetrische Blindelementes (Dl, Dl) das höchste Bit des Wirkungsgrad, welcher mit solchen Speicheranlagen eintreffenden SpeicheradreCwortes dem Blinddraht- erreicht wird, hat notwendigerweise zur Folge, daß selektor zugeführt wird. die verschiedenen Flächen der Magnetisierung, von

3. Magnetdrahtspeicher nach Anspruch 1, da- denen jede diskrete Bits von digitalen Daten darstellt, durch gekennzeichnet, daß der Blinddrahtselektor 40 und die dazugehörigen Schaltkreise sich nahe beiein Register (52) enthält, welches das vorange- einander befinden, wodurch Störsignale erzeugt werden, gangene Speicheradreßwort speichert, und einen welche jenen ähnlich sind, die in den bekannten Vergleicher (54), welcher das eintreffende Speicher- Anordnungen mit Ferrit-Toroidkernen auftreten. Bei adreßwort mit dem vorangegangenen Speicher- plattierten Bitdrähten, welche normalerweise in einer adreßwort vergleicht und die Vergleichssignale 45 Fläche angeordnet und mit einer Anzahl rechtwinklig erzeugt. dazu verlaufenden Wortdrähten umwickelt sind,

4. Magnetdrahtspeicher nach Anspruch 3, da- entsteht die normale kapazitive und induktive Koppdurch gekennzeichnet, daß der Blinddrahtselektor lung zwischen den benachbarten Bitdrähten und eine kombinierende logische Schaltung (56) ent- Wortdrähten, wodurch die Speicherauswahlströme hält, wodurch die Vergleichssignale nur während 50 Störsignale in die ausgewählten Bitdrähte induzieren den Speicherlesezyklen übermittelt werden. können, welche eine solche Größe aufweisen, daß sie

5. Magnetdrahtspeicher nach Anspruch 1, 3 die digitale Bedeutung des ausgelesenen Signals oder 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Blind- praktisch blockieren können. Es wird in dieser Hindrahtselektor einen Ausgangssignalgenerator (58) sieht auf die Literaturstelle »Crosstalk and Reflections entölt, welcher Signale erzeugt, um das eine oder 55 In High Speed Digital Systems«, AFIPS, Conference das andere der Blindeiemente in Abhängigkeit der Proceedings, Bd. 27, Teil 1,1965, FJCC, S. 511 bis 525, Vergleichssignale und des vorher bestehenden hingewiesen. Es sind bereits verschiedene Methoden Zustandes des Ausgangssignalgenerators auszu- zur Ausschaltung solcher schädlicher Störsignale in wählen, Magnetdraht-Speicheranlagen vorgeschlagen worden.

6. Magnetdrahtspeicher nach Anspruch 5, da- 60 Eine bekannte Methode besteht in der Verwendung durch gekennzeichnet, daß der Ausgangssignal- eines Blinddrahtes. In Anordnungen mit toroidgenerator ein Flip-Flop enthält, der erste und förmigen Ferritkernen bestehen solche Blindleitungen zweite Ausgangsklemmen und entsprechende erste normalerweise aus einem Leiter, der parallel zur und zweite Eingangsklemmen aufweist, wobei ein betreffenden Leseleitung verläuft, so daß die Blindkombinierendes logisches Netzwerk (88, 89) vorge- 65 leitung und die Leseleitung durch praktisch dieselben sehen ist, um ein Eingangssignal zur ersten Ein- Störsignale beeinflußt werden, wobei in diese Leitungen gangsklemme zu liefern, wenn ein Vergleichs- ähnliche Störsignale induziert werden. Die Blindsignal zusammen mit einem Ausgangssignal von der leitung und die aktive Leseleitung sind an einen

Pifferenzier-Leseverstärker gekoppelt, in welchem die gemeinsamen Störsignale aufgehoben werden, so daß ta seinem Ausgang lediglich das gewünschte Lesesjgnal übrigbleibt. In Magnetdrahtspeicher-Anordnsngen besteht die Blindleitung normale} weise aus flBter Bitleitung in Form eines nicht m \gfletisierbaren Dichtes, der gleichartig ist wie die anderen aktiven plattierten Drähte und welcher parallel mit einer Anzahl von Bitleitungen an geeignete Torschaltungin gekoppelt ist Die Bündleitung und die dazugehörige Anzahl von aktiven Bitleitungen and nahe beieinander angeordnet, wobei erwartet wird, daß die Störsignale, welche in die Blindleitung induziert werden, gleich sind wie jene Störsjgnale, die in jeder der dazugehörigen aktiven Bitleitungen induziert werden, wobei der zugeordnete Differenzierverstärker ein Signal erzeugt, das praktisch dem erwarteten Lesesisna! entspricht.

Da die Störsignale in der Regel durch die kapazitive νου induktive Kopplung bewirkt werden, können groCe Schleifenflächen, weiche durch relativ weit voneinander entfernte Blinddraht-Bitdrahtpaare definiert werden, unerwünscht groCe Störsignale von verschiedenen Stärken erzeugen, wobei der Differenzier-Leseverstärker nicht in der Lage ist, alle schädlichen Störsignale zu beseitigen. Es wäre daher wünschenswert, wenn jede Bitleitung ihre eigene Blindleitung besäße, wobei das physikalische Verhältnis zwischen denselben über die gesamte zweidimensionale Magnetdrahtspeicher-Anordnung dasselbe wäre. Es ist jedoch ersichtlich, daß diese Anordnung den volumetrischen Wirkungsgrad, d. h. die Speicherkapazität, um die Hälfte verringern würde und daher eine Erhöhung der Kosten pro Bit einer solchen Speicheranlage zur Folge hätte.

In der französischen Patentschrift 1 506 617 ist ein Magnetdrahtspeicher offenbart, der aus zwei Teilen besteht, wobei jeder Teil eine Anzahl von aktiven Drähten und einen dazugehörigen Blinddraht zur Aufhebung der Störsignale besitzt. Es wird dort eine Auswahleinrichtung für den aktiven Draht und den Blinddraht vorgesehen, wobei während eines LesezyMus der gewählte Blinddraht der Blinddraht ist, we; ier sich im Teil der Speicheranlage befindet, der nicht den ausgewählten aktiven Draht enthält. Eine solche Anordnung bewirkt die Kopplung sowohl der gewählten und dei nicht gewählten Störsignale an den Differenzierverstärker, wobei ein besseres Verhältnis zwischen Signal und Störsignal erzielt wird, als dies bei bekannten Anlagen der Fall war.

Bei einer wirksamen Speicherebenen-Packungsanordnung können die Magnetdrahtspeiuieranordnungen sehr kompakt angeordnet werden. Es kann deshalb z. B. eine Anzahl von aktiven Drähten und Blinddrähten in parallelen flachen Tunnels angeordnet sein, welche mit entsprechenden Isolationsschichten zwischen einer umschließenden Grundfläche zur elektromagnetischen Abschirmung angeordnet sein können. Die aktiven Drähte und die Blinddrähte sind an einem Ende räumlich längs einer Grundfläche, welche mit der umschließenden Grundfläche elektrisch kontinuierlich sein kann, an Erde angeschlossen. Bei einer solchen Anordnung umfaßt der Schreibzyklus die Kopplung eines Schreibstromes an einen aktiven Draht und an einen entsprechenden Blinddraht, wobei der Schreibstrom von der Grundfläche, welche als Stromableiter dient, absorbiert wird. Eine Prüfung solcher Anordnung ergibt jedoch, daß solche Schreibströme Wirbelströme auf der Fläche der Grundplatte erzeugen welche in der Nähe des Drahtes ist, der den Strom zur Grandplatte kuppelt Infolgedessen erholt sich der stromführende Draht, d, h. der gewählte aktive Draht und der Blinddraht, nicht vom Schreibstrom, d.h., die vom Schreibstrom induzierten Signale klingen während einer Periode von mehr als einer Mikrosekunde nicht auf eine vernachlässigbare Stärke ab. Da in solchen Speicheranlagen die Zykluszeit weniger als 1 Mikrosekunde beträgt und colche Anlagen

ι» Differenzierverstärker verwenden, um die Störsignale aufzuheben, ist es notwendig, daß der gewählte aktive Draht und der gewählte Blinddraht ungefähr mit der gleichen Erholungsgeschwindigkeit arbeiten, wobei die abklingenden Störsignale in diesen Drähten von der

x5 gleichen Stärke sind. Infolgedessen ist es wünschenswert, daß eine Einrichtung geschaffen wird, durch welche der gewählte aktive Draht und der gewählte Blinddraht sich im gleichen Erholungszustand befinden, so daß von den störsignalaufhebenden Eigenschaften

ao des zugeordneten Differenzier-Leseverstärkers optimaler Gebrauch gemacht wird.

Die Erfindung betrifft einen Magnetdrahtspeicher, in welchem Störsignale während den Ablesezyklen mittels eines Differenzier-Verstärkers, welcher ein

as erstes Signal von einem ausgewählten Speicherelement und ein zweites Signal von einem ausgewählten Blindclement erhält, verkleinert werden, wobei der Speicher einen ersten und einen zweiten Teil enthält, von welchen jeder eine Anzahl von Speicherelementen in der Form eines Drahtes mit einer darauf angebrachten magnetisierbaren Schicht sowie ein Blindelement in Form eines nicht magnetisierbaren Drahtes, aufweist, wobei fernei ein Aktivdrahtselektor vorgesehen ist, um ein eintreffendes Speicheradreßwort zu dekodieren, so daß nur eines der genannten Speicherelemente ausgewählt wird, und außerdem ein Blinddrahtselektor vorgesehen ist,der für den Schreibzyklus immer das Blindelement in jenem Teil wählt, in welchem sich der gewählte aktive Speicherelement-Draht nicht befindet. Der

Magnetdrahtspeicher nach der Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß der Blinddrahtselektor zum Vergleich des eintreffenden Speicheradreßwortes mit einem vorangegangenen Speicheradreßwort ausgebildet ist, um dadurch Vergleichssignale zu erzeugen und während den Lesezyklen dasselbe Blindelement auszuwählen, das beim unmittelbar vorangegangenen Lese- oder Schreibzyklus verwendet wurde, wenn die genannten Adreßwörter die gleichen sind, und das andere Blindelement auszuwählen, wenn die genannten Adreßwörter verschieden sind.

Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung wird nun beschrieben, wobei Bezug auf die Zeichnung genommen werden kann. Es zeigt
F i g. 1 ein Blockdiagramm einer bekannten Speichereinrichtung, auf welche die vorliegende Erfindung angewandt wird,

F i g. 2 ein Blockdiagramm des Blinddrahtselektors gemäß der vorliegenden Erfindung,
Fig. 3 a bis 3 d die bei der Ausführungsform von

F: g. 2 verwendeten logischer. Elemente und deren Funktionstafeln,

F i g. 4 das Zeitdiagramm für einen typischen

Schreibzyklus der Speichereinrichtung von F i g. 1,

F i g. 5 ein Zeitdiagramm für einen typischen Lesezyklus der Speichereinrichtung nach F i g. 1.

In F i g. 1 wird ein Blockdiagramm der bekannten Speicheranlage gezeigt. Die Speicheranordnung 18 enthält 16 aktive Drähte und zwei Blinddrähte. Die

aktiven Drähte Λ1 bis Α16 bilden zwei gleich große ziert Signale, welche während einer Zeitdauer, die Speicherteile, nämlich einen ersten Speicherteil mit größer ist als die Spsicherzyklusdauer, nicht auf eine den acht aktiven Drähten Al bis A% und dem züge- vernachlässigbare Größe absinken. Erfindungsgemlß ordneten Blinddraht öl und eine zweite Speicher- ist nun der Blinddrahtselektor 10 in der bekannten half te mit den acht aktiven Drähten A9 bis /416 und 5 Speicheranlage von F i g. 1 derart gestaltet, daß bei dem dazugehörigen Blinddraht D2. Die Auswahl einem Adressiervorgang der gewählte aktive Draht irgendeines der aktiven Drähte /il bis Λ16 und und der gewählte Blinddraht sich während des Leseirgendeinesder Bünddrähtei)l, Dl erfolgt durch die zyklus in demselben Erholungszustand befinden. Drahtauswahlschalter 20 bis 29. Da die aktiven In Fig. 2 wird ein Blockdiagramm eines Blind· Drähte Al bis A16 und die Blinddrähte Dl, D2 an io drahtselektors 10 dargestellt, welcher in einer Speichereinem Ende an eine Grundplatte 30 angeschlossen anlage gemäß F i g. 1 verwendet werden kann. Der sind, wird durch die Auswahl des entsprechenden Blinddrahtselektor 10 enthält ein Register 50 für die Drahtauswahlschalters 20 bis 29 der zugeordnete gegenwärtige Adresse, ein Register 52 für die vorherige aktive Draht oder Blinddraht ausgewählt. Adresse, einen Vergleicher 54, ein Lesesteuertor 56, Die Operation der Speicheivalage nach Fig. 1 15 ein Btinddrahtselektor-Flip-Flop58 und ein Umbeginnt mit einem Multibitwort (vier Bits beim dar- schalt-Flip-FIop 60. Die gegenwärtige Adresse wird gestellten Beispiel) welches die Adresse des gewünsch- in der Form eines Vier-Bit-Wortes parallel in das ten aktiven Speicherdrahtes Al bis A16 darstellt und Register 50 für die gegenwärtige Adresse eingeführt, an den Blinddrahtselektor 10 und Aktivdrahtselektor Dieses Register 50 kann einen Teil der angeschlossenen 14 beim Eingang 32 angelegt wird. Der Aktivdraht- ao zentralen Datenverarbeitungseinheit darsteilen. Die selektor 14 dekodiert das gegenwärtige Vier-Bit-Adreß- frühere Adresse, welche sich im Registster 52 befindet, wort und wählt eine der sechzehn Torleitungen, wird durch den Vergleicher 54 gleichzeitig mit der welche den Aktivdrahtselektor 14 an die Draht· gegenwärtigen Adresse verglichen. Wenn die gegenauswahlschalter 20, U, 23, 24, 25, 26, 28, 29 koppeln. wärtige Adresse nicht dieselbe ist wie die frühere Gleichzeitig wählt der Blinddrahtselektor 10 eine von 35 Adresse, so gibt der Vergleicher 54 wenigstens ein zwei Torleitungen, welche den Blinddrahtselektor 10 an Steuersignal ah, um das Tor 56 zu steuern. Wenn die die Drahtauswahlschalter 22, 27 koppeln. Dieses Aus- gewählte Operation eine Leseoperation ist, so wird wählverfahren durch den Blinddrahtselektor 10 und das Tor 56 gesteuert, um ihm zu erlauben, ein Leseden Aktivdrahtselektor 14 koppelt den adressierten steuersignal dem Blinddrahtselektor-Flip-Flop 58 zuaktiven Draht und den gewünschten Blinddraht zum 30 zuführen. Das Blinddrahtselektor-Flip-Flop 58 und Verbindungspunkt 40 bzw. 42. Die Verbindungs- das Umschalt-Flip-Flop 60 sind derart über das punkte 40 und 42 sind gemeinsam an die entsprechen- Kreuz geschaltet, daü das Blinddrahtselektor-Flip-Flop den Anschösse von parallelgescfaalteten bidirektio- 58 umgeschaltet wird, wobei die BUnddrahtselektornellen Bittreiber 12 und Dififerenzierverstärker 16 und Leitungen 62, 64 logisch vertauscht werden, d. h., die zugeordneten Endwiderstände 41, bzw. 43 ge- 35 wenn die Leitung 62 vorher die Auswahlspannungsschaltet Der Differenziervertärker 16 oder der Bit- höhe (Erdpotential) besaß und die Leitung 64 die treiber 12 sind für die Lese- bzw. Schreiboperation Nichtauswahlspannung von +3 Volt, so befindet sich abwechslangsweise an solche Verbindungspunkte 40, nun die Leitung 62 auf +3 Volt und die Leitung 64 42 angeschlossen. Wie bekannt ist, legt der Worttreib- auf Erdpotential. Infolgedessen wird für eine Lesesdektor 44 für die Lese- und Schreiboperationen 40 operation, bei welcher die gegenwärtige Adresse nicht entsprechende Signale an die η Wortleitungen Wl, die gleiche ist wie die vorherige Adresse, durch den Wn an, welche im Schlußnetzwerk 46 enden. Blindleitungsselektor 10 die Blindleitung ausgewählt, Wie oben erwähnt wurde, können bei einer wir- welche nicht für die Auswahl der früheren Adresse kungsvollen Speicherpackungsanordnung die aktiven verwendet wurde. Es ist ersichtlich, daß, wenn die Drähte Al bis Λ16 und die Blinddrähte DX, Dl in « gegenwärtige Adresse nicht die gleiche gewesen wäre parallelen Sachen Tunnels zwischen einer um- wie die frühere Adresse, der Blinddrahtselektor-Flipschließenden Grundfläche zur elektromagnetischen Flop 58 nicht umgeschaltet worden wäre, so daß der Abschirmung sandwichartig angebracht werden. Die Blinddrahtselektor 10 den gleichen Blinddraht ausgeafttivenDrähtei41bis^l6unddieBhaddrähteDl,D2 wählt hätte, wie jener, der durch die frühere Adresse sind an einem Ende längs einer Grundfläche 30, welche 50 ausgewählt wurde. j,, elektrisch kontinuierlich mit der umschließenden Das höchste Bit des Registers SD fur die gegen-GrusdSäche sein kann, mit Erde verbunden. In einer «artige Adresse, das tatsächliche Bit 2* und das Komsolchen Anlage umfaßt der Schreibzyklus das Anlegen piementbk'F bei der dargestellten Ausfuhnmgsform eines Scbreibstroras an einen aktiven Draht und an wird kombiniert mit dem Scareibsteuers^nal im BUndemea entsprechenden Blinddraht, wobei der Schreib- 55 drahtsetektor-Fh>Flop 58, um den Bhnddraht Dl strom durch die als Stromabteftang dienende Grund- auszuwählen, wenn in den aktiven Drähten A9 bis A16 fläche 30 absorbiert wird. Es ist zn beachten, daß eine geschrieben wird, und am den Blinddraht Dl auszagfeichzeitige Aaswahl einer Worüeitung WX bis Wn wählen, wenn in den aktiven Drähten Al bis AS durch den Wortieitungsselektor 44 notwendig ist. geschrieben wird. Wenn deshalb in einer der boden Diese Auswahl spielt jedoch für die vorliegende 60 Speieberteile, welche die Speicheranordnung 18 von Erfindung keine Rolle. Die Schreibströme erzeugen F i g. 1 bilden, geschrieben wird, so wählt der Bund· Wirbelströme in der Fläche der Grandplatte 30, welche drahtsetektor 10 immer den Blinddraht in jenem sich in der Nähe der aktiven Drähte und der Bund- Teil der Speicheranordnung, in weichem sich der drähte befinden, welche den Schreibstrom zur Grand- gewählte aktive Draht eicht befindet. Far den Leseplatte 30 fahren. Infolgedessen erholen sich die strom- «5 zyklus aber wählt der Blinddrahtselektor 10 den zufahrenden Drähte, d. h. der. ausgewählte aktive selben Blinddraht, welcher im ore Speicher-Draht Al bis /116 and der Blinddraht Dl, Dl nicht zyklus gewählt wurde, nur, we*a» der gleiche aktive von den Schreibströmen, d. Il, der Sctr indu- Draht gewählt wird, wählt aber den anderen Blind-

7 8

draht als im vorherigen Schreibzyklus gewählt wurde, 85 des Umschalt-Flip-Flops 60 über die Leitungen 86,

wenn ein verschiedener aktiver Draht gewäihlt wird. 87 zugeführt. Wenn das UND-Tor 84 gleichzeitig eine

Der Zweck hiervon ist, einen Blinddraht zu wählen, »1« von den Leitungen 86 und 64 erhält, liefert das der sich in der gleichen Störsignallage befindet wie der Umschalt-Flip-Flop 60 über die Leitung 90 eine »1«

gewählte aktive Draht. 5 an das UND-Tor 88 des Blinddrahtselektor-Flip-Flops

In den F ig. 3 a bis 3d werden die logischen 58 und über die Leitung 91 eine »0« zum UND-Tor 89 Schaltungen gezeichnet, welche in der Beschreibung des Blindleitungsselektor-Flip-Flops 58. Andererseits der dargestellten Ausführungsform der vorliegenden kann das Umschalt-Flip-Flop 60 durch Taktimpulse Erfindung verwendet wurden. Dargestellt sind eben- Tl umgeschaltet werden, so daß es_seinen Zustand falls die entsprechenden Funktionstafeln. Diese Schal- io entsprechend dem Wert des Bits 2⁸, !· höchster Ordtungen sind bekannt und im Handel erhältlich und nung des gegenwärtigen Adreßwortes, das sich in der werden daher nicht in Details dargestellt. Es könnten Stufe 70 des Adreßregisters 50 für die gegenwärtige natürlich auch andere logische Schaltungen verwendet Adresse befindet, ändert. Zusätzlich wird der Taktwerden, um die vorliegende Erfindung auszuführen. impuls Tl den Stufen 160, 161, 162 und 104 des Die hier dargestellten sind jedoch als vorteilhaft in 15 Registers 52 für die frühere Adresse über die Leitung bezug auf die Kosten und die Wirkungsweise befunden 163 angelegt, worauf der Inhalt des Registers 50 für worden. die gegenwärtige Adresse in das Register 52 über-

Bei der nachfolgenden Besprechung der Auswahl tragen wird.

der Drahtauswahlschalter 20 bis 29, welche gleich- In F i g. 5 wird ein Zeitdiagramm der Signale bei zeitig vom Blinddrahtselektor 10 und vom Aktivdraht- 20 der Leseoperation der Ausführungsform gemäß F i g. 2 selektor 14 gesteuert werden, soll angenommen wer- dargestellt. Bei dieser Beschreibung der Leseoperation den, daß ein Signal mit Erdpotential, welches einer wird angenommen, daß das Register 50 für die gegenlogischen »0« entspricht, den entsprechenden Draht- wältige Adresse und das Register 52 für die frühere auswahlschalter steuert, währendem ein +3VoIt- Adresse beide das Adreßwort 1011 in der Form 2°, 2\ signal, das einer logischen »1« entspricht, den ent- »5 2², 2⁸ enthalten, wobei 2³ das höchste Bit und 2° das sprechenden Drahtauswahlschalter an der Schaltung niedrigste Bit des Adreßwortes darstellen. Ferner sei verhindert. Deshalb wird bei einer Auswahlperiode angenommen, daß das gegenwärtige Adreßwort 1111 lediglich einem Drahtauswahlschalter 20, 21, 23, 24, sei. Wenn angenommen wird, daß die vorherige 25,26,28,29, von denen jeder an einen entsprechenden Speicheroperation eine Schreiboperation war, so aktiven Draht Al, Al, Al, /18, /19, /410, AlS, A16 30 befindet sich nun das Adreßwort 1011 im Register 52 angeschlossen ist, ein Signal mit «Oe-Potential ent- für die frühere Adresse und das Blinddrahtselektorsprechend einer »0« zugeführt, so daß nur einer dieser Flip-Flop 58 gibt eine »0« an die Leitung 62 ab, um aktiven Drähte ausgewählt wird. Gleichzeitig wird nur den Blinddraht Dl wie oben beschrieben auszueinem der Drahtauswahlschalter 22, 27, von denen wählen, währenddem das Umschalt-Flip-Flop eine jeder an einen entsprechenden Blinddraht Dl, D2 35 »1« an die Leitung 90 abgibt, um das Tor 88 zu angeschlossen ist, ein Signal mit »0<(-Potential ent- steuern.

sprechend einer logischen »0« zugeführt. .MIe anderen Zu Beginn der Leseoperation ist der Taktimpuls Π Drahtauswahlschalter, d. h. die nicht ausgewählten an die Leitung 68 angelegt, wodurch der Taktimpuls Drahtauswahlschalter, werden durch das Anlegen eines Π allen UND-Toren der Registerstufen 93,94,95, 70 Signals mit einem Potential von 1 3 Volt, das einer 40 des Registers 50 für die gegenwärtige Adresse angelegt logischen »1« entspricht, am Arbeiten verhindert. wird. Ferner werden die tatsächlichen Bits des gegen-Bezugnehmend auf die F i g. 2 und 4 wird bemerkt, wältigen Adreßwortes und die Komplemente derselben, daß bei einer Schreiboperation das höchste Bit des d. h. die höchsten Bits 2", "F parallel den entsprechengegenwärtigen Adreßwortes immer denjenigen Blind- den UND-Toren der Stufen gleicher Ordnung des Redraht in dem Speicherteil auswählt, welcher nicht den 45 gisters 50 für die gegenwärtige Adresse und dem Vergewählten aktiven Draht enthält. Das tatsächliche gleicher 54 zugeführt. So wird beispielsweise das tatsäch-Bit 2* höchster Ordnung und das Komplement 2»" liehe Bit 2^S höchster Ordnung mittels der Leitung 100 werden den entsprechenden UND-Toren 75, 74 des parallel dem UND-Tor 73 der Stufe 70 des Registers 50 Blinddrahtselektor-Flip-Flops 58 mittels den Leitun- für die gegenwärtige Adresse und dem UND-Tor 106 gen 77, 76 zugeführt. 50 der Stufe 108 des Vergleichers 54 zugef&hrt. In ent-

Gleichzeitig wird das Schreibsteuersignal 80 den sprechender Weise wird das Komplement des höchsten UND-Toren 74, 75 über die Leitungen 82, 83 züge- Bits 2* des gegenwärtigen Adreßwortes mittels der

führt, so daß das UND-Tor 75 ein Ausgangssignal Leitung 110 parallel dem UND-Tor 72 der Stufe 70

erzeugt, welches bewirkt, daß das Blinddrahtselektor· des Registers 50 für die gegenwärtige Adresse und

Flip-Flop 58 eine »1« an die Leitung 64 und eine »0« 55 dem UND-Tor 114 der Stufe 108 des Vergleichers 54

an die Leitung 62 angibt, wodurch die Auswahl der zugeführt.

BlindJeitung D1 angezeigt wird. Es ist also ersichtlich, Es ist daher ersichtlich, daß, wenn das Register 52 für daß jedesmal, wenn das Bit höchster Ordnung des die frühere Adresse die Adresse 1011 enthält und die angegenwärtigen Vier-Bit·Adreßwortes eine »1« ist, das kommenden Daten das gegenwärtige Adreßwort 1111 Blinddrahtselektor-Flip-Flop SS einen Blinddraht Dl 60 enthalten, die Stufen 120, 122, 108 Übereinstimmung auswählt. Wenn dagegen das GUt höchster Ordnung anzeigen, währenddem die Stufe 126 Ntchtuberaades gegenwärtigen Adreßwortes eine »0« wäre, so ist Stimmung anzeigt. Dementsprechend gibt die Stufe 126 ersichtlich, daß das UND-Tor 74 gesteuert würde, eine »0« an die Ausgungsteitung 130 ab, währenddem wobei das Blinddrahtselektor-Flip-Flop 58 die Er- die Stufen 120,122,108 eine »1« an die entsprechenden Zeugung einer «0« auf der Leitung 64 und einer »1« 6$ Ausgangsleitungen 132, 134, 136 abgeben. Infolgeauf der Leitung 62 erzeugen würde, um die Auswahl dessen liegt am ODER-Tor 138 des Lese-Steuertors 56 der Blindieitung Dl anzuzeigen. über die Leitung 130 eine «0« an, währenddem diesem

Der Taktgeberimpuls Tt wird den UND-Toren 84, über die Leitungen 3132, 134, 136 je eine »1« zage»

ίο

führt werden. Wenn der Zeitimpuls. Tl an die Leitung 140 und das Lese-Steuersignal 142 an die Leitung 144 angelegt ist, so liegen am UND-Tor 146 des Lese-Steuertors 56 gleichzeitig drei logische «0« an, so daß an seiner Ausgangsleitung 148 eine »1« erscheint. Die Leitung 148 ihrerseits legt eine »1« an die XJND-Tofe 88,89 des Blinddrahtaüswahl-Flip-Flops 58 über die Leitungen 150 und ISI an. Da das Umschält-Flip*Fiop60, wie beschrieben, von der vorherigen worauf der Inhalt des Registers 50 für die gegenwärtige Adresse in das Register 52 für die frühere Adresse eingegeben wird, um den nächsten Speicherzyklus vorzubereiten.

Als weiteres Beispiel der Operation des Blinddraht« selektorslÖ von Fig. 1 sei angenommen, daß die folgende Speicheroperation eine andere Leseoperation bei der gegenwärtigen Adresse 0110, d.h. dem aktiven Draht/ί 7 sei. Da die frühere Leseoperation

Schreiboperation her eine »1« an die Leitung 90 und io im anderen Speicherteil der Speichereinrichtung 18 eine »0« an die Leitung 91 abgibt, wird das UND-Tor stattfand, sollte der Blinddrahtselektor 10 den Blind- $8 des Blinddrahtselektor-Flip-Flops 58 geschaltet, draht Dl auswählen, da dieses der Blinddraht ist, währenddem das UND-Tor 89 gesperrt wird, worauf welcher bei der vorangehenden Leseoperation des das Blinddrahtauswahl-Flip-Flop eine »1« an die aktiven Drahtes A16 nicht ausgewählt wurde. Wie Ausgangsleitung 62 und eine »0« an die Ausgangs- 15 Vo her beschrieben, werden die tatsächlichen Bits und leitung 62 und eine »0« an die Ausgangsleitung 64 ab* das Komplement der Bits des gegenwärtigen Adreßgibt, wodurch die Auswahl des Blinddrahtes Dl wortes 0110 parallel an die entsprechenden Stufen durch den Auswahlschalter 27 angezeigt wird. des Registers 50 für die gegenwärtige Adresse und des

Gleichzeitig mit der Auswahl de.« Blinddrahtes Dl Vergleiche« 54 angelegt Beim Auftreten des Taktfür die Leseoperation, wie sie oben beschrieben wurde, ao impulses ΓΙ macht der Vergleicher 54 einen Vergleich Übersetzt der Aktivdrahtselektoi 14 das gegenwärtige zwischen dem früheren Adreßwort 1111 und dem

gegenwärtigen Adreßwort 0110. Infolgedessen geben die Stufen 120, 108 des Vergleichers 54 eine »0« an die entsprechenden Ausgangsleitungen 132 und 136 ab,

früheren Schreiboperation in der früheren Adresse ag welche zum ODER-Tor 138 des Lese-Steuertors 56 !Oll, d. h. dem aktiven Draht A14, bei der folgenden fuhren. Ferner geben die Stufen 126, 122 des Vergleichers eine »1« an die Ausgangsleitungen 130, 134 ab, welche zum ODER-Tor 138 des Lese-Steuertors 56 führen. Wenn gleichzeitig der Taktimpuls ΤΊ und der

Ädreßwort 1111 und führt dem Drahtauswählschalter 29 «ine »0« zu, wodurch die Auswahl des aktiven Drahtes A16 angezeigt wird. Deshalb wurde nach einer

'Schreiboperation mit der gegenwärtigen Adresse 1111, d. h. dem aktiven Draht A16, der Blinddraht Dl ausgewählt, welcher sich im gleichen Speicherteil

befindet, wie der gewählte aktive Draht, wie dies aus 30 Lesesteuer-Impuls 142 an die Leitungen 140, 144 d Tbll A hht l d id t

der Tabelle A hervorgeht.

Tabelle A Adreßwortübersetzung

	Binär i°2l2a2a	O	O	Oktal	Dezimal
O	O	O	O	0	Al
1	O	O	O	1	Al
O	1	O	O	2	A3
1	1	1	O	3	ΑΛ
O	O	1	O	4	A5
1	O	1	O	5	Ait
O	1	1	O	6	Al
1	1	O	1	7	AS
O	υ	O	1	10	A9
1	ο	θ	1	Π	AlQ
O	t	O	1	12	All
1	1	1	1	13	AU
O	0	1	1	14	AU
1	O	1	1	15	AlA
O	1	1	1	16	AlS
1	1		17	AU

UNE^ToreiiM,

p g

legt werden, wird das Lesesteuertor 56 gesteuert, um eine »1« an die Ausgangsleitung 148 und daher an die UND-Tore88, 89 des Blraddrahtselektor-Füp-Flops 58 abzugeben.

Da der UmschaJt-Flip-Flop 60 wegen der früheren Leseoperation eine »1« an die Ausgangsleitung 91 und daher an das UND-Tor 89 des BlinddrahtselektOT-Flip-Flops 58 abgibt, erzeugt das UND-Tor 89 einen Ansgangsimpuis, so daß das Blinddrahtsefcktor- Flip-Flop 58 eine »1« an die Ausgangsleitung 64 und eine »0« an die Ausgangsleitung 62 abgibt, womit die Auswahl des Blinddrahtes Dl angezeigt wird. Gleichzeitig hat der Aktivdrahtselektor 14 den aktiven Draht Al ausgewählt, so daß für diese Leseoperation

ein Blinddraht ausgewählt wurde, welcher bei der

früheren Leseoperation nicht gewählt worden war.

Wenn nun eine Schreiboperation bei der gleichen Adresse ausgeführt werden muß, bei der vorher

gelesen wurde, <L B. beim gegenwärtige» AdreSwort

so 6110, so erfolgt die SchreiboperatioH so, wie dies ia bezug auf F i g. 4 beschrieben wurde. Beta» Auftreten des Taktimpuls« Tt liefert das tatsächhcbe Bit 2« «art das Komplement des höchsten Bits F des geg»- wärtigen Adre8wortes eise »1« as die LritsagT*

bzw. eine Λ« an die Leitung 77. Die Lotungen 76 aod 77 fähren die »1« dem UND-Tor 74 sed die «0« dem UND-Tor 75 des Blmdiu^tsdektoHFlip-Flops SS zu. Das Schreib^ersipBdM fca zur ZeÄTl m das UND-Tor74 aod das UND-Tor75 id

ppg, NDTor74 aod das UND-Tor75 venaiads

«7 ssgefBfert. Wenn das UND-Tor 85 gleichzeitig eine 60 der Leitungen 82 nnd83 «Kefcgt nod steeert das

ims »1« dem UND-Tor 89 des Büoddrahtselektor-F!p-F1ops58 zazefSriiea sowie Ober die Lekueg9» eine «0« dem UND-Tor 88 des Bünddrafetaoswabl· FHp-nopsS8. Gleichzeitig wird der Taktimpuls Γ2 gber die Leitung 163 an die Stufen MB, Kl, 162 rad 104 des Registers 52 ISr die frohere Adresse angelegt, 58 eme »1« ao die Ausgangssteitung €2 rad eic an die Assgaagsleitaag 64 anlegt, wodurch die Aoswahl des Böeddraates Dt angesägt wild. Gleichzeitig abersetzt der Akth^drabtsdetoor 14 das gegenwärtige Adreßwort OUO «rad föhn ene «0« an eine der 16 Aasgangslekungen, so daO der aktive Draht Al aasipwählt wird. Wie bereits beschrieben, erhfit zor Zeit

Tl das Umschalt-Flip-Flop 60 den Taktimpuls Tl an seinen UND-Toren 84, 85, welches mit dem gegenwärtigen Ausgangssignal »1« auf der Leitung 62 und »0« auf der Leitung 64 dem Umschalt-Flip-Flop 60 gestattet, in seiner früheren Lage zu bleiben.

Hierzu 3 Blatt Zeichnungen

Claims (7)

1. I.
2. i\ zweiten Ausgangsklemnie eintrifft, und ein Ein-
3. Patentanspräche· gangssigsal im die zweite Eingangsklemme zu
4. f fiefera, wenn em Vergleichssignal zusammen mit
5. ■ 1- Magnetdrahtspeicher, in welchem Störsignale einem Ausgangssignal von der ersten Ausgangswährend den Ablesezyklen mittels eines Pnfsren- 5 klemme eingrifft
6. ziemarstSikers, welcher ein erstes Signal von einem
7. 7. Magnetdrahtspeicher nach Anspruch 2 und 6,

   $ ajisgewaMten Spekheretement und ein zweites dadurch gekennzeichnet, daß das kombmierände

   k Stgnalvon einem ausgewähltenBlindelement erhält, logische Netzwerk ausgebildet ist, um den wirk-

   verkleinert werden, wobei der Speicher einen ersten liehen Wert und den Kcmptementärwert der ν UBa eioea zweiten Teil enthält, von weichem jeder » höchsten Stelle des eintreffenden Speicheradreß-

   eine Anzahl von Speicherelementen in der Form wortes während dem Speicherschreibzylden auf-