DE1213482B - Auf einen hohen oder niedrigen Wert umschaltbarer induktiver Blindwiderstand - Google Patents

Description

BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND

DEUTSCHES

PATENTAMT

AUSLEGESCHRIFT

Int. Cl.:

H03k

Deutsche Kl.: 21 al-36/18

Nummer: 1213 482

Aktenzeichen: K 55419 VIII a/21 al

Anmeldetag: 1. März 1965

Auslegetag: 31. März 1966

Die im folgenden beschriebene Erfindung bezieht sich auf umschaltbare induktive Blindwiderstände, bei denen Leiter mit darauf niedergeschlagenen ferromagnetischen Schichten verwendet sind, sowie auf ihre Anwendung innerhalb magnetischer Torschaltstufen.

Es gibt bereits zahlreiche Ausführungsformen von Torschaltgliedern wie beispielsweise Röhren, Transistoren, Esaki-Dioden und Parametrons. Bei derartigen Torschaltgliedern haften einerseits denjenigen, die aktive Schaltelemente verwenden, die Nachteile großer Abmessungen, hoher Kosten und kurzer Lebensdauer an, während anderseits magnetische Torschaltglieder im allgemeinen aus einem Ferritwerkstoff bestehen, so daß ihre Schaltgeschwindigkeiten vergleichsweise klein sind und die nachgeschalteten Stufen ziemlich groß werden. Da bekannte Speicheranordnungen für Rechner außerdem eine vergleichsweise große Abmessung der Ferritkernspeicher haben, werden die Speicherstapel mit den zugehörigen Schaltstufen demgemäß groß und unwirtschaftlich. Zur Überwindung dieser Schwierigkeiten wurden unter Verwendung leitender Drähte mit ferromagnetischer Überzugsschicht Drahtspeichermatrizen entwickelt. Geeignete Torschaltstufen für die Drahtspeichermatrizen sind jedoch nicht vorgeschlagen worden.

Ziel der Erfindung ist die Schaffung eines miniaturisierten Torschaltgliedes, welches mit hoher Schaltgeschwindigkeit arbeitet und für derartige Drahtspeichermatrizen geeignet ist.

Dieses Ziel wird bei einem auf einen hohen oder niedrigen Wert umschaltbaren induktiven Blindwiderstand mit einem ersten und einem zweiten Leiter sowie einem magnetischen Werkstoff, wobei die Leiter magnetisch mit dem magnetischen Werkstoff verkoppelt sind, nach der Erfindung dadurch erreicht, daß der erste Leiter einen magnetischen Schichtüberzug mit einer Vorzugsmagnetisierungsrichtung trägt, daß an diesem Leiter ein schwaches Signal anliegt, das eine hohe oder niedrige Induktivität vorfinden soll und das die magnetische Schicht in Vorzugsrichtung magnetisiert und dessen Intensität schwächer als die zur Erzeugung einer magnetomotorischen Kraft gleich der Koerzitivkraft der Magnetschicht in Vorzugsrichtung erforderliche Intensität ist, daß an dem anderen Leiter bei gewünschter hoher Induktivität ein Erregungssignal zur Magnetisierung der Schicht in der ungünstigen Magnetisierungsrichtung anliegt und daß ferner an dem ersten Leiter ein Vormagnetisierungssignal anliegt, daß derart bemessen ist, daß die magnetische Schicht in Vorzugsrichtung Auf einen hohen oder niedrigen Wert
umschaltbarer induktiver Blindwiderstand

Anmelder:

Kokusai Denshin Denwa Kabushiki Kaisha, Tokio

Vertreter:

Dr.-Ing. E. Maier, Patentanwalt,

München 22, Widenmayerstr. 4

Als Erfinder benannt:
Shintaro Oshima, Tokio

Beanspruchte Priorität:

Japan vom 2. März 1964 (11 344)

gesättigt ist, solange das schwache Signal und das Erregungssignal nicht anliegen. Die Erfindung kann jedoch sowohl hinsichtlich ihres Aufbaus als auch ihrer Wirkungsweise sowie weiterer Vorteile am besten unter Bezugnahme auf die folgende Beschreibung in Verbindung mit den Zeichnungen verstanden werden. Es stellt dar

F i g. 1 Kennlinien zur Erläuterung der Wirkungsweise eines umschaltbaren Blindwiderstandes nach der Erfindung,

F i g. 2 (A) und 2 (B) perspektivische Ansichten bevorzugter Ausführungsformen von umschaltbaren Blindwiderständen nach der Erfindung,

F i g. 2 (C) einen äquivalenten Schaltkreis zur Erläuterung der Wirkungsweise der Ausführungsformen nach den Fig. 2(A) und 2(B),

Fig. 3(A) und 3(B) perspektivische Ansichten weiterer Ausführungsformen eines umschaltbaren Blindwiderstandes nach der Erfindung,

F i g. 3 (C) einen äquivalenten Schaltkreis zur Eiläuterung der Wirkungsweise der Ausführungsformen nach den F i g. 3 (A) und 3 (B),

Fig. 4 ein vereinfachtes Blockschaltbild eines umschaltbaren Blindwiderstandes nach der Erfindung,

Fig. 5(A), 5(B), 6(A), 6(B), 7(A), 7(B) und 8 Torschaltstufen unter Verwendung des bzw. der umschaltbaren Blindwiderstände nach der Erfindung,

Fig. 9(A), 9(B), 10(A), 10(B) und 10(C) Verteilerschaltungen unter Verwendung von umschaltbaren Blindwiderständen nach der Erfindung und
Fig. H(A), H(B) und H(C) logische Schaltkreise unter Verwendung von umschaltbaren Blindwiderständen nach der Erfindung.

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Zunächst soll die Wirkungsweise des erfindungs- Querschnitt verwendet ist, kann man doch einen Leigemäßen umschaltbaren Blindwiderstandes beschrie- ter mit anderem Querschnitt verwenden. Ein derarben werden. Eine Magnetschicht mit einer Vorzugs- tiger Leiter 3 mit ferromagnetischer Schicht ist im magnetisierungsrichtung besitzt in Vorzugsrichtung folgenden als magnetischer Draht bezeichnet. Nach Magnetisierungskennlinien nach Fig. 1. Diese Kenn- 5 Fig. 2(A) ist die Vorzugsmagnetisierungsrichtung linien ändern sich entsprechend der Feldintensität He senkrecht zur Richtung des magnetischen Drahtes 4 eines Erregungssignals Ie, das in der ungünstigen Ma- ausgerichtet, eine Spule Le ist um den magnetischen gnetisierungsrichtung der Schicht anliegt. Nach Draht 4 gewickelt, der Erregungsstrom Ie liegt an den Fig. 1 nimmt die Kennlinie im Fall He=O eine Anschlußklemmen E und Ea der Spule Le an, und das Rechteckform an und schrumpft, im Fall io schwache Signal Is liegt an den Anschlußklemmen S He (= he~> 0) zu einer Schleife 2 zusammen, wobei und Sa des Leiters 3 an. Wenn Ie = O ist, nimmt der die von der Hysteresisschleife eingeschlossene Fläche magnetische Draht 4 einen kleinen Bündwiderstand im Maße der Abnahme der Koerzitivkraft Hc kleiner gegenüber dem Strom Is an, da als Ergebnis der Mawird. Wenn ein schwaches Magnetfeld Hs kleiner als gnetisierung der Schicht längs der Hauptschleife 1 die Koerzitivkraft Hc der Haupthysteresisschleife 1 ig keine Verschiebung der Flußdichte erfolgt; wenn aber in Vorzugsrichtung an der Schicht anliegt, wird die ein StromflußIe erzeugt wird, so daß He = he^>0, Schicht längs eines Teiles der Haupthysteresis- nimmt der magnetische Draht 3 einen vergleichsweise schleife 1, für den Fall He = 0, beispielsweise längs großen Blindwiderstand gegenüber dem Strom Is an, (S₁-S₂-B₁) ummagnetisiert, wobei sich die magne- da die Magnetisierung der Schicht längs der tische Flußdichte S nicht wesentlich ändert, wenn die ao Hysteresisschleife 2 verläuft.

Schicht aus einem guten Werkstoff mit einer recht- Fig. 2(B) zeigt eine andere Ausführungsform des

eckförmigen Hysteresisschleife besteht. Wenn das regulierbaren Blindwiderstandes nach der Erfindung.

MagnetfeldHe (= he>0) in der ungünstigen Ma- I_n diesem Fall ist die Vorzugsmagnetisierungsrich-

gnetisierungsrichtung der Schicht anliegt, ändert sich rung der Schicht in Längsrichtung des leitenden

die Flußdichte unter dem Einfluß des Feldes Hs längs 2g Drahtes 3 ausgerichtet, der Erregungsstrom Ie liegt

einer schmalen Hysteresisschleife 2 zwischen den _: an dem Leiterdraht 3 an, und das schwache Signal Zi

Werten (-Be) und (+ Be). Demzufolge ist die Größe liegt an der auf den magnetischen Draht 5 gewickel-

der Verschiebung der magnetischen Flußdichte gleich ten Spule Ls an, wodurch der Blindwiderstand der

der Differenz (2Se). . . Spule Ls zwischen den Anschlußklemmen S und Sa

Infolge dieser Verschiebung nimmt die Schicht eine 30 eingestellt werden kann.

Induktivität entsprechend dieser Verschiebung (2Be) . Der erwähnte regulierbare Blindwiderstand kann an. Wenn das FeldHy durch einen Signalimpuls Is durch eine äquivalente Schaltung nach Fig. 2(C) ererzeugt wird, wird die Schicht im Fall He = 0 bezug- läutert werden, worin abwechselnd ein kleiner BÜndlich des Signals Is einen kleinsten Induktivitätswert widerstand Za bzw. ein großer Blindwiderstand Z haben. Die Schicht wird dagegen bezüglich des 35 eingeschaltet ist, was davon abhängt, ob die Größe Signals7s im FaUHe = he^>0 einen vergleichsweise des Stromes Ie den Wert Null oder nicht den Wert großen Induktivitätswert haben. Es ist dabei notwen- Null hat, dabei gilt Z^>Za. Bei Fig. 2(A) ist die dig, daß die Dauer des Signalimpulses 7s kleiner als Intensität des Erregungsfeldes He proportional dem eine Dauer CL₁ ist, welche im wesentlichen zur Um- WertiV-7e, so daß der Blindwiderstand des magnemagnetisierung der Schicht längs der Haupthysteresis- 40 tischen Drahtes 4 bezüglich des schwachen Signals Is schleife 2 ausreicht, damit man die gewünschte große mittels eines vergleichsweise kleinen Stromes geInduktivität erhält. Dieses erstrebte Ergebnis wird steuert werden kann, wobei N die Windungszahl der z. B. durch Verwendung eines Hochfrequenz- Spule Le bedeutet. Da im anderen Fall nach signals If. mit einer Periode d₂ kleiner als die ge- Fig. 2(B) der Bündwiderstand der Spule Ls propornannte kurze Dauer erreicht. Außerdem liegt, an der 45 tional dem Wert N² (mit N als Windungszahl der Schicht in Vorzugsrichtung ein Vormagnetisierungs- Spule Ls) ist, kann man in Abhängigkeit von dem feld Tf & an, so daß dieselbe gesättigt ist, solange kein Strom Ie einen vergleichsweise großen Bündwider-Signal 7s oder Ie anliegt. Durch Anwendung dieses stand erzielen.

Vormagnetisierungsfeldes wird die Remanenz; auf Wenn nach den F i g. 3 (A) bzw. 3 (B) ein weiterer einen bestimmten Wert (—B bzw. +S) eingestellt, go Bündwiderstand Zb an eine jede der Spulen Le bzw. Hierdurch ist es möglich, für das jeweils folgende in Ls angeschlossen ist, wobei Z > Zb > Za, ist im Fall Vorzugsrichtung anliegende Signal 7s bzw. If ■ eine Ie = O der Bündwiderstand zwischen den Anschlußdefinierte Ausgangsbedingung zu schaffen. Ent- klemmen S und Sa gleich dem Wert (ZaI/Zb) oder sprechend dieser Wirkungsweise kann der Bund- im Fall des FHeßens des Stromes 7s dem Wert widerstand der Schicht auf einen hohen bzw. einen 5g (ZbIIZ) gleich. Unter der gemachten Voraussetzung niedrigen Wert umgeschaltet werden, je nachdem, ob Z > ZZ> > Za sind die Werte (ZaIlZb) bzw. ein Erregungsfeld He in der ungünstigen Richtung (ZbJlZ) jeweils näherungsweise den Werten (ZZ?) der Schicht anüegt oder nicht. bzw. (Z) gleich. Folgüch kann der Bündwiderstand

Die Fig. 2(A) und 2(B) zeigen Ausführungsfor- zwischen den AnschlußklemmenS und Sa zwischen men des reguüerbaren Blindwiderstandes nach der 60 Zb und Z eingestellt werden. Fig. 3(C) zeigt eine Erfindung, welche auf der obigen Wirkungsweise äquivalente Schaltung zur Erläuterung der Wirkungsunter Verwendung einer zyünderförmigen ferro- ' weise in diesen Anwendungsfällen,
magnetischen Schicht beruhen, wobei die Schicht In einem jeden der in den Fig. 2(A) und 2(B) gedurch Aufdampfen, Elektroplattierung oder durch zeigten Fälle nimmt jeweils in Abhängigkeit von dem ein Herstellungsverfahren für Drahtüberzüge auf 6g Vorhandensein bzw. Fehlen eines in den Anschlußeinem leitenden Draht, beispielsweise aus Kupfer, klemmen Ti und Ea des betreffenden Leiters fließenniedergeschlagen ist. Wenn auch bei diesen Ausfüh- den Erregungsstromes Ie der Bündwiderstand rungsformen der leitende Draht 3 mit kreisförmigem zwischen den Anschlußklemmen S und Sa einen kiel·-

nen oder großen Wert an. Zur Vereinfachung der Abbildung werden die unter Bezugnahme auf die Fig. 2(A), 2(B), 2(C)₃ 3(A), 3(B) und 3(C) beschriebenen umschaltbaren Blindwiderstände im folgenden vereinfacht nach F i g. 4 dargestellt. In der folgenden Beschreibung sind Anwendungen des regulierbaren Blindwiderstandes G innerhalb von Torschaltstufen im einzelnen beschrieben.

Eine jede der nachfolgend beschriebenen Torschaltstufen besitzt zwei Eingangsklemmen 6 und 6 a zur Aufnahme eines schwachen Eingangssignals La und zumindest zwei Ausgangsklemmen 7 und la zur Weitergabe des hindurchgelassenen schwachen Signals 7s. Bei der Ausführungsform nach F i g. 5 (A) ist der umschaltbare Blindwiderstand G in Reihe zwischen die Eingangsklemme 6 und die Ausgangsklemme 7 eingefügt. Bei der Ausführungsform nach F i g. 5 (B) ist der umschaltbare Blindwiderstand G parallel in den Leitungsweg zwischen den Klemmen 6 und 6a sowie den Klemmen 7 und Ta eingefügt. Auf Grund dieser Anordnungen wird entsprechend der Eingabe bzw. Beendigung des an den Klemmen E und Ea anliegenden Erregungsstromes das schwache Signal Is unterdrückt bzw. durchgelassen. In diesen Torschaltstufen wird das schwache Signal jeweils durch Beendigung des Erregungssignals Ie durch den in Serie eingefügten umschaltbaren Blindwiderstand bzw. durch Erregung des parallel eingefügten umschaltbaren Blindwiderstandes durchgelassen. In den folgenden Ausführungsformen findet dieser Grundgedanke im Hinblick auf Stromwege zwischen den Eingangsklemmen 6 und 6 a bzw. den Ausgangsklemmen 7 und la Anwendung.

Die F i g. 6 (A) und 6 (B) zeigen in Form umgekehrter L-Glieder aufgebaute Torschaltstufen und die F i g. 7 (A) und 7 (B) in Form eines T-Gliedes bzw. eines π-Gliedes aufgebaute Torschaltglieder. Bei diesen Ausführungsformen liegt das Erregungssignal Ie wechselweise an den mit »I« bzw. »II« bezeichneten Torschaltstufen an. Im Sperrzustand ist die Dämpfung bei den zuletzt genannten beiden Torschaltstufen größer als bei den beiden zuvor genannten Torschaltstufen. Eine weitere abweichende, nicht dargestellte Schaltung kann unter Verwendung einer Vielzahl derartiger umschaltbarer Blindwiderstände aufgebaut werden, und eine größere Dämpfung im Sperrzustand läßt sich durch Einbau der umschaltbaren Blindwiderstände G in mehreren Stufen erzielen.

F i g. 8 zeigt eine Brücken- bzw. Wabenschaltung mit vier umschaltbaren Blindwiderständen G₁, G₂, G₃ und G₄. Zwei gegenüberliegende Ecken dienen als Eingangsklemmen 6 und 6 a, die beiden anderen gegenüberliegenden Ecken als Ausgangsklemmen 7 und la. Wenn in dieser Brückenschaltung die Blindwiderstände der vier Torschaltstufen G₁, G₂, G₃ und G₄ jeweils gleich groß sind, solange hinsichtlich aller vier Torschaltstufen Ie = O ist bzw. der Strom Ie durch alle vier Torschaltstufen fließt, wird das schwache, an den Eingangsklemmen 6 und 6 a anliegende Signal 7s infolge des Brückengleichgewichts nicht an den Ausgangsklemmen 7 und la erscheinen. Diese beiden Fälle bilden den sogenannten Sperrzustand dieser Torschaltung. Wenn nur zwei ausgewählte, einander gegenüberliegende Brückenzweige G₁ und G₂ bzw. G₃ und G₄ durch das Erregungssignal Ie erregt werden, erscheint das schwache Signal 7s infolge Störung des Brückengleichgewichts an den Ausgangsklemmen 7 und la. In diesem Fall wird das schwache Signal bei Erregung der einander gegenüberliegenden Zweige G₁ und G₂ mit normaler Polarität, jedoch bei Erregung der beiden einander gegenüberliegenden Zweige G₃ und G₄ mit umgekehrter Polarität erscheinen.

Im folgenden Abschnitt werden Ausführungsformen zur Verteilung des schwachen, an den Eingangsklemmen anliegenden Signals 7s auf eine Vielzahl

ίο von Ausgangsklemmen beschrieben. Fig. 9(A) zeigt eine derartige Ausführungsform, bei der zwei Torschaltstufen nach F i g. 6 (A) verwendet und parallel an die Eingangsklemmen 6 und 6 a angeschlossen sind. Durch jeweiliges Anlegen des Erregungssignals Ie an die mit »I« bezeichneten Torschaltstufen G₁ und G₄ bzw. an die mit »II« bezeichneten Torschaltstufen G₂ und G₃ wird das an den Eingangsklemmen 6 und 6 a anliegende schwache Signal abwechselnd an den Ausgangsklemmen 8 und 8a bzw. 7 und la ausgegeben.

Fig. 9(B) zeigt eine Ausführungsform mit zwei Gruppen von Torschaltstufen, die jeweils als T-Verbindungen geschaltet sind. Ihre Wirkungsweise ist dieselbe wie bei der Ausführungsform nach Fig. 9(A).

Eine andersartige Verteilerschaltung ist in F i g. 10 (A) gezeigt, wobei zwei umschaltbare, abwechselnd erregte Blindwiderstände G verwendet sind, die in Reihe geschaltet zwischen den beiden Eingangsklemmen 6 und 6 a eingefügt sind und wobei die jeweiligen Ausgangsklemmen 8 und 8 a bzw. 7 und la jeweils an eine der Eingangsklemmen 6 und

6 a bzw. an den Mittelpunkt der Reihenschaltung angeschlossen sind. Nach dieser Anordnung erscheint ein kleines Signal Ie jeweils an einem Paar Ausgangsklemmen 7 und la bzw. 8 und 8a. In die Ausgangsstrecken dieser Ausführungsform kann man ferner zwei Gruppen von Torschaltstufen einfügen. Die Fig. 10(B) und 10(C) zeigen derartige Ausführungsformen, wo jede Gruppe Torschaltstufen kaskadenartig in die Ausgangsstrecken zwischen den Ausgangsklemmen 7 und la bzw. 8 und 8a eingefügt ist. Jede Torschaltstufe nach den F i g. 5 (A), 6 (B) und

7 (A) kann als Torschaltstufe in einer jeden Gruppe verwendet werden. Das jeweils durch eine Gruppe der zusätzlich eingefügten Torschaltstufen durchgelassene schwache Signal wird an den Ausgangsklemmen 7 und 7 a bzw. 8 und 8 a abgenommen.

Durch Verwendung einer Vielzahl von Gruppen derartiger Torschaltstufen, bei denen ein Paar Eingangsklemmen und mehr als zwei paarweise Ausgangsklemmen vorgesehen sind, kann das schwache Signal Ie auf jedes Paar Ausgangsklemmen aufgeschaltet werden.
Ein derartiger umschaltbarer Blindwiderstand kann ebensogut wie die genannten Torschaltstufen zum Aufbau von Schaltkreisen zur Durchführung logischer Funktionen benutzt werden, wenn man das jeweils durchfließende schwache Signal 7s als Erregungssignal Ie für den unmittelbar nachgeschalteten regulierbaren Blindwiderstand G benutzt. Im folgenden werden Ausführungsformen derartiger Schaltkreise beschrieben.

In den Fig. H(A) und H(B) sind Ausführungsformen von Schaltkreisen zur Durchführung logischer Funktionen mit drei Eingängen gezeigt. Fig. H(A) zeigt einen Nichtund-Schaltkreis für drei Eingangssignale x, y und z, die jeweils an drei paarweise erregten Eingangsklemmen Ti₁ und E_la bzw. Ti₂ und

Claims (15)

E2 a bzw. E3 und E3 0 je eines umschaltbaren Blindwiderstandes G1, G2 bzw. G3 anliegen. Die Anschlußklemmen S1, S2 und S3 sowie die Anschlußklemmen S1 a, S2 aund Ssa sind jeweils miteinander verbunden, so daß die umschaltbaren Blindwiderstände G1, G2 und G3 parallel zueinander geschaltet sind. Zur Steuerung wird über einen Generator 11 ein Signal Z0 angelegt. Wenn bei dieser Anordnung keines der drei Eingangssignale χ, y und ζ an den jeweiligen Eingangsklemmen anliegt, ist der Blindwiderstand zwischen jedem Paar Anschlußklemmen S1, S1 a bzw. S2, S20 bzw. S3, S3 „ klein, so daß das an den Anschlußklemmen 9 und 9 a anliegende Signal I0 im wesentlichen unverändert an den Anschlußklemmen 10 und 10« der Belastung 12 erscheint. Dementsprechend ergibt sich ein Ausgangswert W = I, für x = 0, y = 0 und ζ = 0. Wenn eines oder zwei der drei Eingangssignale x, y und ζ an den entsprechenden Anschlußklemmen anliegen, ist der zwischen den Klemmen gemessene Blindwiderstand des verbleibenden, nicht erregten, umschaltbaren Blindwiderstandes immer noch klein, so daß das Signal I0 durchgelassen wird. Wenn jedoch alle Eingangssignale x, y und ζ an den betreffenden Klemmen S1, S10 und S2, S2 asowie S3, S30 anliegen, werden die betreffenden Blindwiderstände der umschaltbaren Blindwiderstände G1, G2 und G3 groß. Infolgedessen ist das an den Anschlußklemmen 10 und 10 α erscheinende Signal I0 außerordentlich gedämpft; d. h. W = O für x = l, y = 1 und z-1. Die logische Relation für diesen Schaltkreis kann somit wie folgt geschrieben werden: w = x-yz. (1) F i g. 11 (B) zeigt eine Ausführungsform eines Nichtoder-Schaltkreises, dessen logische Relation wie folgt geschrieben werden kann: w = x+y+z. (2) Fig. H(C) zeigt eine Ausführungsform eines Nicht-Schaltkreises, dessen logische Relation wie folgt geschrieben werden kann: w = x, (3) In diesen logischen Schaltkreisen kann auch leicht eine der oben beschriebenen zusammengesetzten Schaltungen der regulierbaren Blindwiderstände als jeweiliges Schaltelement der logischen Schaltkreise benutzt werden. Der magnetische Draht 4 bzw. 5, welcher den umschaltbaren Blindwiderstand nach der Erfindung bildet, kann auch durch Aufdampfen, Drucken usw. auf einem Grundkörper in Form einer dünnen, sandwichartig zwischen ferromagnetischen Schichten eingeschlossenen Leiterschicht aufgebaut werden. Wie oben im einzelnen beschrieben, kann der erfindungsgemäße umschaltbare Blindwiderstand in Miniaturgröße und in einfachem Aufbau hergestellt werden. Er weist den Vorteil auf, daß er mittels einer ferromagnetischen Schicht vergleichsweise großer Koerzitivkraft zur Steuerung eines Gleich- oder Wechselstromsignals mit vergleichsweise großer Amplitude (beispielsweise von 500 mA bis IA) in der Lage ist. Innerhalb bekannter Speicheranordnungen werden die zu schaltenden Informationssignale jeweils hinter den Torschaltgliedern verstärkt, da eine direkte Steuerung eines großen Signals nicht möglich ist, und sodann, an die jeweiligen Leiterzeilen bzw. -spalten weitergegeben. Infolge Verwendung der erfindungsgemäßen umschaltbaren Blindwiderstände kann jedoch eine derartige Verstärkerschaltung entfallen. Demzufolge kann man Speicheranordnungen einschließlich zugehöriger Schaltstufen mit kleiner Größe und großer Wirtschaftlichkeit herstellen. Da offensichtlich viele Änderungen und Abwandlungen der oben beschriebenen Einzelheiten vorgenommen werden können, ohne von dem Wesen und ίο Grundgedanken der Erfindung abzuweichen, ist es selbstverständlich, daß die Erfindung nicht auf die beschriebenen Einzelheiten beschränkt ist, soweit sie nicht in den folgenden Ansprüchen aufgeführt sind. 1S Patentansprüche:

1. Auf einen hohen oder niedrigen Wert umschaltbarer induktiver Bandwiderstand mit einem ersten und einem zweiten Leiter sowie einem magnetischen Werkstoff, wobei die Leiter magnetisch mit dem magnetischen Werkstoff verkoppelt sind, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Leiter (3 bzw. Lj) einen magnetischen Schichtüberzug mit einer Vorzugsmagnetisierungsrichtung trägt, daß an diesem Leiter ein schwaches Signal (Is) anliegt, das eine hohe oder niedrige Induktivität vorfinden soll und das die magnetische Schicht in Vorzugsrichtung magnetisiert und dessen Intensität schwächer als die zur Erzeugung einer magnetomotorischen Kraft gleich der Koerzitivkraft der Magnetschicht in Vorzugsrichtung erforderliche Intensität ist, daß an dem anderen Leiter (5 bzw. Le) bei gewünschter hoher Induktivität ein Erregungssignal (Ie) zur Magnetisierung der Schicht in der ungünstigen Magnetisierungsrichtung anliegt und daß ferner an dem ersten Leiter (3 bzw. Ls) ein Vormagnetisierungssignal (Ib) anliegt, das derart bemessen ist, daß die magnetische Schicht in Vorzugsrichtung gesättigt ist, solange das schwache Signal (Is) und das Erregungssignal (Ie) nicht anliegen [F i g. 2 (A) und 2(B)].

2. Umschaltbarer Blindwiderstand nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das schwache Signal (7s) ein Impulssignal ist, dessen Dauer geringer als eine kurze, im wesentlichen zur Magnetisierung der Schicht längs der Haupthysteresisschleife ausreichende Zeitdauer ist.

3. Umschaltbarer Blindwiderstand nach An-Spruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das schwache Signal (Is) ein Hochfrequenzsignal ist, dessen Periodendauer kleiner als eine im wesentlichen zur Magnetisierung der Schicht längs der Haupthysteresisschleife ausreichende Periode (d₂) ist (Fig. 1).

4. Umschaltbarer Blindwiderstand nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß einer der Leiter parallel zu einem Blindwiderstand (Zb) geeigneter Größe liegt [F i g. 3 (A) und 3(B)].

5. Torschaltstufe mit mindestens einem Paar Eingangsklemmen und mindestens einem Paar Ausgangsklemmen sowie mit einer Vielzahl umschaltbarer Blindwiderstände nach einem der An-. sprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens ein an das schwache Signal angeschlossener Leiter (3 bzw. Ls) mindestens eines umschaltbaren Blindwiderstandes in Reihe

zwischen die Eingangsklemmen (6 und 6 a) sowie die Ausgangsklemmen (7 und Id) eingefügt ist und daß mindestens einer der das Erregungssignal aufnehmenden Leiter (5 bzw. Le) mindestens eines umschaltbaren Blindwiderstandes parallel in den Übertragungsweg zwischen Eingangsklemmen und Ausgangsklemmen eingefügt ist und daß ferner das Erregungssignal (Ie) wechselweise an dem in Reihe eingefügten umschaltbaren Blindwiderstand (I) bzw. dem parallel eingefügten umschaltbaren Blindwiderstand (II) anliegt, damit das schwache an den Eingangsklemmen anliegende Signal jeweils dann zu den Ausgangsklemmen durchtritt, wenn das Erregungssignal an dem parallel eingefügten umschaltbaren Blindwiderstand anliegt [Fig. 6(A), 6(B), 7(A) und 7(B)].

6. Torschaltstufe nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die umschaltbaren Blindwiderstände in Form einer T-Verbindung zwischen den Eingangs- und Ausgangsklemmen angeordnet sind [Fig. 7(A)].

7. Torschaltstufe nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die umschaltbaren Blindwiderstände in Form einer π-Verbindung zwischen Eingangs- und Ausgangsklemmen eingefügt sind [F i g. 7 (B)].

8. Torschaltstufe mit einem Paar Eingangsklemmen, einem Paar Ausgangsklemmen sowie vier umschaltbaren Blindwiderständen nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die jeweils mit dem schwachen Signal beschickten Leiter (3 bzw. Ls) in einer Brückenschaltung angeordnet sind, wobei ein Paar einander gegenüberliegender Eckpunkte (6 und 6 a) der Brückenschaltung als Eingangsklemmen zur Aufnahme des schwachen Signals und das andere Paar einander gegenüberliegender Eckpunkte (7 und la) als Ausgangsklemmen zur Abnahme des durch die Brückenschaltung durchgelassenen schwachen Signals dienen, und daß jeweils nur ein Paar ausgewählter, jeweils einander gegenüberliegender Brückenzweige (G₁, G₂ bzw. G₃, G₄) von dem Erregungssignal erregt werden, wenn das schwache Signal von den Eingangsklemmen zu den Ausgangsklemmen durchtritt (Fig. 8).

9. Torschaltstufe mit einem Paar Eingangsklemmen, zwei Paar Ausgangsklemmen sowie zwei umschaltbaren Blindwiderständen nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die jeweils das schwache Eingangssignal aufnehmenden Leiter (3 bzw. Ls) in Reihe geschaltet sind, wobei beide Anschlußklemmen (6 und 6 a) dieser Reihenschaltung als Eingangsklemmen zur Aufnahme des schwachen Signals dienen und jeweils eine Klemme des als Eingangsklemmen dienenden Klemmenpaares (7 und 8 a) sowie der Verbindungspunkt (7 a und 8) der Reihenschaltung jeweils als eine Anschlußklemme (7 und Ta bzw. 8 und 8a) der beiden Ausgangsklemmenpaare zur Abnahme des schwachen Signals verwendet sind, und daß die das Erregungssignal aufnehmenden Leiter jeweils wechselweise durch das Erregungssignal erregt werden, so daß das schwache Signal jeweils an einem der beiden Ausgangsklemmenpaare abgenommen werden kann [Fig. 10(A)].

10. Torschaltstufe nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß zusätzlich zwei solche umschaltbare, wechselweise erregten Blindwiderstände (G₂ und G₄) hinzugefügt sind, daß zwei jeweils das schwache Signal aufnehmende Leiter (3 bzw. Ls) der beiden eingefügten umschaltbaren Blindwiderstände (G₂ und G₄) jeweils in die beiden Ausgangsklemmenpaare (7, 7 a bzw. 8, 8 a) eingeschaltet sind, so daß man das schwache Signal jeweils von demjenigen eingefügten umschaltbaren Blindwiderstand abnehmen kann, der jeweils nicht erregt ist [Fig. 10(B)].

11. Torschaltstufe nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß weiter zwei Gruppen solcher umschaltbaren Blindwiderstände hinzugefügt sind, welche jeweils ein erstes Klemmenpaar und mindestens ein zweites Klemmenpaar besitzen, daß ein das schwache Signal aufnehmender Leiter mindestens eines umschaltbaren Blindwiderstandes (G₂ oder G₅) einer jeden Gruppe in Reihe zwischen die erste Klemme und die zweite Klemme eingefügt ist, daß ein das Erregungssignal aufnehmender Leiter mindestens eines zugefügten umschaltbaren Blindwiderstandes (G₃ oder G₆) parallel in den Übertragungsweg zwischen den ersten und den zweiten Klemmen eingefügt ist, daß das Erregungssignal jeweils wechselweise an dem in Reihe bzw. an dem parallel eingefügten umschaltbaren Blindwiderstand einer jeden Gruppe anliegt, wodurch der Blindwiderstand zwischen den ersten und zweiten Klemmen beim Anlegen des Erregungssignals an dem Parallel-Blindwiderstand vergrößert wird, und daß die beiden Gruppen jeweils kaskadenförmig in den Übertragungsweg der Ausgangsklemmen (7, Ta bzw. 8, 8 a) eingefügt sind, wodurch das schwache Signal über diejenige Gruppe abgenommen werden kann, deren Reihen-Blindwiderstand bzw. -widerstände erregt ist bzw. sind [Fig. 10(C)].

12. Torschaltstufe nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß jede Gruppe in Form einer T-Verbindung angeordnet ist.

13. Torschaltstufe nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß jede Gruppe in Form einer π-Verbindung angeordnet ist.

14. Schaltkreis zur Durchführung logischer Funktionen mit einer Vielzahl umschaltbarer Blindwiderstände nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß jeweils die das schwache Signal aufnehmenden Leiter (3 bzw. Ls) eines jeden umschaltbaren Blindwiderstandes (G₁, G₂ und G₃...) parallel geschaltet sind, wobei das schwache Signal (Z₀) über die parallelgeschalteten umschaltbaren Blindwiderstände an einer Belastung (12) anliegt, daß eine Vielzahl Erregungssignale (x, y, ζ...) jeweils an den betreffenden, das Erregungssignal aufnehmenden Leiter (5 bzw. Le) anliegen, so daß das schwache Signal (I₀) an der Belastung als Ergebnis einer Nichtund-Verknüpfung hinsichtlich der Erregungssignale erscheint [Fig. H(A)].

15. Schaltkreis zur Durchführung logischer Funktionen mit einer Vielzahl umschaltbarer Blindwiderstände nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die jeweils das schwache Signal aufnehmenden Leiter (3 bzw. Ls) eines jeden umschaltbaren Blindwiderstandes (G₁, G₂ und G₃...) in Reihe geschaltet

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sind, daß das schwache Signal über diese Reihenschaltung umschaltbarer Blindwiderstände an einer Belastung (12) anliegt und daß eine Vielzahl Erregungssignale (x, y, ζ ...) jeweils an entsprechenden Leitern (5 bzw. Le) anliegen, welche

jeweils von dem Erregungssignal beaufschlagt sind, so daß das schwache Signal an der Belastung als Ergebnis einer Nichtoder-Verknüpfung hinsichtlich der Vielzahl von Erregungssignalen erscheint [Fig. H(B)].

Hierzu 2 Blatt Zeichnungen

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