DE2257842B2 - Matrixspeicher mit Störungsausgleich - Google Patents
Matrixspeicher mit StörungsausgleichInfo
- Publication number
- DE2257842B2 DE2257842B2 DE2257842A DE2257842A DE2257842B2 DE 2257842 B2 DE2257842 B2 DE 2257842B2 DE 2257842 A DE2257842 A DE 2257842A DE 2257842 A DE2257842 A DE 2257842A DE 2257842 B2 DE2257842 B2 DE 2257842B2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- wire
- row
- memory
- selection
- rows
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/06—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using single-aperture storage elements, e.g. ring core; using multi-aperture plates in which each individual aperture forms a storage element
- G11C11/06007—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using single-aperture storage elements, e.g. ring core; using multi-aperture plates in which each individual aperture forms a storage element using a single aperture or single magnetic closed circuit
- G11C11/06014—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using single-aperture storage elements, e.g. ring core; using multi-aperture plates in which each individual aperture forms a storage element using a single aperture or single magnetic closed circuit using one such element per bit
- G11C11/06021—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using single-aperture storage elements, e.g. ring core; using multi-aperture plates in which each individual aperture forms a storage element using a single aperture or single magnetic closed circuit using one such element per bit with destructive read-out
- G11C11/06028—Matrixes
- G11C11/06035—Bit core selection for writing or reading, by at least two coincident partial currents, e.g. "bit"- organised, 2L/2D, or 3D
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Digital Magnetic Recording (AREA)
- Read Only Memory (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft einen Speicher mit in einem dicht gedrängten Rechteck in Reihen und Spalten
angeordneten magnetischen Speicherelementen, die mit einem Re:Jienselektionsdraht je Reihe und einem
Spaltenselektionsdraht je Spalte und zwei jeweils einer Hälfte der Reihen zugeordneten und jeweils an einem
der beiden Eingänge eines Differential-Leseverstärkers führenden Lesedrähte versehen sind, wobei die
Information eines Speicherelements durch gleichzeitige gleichnamige Erregung des dem Speicherelement
zugeordneten Reihen- und Spaltenselektionsdrahts mit Selektionsströmen auslesbar ist, und wobei die Störung
durch einen ersten Reihenselektionsstrom in einem Reihenselektionsdraht in einem jener Reihe zugeordneten
ersten Lesedraht durch gleichzeitige Erregung eines zweiten Reihenselektionsdrahts ausgleichbar ist, welche
-to letztere Erregung ungleichnamig ist in bezug auf den
Spaltenselektionsstrom hinsichtlich eines Speicherelements am Koppelpunkt und gleichgerichtet in bezug auf
den der Reihe zugeordneten zweiten Lesedraht, eben so wie der erste Reihenselektionsstrom in bezug auf den
ersten Lesedraht.
Unter einem dicht gedrängten Rechteck wird eine Formation verstanden, bei der im allgemeinen in jedem
Koppelpunkt einer Reihe und einer Spalte ein Speicherelement vorhanden ist. Dabei können die
so Reihen und Spalten gegebenenfalls einen sich von 90°
unterscheidenden Winkel zueinander bilden. Es ist gegebenenfalls auch möglich, daß einige Koppelpunkte
unbesetzt sind, etwa dadurch, daß ein Speicherelement betriebsunfähig ist, oder dadurch, daß eine bestimmte
Reihe oder Spalte von Speicherelementen eine etwas andere Funktion hat, für die nicht alle Speicherelemente
jener Reihe oder Spalte erforderlich sind.
Ein solcher Speicher mit einem Störungsausgleich ist z. B. aus dem I.B.M. Technical Disclosure Bulletin, Band
Π, Nr. 9, Februar 1969, S. 1157 bekannt. Die Reihenselektionsdrähte liegen jeweils paarweise in
Reihen, so daß beim Anlegen eines Reihenselektionsstroms stets die Kerne von zwei Reihen selektiert
werden. Die beiden so in Reihe geschalteten Reihenselektionsdrähte verlaufen jeweils parallel zu einem Teil
von einem der beiden Lesedrähte. Die Erregung dieser beiden Reihenselektionsdrähte ist in bezug auf die
der Richtung zu den Anschlußklemmen des Verstärkers hin. Mit guter Annäherung sind die Störungen durch den
Reihenselektionsstrom im absoluten Wert gleich. Zum Auslesen werden ein Spaltenselektionsdraht und ein
Paar von Reihenselektionsdrähten gleichzeitig erregt Dies kann bedeuten, daß der Reihenselektionsstrom und
der Spaltenselektionsstrom in der Zeit gesehen denselben Verlauf haben, es ist jedoch nicht unbedingt
notwendig. Ebensowenig müssen sie genau gleich groß sein. Es genügt, daß sie beide während einiger Zeit
vorhanden sind. Von den beiden Magnetkernen an den Koppelpunkten wird der erste doppelt selektiert, weil
dafür der Reihenselektionsstrom und der Spaltenselektionsstrom gleichnamig sind, d. h. durch diese Selektionsströme
werden im Magnetkern gleichgerichtete Magnetfelder erzeugt Der zweite Kern im anderen
Koppelpunkt wird nicht selektiert, da für ihn die Selektionsströme ungleichnamig sind: die erzeugten
Magnetfelder haben entgegengesetzte Richtungen. Durch die Doppelselektion wird der Kern ausgelesen.
Die Magnetisierung wird in diejenige des Ruhezustands gebracht Das Signal am Lesedraht wird dadurch
beeinflußt, ob die Magnetisierung gegebenenfalls im Ruhezustand war oder nicht. Diese beiden Zustände
kann man beliebig als eine »1« oder als eine »0« definieren.
Der Nachteil eines derartigen Speichers ist, daß sich gegenseitig aufhebende Störungen am Eingang des
Signalaufnehmers (Differenzleseverstärker) durch den Aufbau des Speichers verschiedene Zeitven'.ögerun^en
erfahren, bevor sie beim Leseverstärker ankommen, wodurch eine dynamische Resterscheinung als Störung
übrigbleibt. Diese Zeitverzögerung wird durch die Längen der Lesedrähte zwischen der Stelle, an der die
Störung auftritt, und dem Leseverstärker bestimmt, insbesondere jedoch durch die auf den Abschnitt des
Lesedrahts gereihte Anzahl von Kernen.
Eine derartige Erscheinung tritt für die Störung durch den Spaltenselektionsdraht auf.
Diese Störung hat einen etwas anderen Charakter als die Störung durch den Reihenselektionsstrom. Letztere
hat einen größtenteils elektrostatischen Charakter, da ein Teil des Reihenselektionsdrahts beim Anlegen des
Selektionsstroms auf ein verändertes Potential gebracht wird. Die Störung durch den Spaltenselektionsstrom «
erfolgt zu einem beträchtlichen Teil dadurch, daß die Magnetkerne als Transformatoren wirken. Nun kann
man die Störungen durch den Spaltenselektionsstrom an einem Lesedraht ausgleichen, wenn man die richtige
Orientierung der Kerne in den Koppelpunkten wählt (links herum bzw. rechts herum), wodurch man
gleichsam den Wickelsinn der Windungen (Spaltenselektionsdraht bzw. Lesedraht) am Transformatoi-steg
(dem Magnetkern) umdrehen kann. Da jedoch beim bekannten Speicher die Laufzeit der Störungen entlang sr>
dem Lesedraht zur Eingangsklemme des Leseverstärkers unterschiedlich ist, wird wiederum eine dynamische
Resterscheinung übrig bleiben.
Nach der Erfindung ist eine Lösung möglich, und sie ist dadurch gekennzeichnet, daß die Längen der «>o
Lesedichte zwischen den Speicherelementen an den Koppelpunkten des so erregten Spaltenselektionsdrahts
und den beiden so erregten Reihenselektionsdrähten einerseits und den Anschlußklemmen des Leseverstärkers
andererseits in elektrischer Hinsicht nahezu gleich sind, und daß ferner ein .Spaltenselektionsdraht an
Paaren von zwei Koppelpunkten mit demselben
ungleichnamige Weise mit dem einen bzw. anderen der beiden Speicherelemente gekoppelt ist
Beim Zustandekommen der Erfindung wurde das obengenannte Problem erkannt und es wurde die
Lösung für dieses Problem geschaffen. Das Ausmaß, in dem die »Nahezu vollständige Gleichheit« verwirklicht
werden muß, hängt von der Störungsempfindlichkeit des Leseverstärkers und von anderen Anforderungen
ab, denen der Speicher genügen muß. 3ei einem sehr schnell wirkenden Speicher ist es vorteilhaft, die
»nahezu vollständige Gleichheit« zu verbersern. Im Gegensatz dazu ist in der zitierten Veröffentlichung
nicht einmal ein Anfang einer Verwirklichung für eine derartige Lösung angegeben.
Die dargestellte Schwierigkeit wird umso größer, je größer die Anzahl von Reihen und die Anzahl von
Kernen je Reihe ist
Eine bevorzugte Ausführungsformi der Erfindung ist
dadurch gekennzeichnet, daß die beiden Lesedrähte nahe ihren Mitten an die Anschlußklemmen des
Leseverstärkers angeschlossen sind. Die Laufzeit der Störungen hängt von der Länge des Lesedrahts und von
der Anzahl der darauf aufgereihten Kerne ab. Außerdem hängt die Laufzeit von der in den Kernen
gespeichert Information und von Änderungen in der Dicke des Lesedrahts ab. Dasselbe gilt für das
Lesesignal, das durch das Auslesen der gespeicherten Information entsteht Je kleiner die Anzahl von Kernen,
je besser, was mithin zu einer möglichst kurzen Länge des Lesedrahts führt Während es bereits bekannt war,
den Lesedraht in der Mitte an den Leseverstärker anzuschließen, wird im Rahmen der Erfindung ein
zusätzlicher Vorteil erreicht, da sich die Störungen in der Zeit gesehen besser ausgleichen. Die Änderung im
Informationsinhalt kann in bestimmten Fällen die Laufzeit zu 5—10% ändern. Durch Kurzhalten der
Länge wird auch diese Änderung kleiner. Bei einem derartigen Speicher wird Information in ein Speicherelement
eingeschrieben durch gleichnamige Erregung der ihm zugeordneten Selektionsdriihte mit zweiten
Selektionsströmen. Dabei ist eine vorteilhafte Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Sipeichers dadurch
gekennzeichnet, daß der zweite Spaltenselektionsstrom durch einen Sperrstrom in der dem Speicherelement
zugeordneten Hälfte eines Lesedrahts sperrbar ist, welche Hälfte mithin einem Viertel der Reihen
zugeordnet ist, welcher Sperrstrom ferner in bezug auf den zweiten Spaltenselektionsstrom den Speicherelementen
an den Koppelpunkten des betreffenden Spaltenselektionsdrahts und der genannten Hälfte auf
ungleichnamige Weise zugeordnet ist. Auf diese Weise kann die Selektion der der ersten Hälfte eines
Lesedrahts zugeordneten Kerne durch den Sperrstrom vermieden werden, während andererseits die zweite
Hälfte alle Möglichkeiten bietet, um die ihr zugeordneten Kerne derselben Spalte in bezug auf den
Spaltenselektionsstrom auf ungleichnamige Weise zu koppeln.
Eine bevorzugte Ausführungsform nach der Erfindung, bei der die Speicherelemente aus ringförmigen
Körpern gebildet sind, die an den genannten Koppelpurkten eine erste bzw. zweite Ausrichtung haben, ist
dadurch gekennzeichnet, daß die Lesedrähte sich abwechselnden Reihen zugeordnet sind, und daß die
Ausrichtung der ringförmigen Körper einer ungeraden Reihe entgegengesetzt zur Ausrichtung der ringförmigen
Körper der direkt darauffolgenden geradzahligen
j:r:
r» „;i :_* 1 _i_:_u
j *
Körper der direkt vorgehenden geradzahligen Reihe ist.
Auf diese Art und Weise wird ein regelmäßiger Aufbau erzielt, während sich die verschiedenen Ausrichtungen
durch das übliche Verdrahtungsverfahren einfach verwirklichen lassen.
Eine weitere bevorzugte Ausführungsform nach der Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß die Reihen
eine Anzahl von Gruppen derselben Anzahl aufeinanderfolgender Reihen bilden, welche Anzahl wenigstens
zwei ist, während die Ausrichtung der Speicherelemente aufeinanderfolgender Gruppen entgegengesetzt ist. Es
zeigt sich, daß das Aufreihen der ringförmigen Körper (Kerne) auf die Drähte leichter ist, wenn die Kerne von
aufeinanderfolgenden Reihen dieselbe Ausrichtung haben. Je weniger Wechsel zwischen aufeinanderfolgenden
Reihen, je leichter. Durch Aufbau der genannten Gruppen aus mehr als zwei Reihen wird die Anzahl von
Wechseln geringer.
Eine weitere bevorzugte Ausführungsform nach der Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß die Reihen in
zwei Gruppen eingeteilt sind, daß die Speicherelemente je Gruppe eine gleiche Ausrichtung haben und daß die
Gruppen zu beiden Seiten eines Trägers angeordnet sind. Einerseits möchte man die Anzahl von Wechseln
klein machen. Es zeigt sich, daß der Lesedraht ein unregelmäßigeres Muster erhält Wenn jedoch die
Reihen beidseitig eines Trägers in zwei Gruppen eingeteilt werden, kann wiederum eine einfache Lösung
geschaffen werden.
Die Erfindung wird anhand einiger Figuren beschrieben. F i g. 1 zeigt eine Darstellung eines Speichers nach
dem Stand der Technik. Die F i g. 2 bis 7 zeigen einige Ausführungsformen eines erfindungsgemäßen Speichers.
F i g. 1 zeigt einen Matrixspeicher entsprechend dem IBM Technical Disclosure Bulletin, Band 11, Nr. 9,
Februar 1969, Seite 1157, wobei der Deutlichkeit halber
die Anzahl von Speicherelementen (Ringkernen) auf 32 erhöht ist. Der Speicher enthält die Kerne CIl, C12,
C13, C14, C21 ... C24, C31... C84. Dahindurch sind
die Reihenselektionsdrähte gereiht, von denen jeweils zwei in Serie liegen. Die Reihenselektionsströme
werden durch die Generatoren DX, DZ, D5, Dl
geliefert, wodurch also stets zwei Reihen selektierbar sind. Die Spaltenselektionsströme werden durch die
Generatoren Ei... E A geliefert, wodurch stets eine
Spalte selektierbar ist Ferner sind zwei Lesedrähte S1
und S 2 und ein Leseverstärker SA vorhanden.
Die Matrix bildet einen Teil einer Reihe von Matrizen, in denen jeweils stets höchstens ein Bit eines
gespeicherten Worts speicherbar ist Angenommen wird, daß dieses Bit im Kern C13 gespeichert ist. Um
dieses Bit auslesen zu können, werden der Reihenselektionsdraht Xi und der Spaltenselektionsdraht Y 3
durch positive Ströme aus den Generatoren D1 bzw.
£3 erregt Die Stromrichtungen sind dabei zur Erde hin gerichtet So wird der Kern C13 selektiert da die
Ströme durch die Selektionsdrähte X1 und Y 3 in bezug
auf diesen Kern dieselbe Richtung haben. Der Kern C23 wird nicht selektiert, da die Ströme durch X2 und
YZ hindurch in bezug auf diesen Kern entgegengesetzt sind. Die Kerne CIl, C12, C14, C21, C22, C24, C33,
C43, C53, C63, C73 und C83 werden durch einen einzigen Strom halb selektiert und die übrigen
einundzwanzig Kerne nicht Durch die gleichnamigen Ströme wird C13 in den »Null«-Zustand magnetisiert
Wenn er sich vorher im »Eins«-Zustand befand, so ergibt dies ein Umschlagsignal am Lesedraht 51.
Andererseits entsteht ein Störsignal am Lesedraht 51
da der Draht X\ über eine geringe Strecke mit ihn zusammenläuft. Der Draht X2 läuft auf entsprechend!
Weise mit dem Lesedraht X2 zusammen, und an dieser
beiden Drähten entstehen dadurch Störungen mi derselben Größe und Richtung. Der Leseverstärker S/
wirkt als Differenzverstärker und diese beiden Störun gen werden voneinander abgezogen. Die Zeitverzöge
rung durch diese Störungen vor der Ankunft bei SA is
ίο jedoch verschieden, die Störung durch ΛΊ komm
schnell bei SA an, die Störung durch X 2 muß nahezi den ganzen Draht 52 durchlaufen. Durch dei
Zeitunterschied bleibt stets ein beträchtlicher Störungs rest übrig. Dasselbe gilt dann, wenn im vorstehendei
Fall eine Null gespeichert war. In dem Fall detektier der Leseverstärker das Fehlen eines Umschlagsignal!
was als Anzeige der gespeicherten Null gilt. Wem demgegenüber der Kern C23 ausgelesen wird, so mul
der Generaotr D1 einen Strom mit entgegengesetzte
Richtung erzeugen.
F i g. 2 zeigt einen Speicher nach der Erfindung. Dii
sich entsprechenden Elemente sind mit denselbei Bezugsziffern wie in F i g. 1 versehen. Der Speiche
enthält 128 Magnetkerne CIl... C18, C21... C2f
C31...C168, sechszehn Reihenselektionsdrähti
ΛΊ ... 16, acht Spaltenselektionsdrähte Yi ... YS m\
den jeweiligen Generatoren Fl... F16, G 1...GIi
E1... £8 und Li ...Li. Ferner sind zwei Lesedrähti
51,52 mit dem Leseverstärker SA, zwei Dioden Wun<
/ und vier Schreibverstärker Ki... KA mit dei
Abschlußwiderständen Rl ...RA vorhanden. Der Ein
fachheit halber ist nur ein Teil der Kerne dargestellt um mit einer Angabe versehen.
Angenommen der Kern C17 wird ausgelesen. Dii
Generatoren Fl und Gl erregen den Reihenselek tionsdraht Xi und die Generatoren El und Ll dei
Spaltenselektionsdraht Yl, so daß die Ströme den
Magnetkern C17 gleichnamig zugeordnet sind. Gleich
zeitig erregen die Generatoren F2 und G 2 .der Reihenselektionsdraht X 2 in derselben Richtung
mithin etwa so. daß der Strom von F2 nach G 2 fließt Durch die andere Ausrichtung des Kerns C27 gleicher
sich die beiden erzeugten Ströme aus, so daß nich; ausgelesen wird. Ferner ist die Verzögerungszeit dei
beiden Störungen durch die Erregung der Reihenselektionsdrähte für beide Lesedrähte 51 und 52 gleich, d£
stets drei Reihen von Kernen zwischen der ersten unc zweiten Reihe und den Anschlußpunkten des Leseverstärkers
SA geschaltet sind. Es tritt eine zweite Störungsquelle hinzu, da die Kerne an den Koppelpunkten
zwischen dem Spaltenselektionsdraht Yl und der Lesedrähten als Transformatoren wirken. Angenommen
sei, daß die Erregung von Yl derart ist daß dei
Strom von El nach L1 geht Der erzeugte Gegenstrorr
ist dadurch beim Kern C17 nach links gerichtet beirr
Kern C37 nach rechts usw. Ebenso ist beim Kern C15i der erzeugte Strom nach rechts gerichtet Die Störung
durch die Kerne C17 und C157 ist in bezug auf der
Leseverstärker antisymmetrisch. Die Verzögerungszeiten sind gleich, so daß sie sich aufheben. Dies gilt ebensc
für die Störungen durch die Kerne C37 und C137, usw
Beim Lesen des Kerns C27 werden die Reihenselektionsdrähte Xi und X2 durch Ströme in denjenigen
Richtungen erregt die entgegengesetzt sind zu denen die zum Auslesen des Kerns C17 notwendig sind. Die
Gleichheit der Verzögerungszeiten gilt nicht vollständig, sondern wird, wie bereits erwähnt durch die
Information in den zu durchlaufenden Kernen beein-
flußt. Diese Anzahl von Kernen ist nun jedenfalls gleich.
Beim Einschreiben von Information in einen Kern wird dieser wiederum durch zwei zusammenfallende
Ströme selektiert, die entgegengesetzt zu den beim Auslesen verwendeten Strömen gerichtet sind. Hierbei 5
muß jedoch nur ein Reihenselektionsdraht erregt werden, da die Störungen in diesem Fall unwesentlich
sind. Wenn eine »Null« eingeschrieben wird, so wird außerdem durch den zugehörigen Schreibverstärker
(für Kern C17 ist dies der Schreibverstärker K 1) ein
Sperrstrom erzeugt, wodurch den Reihen- und Spaltenerregungen entgegengewirkt wird. So bleibt der
Kern im »ausgelesenen Zustand«, der hier als »Null« definiert wird. Der Abschlußwiderstand, etwa R 1, dient
zur Beseitigung unerwünschter Reflexionen, die Dioden, etwa //, dienen dazu, den hohen Sperrstrom von den
Leseverstärkern SA entfernt zu halten. Der Sperrstrom fließt über diese Diode zur Erde. Der Schreibverstärker
K 1 erzeugt mithin einen Sperrstrom in der Hälfte eines Lesedrahts. Dieser ist an den Koppelpunkten mit dem
erregten Spaltenselektionsdraht stets ungleichnamig in bezug auf den in diesem Spaltenselektionsdraht
erzeugten Spaltenselektionsstrom. Wenn also der Kern C17 eingeschrieben wird, so gilt dieses letztere für die
Kerne C37, C57 und C77.
F i g. 3 zeigt eine andere Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Speichermatrix. Außer durch die
Anzahl von Speicherelementen unterscheidet sich diese im Vergleich zu F i g. 2 darin, daß der Lesedraht 52 und
die damit verbundenen Kerne in bezug auf F i g. 2 links/rechts gespiegelt sind, was damit auch für die
Stromrichtuiigen in den Reihenselektionsdrähten und im Lesedraht 52 gilt. Die Störung durch die
Transformatorwirkung der Magnetkerne unter Einfluß des Spaltenselektionsstroms hat nun kleine Unterschiede
in der Zeitverzögerung, nämlich höchstens derjenigen Zeit, die zum Durchlaufen einer Reihe erforderlich
ist. Dieser Effekt ist jedoch von der Anzahl von Reihen unabhängig, und er wird für sehr große Speicher kaum
schwerwiegend sein. Die Dioden //und /sind hier nicht
dargestellt.
F i g. 4 zeigt wiederum eine andere Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Speichers. Der Einfachheit
halber sind die Reihenselektionsdrähte ebenso wie die Abschlußwiderstände, die Generatoren und die Schreibverstärker
nicht dargestellt Die Reihen von Elementen bilden Dreiergruppen mit jeweils derselben Ausrichtung.
So entsteht die Reihenfolge
1-3-3-3-3-3-4-3-3-3-3-3-1. χ
An den Enden und in der Mitte treten Abweichungen von der Regel auf. Zum Auslesen von Kernen werden
stets zwei Reihenselektionsdrähte in derselben Richtung erregt, und zwar in den folgenden Kombinationen:
XlundX2
A-4undX6
wonach sich dasselbe Muster wiederholt. Für die Reihen 19... 36 ist die Reihenfolge umgekehrt.
F i g. 5 zeigt einen Fall wie F i g. 4, jetzt jedoch mit einem 2-4-4-... 4-4-2 Muster. Die Gruppen bestehen
nun stets aus vier Reihen, außer an den Enden. Zum Auslesen der Kerne werden nun jeweils zwei Reihenselektionsdrähte
in derselben Richtung erregt und zwar in den Kombinationen:
V^ ,.-*-J V Λ
S\ A Ul IU S\ T
AT5undA"7
A"6und,Y8,usw.
A"6und,Y8,usw.
F i g. 6 zeigt einen Fall, bei dem nur noch zwei Gruppen von Reihen bestehen, die je die Hälfte der
Reihen enthalten. Zum Auslesen der Kerne werden wiederum stets zwei Reihenselektionsdrähte in derselben
Richtung erregt, und zwar in den folgenden Kombinationen:
XX undX16
* 2 und-Y15
X 3 und X14, usw.
* 2 und-Y15
X 3 und X14, usw.
Es zeigt sich nun, daß die Verbindungen der Lesedrähte zwischen den Reihen sehr lang werden. Dies
wird vermieden, wenn der Speicher nach F i g. 6 in eine obere und eine untere Hälfte geteilt wird und wenn die
untere Hälfte umgeklappt wird. Nun ist es möglich, einen Träger der halben Größe zu verwenden und
diesen an beiden Seiten mit Speicherelementen zu versehen. Dies ist in Fig.7 schematisch dargestellt
Durch das Umklappen haben nun alle Elemente der oberen Hälfte (in der Zeichnung links) und der unteren
Hälfte (in der Zeichnung rechts) dieselbe Ausrichtung. Die beiden Hälften sind beide in Draufsicht dargestellt
Die Verbindung zwischen der Reihe ! (Reihenselektionsdraht Xi) und der Reihe 15 (Reihenselektionsdraht
ΛΊ5) läuft über den Kontakt //12, der eine Weiterverbindung
durch den Träger ergibt Die Verbindungen der betreffenden Hälfte sind in der Zeichnung mit
durchgezogenen Linien dargestellt die der anderen Hälfte gestrichelt die Verbindungen von H12 mit X1
bzw. X15. Es leuchtet ein, daß die Lesedrähte nun sehr
kurz und mithin leicht zu montieren sind.
Es leuchtet ein, daß die Verwendung anderer Speicherelemente in der Erfindung einbegriffen ist Statt
Ringkerne können etwa nadeiförmige Elemente oder BIAX-Elemente verwendet werden.
Claims (6)
1. Speicher mit in einem dicht gedrängten Rechteck in Reihen und Spalten angeordneten
magnetischen Speicherelementen, die mit einem Reihenseiektionsdraht je Reihe und einem Spaltenselektionsdraht
je Spalte und zwei jeweils einer Hälfte der Reihen zugeordneten und jeweils an
einen der beiden Eingänge eines Differentialleseverstärker führenden Lesedrähte versehen iind, wobei
die Information eines Speicherelements durch gleichzeitige gleichnamige Erregung des dem
Speicherelement zugeordneten Reihen- und Spaltenselektionsdrahts mit Selektionsströmen auslesbar
ist, und wobei die Störung durch einen ersten Reihenselektionsstrom in einem Reihenseletctionsdraht
in einem jener Reihe zugeordneten ersten Lesedraht durch gleichzeitige Erregung eines
zweiten Reihenselektionsdrahts ausgleichbar ist, welche letztere Erregung ungleichnamig ist in bezug
auf die Spaltenselektionsstrom hinsichtlich eines Speicherelements am Koppelpunkt und gleichgerichtet
in bezug auf den der Reihe zugeordneten zweiten Lesedraht, ebenso wie der erste Reihenselektionsstrom
in bezug auf den ersten Lesedraht, dadurch gekennzeichnet, daß die Längen der Lesedrähte zwischen den Speicherelementen an
den Koppelpunkten des so erregten Spaltenselektionsdrahts und den beiden so erregten Reihenselektionsdrähten
einerseits und den Anschlußklemmen des Leseverstärkers andererseits in elektrischer
Hinsicht nahezu gleich sind, und daß ferner ein Spaltenselektionsdraht an Paaren von zwei Koppelpunkten
(C17 und C157, C37 und C137) mit demselben Lesedraht einmal auf gleichnamige und
einmal auf ungleichnamige Weise mit dem einen bzw. anderen der beiden Speicherelemente gekoppelt
ist.
2. Speicher nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden Lesedrähte nahe ihren
Mitten an die Anschlußklemmen des Leseverstärkers angeschlossen sind.
3. Speicher nach Anspruch 1, bei dem die Information durch gleichnamige Erregung der dem
Speicherelement zugeordneten Selektionsdrähte mit zweiten Selektionsströmen in ein Speicherelement
einschreibbar ist, dadurch gekennzeichnet, daß der zweite Spaltenselektionsstrom durch einen
Sperrstrom in der dem Speicherelement zugeordneten Hälften eines Lesedrahts sperrbar ist, welche
Hälfte mithin einem Viertel der Reihen zugeordnet ist, welcher Sperrstrom ferner auch in bezug auf den
zweiten Spaltenselektionsstrom auf ungleichnamige Weise den Speicherelementen an den Koppelpunkten
des betreffenden Spaltenselektionsdrahts und der genannten Hälfte zugeordnet ist.
4. Speicher nach Anspruch 1,2 oder 3, bei dem die Speicherelemente aus ringförmigen Körpern gebildet
sind, die an den genannten Koppelpunkten eine erste bzw. zweite Ausrichtung haben, dadurch
gekennzeichnet, daß die Lesedrähte sich abwechselnden Reihen zugeordnet sind, und daß die
Ausrichtung der ringförmigen Körper einer ungeraden Reihe entgegengesetzt zur Ausrichtung der
ringförmigen Körper der direkt darauffolgenden geradzahligen Reihe ist und gleich der Ausrichtung
der ringförmigen Körper der direkt vorgehenden
geradzahligen Reihe ist.
5. Speicher nach Anspruch !,2 oder 3, bei dem die Speicherelemente aus ringförmigen Körpern aufgebaut
sind, die an den genannten Koppelpunkten eine erste bzw. zweite Ausrichtung haben können,
dadurch gekennzeichnet, daß die Reihen eine Anzahl von Gruppen derselben Anzahl aufeinanderfolgender
Reihen bilden, welche Anzahl wenigstens zwei ist, während die Ausrichtung der Speicherelemente
aufeinanderfolgender Gruppen entgegengesetzt ist.
6. Speicher nach Anspruch 1,2 oder 3, bei dem die Speicherkörper aus ringförmigen Körpern aufgebaut
sind, die an den genannten Koppelpunkten eine erste bzw. zweite Ausrichtung haben können,
dadurch gekennzeichnet, daß die Reihen in zwei Gruppen eingeteilt sind, daß die Speicherelemente
je Gruppe eine gleiche Ausrichtung haben und daß die Gruppen zu beiden Seiten eines Trägers
angeordnet sind.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL7116619A NL7116619A (de) | 1971-12-03 | 1971-12-03 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE2257842A1 DE2257842A1 (de) | 1973-06-07 |
| DE2257842B2 true DE2257842B2 (de) | 1979-04-26 |
| DE2257842C3 DE2257842C3 (de) | 1979-12-20 |
Family
ID=19814611
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE2257842A Expired DE2257842C3 (de) | 1971-12-03 | 1972-11-25 | Matrixspeicher mit Störungsausgleich |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US3824569A (de) |
| JP (1) | JPS5329261B2 (de) |
| DE (1) | DE2257842C3 (de) |
| FR (1) | FR2162096B1 (de) |
| GB (1) | GB1410608A (de) |
| NL (1) | NL7116619A (de) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3982233A (en) * | 1974-02-19 | 1976-09-21 | Ampex Corporation | Core memory with improved sense-inhibit recovery time |
| US4532610A (en) * | 1981-07-16 | 1985-07-30 | Ampex Corporation | Low noise core memory sense winding |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1050616A (de) * | 1963-06-05 | |||
| US3319233A (en) * | 1963-06-05 | 1967-05-09 | Rca Corp | Midpoint conductor drive and sense in a magnetic memory |
| US3404387A (en) * | 1964-10-16 | 1968-10-01 | Rca Corp | Memory system having improved electrical termination of conductors |
| US3465313A (en) * | 1966-04-01 | 1969-09-02 | Sperry Rand Corp | Bit-organized sense line arrangement |
-
1971
- 1971-12-03 NL NL7116619A patent/NL7116619A/xx not_active Application Discontinuation
-
1972
- 1972-11-25 DE DE2257842A patent/DE2257842C3/de not_active Expired
- 1972-11-30 GB GB5534172A patent/GB1410608A/en not_active Expired
- 1972-11-30 FR FR727242586A patent/FR2162096B1/fr not_active Expired
- 1972-12-01 JP JP11997172A patent/JPS5329261B2/ja not_active Expired
- 1972-12-01 US US00311445A patent/US3824569A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2162096A1 (de) | 1973-07-13 |
| JPS4865856A (de) | 1973-09-10 |
| US3824569A (en) | 1974-07-16 |
| DE2257842A1 (de) | 1973-06-07 |
| JPS5329261B2 (de) | 1978-08-19 |
| FR2162096B1 (de) | 1979-02-09 |
| DE2257842C3 (de) | 1979-12-20 |
| NL7116619A (de) | 1973-06-05 |
| GB1410608A (en) | 1975-10-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE1041535B (de) | Magnetische Speicherkernmatrix mit einer Vielzahl von magnetischen Speicherkernen | |
| DE1186904B (de) | Einrichtung zur Umsteuerung eines magnetischen Materials mit rechteckiger Hysteresisschleife | |
| DE1135037B (de) | Magnetisches Speicherelement | |
| DE1041530B (de) | Schaltungsanordnung zur Herstellung einer zweiseitig gerichteten Verbindung zur UEbertragung von Signalen oder Nachrichten zwischen zwei Stromkreisen | |
| DE1034689B (de) | Magnetische Speicherschaltung mit einer Platte aus magnetischem Material | |
| DE1133927B (de) | Magnetischer Festspeicher | |
| DE1449806C3 (de) | Matrixspeicher | |
| DE2257842C3 (de) | Matrixspeicher mit Störungsausgleich | |
| DE1014166B (de) | Magnetische Schaltvorrichtung | |
| DE1197929C2 (de) | Halbfestwertspeicher | |
| DE1200362B (de) | Schaltungsanordnung zur Auswahl eines Verbrauchers | |
| DE1285000B (de) | Schaltungsanordnung zum Abfuehlen von magnetischen Speicherelementen | |
| DE1174836C2 (de) | Magnetischer festwertspeicher | |
| DE2645879C2 (de) | Schaltmatrix für einen räumlichen Konzentrator | |
| DE1186107B (de) | Magnetspeicher mit mindestens einer Platte aus einem magnetisierbaren Material | |
| DE1222981B (de) | Einrichtung zur Steuerung mehrerer Schreib- bzw. Leseorgane eines magnetischen Speichers | |
| DE1213482B (de) | Auf einen hohen oder niedrigen Wert umschaltbarer induktiver Blindwiderstand | |
| DE1292197B (de) | Informationsspeicherschaltung mit Drahtspeicherelementen | |
| DE1474462B2 (de) | Kryoelektriecher Speicher | |
| DE1082342B (de) | Transformatorwicklung | |
| DE2733369C2 (de) | Anordnung zum Verschieben von magnetischen Einzelwanddomänen (Magnetblasen) | |
| DE1574763C (de) | Speichermatnx aus magnetischen Kern elementen | |
| AT209600B (de) | Schaltungsanordnung mit einem Speicherelement | |
| AT234781B (de) | Wegesuche und Auswahl von freien Verbindungswegen in einem beliebig viele Koppelstufen aufweisenden Feld von Koppelpunkten | |
| DE1474352C (de) | Matrixspeicher |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| OD | Request for examination | ||
| C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
| 8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |