DE1176708B - Schaltungsanordnung fuer Fernsprech-vermittlungsstellen mit Halbleiter-Dioden, die in einem Sprechstrom-UEbertragungsweg angeordnet sind - Google Patents

Schaltungsanordnung fuer Fernsprech-vermittlungsstellen mit Halbleiter-Dioden, die in einem Sprechstrom-UEbertragungsweg angeordnet sind

Info

Publication number
DE1176708B
DE1176708B DEA38269A DEA0038269A DE1176708B DE 1176708 B DE1176708 B DE 1176708B DE A38269 A DEA38269 A DE A38269A DE A0038269 A DEA0038269 A DE A0038269A DE 1176708 B DE1176708 B DE 1176708B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
current
path
voltage
diode
transmission path
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DEA38269A
Other languages
English (en)
Inventor
Harold James Stirling
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Associated Electrical Industries Ltd
Original Assignee
Associated Electrical Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Associated Electrical Industries Ltd filed Critical Associated Electrical Industries Ltd
Publication of DE1176708B publication Critical patent/DE1176708B/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/72Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices having more than two PN junctions; having more than three electrodes; having more than one electrode connected to the same conductivity region
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/70Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices having only two electrodes and exhibiting negative resistance
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04QSELECTING
    • H04Q3/00Selecting arrangements
    • H04Q3/42Circuit arrangements for indirect selecting controlled by common circuits, e.g. register controller, marker
    • H04Q3/52Circuit arrangements for indirect selecting controlled by common circuits, e.g. register controller, marker using static devices in switching stages, e.g. electronic switching arrangements
    • H04Q3/521Circuit arrangements for indirect selecting controlled by common circuits, e.g. register controller, marker using static devices in switching stages, e.g. electronic switching arrangements using semiconductors in the switching stages

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Rectifiers (AREA)
  • Interface Circuits In Exchanges (AREA)

Description

BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND
DEUTSCHES
PATENTAMT
AUSLEGESCHRIFT
Internat. Kl.: H 03 k
Deutsche Kl.: 21 al -36/18
Nummer: 1176 708;
Aktenzeichen: A 38269 VIII a / 21 al
Anmeldetag: 6. September 1961
Auslegetag: 27. August 1964
Die Erfindung bezieht sich auf Schaltungsanordnungen, bei welchen als statische Schaltelemente Halbleiterschaltelemente verwendet werden, die durch eine geeignete Schaltspannung aus einem bestimmten »Aus«- oder Hochimpedanzzustand in einen bestimmten »Ein«- oder Niederimpedanzzustand umzuschalten sind, in welchem sie daraufhin dadurch gehalten werden, daß durch sie ein Haltestrom von einem größeren als einem festliegenden Mindestwert — im nachfolgenden »Haltestromwert« genannt — geschickt wird, wobei die Umwandlung oder Umschaltung in den Hochimpedanzzustand stattfindet, unmittelbar nachdem der Wert des Steuerstromes unter einen festliegenden Mindeststromwert abgefallen ist. Solche Schaltelemente sollen nachstehend als »solche der vorerwähnten Gattung« bezeichnet werden.
Eine der Ausführungsformen der Halbleiterschaltelemente dieser Gattung ist die Vierzonen-Halbleiterdiode, welche eine Zweielektroden-Halbleitereinrichtung ist, die die vorstehenden Charakteristiken aufweist und aus einem Hochimpedanzzustand in einen Niederimpedanzzustand zwischen seinen Elektroden dadurch gebracht werden kann, daß eine geeignete Schaltspannung an sie angelegt wird. Eine andere Ausführungsform ist die sogenannte Schalt-Diode oder gesteuerte Diode, welche eine Dreielektroden-Einrichtung ist, die eine Kollektor-, eine Emitter- und eine Basiselektrode aufweist und die, da sie die obigen Charakteristiken gleichfalls aufweist, aus einem Hochimpedanzzustand in einen Niederimpedanzzustand zwischen ihrer Kollektor- und ihrer Emitterelektrode dadurch gebracht werden kann, daß eine Schaltspannung zwischen Emitter- und Basiselektrode angeschaltet wird, wobei Haltestrom durch sie hindurch zwischen Emitter- und Kollektorelektrode hindurchgeschickt wird.
Diese Charakteristiken eines Halbleiterschaltelementes der vorerwähnten Gattung eignen sich hervorragend für die Verwendung als statisches Schaltelement, welches zwischen zwei Leitern, die es verbindet, je nach seinem Schaltzustand entweder eine hohe »Aus«-Impedanz oder eine niedrige »Ein«-Impedanz in bezug auf die Übermittlung eines Wechselspannungsfernmeldestromes (beispielsweise von Sprechströmen) zwischen diesen beiden Leitern hervorruft. Beispielsweise können solche Halbleiterdioden in dieser Weise als Kreuzpunkt-Schalteinrichtungen in Koordinatenschaltanordnungen zur Verwendung in Fernsprechvermittlungsanlagen verwendet werden. Jedoch überlagern sich Wechselspannungsfernmeldeströme, welche durch jede dieser Schaltungsanordnung für Fernsprechvermittlungsstellen mit Halbleiter-Dioden, die in einem Sprechstrom-Übertragungsweg angeordnet sind
Anmelder:
Associated Electrical Industries Limited, London
Vertreter:
Dipl.-Ing. E. Schubert, Patentanwalt, Siegen, Eisernerstr. 227
Als Erfinder benannt:
Harold James Stirling, Orpington (Großbritannien)
Beanspruchte Priorität:
Großbritannien vom 7. September 1960 (30 831), vom 27. April 1961 (15 290) - -
Ausführungsformen von Halbleiterdioden im Niederimpedanzzustand fließen, mit dem Vorspannungsgleichstrom, der ebenfalls durch die Diode hindurchfließt, wodurch sich ein resultierender Strom ergibt, der in jedem Zustand größer oder kleiner als der Vorspannungsgleichstrom sein kann, und zwar je nachdem, ob der momentane Wechselspannungsfernmeldestrom von der gleichen Polarität oder der entgegengesetzten Polarität, bezogen auf den Vorspannungsgleichstrom, ist. Daher wird es notwendig, die Größe des Vorspannungsgleichstromes und/oder der Wechselspannungsfernmeldeströme in solcher Weise zu steuern oder einzuregeln, daß sichergestellt wird, daß dann, wenn der momentane Wechselspannungsfernmeldestrom von entgegengesetzter Polarität als der Vorspannungsgleichstrom ist, der resultierende Strom durch die Diode hindurch nicht unter den Diodenhaltestromwert abfällt, weil dann, wenn dies geschieht, die Diode in ihren Hochimpedanzzustand umkippt, wodurch die Wechselstromübertragung blockiert wird.
Die Erfindung geht aus von einer Schaltungsanordnung für Fernsprechvermittlungsstellen, mit Halbleiterdioden, die in einem Sprechstrom-Übertragungsweg angeordnet sind, und ist dadurch gekennzeichnet, daß ein Vorspannungsstromkreis für
409 658/396
3 4
die Halbleiterschaltdiode vorgesehen ist, wobei ein fernmeldeströme in der gleichen Richtung durch
Gleichrichter im Übertragungsweg zwischen zwei eine Halbleiter- (Dreieranschluß) Trigger-Diode Punkten angeordnet ist, der selbst zwischen der fließen,
Halbleiter-Schaltdiode und einer Anschlußstelle liegt, Fig. 3 drei Alternativ-Steuerkreiselemente, welche über welche der Übertragungsweg Sprechströme er- 5 sich für die Verwendung in der Schaltungsanordnung hält, daß zwei Vorspannungsstromwege an die vor- entweder nach Fig. 1 oder nach Fig. 2 für die Begenannten Punkte angeschlossen sind, daß durch den grenzung der Größe von Wechselspannungsfern-Vorspannungskreis über dem Stromweg, der am meldeströmen eignen, die in der anderen Richtung nächsten mit der Halbleiter-Schaltdiode im Über- übermittelt werden,
tragungsweg verbunden ist, ein erster Strom mit einer io F i g. 4 eine praktisch brauchbare Schaltungs-Stromstärke, die zumindest gleich der Größe des für anordnung gemäß der Erfindung, bei welcher HaIbdie Diode benötigten Haltestroms ist, geliefert wird, leiter- (Dreieranschluß) Dioden verwendet werden,
während über den zweiten Stromweg ein Überschuß- Fig. 5 eine praktisch brauchbare Schaltungsstrom geliefert wird, der sich zum Überlagern des- anordnung gemäß der Erfindung, bei welcher HaIbselben mit den empfangenen Sprechströmen eignet 15 leiter-(Dreieranschluß) Trigger-Dioden zur Anwen- und von solcher Größe ist, daß dann, wenn ein dung kommen, während
momentaner Sprechstrom von entgegengesetzter Po- F i g. 6 eine mögliche und verbesserte Ausfüh-
larität zum Überschußstrom und größer als eine vor- rungsform für die Schaltungsanordnung entweder
bestimmte Höchstgröße ist, der Gleichrichter ent- nach F i g. 4 oder nach F i g. 5 veranschaulicht,
gegengesetzt vorgespannt wird. 20 Wie sich aus F i g. 1 ergibt, ist eine Vierzonen-
Somit kann beim Vorspannungssteuerkreis gemäß Halbleiter-Diode D, von welcher angenommen werder Erfindung der Vorspannungsgleichstrom in der den soll, sie sei im Niederimpedanzzustand, in einen Halbleiterdiode aus zwei gesonderten Strömen be- Übertragungsweg (Sprechstromweg) ρ angeschaltet, stehend angesehen werden, wobei derjenige Strom, welcher von Erde nach einem Eingangsanschluß it der über den Stromverbindungsweg übermittelt wird, 25 führt. Die Diode D ist dadurch in den Niederimpeder Halbleiterdiode am nächsten angeschaltet ist, der danzzustand geschaltet worden, daß an sie eine geeffektive Haltestrom ist, während der Überschuß- eignete Schaltspannung angelegt wurde, welche aus strom, der über den anderen Stromverbindungsweg einer positiven Impulsspannung besteht, die an einen übermittelt wird, in Verbindung mit dem Gleichrich- Anschluß ts 1 angelegt wurde, und zwar in Zusamter für die Begrenzung der Größe der empfangenen 30 menwirkung mit einer negativgerichteten Impuls-Wechselspannungsfernmeldeströme dient, welche von spannung, die an einen anderen Anschluß is 1' wähentgegengesetzter Polarität zu diesem sind. Durch rend der Dauer der positivgerichteten Pulsspannung Auswahl bzw. Bemessung der Steuerkreisparameter angelegt wurde. Im Übertragungsweg ρ liegt in Reihe sind die Gleichrichter bei Fehlen von Wechsel- mit der Diode D eine Steuerschaltung (durch das spannungsfernmeldeströmen, normalerweise vorwärts 35 Viereck U veranschaulicht) für den Empfang von vorgespannt und daher fließen sowohl der Über- Sprechströmen, welche nach dem Eingangsanschluß it schußstrom als auch der Haltestrom durch die Halb- übermittelt werden. Außerdem liegen im Übertraleiterschaltelektrode hindurch. Die Gleichrichter sind gungsweg p, und zwar zwischen der Diode D und auch immer noch dann vorwärts vorgespannt, wenn dem Eingangsschluß it, ein Gleichrichter Rf sowie Wechselspannungsfemmeldeströme von kleinerer als 40 ein Kondensator Cs. Der Gleichrichter Rf bildet zueiner vorbestimmten Größe am Übertragungsweg sammen mit einem ersten Stromverbindungsweg c 1, empfangen werden (wobei diese Wechselspannungs- der aus einer Reihenschaltung einer Drossel Ll, ströme der Wirkung nach dem Überschußstrom eines Widerstandes RsI und eines Gleichrichters modulieren); falls jedoch ein momentaner Wechsel- RfI besteht, und einem zweiten Stromverbindungsspannungsfernmeldestrom empfangen wird, welcher 45 weg el, der aus einer Reihenschaltung einer Drossel größer als der vorbestimmte Größenwert und von Ll mit einem Widerstand Rs2 besteht, einen Vorentgegengesetzter Polarität zum Überschußstrom ist, spannungskreis gemäß der Erfindung. Die Stromdann hat die sich daraus ergebende Übermodulation Verbindungswege el und d sind an den Überdes Überschußstromes in dem Gleichrichter zur tragungsweg ρ jeweils an Punkten α und b angeschal-Folge, daß dieser rückwärts vorgespannt wird. Da- 50 tet und übermitteln gesonderte Ströme Ih und Ie durch wird verhindert, daß der volle Größenwert nach dem Verbindungsweg ρ aus einer Spannungseines solchen momentanen Wechselspannungsfern- quelle + Vm, welche in den Steuerkreis mittels eines meldestromes die Halbleiterschaltdiode erreicht, so- Arbeitskontaktes er eingeschaltet wird, wenn der wie der Möglichkeit entgegengewirkt wird, daß der Verbindungsweg über den Gleichrichter Rf hergestellt Strom durch die letztere hindurch auf einen Wert 55 werden soll,
unterhalb des Haltestromwertes abfällt. Der Gleichrichter RfI verhindert, daß der positive
Die Erfindung wird nunmehr an Hand der sie Impuls, der an den Anschluß tsl angelegt wird,
beispielsweise wiedergebenden Zeichnung ausführ- durch die Stromquelle 4- Vm kurzgeschlossen wird,
licher erläutert, und zwar zeigt während der Gleichrichter RfV verhindert, daß der
Fig. 1 eine einfache Schaltungsanordnung mit 60 negative Impuls, der nach dem Anschluß tsV über-
einem Vorspannungssteuerkreis gemäß der Erfin- mittelt wird, über Erde kurzgeschlossen wird. Die
dung, welcher dafür eingerichtet ist, daß Wechsel- Werte von L1 und Rs 1 sind derart gewählt, daß der
spannungsfernmeldeströme in der einen Richtung Strom Ih wenigstens den Haltestromwert für die
durch eine Halbleiter-(Zweieranschluß)Diode hin- Diode D hat, während die Werte von Ll und RsI
durchfließen. 65 so gewählt sind, daß der Strom Ie einen solchen
Fig. 2 eine einfache Schaltungsanordnung mit Wert hat, daß er sich für eine Überlagerung durch
einem Vorspannungssteuerkreis gemäß der Erfin- Wechselspannungsfemmeldeströme eignet, die nach
dung, welche es ermöglicht, daß Wechselspannungs- dem Eingangsschluß it übertragen werden sollen.
5 6
Beim Fehlen von Wechselspannungssignalen ist spannung begrenzt, welche durch die Wechseldas Potential am Punkt α weniger positiv als das Spannungssignale, die von et nach it übertragen wer-Potential am Punkt b, und zwar infolge der Ströme den, erzeugt wird.
lh und Ie, so daß der Gleichrichter Rf vorwärts vor- Der in F i g. 3 (b) gezeigte Steuerkreis ist dem in
gespannt ist, und daher fließt ein Vorspannungs- 5 Fig. 3(ö) gezeigten ähnlich, wobei der einzige strom Ib gleich Ih+Ie im Verbindungsweg ρ und Unterschied darin besteht, daß zwei Gleichrichter durch die Diode D, um dadurch die letztere in Rf2 und Rf3 zur Begrenzung der Wechselspannung ihrem Niederimpedanzzustand zu halten. Wenn an Stelle der Doppel-Zenerdiode ZD vorgesehen Sprechwechselströme am Eingangsanschluß it emp- sind. Diese Gleichrichter sind mit den Schwellfangen werden, so bewirkt die sich daraus ergebende io spannungen + Vb bzw. — Vb verbunden, und daher Überlagerung mit dem Strom Ie, daß sich das Poten- wird, wenn ein Wechselspannungssignal die Schwelltial am Punkt b ändert. Wenn ein Signalwechselstrom spannung Vb übersteigt, der jeweils in Betracht empfangen wird, welcher eine momentane Größe kommende Gleichrichter Rf 2 bzw. Rf 3 — entspre- und Polarität solcher Art hat, daß dadurch das chend der Polarität der Wechselspannung — vorPotential am Punkt b stärker negativ als das Poten- 15 wärts vorgespannt, wodurch das Wechselspannungstial am Punkt« wird, dann wird der GleichrichterRf signal +Vb oder -Vb begrenzt wird. Es ist natürin Sperrichtung vorgespannt. Zu diesem Zeitpunkt Hch ohne weiteres einzusehen, daß durch den Vorwird der Vorspannungsstrom Ib auf den Wert Ih spannungskreis, wie er in F i g. 1 und 2 verwendet vermindert, der immer noch genügend groß ist, um wird, eine Stromkopplung der Wechselspannungsdie Diode D im Niederimpedanzzustand zu halten. 20 signale bewirkt wird, während durch die in den Bei dem Vorspannungssteuerkreis gemäß der Erfin- Fig. 3(α) und 3(b) gezeigten Steuerkreise eine dung erhält die Diode D daher stets einen aus- Spannungskopplung erreicht wird, reichenden Haltestrom, und zwar unabhängig von Wie in F i g. 3 (c) gezeigt, kann der Steuerkreis U
der Größe der Sprechströme, die am Eingangs- einen Stromkopplungsvorspannungskreis aufweisen, anschluß it empfangen werden. 25 welcher ähnlich dem in den F i g. 1 und 2 ge-
Die in F i g. 2 gezeigte Schaltanordnung ist der in zeigten ist.
Fig. 1 gezeigten Anordnung ähnlich. Sie unter- Bei dem besonders brauchbaren Steuerkreis gescheidet sich nur dadurch, daß an Stelle der Diode D maß der Erfindung, wie er in F i g. 4 gezeigt ist, sind ein Schalttransistor CD verwendet wird. Die überein- zwei Endsteuerkreise LCl und LC 2, welche zum stimmenden Teile dieser zwei Figuren haben die 30 Weiterleiten von Informationswechselströmen gegleichen Bezugszeichen. Der in F i g. 2 gezeigte eignet sind, über einen Verbindungsweg ρ (durch Schalttransistor CD ist mit seiner Emitter-Kollektor- starke Linien angedeutet) verbunden, welcher durch Strecke an die Übertragungsleitung ρ angeschaltet, zwei Kreuzpunkt - Koordinaten - Sehaltanordnungen und der durch diesen Transistor CD nach dem 51 und S2 und einen zwischengeschalteten Vor-Steuerkreis U fließende Strom wird durch den Vor- 35 spannungssteuerkreis BC gebildet wird. Zur Verspannungssteuerkreis in genau der gleichen Weise, einfachung sind in der Schaltungsanordnung Sl nur wie vorher für die Diode D in F i g. 1 beschrieben zwei Leiter X und XX von einer der beiden in Beist, gesteuert. Von dem Schalttransistor CD sei an- tracht kommenden Koordinatenleitergruppen und genommen, daß er in den Niederimpedanzzustand nur zwei der Leiter Y und YY der anderen dieser dadurch gebracht worden ist, daß zwischen Emitter 40 beiden Gruppen zusammen mit vier Kreuzpunkt- und Basis eine Schaltspannung angelegt wird, welche Schaltungsdioden A, B, C und D dargestellt, von einer positiven Spannung herrührt, die an den Es können selbstverständlich auch zehn oder mehr
Anschluß tsl angelegt wird, und zwar in Verbindung Leitungen in jeder dieser Gruppen vorhanden sein, mit einer negativen Spannung, welche während der wodurch sich entsprechend hundert oder mehr Dauer der positiven Impulsspannung an den An- 45 Kreuzpunkte ergeben. Die Schaltungsanordnung S 2 Schluß bt angelegt wird. Im Hochimpedanzzustand ist in ähnlicher Weise durch zwei Paar Leiter X', des Schalttransistors CD wird der Emitter durch eine XX' und Y', YY' mit den Kreuzpunkt-Schaltungsnegative Bezugsspannung (—), welche über einen dioden P, Q, R und S gebildet. Jede dieser Kreuz-Widerstand Rs 3 angelegt wird, auf einem negativen punktdioden ist eine Halbleiter- (Zweiausgangs) Potential gehalten; jedoch überwindet die Schalt- 50 Schaltdiode der vorerwähnten Gattung. Für den herspannung dieses negative Potential bei der Umschal- zustellenden Verbindungsweg sind die Dioden A tung der Diode CD in den Niederimpedanzzustand. und P in einem Niederimpedanzzustand, wobei eine Der Steuerkreis U in den F i g. 1 und 2 kann eine Durchlaßspannung über diese Dioden hinweg überder in F i g. 3 gezeigten drei Ausführungsformen an- tragen wird. Beispielsweise kanri die Durchlaßspannehmen. Der in F i g. 3 (d) gezeigte Steuerkreis weist 55 nung bei der Diode A aus einer Kombination einer in der Hauptsache einen Kopplungstransformator T positiven Impulsspannung und einer negativen Imauf, welcher ein Paar von Ausgangsanschlüssen ot an pulsspannung, welche an den Anschluß ts 1 im Vorden Übertragungsweg ρ ankoppelt, so daß Wechsel- spannungssteuerkreis BC und an den Anschluß ts 1', Spannungssignale, welche von dem Eingangsanschluß welcher an den Leiter X angeschlossen ist, angelegt it über den Verbindungsweg ρ übertragen werden, an 60 wird, bestehen, während beispielsweise bei der diesen Ausgangsanschlüssen abgegriffen oder abge- Diode P die Durchlaßspannung eine Kombination nommen werden können. Außerdem können Wech- von einfachen Spannungsimpulsen ist, welche an die selspannungssignale von den Anschlüssen ot nach Anschlüsse ts2 bzw. ts2' angelegt werden, dem Anschluß it übertragen werden. In bezug auf Der Steuerkreisanschluß LCl ist mit dem Leiter X
die Wechselspannungsübertragung in dieser Richtung 6g in der Schaltungsanordnung S1 verbunden und weist ist an die Wicklung I des Transformators T eine einen Kopplungstransformator Tl mit zwei Wick- »Doppek-Zenerdiode ZD angelegt, welche die lungen (I, II) zur Kopplung von zwei Sprechadern Wechselspannung auf die eigene Durchbruchs- sp 1 mit dem Leiter X auf. An die Wicklung II ist
eine Doppel-Zenerdiode ZD1 angeschlossen, welche die Begrenzung der Scheitelspannung, welche durch die Sprechströme, die an die Sprechleitungen spl angelegt sind, auf die eigene Durchbruchsspannung bewirkt. In ähnlicher Weise weist der Steuerkreisanschluß LC 2 einen Kopplungstransformator T 2 auf, welcher zwei Paare der Sprechadern sp 2 mit dem Leiter X kopppelt und eine Doppel-Zenerdiode ZD 2 aufweist, die an die Wicklung II angelegt ist, um die
wird über seine Emitterpositive Spannungsimpuls
zustand gebracht ist,
Kollektor-Strecke der
übertragen.
Wenn entweder in einer Schaltung nach Fig. 4 5 oder 5 ein besonderes Schnellschalten in der Schaltungsanordnung 52 erforderlich ist, kann die Drosselspule im nächstgelegenen Stromweg (cp4) im Vorspannungskreis BC durch einen Transistor Tr, wie in Fig. 6 gezeigt, ersetzt werden. Wenn auch für die
Spitzenspannung, welche durch die Sprechströme, io Schaltungsanordnung 51 eine Schnellschaltung erdie nach den Sprechadern sp 2 übertragen werden, forderlich ist, so kann ebenfalls ein Transistor im erzeugt wird, auf die eigene Durchbruchsspannung Stromweg cpl an Stelle der Drosselspule eingesetzt zu begrenzen. werden. Es ist selbstverständlich, daß eine positive
Der Vorspannungssteuerkreis BC ist symmetrisch Impulsspannung, welche an den Anschluß ts 1 angezu einem Kondensator Cs (aufgebaut) und weist 15 legt wird, um irgendeinen der Kreuzpunkt-Transistozwei Stromverbindungswege cp 1 und cp 2, welche an ren zu zünden, die dem Leiter Y zugeordnet sind, der einen Seite des Kondensators mit dem Verbin- von ausreichender Dauer sein muß, um der Indukdungsweg verbunden sind, und zwei Stromverbin- tivität der Drosselspule im Stromverbindungsweg ep I dungswege cp 3 und cp 4 auf, die mit dem Verbin- Rechnung zu tragen. Andererseits kann ein Impuls, dungsweg auf der anderen Seite des Kondensators 20 der an den Anschluß ts 2' (Fig. 6) angelegt wird, von verbunden sind. Zwischen den Verbindungspunkten viel kürzerer Dauer sein als einer, welcher an den der beiden Paare von Stromverbindungswegen cp 1, Anschluß is2 (Fig. 5) angelegt wird, da der Transi- cp2, cp3 und cp4 sind die jeweiligen Gleichrichter stör an die Stelle der Drosselspule im Stromverbin- Rf α und Rf b vorgesehen. Es sei darauf hingewiesen, dungsweg cp 4 tritt. Ein weiterer Vorteil, der erzielt daß der Vorspannungskreis BC aus zwei Abschnitten 25 wird, wenn ein Transistor an Stelle der Drosselspule besteht, welche beide ähnlich dem in den Fig. 1 eingefügt wird, besteht darin, daß er als eine Kon- und 2 gezeigten Vorspannungskreis sind. Der linke stantstromanordnung dient, so daß ein Haltestrom Abschnitt liefert den Überlagerungsträgerstrom für {lh), welcher im Stromverbindungsweg cpA fließt, Sprechströme, welche vom Anschlußsteuerkreis LC2 innerhalb gewisser Grenzen konstant bleibt, und zwar nach dem Anschlußsteuerkreis LCl übertragen wer- 30 bei einer Änderung der Impedanz, welche durch den, und der rechte Abschnitt liefert Durchlaßstrom einen Anschlußsteuerkreis, wie Steuerkreis LC 2, gefür die Wechselspanmmgssprechströme, welche von geben ist, sowie bei einer Änderung der Impedanz dem Anschlußsteuerkreis LCl nach dem Anschluß- der Übertragung, welche unter anderem durch die steuerkreis LC 2 übertragen werden. Anzahl der Kreuzpunktdioden, durch welche er hin-
Die in Fig. 5 gezeigte Steuerkreisanordnung ist 35 durchfließt, bestimmt wird. Das bedeutet, daß der der in F i g. 4 gezeigten Anordnung sehr ähnlich, wo- Übertragungsweg nach Anschlußsteuerkreisen unterbei auch hier die entsprechenden Teile dieser beiden schiedlicher Gattung durchgeschaltet werden kann, Schaltungen die gleichen Bezugszeichen aufweisen. beispielsweise bei einer Fernsprechanlage zu einer Der einzige Unterschied liegt nur in der Verwendung Ortsleitung oder einer nach außen gehenden Verbinvon Schalttransistoren an Stelle der Vierschicht- 40 dung bzw. Fernleitung, ohne daß der Wert des Haltedioden an den Kreuzpunkten der Koordinaten-Schal- stromes durch unterschiedliche Anschlußimpedanzen, tungsanordnungSl und 52. Jede dieser Kreuzpunkt- welche solchen Steuerkreisen eigentümlich sind, oder Schaltdioden weist einen besonderen Basiswider- durch Änderung in der Impedanz des Verbindungsstand Rsb auf. Alle Basiswiderstände für die Transi- weges, z. B. seiner Länge, geändert wird. Wenn eine stören, die zu den gleichen Ordinaten gehören, sind 45 Drosselspule benutzt würde, so würde sich der Haltemit den Anschlüssen btx, btxx, btx' oder btxx' ver- strom (Ih) entsprechend den Änderungen in der Imbunden, welche auf einem positiven Potential gehal- pedanz des Anschlußsteuerkreises ändern. Die Drosten sind. Andererseits sind jeweils die Emitter der seispulen in den Stromverbindungswegen cp 1, cp2 Transistoren, welche zu der gleichen Abszisse ge- und cp3, cp4 sind so angeordnet, daß ein Fließen hören, durch einen gewöhnlichen Emitterwiderstand 5° des Sprechstromes in die Versorgungsstromquelle Rse mit einer negativen Bezugsspannung verbunden, + Vm hinein verhindert wird. Der Transistor Tr arwelche die Emitter der Transistoren auf einem negativen Potential in bezug auf die Basis hält. Für den
herzustellenden Verbindungsweg, sind die Transistoren A und P in einem Niederimpedanzzustand, wobei 55 tet. Die einfachen, in den F i g. 1 und 2 gezeigten dieser Zustand dadurch erreicht worden ist, daß an Schaltungsanordnungen könnten gleichfalls in der in diese Transistoren eine geeignete Durchlaßspannung
angelegt wurde. Beispielsweise kann bei den Transistoren A die Durchlaßspannung durch das gleichzeitige Anlegen eines positiven Spannungsimpulses mit 60 durch eine gemeinsame Erdrückführung für die einem negativen Spannungsimpuls, welche jeweils an Wechselspannungssignale geschaffen wird. Dies ist einen Anschluß tsl im Vorspannungskreis BC bzw. ein besonderer Vorteil, der durch die Verwendung an den Anschluß btx angelegt wird, erzeugt werden, eines erfindungsgemäßen Vorspannungskreises erwährend bei den Transistoren P die Durchlaßspan- reicht wird, weil dann, wenn eine dieser Wicklungen nung durch das gleichzeitige Anlegen von gleicharti- 65 mit einem Speiseanschluß verbunden wäre, es nötig gen Spannungsimpulsen, welche an die An- würde, einen Entkopplungssteuerkreis, welcher das Schlüsse rs 2 bzw. btx' angelegt werden, bewirkt wer- Fließen des Wechselspannungssignalstromes in den den. Wenn ein Transistor in den Niederimpedanz- Speiseanschluß hinein verhindert, vorzusehen.
beitet, wenn wie vorstehend angeordnet, in gleicher Weise, da er eine sehr hohe Kurzschlußimpedanz für Wechselspannungssignale der Sprechfrequenzen bie-
Fig. 6 gezeigten Weise modifiziert werden.
Es sei darauf hingewiesen, daß die Wicklungen (II) beider Transformatoren Tl und Tl geerdet sind, wo-
Die Steuerkreisanordnungen der Fig. 4 und 5 zeigen ebenfalls Drosselspulen La, Lb, Lc und Ld, welche im Übertragungsweg angeordnet sind. Die Spulen Lc und Ld sind vorgesehen, um der Verzögerung durch die Doppel-Zener-Diode(n) ZDl und ZD 2 entgegenzuwirken, während die Drosselspulen La und Lb vorgesehen sind, um der Verzögerung, bedingt durch die Lochspeichereffekte, welche in den Gleichrichtern Rfα und Rfb auftreten, zu begegnen. Diese Verzögerungen würden sonst momentan den Haltestrom durch die Kreuzpunktdioden A und P hindurch unterbrechen, welche infolge ihrer hohen Schaltgeschwindigkeit in ihren »Aus«-Zustand umkippen würden.

Claims (4)

Patentansprüche:
1. Schaltungsanordnung für Fernsprechvermittlungsstellen mit Halbleiter-Dioden, die in einem Sprechstrom-Übertragungsweg angeordnet sind, dadurch gekennzeichnet, daß ein Vor-Spannungsstromkreis für die Halbleiter-Schaltdiode (D, CD) vorgesehen ist, wobei ein Gleichrichter (Rf) im Übertragungsweg (P) zwischen ζ wei Punkten (a, b) angeordnet ist, der selbst zwischen der Halbleiter-Schaltdiode (D, CD) und einer Anschlußstelle (it) liegt, über welche der Übertragungsweg (P) Sprechströme übermittelt erhält, daß zwei Vorspannungsstromwege (Cl, C2) an die vorgenannten Punkte (a, b) angeschlossen sind, daß durch den Vorspannungskreis über dem Stromweg (Cl), der am nächsten mit der Halbleiter-Schaltdiode (D) im Übertragungsweg (P) verbunden ist, ein erster Strom (Ih) mit einer Stromstärke, die zumindest gleich der Größe des für die Diode (D) benötigten Haltestroms ist, geliefert wird, während über den zweiten Stromweg (C 2) ein Überschußstrom (Ie) geliefert wird, der sich zum Überlagern desselben mit den empfangenen Sprechströmen eignet und von solcher Größe ist, daß dann, wenn ein momentaner Sprechstrom von entgegengesetzter Polarität zum Überschußstrom (Ie) und größer als eine vorbestimmte Höchstgröße ist, der Gleichrichter (Rf) entgegengesetzt vorgespannt wird.
2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß jeder der Stromwege (Cl und C2) einen Widerstand (RsI, Rs2) und eine Drosselspule (Ll, Ll) aufweist, die in Reihenschaltung zwischen einer Erregungsstromquelle (C+Vm) und dem Übertragungsweg (P) geschaltet sind, wobei die Werte der Drossel (Ll) und des Widerstandes (RsI) desjenigen Stromweges (Cl), der nächst der Halbleiter-Schaltdiode (D, CD) geschaltet ist, solcher Art sind, daß der Strom in diesem Weg wenigstens vom Haltestromwert für die Diode ist, während die Werte der Spule (L 2) und des Widerstandes (Rs 2) des anderen Weges (C 2) solcher Art sind, daß der Strom im Weg (C 2) von einer Größe ist, die ihn zum Überlagern durch empfangene Fernmeldeströme brauchbar macht.
3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Stromweg (cp 4), welcher nächst der Halbleiter-Schaltdiode angeschaltet ist, den Emitter-Kollektor-Weg eines Transistors (Tr) einschließt, welcher in Reihe mit einem Widerstand zwischen einer Erregerstromquelle (+ Vm) und dem Übertragungsweg (P) geschaltet ist, wobei der Transistor (Tr) als Konstantstromeinrichtung dadurch betätigbar ist, daß nach seiner Basis eine geeignete Vorspannung (+) übermittelt wird.
4. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiter-Schaltdioden in einer Koordinaten-Schaltanlage sind.
In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Auslegeschrift Nr. 1070 674.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
409 658/396 8.64 © Bundesdruckerei Berlin
DEA38269A 1960-09-07 1961-09-06 Schaltungsanordnung fuer Fernsprech-vermittlungsstellen mit Halbleiter-Dioden, die in einem Sprechstrom-UEbertragungsweg angeordnet sind Pending DE1176708B (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB30831/60A GB994458A (en) 1960-09-07 1960-09-07 Improvements relating to circuit arrangements employing semi-conductor diodes

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1176708B true DE1176708B (de) 1964-08-27

Family

ID=10313819

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DEA38269A Pending DE1176708B (de) 1960-09-07 1961-09-06 Schaltungsanordnung fuer Fernsprech-vermittlungsstellen mit Halbleiter-Dioden, die in einem Sprechstrom-UEbertragungsweg angeordnet sind

Country Status (4)

Country Link
US (1) US3197564A (de)
DE (1) DE1176708B (de)
GB (1) GB994458A (de)
NL (1) NL268951A (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1230849B (de) * 1965-01-21 1966-12-22 Siemens Ag Schaltungsanordnung zur elektronischen Tastung von Signalen
DE2501651A1 (de) * 1975-01-16 1976-07-22 Standard Elektrik Lorenz Ag Schaltungsanordnung zum ueberspannungsschutz von elektronischen koppelfeldern

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3540009A (en) * 1968-05-31 1970-11-10 Bell Telephone Labor Inc Controlled switch store for extending sampling time intervals
US3601547A (en) * 1970-02-05 1971-08-24 Stromberg Carlson Corp Cross-point switching arrangements including triggerable avalanche devices

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1070674B (de) * 1956-11-23 1959-12-10 Compagnie Industrielle des Telephones Soc. An., Paris Elektronische Torschaltung zum Durchschalten eines Wechselstromes in einem Kreis

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL99632C (de) * 1955-11-22
US2972683A (en) * 1957-07-24 1961-02-21 Bell Telephone Labor Inc Electrical circuits for communication networks

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1070674B (de) * 1956-11-23 1959-12-10 Compagnie Industrielle des Telephones Soc. An., Paris Elektronische Torschaltung zum Durchschalten eines Wechselstromes in einem Kreis

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1230849B (de) * 1965-01-21 1966-12-22 Siemens Ag Schaltungsanordnung zur elektronischen Tastung von Signalen
DE2501651A1 (de) * 1975-01-16 1976-07-22 Standard Elektrik Lorenz Ag Schaltungsanordnung zum ueberspannungsschutz von elektronischen koppelfeldern

Also Published As

Publication number Publication date
NL268951A (de)
GB994458A (en) 1965-06-10
US3197564A (en) 1965-07-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69530131T2 (de) Schutzanordnung für eine aktive Fernsprechsleitungsschnittstellenschaltung
DE1041530B (de) Schaltungsanordnung zur Herstellung einer zweiseitig gerichteten Verbindung zur UEbertragung von Signalen oder Nachrichten zwischen zwei Stromkreisen
EP0371558B1 (de) Schaltungsanordung für Übertragungseinrichtungen
DE1176708B (de) Schaltungsanordnung fuer Fernsprech-vermittlungsstellen mit Halbleiter-Dioden, die in einem Sprechstrom-UEbertragungsweg angeordnet sind
DE1131736B (de) Schaltungsanordnung zum Durchschalten einer Wechselspannung oder von Impulsen mit einer Halbleiterdiode mit negativem Widerstandsteil
EP0039501B1 (de) Sendeverstärker für ferngespeiste Zwischenregeneratoren
DE2746583C2 (de) Schaltungsanordnung für einen strombegrenzenden Zweipol als Speiseglied in Fernsprechanlagen
DE2913115C3 (de) Teilnehmerschaltung mit einem symmetrischen Leistungsverstärker für die Speisung einer Teilnehmerleitung
DE1277356B (de) Gleichstrom-Fernversorgung von Fernsprechverstaerkern
DE3347765C2 (de)
DE1104229B (de) Schaltungsanordnung fuer die Steuerung kombinierter magnetischer Schreib- und Lesekoepfe
DE1190034B (de) Elektronische Torschaltung
DE1199827B (de) Schaltungsanordnung fuer die Speisung der Teilnehmerstellen in Fernmelde-, insbesondere Fernsprechanlagen
DE2826897C2 (de) Schaltungsanordnung zur erdfreien Übertragung von Signalen über Trennstellen in Fernmeldeanlagen
DE1227937B (de) Schaltungsanordnung zur Realisierung logischer Funktionen
DE1199821B (de) Verfahren und Schaltungsanordnung zum Verstaerken eines niederfrequenten Signals
DE2850905A1 (de) Verfahren und schaltungsanordnung zur speisung einer teilnehmerendeinrichtung
DE3209181A1 (de) Speiseschaltung fuer fernsprechapparate
DE2617523A1 (de) Reichweitenvergroesserungseinrichtung fuer uebertragungsleitungen
DE2439240A1 (de) Transistorschaltung zum erzeugen einer abtastprobe
DE1248731B (de) UEberwachungseinrichtung fuer Nachrichten-UEbertragungsanlagen zur Fernpruefung von Abschnitten der UEbertragungsstrecke
DE2650835C2 (de) Schaltungsanordnung zum Übertragen von zwei binären Einfachstrom-Gleichstromsignalen
DE1903630A1 (de) Gabelschaltung zur Verbindung einer Vierdraht-und einer Zweidrahtleitung
DE1283894C2 (de) Elektronischer Koppelkontakt mit bistabilem Verhalten zum Verbinden von Leitungen in Fernmelde-, insbesondere Fernsprechvermittlungsanlagen
DE2152043C3 (de) Mehrstufiger, galvanisch durchverbundener Gegentaktverstärker