DE1116274B - Elektronische Schaltanordnung mit Transistoren - Google Patents

Elektronische Schaltanordnung mit Transistoren

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DE1116274B
DE1116274B DEW26602A DEW0026602A DE1116274B DE 1116274 B DE1116274 B DE 1116274B DE W26602 A DEW26602 A DE W26602A DE W0026602 A DEW0026602 A DE W0026602A DE 1116274 B DE1116274 B DE 1116274B
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Richard O Decker
Donald R Little
Alfred E Relation
Richard L Bright
Kan Chen
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CBS Corp
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Westinghouse Electric Corp
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    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/10Modifications for increasing the maximum permissible switched voltage
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M1/00Details of apparatus for conversion
    • H02M1/08Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters
    • H02M1/088Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters for the simultaneous control of series or parallel connected semiconductor devices

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Description

  • Elektronische Schaltanordnung mit Transistoren Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine elektronische Schaltanordnung mit Transistoren zum Schalten von Spannungen, die höher sind als die zulässige Sperrspannung eines Transistors, durch gleichzeitige Steuerung mehrerer in Reihe liegender Transistoren, indem nur der erste Transistor der Reihenschaltung willkürlich und die weiteren Transistoren zwangläufig gesteuert werden, und bei der parallel zu den Schaltstrecken aller Transistoren Ohmsche Widerstände geschaltet sind. Dabei können die Transistoren solche der pnp-Type oder solche der npn-Type sein.
  • Ziel der Erfindung ist die Vorsorge, daß die maximal zulässige Spannung an dem einzelnen Transistor niemals überschritten wird, und ferner für jeden Transistor eine geeignete Sperrspannung in dessen abgeschaltetem Zustand vorzusehen.
  • Erfindungsgemäß sind daher in einer solchen Schaltanordnung die Steuerelektroden der Transistoren über elektrische Ventile solcher Polung miteinander verbunden, daß sie im Sperrzustand der Transistoren ebenfalls in Sperrichtung, im Leitungszustand der Transistoren in ihrer Durchlaßrichtung beansprucht sind, und ferner sind parallel zu den Schaltstrecken der Transistoren Kondensatoren geschaltet.
  • Zur näheren Erläuterung der Erfindung an Hand einiger Ausführungsbeispiele wird auf die Fig. 2 bis 4 der Zeichnung Bezug genommen.
  • Zunächst soll jedoch auf die hypothetische Schaltung nach Fig. 1 eingegangen, werden, welche eine Mehrzahl von in Reihe geschalteten Transistoren zur Steuerung der Speisung einer Last enthält.
  • Allgemein umfaßt die Anordung nach Fig. 1 Transistoren 30 und 40, welche in Reihe mit einer Last 90 und einer Speisespannungsquelle 20 geschaltet sind.
  • Der Transistor 30 umfaßt einen Halbleiterkörper, der eine Emitterelektrode 31, eine Kollektorelektrode 32 und eine Basiselektrode 33 besitzt. Der Transistor 40 umfaßt einen Halbleiterkörper, der eine Emitterelektrode 41,- eine Kollektorelektrode 42 und eine Basiselektrode 43 besitzt. Die Schaltungsstrecke Emitter 31-Kollektor 32 des Transistors 30 und die Schaltungsstrecke Emitter 41-Kollektor 42 des Transistors 40 sind in Reihe mit der Last 90 und der Speisespannungsquelle 20 geschaltet. Ein Spannungsteilerwiderstand 34 und 44 für jede Emitter-Kollektor-Strecke der Transistoren 30 und 40 ist parallel an die entsprechende der Emitter-Kollektor-Strecken angeschlossen.
  • Ein Paar von Vorspannungsquellen 21 und 22 entgegengesetzter Polarität ist an den Emitter 31 des Transistors 30 angeschlossen. Ein Paar von Vorspannungsquellen 23 und 24 entgegengesetzter Polarität ist an den Emitter 41 des Transistors 40 angeschlossen. Ein doppelpoliger Umschalter 25, welcher zwei Schaltstellungen besitzt, ist an die Basiselektroden 33 und 43 der Transistoren 30 bzw. 40 angeschlossen.
  • In seiner ersten Schaltstellung verbindet der doppelpolige Schalter 25 die Vorspannungen 22 und 24 mit den Basiselektroden 33 und 43 der Transistoren 30 bzw. 40. Die Polaritäten der Spannungsquellen 22 und 24 sind solche, daß sie die Emitter-Kol-@ lektor-Strecken der Transistoren 30 bzw. 40 leitend machen. In der zweiten Schaltstellung des doppelpoligen Schalters 25 sind die Spannungen 21 und 23 an die Basiselektroden 33 und 43 der entsprechenden Transistoren 30 und 40 angeschlossen. Die Polarität der Spannungen 21 und 23 ist eine solche, daß sie die Emitter-Kollektor-Strecken der Transistoren 30 bzw. 40 nichtleitend machen.
  • Die Arbeitsweise der hypothetischen Schaltung nach Fig. 1 im stationären Zustand soll nun beschrieben werden.
  • Wenn der Schalter 25 in der in Fig. 1 gezeigten Schaltstellung ist, sind die Transistoren 30 und 40 eingeschaltet, also deren Emitter-Kollektor-Strecken leitend, so daß die volle Speisespannung 20 -an der Last 90 liegt. Wenn der Schalter 25 in seiner anderen Stellung ist, werden die Spannungen 21 und 23 positiver Polarität an die Basiselektroden 33 und 43 der entsprechenden Transistoren 30 und 40 angelegt, so daß fast die gesamte Spannung 20 an den Emitter-Kollektor-Strecken der Transistoren 30 und 40 erscheint. Wenn die Parameter geeignet gewählt sind, wird nur annähernd die Hälfte der Speisespannung 20 auf jeden der Transistoren 30 und 40 entfallen. Auf diese Weise kann eine Speisespannung mit etwa dem Zweifachen des für einen einzelnen Transistor zulässigen Wertes beherrscht werden, vorausgesetzt, daß beide Transistoren während des Sperrzustandes derselben Spannung standhalten können. Wenn genügend Transistoren in Reihe geschaltet werden, ist es auf diese Weise möglich, hohe Spannungen zu schalten.
  • Wie bereits weiter oben angedeutet wurde, wirkt es sich bei der Schaltung nach Fig. 1 unter Umständen nachteilig aus, daß während des Übergangs die Möglichkeit besteht, daß ein Transistor vor dem anderen ein- oder abschaltet, so daß auf diese Weise dann der volle Wert der Speisespannung 20 für einen Augenblick an dem später geschalteten Transistor auftritt.
  • Es wird nun auf Fig. 2 Bezug genommen, in der eine erfindungsgemäße, beispielsweise, elektronische Schaltungsanordnung veranschaulicht ist, bei welcher die in der vorausgehenden Beschreibung besprochenen Schwierigkeiten vermieden sind. Es ist wichtig, darauf hinzuweisen, daß der stationäre Zustandsbetrieb der beispielsweisen erfmdungsgemäßen Schaltungsanordnungen nach den Fig. 2, 3 und 4 derselbe wie der stationäre Zustandbetrieb der hypothetischen Schaltung nach Fig. 1 ist.
  • In der Schaltungsanordnung nach Fig.2 sind gleichartigen Schaltungsteilen, die bereits in der Fig. 1 vorhanden sind, dieselben Bezugszeichen gegeben worden. Der hauptsächliche Unterschied zwischen den in den Fig. 1 und 2 veranschaulichten Apparaten ist, daß in Fig. 2 ein dritter Transistor 50 in Reihe mit den Transistoren 30 und 40 hinzugefügt worden ist. Der Transistor 50 umfaßt einen halbleitenden Körper, der eine Emitterelektrode 51, eine Kollektorelektrode 52 und eine Basiselektrode 53 besitzt. Die Emitter 51-Kollektor 52-Strecke ist in Reihe mit dem Lastkreis nach Fig. 1 geschaltet. Ein Spannungsteilerwiderstand 54 ist ebenfalls parallel zur Emitter 51-Kollektor 52-Strecke des Transistors 50 angeordnet. Zusätzlich sind Kapazitäten 36, 46 und 56 an die entsprechenden Emitter-Kollektor-Strecken der Transistoren 30, 40 und 50 angeschlossen. Spannungsteilerwiderstände 81, 82 und 83 sind an die Last 90 und die Speisespannung 20 angeschlossen. Ein Strombegrenzungswiderstand 55 ist zwischen die Basiselektrode 53 und die Verbindungsleitung der beiden Widerstände 81 und 82 eingeschaltet worden. Ein Strombegrenzungswiderstand 4'5 ist zwischen die Basiselektrode 43 und die Verbindungsleitung zwischen den Widerständen 82 und 83 eingeschaltet worden. Ein Strombegrenzungswiderstand 35 ist zwischen die Basiselektrode 33 und die Verbindungsleitung zwischen dem Widerstand 83 und der positiven Klemme der Vorspannungsquelle 21 eingeschaltet worden. Die Vorspannungsquelle 21 ist in Reihe mit dem Widerstand 26 geschaltet, wobei der erwähnte Widerstand 26 und die erwähnte Spannung 21 eingeschaltet sind, um die Transistoren 30, 40 und 50 in Richtung des Sperrzustandes oder nichtleitenden Zustandes vorzuspannen. Schaltungsmittel, welche die Klemmen 11 und 12 für das Anlegen von Signalen an dem erwähnten Verstärker umfassen, sind an die Reihenschaltung aus dem Widerstand 26 und der Vorspannungsquelle 21 angeschlossen. Die Dioden 37, 47 und 57 sind zwischen die entsprechenden Basis- und Emitterelektroden der Transistoren 30, 40 und 50 eingeschaltet. Ein Diodengleichrichter 84 ist dem Widerstand 82 parallel geschaltet. Ein Diodengleichrichter 85 ist dem Widerstand 83 parallel geschaltet.
  • Bei Unterstellung, daß geeignete Sperrspannungen und Basistreibspannnungen verfügbar sind, wird es aus einer Prüfung der Schaltung nach Fig. 2 augenscheinlich, daß während eine Sperrspannung in Form der Spannung 21 vorhanden ist, die Speisespannung 20 in gleicher Weise auf die Emitter-Kollektor-Strecken der Transistoren 30, 40 und 50 aufgeteilt werden wird unter der Voraussetzung, daß die Widerstände 34, 44 und 54 in geeigneter Weise gewählt sind. Es ist auch angesichts der in Verbindung mit der Fig. 1 angestellten Erörterung augenscheinlich, daß die Speisespannung 20 an der Last 90 erscheinen wird, wenn die Transistoren 30, 40 und 50 eingeschaltet bzw. durchlässig sind. In dem Gerät nach Fig. 2 wirken die Spannungen 20 und 21 als die Sperrspannungsquellen. Wenn kein Eingangssignal zwischen den Klemmen 11 und 12 besteht, so wird die Spanung21 zwischen den Emitter- und Basiselektroden jedes der Transistoren 30, 40 und 50 erscheinen, wenn kein Stromftuß besteht. Jedoch wird die Spannung 21, da gewöhnlich ein bedeutender inverser Stromfluß von der Basis zum Emitter eines Transistors während dessen Sperrzustand besteht, unter den Widerständen 34, 44, 54, 81, 82, 83, 35, 45, 55 und 26 aufgeteilt, ebensogut wie an jedem Transistor. Da bei einer Verfolgung des Strompfades über die Widerstände 34, 44, 55, 82 und 83 zu den Basis- und Emitterelektroden 53 und 51 des Transistors 50 einem bedeutend größeren Widerstand als durch den ähnlichen Pfad begegnet wird, der dem Transistor 40 zugeordnet ist, so ergibt sich auf Grund der Spannung 21 eine geringere Sperrung am Transistor 50 als am Transistor 40. In ähnlicher Weise ergibt sich eine geringere Sperrung am Transistor 40 als am Transistor 30. Um das Sperrpotential am Transistor 40 und insbesondere am Transistor 50 zu erhöhen, wird eine zusätzliche Sperrspannung von der Speisespannungsquelle 20 in Verbindung mit den Spannungsteilernetzwerken, welche aus den Widerständen 34, 44, 54 und den Widerständen 81, 82, 83 und 26 bestehen, erreicht. Die Spannung an der Emitterelektrode 51 des Transistors 50 auf Grund der Speisespannung 20 ist bestimmt durch das Verhältnis und die Spannung an der Basiselektrode 53 des Transistors 50 ist bestimmt durch das Verhältnis Auf diese Weise können durch Benutzung der richtigen Widerstandswerte die geeigneten Sperrpotential an jedem der drei Transistoren 30, 40 und 50 erreicht werden.
  • Wenn eine genügende Spannung solcher Polarität, daß die Klemme 11 positiv in bezug auf die Klemme 12 ist, an die erwähnten Klemmen angelegt wird, werden alle drei Transistoren 30, 40 und 50 einen genügenden Basisstrom haben, um sie einzuschalten. Der Basisstrom des Transistors 50 muß über die Kollektoren der Transistoren 30, 40 verlaufen, und der Basisstrom des Transistors 40 ist ein Teil des Kollektorstromes des Transistors 30. Da die Impedanz eines Transistors vom Emitter zum Kollektor, wenn der Transistor in volleitendem Zustand ist, sehr niedrig ist, so ist die Eingangsimpedanz zwischen den Klemmen 11 und 12, wie zu übersehen, diejenige der Widerstände 35, 45 und 55 in einer Parallelkombination.
  • Während der Übergangsbedingungen hat die Lastspannung 20 die Neigung, für einen Augenblick am letzten einschaltenden Transistor zu erscheinen. Diese Wirkung wird in der Schaltung nach Fig.-2 durch Einschaltung der Kapazitäten 36, 46 und 56 parallel zu den Emitter-Kollektor-Strecken der Transistoren 30, 40 und 50 eliminiert. Während eines Überganges neigen die Kapazitäten dazu, den Spannungsabfall aufrechtzuerhalten, welcher an dem Transistor vor der Einleitung des Überganges bestand. Durch eine geeignete Einstellung jedes Kondensators wird keine große Spannung an einem Transistor erscheinen. Tatsächlich schaltet der Transistor langsamer. Auf diese Weise wird zu keiner Zeit während eines Überganges irgendeiner der Transistoren bedeutend mehr von der Lastspannung 20 zu übernehmen haben, als er unter stationärem Zustandsbetrieb zu übernehmen hat. Die Schaltung nach Fig.2 ist experimentell und in zufriedenstellenderWeise, mit Rechteckwellen schaltend, bis zu 1200 Perioden je Sekunde betrieben worden, ohne daß die Kapazitäten störten und verursachten, daß das Schalten zu langsam vor sich ging. Die Gleichrichter 37, 47 und 57 können erfindungsgemäß zwischen die Basis- und Emitterelektroden des entsprechenden der Transistoren 30, 40 und 50 eingeschaltet werden, um die Größe der Sperrspannungen zu begrenzen und zu verhüten, daß sie zu hoch werden. , In Fig. 3 ist ein zweites Ausführungsbeispiel der Erfindung veranschaulicht, in welchem gleichen Schaltungsteilen der Fig. 2 und 3 dieselben Bezugszeichen gegeben worden sind. Die hauptsächlichste Unterscheidung zwischen den Apparaten, welche in den Fig.2 und 3 veranschaulicht sind, ist, daß in Fig. 3 die Gleichrichter 38, 48 und 58 in Reihe mit den Emitterelektroden 31, 41 und 51 des entsprechenden der Transistoren 30, 40 und 50 geschaltet sind. Das Spannungsteilernetzwerk, welches die Widerstände 81, 82, 83 und 26 und die Sperrspannung 21 umfaßt, sind aus der Schaltung nach Fig. 2 eliminiert worden. Der Eingang der Schaltungsanordnung ist nunmehr noch über den Strombegrenzungswiderstand 13 parallel an die Basiselektroden 33-Emitterelektroden 31-Strecke des Transistors 30 angelegt. Die Widerstände 39, 49 und 59 sind zwischen die Basis-Emitter-Elektroden des entsprechenden der Transistoren 30, 40 und 50 eingeschaltet worden.
  • Die Arbeitsweise der Schaltung nach Fig. 3 ist ähnlich der Arbeitsweise nach Fig. 2 und wird daher nicht im einzelnen beschrieben werden, jedoch wird die Sperrung des Gerätes nach --Fig.3 wegen des Spannungsabfalles an den Gleichrichtern 38, 48 und 58 in Reihe mit den Emittern 31, 41 und 51 der entsprechenden Transistoren 30; 40 und 50 erreicht. In dieser Schaltung muß nunmehr der Leckstrom über jeden Transistor ebensogut wie der Strom über die Widerstände 34, 44 und 54, welche parallel zu den Transistoren liegen, über die Dioden 38, 48 und 58 verlaufen und verursacht ein Sperrpotential, welches zwischen dem Emitter und der Basis jedes Transistors liegt. Wie in Fig.2 werden alle drei Transistoren, wenn genügend Spannung solcher Polarität angelegt ist, daß die Klemme 11 positiv in bezug auf die Klemme 12 ist, einen genügenden Basisstrom besitzen, um sie einzuschalten.
  • In Fig. 4 ist ein drittes erfindungsgemäßes Ausführungsbeispiel veranschaulicht, in welcher gleichen Komponenten der Schaltungen nach den Fig. 3 und 4 die gleichen Bezugszeichen gegeben worden sind. Das Hauptunterscheidungsmerkmal zwischen den in den Fig.3 und 4 veranschaulichten Geräten ist, daß in Fig. 4 ein Hilfstransformator 100 benutzt ist, um eine saubere Spannungsverteilung während des Überganges zu sichern.
  • Der Transformator 100 umfaßt einen magnetischen Kern 101, welcher Wicklungen 103, 104 und 105, in induktiver Beziehung zueinander angeordnet, trägt. Die Wicklung 103 ist in Reihe mit der Kapazität 36 an die Emitter-Kollektor-Strecke des Transistors 30 angeschlossen. Die Wicklung 104 ist in Reihe mit der Kapazität 46 an die Emitter-Kollektor-Strecke des Transistors 40 angeschlossen. Die Wicklung 105 ist, in Reihe mit der Kapazität 56 geschaltet, an die Emitter-Kollektor-Strecke des Transistors 50 angeschlossen. In dem Apparat nach Fig. 4 verhalten sich die Kapazitäten 36, 46 und 56 als Kurzschlußstrecken während irgendeines Überganges, und der Fluß, welcher in dem magnetischen Kern 101 hervorgerufen wird, zwingt die gesamte angelegte Spannung der Speisespannung 20, sich anteilig gleich unter die Transistoren 30, 40 und 50 aufzuteilen.
  • Die Dioden 84 und 85 in den Fig. 2, 3 und 4 schaffen einen Pfad niedrigen Widerstandes für die Basisströme der Transistoren 40 und 50, um zu fließen, wenn die Transistoren eingeschaltet sind. Dieselben Dioden verhüten einen Stromfluß zur Last 90 über den Widerstand 81 und lassen zu, daß Sperrspannungen an die Transistoren 40 und 50 angelegt sind, wenn die Transistoren 40 und 50 in Fig. 2 abgeschaltet sind. Dieselben Dioden in den Fig. 3 und 4 sind benutzt, um zu verhüten, daß die Spannungsquelle 20 an der Basis 53 und dem Kollektor 52 des Transistors 50 erscheint.
  • Die Dioden 38, 48 und 58 erlauben, daß von ihren entsprechenden Vorwärtsspannungsabfällen Sperrspannungen abgeleitet werden, welche an die Emitterelektroden und Basiselektroden der Transistoren 30, 40 und 50 in den Fig. 3 und 4 angelegt werden sollen.
  • Es wird darauf hingewiesen, daß die Ausführungsbeispiele nach den Fig. 2; 3 und 4 auf der Voraussetzung basieren, daß das Eingangssignal, das an die Klemmen 11 und 12 angelegt wird, ein solches von einem einzigen Ausgangszweig ist. Das heißt, wenn die Klemme 11 positiv in bezug auf 12 ist,. sind die Transistoren eingeschaltet, und wenn die Klemme 11 fast dasselbe Potential wie die Klemme 12 hat, sind die Transistoren abgeschaltet. Das ist der Grund, warum die Vorspannungsschaltungselemente 21 und 26 in Fig. 2 und die Dioden 38, 48 und 58 sowie die Widerstände 39, 49 und 59 in den Fig. 3 und 4 benutzt sind. Wenn das Eingangssignal das Signal von einer Gegentaktschaltung ist, kann die sperrende Vorspannung von dem Eingangssignal erlangt werden, wenn die Klemme 12 positiv in bezug auf die Klemme 11 ist. Dann können die Vorspannungselemente 21 und 26 nach Fig. 2 fortgelassen werden.
  • . Werden an Stelle der in den Ausführungsbeispielen benutzten Transistoren der pnp-Type solche der npn-Type benutzt, so müssen sinngemäß die Polaritäten der benutzten Gleichrichterventile umgekehrt werden.
  • Zum Schluß wird darauf hingewiesen, daß, wenn auch die veranschaulichten Ausführungsbeispiele praktische Verkörperungen der Erfindung darstellen, die Erfindung dadurch nicht auf die exakten, gezeigten Einzelheiten beschränkt sein soll, da eine Abwandlung derselben vorgenommen werden kann, ohne vom Grundgedanken der Erfindung abzuweichen.

Claims (5)

  1. PATENTANSPRÜCHE: 1. Elektronische Schaltanordnung mit Transistoren zum Schalten von Spannungen, die höher sind als die zulässige Sperrspannung eines Transistors, durch gleichzeitige Steuerung mehrerer in Reihe liegender Transistoren, indem nur der erste Transistor der Reihenschaltung willkürjich und die weiteren Transistoren zwangläufig gesteuert werden, und bei der parallel zu den Schaltstrecken aller Transistoren Ohmsche Widerstände geschaltet sind, dadurch gekennzeichnet, daß die Steuerelektroden der Transistoren über elektrische Ventile solcher Polung miteinander verbunden sind; daß sie im Sperrzustand der Transistoren ebenfalls in Sperrichtung, im Leitungszustand der Transistoren in ihrer Durchlaßrichtung beansprucht sind, und daß parallel zu den Schaltstrecken der Transistoren Kondensatoren geschaltet sind.
  2. 2. Elektronische Schaltanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß an der Emitter-Basis-Strecke des ersten der in Reihe geschalteten Transistoren die Reihenschaltung aus einer Sperrspannungsquelle und einem Ohmschen Widerstand liegt, daß zwischen den Basiselektroden der in Reihe geschalteten Transistoren eine Parallelschaltung aus dem genannten elektrischen Ventil und einem Ohmschen Widerstand liegt sowie parallel zur Basis-Kollektor-Strecke des in der Schaltungsreihenfolge letzten Transistors ein Ohmscher Widerstand geschaltet ist und daß parallel zur Emitter-Basis-Strecke jedes der Transistoren ein elektrisches Ventil solcher Polung geschaltet ist, daß es von der Sperrspannungsquelle in seiner Durchlaßrichtung beansprucht ist.
  3. 3. Elektronische Schaltanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß parallel zur Emitter-Basis-Strecke jedes der Transistoren die Reihenschaltung aus einem Ohmschen Widerstand und einem elektrischen Ventil geschaltet ist, wobei das Ventil jeweils an die Emitterelektrode des Transistors und die Verbindungsleitung zwischen dem Ohmschen Widerstand und dem Ventil jeweils an die Kollektorelektrode des vorausgehenden Transistors bzw. beim ersten Transistor an die Signalspannungsanschlüsse sowie an die Lastspeisespannungsquelle angeschlossen ist, so daß der an jedem der Emitterelektrode benachbart liegenden Ventil in Flußrichtung im Sperrzustand des Transistors auftretende Spannungsabfall als Sperrspannungsquelle für dessen Emitter-Basis-Strecke wirksam ist.
  4. 4. Elektronische Schaltanordnung nach Anspruch 1 oder einem der folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß als Blindwiderstandsglieder der Emitter-Kollektor-Strecke jedes Transistors die Reihenschaltung aus einem Kondensator und einer der auf einem gemeinsamen Eisenkern angeordneten Wicklungen parallel geschaltet ist.
  5. 5. Elektronische Schaltanordnung nach Anspruch 1 oder einem der folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß an die Basis jedes Transistors ein vom Steuerstrom durchflossener Widerstand angeschlossen ist. In Betracht gezogene Druckschriften: Deutsche Auslegeschrift Nr. 1020 673.
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