DE2322783B2 - Elektronischer Schalter zum Durchschalten von Hochfrequenzsignalen - Google Patents
Elektronischer Schalter zum Durchschalten von HochfrequenzsignalenInfo
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf einen elektronischen Schalter zum Durchschalten von Hochfrequenzsignalen,
der einen Schalttransistor mit einer Eingangselektrode, einer Ausgangselektrode und einer dritten Elektrode
sowie einen Steuerkreis enthält, der mittels einer Ausgangsleitung mit der Eingangselektrode des Schalltransistors
gekoppelt ist, welcher Steuerkreis mit einem Hilfsschalter versehen ist zur Kopplung der genannten
Ausgangsleitung des Steuerkreises mit einer ersien Quelle mit festem Bezugspotential, mittels welchen
Hilfsschalters die Kollektor-Emitter-Strecke des Schalttransistors in den gesperrten oder in den leitenden
Zustand gebracht wird.
Bei derartigen, z.B. aus der DE-OS 15 62 282 bekannten Schaltern zum Durchschalten von Hochfrequenzsignalen
muß den Streukapazitäten zwischen den Eingangs- und der Ausgangselektrode des Transistors
besondere Aufmerksamkeit gewidmet werden. Durch diese bei Hochfrequenzsignalen auftretenden Kapazitäten
werden nämlich die durchzuschaltenden Signale bei nicht leitendem Transistor ungenügend gedämpft. Diese
Dämpfung wird nachstehend als Sperrdämpfung bezeichnet, dies in Gegensatz zur Dämpfung der Signale
bei leitendem Transistor, welche Dämpfung als Durchlaßdämpfung bezeichnet wird.
Es ist bereits bekannt, den Einfluß dieser Streukapazitäten auf die Sperrdämpfung durch eine sogenannte
Neutrodynschaltung zu verringern, d. h. durch Ausgleich der Streukapazitäten beispielsweise mit Hilfe einer
Induktivität. Auf diese Weise erhaltene elektronische Schalter -nüssen jedoch infolge der Streuung in den
Eigenschaften der verwendeten Transistoren einzeln abgeglichen werden.
Auch ist es bekannt, den Einfluß der genannten Streukapazitäten dadurch zu verringern, daß in Reihe
mit dem Transistor in seine Stronibahn ein die Durchlaßdämpfung nicht beeinflussender Kondensator
mit äußerst geringem Wert aufgenommen wird, wodurch die wirksame Größe der Strcukapa/.itätcn
wesentlich verringert wird. Insbesondere wird dazu eine geschaltete Diode benutzt, deren Durchlaßrichtung der
der Kollektor-Emitter-Strecke des verwendeten Transistors entspricht. Bei diesem bekannten elektronischen
Schalter wird jedoch eine wesentliche Sperrdämpfiing von beispielsweise 4OdB nur bei einer geringen
Belastungsimpedanz von beispielsweise IO Ohm erhalten.
Die Erfindung De/.weekt nun, eine andere Konzeption eines elektronischen Schalters zum Durchschalten von
Hochfrequenzsignalen zu schaffen, mit dem über ein breites Frequenzband von beispielsveise I —12MH/
sogar bei einem wesentlich höheren Wert der Belastungsimpedanz, beispielsweise 75 Ohm, ohne Verwendung
von Abgleichelementen eine wesentlich höhere Sperrdämpfung verwirklicht wird und wobei
zugleich die Durchlaßdämpfung von den Eigenschaften der verwendeten Elemente weitgehend unabhängig ist.
Die Erfindung weist dazu das Kennzeichen auf, daß der elektronische Schalter mit einer Reihenschaltung
eines Trennkondensators und einer Schaltdiode versehen ist, welche Reihenschaltung einerseits mit der
Ausgangselektrode des Schalttransistors und andererseits über eine Schaltspannungsleitung mit der dritten
Elektrode des Schalttransistors gekoppelt ist, von welcher Reihenschaltung der gemeinsame Verbindungspunkt
des Kondensators und der Schaltdiode mit einer zweiten Spannungsquelle und welche Spannung*·
leitung über einen durch einen Kondensator überbrückten Einstellwiderstand mit einer dritten Spannungsquelle
mit festem Bezugspotential gekoppelt ist.
Es sei bemerkt, daß an sich elektronische Schalter
bekannt sind, die mit einem Schaltelement versehen sind, das durch eine Diode gebildet wird, wobei diese
Diode im Längsweg angeordnet ist. Dieser Schalter enthält eine zweite Diode, die im Querwirg angeordnet
ist. Bei einem in der DE-AS 12 69 653 vorgeschlagenen Schalter ist der Verbindungspunkt der beiden Dioden
über einen Widerstand mit einer Quelle gekoppelt und ist das andere Ende der zweiten Diode an Erdpotential
gelegt Bei einem anderen, aus der US-PS 31 35 873 bekannten Schalter wird dem Verbindungspunkt der
beiden Dioden das Eingangssignal zugeführt und ist das andere Ende der zweiten Diode mit der Steuerspannungsquelle
verbunden.
Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in den Zeichnungen dargestellt und wird im folgenden näher
beschrieben. Es zeigt
F i g. 1 einen elektronischen Schalter nach der Erfindung,
F i g. 2 ein Ersatzschaltbild des Schalten nach F i g. 1 bei gesperrtem Transistor.
In Fig. 1 ist ein elektronischer Schalter dargestellt
zum Durchschalten von Hochfrequenzsignalen, die beispielsweise im Frequenzband von 1 — 12 MHz liegen,
zu einer Belastungsimpedanz 1 von beispielsweise 75 Ohm. Dieser elektronische Schalter enthält dazu
einen Schalttransistor 2, der mit einer Basiselektrode 3, einer Kollektorelektrode 4 und einer Emitterelektrode 5
versehen ist. Zur Steuerung des Transistors 2 eiuhält der
Schalter zugleich einen Steuerkreis 6, der mit einer mit dem Transistor verbundenen Sieuerleitung 7 und einem
Hilfsschalter 8 zum Erzeugen einer Sperr- bzw. Entsperrspannung für die Kollektor-Emitier-Strecke
des Transistors 2 versehen ist.
Insbesondere ist in diesem Ausführungsbeispiel ein Transistor vom npn-Typ in Emitterschaltung verwendet
worden. Die Emitterelektrode ist über Widerstände 38,
20 geerdet.
Im dargestellten Ausführungsbeispiel werden die
Hochfrequenz.bignale über den Übertrager 11 den beiden Eingangsklemmen 3, 9 zugeführt und unmittelbar
an die Basis des Transistors 2 ungelegt, dessen Kollektorelektrode 4 über ein Netzwerk 29 mit einem
ersten Anschluß der Belaslungsimpedanz 1 verbunden ist, deren zweiter Anschluß geerdet ist.
Der Steuerkreis 6 zum Umschalten des Schalters besteht aus dem genannten Hilfsschalter 8 und einen mit
diesem in Reihe geschalteten Spannungsteiler in Form einer Reihenschaltung zweier Widerstände 12 und 13.
Diese Reihenschaltung aus dem Hilfsschalter 8 und den Widerständen 12 und 13 liegt zwischen den beiden
Polen einer Speisespannungsquelle 14. Der Verbindungspunkt dieser Speisespannungsquelle 14 und des
I lilfsschalters 8 ist dabei an Erdpotential angeschlossen. In dem auf diese Weise gebildeten Steuerkreis 6 ist die
Steuerleitung 7 an den gemeinsamen Verbindungspunkt der beiden Widerstände 12 und 13 angeschlossen und
auf diese Weise wird durch Betätigung des Ililfsschalters 8 der Steuerleitung 7 entweder die vollständige
Spannung der Speisespannungsquelle 14 oder die mit Hilfe des Spannungsteilers 12, 13 geteilte Spannung
zugeführt. Diese Spannungen werden zum Sperren und F.ntsperren des Transistors 2 benutzt. Die Stellerleitung
7 ist mit der F.ingangsleilung 9 verbunden, die durch Verwendung eines Kondensators 15 gegenüber der
Ausgangsleitiing 10 galvanisch getrennt ist, die an einer
Quelle mit einem festen Bezugspotential, nämlich in diesem Aiisführungsbcispie! mit dem F.rdpotential,
angeschlossen ist.
Für ein gutes Funktionieren des elektronischen Schalters muß im nicht-leitenden Zustand des Transistors
2 der bei Hocnfrequenzsignalen auftretenden parasitären Basis-Kollektor-, Basis-Emitter- und Emitter-Kollektor-Kapazität
mit großen Werten besondere Aufmerksamkeit gewidmet werden, weil durch sie ein
besonders nachteiliger Einfluß auf die Sperrdämpfung des elektronischen Schalters ausgeübt v. ;rd.
Um bei einem elektronischen Schalter zum Durchschalten von in einem breiten Frequenzband von
beispielsweise 1 — 12 MHz liegenden Signalen sogar bei
Verwendung eines verhältnismäßig hohen Wertes der Belastungsimpedanz eine unter allen Umständen hohe
Sperrdämpfung sowie eine universelle Verwendbarkeit zu verwirklichen, enthält der elektronische Schalter
einen Schaltteil 16, der den genannten Schalttransistor 2 und einen Schahspannungskreis 17 enthält, der mit einer
an den Emitter 5 des Transistors 2 gekoppelten Schallspannungsleitung 18 und einem einerseits an diese
Schahspannungsleitung 18 und andererseits an eine Quelle mit einem festen Bezugspotential angeschlossenen,
durch einen Kondensator 19 überbrückten Einstellwiderstand 20 versehen ist. Dieser Schaltspannungsleitung
18 wird durch den Schaltteil 16 infolge der dem genannten Schalttransistor 2 zugeführten Sp'irr-
bzw. Entsperrspannung eine Schaltspannung zum Entsperren bzw. Sperren einer den Transistor 2
überbrückenden, einerseits an den Kollektor 4 des Transistors 2 und andererseits an die Schallspannungsleitung
18 angeschlossenen Reihenschaltung eines Trennkondensators 21 und einer vorgespannten Schaltdiode
22 zugeführt.
Im dargestellten Ausführungsbeispiel ist für das Potential der genannten Quelle mit festem Bezugspotential
das Erdpotential gewählt und ist der Einstellwiderstand 20 mit der an Erdpotential angeschlossenen
Leitung 10 verbunden, während die Schaltspannungsleitung 18 über einen in der Figur gestrichelt dargestellten
Widerstand 38, dessen Funktion noch näher erläutert wird, mit der Emitterelektrode 5 des Transistors 2
verbunden ist.
Zum Sperren und Entsperren der Reihenschaltung des Trennkondensators 21 und der Schaltdiode 22 ist die
Schaltspannungsleitung 18 mit dem vom gemeinsamen Verbindungspunkt zwischen dem Kondensator 21 und
der Diode 22 abgewandten Diodenpol verbunden, während zur Begrenzung der Vorspannung für diese
Schaltdiode 22 der genannte gemeinsame Verbindungspunkt über einen hochohmigen Widerstand 23 mit einer
Quelle festen Potentials gekoppelt ist, wofür in diesem Ausführungsbeispiel die Speisespannungsquelle 14 gewählt
worden ist. Der Widerstand 23 ist dazu insbesondere mit dem gemeinsamen Verhindungspunkt
eines durch die Reihenschaltung aus Widerständen 24 und 25 gebildeten Spannungsteilers verbunden, welche
Reihenschaltung zwischen den beiden Polen der Speisespannungsquelle 14 liegt. Der Widerstandswert
des Widerstandes 23 ist dabei um ein Vielfaches größer gewählt worden als der der Belastungsimpedanz von
beispielsweise 75 Ohm, wodurcii eine wirksame Hochfrequenzssignalentkopplung
zwischen dem Ausgang 4, IO und der Speisespannungsquelle 14 erhalten wird. Um eine Ableitung von Hochfrequenzsignalen über diesen
Widerstand 23 zu ermöglichen, ist der Widerstand 25 des Spannungsteilers 24, 25 zusätzlich durch einen
Kondensator 26 überbrückt.
Im elektronischen Schalter nach der Erfindung wird der Schalttransistor 2 nicht nur zum Fin. und
Ausschalten des elektronischen Schalters benutzt, sondern auch zum Ein- und Ausschalten der Schaltdiode
22 und damit eines die Belastungsimpedanz 1 überbrükkenden hochfrequenten Filterkreises, der durch den
Trennkondensator 21, den Entkopplungskondensator 19 und die Schaltdiode 22 gebildet wird. Es wird nämlich
bei leitender Kollektor-Emitter-Strecke des Transistors 2 durch den Emitterstrom ein derartiger Spannungsabfall
am Widerstand 20 im Schaltspannungskreis 17 erhalten, daß über die Schaltspannungsleitung 18 der
Schaltdiode 22 eine Sperrspannung zugeführt wird, wodurch die obengenannte hochfrequente Ableitstrekke
21, 22 unterbrochen ist und die über den Eingangstransformator 11 dem Schalter zugeführten
Hochfrequenzsignale ungeschwächt der Belastungsimpedanz 1 zugeführt werden. Auch für Eingangssignale
mit hohem Pegel tritt keine Beeinflussung der Durchlaßdämpfung durch die obengenannte hochfrequente
Ableitstrecke auf; die Sperrspannung der Diode wird nämlich ausschließlich durch die Größe des
Einstellwiderstandes 20 bestimmt, der ja für Hochfrequenzsignale durch den Entkopplungskondensator 19
überbrückt ist.
Bei nicht leitender Kollektor-Emitter-Strecke des Transistors 2 entsteht am Einstellwiderstand 20 kein
Spannungsabfall durch den Emitterstrom so daß über die Schaltspannungsleitung 18 der Diode 22 eine
Entsperrspannung zugeführt wird, wodurch der obengenannte hochfrequente Ableitkreis eingesghaltet wird
und der an der Leitung 4 noch auftretenden Hochfrequenzleckstrom im wesentlichen über die
besonders niedrige Impedanz des leitenden Ableitkreises nach Erde fließen.
Bei nicht leitender Kollektor-Emitter-Strecke des Transistors 2 werden die über den Eingangstransformator
51 dem elektrischen Schalter zugeführten Hochfrequenzsignale
nur sehr stark bedämpft zur Belastungsimpedanz 1 übertragen und zwar über ein Netzwerk, das in
F i g. 2 auf schematische Weise dargestellt ist und in dem der Fig. 1 entsprechende Elemente mit denselben
Bezugszeichen versehen sind. Wie in F i g. 2 angegeben ist. wird dieses Netzwerk durch die bei Hochfrequenzsignalen
auftretende und als Kapazität 27 dargestellte Basis-Emitter-, Kollektor-Emitter- und Basis-Kollektor-Kapazität
des Schalttransistors 2, den im wesentlichen einen Kurzschluß bildenden Trennkondensator 21, den
Entkoppelkondensator 19 und den Durchlaßwiderstand 28 der leitenden Diode 22 gebildet, und die am
Eingangstransformator 11 auftretenden Hochfrequenzsignale werden auf diese Weise einem durch den
Kondensator 27 und die Reihenschaltung aus den Kondensatoren 21, 19 und dem Widerstand 28
gebildeten Spannungsteiler zugeführt, von welchem der gemeinsame Verbindungspunkt der Kondensatoren 27
und 21 an die Belastungsimpedanz 1 angeschlossen ist. Auf diese Weise ist ein elektronischer Schalter mit einer
im wesentlichen durch den geringen Widerstand der leitenden Schaltdiode 22 bestimmten hohen Sperrdämpfung
verwirklicht worden.
Da die Größe der Sperrdämpfung durch Spannungsteilung bestimmt wird, kann sie auf besonders einfache
Weise wesentlich erhöht werden, und zwar dadurch, daß nach einer weiteren Ausbildung des erfindungsgemäßen
elektronischen Schalters die Reihenschaltung des Trennkondensators 21 und der Schaltdiode 22 einen Teil
eines als Leiternetzwerk ausgebildeten geschalteten Spannungsteilers 29 bildet, der eine Anzahl Querzweige
enthält, je in Form der genannten Reihenschaltung eines
Trennkondensators 30, 31 und in Reihe damit geschalteter Schaltdioden 32, 33, von welchen Querzweigen
die gemeinsamen Verbindungspunkte der jeweiligen Kondensatoren 30,31 und Dioden 32,33 über
-. Widerstände 34 bzw. 35 an den gemeinsamen Verbindungspunkt der Widerstände 24 und 25 angeschlossen
sind, von welchem Leiternetzwerk die Längszweige mit Schaltdioden 36, 37 versehen sind,
deren Durchlaßrichtung der der Kollektor-Emitter-
Hi Strecke des Schalttransistors 2 entspricht.
Bei diesem als Leiternetzwerk ausgebildeten Spannungsteiler 29 wird, wie in Fig. 2 dargestellt ist, die
Spannungsteilung dadurch erhalten, daß bei gesperrter Kollektor-Emitter-Strecke des Transistors 2 einerseits
ii die Dioden 32 und 33 ebenso wie die Diode 22 sich als
Widerstände 40 und 41 verhalten und andererseits die Längsdioden 36 und 37 sich als Kondensatoren 42, 43
verhalten; bei gesperrter Kollektor-Emitter-Strecke des Transistors 2 ist natürlich auch der Kollektorstrom und
2» damit der Strom durch die Dioden 36 und 37
unterbrochen, so daß die Übertragung der Hochfrequenzsignale ausschließlich über die Streukapazität
dieser Dioden 36 und 37 erfolgt.
Im dargestellten Ausführungsbeispiel ist ein Leiler-
Im dargestellten Ausführungsbeispiel ist ein Leiler-
r> netzwerk mit drei Querzweigen angegeben: diese Zahl kann jedoch beliebig gewählt werden, so daß jeder
gewünschte Wert der Sperrdämpfung verwirklichbar ist, welche Sperrdämpfung außerdem von der Größe
der Belastungsimpedanz unabhängig ist. Nicht nur kann
u) durch Verwendung des Leiternetzwerkes jede gewünschte
Sperrdämpfung verwirklicht werden, sondern es ist auch ein elektronischer Schalter erhalten worden,
bei dem die Durchlaßdämpfung nicht durch die Anzahl Dioden in den Längszweigen beeinflußt wird. Der
π Schalter hat nämlich an der Belastungsseite durch
Verwendung des Transistors 2 in Emitterschaltung einen Stromquellencharakter, wodurch ein von den
Diodenwiderständen in den Längszweigen unabhängiger Strom durch die Belastungsimpedanz erhalten wird.
■in welcher Stromquellencharakter noch dadurch vergrößert
werden kann, daß die Schaltspannungsleilung 18 des Schaitgenerators 16 über einen großen Stromgegenkopplungswiderstand
38 an die Emitterelektrode 5 des Transistors 2 angeschlossen wird.
· Durch Verwendung des Transistors 2 in Emitterschaltung
und durch Verwendung des Stromgegenkopplungswiderstandes 38 wird nicht nur eine von den
Diodenwiderständen der Längsdioden 36, 37 unabhängige Ausgangsspannung erhalten sondern auch eine
in hohe Eingangsimpedanz des elektronischen Schalters.
wodurch der Einfluß des Ein- und Ausschaltens des Schalters auf den dem Schalter vorhergehenden
Eingangskreis vernachläßigbar ist.
Zur Verwirklichung einer störsicheren Steuerung für
« die Dioden 22, 32, 33 in den Querzweigen des Leiternetzwerkes 29 ist die Schaltspannungsleitung 18
an die Mittelanzapfung eines aus Widerständen 20 und 39 aufgebauten Spannungsteilers angeschlossen, der
zwischen den Polen der Gleichspannungsquelle 14 liegt.
ti» Es sei bemerkt, daß statt des dargestellten Transistors
vom npn-Typ ein Transistor vom pnp-Typ verwendet werden kann, aber dann muß die Polarität der
unterschiedlichen Spannungen umgekehrt werden, ebenso wie die Durchlaßrichtungen der verwendeten
hi Dioden. Auch kann der Transistor 2 statt in Emitterschaltung
in Basisschaltung verwendet werden, aber dann fällt der günstige Stromquellencharakter des
Schalters fort.
In bezug auf die Steuerleitung 7 läßt sich bemerken,
daß sie statt an die Eingangsleitung 9 auch unmittelbar an die Eingangsleitung 3 des Transistors 2 angeschlossen
werden kann.
Zwar wird im dargestellten Ausführungsbeispiel die Vorspannung der Dioden 22, 32, 33 über ein
Widerstandsnetzwerk 23, 24, 25, 34, 35 von der Speisespannungsquelle 14 hergeleitet, aber dazu kann
auch eine gesonderte Spannungsquelle benutzt werden; es empfiehlt sich jedoch dabei die Verwendung einer
einzigen Speisespannuiigsquelle, weil damit der Einfluß möglicher Speisespannungsschwankungen auf die
Durchlaß- sowie die Sperrdämpfung weitgehend verringert wird.
Es sei bemerkt, daß mit diesem praktisch bewährten elektronischen Schalter bei einer Belastungsimpedanz
von 75 Ohm und einer Frequenz von 2MHz bei Verwendung eines Leiternetzwerkes 29 aus nur einem
Querzweig und der Diode 36 eine Sperrdämpfung von etwa 10OdB und bei Verwendung eines Leiternetzwerkes
mit zwei Querzweigen und den Dioden 36 und 37 eine Sperrdämpfung von etwa 13OdB verwirklicht
worden ist.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen
Claims (4)
1. Elektronischer Schalter zum Durchschalten von Hochfrequenzsignalen, der einen Schalttransistor
mit einer Eingangselektrode, einer Ausgangselek- ~> trode und einer dritten Elektrode sowie einen
Steuerkreis enthält, der mittels einer Ausgangsleitung mit der Eingangselektrode des Schalttransistors
gekoppelt ist, welcher Steuerkreis mit einem Kilfsschalter versehen ist zur Kopplung der in
genannten Ausgangsleitung des Steuerkreises mit einer ersten Quelle mit festem Bezugspotential,
mittels welchen Hilfsschalters die Koiiektor-Ernitter-Strecke des Schalttransistors in den gesperrten
oder in den leitenden Zustand gebracht wird, i, dadurch gekennzeichnet, daß der elektronische
Schalter mit einer Reihenschaltung eines Trennkondensators (21) und oiner Schaltdiode (22)
versehen ist, welche Reihenschaltung einerseits mit der Ausgangselektrode (4) des Schalttransistors (2) >n
und andererseits über eine Schaltspannungsleitung (18) mit der dritten Elektrode (15) des Schalttransistors
(2) gekoppelt ist, von welcher Reihenschaltung der gemeinsame Verbindungspunkt des Kondensators
(21) und der Schaltdiode (22) mit einer zweiten >■-, Spannungsquelle und welche Schaltspannungsleitung
(18) über einen durch einen Kondensator (19) überbrückten Einstellwiderstand (20) mit einer
dritten Spannuiigsquellc mit festem Bezugspotential
gekoppelt ist. jo
2. Elektronischer Schalter nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Reihenschaltung
des Trennkondensators (21) und der Schaltdiode (22) einen Teil eines Spannungsteilernetzwerkcs (29)
bildet, welches eine Anzahl mit Hilfe von Längszwei- π
gen miteinander verbundener Querzweige enthält, welche L.ängszweige mit je einer Schaltdiode (36,37)
versehen sind, deren Durchlaßrichiung jener der Kollektor-Emitter-Strecke des Schalttransistors (2)
entspricht, und welche Querzweige entsprechend κι der Reihenschaltung des Trennkondensators (21)
und der Schaltdiode (22) durch analog aufgebaute Reihenschaltungen aus je einem Trennkondensator
(30, 31) und je einer Schaltdiode (32, 33) gebildet sind, von welchen Querzweigen die gemeinsamen r>
Verbindungspunkte der jeweiligen Kondensatoren (30, 31) und Dioden (32, 33) mit der genannten
zweiten Spannungsquelle verbunden sind.
3. Elektronischer Schalter nach Anspruch I oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Schaltspannungs- r>n
leitung (18) über einen zweiten Widerstand (39) an eine vierte Quelle (14) mit festem Bezugspotential
angeschlossen ist, wobei dieser zweite Widerstand (39) und der genannte Einstellwiderstand (20)
zusammen einen Spannungsteiler bilden. >-.
4. Elektronischer Schalter nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet,
daß die Schaltspannungsleitung (18) über einen Stromgegenkopplungswiderstand (38) an die dritte
Elektrode (5) des Schalttransistors (2) angeschlossen wi
ist.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NL7207097A NL7207097A (de) | 1972-05-26 | 1972-05-26 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2322783A1 DE2322783A1 (de) | 1973-12-20 |
DE2322783B2 true DE2322783B2 (de) | 1980-05-14 |
DE2322783C3 DE2322783C3 (de) | 1981-02-05 |
Family
ID=19816122
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19732322783 Expired DE2322783C3 (de) | 1972-05-26 | 1973-05-05 | Elektronischer Schalter zum Durchschalten von Hochfrequenzsignalen |
Country Status (11)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS542818B2 (de) |
AR (1) | AR195606A1 (de) |
AT (1) | ATA450873A (de) |
BE (1) | BE800008A (de) |
CH (1) | CH557623A (de) |
DE (1) | DE2322783C3 (de) |
DK (1) | DK137154B (de) |
FR (1) | FR2189944B1 (de) |
GB (1) | GB1427813A (de) |
NL (1) | NL7207097A (de) |
SE (1) | SE383241B (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3045512A1 (de) * | 1980-12-03 | 1982-07-08 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Elektronische durchschalteinrichtung fuer fernseh- und tonrundfunkprogramme |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58193172U (ja) * | 1982-06-18 | 1983-12-22 | 三洋電機株式会社 | 電磁弁 |
JPS60191843U (ja) * | 1984-05-29 | 1985-12-19 | 株式会社ノーリツ | 給湯栓 |
TWI647909B (zh) * | 2018-01-19 | 2019-01-11 | 立積電子股份有限公司 | 開關裝置 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2987627A (en) * | 1956-09-26 | 1961-06-06 | Sperry Rand Corp | Neutralization of interelectrode capacitance in transistor pulse circuits |
GB1160117A (en) * | 1965-11-15 | 1969-07-30 | Plessey Co Ltd | Improvements in or relating to Variable Attenuators |
GB1205980A (en) * | 1967-11-23 | 1970-09-23 | Mullard Ltd | Improvements in or relating to contactless switches |
-
1972
- 1972-05-26 NL NL7207097A patent/NL7207097A/xx unknown
-
1973
- 1973-04-04 AR AR24738273A patent/AR195606A1/es active
- 1973-05-05 DE DE19732322783 patent/DE2322783C3/de not_active Expired
- 1973-05-23 JP JP5762273A patent/JPS542818B2/ja not_active Expired
- 1973-05-23 GB GB2461773A patent/GB1427813A/en not_active Expired
- 1973-05-23 AT AT450873A patent/ATA450873A/de not_active Application Discontinuation
- 1973-05-23 DK DK284173A patent/DK137154B/da unknown
- 1973-05-23 SE SE7307237A patent/SE383241B/xx unknown
- 1973-05-23 FR FR7318695A patent/FR2189944B1/fr not_active Expired
- 1973-05-23 CH CH736873A patent/CH557623A/de not_active IP Right Cessation
- 1973-05-24 BE BE131505A patent/BE800008A/xx unknown
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3045512A1 (de) * | 1980-12-03 | 1982-07-08 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Elektronische durchschalteinrichtung fuer fernseh- und tonrundfunkprogramme |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CH557623A (de) | 1974-12-31 |
AU5593673A (en) | 1974-11-21 |
DE2322783C3 (de) | 1981-02-05 |
FR2189944B1 (de) | 1976-05-28 |
DK137154B (da) | 1978-01-23 |
DK137154C (de) | 1978-06-26 |
ATA450873A (de) | 1976-05-15 |
FR2189944A1 (de) | 1974-01-25 |
DE2322783A1 (de) | 1973-12-20 |
JPS542818B2 (de) | 1979-02-14 |
JPS4943557A (de) | 1974-04-24 |
GB1427813A (en) | 1976-03-10 |
NL7207097A (de) | 1973-11-28 |
AR195606A1 (es) | 1973-10-23 |
BE800008A (fr) | 1973-11-26 |
SE383241B (sv) | 1976-03-01 |
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