DE19957326A1 - Verfahren zur Herstellung von Kontaktstrukturen - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von Kontaktstrukturen

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Abstract

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Kontaktstrukturen auf der ebenen Oberfläche eines Substrats. Das Herstellungsverfahren enthält die folgenden Verfahrensschritte: (a) Ausbilden einer Hilfsschicht auf einer Oberfläche eines Siliziumsubstrats, (b) Ausbilden einer leitenden Schicht aus elektrisch leitendem Material auf der Hilfsschicht, (c) Ausbilden einer Fotolackschicht auf der leitenden Schicht, (d) Ausrichten einer Fotomaske über der Fotolackschicht und Belichten der Fotolackschicht mit ultraviolettem Licht durch die Fotomaske, wobei die Fotomaske ein Bild der Kontaktstrukturen aufweist, (e) Entwickeln des Bildes auf der Fotolackschicht, wobei das Bild an der Oberfläche der Fotolackschicht Öffnungen aufweist, (f) Ausbilden der aus elektrisch leitendem Material bestehenden Kontaktstrukturen in den Öffnungen durch einen Elektroplattiervorgang, (g) Ablösen der Fotolackschicht, (h) Entfernen der Hilfsschicht durch einen ersten Ätzvorgang, wodurch die Kontaktstrukturen vom Siliziumsubstrat getrennt werden, und (i) Entfernen der leitenden Schicht von den Kontaktstrukturen durch einen zweiten Ätzvorgang.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Kontaktstrukturen, und insbesondere ein Verfahren zur Herstellung einer großen Anzahl von Kon­ taktstrukturen in horizontaler Ausrichtung auf einer Halbleiterscheibe und zur Entfernung der Kontaktstruk­ turen von der Scheibe zur Halterung auf einer Nadel­ karte, einem integrierten Schaltungs-Chip oder anderen Kontaktmechanismen in einer vertikalen Ausrichtung.
Zum Prüfen von äußerst dicht montierten elektronischen Hochgeschwindigkeitsbauteilen, wie etwa Großintegrati­ ons- und Größtintegrationsschaltungen, werden ausge­ sprochen leistungsfähige Nadelkarten mit einer großen Anzahl von Kontaktstrukturen benötigt. Daneben können Kontaktstrukturen aber auch als Leitungen von in IC-Ge­ häusen angeordneten integrierten Schaltungen dienen. Die vorliegende Erfindung betrifft ein Herstellungsver­ fahren solcher beim Prüfen von Großintegrations- und Größtintegrationsschaltungschips sowie Halbleiterschei­ ben, bei Voralterungstests von Halbleiterscheiben und Matrizen sowie beim Prüfen und Voraltern von ummantel­ ten Halbleiterbauteilen, gedruckten Leiterplatten etc. und zur Bildung von Leitungsverbindungen von integrier­ ten Schaltungschips oder ummantelten integrierten Schaltungen verwendeten Kontaktstrukturen.
In der am 19.6.1998 eingereichten US-Patentanmeldung Nr. 09/099,614 "Probe Contactor Formed by Photolithogra­ phy Process" sowie der am 27.8.1998 eingereichten US- Patentanmeldung Nr. 09/140,961 "High Performance Inte­ grated Circuit Chip Package" und der am 21.9.1998 ein­ gereichten US-Patentanmeldung 09/157,842 "Packaging and Interconnection of Contact Structure" derselben Anmel­ der wurde ein neuer Typ von Kontaktstruktur für derar­ tige Verwendungszwecke beschrieben. Die vorliegende Erfindung betrifft ein Herstellungsverfahren für Kon­ taktstrukturen der in den genannten Patentanmeldungen beschriebenen Art.
Die obigen Patentanmeldungen betreffen einen neuartigen Kontaktstrukturtyp, der in Fig. 1 dargestellt ist. Beim Beispiel gemäß Fig. 1 sind Kontaktstrukturen 30 auf ei­ ner Nadelkarte so angeordnet, daß sie einen elektri­ schen Kontakt mit den Zielkontakten, beispielsweise auf einer gedruckten Leiterplatte 300 ausgebildeten Kon­ taktflecken 320, herstellen. Die Kontaktstrukturen 30 werden in einem Photolithographieverfahren auf einem Halbleitersubstrat 20 ausgebildet, das in den genannten Patentanmeldungen ausführlich beschrieben ist.
Obwohl die in den obigen Patentanmeldungen erläuterten Herstellungsverfahren erfolgreich durchgeführt werden können, so ist hierbei doch eine relativ große Anzahl von Lithographieschritten notwendig, um die Struktur in einer vertikalen Ausrichtung auf dem Substrat auszubil­ den. Es wurde daher ein einfacheres und kostengünsti­ geres Herstellungsverfahren gesucht, das aufgrund der vereinfachten Herstellung auch in der Lage ist, Kon­ taktstrukturen mit höherer Zuverlässigkeit zu erzeugen.
Es ist daher eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren zur Herstellung einer großen Anzahl von Kontaktstrukturen unter Einsatz relativ einfacher Tech­ niken zu beschreiben.
Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein Verfahren zur Herstellung einer großen An­ zahl von Kontaktstrukturen auf einer ebenen Oberfläche eines Siliziumsubstrats zu beschreiben, wobei die Her­ stellung in zweidimensionaler anstatt in dreidimensio­ naler Weise erfolgt.
Außerdem besteht eine Aufgabe der vorliegenden Erfin­ dung darin, ein Verfahren zur Herstellung einer großen Anzahl von Kontaktstrukturen in einer zweidimensionalen Weise auf einem Siliziumsubstrat zu beschreiben, bei dem die Kontaktstrukturen zur Halterung auf einer Na­ delkarte oder einem anderen Kontaktmechanismus vom Sub­ strat entfernt werden.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es auch, ein Verfahren zur Herstellung einer großen Anzahl von Kon­ taktstrukturen in zweidimensionaler Weise auf einem Si­ liziumsubstrat zu beschreiben, bei dem die Kon­ taktstruktur vom Siliziumsubstrat auf ein Haftband oder eine Haftplatte übertragen wird und die Kontaktstruktu­ ren sodann zur Halterung an einer Nadelkarte oder einem anderen Kontaktmechanismus vom Haftband oder der Platte entfernt werden.
Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht auch darin, ein Verfahren zur Herstellung einer großen An­ zahl von Kontaktstrukturen zu beschreiben, das kosten­ günstig und ausgesprochen effizient ist.
Daneben ist es eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren zur Herstellung einer großen Anzahl von Kontaktstrukturen zu beschreiben, die eine hohe mecha­ nische Festigkeit und Zuverlässigkeit aufweisen.
Schließlich liegt der vorliegenden Erfindung auch die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Herstellung von Kontaktstrukturen zu beschreiben, die beim Prüfen und bei Voralterungstests von Halbleiterscheiben, ummantel­ ten Großintegrationsschaltungen etc. verwendet werden.
Gemäß der vorliegenden Erfindung werden Kontaktstruktu­ ren zum Prüfen (einschließlich der Voralterungstests) von Halbleiterscheiben, ummantelten Großintegrationsschaltungen oder gedruckten Leiterplat­ ten (Bauteilprüfling) auf einer ebenen Oberfläche eines Siliziumsubstrats mit Hilfe einer bei der Herstellung von Halbleitern üblichen Photolithographietechnik er­ zeugt. Die erfindungsgemäße Kontaktstruktur kann auch bei Leitungsverbindungen von Elektronikbauteilen, etwa Leitungen integrierter Schaltungen und Pins, Verwendung finden.
Gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der Erfindung umfaßt das Herstellungsverfahren die folgenden Verfah­ rensschritte:
  • a) Ausbilden einer Hilfsschicht auf einer Oberfläche eines Siliziumsubstrats;
  • b) Ausbilden einer leitenden Schicht aus elektrisch leitendem Material auf der Hilfsschicht;
  • c) Ausbilden einer Fotolackschicht auf der leitenden Schicht;
  • d) Ausrichten einer Fotomaske über der Fotolackschicht und Belichten der Fotolackschicht mit ultraviolettem Licht durch die Fotomaske, wobei die Fotomaske ein Bild der Kontaktstruktur aufweist;
  • e) Entwickeln des Bildes auf der Fotolackschicht, wobei das Bild an der Oberfläche der Fotolackschicht Öff­ nungen aufweist;
  • f) Ausbilden der aus elektrisch leitendem Material be­ stehenden Kontaktstrukturen in den Öffnungen durch einen Elektroplattiervorgang;
  • g) Ablösen der Fotolackschicht;
  • h) Entfernen der Hilfsschicht durch einen ersten Ätz­ vorgang, wodurch die Kontaktstrukturen vom Silizium­ substrat getrennt werden; und
  • i) Entfernen der leitenden Schicht von der Kon­ taktstruktur durch einen zweiten Ätzvorgang.
Ein weiterer Aspekt dieses ersten Ausführungsbeispiels betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines mit Kon­ taktstrukturen versehenen Kontaktmechanismus, wobei die Kontaktstrukturen jeweils eine Federkraft zur Herstel­ lung eines elektrischen Kontakts mit einem Kontaktziel entfalten können. Das Herstellungsverfahren umfaßt da­ bei die folgenden Verfahrensschritte:
  • a) Ausbilden einer Hilfsschicht auf einer Oberfläche eines Siliziumsubstrats;
  • b) Ausbilden einer leitenden Schicht aus elektrisch leitendem Material auf der Hilfsschicht;
  • c) Ausbilden der Kontaktstrukturen durch ein Photo­ lithographieverfahren, wobei die Kontaktstrukturen auf dem Siliziumsubstrat in einer horizontalen Aus­ richtung angeordnet sind;
  • d) Entfernen der Kontaktstrukturen vom Siliziumsubstrat und von der leitenden Schicht;
  • e) Ausrichten und Anordnen der Kontaktstrukturen in ei­ ner bestimmten Ausrichtung;
  • f) Positionieren des mit Verbindungsstellen versehenen Kontaktmechanismus zur Befestigung der Kontaktstruk­ tur an den Verbindungsstellen; und
  • g) Aufnehmen wenigstens einer Kontaktstruktur und Pla­ zieren dieser Kontaktstruktur an einer bestimmten Position auf dem Verbindungs-Anschlußfleck des Kon­ taktmechanismus sowie Verbinden der Kontaktstruktur mit dem Verbindungsfleck.
Das zweite erfindungsgemäße Ausführungsbeispiel be­ trifft ein Verfahren, bei dem in horizontaler Ausrich­ tung hergestellte Kontaktstrukturen auf ein Haftband übertragen werden, was die spätere Herstellung eines Kontaktmechanismus vereinfacht. Das zweite erfindungs­ gemäße Ausführungsbeispiel umfaßt die folgenden Verfahrensschritte:
  • a) Ausbilden einer Hilfsschicht auf einer Oberfläche eines Siliziumsubstrats;
  • b) Ausbilden einer leitenden Schicht aus elektrisch leitendem Material auf der Hilfsschicht;
  • c) Ausbilden einer Fotolackschicht auf der leitenden Schicht;
  • d) Ausrichten einer Fotomaske über der Fotolackschicht und Belichten der Fotolackschicht mit ultraviolettem Licht durch die Fotomaske, wobei die Fotomaske ein Bild der Kontaktstrukturen aufweist;
  • e) Entwickeln des Bildes auf der Fotolackschicht, wobei das Bild an der Oberfläche der Fotolackschicht Öff­ nungen aufweist;
  • f) Ausbilden der aus elektrisch leitendem Material be­ stehenden Kontaktstrukturen in den Öffnungen durch einen Elektroplattiervorgang;
  • g) Ablösen der Fotolackschicht;
  • h) Anordnen eines Haftbandes auf den Kontaktstrukturen in einer Weise, daß die oberen Flächen der Kon­ taktstrukturen am Haftband anhaften; und
  • i) Entfernen der Hilfsschicht und der leitenden Schicht durch einen Ätzvorgang, wodurch die am Haftband be­ findlichen Kontaktstrukturen vom Siliziumsubstrat getrennt werden.
Ein weiterer Aspekt des zweiten erfindungsgemäßen Aus­ führungsbeispiel besteht in einem Verfahren zur Her­ stellung eines mit den obigen Kontaktstrukturen verse­ henen Kontaktmechanismus unter Verwendung eines Auf­ nehme- und Plaziermechanismus. Das Herstellungsverfah­ ren umfaßt dabei die folgenden Verfahrensschritte:
  • a) Ausbilden einer Hilfsschicht auf einer Oberfläche eines Siliziumsubstrats;
  • b) Ausbilden einer leitenden Schicht aus elektrisch leitendem Material auf der Hilfsschicht;
  • c) Ausbilden der Kontaktstrukturen durch ein Photo­ lithographieverfahren, wobei die Kontaktstrukturen auf dem Siliziumsubstrat in einer horizontalen Aus­ richtung angeordnet sind;
  • d) Übertragen der Kontaktstrukturen vom Silizium­ substrat auf ein Haftband;
  • e) Positionieren des mit den Kontaktstrukturen ver­ sehenen Haftbands und Entfernen der Kon­ taktstrukturen vom Haftband;
  • f) Ausrichten der Kontaktstrukturen in einer bestimmten Ausrichtung;
  • g) Positionieren eines mit Verbindungsstellen zur Hal­ terung der Kontaktstrukturen versehenen Kon­ taktmechanismus; und
  • h) Plazieren der Kontaktstruktur an einer bestimmten Position auf der Verbindungsstelle des Kontaktmecha­ nismus und Verbinden der Kontaktstruktur mit der Verbindungsstelle.
Durch das erfindungsgemäße Herstellungsverfahren ist es möglich, mit Hilfe relativ einfacher Techniken eine große Anzahl von Kontaktstrukturen in einer horizonta­ len Ausrichtung auf dem Siliziumsubstrat herzustellen. Die derart hergestellten Kontaktstrukturen werden vom Substrat entfernt und auf einem Kontaktmechanismus, etwa einer Nadelkarte, in vertikaler Ausrichtung gehal­ tert. Gemäß der vorliegenden Erfindung lassen sich Kon­ taktstrukturen mit großer Zuverlässigkeit und hoher me­ chanischer Festigkeit kostengünstig und sehr effektiv herstellen. Die mit Hilfe des erfindungsgemäßen Verfah­ rens hergestellten Kontaktstrukturen lassen sich vor­ teilhaft beim Prüfen einer Halbleiterscheibe, ummantel­ ter Großintegrationsschaltungen usw., einschließlich der Voralterungstests, einsetzen.
Im folgenden wird die vorliegende Erfindung unter Be­ zugnahme auf die beigefügte Zeichnung näher erläutert.
In der Zeichnung zeigen
Fig. 1 eine Schemadarstellung einer struktu­ rellen Beziehung zwischen der die Kon­ taktstrukturen halternden Nadelkarte und Zielkontakten, beispielsweise ei­ ner Halbleiterscheibe;
Fig. 2A bis 2D Schemadarstellungen von Grundkonzepten des erfindungsgemäßen Herstellungsver­ fahrens, wobei eine große Anzahl an Kontaktstrukturen auf einer ebenen Oberfläche eines Siliziumsubstrats hergestellt und hiervon für spätere Arbeitsschritte entfernt wird;
Fig. 3A bis 3L Schemadarstellungen eines Beispiels für das Herstellungsverfahren gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zur Herstellung der Kontaktstrukturen;
Fig. 4A bis 4D Schemadarstellungen eines Beispiels für das Herstellungsverfahren gemäß dem zweiten erfindungsgemäßen Ausfüh­ rungsbeispiel zur Herstellung der Kon­ taktstrukturen;
Fig. 5 eine Schemadarstellung eines Verfah­ rensschritts, bei dem die Kon­ taktstrukturen aufgenommen und auf ein Substrat, etwa eine Nadelkarte, pla­ ziert werden;
Fig. 6A und 6B Schemadiagramme eines Beispiels für einen Aufnahme- und Plaziermechanismus und seine Arbeit beim Aufnehmen von Kontaktstrukturen und dem Plazieren dieser Kontaktstrukturen auf ein Sub­ strat, beispielsweise eine Nadelkarte, zur Halterung der Kontaktstrukturen auf dem Substrat;
Fig. 7A und 7B Schemadiagramme eines weiteren Bei­ spiels für einen Aufnahme- und Pla­ ziermechanismus und seine Arbeit beim Aufnehmen von Kontaktstrukturen und Plazieren dieser Kontaktstrukturen auf ein Substrat, beispielsweise eine Na­ delkarte, zur Halterung der Kon­ taktstrukturen auf dem Substrat;
Fig. 8 eine Perspektivansicht eines Beispiels eines Kontaktmechanismus, beispiels­ weise einer Kontaktnadelkarte, mit den im erfindungsgemäßen Verfahren herge­ stellten Kontaktstrukturen; und
Fig. 9A bis 9F Schemadiagramme von Beispielen für die Form der im erfindungsgemäßen Verfah­ ren herzustellenden Kontaktstrukturen.
Im folgenden werden bevorzugte Ausführungsbeispiele der Erfindung näher beschrieben. Jede der in Fig. 1 darge­ stellten Kontaktstrukturen 30 erzeugt einen Kontakt­ druck aufgrund einer hauptsächlich durch seinen hori­ zontalen Bereich ausgeübten Federkraft, wenn die Kon­ taktstruktur gegen den Kontaktfleck 320 auf der ge­ druckten Leiterplatte 300 gedrückt wird. Aufgrund des Kontaktdrucks kommt es auch zu einem Abriebeffekt der Spitze der Kontaktstruktur gegen die Oberfläche des Kontaktflecks 320. Die Kontaktstrukturen können ver­ schiedene Formen aufweisen, wie dies in den Fig. 9A bis 9F dargestellt ist.
Fig. 2 zeigt eine Grundidee der vorliegenden Erfindung zur Herstellung derartiger Kontaktstrukturen. Gemäß der vorliegenden Erfindung werden, wie in Fig. 2A darge­ stellt, Kontaktstrukturen auf einer ebenen Oberfläche eines Siliziumsubstrats in einer horizontalen Ausrich­ tung, d. h. in zweidimensionaler Weise, hergestellt. Dann werden beim in Fig. 2B dargestellten ersten Ausfüh­ rungsbeispiel die Kontaktstrukturen zur Halterung an einer gedruckten Leiterplatte, einem integrierten Schaltungs-Chip oder einem anderen Kontaktmechanismus in einer vertikalen Ausrichtung, d. h. in der Fig. 8 zu entnehmenden dreidimensionalen Weise, vom Substrat ent­ fernt.
Beim zweiten Ausführungsbeispiel werden Kontaktstruktu­ ren auf einer ebenen Oberfläche eines Siliziumsubstrats in einer horizontalen Ausrichtung, d. h. in zweidimen­ sionaler Weise, hergestellt, wie dies Fig. 2C zu entneh­ men ist, die Fig. 2A entspricht. Danach werden die Kon­ taktstrukturen, wie in Fig. 2D gezeigt, vom Substrat auf ein Haftelement, etwa ein Haftband, einen Haftfilm oder eine Haftplatte (im folgenden kollektiv als "Haftband" bezeichnet) übertragen. Die auf dem Haftband befindli­ chen Kontaktstrukturen werden nun mit Hilfe eines Auf­ nahme- und Plaziermechanismus zur Halterung auf einer gedruckten Leitungsplatte, einem integrierten Schal­ tungs-Chip oder einem anderen Kontaktmechanismus in ei­ ner vertikalen Ausrichtung, d. h. in dreidimensionaler Weise gemäß Fig. 8, vom Haftband entfernt.
Die Fig. 3A bis 3L zeigen Schemadarstellungen eines Bei­ spiels für den Herstellungsvorgang der Kontaktstruktur gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. In Fig. 3A wird eine Hilfsschicht 42 auf ei­ nem Siliziumsubstrat 40 ausgebildet. Die Hilfsschicht 42 wird dabei durch einen Ablagerungsvorgang, etwa ein chemisches Bedampfen (CVD) beispielsweise aus Sili­ ziumdioxid (SiO2) hergestellt und dient in einem späte­ ren Abschnitt des Herstellungsverfahrens dazu, die Kon­ taktstruktur vom Siliziumsubstrat zu trennen.
Daraufhin wird auf der Hilfsschicht 42 beispielsweise durch einen Verdampfungsschritt eine Haftverstärkungs­ schicht 44 hergestellt, wie dies Fig. 3B zu entnehmen ist. Die Haftverstärkungsschicht 44 kann beispielsweise aus Chrom (Cr) und Titan (Ti) mit einer Dicke von 20 bis 100 nm bestehen. Die Haftverstärkungsschicht 44 er­ leichtert die Haftung der leitenden Schicht 46 gemäß Fig. 3C am Siliziumsubstrat 40. Die leitende Schicht 46 besteht beispielsweise aus Kupfer (Cu) oder Nickel (Ni) mit einer Dicke von 100 bis 500 nm. Die leitende Schicht 46 liefert in einem späteren Abschnitt die elektrische Leitfähigkeit für einen Elektroplattiervor­ gang.
Im nächsten Verfahrensschritt wird eine Fotolackschicht 48 auf der leitenden Schicht 46 ausgebildet, über die eine Fotomaske 50 genau ausgerichtet und sodann mit ul­ traviolettem Licht (UV-Licht) belichtet wird, wie sich dies Fig. 3D entnehmen läßt. Die Fotomaske 50 zeigt ein zweidimensionales Bild der Kontaktstruktur 30, das auf der Fotolackschicht 48 entwickelt wird. Wie bereits aus dem Stand der Technik bekannt ist, kann zu diesem Zweck sowohl Positiv- als auch Negativ-Fotolack verwendet werden. Wird ein positiv wirkender Fotolack eingesetzt, so härtet die durch die lichtundurchlässigen Bereiche der Maske 50 abgedeckte Fotolackschicht nach der Be­ lichtung aus. Als Fotolackmaterial kann beispielsweise Novolak (M-Kresol-Formaldehyd), PMMA (Polymethylmethakrylat), SU-8 und lichtempfindliches Polyimid verwendet werden. Der belichtete Teil des Lacks kann nun aufgelöst und abgewaschen werden, wobei eine Fotolackschicht 48 gemäß Fig. 3E mit einer Öffnung A zurückbleibt (Entwicklungs-Schritt). Fig. 3F zeigt eine Aufsicht auf die Fotolackschicht 48 gemäß Fig. 3E, der sich entnehmen läßt, daß die Öffnung A die Form der Kontaktstruktur 30 aufweist.
Beim genannten Photolithographieverfahren kann die Fo­ tolackschicht 48 in bekannter Weise anstatt mit UV- Licht auch mit einem Elektronenstrahl oder Röntgen­ strahlen belichtet werden. Es ist außerdem möglich, das Bild der Kontaktstruktur direkt auf den Fotolack 48 zu schreiben, indem der Fotolack 48 durch einen Direkt­ schreib-Elektronenstrahl, einen entsprechenden Röntgen­ strahl oder eine Lichtquelle (Laser) belichtet wird.
Das Kontaktstrukturmaterial, wie etwa Kupfer (Cu), Nic­ kel (Ni), Aluminium (Al), Rhodium (Rh), Palladium (Pd), Wolfram (W) oder ein anderes Metall wird zur Ausbildung der Kontaktstruktur in der Öffnung A der Fotolack­ schicht 48 wie in Fig. 3G gezeigt (durch Elektroplattie­ ren) abgelagert. Es kann von Vorteil sein, wenn das Kontaktmaterial nicht mit dem Material der leitenden Schicht 46 identisch ist, so daß beide verschiedene Ätzeigenschaften aufweisen, worauf später noch näher eingegangen wird. Der in Fig. 3G gezeigte überstehende Plattierungsbereich der Kontaktstruktur 30 kann im in Fig. 3H gezeigten Schleifschritt (Einebenungsschritt) abgetragen werden.
Im nächsten Verfahrensschritt wird die Fotolackschicht 48 in einem Lackabtragverfahren gemäß Fig. 3I abgelöst. Üblicherweise wird die Lackschicht 48 durch ein chemi­ sches Naßverfahren entfernt. Es können aber auch bei­ spielsweise ein Ablöseverfahren auf Azetonbasis oder ein Plasma-O2-Ablöseverfahren eingesetzt werden. Die Hilfsschicht 42 wird, wie in Fig. 3J gezeigt, so wegge­ ätzt, daß die Kontaktstruktur 30 vom Siliziumsubstrat 40 getrennt wird. In einem weiteren Ätzschritt werden die Haftverstärkungsschicht 44 und die leitende Schicht 46 von der Kontaktstruktur 30 entfernt, wie sich dies Fig. 3K entnehmen läßt.
Die Ätzbedingungen können so gewählt werden, daß zwar die Schichten 44 und 46, nicht jedoch die Kontaktstruk­ tur 30 weggeätzt werden. Anders ausgedrückt, muß, wie erwähnt, für die Kontaktstruktur 30 ein anderes leiten­ des Material verwendet werden als für die leitende Schicht, damit die leitende Schicht 46 weggeätzt werden kann, während die Kontaktstruktur 30 nicht beeinträch­ tigt wird. Schließlich wird die Kontaktstruktur 30 von möglicherweise noch vorhandenen anderen Materialien ge­ trennt, wie sich dies der Perspektivansicht gemäß Fig. 3L entnehmen läßt. Zwar ist in den Herstellungs­ schritten gemäß den Fig. 3A bis 3L nur die Herstellung einer Kontaktstruktur gezeigt; tatsächlich wird hierbei jedoch gleichzeitig die in den Fig. 2A bis 2D gezeigte große Zahl von Kontaktstrukturen erzeugt.
Die Fig. 4A bis 4D sind Schemadiagramme eines Beispiels für Herstellungsschritte zur Herstellung der Kon­ taktstrukturen gemäß dem zweiten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. Beim zweiten Ausführungs­ beispiel wird bei der Herstellung zusätzlich ein Haft­ band verwendet, auf das die Kontaktstrukturen vom Sili­ ziumsubstrat weg übertragen werden. Die Fig. 4A bis 4D zeigen nur einen späteren Abschnitt des Herstellungs­ vorgangs, in dem das Haftband zum Einsatz kommt.
In Fig. 4A ist ein Verfahrensschritt dargestellt, der demjenigen gemäß Fig. 31 entspricht, wobei die Fotolack­ schicht 48 im Lackablösungsschritt entfernt wird. Da­ nach wird, wie sich ebenfalls Fig. 4A entnehmen läßt, ein Haftband 90 auf eine obere Fläche der Kontaktstruk­ tur 30 so plaziert, daß die Kontaktstruktur 30 am Haft­ band 90 anhaftet. Wie bereits unter Bezugnahme auf die Fig. 2D angemerkt wurde, schließt das Haftband 90 im Rahmen der vorliegenden Erfindung auch andere Typen von Haftelementen, etwa einen Haftfilm oder eine Haftplatte mit ein.
Beim Verfahrensschritt gemäß Fig. 4B wird die Hilfs­ schicht 42 so weggeätzt, daß die auf dem Haftband 90 befindliche Kontaktstruktur 30 vom Siliziumsubstrat 40 getrennt wird. Sodann wird ein weiterer Ätzschritt der­ art durchgeführt, daß die Haftverstärkungsschicht 44 und die leitende Schicht 46 von der Kontaktstruktur 30 entfernt werden, wie dies Fig. 4C zu entnehmen ist.
Wie bereits erwähnt, muß für die Herstellung der Kon­ taktstruktur 30 ein anderes leitendes Material verwen­ det werden als für die leitende Schicht, um die lei­ tende Schicht 46 wegätzen zu können, ohne die Kon­ taktstruktur 30 zu beeinträchtigen. Obwohl bei den Her­ stellungsschritten gemäß den Fig. 4A bis 4C nur eine Kontaktstruktur gezeigt ist, wird auch hier beim tatsächlichen Verfahren gleichzeitig eine große Zahl von Kontaktstrukturen erzeugt. Somit wird eine große Zahl von Kontaktstrukturen 30 auf das Haftband 90 über­ tragen und vom Siliziumsubstrat und anderen Materialien getrennt, wie sich dies der Aufsicht gemäß Fig. 4D ent­ nehmen läßt.
Fig. 5 ist eine Schemadarstellung eines Verfahrens­ schritts, bei dem die im ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung hergestellten Kontaktstrukturen aufgenommen und auf ein Substrat, beispielsweise eine Nadelkarte, plaziert werden. Die durch die Verfahrens­ schritte gemäß den Fig. 3A bis 3L erzeugten Kon­ taktstrukturen 30 werden in einem Behälter 52 gelagert und von diesem einem Aufnahme- und Plaziermechansimus 55 zugeführt. Dabei kann entweder der Behälter 52 oder der Aufnahme- und Plaziermechanismus 55 eine Ausricht­ funktion aufweisen, so daß der Aufnahme- und Plazierme­ chanismus 55 die Kontaktstrukturen in jeweils derselben Position und Ausrichtung erfaßt. Eine mit Verbindungs­ flecken 32 versehene Nadelkarte 20 wird auf einem Koor­ dinatentisch 57 plaziert. Mit Hilfe des Koordinatenti­ sches 57 kann die Position der Nadelkarte sowohl X- und Y-Richtung als auch in einer vertikalen Richtung genau eingestellt werden, so daß der Aufnehme- und Plaziermechanismus 55 die Kontaktstrukturen 30 auf den entsprechenden Verbindungsflecken 32 genau plazieren kann.
Die Fig. 6A und 6B zeigen Schemadiagramme eines Bei­ spiels eines Aufnahme- und Plaziermechanismus und sei­ ner Arbeitsschritte beim Aufnehmen der Kontaktstruktu­ ren 30 vom Haftband 90 und beim Plazieren der Kon­ taktstrukturen auf einem Substrat 20, beispielsweise einer Nadelkarte. Der Aufnahme- und Plaziermechanismus gemäß Fig. 6 wird vorzugsweise für Kontaktstrukturen eingesetzt, die durch das Verfahren gemäß dem zweiten erfindungsgemäßen Ausführungsbeispiel hergestellt wur­ den. Fig. 6A zeigt eine Aufsicht auf den Aufnahme- und Plaziermechanismus 60 und Fig. 6B eine Vorderansicht des Aufnahme- und Plaziermechanismus, der dazu dient, die auf dem Haftband 90 befindliche Kontaktstruktur 30 auf­ zunehmen und sie auf Verbindungsstellen 32 des Sub­ strats 20 in einer Weise zu plazieren, daß die Kon­ taktstrukturen 30 mit Hilfe eines (nicht dargestellten) Verbindungsgeräts mit den Verbindungsstellen 32 verbun­ den werden können.
Bei diesem Beispiel besteht der Aufnahme- und Plazier­ mechanismus 60 aus einem ersten Übertragungsmechanismus 71 zur Aufnahme, Übertragung und Plazierung der Kon­ taktstrukturen 30, einem beweglichen Arm 65, welcher Bewegungen des Übertragungsmechanismus 71 in eine Y- Richtung ermöglicht, einem zweiten Übertragungsmecha­ nismus 72 zum Aufnehmen, Übertragen und Plazieren der Kontaktstrukturen 30, einem beweglichen Arm 66, der Be­ wegungen des Übertragungsmechanismus 72 in die Y-Rich­ tung ermöglicht, und Schienen 62 und 63, die Bewegungen der beweglichen Arme 65 und 66 in eine X-Richtung er­ möglichen. Somit können sich die Übertragungsmechanis­ men 71 und 72 auf dem Aufnahme- und Plaziermechanismus 60 in X- und Y-Richtung frei bewegen. Der Aufnahme- und Plaziermechanismus 60 gemäß den Fig. 6A und 6B umfaßt weiterhin einen Horizontal-/Vertikalrichtungswandler 68, der Kontaktstrukturen 30 aufnimmt und ihre Ausrich­ tung verändert.
Der Übertragungsmechanismus 71 enthält einen Saugarm 73, der Ansaug- (Aufnahme) und Abgabeoperationen (Plazierung) an den Kontaktstrukturen 30 durchführt. Die Saugkraft wird beispielsweise durch einen negativen Druck, etwa ein Vakuum, erzeugt. Der Saugarm 73 bewegt sich in eine Z-Richtung (Aufwärts/Abwärts-Richtung). In entsprechender Weise enthält der Übertragungsmechanis­ mus 72 einen Saugarm 76, der Ansaug- (Aufnahme) und Ab­ gabeoperationen (Plazierung) an den Kontaktstrukturen 30 durchführt. Der Saugarm 76 bewegt sich ebenfalls in Z-Richtung. Wie sich den Fig. 6A und 6B entnehmen läßt, ist zur Gewinnung von Bilddaten, die die genaue Kon­ trolle der Bewegungen der Übertragungsmechanismen 71 und 72 ermöglichen, an den Übertragungsmechanismen 71 und 73 jeweils eine beispielsweise mit CCD-Bild-Senso­ ren ausgestattete Kamera 74 bzw. 75 befestigt.
Das die Kontaktstrukturen 30 aufweisende Haftband 90 und das mit Verbindungsstellen 32 versehene Substrat 20 werden nun jeweils auf dem Aufnahme- und Plazierme­ chanismus positioniert. Vorzugsweise werden das Haft­ band 90 und das Substrat auf (nicht dargestellten) Koordinatentischen plaziert, die eine Einstellung in X-, Y- und Z-Richtung ermöglichen. Wie sich Fig. 6A ent­ nehmen läßt, nimmt der Übertragungsmechanismus 71 die Kontaktstruktur 30 vom Haftband 90 durch die Ansaug­ kraft des Saugarms 76 auf und plaziert diese auf dem Richtungswandler 68. Sobald eine bestimmte Anzahl von Kontaktstrukturen 30 auf dem Richtungswandler 68 pla­ ziert sind, wird die horizontale Ausrichtung der Kon­ taktstrukturen in eine vertikale Ausrichtung umgewan­ delt.
Der Übertragungsmechanismus 72 nimmt sodann die im Richtungswandler 68 befindliche Kontaktstruktur mit Hilfe der Ansaugkraft des Saugarms 76 auf. Durch die Arbeit des Richtungswandlers 68 weist die Kontaktstruk­ tur 30 nun die in Fig. 6B dargestellte vertikale Aus­ richtung auf. Der Übertragungsmechanismus 72 plaziert die Kontaktstruktur 30 auf die Verbindungsstelle 32 auf dem Substrat 20. Die Kontaktstruktur 30 wird sodann durch einen Verbindungsschritt in bekannter Weise mit der Verbindungsstelle 32 verbunden.
Die Fig. 7A und 7B sind Schemadarstellungen eines weite­ ren Beispiels eines Verfahrensschritts zur Aufnahme von Kontaktstrukturen vom Haftband 90 und zur Plazierung dieser Kontaktstrukturen auf das Substrat. Der Auf­ nahme- und Plaziermechanismus gemäß Fig. 7 wird in vor­ teilhafter Weise bei Kontaktstrukturen eingesetzt, die durch das Verfahren gemäß dem zweiten erfindungsgemäßen Ausführungsbeispiel hergestellt wurden. Bei Fig. 7A han­ delt es sich um eine Vorderansicht des Aufnahme- und Plaziermechanismus 80, wobei die erste Hälfte des Auf­ nahme- und Plaziervorgangs dargestellt ist. Fig. 7B zeigt eine Vorderansicht des Aufnahme- und Plazierme­ chanismus 80 während der zweiten Hälfte des Aufnahme- und Plaziervorgangs.
Bei diesem Beispiel besteht der Aufnahme- und Plazier­ mechanismus 80 aus einem Übertragungsmechanismus 84 zur Aufnahme und Plazierung der Kontaktstrukturen 30, be­ weglichen Armen 86 und 87, die eine Bewegung des Über­ tragungsmechanismus 84 in X-, Y- und Z-Richtung ermöglichen, Tischen 81 und 82, deren Position in X-, Y- und Z-Richtung einstellbar ist, und einer Überwachungskamera 78, die beispielsweise einen CCD- Bildsensor enthält. Der Übertragungsmechanismus 84 um­ faßt einen Saugarm 85, der eine Ansaug- (Aufnahme) und Abgabeoperation (Plazierung) an den Kontaktstrukturen 30 durchführt. Die Ansaugkraft entsteht beispielsweise durch einen negativen Druck, etwa durch ein Vakuum. Der Saugarm 85 dreht sich um einen bestimmten Winkel, bei­ spielsweise von 90°.
Im Betrieb werden das mit den Kontaktstrukturen 30 ver­ sehene Haftband 90 und das die Verbindungsstellen 32 aufweisende Substrat 20 jeweils auf dem entsprechenden Tisch 81 bzw. 82 des Aufnahme- und Plaziermechanismus 80 ausgerichtet. Wie sich Fig. 7A entnehmen läßt, nimmt der Übertragungsmechanismus 80 die Kontaktstruktur 30 vom Haftband 90 mit Hilfe der Ansaugkraft des Saugarms 85 ab. Nach der Aufnahme der Kontaktstruktur 30 dreht sich der Saugarm 85 beispielsweise, wie in Fig. 7B dar­ gestellt, um 90°. Die Kontaktstruktur 30 wird hierdurch aus einer horizontalen Ausrichtung in eine vertikale Ausrichtung gebracht. Der Übertragungsmechanismus 80 plaziert sodann die Kontaktstruktur 30 auf der Verbin­ dungsstelle 32 des Substrats 20. Die Kontaktstruktur 30 wird durch einen Verbindungsschritt in bekannter Weise mit der Verbindungsstelle 32 verbunden.
Fig. 8 zeigt eine Perspektivansicht eines Beispiels für einen Kontaktmechanismus, etwa ein Kontaktprüfelement, mit erfindungsgemäß hergestellten Kontaktstrukturen. Jede Kontaktstruktur 30 ist durch einen Verbindungs­ schritt an der Oberfläche des jeweiligen Verbindungs­ flecken befestigt. Die Verbindungstechniken reichen da­ bei u. a. vom Hartlöten über das Ultraschallschweißen und die Verwendung eines leitfähigen Haftmittels bis zum Löten und Mikroschweißen.
Die Fig. 9A bis 9F sind Schemadarstellungen von Beispie­ len für die Form der durch das erfindungsgemäße Verfah­ ren hergestellten Kontaktstrukturen. Dabei sind in den Fig. 9A bis 9F nur einige Beispiele dargestellt, während die Kontaktstrukturen durchaus auch andere Formen auf­ weisen können. Wenn die Kontaktstrukturen gemäß den Fig. 9A bis 9F auf einem Kontaktmechanismus, etwa einer aus einer gedruckten Leiterplatte gebildeten Nadelkarte befestigt sind und gegen die Zielkontakte, etwa Kon­ taktflecken auf einer zu prüfenden Halbleiterscheibe, gedrückt werden, so erzeugen sie aufgrund einer Feder­ wirkung eine Kontaktkraft und es kommt zudem in Abhän­ gigkeit von der Metallurgie der Zielkontakte ggf. zu einer Abreibwirkung gegen die Oberfläche der Zielkon­ takte.
Durch das erfindungsgemäße Herstellungsverfahren ist es möglich, eine große Anzahl von Kontaktstrukturen in ho­ rizontaler Ausrichtung auf dem Siliziumsubstrat unter Verwendung relativ einfacher Techniken herzustellen. Die so erzeugten Kontaktstrukturen werden sodann vom Substrat entfernt und an einem Kontaktmechanismus, bei­ spielsweise einer Nadelkarte, in vertikaler Ausrichtung gehaltert. Die Kontaktstrukturen werden gemäß der vor­ liegenden Erfindung in kostengünstiger und sehr effizi­ enter Weise hergestellt und weisen eine hohe mechani­ sche Festigkeit und Zuverlässigkeit auf. Die durch das erfindungsgemäße Verfahren hergestellten Kon­ taktstrukturen werden in vorteilhafter Weise beim Prü­ fen von Halbleiterscheiben, ummantelten Großintegrati­ onsschaltungen und ähnlichen Elementen, einschließlich der Voralterungstests, eingesetzt.

Claims (21)

1. Verfahren zur Herstellung von Kontaktstrukturen, enthaltend die folgenden Verfahrensschritte:
  • - Ausbilden einer Hilfsschicht auf einer Oberflä­ che eines Siliziumsubstrats;
  • - Ausbilden einer leitenden Schicht aus elektrisch leitendem Material auf der Hilfsschicht;
  • - Ausbilden einer Fotolackschicht auf der leiten­ den Schicht;
  • - Ausrichten einer Fotomaske über der Fotolack­ schicht und Belichten der Fotolackschicht mit ultraviolettem Licht durch die Fotomaske, wobei die Fotomaske ein Bild der Kontaktstruktur auf­ weist;
  • - Entwickeln des Bildes auf der Fotolackschicht, wobei das Bild an der Oberfläche der Fotolack­ schicht Öffnungen aufweist;
  • - Ausbilden der aus elektrisch leitendem Material bestehenden Kontaktstrukturen in den Öffnungen durch einen Ablagerungsvorgang;
  • - Ablösen der Fotolackschicht;
  • - Entfernen der Hilfsschicht durch einen ersten Ätzvorgang, wodurch die Kontaktstrukturen vom Siliziumsubstrat getrennt werden; und
  • - Entfernen der leitenden Schicht von den Kon­ taktstrukturen durch einen zweiten Ätzvorgang.
2. Verfahren zur Herstellung von Kontaktstrukturen nach Anspruch 1, wobei beim Ausricht- und Belichtungs­ schritt die Fotolackschicht durch die Fotomaske hin­ durch mittels eines Elektronenstrahls oder mittels Röntgenstrahlen belichtet wird.
3. Verfahren zur Herstellung von Kontaktstrukturen nach Anspruch 1, wobei im Ausricht- und Belichtungs­ schritt die Fotolackschicht direkt durch einen Elek­ tronenstrahl, einen Röntgenstrahl oder Laserlicht derart belichtet wird, daß das Bild der Kon­ taktstruktur darauf entsteht.
4. Verfahren zur Herstellung von Kontaktstrukturen nach Anspruch 1, weiterhin enthaltend einen Verfahrens­ schritt, in dem eine Haftverstärkungsschicht zwi­ schen der Hilfsschicht und der leitenden Schicht ausgebildet wird.
5. Verfahren zur Herstellung von Kontaktstrukturen nach Anspruch 1, wobei für die leitende Schicht ein an­ deres elektrisch leitendes Material verwendet wird als für die Kontaktstrukturen.
6. Verfahren zur Herstellung von Kontaktstrukturen nach Anspruch 4, wobei die Haftverstärkungsschicht aus Chrom (Cr) oder Titan (Ti) besteht.
7. Verfahren zur Herstellung eines Kontaktmechanismus mit Kontaktstrukturen, die jeweils eine Federkraft zur Herstellung eines elektrischen Kontakts mit ei­ nem Zielkontakt entfalten können, wobei das Verfah­ ren die folgenden Verfahrensschritte umfaßt:
  • - Ausbilden einer Hilfsschicht auf einer Oberflä­ che eines Siliziumsubstrats;
  • - Ausbilden einer leitenden Schicht aus elektrisch leitendem Material auf der Hilfsschicht;
  • - Ausbilden der Kontaktstrukturen durch ein Photo­ lithographieverfahren, wobei die Kontaktstruktu­ ren auf dem Siliziumsubstrat in einer horizonta­ len Ausrichtung angeordnet sind;
  • - Entfernen der Kontaktstrukturen vom Siliziumsub­ strat und von der leitenden Schicht;
  • - Ausrichten und Anordnen der Kontaktstrukturen in einer bestimmten Ausrichtung;
  • - Positionieren entweder des mit Verbindungsstel­ len versehenen Kontaktmechanismus oder der Kon­ taktstruktur zur Befestigung der Kontaktstruktur an den Verbindungsstellen; und
  • - Aufnehmen wenigstens einer Kontaktstruktur und Plazieren dieser Kontaktstruktur an einer bestimmten Position auf dem Verbindungs-An­ schlußfleck des Kontaktmechanismus.
8. Verfahren zur Herstellung eines Kontaktmechanismus nach Anspruch 7, wobei das Photolithographieverfah­ ren die Verfahrensschritte einer Beschichtung mit Fotolack, der Maskenherstellung, der Belichtung, der Ablösung des Fotolacks und der Ablagerung leitenden Materials umfaßt.
9. Verfahren zur Herstellung eines Kontaktmechanismus nach Anspruch 7, weiterhin enthaltend einen Verfah­ rensschritt, bei dem eine aus Chrom (Cr) oder Titan (Ti) bestehende Haftverstärkungsschicht zwischen der Hilfsschicht und der leitenden Schicht ausgebildet wird.
10. Verfahren zur Herstellung eines Kontaktmechanismus nach Anspruch 7, wobei die Ablagerung leitenden Ma­ terials im Photolithographieverfahren durch einen Elektroplattiervorgang mit Hilfe der leitenden Schicht erfolgt.
11. Verfahren zur Herstellung von Kontaktstrukturen, enthaltend die folgenden Verfahrensschritte
  • - Ausbilden einer Hilfsschicht auf einer Oberflä­ che eines Siliziumsubstrats;
  • - Ausbilden einer leitenden Schicht aus elektrisch leitendem Material auf der Hilfsschicht;
  • - Ausbilden einer Fotolackschicht auf der leiten­ den Schicht;
  • - Ausrichten einer Fotomaske über der Fotolack­ schicht und Belichten der Fotolackschicht mit ultraviolettem Licht durch die Fotomaske, wobei die Fotomaske ein Bild der Kontaktstruktur auf­ weist;
  • - Entwickeln Bildes auf der Fotolackschicht, wobei das Bild an der Oberfläche der Fotolackschicht Öffnungen aufweist;
  • - Ausbilden der aus elektrisch leitendem Material bestehenden Kontaktstrukturen in den Öffnungen durch einen Ablagerungsvorgang;
  • - Ablösen der Fotolackschicht;
  • - Anordnen eines Haftbandes auf den Kontaktstruk­ turen in einer Weise, daß die oberen Flächen der Kontaktstrukturen am Haftband anhaften; und
  • - Entfernen der Hilfsschicht und der leitenden Schicht durch einen Ätzvorgang, wodurch die Kon­ taktstrukturen vom Siliziumsubstrat getrennt werden.
12. Verfahren zur Herstellung von Kontaktstrukturen nach Anspruch 11, wobei beim Ausricht- und Belichtungs­ schritt die Fotolackschicht durch die Fotomaske hin­ durch mittels eines Elektronenstrahls oder mittels Röntgenstrahlen belichtet wird.
13. Verfahren zur Herstellung von Kontaktstrukturen nach Anspruch 11, wobei im Ausricht- und Belichtungs­ schritt die Fotolackschicht direkt durch einen Elek­ tronenstrahl, einen Röntgenstrahl oder Laserlicht derart belichtet wird, daß das Bild der Kon­ taktstruktur darauf entsteht.
14. Verfahren zur Herstellung von Kontaktstrukturen nach Anspruch 11, weiterhin enthaltend einen Verfahrens­ schritt, in dem eine Haftverstärkungsschicht zwi­ schen der Hilfsschicht und der leitenden Schicht ausgebildet wird.
15. Verfahren zur Herstellung von Kontaktstrukturen nach Anspruch 11, wobei die Hilfsschicht aus Siliziumdio­ xid besteht.
16. Verfahren zur Herstellung von Kontaktstrukturen nach Anspruch 11, wobei für die leitende Schicht ein an­ deres elektrisch leitendes Material verwendet wird als für die Kontaktstrukturen.
17. Verfahren zur Herstellung von Kontaktstrukturen nach Anspruch 14, wobei die Haftverstärkungsschicht aus Chrom (Cr) oder Titan (Ti) besteht.
18. Verfahren zur Herstellung eines Kontaktmechanismus mit Kontaktstrukturen, die jeweils eine Federkraft zur Herstellung eines elektrischen Kontakts mit ei­ nem Zielkontakt entfalten können, wobei das Verfah­ ren die folgenden Verfahrensschritte umfaßt:
  • - Ausbilden einer Hilfsschicht auf einer Oberflä­ che eines Siliziumsubstrats;
  • - Ausbilden einer leitenden Schicht aus elektrisch leitendem Material auf der Hilfsschicht;
  • - Ausbilden der Kontaktstrukturen durch ein Photo­ lithographieverfahren, wobei die Kontaktstruktu­ ren auf dem Siliziumsubstrat in einer horizonta­ len Ausrichtung angeordnet sind;
  • - Übertragen der Kontaktstrukturen vom Silizium­ substrat auf ein Haftband;
  • - Positionieren des mit den Kontaktstrukturen ver­ sehenen Haftbands und Entfernen der Kon­ taktstrukturen vom Haftband;
  • - Ausrichten der Kontaktstrukturen in einer be­ stimmten Ausrichtung;
  • - Positionieren eines mit Verbindungsstellen zur Halterung der Kontaktstrukturen versehenen Kon­ taktmechanismus; und
  • - Plazieren der Kontaktstruktur an einer be­ stimmten Position auf der Verbindungsstelle des Kontaktmechanismus und Verbinden der Kon­ taktstruktur mit der Verbindungsstelle.
19. Verfahren zur Herstellung eines Kontaktmechanismus nach Anspruch 18, wobei zusätzlich ein Verfahrens­ schritt vorgesehen ist, in dem eine aus Chrom (Cr) oder Titan (Ti) bestehende Haftverstärkungsschicht zwischen der Hilfsschicht und der leitenden Schicht ausgebildet wird.
20. Verfahren zur Herstellung eines Kontaktmechanismus nach Anspruch 18, wobei die Kontaktstrukturen aus Kupfer (Cu), Nickel (Ni), Aluminium (Al), Palladium (Pd) oder Wolfram (W) bestehen.
21. Verfahren zur Herstellung eines Kontaktmechanismus nach Anspruch 18, wobei für die leitende Schicht ein anderes elektrisch leitendes Material verwendet wird als für die Kontaktstrukturen.
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