KR20220135451A

KR20220135451A - 전기 전도성 접촉핀 및 이의 제조방법

Info

Publication number: KR20220135451A
Application number: KR1020210041138A
Authority: KR
Inventors: 안범모; 박승호; 송태환
Original assignee: (주)포인트엔지니어링
Priority date: 2021-03-30
Filing date: 2021-03-30
Publication date: 2022-10-07
Also published as: TW202303159A; WO2022211343A1

Abstract

본 발명은 복수개의 금속층을 적층하여 형성되는 전기 전도성 접촉핀에 있어서 그 물리적 또는 전기적 특성을 향상시킨 전기 전도성 접촉핀 및 그 제조방법을 제공한다.

Description

전기 전도성 접촉핀 및 이의 제조방법{The Electro-conductive Contact Pin and Manufacturing Method thereof}

본 발명은 전기 전도성 접촉핀 및 이의 제조방법에 관한 것이다.

전기 전도성 접촉핀은 검사대상물과 접촉하여 검사대상물을 검사하는 프로브 카드 또는 테스트 소켓에서 사용될 수 있는 접촉핀이다. 이하에서는 일례로 프로브 카드의 접촉핀을 예시하여 설명한다.

반도체 소자의 전기적 특성 시험은 다수의 전기 전도성 접촉핀을 구비한 프로브 카드에 반도체 웨이퍼를 접근시켜 전기 전도성 접촉핀을 반도체 웨이퍼상의 대응하는 전극 패드에 접촉시킴으로써 수행된다. 전기 전도성 접촉핀과 반도체 웨이퍼 상의 전극 패드를 접촉시킬 때, 양자가 접촉하기 시작하는 상태에 도달한 이후, 프로브 카드에 반도체 웨이퍼를 추가로 접근하는 처리가 이루어진다. 이러한 처리를 오버 드라이브라고 부른다. 오버 드라이브는 전기 전도성 접촉핀을 탄성 변형시키는 처리이며 오버 드라이브를 함으로써, 전극 패드의 높이나 전기 전도성 접촉핀의 높이에 편차가 있어도, 모든 전기 전도성 접촉핀을 전극 패드와 확실하게 접촉시킬 수 있다. 또한 오버 드라이브 시에 전기 전도성 접촉핀이 탄성 변형하고, 그 선단이 전극 패드상에서 이동함으로써, 스크러브가 이루어진다. 이 스크러브에 의해 전극 패드 표면의 산화막이 제거되고 접촉 저항을 감소시킬 수 있다.

이러한 전기 전도성 접촉핀은 MEMS 공정을 이용하여 제작될 수 있다. MEMS 공정을 이용하여 전기 전도성 접촉핀을 제작하는 과정을 살펴보면 먼저, 도전성 기재 표면에 포토 레지스트를 도포한 후 포토 레지스트를 패터닝한다. 이후 포토 레지스트를 몰드로 이용하여 전기 도금법에 의해 개구 내에서 금속재료를 석출시키고, 포토 레지시트와 도전성 기재를 제거하여 전기 전도성 접촉핀을 얻는다. 여기서 전기 전도성 접촉핀은 복수개의 금속재료가 상,하로 적층되면서 형성된다. 내마모성이 상대적으로 높은 금속재료의 경우에는 전기 전도도가 상대적으로 낮기 때문에 복수개의 금속 재료를 적층하여 전기 전도성 접촉핀을 제작할 경우에는 내마모도와 전기 전도도는 트레이드 오프(trade off) 관계에 있게 된다. 전기 전도성 접촉핀의 단부에서의 내마모성을 향상시키기 위해서는, 높은 내마모성을 가지는 금속재료가 두꺼운 두께로 구비되어야 하므로 상대적으로 높은 전기 전도성 금속 재질의 함량은 줄어들게 된다. 그 결과 전기 전도성 접촉핀의 전체적인 전기 전도도는 낮아지게 되어 전류 운반 용량(Current Carrying Capacity)이 작아지는 문제가 발생하게 된다.

한편 전기 전도성 접촉핀의 단부는 대상물과 접촉되는 부위인데, 복수개의 금속재료가 상,하로 적층되어 구성될 경우에는 단부에서의 금속재료의 함량만을 다르게 하는 것이 어려워 단부에서의 물리적 또는 전기적 특성을 향상시키는 것이 곤란하다는 문제가 발생하게 된다.

한국 등록번호 제10-0449308호 등록특허공보

본 발명은 상술한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 본 발명은 복수개의 금속층을 적층하여 형성되는 전기 전도성 접촉핀에 있어서 그 물리적 또는 전기적 특성을 향상시킨 전기 전도성 접촉핀 및 그 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

이러한 본 발명의 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 따른 전기 전도성 접촉핀은, 복수개의 수평 금속층이 적층되어 형성되는 전기 전도성 접촉핀에 있어서, 상기 전기 전도성 접촉핀의 적어도 일단부는, 상기 복수개의 수평 금속층의 적층 방향으로 형성된 수직 금속층을 포함한다.

또한, 상기 수직 금속층은 서로 다른 재질로 구성되는 상기 복수개의 수평 금속층 중 적어도 어느 하나와 동일 금속으로 형성된다.

또한, 상기 수직 금속층은 서로 다른 재질로 구성되는 상기 복수개의 수평 금속층의 재질과 다른 재질의 금속으로 형성된다.

또한, 상기 수직 금속층은 상기 전기 전도성 접촉핀의 두께 방향으로 하면부에서 상면부에 이르기까지 연속적으로 형성되되, 상기 전기 전도성 접촉핀의 폭 방향으로 상기 전기 전도성 접촉핀의 단부의 중앙부에 위치한다.

또한, 상기 수직 금속층은 상기 전기 전도성 접촉핀의 두께 방향으로 하면부에서 상면부에 이르기까지 연속적으로 형성되되, 상기 전기 전도성 접촉핀의 폭 방향으로 상기 전도성 접촉핀의 단부의 측부에 위치한다.

또한, 상기 수직 금속층은, 상기 전도성 접촉핀의 단부의 중앙부에 위치하는 중앙부 수직 금속층; 및 상기 전도성 접촉핀의 단부의 측부에 위치하는 측부 수직 금속층을 포함한다.

한편 본 발명의 목적을 달성하기 위한 전기 전도성 접촉핀은, 전기 전도성 접촉핀에 있어서, 상기 전기 전도성 접촉핀의 적어도 일단부는, 복수개의 수평 금속층이 적층되어 형성된 제1영역; 및 상기 복수개의 수평 금속층의 적층 방향으로 수직 금속층이 형성된 제2영역을 포함하되, 상기 제1영역과 상기 제2영역은 동일 두께로 형성된다.

또한, 상기 수직 금속층은 상기 전기 전도성 접촉핀의 내측으로 상기 전기 전도성 접촉핀의 길이방향을 따라 연장되어 형성되는 내측 연장부를 포함한다.

또한, 상기 수직 금속층은 상기 전기 전도성 접촉핀의 외측으로 상기 전기 전도성 접촉핀의 길이방향을 따라 연장되어 상기 전기 전도성 접촉핀의 단부측으로 돌출되어 형성되는 외측 연장부를 포함한다.

또한, 상기 수직 금속층의 폭은 10㎛ 이상 40㎛이하이다.

또한, 상기 내측 연장부의 길이는 100㎛ 이상 400㎛이하이다.

또한, 상기 제2영역은 상기 제1영역의 평균 경도값보다 높은 경도값을 가진다.

또한, 상기 제2영역은 상기 제1영역의 평균 전기 전도도보다 높은 전기 전도도를 가진다.

한편, 본 발명의 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 따른 전기 전도성 접촉핀은, 제1,2금속을 포함하여 적층된 다단의 수평 금속층을 포함하는 전기 전도성 접촉핀에 있어서, 상기 전기 전도성 접촉핀의 적어도 일단부는, 상기 제2금속이 폭 방향으로 이격되어 형성되되 이격된 상기 제2금속 사이에 상기 제1금속이 형성된다.

또한, 상기 제1금속은 로듐(rhodium, Rd), 백금 (platinum, Pt), 이리듐(iridium, Ir), 팔라듐(palladium) 이나 이들의 합금, 또는 팔라듐-코발트(palladium-cobalt, PdCo) 합금, 팔라듐-니켈(palladium-nickel, PdNi) 합금 또는 니켈-인(nickel-phosphor, NiPh) 합금, 니켈-망간(nickel-manganese, NiMn), 니켈-코발트(nickel-cobalt, NiCo) 또는 니켈-텅스텐(nickel-tungsten, NiW) 합금 중에서 선택된 금속으로 형성되고, 상기 제2금속은 구리(Cu), 은(Ag), 금(Au) 또는 이들의 합금 중에서 선택된 금속으로 형성된다.

또한, 상기 전기 전도성 접촉핀의 적어도 일단부는, 상기 제1금속이 상기 제2금속의 측면을 감싸도록 추가적으로 형성된다.

한편, 본 발명의 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 따른 전기 전도성 접촉핀은, 제1,2금속을 포함하여 적층된 다단의 수평 금속층을 포함하는 전기 전도성 접촉핀에 있어서, 상기 전기 전도성 접촉핀의 적어도 일단부는, 상기 제2금속이 이격되어 형성되되 이격된 상기 제2금속 사이에 상기 제1,2금속과 다른 재질의 금속으로 상기 제3금속이 형성된다.

또한, 상기 제1금속은 백금 (platinum, Pt), 이리듐(iridium, Ir), 팔라듐(palladium) 이나 이들의 합금, 또는 팔라듐-코발트(palladium-cobalt, PdCo) 합금, 팔라듐-니켈(palladium-nickel, PdNi) 합금 또는 니켈-인(nickel-phosphor, NiPh) 합금, 니켈-망간(nickel-manganese, NiMn), 니켈-코발트(nickel-cobalt, NiCo) 또는 니켈-텅스텐(nickel-tungsten, NiW) 합금 중에서 선택된 금속으로 형성되고, 상기 제2금속은 구리(Cu), 은(Ag), 금(Au) 또는 이들의 합금 중에서 선택된 금속으로 형성되며 상기 제3금속은 로듐(rhodium, Rd)이다.

또한, 상기 제1금속은 로듐(rhodium, Rd), 백금 (platinum, Pt), 이리듐(iridium, Ir), 팔라듐(palladium) 이나 이들의 합금, 또는 팔라듐-코발트(palladium-cobalt, PdCo) 합금, 팔라듐-니켈(palladium-nickel, PdNi) 합금 또는 니켈-인(nickel-phosphor, NiPh) 합금, 니켈-망간(nickel-manganese, NiMn), 니켈-코발트(nickel-cobalt, NiCo) 또는 니켈-텅스텐(nickel-tungsten, NiW) 합금 중에서 선택된 금속으로 형성되고, 상기 제2금속은 구리(Cu), 은(Ag) 또는 이들의 합금 중에서 선택된 금속으로 형성되며, 상기 제3금속은 금(Au)이다.

한편, 본 발명의 목적을 달성하기 위해 본 발명에 따른 전기 전도성 접촉핀의 제조방법은, 전기 전도성 접촉핀의 적어도 일단부가 복수개의 수평 금속층이 적층되어 형성된 제1영역과 상기 복수개의 수평 금속층의 적층 방향으로 수직 금속층이 형성된 제2영역을 포함하도록 하는, 전기 전도성 접촉핀의 제조방법에 있어서, 상기 제1영역과 상기 제2영역은 몰드를 이용하여 각각 도금하여 형성한다.

또한, 상기 몰드는 양극산화막 재질로 구성된다.

도 1은 본 발명의 바람직한 제1실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀의 사시도.
도 2 내지 도 6은 본 발명의 바람직한 제1실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀의 제조방법을 도시한 도면.
도 7a는 본 발명의 바람직한 제1실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀의 제1단부의 사시도
도 7b는 본 발명의 바람직한 제1실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀의 제2단부의 사시도.
도 8은 본 발명의 바람직한 제2실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀의 사시도.
도 9 내지 도 13은 본 발명의 바람직한 제2실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀의 제조방법을 도시한 도면.
도 14a는 본 발명의 바람직한 제2실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀의 제1단부의 사시도.
도 14b는 본 발명의 바람직한 제2실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀의 제2단부의 사시도.
도 15는 본 발명의 바람직한 제3실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀의 사시도.
도 16 내지 도 20은 본 발명의 바람직한 제3실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀의 제조방법을 도시한 도면.
도 21a는 본 발명의 바람직한 제3실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀의 제1단부의 사시도.
도 21b는 본 발명의 바람직한 제3실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀의 제2단부의 사시도.
도 22는 본 발명의 바람직한 제4실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀의 사시도.
도 23 내지 도 27은 본 발명의 바람직한 제4실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀의 제조방법을 도시한 도면.
도 28a는 본 발명의 바람직한 제4실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀의 제1단부의 사시도.
도 28b는 본 발명의 바람직한 제4실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀의 제2단부의 사시도.
도 29는 본 발명의 바람직한 제5실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀의 사시도.
도 30 내지 도 36은 본 발명의 바람직한 제5실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀의 제조방법을 도시한 도면.
도 37a는 본 발명의 바람직한 제5실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀의 제1단부의 사시도.
도 37b는 본 발명의 바람직한 제5실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀의 제2단부의 사시도.
도 38은 본 발명의 바람직한 제6실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀의 사시도.
도 39 내지 도 43은 본 발명의 바람직한 제6실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀의 제조방법을 도시한 도면.
도 44a는 본 발명의 바람직한 제6실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀의 제1단부의 사시도.
도 44b는 본 발명의 바람직한 제6실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀의 제2단부의 사시도.

이하의 내용은 단지 발명의 원리를 예시한다. 그러므로 당업자는 비록 본 명세서에 명확히 설명되거나 도시되지 않았지만 발명의 원리를 구현하고 발명의 개념과 범위에 포함된 다양한 장치를 발명할 수 있는 것이다. 또한, 본 명세서에 열거된 모든 조건부 용어 및 실시 예들은 원칙적으로, 발명의 개념이 이해되도록 하기 위한 목적으로만 명백히 의도되고, 이와 같이 특별히 열거된 실시 예들 및 상태들에 제한적이지 않는 것으로 이해되어야 한다.

상술한 목적, 특징 및 장점은 첨부된 도면과 관련한 다음의 상세한 설명을 통하여 보다 분명해질 것이며, 그에 따라 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 것이다.

본 명세서에서 기술하는 실시 예들은 본 발명의 이상적인 예시 도인 단면도 및/또는 사시도들을 참고하여 설명될 것이다. 이러한 도면들에 도시된 막 및 영역들의 두께 등은 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. 제조 기술 및/또는 허용 오차 등에 의해 예시도의 형태가 변형될 수 있다. 또한 도면에 도시된 전기 전도성 접촉핀의 개수는 예시적으로 일부만을 도면에 도시한 것이다. 따라서, 본 발명의 실시 예들은 도시된 특정 형태로 제한되는 것이 아니라 제조 공정에 따라 생성되는 형태의 변화도 포함하는 것이다. 본 명세서에서 사용한 기술적 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로서, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 명세서에서, "포함하다" 또는 "구비하다" 등의 용어는 본 명세서에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.

본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀(100)은, 검사장치에 구비되어 검사대상물과 전기적, 물리적으로 접촉하여 전기적 신호를 전달하는데 사용된다. 검사장치는 반도체 제조공정에 사용되는 검사장치일 수 있으며, 그 일례로 프로브 카드일 수 있고, 테스트 소켓일 수 있다. 다만 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 검사장치는 이에 한정되는 것은 아니며, 전기를 인가하여 검사대상물의 불량 여부를 확인하기 위한 장치라면 모두 포함된다. 다만, 이하에서는 검사장치의 일례로서 프로브 카드를 예시하여 설명한다. 반도체 소자의 전기적 특성 시험은 다수의 전기 전도성 접촉핀(100)을 형성한 프로브 카드에 반도체 웨이퍼(W)를 접근시켜 각 전기 전도성 접촉핀(100)을 반도체 웨이퍼(W)상의 대응하는 전극 패드(WP)에 접촉시킴으로써 수행된다. 전기 전도성 접촉핀(100)이 전극 패드(WP)에 접촉되는 위치까지 도달한 다음, 프로브 카드 측으로 웨이퍼(W)를 소정높이 추가 상승시킬 수 있다. 전기 전도성 접촉핀(100)은 상부 가이드 플레이트 및 하부 가이드 플레이트사이에서 탄성 변형하는 구조로서, 이러한 전기 전도성 접촉핀(100)을 채택하여 수직형 프로브 카드가 된다. 본 발명의 바람직한 실시예로서 전기 전도성 접촉핀(100)은 미리 변형된(pre-deformed) 구조 즉 코브라 핀의 형태를 가지거나 상부, 하부 또는 추가적인 가이드 플레이트를 이동시켜 일자형 핀을 변형시키는 구조도 포함된다.

본 발명의 바람직한 실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀(100)은 복수개의 수평 금속층(200)이 다단으로 적층되어 형성되는 구성을 가진다. 전기 전도성 접촉핀(100)은 외력에 의해 탄성 변형하면서 전류를 흘려 보내주므로 복수개의 수평 금속층(200)은 전기 전도도가 높은 재질의 금속과 탄성도 높은 재질의 금속 등 서로 다른 재질의 금속을 포함하여 구성된다. 전기 전도성 접촉핀(100)의 적어도 일 단부(110)는 복수개의 수평 금속층(200)이 적층되는 방향(전기 전도성 접촉핀(100)의 두께 방향)으로 형성되는 수직 금속층(300)을 포함한다. 수직 금속층(300)은 서로 다른 재질로 구성되는 상기 복수개의 수평 금속층 중 적어도 어느 하나와 동일 금속으로 형성되거나 서로 다른 재질로 구성되는 상기 복수개의 수평 금속층의 재질과 다른 재질의 금속으로 형성될 수 있다. 수직 금속층(300)은 전기 전도성 접촉핀(100)의 두께 방향으로 전기 전도성 접촉핀(100)의 하면부에서 상면부에 이르기까지 연속적으로 형성된다.

전기 전도성 접촉핀(100)의 단부(110)는 대상물과 접촉하는 부위로서 단부(110)에 구비되는 수직 금속층(300)의 구성을 통해 단부(110)의 물리적 또는 전기적 특성을 개선할 수 있게 된다. 또한 전기 전도성 접촉핀(100)의 단부(110)에 내마모성 또는 경도가 높은 금속의 함량을 높임으로써 전기 전도성 접촉핀(100)의 바디부(130)에는 전기 전도도가 높은 금속의 함량을 높일 수 있게 되므로 전체적으로 전류 운반 용량(Current Carrying Capacity)을 향상시킬 수 있게 된다.

이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들에 대해 구체적으로 설명한다. 이하에서 다양한 실시예들을 설명함에 있어서, 동일한 기능을 수행하는 구성요소에 대해서는 실시예가 다르더라도 편의상 동일한 명칭 및 동일한 참조번호를 부여하기로 한다. 또한, 이미 다른 실시예에서 설명된 구성 및 작동에 대해서는 편의상 생략하기로 한다.

제1실시예

이하, 도 1 내지 도 7을 참조하여 본 발명의 바람직한 제1실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀(100)에 대해 설명한다. 도 1은 본 발명의 바람직한 제1실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀(100)의 사시도이고, 도 2내지 도 6은 본 발명의 바람직한 제1실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀(100)의 제조방법을 도시한 도면이며, 도 7은 본 발명의 바람직한 제1실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀(100)의 제1단부(111)의 사시도(도 7a)와 제2단부(112)의 사시도(도 7b)이다.

본 발명의 바람직한 제1실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀(100)은, 제1단부(111)와 제2단부(112)를 포함하는 단부(110)와, 제1, 2단부(111, 112) 사이에 구비되는 바디부(130)를 포함한다. 제1단부(111)는 검사대상물과 접촉하는 부위이고 제2단부(112)는 검사장치의 일부 구성과 접촉 또는 연결되는 부위이다. 또한, 제2단부(112)는 검사대상물과 접촉하는 부위이고 제1단부(111)는 검사장치의 일부 구성과 접촉 또는 연결되는 부위일 수 있다.

본 발명의 바람직한 제1실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀(100)은 복수개의 수평 금속층(200)이 적층되어 형성되며, 전기 전도성 접촉핀(100)의 제1 단부(111)는, 복수개의 수평 금속층(200)의 적층 방향으로 형성된 수직 금속층(300)을 포함한다. 수직 금속층(300)은 전기 전도성 접촉핀(100)의 두께 방향으로 전기 전도성 접촉핀(100)의 하면부에서 상면부에 이르기까지 연속적으로 형성된다. 또한 수직 금속층(300)은 전기 전도성 접촉핀(100)의 폭 방향으로 전기 전도성 접촉핀(100)의 제1단부(111)의 중앙부에 위치한다.

복수개의 수평 금속층(200)은 제1금속(210)과 제2금속(230)을 포함하여 적층되어 구성될 수 있다. 제1금속(210)은 제2금속(230)에 비해 상대적으로 내마모성 또는 경도가 높은 금속이며, 제2금속(230)은 제1금속(210)에 비해 상대적으로 전기 전도도가 높은 금속으로 구성될 수 있다. 제1금속(210)은 바람직하게는, 로듐(rhodium, Rd), 백금 (platinum, Pt), 이리듐(iridium, Ir), 팔라듐(palladium) 이나 이들의 합금, 또는 팔라듐-코발트(palladium-cobalt, PdCo) 합금, 팔라듐-니켈(palladium-nickel, PdNi) 합금 또는 니켈-인(nickel-phosphor, NiPh) 합금, 니켈-망간(nickel-manganese, NiMn), 니켈-코발트(nickel-cobalt, NiCo) 또는 니켈-텅스텐(nickel-tungsten, NiW) 합금 중에서 선택된 금속일 수 있으며, 제2금속(230)은 구리(Cu), 은(Ag), 금(Au) 중에서 선택된 금속일 수 있다. 여기서 제1, 2금속(210,230)은 상술한 금속 또는 합금 이외에 다른 금속 또는 합금을 포함하여 구성될 수 있으며 상술한 예시적인 재질만으로 제한되는 것은 아니다.

전기 전도성 접촉핀(100)의 내마모성을 향상시키기 위해 복수개의 수평 금속층(200) 중에서 최하층과 최상층은 제1금속(210)으로 구성된다. 복수개의 수평 금속층(200)은 맨 아래층부터 제1금속(210), 제2금속(230), 제1금속(210) 순으로 교번적으로 적층될 수 있다. 복수개의 수평 금속층(200)은 최소한 3개 층으로 구성될 수 있으며, 3개층 이상의 홀 수층으로 구성될 수 있다. 다만 수평 금속층(200)의 개수는 이에 한정되는 것은 아니다.

전기 전도성 접촉핀(100)의 제1단부(111)는, 복수개의 수평 금속층(200)의 적층 방향으로 형성된 수직 금속층(300)을 포함한다. 복수개의 수평 금속층(200)의 적층 방향이 전기 전도성 접촉핀(100)의 두께 방향이므로 수직 금속층(300)은 전기 전도성 접촉핀(100)의 두께 방향으로 형성된다.

수직 금속층(300)은 복수개의 수평 금속층(300)을 구성하는 금속 중 적어도 어느 하나와 동일 금속으로 형성된다. 수직 금속층(300)은 로듐(rhodium, Rd), 백금 (platinum, Pt), 이리듐(iridium, Ir), 팔라듐(palladium) 이나 이들의 합금, 또는 팔라듐-코발트(palladium-cobalt, PdCo) 합금, 팔라듐-니켈(palladium-nickel, PdNi) 합금 또는 니켈-인(nickel-phosphor, NiPh) 합금, 니켈-망간(nickel-manganese, NiMn), 니켈-코발트(nickel-cobalt, NiCo) 또는 니켈-텅스텐(nickel-tungsten, NiW) 합금 중에서 선택될 수 있으며, 수직 금속층(300)은 제1금속(210)과 동일 재질로 형성될 수 있다.

전기 전도성 접촉핀(100)의 제1 단부(111)는, 전기 전도성 접촉핀(100)의 제1 단부(111)의 폭 방향으로 제1영역(250)과 제2영역(350)을 포함한다. 제1영역(250)과 제2영역(350)은 전기 전도성 접촉핀(100)의 제1단부(111)를 폭 방향으로 구분한 영역을 의미하며 제1영역(250)은 제1금속(210)과 제2금속(230)을 포함한 복수개의 수평 금속층(200)이 적층되어 형성된 영역이고, 제2영역(350)은 단일 재질의 수직 금속층(300)이 형성된 영역이다. 제1영역(250)과 제2영역(350)은 동일 두께로 형성된다.

제2영역(350)은 제1영역(250) 사이에 구비되어 수직 금속층(300)은 전기 전도성 접촉핀(100)의 제1단부(111)의 중앙부에 위치한다. 전기 전도성 접촉핀(100)의 제1단부(111)에서 제2금속(230)이 폭 방향으로 이격되어 형성되고 이격된 제2금속(230) 사이에 제1금속(210)이 구비되는 구성을 통해 제2영역(350)은 제1영역(250)에 비해 내마모성 또는 경도가 상대적으로 높은 영역이 된다. 다시 말해 제2영역(350)은 제1영역(250)의 평균 경도값보다 높은 경도값을 가지거나 제1영역(250)의 내마모성 보다 높은 내마모성을 가진다. 전기 전도성 접촉핀(100)의 단부(110)에 내마모성 또는 경도가 높은 금속의 함량을 높임으로써 전기 전도성 접촉핀(100)의 바디부(130)에는 전기 전도도가 높은 금속의 함량을 높일 수 있게 되므로 전체적으로 전기 전도성 접촉핀(100)의 전류 운반 용량(Current Carrying Capacity)을 향상시킬 수 있게 된다. 이처럼 제1단부(111)에서의 내마모성을 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라 전기 전도성 접촉핀(100)의 전류 운반 용량(Current Carrying Capacity)을 향상시킬 수 있게 된다.

수직 금속층(300)은 전기 전도성 접촉핀(100)의 내측으로 전기 전도성 접촉핀(100)의 길이방향을 따라 연장되어 형성되는 내측 연장부(310)를 포함한다. 수직 금속층(300)이 제1금속(210)과 동일 재질이므로 육안으로는 수직 금속층(300)과 수평 금속층(200)의 구분이 용이하지 않지만, 내측 연장부(310)의 구성을 통해 내측 연장부(310)가 구비된 영역은 수직 금속층(300)으로 구분되고 내측 연장부(310)가 구비되지 않은 영역은 수평 금속층(200)으로 구분 지을 수 있게 된다.

내측 연장부(310)의 길이는 100㎛ 이상 400㎛이하의 범위를 가진다. 전기 전도성 접촉핀(100)은 프로브 카드의 가이드 플레이트에 삽입되어 사용될 수 있는데, 이 경우 전기 전도성 접촉핀(100)의 제1단부(111)는 가이드 플레이트(하부 가이드 플레이트)의 하부로 돌출된다. 이런 상태에서 전기 전도성 접폭핀(100)을 장시간 오랜 횟수 동안 사용하다 보면 이물질이 제1단부(111) 측에 달라붙게 되고, 이를 제거하기 위해 제1단부(111)를 갈아내는 공정을 수행하게 된다. 제1단부(111)를 갈아내는 공정을 수행함에 따라 전기 전도성 접촉핀(100)의 길이는 짧아지게 된다. 가이드 플레이트(하부 가이드 플레이트)의 하부로의 전기 전도성 접촉핀(100)의 돌출 길이는 100㎛ 이상 400㎛이하의 범위가 되는 것이 바람직한데, 갈아내는 공정에 따라 그 돌출 길이가 100㎛ 미만이 되면 전기 전도성 접촉핀(100)은 새로운 것으로 교체를 하게 된다. 내측 연장부(310)의 길이가 100㎛ 이상 400㎛이하의 범위를 가지는 구성을 통해, 제1단부(111)를 100㎛ 이상 400㎛이하의 범위에서 갈아내더라도 수직 금속층(300)이 제1단부(111)에 존재하도록 하는 것이 가능하므로 전기 전도성 접촉핀(100)의 단면 형상을 초기 상태로 유지할 수 있게 된다.

갈아내는 공정을 수행함에 있어서 더 이상 내측 연장부(310)가 존재하지 않은 경우에는 새로운 전기 전도성 접촉핀(100)으로 교체하는 것이 바람직하다.

한편 가이드 플레이트에는 수 백 내지 수천 개의 가이드 구멍이 형성되고 각각의 가이드 구멍에 전기 전도성 접촉핀(100)이 삽입된다. 가이드 플레이트의 가이드 구멍의 제작 공차 및 전기 전도성 접촉핀(100)과 검사 대상물 간의 정렬 오차 등을 고려하여 수직 금속층(300)의 폭은 10㎛ 이상 40㎛이하의 범위를 가진다. 이를 통해 전기 전도성 접촉핀(100)의 제1단부(111)와 검사 대상물 간의 수평 방향 위치 오차가 발생하더라도 제2영역(350)의 수직 금속층(300)이 검사대상물과 접촉할 수 있도록 하는 것이 가능하게 된다.

전기 전도성 접촉핀(100)의 적어도 일 단부(110)가 복수개의 수평 금속층(200)이 적층되어 형성된 제1영역(250)과 복수개의 수평 금속층(200)의 적층 방향으로 수직 금속층(300)이 형성된 제2영역(350)을 포함하도록 하는 전기 전도성 접촉핀의 제조방법은, 제1영역(250)과 제2영역(350)을 몰드를 이용하여 각각 도금하여 형성한다.

이하에서는 도 2 내지 도 6을 참조하여 본 발명의 바람직한 제1실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀(100)의 제조방법에 대해 설명한다.

도 2를 참조하면, 도 2a는 내부공간(11)이 구비된 몰드(10)의 평면도이고, 도2b는 도2a의 A-A’단면도이고, 도 2c는 도2a의 B-B’단면도이며, 도 2d는 도2a의 C-C’단면도이고, 도 2e는 도2a의 D-D’단면도이다.

이하에서 설명하는 전기 전도성 접촉핀(100)의 제조방법은, 내부 공간(11)이 형성된 몰드(10)를 이용하여 내부 공간(11)에 도금하여 복수개의 수평 금속층(200)을 형성하는 단계 및 전기 전도성 접촉핀(100)의 적어도 일단부에 대응되는 영역에서 몰드(10)의 일부를 제거하여 추가 공간(15)을 형성하고 추가 공간(15)에 도금하여 수직 금속층(300)을 형성하는 단계를 포함한다.

도 2를 참조하면, 몰드(10)에는 내부 공간(11)이 형성되고 있고, 몰드(10)의 하부에는 시드층(20)이 구비되어 있다.

몰드(10)는 양극산화막, 포토레지스트, 실리콘 웨이퍼 또는 이와 유사한 재질로 구성될 있다. 다만, 바람직하게는 몰드(10)은 양극산화막 재질로 구성될 수 있다. 양극산화막은 모재인 금속을 양극산화하여 형성된 막을 의미하고, 포어는 금속을 양극산화하여 양극산화막을 형성하는 과정에서 형성되는 구멍을 의미한다. 예컨대, 모재인 금속이 알루미늄(Al) 또는 알루미늄 합금인 경우, 모재를 양극산화하면 모재의 표면에 알루미늄 산화물(Al₂0₃) 재질의 양극산화막이 형성된다. 위와 같이 형성된 양극산화막은 수직적으로 내부에 포어가 형성되지 않은 배리어층과, 내부에 포어가 형성된 다공층으로 구분된다. 배리어층과 다공층을 갖는 양극산화막이 표면에 형성된 모재에서, 모재를 제거하게 되면, 알루미늄 산화물(Al₂0₃) 재질의 양극산화막만이 남게 된다. 양극산화막은 양극산화시 형성된 배리어층이 제거되어 포어의 상, 하로 관통되는 구조로 형성되거나 양극산화시 형성된 배리어층이 그대로 남아 포어의 상, 하 중 일단부를 밀폐하는 구조로 형성될 수 있다.

양극산화막은 2~3ppm/℃의 열팽창 계수를 갖는다. 이로 인해 고온의 환경에 노출될 경우, 온도에 의한 열변형이 적다. 따라서 전기 전도성 접촉핀(100)의 제작 환경에 비록 고온 환경이라 하더라도 열 변형없이 정밀한 전기 전도성 접촉핀(100)을 제작할 수 있다.

본 발명의 바람직한 실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀(100)은 포토 레지스트 몰드 대신에 양극산화막 재질의 몰드(10)를 이용하여 제조된다는 점에서 포토 레지스트 몰드로는 구현하는데 한계가 있었던 형상의 정밀도, 미세 형상의 구현의 효과를 발휘할 수 있게 된다.

몰드(10)의 하면에는 시드층(20)이 구비된다. 시드층(20)은 몰드(10)에 내부 공간(11)을 형성하기 이전에 몰드(10)의 하면에 구비될 수 있다. 한편 몰드(10)의 하부에는 지지기판(미도시)이 형성되어 몰드(10)의 취급성을 향상시킬 수 있다. 또한 이 경우 지지기판(미도시)의 상면에 시드층(20)을 형성하고 내부 공간(11)이 형성된 몰드(10)을 지지기판(미도시)에 결합하여 사용할 수도 있다. 시드층(20)은 구리(Cu)재질로 형성될 수 있고, 증착 방법에 의해 형성될 수 있다. 시드층(20)은 수평 금속층(200)을 전기 도금법을 이용하여 형성할 때 수평 금속층(200)의 도금 품질을 향상시키기 위해 사용된다.

내부 공간(11)은 양극산화막 재질의 몰드(10)을 습식 에칭하여 형성될 수 있다. 이를 위해 몰드(10)의 상면에 포토 레지스트를 구비하고 이를 패터닝한 다음, 패터닝되어 오픈된 영역의 양극산화막이 에칭 용액과 반응하여 내부 공간(11)이 형성될 수 있다. 구체적으로 설명하면, 내부 공간(11)을 형성하기 전의 몰드(10)의 상면에 감광성 재료를 구비한 다음 노광 및 현상 공정이 수행될 수 있다. 감광성 재료는 노광 및 현상 공정에 의해 오픈영역을 형성하면서 적어도 일부가 패터닝되어 제거될 수 있다. 양극산화막 재질의 몰드(10)는 패터닝 과정에 의해 감광성 재료가 제거된 오픈영역을 통해 에칭 공정이 수행되며, 에칭 용액에 의해 내부 공간(11)에 대응되는 위치의 양극산화막이 제거되어 내부 공간(11)을 형성하게 된다.

몰드(10)에 형성된 내부 공간(11)은, 전기 전도성 접촉핀(100)의 제1단부(111)에 대응되는 위치에 단부 연장 공간(13)을 포함한다. 단부 연장 공간(13)은 전기 전도성 접촉핀(100)의 폭방향으로 2개 형성된다. 2개의 단부 연장 공간(13) 사이에는 추후에 제거되는 희생몰드부(14)가 위치한다. 희생 몰드부(14)는 수평 금속층(200)이 형성된 이후에 제거되는 몰드(10)의 일부분이다.

다음으로 도 3을 참조하면, 도 3a는 내부공간(11)에 수평 금속층(200)을 형성한 몰드(10)의 평면도이고, 도3b는 도3a의 A-A’단면도이고, 도 3c는 도3a의 B-B’단면도이며, 도 3d는 도3a의 C-C’단면도이고, 도 3e는 도3a의 D-D’단면도이다.

몰드(10)의 내부 공간(11)에 전기 도금 공정을 수행하여 수평 금속층(200)을 형성하는 단계를 수행한다. 복수회의 전기 도금 공정을 수행하여 수평 금속층(200)을 전기 전도성 접촉핀(100)의 두께 방향으로 복수개가 적층되어 형성된다. 수평 금속층(200)은 로듐(rhodium, Rd), 백금 (platinum, Pt), 이리듐(iridium, Ir), 팔라듐(palladium) 이나 이들의 합금, 또는 팔라듐-코발트(palladium-cobalt, PdCo) 합금, 팔라듐-니켈(palladium-nickel, PdNi) 합금 또는 니켈-인(nickel-phosphor, NiPh) 합금, 니켈-망간(nickel-manganese, NiMn), 니켈-코발트(nickel-cobalt, NiCo) 또는 니켈-텅스텐(nickel-tungsten, NiW) 합금, 구리(Cu), 은(Ag), 금(Au) 중에서 적어도 2개 이상의 금속이 적층되어 구비된다. 예를 들어, 팔라듐-코발트(palladium-cobalt, PdCo) 합금 재질의 제1금속(210)과 구리(Cu) 재질의 제2금속(230)이 교번적으로 적층되어 형성될 수 있다. 여기서 제1금속(210)은 전기 전도성 접촉핀(100)이 탄성 변형될 수 있도록 하며, 제2금속(230)은 전기 전도성 접촉핀(100)의 전류 운반 용량(CCC)을 향상시킨다.

도금 공정이 완료되면 평탄화 공정이 수행될 수 있다. 화학적 기계적 연마(CMP) 공정을 통해 몰드(10)의 상면으로 돌출된 금속을 제거하면서 평탄화시킨다.

다음으로 도 4를 참조하면, 도 4a는 희생몰드부(14)를 제거하여 추가공간(15)을 형성한 몰드(10)의 평면도이고, 도4b는 도4a의 A-A’단면도이고, 도 4c는 도4a의 B-B’단면도이며, 도 4d는 도4a의 C-C’단면도이고, 도 4e는 도4a의 D-D’단면도이다.

희생 몰드부(14)를 제거하는 공정을 수행한다. 희생 몰드부(14)를 제거하여 추가공간(15)을 몰드(10)에 형성한다. 구체적으로 설명하면, 몰드(10)의 상면에 감광성 재료를 구비한 다음 노광 및 현상 공정이 수행될 수 있다. 감광성 재료는 노광 및 현상 공정에 의해 오픈영역을 형성하면서 적어도 일부가 패터닝되어 제거될 수 있다. 패터닝 과정에 의해 감광성 재료가 제거된 오픈영역을 통해 에칭 공정이 수행되며, 에칭 용액에 의해 희생 몰드부(14)가 제거되어 추가 공간(15)을 형성하게 된다.

추가 공간(15)의 3개의 측면으로는 복수개로 적층된 수평 금속층(200)이 노출되고, 1개의 측면으로는 몰드(10)가 노출되게 된다.

다음으로 도 5를 참조하면, 도 5a는 제1단부(111)에 수직 금속층(300)을 형성한 몰드(10)의 평면도이고, 도5b는 도5a의 A-A’단면도이고, 도 5c는 도5a의 B-B’단면도이며, 도 5d는 도5a의 C-C’단면도이고, 도 5e는 도5a의 D-D’단면도이다.

수직 금속층(300)을 형성하는 단계를 수행한다. 이전 단계에서 형성된 추가 공간(15)에 전기 도금 공정을 이용하여 수직 금속층(300)을 형성한다.

수직 금속층(300)은 전 단계에서 제작된 수평 금속층(200)과 일체화된다. 앞서 설명한 바와 같이 추가 공간(15)의 3개의 측면에는 수평 금속층(200)이 노출되는데 이 측면에서 수직 금속층(300)은 복수개로 적층된 수평 금속층(200)과 일체화된다.

수직 금속층(300)은 로듐(rhodium, Rd), 백금 (platinum, Pt), 이리듐(iridium, Ir), 팔라듐(palladium) 이나 이들의 합금, 또는 팔라듐-코발트(palladium-cobalt, PdCo) 합금, 팔라듐-니켈(palladium-nickel, PdNi) 합금 또는 니켈-인(nickel-phosphor, NiPh) 합금, 니켈-망간(nickel-manganese, NiMn), 니켈-코발트(nickel-cobalt, NiCo) 또는 니켈-텅스텐(nickel-tungsten, NiW) 합금 중에서 선택된 금속 일 수 있으며, 바람직하게는 제1금속(210)과 동일 재질로 형성될 수 있다. 예를 들어 제1금속(210)이 팔라듐-코발트(palladium-cobalt, PdCo) 합금 재질인 경우에, 수직 금속층(300) 역시 팔라듐-코발트(palladium-cobalt, PdCo) 합금 재질일 수 있다.

다음으로 도 6을 참조하면, 도 6a는 전기 전도성 접촉핀(100)의 평면도이고, 도6b는 도6a의 A-A’단면도이고, 도 6c는 도6a의 B-B’단면도이며, 도 6d는 도6a의 C-C’단면도이고, 도 6e는 도6a의 D-D’단면도이다.

이전 단계 이후에 몰드(10)와 시드층(20)를 제거하는 공정을 수행한다. 몰드(10)가 양극산화막 재질인 경우에는 양극산화막 재질에 선택적으로 반응하는 용액을 이용하여 몰드(10)를 제거한다. 또한 시드층(20)이 구리(Cu) 재질인 경우에는 구리(Cu)에 선택적으로 반응하는 용액을 이용하여 시드층(20)을 제거한다.

앞선 설명에서는 내부 공간(11)이 형성된 몰드(10)를 이용하여 내부 공간(11)에 도금하여 복수개의 수평 금속층(200)을 형성하는 단계를 먼저 수행하고 그 다음에 전기 전도성 접촉핀(100)의 적어도 일단부에 대응되는 영역에서 몰드(10)의 일부를 제거하여 추가 공간(15)을 형성하고 추가 공간(15)에 도금하여 수직 금속층(300)을 형성하는 단계를 수행하는 것으로 설명하였으나, 본 발명의 바람직한 제1실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀의 제조방법은, 전기 전도성 접촉핀(100)의 적어도 일단부에 대응되는 영역에서 몰드(10)의 일부를 제거하여 추가 공간(15)을 형성하고 추가 공간(15)에 도금하여 수직 금속층(300)을 형성하는 단계를 먼저 수행하고 그 다음에 내부 공간(11)이 형성된 몰드(10)를 이용하여 내부 공간(11)에 도금하여 복수개의 수평 금속층(200)을 형성하는 단계를 수행하는 것도 포함한다.

도 7a는 본 발명의 바람직한 제1실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀(100)의 정면 즉, 제1단부(111)의 사시도이고 도 7b는 본 발명의 바람직한 제1실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀(100)의 배면, 즉 제2단부(112)의 사시도이다.

제2단부(112)는 복수개의 수평 금속층(200)만으로 구성되는 반면에, 제1단부(111)는 제2단부(112)와는 다르게 수평 금속층(200)과 수직 금속층(300)이 함께 구성된다.

수평 금속층(200)이 로듐(rhodium, Rd), 백금 (platinum, Pt), 이리듐(iridium, Ir), 팔라듐(palladium) 이나 이들의 합금, 또는 팔라듐-코발트(palladium-cobalt, PdCo) 합금, 팔라듐-니켈(palladium-nickel, PdNi) 합금 또는 니켈-인(nickel-phosphor, NiPh) 합금, 니켈-망간(nickel-manganese, NiMn), 니켈-코발트(nickel-cobalt, NiCo) 또는 니켈-텅스텐(nickel-tungsten, NiW) 합금 중에서 선택된 제1금속(210)과 구리(Cu), 은(Ag), 금(Au) 중에서 선택된 제2금속(230)을 포함하여 적층되고, 수직 금속층(300)은 제1금속(210)과 동일 재질로 구성된 경우에, 제2단부(112)는 제1금속(210)과 제2금속(230)이 전기 전도성 접촉핀(100)의 두께 방향으로만 이격되어 형성되는 구성을 가지고, 제1단부(111)는 제2금속(230)이 전기 전도성 접촉핀(100)의 두께 방향 뿐만 아니라 전기 전도성 접촉핀(100)의 폭 방향으로도 이격되어 형성되고, 제2금속(230)이 폭 방향으로 이격된 위치에 제1금속(210)이 존재하는 구성을 가진다. 제1단부(111)에서 제1금속(210)은 전기 전도성 접촉핀(100)의 두께 방향 뿐만 아니라 전기 전도성 접촉핀(100)의 폭 방향으로 서로 연속되는 구성을 가진다.

제1단부(111)의 내측으로는 수직 금속층(300)이 전기 전도성 접촉핀(100)의 길이 방향으로 100㎛ 이상 400㎛이하의 길이로 연장되어 내측 연장부(310)를 구비하고 제2금속(230)은 내측 연장부(310)의 길이(100㎛ 이상 400㎛)에서 내측 연장부(310)의 폭(10㎛ 이상 40㎛이하) 만큼 폭 방향으로 서로 이격되어 구성된다.

전기 전도성 접촉핀(100)의 제1단부(111)는 수직 금속층(300)의 구성을 통해 내마모성 또는 경도가 높은 금속의 함량을 높여 제1단부(111)의 내마모성 또는 경도 특성을 향상시킴과 동시에 전기 전도성 접촉핀(100)의 바디부(130)에서 전기 전도도가 높은 금속의 함량을 높이는 것이 가능하여 전류 운반 용량(Current Carrying Capacity)을 향상시킬 수 있게 된다.

또한 제1단부(111)는 내마모성 또는 경도가 높은 금속만으로 구성되지 않고, 전기 전도도가 높은 재질의 금속도 함께 존재하기 때문에, 내마모성 또는 경도가 높은 금속만으로 팁부를 구성하는 것과 비교하여 접촉저항을 낮출 수 있는 효과를 가지게 된다.

또한, 전기 전도성 접촉핀(100)의 내측 길이 방향으로 100㎛ 이상 400㎛이하의 길이를 가지는 수직 금속층(300)이 존재하므로, 제1단부(111)가 100㎛ 이상 400㎛이하의 길이로 짧아지더라도 동일한 단면 구조가 구현된다. 이러한 구성을 통해 제1단부(111)를 100㎛ 이상 400㎛이하의 길이 범위내에서 갈아서 재사용하는 것이 가능하게 된다.

제2실시예

다음으로, 본 발명에 따른 제2실시예에 대해 살펴본다. 단, 이하 설명되는 실시예들은 상기 제1실시예와 비교하여 특징적인 구성요소들을 중심으로 설명하겠으며, 제1실시예와 동일하거나 유사한 구성요소들에 대한 설명은 되도록이면 생략한다.

이하, 도 8 내지 도 14를 참조하여 본 발명의 바람직한 제2실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀(100)에 대해 설명한다.

도 8은 본 발명의 바람직한 제2실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀(100)의 사시도이고, 도 9내지 도 13은 본 발명의 바람직한 제2실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀(100)의 제조방법을 도시한 도면이며, 도 14는 본 발명의 바람직한 제2실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀(100)의 제1단부(111)의 사시도(도 14a)와 제2단부(112)의 사시도(도 14b)이다.

본 발명의 바람직한 제2실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀(100)은, 수직 금속층(300)이 복수개의 수평 금속층(200)의 재질과 다른 재질의 금속으로 형성된다는 점에서 제1실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀(100)의 구성과 차이가 있다.

복수개의 수평 금속층(200)이 백금 (platinum, Pt), 이리듐(iridium, Ir), 팔라듐(palladium) 이나 이들의 합금, 또는 팔라듐-코발트(palladium-cobalt, PdCo) 합금, 팔라듐-니켈(palladium-nickel, PdNi) 합금 또는 니켈-인(nickel-phosphor, NiPh) 합금, 니켈-망간(nickel-manganese, NiMn), 니켈-코발트(nickel-cobalt, NiCo) 또는 니켈-텅스텐(nickel-tungsten, NiW) 합금 중에서 선택된 제1금속(210)과 구리(Cu), 은(Ag), 금(Au) 중에서 선택된 제2금속(230)을 포함하여 구성된다.

제2실시예에 따른 수직 금속층(300)은 수평 금속층(200)의 재질과는 다른 재질의 제3금속(330)으로 형성되되 내마모성 또는 경도가 우수한 금속으로 형성될 수 있다. 예를 들어 수직 금속층(300)을 구성하는 제3금속(330)은, 로듐(rhodium, Rd)으로 형성될 수 있다. 이를 통해 제1단부(111)의 내마모성 또는 경도 특성을 보다 향상시킬 수 있게 된다.

전기 전도성 접촉핀(100)의 제1 단부(111)는, 전기 전도성 접촉핀(100)의 제1 단부(111)의 폭 방향으로 복수개의 수평 금속층(200)이 적층되어 형성된 제1영역(250) 및 수직 금속층(300)이 형성된 제2영역(350)을 포함한다. 제1영역(250)과 제2영역(350)은 전기 전도성 접촉핀(100)의 제1단부(111)를 폭 방향으로 구분한 영역을 의미하며 제1영역(250)과 제2영역(350)은 동일 두께로 형성된다.

제2영역(350)은 제1영역(250) 사이에 구비되어 수직 금속층(300)은 전기 전도성 접촉핀(100)의 제1단부(111)의 중앙부에 위치한다. 제2영역(350)은 제1영역(250)에 비해 내마모성 또는 경도가 상대적으로 높은 영역이다. 다시 말해 제2영역(350)은 제1영역(250)의 평균 경도값보다 높은 경도값을 가지거나 제1영역(250)의 내마모성 보다 높은 내마모성을 가진다. 전기 전도성 접촉핀(100)의 단부(110)에 내마모성 또는 경도가 높은 금속의 함량을 높임으로써 전기 전도성 접촉핀(100)의 바디부(130)에는 전기 전도도가 높은 금속의 함량을 높일 수 있게 되므로 전체적으로 전기 전도성 접촉핀(100)의 전류 운반 용량(Current Carrying Capacity)을 향상시킬 수 있게 된다.

이하에서는 도 9 내지 도 13을 참조하여 본 발명의 바람직한 제2실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀(100)의 제조방법에 대해 설명한다.

도 9를 참조하면, 도 9a는 내부공간(11)이 구비된 몰드(10)의 평면도이고, 도9b는 도9a의 A-A’단면도이고, 도 9c는 도9a의 B-B’단면도이며, 도 9d는 도9a의 C-C’단면도이고, 도 9e는 도9a의 D-D’단면도이다.

도 9를 참조하면, 몰드(10)에는 내부 공간(11)이 형성되고 있고, 몰드(10)의 하부에는 시드층(20)이 구비되어 있다. 몰드(10)에 형성된 내부 공간(11)은, 전기 전도성 접촉핀(100)의 제1단부(111)에 대응되는 위치에 단부 연장 공간(13)을 포함한다. 단부 연장 공간(13)은 전기 전도성 접촉핀(100)의 폭방향으로 2개 형성된다. 2개의 단부 연장 공간(13) 사이에는 추후에 제거되는 희생몰드부(14)가 위치한다. 희생 몰드부(14)는 수평 금속층(200)이 형성된 이후에 제거되는 몰드(10)의 일부분이다.

다음으로 도 10을 참조하면, 도 10a는 내부공간(11)에 수평 금속층(200)을 형성한 몰드(10)의 평면도이고, 도10b는 도10a의 A-A’단면도이고, 도 10c는 도10a의 B-B’단면도이며, 도 10d는 도10a의 C-C’단면도이고, 도 10e는 도10a의 D-D’단면도이다.

몰드(10)의 내부 공간(11)에 전기 도금 공정을 수행하여 수평 금속층(200)을 형성하는 단계를 수행한다. 복수회의 전기 도금 공정을 수행하여 수평 금속층(200)은 전기 전도성 접촉핀(100)의 두께 방향으로 복수개가 적층되어 형성된다. 수평 금속층(200)은, 백금 (platinum, Pt), 이리듐(iridium, Ir), 팔라듐(palladium) 이나 이들의 합금, 또는 팔라듐-코발트(palladium-cobalt, PdCo) 합금, 팔라듐-니켈(palladium-nickel, PdNi) 합금 또는 니켈-인(nickel-phosphor, NiPh) 합금, 니켈-망간(nickel-manganese, NiMn), 니켈-코발트(nickel-cobalt, NiCo) 또는 니켈-텅스텐(nickel-tungsten, NiW) 합금, 구리(Cu), 은(Ag), 금(Au) 중에서 적어도 2개 이상의 금속이 적층되어 구비된다.

다음으로 도 11을 참조하면, 도 11a는 희생몰드부(14)를 제거하여 추가공간(15)을 형성한 몰드(10)의 평면도이고, 도11b는 도11a의 A-A’단면도이고, 도 11c는 도11a의 B-B’단면도이며, 도 11d는 도11a의 C-C’단면도이고, 도 11e는 도11a의 D-D’단면도이다.

희생 몰드부(14)를 제거하는 공정을 수행한다. 희생 몰드부(14)를 제거하여 추가공간(15)을 몰드(10)에 형성한다. 추가 공간(15)의 3개의 측면으로는 복수개로 적층된 수평 금속층(200)이 노출되고, 1개의 측면으로는 몰드(10)가 노출되게 된다.

다음으로 도 12를 참조하면, 도 12a는 제1단부(111)에 수직 금속층(300)을 형성한 몰드(10)의 평면도이고, 도12b는 도12a의 A-A’단면도이고, 도 12c는 도12a의 B-B’단면도이며, 도 12d는 도12a의 C-C’단면도이고, 도 12e는 도12a의 D-D’단면도이다.

수직 금속층(300)을 형성하는 단계를 수행한다. 이전 단계에서 형성된 추가 공간(15)에 전기 도금 공정을 이용하여 수직 금속층(300)을 형성한다. 앞서 설명한 바와 같이 추가 공간(15)의 3개의 측면에는 수평 금속층(200)이 노출되는데 이 측면에서 수직 금속층(300)은 복수개로 적층된 수평 금속층(200)과 일체화된다.

수직 금속층(300)은 수평 금속층(200)의 재질과는 다른 재질의 제3금속(330)으로 형성되되 내마모성 또는 경도가 우수한 금속으로 형성될 수 있다. 수직 금속층(300)의 제3금속(330)은, 로듐(rhodium, Rd)으로 형성될 수 있다.

다음으로 도 13을 참조하면, 도 13a는 전기 전도성 접촉핀(100)의 평면도이고, 도13b는 도13a의 A-A’단면도이고, 도 13c는 도13a의 B-B’단면도이며, 도 13d는 도13a의 C-C’단면도이고, 도 13e는 도13a의 D-D’단면도이다.

도 14a는 본 발명의 바람직한 제2실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀(100)의 정면 즉, 제1단부(111)의 사시도이고 도 14b는 본 발명의 바람직한 제2실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀(100)의 배면, 즉 제2단부(112)의 사시도이다.

수평 금속층(200)이 백금 (platinum, Pt), 이리듐(iridium, Ir), 팔라듐(palladium) 이나 이들의 합금, 또는 팔라듐-코발트(palladium-cobalt, PdCo) 합금, 팔라듐-니켈(palladium-nickel, PdNi) 합금 또는 니켈-인(nickel-phosphor, NiPh) 합금, 니켈-망간(nickel-manganese, NiMn), 니켈-코발트(nickel-cobalt, NiCo) 또는 니켈-텅스텐(nickel-tungsten, NiW) 합금 중에서 선택된 제1금속(210)과 구리(Cu), 은(Ag), 금(Au) 중에서 선택된 제2금속(230)을 포함하여 적층되고, 수직 금속층(300)은 제1금속(210) 및 제2금속(230)과 다른 재질로 구성된다. 예를 들어 제1금속(210)은 팔라듐-코발트(palladium-cobalt, PdCo) 합금 재질로 구성되고 제2금속(230)은 구리(Cu) 재질로 구성되며 수직 금속층(300)은 로듐(rhodium, Rd) 재질로 구성될 수 있다.

제1단부(111)는 제1금속(210) 및 제2금속(230)이 전기 전도성 접촉핀(100)의 두께 방향 뿐만 아니라 전기 전도성 접촉핀(100)의 폭 방향으로도 이격되어 형성되고, 제1금속(210) 및 제2금속(230)이 폭 방향으로 이격된 위치에 이들과는 재질이 다른 수직 금속층(300)이 존재하는 구성을 가진다.

제1단부(111)의 내측으로는 수직 금속층(300)이 전기 전도성 접촉핀(100)의 길이 방향으로 100㎛ 이상 400㎛이하의 길이로 연장되어 내측 연장부(310)를 구비하고 제1금속(210) 및 제2금속(230)은 내측 연장부(310)의 길이(100㎛ 이상 400㎛)에서 내측 연장부(310)의 폭(10㎛ 이상 40㎛이하) 만큼 폭 방향으로 서로 이격되어 구성된다.

제3실시예

다음으로, 본 발명에 따른 제3실시예에 대해 살펴본다. 단, 이하 설명되는 실시예들은 상기 제1실시예와 비교하여 특징적인 구성요소들을 중심으로 설명하겠으며, 제1실시예와 동일하거나 유사한 구성요소들에 대한 설명은 되도록이면 생략한다.

이하, 도 15 내지 도 21을 참조하여 본 발명의 바람직한 제3실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀(100)에 대해 설명한다.

도 15는 본 발명의 바람직한 제3실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀(100)의 사시도이고, 도 16내지 도 20은 본 발명의 바람직한 제3실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀(100)의 제조방법을 도시한 도면이며, 도 21은 본 발명의 바람직한 제3실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀(100)의 제1단부(111)의 사시도(도 21a)와 제2단부(112)의 사시도(도 21b)이다.

본 발명의 바람직한 제3실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀(100)은, 수직 금속층(300)이 전기 전도성 접촉핀(100)의 외측으로 전기 전도성 접촉핀(100)의 길이방향을 따라 연장되어 전기 전도성 접촉핀(100)의 단부측으로 돌출되어 형성되는 외측 연장부(320)를 포함한다는 점에서 제1실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀(100)의 구성과 차이가 있다.

제3실시예에 따른 수직 금속층(300)은 전기 전도성 접촉핀(100)의 내측으로 전기 전도성 접촉핀(100)의 길이방향을 따라 연장되어 형성되는 내측 연장부(310)와, 전기 전도성 접촉핀(100)의 외측으로 전기 전도성 접촉핀(100)의 길이방향을 따라 연장되어 전기 전도성 접촉핀(100)의 단부측으로 돌출되어 형성되는 외측 연장부(320)를 포함한다.

이하에서는 도 16 내지 도 20을 참조하여 본 발명의 바람직한 제3실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀(100)의 제조방법에 대해 설명한다.

도 16을 참조하면, 도 16a는 내부공간(11)이 구비된 몰드(10)의 평면도이고, 도16b는 도16a의 A-A’단면도이고, 도16c는 도16a의 B-B’단면도이며, 도 16d는 도16a의 C-C’단면도이고, 도 16e는 도16a의 D-D’단면도이다.

도 16를 참조하면, 몰드(10)에는 내부 공간(11)이 형성되고 있고, 몰드(10)의 하부에는 시드층(20)이 구비되어 있다. 몰드(10)에 형성된 내부 공간(11)은, 전기 전도성 접촉핀(100)의 제1단부(111)에 대응되는 위치에 단부 연장 공간(13)을 포함한다. 단부 연장 공간(13)은 전기 전도성 접촉핀(100)의 폭방향으로 2개 형성된다. 2개의 단부 연장 공간(13) 사이에는 추후에 제거되는 희생몰드부(14)가 위치한다. 희생 몰드부(14)는 수평 금속층(200)이 형성된 이후에 제거되는 몰드(10)의 일부분이다.

다음으로 도 17을 참조하면, 도 17a는 내부공간(11)에 수평 금속층(200)을 형성한 몰드(10)의 평면도이고, 도17b는 도17a의 A-A’단면도이고, 도 17c는 도17a의 B-B’단면도이며, 도 17d는 도17a의 C-C’단면도이고, 도 17e는 도17a의 D-D’단면도이다.

몰드(10)의 내부 공간(11)에 전기 도금 공정을 수행하여 수평 금속층(200)을 형성하는 단계를 수행한다. 복수회의 전기 도금 공정을 수행하여 수평 금속층(200)은 전기 전도성 접촉핀(100)의 두께 방향으로 복수개가 적층되어 형성된다. 수평 금속층(200)은, 로듐(rhodium, Rd), 백금 (platinum, Pt), 이리듐(iridium, Ir), 팔라듐(palladium) 이나 이들의 합금, 또는 팔라듐-코발트(palladium-cobalt, PdCo) 합금, 팔라듐-니켈(palladium-nickel, PdNi) 합금 또는 니켈-인(nickel-phosphor, NiPh) 합금, 니켈-망간(nickel-manganese, NiMn), 니켈-코발트(nickel-cobalt, NiCo) 또는 니켈-텅스텐(nickel-tungsten, NiW) 합금, 구리(Cu), 은(Ag), 금(Au) 중에서 적어도 2개 이상의 금속이 적층되어 구비된다.

다음으로 도 18을 참조하면, 도 18a는 희생몰드부(14)를 제거하여 추가공간(15)을 형성한 몰드(10)의 평면도이고, 도18b는 도18a의 A-A’단면도이고, 도 18c는 도18a의 B-B’단면도이며, 도 18d는 도18a의 C-C’단면도이고, 도 18e는 도18a의 D-D’단면도이다.

희생 몰드부(14)를 제거하는 공정을 수행한다. 희생 몰드부(14)를 제거하여 추가 공간(15)을 몰드(10)에 형성한다. 추가 공간(15)은 폭 방향으로 수평 금속층(200)이 존재하는 내측 추가공간(16)과 폭방향으로 몰드(10)가 존재하는 외측 추가공간(17)을 포함한다. 외측 추가 공간(17)은 내측 추가공간(16)와 연통되어 연속적으로 형성되며 내측 추가공간(16)은 수평 금속층(200)의 단부 내측 방향으로 형성되고 외측 추가공간(17)는 수평 금속층(200)의 단부 외측 방향으로 형성된다.

내측 추가공간(16)에는 추후에 내측 연장부(310)가 형성되는 영역이 되고, 외측 추가공간(17)에는 추후에 외측 연장부(320)가 형성되는 영역이 된다.

다음으로 도 19를 참조하면, 도 19a는 제1단부(111)에 수직 금속층(300)을 형성한 몰드(10)의 평면도이고, 도19b는 도19a의 A-A’단면도이고, 도 19c는 도19a의 B-B’단면도이며, 도 19d는 도19a의 C-C’단면도이고, 도 19e는 도19a의 D-D’단면도이다.

수직 금속층(300)을 형성하는 단계를 수행한다. 이전 단계에서 형성된 추가 공간(15)에 전기 도금 공정을 이용하여 수직 금속층(300)을 형성한다. 내측 추가공간(16)에는 내측 연장부(310)가 형성되고, 외측 추가공간(17)에는 외측 연장부(320)가 형성된다.

수직 금속층(300)은 복수개의 수평 금속층(200) 중 적어도 어느 하나와 동일 금속으로 형성된다. 수직 금속층(300)은 로듐(rhodium, Rd), 백금 (platinum, Pt), 이리듐(iridium, Ir), 팔라듐(palladium) 이나 이들의 합금, 또는 팔라듐-코발트(palladium-cobalt, PdCo) 합금, 팔라듐-니켈(palladium-nickel, PdNi) 합금 또는 니켈-인(nickel-phosphor, NiPh) 합금, 니켈-망간(nickel-manganese, NiMn), 니켈-코발트(nickel-cobalt, NiCo) 또는 니켈-텅스텐(nickel-tungsten, NiW) 합금 중에서 선택된 제1금속(210)과 동일 재질로 형성될 수 있다. 예를 들어 제1금속(210)이 팔라듐-코발트(palladium-cobalt, PdCo) 합금 재질인 경우에 수직 금속층(300) 역시 팔라듐-코발트(palladium-cobalt, PdCo) 합금 재질일 수 있다.

다음으로 도 20을 참조하면, 도 20a는 전기 전도성 접촉핀(100)의 평면도이고, 도20b는 도20a의 A-A’단면도이고, 도 20c는 도20a의 B-B’단면도이며, 도 20d는 도20a의 C-C’단면도이고, 도 20e는 도20a의 D-D’단면도이다.

도 21a는 본 발명의 바람직한 제3실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀(100)의 정면 즉, 제1단부(111)의 사시도이고 도 21b는 본 발명의 바람직한 제3실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀(100)의 배면, 즉 제2단부(112)의 사시도이다.

제2단부(112)는 복수개의 수평 금속층(200)만으로 구성되는 반면에, 제1단부(111)는 제2단부(112)와는 다르게 수평 금속층(200)과 수직 금속층(300)이 함께 구성된다. 특히 수직 금속층(300)은 전기 전도성 접촉핀(100)의 내측으로 전기 전도성 접촉핀(100)의 길이방향을 따라 연장되어 형성되는 내측 연장부(310)와, 전기 전도성 접촉핀(100)의 외측으로 전기 전도성 접촉핀(100)의 길이방향을 따라 연장되어 전기 전도성 접촉핀(100)의 단부측으로 돌출되어 형성되는 외측 연장부(320)를 포함한다.

수직 금속층(300)은 내측 연장부(310)와 외측 연장부(320)를 포함하여 구성되기 때문에 비록 외측 연장부(320)가 돌출되어 형성되는 구성이더라도 일체로 형성되는 내측 연장부(310)의 구성을 통해 외측 연장부(320)의 강성을 향상시킬 수 있게 된다.

또한, 전기 전도성 접촉핀(100)의 외측 연장부(320)는 100㎛ 이상 400㎛이하의 길이를 가지므로, 제1단부(111)가 100㎛ 이상 400㎛이하의 길이로 짧아지더라도 동일한 단면 구조가 구현된다. 이러한 구성을 통해 제1단부(111)를 100㎛ 이상 400㎛이하의 길이 범위내에서 갈아서 재사용하는 것이 가능하게 된다.

제4실시예

다음으로, 본 발명에 따른 제4실시예에 대해 살펴본다. 단, 이하 설명되는 실시예들은 상기 제1실시예와 비교하여 특징적인 구성요소들을 중심으로 설명하겠으며, 제1실시예와 동일하거나 유사한 구성요소들에 대한 설명은 되도록이면 생략한다.

이하, 도 22 내지 도 28을 참조하여 본 발명의 바람직한 제4실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀(100)에 대해 설명한다.

도 22는 본 발명의 바람직한 제4실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀(100)의 사시도이고, 도 23내지 도 27은 본 발명의 바람직한 제4실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀(100)의 제조방법을 도시한 도면이며, 도 28은 본 발명의 바람직한 제4실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀(100)의 제1단부(111)의 사시도(도 28a)와 제2단부(112)의 사시도(도 28b)이다.

본 발명의 바람직한 제4실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀(100)은, 수직 금속층(300)이 전기 전도성 접촉핀(100)의 외측으로 전기 전도성 접촉핀(100)의 길이방향을 따라 연장되어 전기 전도성 접촉핀(100)의 제1,2단부(111, 112)측으로 각각 돌출되어 형성되는 외측 연장부(320)를 포함한다는 점에서 제1실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀(100)의 구성과 차이가 있다.

제1단부(111)에서, 수직 금속층(300)은 전기 전도성 접촉핀(100)의 내측으로 전기 전도성 접촉핀(100)의 길이방향을 따라 연장되어 형성되는 제1내측 연장부(310a)와, 전기 전도성 접촉핀(100)의 외측으로 전기 전도성 접촉핀(100)의 길이방향을 따라 연장되어 전기 전도성 접촉핀(100)의 단부측으로 돌출되어 형성되는 제1외측 연장부(320a)를 포함한다.

제2단부(112)에서, 수직 금속층(300)은 전기 전도성 접촉핀(100)의 내측으로 전기 전도성 접촉핀(100)의 길이방향을 따라 연장되어 형성되는 제2내측 연장부(310b)와, 전기 전도성 접촉핀(100)의 외측으로 전기 전도성 접촉핀(100)의 길이방향을 따라 연장되어 전기 전도성 접촉핀(100)의 단부측으로 돌출되어 형성되는 제2외측 연장부(320b)를 포함한다.

또한, 제2단부(112)의 수직 금속층(300)의 재질은 제1단부(111)의 수직 금속층(300)의 재질과 동일 재질로 구성된다.

이하에서는 도 23 내지 도 27을 참조하여 본 발명의 바람직한 제4실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀(100)의 제조방법에 대해 설명한다.

도 23을 참조하면, 도 23a는 내부공간(11)이 구비된 몰드(10)의 평면도이고, 도23b는 도23a의 A-A’단면도이고, 도23c는 도23a의 B-B’단면도이며, 도 23d는 도23a의 C-C’단면도이고, 도 23e는 도23a의 D-D’단면도이다.

도 23을 참조하면, 몰드(10)에는 내부 공간(11)이 형성되고 있고, 몰드(10)의 하부에는 시드층(20)이 구비되어 있다. 몰드(10)에 형성된 내부 공간(11)은, 전기 전도성 접촉핀(100)의 제1단부(111)에 대응되는 위치에 제1단부 연장 공간(13a)과 제2단부(112)에 대응되는 위치하는 제2단부 연장공간(13b)을 포함한다. 각각의 제1,2단부 연장 공간(13a, 13b)은 전기 전도성 접촉핀(100)의 폭방향으로 2개 형성된다. 2개의 단부 연장 공간(13) 사이에는 추후에 제거되는 제1,2희생몰드부(14a, 14b)가 위치한다. 제1,2희생 몰드부(14a, 14b)는 수평 금속층(200)이 형성된 이후에 제거되는 몰드(10)의 일부분이다.

다음으로 도 24를 참조하면, 도 24a는 내부공간(11)에 수평 금속층(200)을 형성한 몰드(10)의 평면도이고, 도24b는 도24a의 A-A’단면도이고, 도 24c는 도24a의 B-B’단면도이며, 도 24d는 도24a의 C-C’단면도이고, 도 24e는 도24a의 D-D’단면도이다.

다음으로 도 25를 참조하면, 도 25a는 제1,2희생몰드부(14a, 14b)를 제거하여 제1,2추가공간(15a, 15b)을 형성한 몰드(10)의 평면도이고, 도25b는 도25a의 A-A’단면도이고, 도 25c는 도25a의 B-B’단면도이며, 도 25d는 도25a의 C-C’단면도이고, 도 25e는 도25a의 D-D’단면도이다.

제1,2희생 몰드부(14a, 14b)를 제거하는 공정을 수행한다. 제1,2희생 몰드부(14a, 14b)를 제거하여 제1,2추가 공간(15a, 15b)을 몰드(10)에 형성한다. 제1추가 공간(15a)은 폭 방향으로 수평 금속층(200)이 존재하는 제1내측 추가공간(16a)과 폭방향으로 몰드(10)가 존재하는 제1외측 추가공간(17a)을 포함한다. 제2추가 공간(15b)은 폭 방향으로 수평 금속층(200)이 존재하는 제2내측 추가공간(16b)과 폭방향으로 몰드(10)가 존재하는 제2외측 추가공간(17b)을 포함한다.

각각의 제1,2외측 추가 공간(17a, 17b)은 각각 대응하는 제1,2내측 추가공간(16a, 16b)와 연통되어 연속적으로 형성되며 제1,2내측 추가공간(16a, 16b)은 수평 금속층(200)의 단부 내측 방향으로 형성되고 제1,2외측 추가공간(17a, 17b)는 수평 금속층(200)의 단부 외측 방향으로 형성된다.

제1,2내측 추가공간(16a, 16b)에는 추후에 제1,2내측 연장부(310a, 310b)가 형성되는 영역이 되고, 제1,2외측 추가공간(17a, 17b)에는 추후에 외측 연장부(320a, 320b)가 형성되는 영역이 된다.

다음으로 도 26을 참조하면, 도 26a는 제1, 2단부(111, 112)에 수직 금속층(300)을 형성한 몰드(10)의 평면도이고, 도26b는 도26a의 A-A’단면도이고, 도 26c는 도26a의 B-B’단면도이며, 도 26d는 도26a의 C-C’단면도이고, 도 26e는 도26a의 D-D’단면도이다.

수직 금속층(300)을 형성하는 단계를 수행한다. 이전 단계에서 형성된 제1,2추가 공간(15a, 15b)에 전기 도금 공정을 이용하여 수직 금속층(300)을 형성한다. 제1,2내측 추가공간(16a, 16b)에는 제1,2내측 연장부(310a, 310b)가 형성되고, 제1,2외측 추가공간(17a, 17b)에는 제1,2외측 연장부(320a, 320b)가 형성된다.

수직금속층(300)은 제1단부(111) 측에 구비되는 제1수직 금속층(300a)과 제2단부(112) 측에 구비되는 제2수직금속층(300b)을 포함한다. 제1수직 금속층(300a)은 제1내측 연장부(310a)와 제1외측 연장부(320a)를 포함하고, 제2수직 금속층(300b)은 제2내측 연장부(310b)와 제2외측 연장부(320b)를 포함한다.

수직 금속층(300)은 전 단계에서 제작된 수평 금속층(200)과 일체화된다. 수직 금속층(300)은 복수개의 수평 금속층(200) 중 적어도 어느 하나와 동일 금속으로 형성될 수 있다. 수직 금속층(300)은 로듐(rhodium, Rd), 백금 (platinum, Pt), 이리듐(iridium, Ir), 팔라듐(palladium) 이나 이들의 합금, 또는 팔라듐-코발트(palladium-cobalt, PdCo) 합금, 팔라듐-니켈(palladium-nickel, PdNi) 합금 또는 니켈-인(nickel-phosphor, NiPh) 합금, 니켈-망간(nickel-manganese, NiMn), 니켈-코발트(nickel-cobalt, NiCo) 또는 니켈-텅스텐(nickel-tungsten, NiW) 합금 중에서 선택된 제1금속(210)과 동일 재질로 형성될 수 있다. 예를 들어 제1금속(210)이 팔라듐-코발트(palladium-cobalt, PdCo) 합금 재질인 경우에 수직 금속층(300) 역시 팔라듐-코발트(palladium-cobalt, PdCo) 합금 재질일 수 있다.

다음으로 도 27을 참조하면, 도 27a는 전기 전도성 접촉핀(100)의 평면도이고, 도27b는 도27a의 A-A’단면도이고, 도 27c는 도27a의 B-B’단면도이며, 도 27d는 도27a의 C-C’단면도이고, 도 27e는 도27a의 D-D’단면도이다.

도 28a는 본 발명의 바람직한 제4실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀(100)의 정면 즉, 제1단부(111)의 사시도이고 도 28b는 본 발명의 바람직한 제4실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀(100)의 배면, 즉 제2단부(112)의 사시도이다.

제1단부(111)와 제2단부(112)는 수평 금속층(200)과 수직 금속층(300)이 함께 구성된다. 각각의 수직 금속층(300)은 전기 전도성 접촉핀(100)의 내측으로 전기 전도성 접촉핀(100)의 길이방향을 따라 연장되어 형성되는 내측 연장부(310)와, 전기 전도성 접촉핀(100)의 외측으로 전기 전도성 접촉핀(100)의 길이방향을 따라 연장되어 전기 전도성 접촉핀(100)의 단부측으로 돌출되어 형성되는 외측 연장부(320)를 포함한다.

전기 전도성 접촉핀(100)의 제1, 2단부(111, 112)는 수직 금속층(300)의 구성을 통해 내마모성 또는 경도가 높은 금속의 함량을 높여 제1,2단부(111, 112)의 내마모성 또는 경도 특성을 향상시킴과 동시에 전기 전도성 접촉핀(100)의 바디부(130)에서 전기 전도도가 높은 금속의 함량을 높이는 것이 가능하여 전류 운반 용량(Current Carrying Capacity)을 향상시킬 수 있게 된다.

또한, 전기 전도성 접촉핀(100)의 외측 연장부(320)는 100㎛ 이상 400㎛이하의 길이를 가지므로, 제1,2단부(111, 112)가 100㎛ 이상 400㎛이하의 길이로 짧아지더라도 동일한 단면 구조가 구현된다. 이러한 구성을 통해 제1,2단부(111, 112)를 100㎛ 이상 400㎛이하의 길이 범위내에서 갈아서 재사용하는 것이 가능하게 된다.

제5실시예

다음으로, 본 발명에 따른 제5실시예에 대해 살펴본다. 단, 이하 설명되는 실시예들은 상기 제1실시예와 비교하여 특징적인 구성요소들을 중심으로 설명하겠으며, 제1실시예와 동일하거나 유사한 구성요소들에 대한 설명은 되도록이면 생략한다.

이하, 도 29 내지 도 37을 참조하여 본 발명의 바람직한 제5실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀(100)에 대해 설명한다.

도 29는 본 발명의 바람직한 제5실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀(100)의 사시도이고, 도 30내지 도 36은 본 발명의 바람직한 제5실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀(100)의 제조방법을 도시한 도면이며, 도 37은 본 발명의 바람직한 제5실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀(100)의 제1단부(111)의 사시도(도 37a)와 제2단부(112)의 사시도(도 37b)이다.

본 발명의 바람직한 제5실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀(100)은, 수직 금속층(300)이 전기 전도성 접촉핀(100)의 외측으로 전기 전도성 접촉핀(100)의 길이방향을 따라 연장되어 전기 전도성 접촉핀(100)의 제1,2단부(111, 112)측으로 각각 돌출되어 형성되는 외측 연장부(320)를 포함한다는 점에서 제1실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀(100)의 구성과 차이가 있다.

제1단부(111)에서, 제1수직 금속층(300a)은 전기 전도성 접촉핀(100)의 내측으로 전기 전도성 접촉핀(100)의 길이방향을 따라 연장되어 형성되는 제1내측 연장부(310a)와, 전기 전도성 접촉핀(100)의 외측으로 전기 전도성 접촉핀(100)의 길이방향을 따라 연장되어 전기 전도성 접촉핀(100)의 단부측으로 돌출되어 형성되는 제1외측 연장부(320a)를 포함한다.

제2단부(112)에서, 제2수직 금속층(300b)은 전기 전도성 접촉핀(100)의 내측으로 전기 전도성 접촉핀(100)의 길이방향을 따라 연장되어 형성되는 제2내측 연장부(310b)와, 전기 전도성 접촉핀(100)의 외측으로 전기 전도성 접촉핀(100)의 길이방향을 따라 연장되어 전기 전도성 접촉핀(100)의 단부측으로 돌출되어 형성되는 제2외측 연장부(320b)를 포함한다.

또한, 제2단부(112)의 제2수직 금속층(300b)의 재질은 제1단부(111)의 제1수직 금속층(300a)의 재질과는 다른 재질로 구성된다.

이하에서는 도 29 내지 도 26을 참조하여 본 발명의 바람직한 제5실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀(100)의 제조방법에 대해 설명한다.

도 29을 참조하면, 도 29a는 내부공간(11)이 구비된 몰드(10)의 평면도이고, 도29b는 도29a의 A-A’단면도이고, 도29c는 도29a의 B-B’단면도이며, 도 29d는 도29a의 C-C’단면도이고, 도 29e는 도29a의 D-D’단면도이다.

도 29를 참조하면, 몰드(10)에는 내부 공간(11)이 형성되고 있고, 몰드(10)의 하부에는 시드층(20)이 구비되어 있다. 몰드(10)에 형성된 내부 공간(11)은, 전기 전도성 접촉핀(100)의 제1단부(111)에 대응되는 위치에 제1단부 연장 공간(13a)과 제2단부(112)에 대응되는 위치하는 제2단부 연장공간(13b)을 포함한다. 각각의 제1,2단부 연장 공간(13a, 13b)은 전기 전도성 접촉핀(100)의 폭방향으로 2개 형성된다. 2개의 단부 연장 공간(13) 사이에는 추후에 제거되는 제1,2희생몰드부(14a, 14b)가 위치한다. 제1,2희생 몰드부(14a, 14b)는 수평 금속층(200)이 형성된 이후에 제거되는 몰드(10)의 일부분이다.

다음으로 도 31을 참조하면, 도 31a는 내부공간(11)에 수평 금속층(200)을 형성한 몰드(10)의 평면도이고, 도31b는 도31a의 A-A’단면도이고, 도 31c는 도31a의 B-B’단면도이며, 도 31d는 도31a의 C-C’단면도이고, 도 31e는 도31a의 D-D’단면도이다.

다음으로 도 32를 참조하면, 도 32a는 제1희생몰드부(14a)를 제거하여 제1추가공간(15a)을 형성한 몰드(10)의 평면도이고, 도32b는 도32a의 A-A’단면도이고, 도 32c는 도32a의 B-B’단면도이며, 도 32d는 도32a의 C-C’단면도이고, 도 32e는 도32a의 D-D’단면도이다.

제1희생 몰드부(14a)를 제거하는 공정을 수행한다. 제1희생 몰드부(14a)를 제거하여 제1추가 공간(15a)을 몰드(10)에 형성한다. 제1추가 공간(15a)은 폭 방향으로 수평 금속층(200)이 존재하는 제1내측 추가공간(16a)과 폭방향으로 몰드(10)가 존재하는 제1외측 추가공간(17a)을 포함한다.

제1외측 추가 공간(17a)은 제1내측 추가공간(16a)와 연통되어 연속적으로 형성되며 제1내측 추가공간(16a)은 수평 금속층(200)의 단부 내측 방향으로 형성되고 제1외측 추가공간(17a)는 수평 금속층(200)의 단부 외측 방향으로 형성된다.

제1내측 추가공간(16a)에는 추후에 제1내측 연장부(310a)가 형성되는 영역이 된다.

다음으로 도 33을 참조하면, 도 33a는 제1단부(111)에 제1수직 금속층(300a)을 형성한 몰드(10)의 평면도이고, 도33b는 도33a의 A-A’단면도이고, 도 33c는 도33a의 B-B’단면도이며, 도 33d는 도33a의 C-C’단면도이고, 도 33e는 도33a의 D-D’단면도이다.

제1수직 금속층(300a)을 형성하는 단계를 수행한다. 이전 단계에서 형성된 제1추가 공간(15a)에 전기 도금 공정을 이용하여 제1수직 금속층(300a)을 형성한다. 제1내측 추가공간(16a)에는 제1내측 연장부(310a)가 형성되고, 제1외측 추가공간(17a)에는 제1외측 연장부(320a)가 형성된다.

제1수직 금속층(300a)은 로듐(rhodium, Rd), 백금 (platinum, Pt), 이리듐(iridium, Ir), 팔라듐(palladium) 이나 이들의 합금, 또는 팔라듐-코발트(palladium-cobalt, PdCo) 합금, 팔라듐-니켈(palladium-nickel, PdNi) 합금 또는 니켈-인(nickel-phosphor, NiPh) 합금, 니켈-망간(nickel-manganese, NiMn), 니켈-코발트(nickel-cobalt, NiCo) 또는 니켈-텅스텐(nickel-tungsten, NiW) 합금 중에서 선택될 수 있다.

다음으로 도 34를 참조하면, 도 34a는 제2희생몰드부(14b)를 제거하여 제2추가공간(15b)을 형성한 몰드(10)의 평면도이고, 도34b는 도34a의 A-A’단면도이고, 도 34c는 도34a의 B-B’단면도이며, 도 34d는 도34a의 C-C’단면도이고, 도 34e는 도34a의 D-D’단면도이다.

제2희생 몰드부(14b)를 제거하는 공정을 수행한다. 제2희생 몰드부(14b)를 제거하여 제2추가 공간(15b)을 몰드(10)에 형성한다. 제2추가 공간(15b)은 폭 방향으로 수평 금속층(200)이 존재하는 제2내측 추가공간(16b)과 폭방향으로 몰드(10)가 존재하는 제2외측 추가공간(17b)을 포함한다.

제2외측 추가 공간(17b)은 제2내측 추가공간(16b)와 연통되어 연속적으로 형성되며 제2내측 추가공간(16b)은 수평 금속층(200)의 단부 내측 방향으로 형성되고 제2외측 추가공간(17b)는 수평 금속층(200)의 단부 외측 방향으로 형성된다.

제2내측 추가공간(16b)에는 추후에 제2내측 연장부(310b)가 형성되는 영역이 된다.

다음으로 도 35을 참조하면, 도 35a는 제2단부(112)에 제2수직 금속층(300b)을 형성한 몰드(10)의 평면도이고, 도35b는 도35a의 A-A’단면도이고, 도 35c는 도35a의 B-B’단면도이며, 도 35d는 도35a의 C-C’단면도이고, 도 35e는 도35a의 D-D’단면도이다.

제2수직 금속층(300b)을 형성하는 단계를 수행한다. 이전 단계에서 형성된 제2추가 공간(15b)에 전기 도금 공정을 이용하여 제2수직 금속층(300b)을 형성한다. 제2내측 추가공간(16b)에는 제2내측 연장부(310b)가 형성되고, 제2외측 추가공간(17b)에는 제2외측 연장부(320b)가 형성된다.

제2수직 금속층(300)은 구리(Cu), 은(Ag), 금(Au) 중에서 선택될 수 있다.

다음으로 도 36을 참조하면, 도 36a는 전기 전도성 접촉핀(100)의 평면도이고, 도36b는 도36a의 A-A’단면도이고, 도 36c는 도36a의 B-B’단면도이며, 도 36d는 도36a의 C-C’단면도이고, 도 36e는 도36a의 D-D’단면도이다.

도 37a는 본 발명의 바람직한 제5실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀(100)의 정면 즉, 제1단부(111)의 사시도이고 도 37b는 본 발명의 바람직한 제5실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀(100)의 배면, 즉 제2단부(112)의 사시도이다.

전기 전도성 접촉핀(100)의 제1단부(111)는 제1수직 금속층(300a)의 구성을 통해 내마모성 또는 경도가 높은 금속의 함량을 높여 제1단부(112)의 내마모성 또는 경도 특성을 향상시킴과 동시에 전기 전도성 접촉핀(100)의 바디부(130)에서 전기 전도도가 높은 금속의 함량을 높이는 것이 가능하여 전류 운반 용량(Current Carrying Capacity)을 향상시킬 수 있게 된다. 또한, 전기 전도성 접촉핀(100)의 제2단부(112)는 제2수직 금속층(300b)의 구성을 통해 전기 전도도가 높은 금속의 함량을 높여 아킹 발생을 방지하고, 전류 운반 용량(Current Carrying Capacity)을 향상시킬 수 있게 된다.

제6실시예

다음으로, 본 발명에 따른 제6실시예에 대해 살펴본다. 단, 이하 설명되는 실시예들은 상기 제1실시예와 비교하여 특징적인 구성요소들을 중심으로 설명하겠으며, 제1실시예와 동일하거나 유사한 구성요소들에 대한 설명은 되도록이면 생략한다.

이하, 도 38 내지 도 44를 참조하여 본 발명의 바람직한 제6실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀(100)에 대해 설명한다.

도 38은 본 발명의 바람직한 제6실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀(100)의 사시도이고, 도 39내지 도 43은 본 발명의 바람직한 제6실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀(100)의 제조방법을 도시한 도면이며, 도 44는 본 발명의 바람직한 제6실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀(100)의 제1단부(111)의 사시도(도 44a)와 제2단부(112)의 사시도(도 44b)이다.

본 발명의 바람직한 제6실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀(100)은, 수직 금속층(300)이 전기 전도성 접촉핀(100)의 단부(110)의 측부에도 위치하는 구성이라는 점에서 제1실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀(100)의 구성과 차이가 있다.

제6실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀(100)은 수직 금속층(300)이 전도성 접촉핀(100)의 단부의 중앙부에 위치하는 중앙부 수직 금속층(301)과 전도성 접촉핀(100)의 단부의 측부에 위치하는 측부 수직 금속층(302)을 포함한다.

이하에서는 도 39 내지 도 43을 참조하여 본 발명의 바람직한 제6실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀(100)의 제조방법에 대해 설명한다.

도 39을 참조하면, 도 39a는 내부공간(11)이 구비된 몰드(10)의 평면도이고, 도39b는 도39a의 A-A’단면도이고, 도39c는 도39a의 B-B’단면도이며, 도 39d는 도39a의 C-C’단면도이고, 도 39e는 도39a의 D-D’단면도이다.

도 39를 참조하면, 몰드(10)에는 내부 공간(11)이 형성되고 있고, 몰드(10)의 하부에는 시드층(20)이 구비되어 있다. 몰드(10)에 형성된 내부 공간(11)은, 전기 전도성 접촉핀(100)의 제1단부(111)에 대응되는 위치에 단부 연장 공간(13)을 포함한다. 단부 연장 공간(13)은 전기 전도성 접촉핀(100)의 폭방향으로 2개 형성된다. 2개의 단부 연장 공간(13) 사이에는 추후에 제거되는 단부 희생몰드부(14c)가 위치한다. 단부 연장 공간(13)의 외측으로는 추후에 제거되는 측부 희생몰드부(14d)가 위치한다. 단부 희생 몰드부(14c)와 측부 희생몰드부(14d)는 수평 금속층(200)이 형성된 이후에 제거되는 몰드(10)의 일부분이다.

다음으로 도 40을 참조하면, 도 40a는 내부공간(11)에 수평 금속층(200)을 형성한 몰드(10)의 평면도이고, 도40b는 도40a의 A-A’단면도이고, 도 40c는 도40a의 B-B’단면도이며, 도 40d는 도40a의 C-C’단면도이고, 도 40e는 도40a의 D-D’단면도이다.

몰드(10)의 내부 공간(11)에 전기 도금 공정을 수행하여 수평 금속층(200)을 형성하는 단계를 수행한다. 복수회의 전기 도금 공정을 수행하여 수평 금속층(200)은 전기 전도성 접촉핀(100)의 두께 방향으로 복수개가 적층되어 형성된다. 수평 금속층(200)은 로듐(rhodium, Rd), 백금 (platinum, Pt), 이리듐(iridium, Ir), 팔라듐(palladium) 이나 이들의 합금, 또는 팔라듐-코발트(palladium-cobalt, PdCo) 합금, 팔라듐-니켈(palladium-nickel, PdNi) 합금 또는 니켈-인(nickel-phosphor, NiPh) 합금, 니켈-망간(nickel-manganese, NiMn), 니켈-코발트(nickel-cobalt, NiCo) 또는 니켈-텅스텐(nickel-tungsten, NiW) 합금, 구리(Cu), 은(Ag), 금(Au) 중에서 적어도 2개 이상의 금속이 적층되어 구비된다. 예를 들어, 팔라듐-코발트(palladium-cobalt, PdCo) 합금 재질의 제1금속(210)과 구리(Cu) 재질의 제2금속(230)이 교번적으로 적층되어 형성될 수 있다.

다음으로 도 41을 참조하면, 도 41a는 단부 희생몰드부(14c)와 측부 희생 몰드부(14d)를 제거하여 추가공간(15)을 형성한 몰드(10)의 평면도이고, 도41b는 도41a의 A-A’단면도이고, 도 41c는 도41a의 B-B’단면도이며, 도 41d는 도41a의 C-C’단면도이고, 도 41e는 도41a의 D-D’단면도이다.

단부 희생 몰드부(14c)와 측부 희생 몰드부(14d)를 제거하는 공정을 수행한다. 단부 희생 몰드부(14c)와 측부 희생 몰드부(14d)를 제거하여 추가공간(15)을 몰드(10)에 형성한다. 추가공간(15)은 단부 희생 몰드부(14c)가 제거되어 형성되는 단부 추가공간(15c)과 측부 희생 몰드부(14d)가 제거되어 형성되는 측부 추가공간(15d)를 포함한다.

다음으로 도 42를 참조하면, 도 42a는 제1단부(111)에 수직 금속층(300)을 형성한 몰드(10)의 평면도이고, 도42b는 도42a의 A-A’단면도이고, 도 42c는 도42a의 B-B’단면도이며, 도 42d는 도42a의 C-C’단면도이고, 도 42e는 도42a의 D-D’단면도이다.

수직 금속층(300)은 단부 추가공간(15c)에 전기 도금 공정으로 금속이 충진되어 형성되는 중앙부 수직 금속층(301)과 측부 추가공간(15d)에 전기 도금 공정으로 금속이 충진되어 형성되는 측부 수직 금속층(302)을 포함한다.

수직 금속층(300)은 로듐(rhodium, Rd), 백금 (platinum, Pt), 이리듐(iridium, Ir), 팔라듐(palladium) 이나 이들의 합금, 또는 팔라듐-코발트(palladium-cobalt, PdCo) 합금, 팔라듐-니켈(palladium-nickel, PdNi) 합금 또는 니켈-인(nickel-phosphor, NiPh) 합금, 니켈-망간(nickel-manganese, NiMn), 니켈-코발트(nickel-cobalt, NiCo) 또는 니켈-텅스텐(nickel-tungsten, NiW) 합금 중에서 선택된 금속 일 수 있으며, 바람직하게는 제1금속(210)과 동일 재질로 형성될 수 있다. 예를 들어 제1금속(210)이 팔라듐-코발트(palladium-cobalt, PdCo) 합금 재질인 경우에 수직 금속층(300) 역시 팔라듐-코발트(palladium-cobalt, PdCo) 합금 재질일 수 있다.

다음으로 도 43을 참조하면, 도 43a는 전기 전도성 접촉핀(100)의 평면도이고, 도43b는 도43a의 A-A’단면도이고, 도 43c는 도43a의 B-B’단면도이며, 도 43d는 도43a의 C-C’단면도이고, 도 43e는 도43a의 D-D’단면도이다.

도 44a는 본 발명의 바람직한 제6실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀(100)의 정면 즉, 제1단부(111)의 사시도이고 도 44b는 본 발명의 바람직한 제2실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀(100)의 배면, 즉 제2단부(112)의 사시도이다.

수평 금속층(200)은 제1금속(210)과 제2금속(230)을 포함하여 적층되어 구성될 수 있다. 제1금속(210)은 제2금속(230)에 비해 상대적으로 내마모성 또는 경도가 높은 금속이며, 제2금속(230)은 제1금속(210)에 비해 상대적으로 전기 전도도가 높은 금속으로 구성될 수 있다. 제1금속(210)은 바람직하게는, 로듐(rhodium, Rd), 백금 (platinum, Pt), 이리듐(iridium, Ir), 팔라듐(palladium) 이나 이들의 합금, 또는 팔라듐-코발트(palladium-cobalt, PdCo) 합금, 팔라듐-니켈(palladium-nickel, PdNi) 합금 또는 니켈-인(nickel-phosphor, NiPh) 합금, 니켈-망간(nickel-manganese, NiMn), 니켈-코발트(nickel-cobalt, NiCo) 또는 니켈-텅스텐(nickel-tungsten, NiW) 합금 중에서 선택된 금속일 수 있으며, 제2금속(230)은 구리(Cu), 은(Ag), 금(Au) 중에서 선택된 금속일 수 있다.

제2단부(112)는 제1금속(210)과 제2금속(230)이 전기 전도성 접촉핀(100)의 두께 방향으로만 이격되어 형성되는 구성인 반면에, 제1단부(111)는 제2금속(230)이 전기 전도성 접촉핀(100)의 두께 방향 뿐만 아니라 전기 전도성 접촉핀(100)의 폭 방향으로도 이격되어 형성되고, 제2금속(230)이 폭 방향으로 이격된 위치에 제1금속(210)이 존재하는 구성을 가진다. 제1단부(111)에서 제1금속(210)은 전기 전도성 접촉핀(100)의 두께 방향 뿐만 아니라 전기 전도성 접촉핀(100)의 폭 방향으로 서로 연속되는 구성을 가진다.

또한, 수직 금속층(300)은 전도성 접촉핀(100)의 단부의 중앙부에 위치하는 중앙부 수직 금속층(301)과 전도성 접촉핀(100)의 단부의 측부에 위치하는 측부 수직 금속층(302)을 포함한다. 이를 통해 제1단부(111)에서 제1금속(210)은 제2금속(230)의 측면을 감싸도록 추가적으로 형성된다. 제1단부(111)에서, 단부의 하면을 제외하고는 제2금속(230)이 노출되지 않도록 제1금속(210)에 의해 감싸지는 구성을 통해 내마모성을 더욱 향상시킬 수 있게 된다. 또한 비젼 카메라를 통해 제2금속(230)의 위치를 정밀하게 검출할 수 있기 때문에 제1단부(111)의 위치를 보다 정확하게 검출하는 것이 가능하게 된다.

제1단부(111)를 갈아내는 공정을 수행함에 있어서 측부 수직 금속층(302)의 길이 변화를 통해 내측 연장부(310)의 남은 길이를 파악하는 것이 용이하게 된다. 보다 구체적으로 설명하면, 수직 금속층(300)의 내측 연장부(310)는 전기 전도성 접촉핀(100)의 내부에 위치하기 때문에 제1단부(111)를 갈아내는 공정을 수행함에 있어서 내측 연장부(310)가 실제로 남아 있는 길이가 어느 정도 되는지를 쉽게 파악하는 것이 어려울 수 있다. 하지만 측부 수직 금속층(302)의 구성을 채택함으로써 제1단부(111)를 갈아 낼 때 내측 연장부(310)와 측부 수직 금속층(302)이 함께 제거가 되고, 측부 수직 금속층(302)의 남아 있는 길이는 전기 전도성 접촉핀(100)의 외부에서 쉽게 파악되므로 이를 통해 내측 연장부(310)의 남아 있는 길이를 파악하는 것이 용이하게 된다.

또한, 제1금속(210)은 제2금속(230)의 측면을 감싸도록 형성되어 제1단부(111)의 테두리부분이 모두 제1금속(210)으로 형성되는 구성을 통해, 제1단부(111)의 테두리 부분의 내마모성이 높게 유지되므로 제1단부(111)를 갈아내는 과정에서 단부 형상을 그대로 유지할 수 있는 효과를 가지게 된다.

이상에서 설명한 다양한 실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀(100)의 표면에는 전류 운반 용량(Current Carrying Capacity)을 더욱 향상시키기 위해 금(Au) 재질의 도금막이 추가로 형성될 수 있다. 이 경우 제1단부(111)에는 금(Au) 도금막을 형성되지 않을 수 있다.

전술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시 예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 통상의 기술자는 하기의 특허 청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 또는 변형하여 실시할 수 있다.

10: 몰드 20: 시드층
100: 전기 전도성 접촉핀 110: 단부
200: 수평 금속층 300: 수직 금속층

Claims

복수개의 수평 금속층이 적층되어 형성되는 전기 전도성 접촉핀에 있어서,
상기 전기 전도성 접촉핀의 적어도 일단부는, 상기 복수개의 수평 금속층의 적층 방향으로 형성된 수직 금속층을 포함하는, 전기 전도성 접촉핀.
제1항에 있어서,
상기 수직 금속층은 서로 다른 재질로 구성되는 상기 복수개의 수평 금속층 중 적어도 어느 하나와 동일 금속으로 형성되는, 전기 전도성 접촉핀.
제1항에 있어서,
상기 수직 금속층은 서로 다른 재질로 구성되는 상기 복수개의 수평 금속층의 재질과 다른 재질의 금속으로 형성되는, 전기 전도성 접촉핀.
제1항에 있어서,
상기 수직 금속층은 상기 전기 전도성 접촉핀의 두께 방향으로 하면부에서 상면부에 이르기까지 연속적으로 형성되되, 상기 전기 전도성 접촉핀의 폭 방향으로 상기 전기 전도성 접촉핀의 단부의 중앙부에 위치하는, 전기 전도성 접촉핀.
제1항에 있어서,
상기 수직 금속층은 상기 전기 전도성 접촉핀의 두께 방향으로 하면부에서 상면부에 이르기까지 연속적으로 형성되되, 상기 전기 전도성 접촉핀의 폭 방향으로 상기 전도성 접촉핀의 단부의 측부에 위치하는, 전기 전도성 접촉핀.
제1항에 있어서,
상기 수직 금속층은,
상기 전도성 접촉핀의 단부의 중앙부에 위치하는 중앙부 수직 금속층; 및
상기 전도성 접촉핀의 단부의 측부에 위치하는 측부 수직 금속층을 포함하는, 전기 전도성 접촉핀.
전기 전도성 접촉핀에 있어서,
상기 전기 전도성 접촉핀의 적어도 일단부는,
복수개의 수평 금속층이 적층되어 형성된 제1영역; 및
상기 복수개의 수평 금속층의 적층 방향으로 수직 금속층이 형성된 제2영역을 포함하되,
상기 제1영역과 상기 제2영역은 동일 두께로 형성되는, 전기 전도성 접촉핀.
제7항에 있어서,
상기 수직 금속층은 상기 전기 전도성 접촉핀의 내측으로 상기 전기 전도성 접촉핀의 길이방향을 따라 연장되어 형성되는 내측 연장부를 포함하는, 전기 전도성 접촉핀.
제7항에 있어서,
상기 수직 금속층은 상기 전기 전도성 접촉핀의 외측으로 상기 전기 전도성 접촉핀의 길이방향을 따라 연장되어 상기 전기 전도성 접촉핀의 단부측으로 돌출되어 형성되는 외측 연장부를 포함하는, 전기 전도성 접촉핀.
제7항에 있어서,
상기 수직 금속층의 폭은 10㎛ 이상 40㎛이하인, 전기 전도성 접촉핀.
제8항에 있어서,
상기 내측 연장부의 길이는 100㎛ 이상 400㎛이하인, 전기 전도성 접촉핀.
제7항에 있어서,
상기 제2영역은 상기 제1영역의 평균 경도값보다 높은 경도값을 가지는, 전기 전도성 접촉핀.
제7항에 있어서,
상기 제2영역은 상기 제1영역의 평균 전기 전도도보다 높은 전기 전도도를 가지는, 전기 전도성 접촉핀.
제1,2금속을 포함하여 적층된 다단의 수평 금속층을 포함하는 전기 전도성 접촉핀에 있어서,
상기 전기 전도성 접촉핀의 적어도 일단부는,
상기 제2금속이 폭 방향으로 이격되어 형성되되 이격된 상기 제2금속 사이에 상기 제1금속이 형성된, 전기 전도성 접촉핀.
제14항에 있어서,
상기 제1금속은 로듐(rhodium, Rd), 백금 (platinum, Pt), 이리듐(iridium, Ir), 팔라듐(palladium) 이나 이들의 합금, 또는 팔라듐-코발트(palladium-cobalt, PdCo) 합금, 팔라듐-니켈(palladium-nickel, PdNi) 합금 또는 니켈-인(nickel-phosphor, NiPh) 합금, 니켈-망간(nickel-manganese, NiMn), 니켈-코발트(nickel-cobalt, NiCo) 또는 니켈-텅스텐(nickel-tungsten, NiW) 합금 중에서 선택된 금속으로 형성되고,
상기 제2금속은 구리(Cu), 은(Ag), 금(Au) 또는 이들의 합금 중에서 선택된 금속으로 형성되는, 전기 전도성 접촉핀.
제14항에 있어서,
상기 전기 전도성 접촉핀의 적어도 일단부는, 상기 제1금속이 상기 제2금속의 측면을 감싸도록 추가적으로 형성되는, 전기 전도성 접촉핀.
제1,2금속을 포함하여 적층된 다단의 수평 금속층을 포함하는 전기 전도성 접촉핀에 있어서,
상기 전기 전도성 접촉핀의 적어도 일단부는,
상기 제2금속이 이격되어 형성되되 이격된 상기 제2금속 사이에 상기 제1,2금속과 다른 재질의 금속으로 상기 제3금속이 형성된, 전기 전도성 접촉핀.
제17항에 있어서,
상기 제1금속은 백금 (platinum, Pt), 이리듐(iridium, Ir), 팔라듐(palladium) 이나 이들의 합금, 또는 팔라듐-코발트(palladium-cobalt, PdCo) 합금, 팔라듐-니켈(palladium-nickel, PdNi) 합금 또는 니켈-인(nickel-phosphor, NiPh) 합금, 니켈-망간(nickel-manganese, NiMn), 니켈-코발트(nickel-cobalt, NiCo) 또는 니켈-텅스텐(nickel-tungsten, NiW) 합금 중에서 선택된 금속으로 형성되고,
상기 제2금속은 구리(Cu), 은(Ag), 금(Au) 또는 이들의 합금 중에서 선택된 금속으로 형성되며,
상기 제3금속은 로듐(rhodium, Rd)인, 전기 전도성 접촉핀.
제17항에 있어서,
상기 제1금속은 로듐(rhodium, Rd), 백금 (platinum, Pt), 이리듐(iridium, Ir), 팔라듐(palladium) 이나 이들의 합금, 또는 팔라듐-코발트(palladium-cobalt, PdCo) 합금, 팔라듐-니켈(palladium-nickel, PdNi) 합금 또는 니켈-인(nickel-phosphor, NiPh) 합금, 니켈-망간(nickel-manganese, NiMn), 니켈-코발트(nickel-cobalt, NiCo) 또는 니켈-텅스텐(nickel-tungsten, NiW) 합금 중에서 선택된 금속으로 형성되고,
상기 제2금속은 구리(Cu), 은(Ag) 또는 이들의 합금 중에서 선택된 금속으로 형성되며,
상기 제3금속은 금(Au)인, 전기 전도성 접촉핀.
전기 전도성 접촉핀의 적어도 일단부가 복수개의 수평 금속층이 적층되어 형성된 제1영역과 상기 복수개의 수평 금속층의 적층 방향으로 수직 금속층이 형성된 제2영역을 포함하도록 하는, 전기 전도성 접촉핀의 제조방법에 있어서,
상기 제1영역과 상기 제2영역은 몰드를 이용하여 각각 도금하여 형성하는, 전기 전도성 접촉피의 제조방법.
제20항에 있어서,
상기 몰드는 양극산화막 재질로 구성되는, 전기 전도성 접촉핀의 제조방법.