KR20220151440A - 양극산화막 구조체 - Google Patents

양극산화막 구조체 Download PDF

Info

Publication number
KR20220151440A
KR20220151440A KR1020210058695A KR20210058695A KR20220151440A KR 20220151440 A KR20220151440 A KR 20220151440A KR 1020210058695 A KR1020210058695 A KR 1020210058695A KR 20210058695 A KR20210058695 A KR 20210058695A KR 20220151440 A KR20220151440 A KR 20220151440A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
metal layer
oxide film
hole
anodic oxide
film structure
Prior art date
Application number
KR1020210058695A
Other languages
English (en)
Inventor
안범모
박승호
변성현
Original Assignee
(주)포인트엔지니어링
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by (주)포인트엔지니어링 filed Critical (주)포인트엔지니어링
Priority to KR1020210058695A priority Critical patent/KR20220151440A/ko
Priority to PCT/KR2022/006342 priority patent/WO2022235055A1/ko
Priority to TW111116884A priority patent/TW202244331A/zh
Publication of KR20220151440A publication Critical patent/KR20220151440A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/05—Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate
    • H05K1/053—Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate the metal substrate being covered by an inorganic insulating layer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D1/00—Electroforming
    • C25D1/08—Perforated or foraminous objects, e.g. sieves
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D11/00—Electrolytic coating by surface reaction, i.e. forming conversion layers
    • C25D11/02—Anodisation
    • C25D11/04—Anodisation of aluminium or alloys based thereon
    • C25D11/18—After-treatment, e.g. pore-sealing
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/05—Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/11—Printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/11—Printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H05K1/115—Via connections; Lands around holes or via connections
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H05K3/42—Plated through-holes or plated via connections

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)

Abstract

본 발명에 따른 양극산화막 구조체는 양극산화막의 물리적 및/또는 전기적 특성을 향상시킨 양극산화막 구조체를 제공한다.

Description

양극산화막 구조체{ANODIC OXIDATION STRUCTURE}
본 발명은 양극산화막 구조체에 관한 것이다.
양극산화막은 고온의 분위기에서 열변형이 적고 전기적으로 절연 특성을 가진다. 이러한 물리적 및/또는 전기적 특성을 이용하여 다양한 분야에서 이를 활용하고자 하는 연구들이 진행되고 있다.
하지만 양극산화막은 금속 모재를 양극산화하여 얇은 박판 형태로 제조되기 때문에 금속 모재를 제거한 이후에는 취성 파괴의 가능성이 높아지게 된다. 따라서 양극산화막을 이용하여 구조체로 이용하기 위해서는 취성 파괴의 문제점을 해결해야 한다.
한편 양극산화막은 전기적으로 절연 특성을 가진다. 따라서 양극산화막을 이용한 양극산화막 구조체에 있어서는 절연 특성 이외에 적어도 부분적으로 전도성을 부여하기 위한 구성을 어떻게 구현할 것인지를 고려하여야 한다.
이처럼 양극산화막을 이용하여 구조체로서 사용되기 위해서는, 양극산화막 구조체는 물리적 및/또는 전기적 특성을 개선할 필요가 있다.
대한민국 공개번호 제 10-2017-0068241호 공개특허공보
본 발명은 상술한 종래기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 본 발명은 양극산화막의 물리적 및/또는 전기적 특성을 향상시킨 양극산화막 구조체를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
상술한 과제를 해결하고 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 따른 양극산화막 구조체는, 모재 금속을 양극산화 한 후 상기 모재 금속을 제거한 양극산화막 재질의 바디; 상기 양극산화시 형성된 기공홀보다 더 큰 내부폭을 가지면서 상기 바디를 관통하여 형성되는 관통홀; 및 상기 바디 내부에 구비되는 내부 금속층을 포함한다.
또한, 상기 바디의 표면에 형성된 표면 금속층을 포함하되, 상기 표면 금속층은 상기 내부 금속층과 연결된다.
또한, 상기 내부 금속층은 상기 관통홀의 내벽에 형성되어 상기 관통홀 측으로 노출된다.
또한, 상기 내부 금속층은 상기 관통홀 주변 영역에 형성되어 상기 관통홀 측으로 노출되지 않는다.
또한, 상기 내부 금속층은 상기 관통홀의 적어도 일부를 감싸도록 형성되고 상기 내부 금속층과 상기 관통홀 사이에는 양극산화막이 존재한다.
또한, 상기 바디의 상면에 형성된 상부 표면 금속층; 및 상기 바디의 하면에 형성된 하부 표면 금속층;을 포함한다.
또한, 상기 내부 금속층은 상기 바디의 두께 방향으로 복수개의 금속층이 적층되어 형성된다.
또한, 상기 바디는 복수개가 적층되어 구비된다.
또한, 상기 바디는 복수개가 적층되어 구비되고, 각각의 바디에 형성되는 내부 금속층은 각각의 수직선상을 기준으로 서로 동일 위치에 구비된다.
또한, 상기 바디는 복수개가 적층되어 구비되고, 각각의 바디에 형성되는 내부 금속층은 각각의 수직선상을 기준으로 서로 다른 위치에 구비된다.
또한, 상기 바디의 표면에 형성되어 복수개의 상기 내부 금속층을 연결하는 표면 금속층을 포함하되, 상기 표면 금속층은 그라운드에 접지된다.
한편, 본 발명에 따른 양극산화막 구조체는, 모재 금속을 양극산화 한 후 상기 모재 금속을 제거한 양극산화막 재질의 바디; 상기 양극산화시 형성된 기공홀보다 더 큰 내부폭을 가지면서 상기 바디를 관통하여 형성되는 복수개의 관통홀; 상기 관통홀 내벽에 구비되어 상기 양극산화막이 상기 관통측으로 노출되지 않도록 하는 내부 금속층; 및 복수개의 상기 내부 금속층들을 서로 연결하도록 상기 바디의 표면에 형성된 표면 금속층;을 포함한다.
또한, 상기 내부 금속층의 표면에 깊이와 폭을 가지는 복수개의 미세 트렌치를 포함하되, 상기 미세 트렌치는 상기 바디의 두께 방향으로 연장되어 형성되고, 상기 미세 트렌치는 상기 관통홀의 둘레 방향으로 반복적으로 형성된다.
또한, 상기 미세 트렌치의 상기 깊이와 상기 폭은 20㎚ 이상 1㎛이하의 범위를 가진다.
한편, 본 발명에 따른 양극산화막 구조체는, 모재 금속을 양극산화 한 후 상기 모재 금속을 제거한 양극산화막 재질의 바디; 및 상기 바디 내부에 구비되는 내부 금속층을 포함하되, 상기 내부 금속층과 상기 바디의 접합 계면에서, 상기 내부 금속층은 상기 바디의 기공홀의 내벽면과 밀착되는 미세 트렌치가 구비된다.
본 발명에 따른 양극산화막 구조체는 양극산화막의 물리적 및/또는 전기적 특성을 향상시킨 양극산화막 구조체를 제공한다.
도 1a는 본 발명의 바람직한 제1실시예에 따른 양극산화막 구조체의 평면도.
도 1b는 도 1a의 A-A’단면도.
도 2a는 본 발명의 바람직한 제1실시예에 따른 양극산화막 구조체의 관통홀에 전기 전도성 접촉핀이 삽입된 상태를 도시한 평면도.
도 2b는 도 2a의 A-A’단면도.
도 3a 내지 도 7b은 본 발명의 바람직한 제1실시예에 따른 양극산화막 구조체의 제조방법을 도시한 도면.
도 8은 본 발명의 바람직한 제1실시예에 따른 양극산화막 구조체의 관통홀 내벽을 도시한 도면.
도 9는 본 발명의 바람직한 제2실시예에 따른 양극산화막 구조체의 평면도.
도 10은 본 발명의 바람직한 제2실시예에 따른 양극산화막 구조체의 단면 사시도.
도 11a 내지 도 14b는 본 발명의 바람직한 제2실시예에 따른 양극산화막 구조체의 제조방법을 도시한 도면.
도 15a는 본 발명의 바람직한 제3실시예에 따른 양극산화막 구조체의 평면도.
도 15b는 도 15a의 A-A’단면도.
도 16a는 본 발명의 바람직한 제4실시예에 따른 양극산화막 구조체의 평면도.
도 16b는 도 16a의 A-A’단면도.
도 17a는 본 발명의 바람직한 제5실시예에 따른 양극산화막 구조체의 평면도.
도 17b는 도 17a의 A-A’단면도.
도 18은 본 발명의 바람직한 제6실시예에 따른 양극산화막 구조체의 평면도.
이하의 내용은 단지 발명의 원리를 예시한다. 그러므로 당업자는 비록 본 명세서에 명확히 설명되거나 도시되지 않았지만 발명의 원리를 구현하고 발명의 개념과 범위에 포함된 다양한 장치를 발명할 수 있는 것이다. 또한, 본 명세서에 열거된 모든 조건부 용어 및 실시 예들은 원칙적으로, 발명의 개념이 이해되도록 하기 위한 목적으로만 명백히 의도되고, 이와 같이 특별히 열거된 실시 예들 및 상태들에 제한적이지 않는 것으로 이해되어야 한다.
상술한 목적, 특징 및 장점은 첨부된 도면과 관련한 다음의 상세한 설명을 통하여 보다 분명해질 것이며, 그에 따라 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 것이다.
본 명세서에서 기술하는 실시 예들은 본 발명의 이상적인 예시 도인 단면도 및/또는 사시도들을 참고하여 설명될 것이다. 이러한 도면들에 도시된 막 및 영역들의 두께 등은 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. 제조 기술 및/또는 허용 오차 등에 의해 예시도의 형태가 변형될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시 예들은 도시된 특정 형태로 제한되는 것이 아니라 제조 공정에 따라 생성되는 형태의 변화도 포함하는 것이다. 본 명세서에서 사용한 기술적 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로서, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 명세서에서, "포함하다" 또는 "구비하다" 등의 용어는 본 명세서에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들에 대해 구체적으로 설명한다. 이하에서 다양한 실시예들을 설명함에 있어서, 동일한 기능을 수행하는 구성요소에 대해서는 실시예가 다르더라도 편의상 동일한 명칭 및 동일한 참조번호를 부여하기로 한다. 또한, 이미 다른 실시예에서 설명된 구성 및 작동에 대해서는 편의상 생략하기로 한다.
이하에서는 제1 내지 제6실시예를 구분하여 설명하나, 각각의 실시예의 구성들을 조합한 실시예들도 본 발명의 바람직한 실시예에 포함된다.
제1실시예
이하, 도 1 내지 도 8를 참조하여 본 발명의 바람직한 제1실시예에 따른 양극산화막 구조체(10)에 대해 설명한다. 도 1a는 본 발명의 바람직한 제1실시예에 따른 양극산화막 구조체(10)의 평면도이고, 도 1b는 도 1a의 A-A’단면도이며, 도 2a는 본 발명의 바람직한 제1실시예에 따른 양극산화막 구조체(10)의 관통홀에 전기 전도성 접촉핀(20)이 삽입된 상태를 도시한 평면도이고, 도 2b는 도 2a의 A-A’단면도이며, 도 3a 내지 도 7b은 본 발명의 바람직한 제1실시예에 따른 양극산화막 구조체(10)의 제조방법을 도시한 도면이고, 도 8은 본 발명의 바람직한 제1실시예에 따른 양극산화막 구조체(10)의 관통홀(150) 내벽을 도시한 도면이다.
도 1 을 참조하면, 본 발명의 바람직한 제1실시예에 따른 양극산화막 구조체(10)는 모재 금속을 양극산화 한 후 모재 금속을 제거한 양극산화막 재질의 바디(100); 양극산화시 형성된 기공홀(121)보다 더 큰 내부폭을 가지면서 바디를 관통하여 형성되는 관통홀(150); 및 바디(110) 내부에 구비되는 내부 금속층(200)을 포함한다.
바디(100)는 양극산화막 재질로 구성된다. 양극산화막은 모재인 금속을 양극산화하여 형성된 막을 의미하고, 기공홀(121)은 금속을 양극산화하여 양극산화막을 형성하는 과정에서 형성되는 구멍을 의미한다. 예컨대, 모재인 금속이 알루미늄(Al) 또는 알루미늄 합금인 경우, 모재를 양극산화하면 모재의 표면에 알루미늄 산화물(Al203) 재질의 양극산화막이 형성된다. 다만 모재 금속은 이에 한정되는 것은 아니며, Ta, Nb, Ti, Zr, Hf, Zn, W, Sb 또는 이들의 합금을 포함한다, 위와 같이 형성된 양극산화막은 수직적으로 내부에 기공홀(121)이 형성되지 않은 배리어층(110)과, 내부에 기공홀(121)이 형성된 다공층(120)으로 구분된다. 배리어층(1110)과 다공층(120)을 갖는 양극산화막이 표면에 형성된 모재에서, 모재를 제거하게 되면, 알루미늄 산화물(Al203) 재질의 양극산화막만이 남게 된다. 양극산화막은 양극산화시 형성된 배리어층(110)이 제거되어 기공홀(121)의 상, 하로 관통되는 구조로 형성되거나 양극산화시 형성된 배리어층(110)이 그대로 남아 기공홀(121)의 상, 하 중 일단부를 밀폐하는 구조로 형성될 수 있다(도 9 참조).
양극산화막은 2~3ppm/℃의 열팽창 계수를 갖는다. 이로 인해 고온의 환경에 노출될 경우, 온도에 의한 열변형이 적다. 따라서 양극산화막 구조체(10)의 사용환경이 비록 고온 환경이라 하더라도 열 변형없이 사용할 수 있다.
양극산화막 구조체(10)는 양극산화시 형성된 기공홀(121)보다 더 큰 내부폭을 가지면서 바디(100)를 관통하여 형성되는 관통홀(150)을 포함한다. 관통홀(150)는 바디(100)의 상면과 하면을 관통하여 형성되며, 후술하는 바와 같이 에칭에 의해 형성될 수 있다.
양극산화막 구조체(10)는 바디(100) 내부에 구비되는 내부 금속층(200)을 포함한다. 내부 금속층(200)은 바디(100)의 내부에 구비된다. 바디(100)의 내부는 바디(100)의 상부 표면과 하부 표면 사이를 의미한다. 내부 금속층(200)의 상부면은 바디(100)의 상부 표면 측으로 노출되고 내부 금속층(200)의 하부면은 바디(100)의 하부 표면 측으로 노출될 수 있다.
내부 금속층(200)은, 관통홀(150)의 내벽에 형성되어 관통홀(150) 측으로 노출될 수 있고 관통홀(150) 주변 영역에 형성되어 관통홀(150) 측으로 노출되지 않을 수 있다.
내부 금속층(200)은, 구리(Cu), 은(Ag), 금(Au), 로듐(rhodium, Rd), 백금 (platinum, Pt), 이리듐(iridium, Ir), 팔라듐(palladium)이나 이들의 합금, 또는 팔라듐-코발트(palladium-cobalt, PdCo) 합금, 팔라듐-니켈(palladium-nickel, PdNi) 합금 또는 니켈-인(nickel-phosphor, NiPh) 합금, 니켈-망간(nickel-manganese, NiMn), 니켈-코발트(nickel-cobalt, NiCo) 또는 니켈-텅스텐(nickel-tungsten, NiW) 합금을 포함한다. 다만 내부 금속층(200)을 구성하는 금속은 이에 한정되는 것은 아니며 양극산화막 구조체(10)의 물리적 및/또는 전기적 특성을 향상시킬 수 있는 것이라면 이를 모두 포함한다.
관통홀(150)의 내벽에 형성되는 내부 금속층(200)이 내마모성 또는 경도가 높은 재질의 금속으로 형성될 경우에는, 관통홀(150) 내벽의 내마모성 또는 경도를 향상시킬 수 있게 된다. 이를 통해 양극산화막 재질의 바디(100)에서 탈락되어 유래하는 이물질이 관통홀(150) 내부에서 발생하는 것을 최소화할 수 있다.
한편 관통홀(150)의 내벽에 형성되는 내부 금속층(200)이 전기 전도도가 높은 재질의 금속으로 형성될 경우에는, 관통홀(150) 내벽의 전기전도성을 향상시킬 수 있게 된다. 이를 통해 전기 신호를 전달할 목적으로 관통홀(150) 내부에 구비되는 신호 전달 부재와 관통홀(150)의 내벽이 접촉함으로써 신호 전달이 보다 안정적으로 이루어질 수 있게 된다.
양극산화막 구조체(10)는 바디(100)의 표면에 형성된 표면 금속층(300)을 포함한다. 표면 금속층(300)은 바디(100)의 상부 표면 및/또는 하부 표면에 형성될 수 있다. 표면 금속층(300)은 구리(Cu), 은(Ag), 금(Au), 로듐(rhodium, Rd), 백금 (platinum, Pt), 이리듐(iridium, Ir), 팔라듐(palladium)이나 이들의 합금, 또는 팔라듐-코발트(palladium-cobalt, PdCo) 합금, 팔라듐-니켈(palladium-nickel, PdNi) 합금 또는 니켈-인(nickel-phosphor, NiPh) 합금, 니켈-망간(nickel-manganese, NiMn), 니켈-코발트(nickel-cobalt, NiCo) 또는 니켈-텅스텐(nickel-tungsten, NiW) 합금을 포함한다. 다만 표면 금속층(300)을 구성하는 금속 또는 합금은 이에 한정되는 것은 아니며 양극산화막 구조체(10)의 물리적 및/또는 전기적 특성을 향상시킬 수 있는 것이라면 이를 모두 포함한다. 또한 표면 금속층(300)은 내부 금속층(200)과 동일 재질로 형성되거나 이종 재질로 형성될 수 있다.
내부 금속층(200)은 관통홀(150)의 내벽에 형성되거나 관통홀(150)의 주변 영역에 형성되는데, 표면 금속층(300)은 이러한 내부 금속층(200)과 연결된다. 표면 금속층(300)의 적어도 일단은 내부 금속층(200)과 연결되거나 표면 금속층(300)의 양단이 내부 금속층(200)과 연결될 수 있다.
복수개의 내부 금속층(200)들은 표면 금속층(300)에 의해 서로 연결될 수 있다. 관통홀(150)의 내벽에 형성되는 내부 금속층(200)들이 표면 금속층(300)에 의해 연결되어 일체화됨으로써 관통홀(150) 내벽에 형성되는 내부 금속층(200)이 박리되는 것을 최소화할 수 있다. 또한 표면 금속층(300)과 내부 금속층(200)가 서로 연결되어 내부 금속층(200)이 그라운드 접지되도록 할 수 있다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 바람직한 제1실시예에 따른 양극산화막 구조체(10)는 전기 전도성 접촉핀(20)이 설치되는 플레이트일 수 있다. 전기 전도성 접촉핀(20)은, 검사장치에 구비되어 검사 대상물과 전기적, 물리적으로 접촉하여 전기적 신호를 전달하는데 사용된다. 검사장치는 반도체 제조공정에 사용되는 검사장치일 수 있으며, 그 일례로 프로브 카드일 수 있고, 테스트 소켓일 수 있다. 검사장치는 이에 한정되는 것은 아니며, 전기를 인가하여 검사 대상물의 불량 여부를 확인하기 위한 장치라면 모두 포함된다.
전기 전도성 접촉핀(20)은 양극산화막 구조체(10)의 관통홀(150)에 구비된다. 전기 전도성 접촉핀(20)은 관통홀(150) 내부에서 상, 하로 슬라이딩하면서 관통홀(150)의 내벽과 접촉 가능하게 관통홀(150)에 구비되거나 관통홀(150) 내부에 고정 설치되어 관통홀(150)에 구비될 수 있다.
도 2에 도시된 전기 전도성 접촉핀(20)은 그라운드 신호를 전달할 수 있는 접촉핀, 전력 신호를 전달할 수 있는 접촉핀 또는 동작 신호를 전달할 수 있는 접촉핀일 수 있다. 동일 신호를 전달하는 접촉핀들은 내부 금속층(200)과 표면 금속층(300)를 통해 하나의 그룹으로 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 그라운드 신호를 전달하는 접촉핀일 경우에는, 복수개의 그라운드 신호를 전달하는 접촉핀들이 하나의 그룹으로 연결되어 공통적으로 그라운드 접지될 수 있다. 이를 통해 동작 신호를 전달할 수 있는 접촉핀들에 의해 전달된 동작 신호들에서 노이즈를 제거하는 기능을 수행하게 된다. 전력 신호를 전달하는 접촉핀일 경우에는, 복수개의 전력 신호를 전달하는 접촉핀들이 하나의 그룹으로 연결되어 동일한 전력 신호를 전달할 수 있게 된다. 또는 동작 신호를 전달하는 접촉핀일 경우에는, 복수개의 동작 신호를 전달하는 접촉핀들이 하나의 그룹으로 연결되어 동일한 동작 신호를 전달할 수 있게 된다.
이하에서는 도 3 내지 도 9를 참조하여 본 발명의 바람직한 제1실시예에 따른 양극산화막 구조체(10)의 제조방법에 대해 설명한다.
먼저 도 3을 참조하면, 도3a는 바디(100)의 평면도이고, 도3b는 도3a의 A-A’단면도이다.
양극산화막 재질의 바디(100)를 준비한다. 양극산화막은 모재인 금속을 양극산화하여 형성되며, 모재 금속을 양극산화한 이후에 모재 금속을 제거하여 양극산화막 재질만으로 된 바디(100)를 준비한다.
바디(100)의 하면에는 시드층(50)이 구비된다. 시드층(50)은 바디(100)에 내부 공간(40)을 형성하기 이전에 바디(100)의 하면에 구비될 수 있다. 한편 바디(100)의 하부에는 지지기판(미도시)이 형성되어 바디(100)의 취급성을 향상시킬 수 있다. 또한 이 경우 지지기판의 상면에 시드층(50)을 형성하고 내부 공간(40)이 형성된 바디(100)를 지지기판에 결합하여 사용할 수도 있다. 시드층(50)은 구리(Cu)재질로 형성될 수 있고, 증착 방법에 의해 형성될 수 있다.
다음 도 4를 참조하면, 도 4a는 내부 공간(40)이 형성된 바디(100)의 평면도이고, 도 4b는 도4a의 A-A’단면도이고, 도4c와 도4d는 도 4b의 “B” 부분에서의 측벽을 확대한 도면이다.
바디(100)에 내부 공간(40)를 형성한다. 내부 공간(40)은 양극산화막 재질의 바디(100)의 일부를 습식 에칭하여 형성될 수 있다. 이를 위해 바디(100)의 상면에 포토 레지스트를 구비하고 이를 패터닝한 다음, 패터닝되어 오픈된 영역의 양극산화막이 에칭 용액과 반응하여 내부 공간(40)이 형성될 수 있다.
바디(100)의 내부 공간(40)의 측벽에는 바디(100)의 상, 하 길이 방향을 따라 길게 형성된 요철부(19)가 내부 공간(40)의 측벽을 따라 형성된다. 요철부(19)는 바디(100)의 상, 하 방향으로 길게 연장되어 형성되고, 측벽을 따라 이격되는 복수 개의 홈으로 구성된다. 요철부(19)는 양극산화막 제조시 형성된 기공홀(121)이 에칭 과정에서 오픈되면서 형성되는 포어형 요철부(19a)와 포토레지스트의 요철 경계면에 대응하여 양극산화막(10) 에칭시 형성되는 에칭형 요철부(19b)를 포함한다.
포어형 요철부(19a)는 양극산화막 재질의 바디(100)의 제작시 형성된 기공홀(121)에 의해 형성되기 때문에, 포어형 요철부(19a)를 구성하는 각 홈의 폭과 깊이는 10 ㎚ 이상 1㎛ 이하의 범위를 가진다.
에칭형 요철부(19b)는 기공홀(121)과는 별개로 양극산화막 재질의 바디(100)을 에칭하여 내부 공간(40)을 형성할 때 포토레지스트의 형상에 따라 형성될 수도 있다. 양극산화막 재질의 바디(100)는 포토레지스트의 오픈 영역에서 에칭 용액과 반응하면서 포토레지스트의 오픈 패턴의 형상을 따라 수직한 방향으로 에칭되면서 내구 공간(40)이 형성된다. 포토레지스트를 패터닝할 때에 포토레지스트의 오픈 영역의 패턴 경계가 요철의 형태를 갖도록 하면, 포토레지스트의 요철 패턴 경계면에 의해 양극산화막 에칭시 바디(100)의 내부 공간(40)의 측면벽도 수평 단면에서 요철 패턴을 가지게 되며 내부 공간(40)의 측면벽에서의 요철부가 에칭형 요철부(19b)가 된다. 에칭형 요철부(19b)의 벽면에는 포어형 요철부(19a)가 형성된다. 포어형 요철부(19a)는 에칭형 요철부(19b)의 벽면을 따라 형성되므로, 거시적인 관점에서 요철부(19)는 포어형 요철부(19a)와 에칭형 요철부(19b)를 포함하게 된다. 에칭형 요철부(19b)를 구성하는 홈의 폭과 깊이는 포어형 요철부(19a)를 구성하는 홈의 폭과 깊이보다 더 크게 형성된다. 바람직하게는 에칭형 요철부(19b)를 구성하는 홈의 폭과 깊이는 100㎚ 이상 30㎛이하의 범위를 가진다. 이처럼 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 요철부(19)는 포어형 요철부(19a)와 에칭형 요철부(19b)를 포함으로써, 내부 공간(40)의 측벽의 표면적이 커지게 된다. 이를 통해 내부 공간(40)에 형성되는 내부 금속층(200)의 접합 계면에서의 표면적이 증대됨으로써 내부 금속층(200)의 양극산화막 재질의 바디(100)에 대한 접합력이 증대된다.
다음으로 도 5를 참조하면, 도 5a는 내부 공간(40)에 내부 금속층(200)이 형성된 바디(100)의 평면도이고, 도 5b는 도5a의 A-A’단면도이다.
시드층(50)을 이용하여 전기 도금하여 내부 금속층(200)을 내부 공간(40)에 형성한다. 내부 금속층(200)은 구리(Cu), 은(Ag), 금(Au), 로듐(rhodium, Rd), 백금 (platinum, Pt), 이리듐(iridium, Ir), 팔라듐(palladium)이나 이들의 합금, 또는 팔라듐-코발트(palladium-cobalt, PdCo) 합금, 팔라듐-니켈(palladium-nickel, PdNi) 합금 또는 니켈-인(nickel-phosphor, NiPh) 합금, 니켈-망간(nickel-manganese, NiMn), 니켈-코발트(nickel-cobalt, NiCo) 또는 니켈-텅스텐(nickel-tungsten, NiW) 합금을 적어도 하나 이상 포함한다. 다만 내부 금속층(200)을 구성하는 금속은 이에 한정되는 것은 아니며 양극산화막 구조체(10)의 물리적 및/또는 전기적 특성을 향상시킬 수 있는 것이라면 이를 모두 포함한다.
도금 공정이 완료되면 평탄화 공정이 수행될 수 있다. 화학적 기계적 연마(CMP) 공정을 통해 바디(100)의 상면으로 돌출된 금속을 제거하면서 평탄화시킨다.
다음으로 도 6을 참조하면, 도 6a는 바디(100)의 표면에 표면 금속층(300)이 형성된 바디(100)의 평면도이고, 도 6b는 도6a의 A-A’단면도이다.
바디(100)의 표면에 포토 레지시트를 형성하고 이를 패터닝한 다음 패터닝되어 오픈 된 영역에 표면 금속층(300)을 형성한다. 표면 금속층(300)은 미리 형성된 내부 금속층(200)을 이용하여 전기 도금하여 형성될 수 있다. 이를 통해 내부 금속층(200)과 표면 금속층(300)이 일체적으로 형성될 수 있다.
표면 금속층(300)은 구리(Cu), 은(Ag), 금(Au), 로듐(rhodium, Rd), 백금 (platinum, Pt), 이리듐(iridium, Ir), 팔라듐(palladium)이나 이들의 합금, 또는 팔라듐-코발트(palladium-cobalt, PdCo) 합금, 팔라듐-니켈(palladium-nickel, PdNi) 합금 또는 니켈-인(nickel-phosphor, NiPh) 합금, 니켈-망간(nickel-manganese, NiMn), 니켈-코발트(nickel-cobalt, NiCo) 또는 니켈-텅스텐(nickel-tungsten, NiW) 합금을 포함한다. 다만 표면 금속층(300)을 구성하는 금속 또는 합금은 이에 한정되는 것은 아니며 양극산화막 구조체(10)의 물리적 및/또는 전기적 특성을 향상시킬 수 있는 것이라면 이를 모두 포함한다. 또한 표면 금속층(300)은 내부 금속층(200)과 동일 재질로 형성되거나 이종 재질로 형성될 수 있다.
도금 공정이 완료되면 평탄화 공정이 수행될 수 있다. 화학적 기계적 연마(CMP) 공정을 통해 평탄화하고, 포토 레지시트를 제거한다.
다음으로 도 7을 참조하면, 도 7a는 바디(100)를 상,하로 관통하는 관통홀(150)이 형성된 바디(100)의 평면도이고, 도 7b는 도7a의 A-A’단면도이며 도 7c는 관통홀(150)의 내벽을 도시한 도면이다.
바디(100)의 표면에 포토 레지시트를 형성하고 이를 패터닝한 다음 패터닝되어 오픈된 영역의 양극산화막을 에칭 용액과 반응시켜 제거함으로써 관통홀(150)을 형성한다. 그 다음 바디(100) 하부에 구비된 시드층(50)를 제거한다.
관통홀(150)의 내벽에는 내부 금속층(200)이 구비된다. 관통홀(150)은 내부 금속층(200)의 재질에 따라 물리적 및/또는 전기적 특성이 향상된다. 내부 금속층(200)이 내마모성 또는 경도가 높은 재질로 형성되는 경우에, 관통홀(150)의 물리적 특성이 향상된다. 또는 내부 금속층(200)이 전기 전도성이 높은 재질로 형성되는 경우에, 관통홀(150)의 전기적 특성이 향상된다.
도 7c를 참조하면, 내부 금속층(200)의 표면에는 깊이와 폭을 가지는 미세 트렌치(88)가 구비된다. 미세 트렌치(88)는 관통홀(150)의 내벽면에서 바디(100)의 두께 방향으로 길게 연장되어 형성되고 관통홀(150)의 둘레 방향으로 반복적으로 형성된다.
미세 트렌치(88)는 그 깊이가 20㎚ 이상 1㎛이하의 범위를 가지며, 그 폭 역시 20㎚ 이상 1㎛이하의 범위를 가진다. 여기서 미세 트렌치(88)는 양극산화막 몰드의 제조시 형성된 기공홀에 기인한 것이기 때문에 미세 트렌치(88)의 폭과 깊이는 바디(100)의 기공홀(121)의 직경의 범위 이하의 값을 가진다. 한편, 바디(100)에 내부 공간(40)을 형성하는 과정에서 에칭 용액에 의해 바디(100)의 기공홀(121)의 일부가 서로 뭉개지면서 양극산화시 형성된 기공홀(121)의 직경의 범위보다 보다 큰 범위의 깊이를 가지는 미세 트렌치(88)가 적어도 일부 형성될 수 있다.
양극산화막 재질의 바디(100)는 수많은 기공홀들을 포함하고 이러한 바디(100)의 적어도 일부를 에칭하여 내부 공간(40)을 형성하고, 내부 공간(40) 내부로 전기 도금으로 금속 충진물을 형성하므로, 관통홀(150)의 내벽에는 바디(100)의 기공홀(121)과 접촉하면서 형성되는 미세 트렌치(88)가 구비되는 것이다. 위와 같은 미세 트렌치(88)는, 관통홀(150)의 측면에 있어서 표면적으로 크게 할 수 있는 효과를 가진다.
또한, 내부 금속층(200)과 바디(100)의 접합 계면에서 내부 금속층(200)은 바디(100)의 기공홀(121)의 내벽면과 밀착되는 미세 트렌치(88)가 구비된다. 이를 통해 내부 금속층(200)과 바디(100)의 접합력이 향상된다.
제2실시예
다음으로, 본 발명에 따른 제2실시예에 대해 살펴본다. 단, 이하 설명되는 실시예들은 상기 제1실시예와 비교하여 특징적인 구성요소들을 중심으로 설명하겠으며, 제1실시예와 동일하거나 유사한 구성요소들에 대한 설명은 되도록이면 생략한다.
이하, 도 9a 내지 14b를 참조하여 본 발명의 바람직한 제2실시예에 따른 양극산화막 구조체(10)에 대해 설명한다. 도 9는 본 발명의 바람직한 제2실시예에 따른 양극산화막 구조체(10)의 평면도이고, 도 10은 본 발명의 바람직한 제2실시예에 따른 양극산화막 구조체(10)의 단면 사시도이며, 도 11a 내지 도 14는 본 발명의 바람직한 제2실시예에 따른 양극산화막 구조체(10)의 제조방법을 도시한 도면이다.
본 발명의 바람직한 제2실시예에 따른 양극산화막 구조체(10)는 관통홀(150)의 구성만이 본 발명의 바람직한 제1실시예에 따른 양극산화막 구조체(10)와 차이가 있고 그 나머지 구성은 모두 동일하다.
제2실시예에 따른 양극산화막 구조체(10)는 내부 금속층(200)이 관통홀(150) 주변 영역에 형성되어 내부 금속층(200)이 관통홀(150) 측으로 노출되지 않는 구성을 포함한다. 내부 금속층(200)은 관통홀(150)의 적어도 일부를 감싸도록 형성되고 내부 금속층(200)과 관통홀(150) 사이에는 양극산화막이 존재한다.
내부 금속층(200)과 양극산화막 재질의 바디(100)간의 접합 계면에는 요철부(19)와 미세 트렌치(88)의 구성이 구비되어 있기 때문에 내부 금속층(200)은 충분한 접합력으로 바디(100)에 접합되어 있다.
관통홀(150)의 내벽에는 바디(100)의 양극산화막이 노출되어 구비된다. 관통홀(150)의 내벽에 구비되는 양극산화막은 내부 금속층(200)과의 접합 계면에서 요철부(19)와 미세 트렌치(88)의 구성을 통해 충분한 접합력으로 내부 금속층(200)에 접합되어 있다.
관통홀(150)의 내벽에는 바디(100)의 양극산화막이 구비되므로, 관통홀(150)의 내벽은 절연 특성을 가지게 된다.
전기 전도성 접촉핀(20)은 관통홀(150)에 슬라이딩 가능하게 구비될 수 있다. 관통홀(150)의 내벽에 구비되는 양극산화막은 기공홀(121)이 형성되지 않은 배리어층(110)과, 기공홀(121)이 형성된 다공층(120)을 포함하여 구성될 수 있다. 다공층(120)을 통해 관통홀(150)의 내벽에 구비되는 양극산화막의 내부 금속층(200)에 대한 접합성이 향상됨과 동시에, 다공층(120)의 상부에 구비되는 배리어층(110)을 통해 관통홀(150)의 내벽의 내마모성이 향상된다.
또한 관통홀(150)의 주변 영역에서 관통홀(150)을 감싸면서 형성되는 내부 금속층(200)의 구성을 통해 인접하는 전기 전도성 접촉핀(20)들의 신호 간섭을 차단할 수 있게 된다. 이 경우 내부 금속층(200)은 표면 금속층(300)과 연결되고 그라인드 접지될 수 있다.
이하에서는 도 10a 내지 도 14b를 참조하여 본 발명의 바람직한 제2실시예에 따른 양극산화막 구조체(10)의 제조방법에 대해 설명한다.
먼저 도 10를 참조하면, 도10a는 바디(100)의 평면도이고, 도10b는 도10a의 A-A’단면도이다.
양극산화막 재질의 바디(100)를 준비한다. 양극산화막은 모재인 금속을 양극산화하여 형성되며, 모재 금속을 양극산화한 이후에 모재 금속을 제거하여 양극산화막 재질만으로 된 바디(100)를 준비한다. 바디(100)의 하면에는 시드층(50)이 구비된다.
다음 도 11를 참조하면, 도 11a는 내부 공간(40)이 형성된 바디(100)의 평면도이고, 도 11b는 도11a의 A-A’단면도이다.
바디(100)에 내부 공간(40)를 형성한다. 내부 공간(40)은 양극산화막 재질의 바디(100)의 일부를 습식 에칭하여 형성될 수 있다. 이를 위해 바디(100)의 상면에 포토 레지스트를 구비하고 이를 패터닝한 다음, 패터닝되어 오픈된 영역의 양극산화막이 에칭 용액과 반응하여 내부 공간(40)이 형성될 수 있다.
다음으로 도 12를 참조하면, 도 12a는 내부 공간(40)에 내부 금속층(200)이 형성된 바디(100)의 평면도이고, 도 12b는 도12a의 A-A’단면도이다.
시드층(50)을 이용하여 전기 도금하여 내부 금속층(200)을 내부 공간(40)에 형성한다. 내부 금속층(200)은 구리(Cu), 은(Ag), 금(Au), 로듐(rhodium, Rd), 백금 (platinum, Pt), 이리듐(iridium, Ir), 팔라듐(palladium)이나 이들의 합금, 또는 팔라듐-코발트(palladium-cobalt, PdCo) 합금, 팔라듐-니켈(palladium-nickel, PdNi) 합금 또는 니켈-인(nickel-phosphor, NiPh) 합금, 니켈-망간(nickel-manganese, NiMn), 니켈-코발트(nickel-cobalt, NiCo) 또는 니켈-텅스텐(nickel-tungsten, NiW) 합금을 적어도 하나 이상 포함한다. 다만 내부 금속층(200)을 구성하는 금속은 이에 한정되는 것은 아니며 양극산화막 구조체(10)의 물리적 및/또는 전기적 특성을 향상시킬 수 있는 것이라면 이를 모두 포함한다.
도금 공정이 완료되면 평탄화 공정이 수행될 수 있다. 화학적 기계적 연마(CMP) 공정을 통해 바디(100)의 상면으로 돌출된 금속을 제거하면서 평탄화시킨다.
다음으로 도 13을 참조하면, 도 13a는 바디(100)의 표면에 표면 금속층(300)이 형성된 바디(100)의 평면도이고, 도 13b는 도13a의 A-A’단면도이다.
바디(100)의 표면에 포토 레지시트를 형성하고 이를 패터닝한 다음 패터닝되어 오픈 된 영역에 표면 금속층(300)을 형성한다. 표면 금속층(300)은 미리 형성된 내부 금속층(200)을 이용하여 전기 도금하여 형성될 수 있다. 이를 통해 내부 금속층(200)과 표면 금속층(300)이 일체적으로 형성될 수 있다.
표면 금속층(300)은 구리(Cu), 은(Ag), 금(Au), 로듐(rhodium, Rd), 백금 (platinum, Pt), 이리듐(iridium, Ir), 팔라듐(palladium)이나 이들의 합금, 또는 팔라듐-코발트(palladium-cobalt, PdCo) 합금, 팔라듐-니켈(palladium-nickel, PdNi) 합금 또는 니켈-인(nickel-phosphor, NiPh) 합금, 니켈-망간(nickel-manganese, NiMn), 니켈-코발트(nickel-cobalt, NiCo) 또는 니켈-텅스텐(nickel-tungsten, NiW) 합금을 포함한다. 다만 표면 금속층(300)을 구성하는 금속 또는 합금은 이에 한정되는 것은 아니며 양극산화막 구조체(10)의 물리적 및/또는 전기적 특성을 향상시킬 수 있는 것이라면 이를 모두 포함한다. 또한 표면 금속층(300)은 내부 금속층(200)과 동일 재질로 형성되거나 이종 재질로 형성될 수 있다.
도금 공정이 완료되면 평탄화 공정이 수행될 수 있다. 화학적 기계적 연마(CMP) 공정을 통해 평탄화하고, 포토 레지시트를 제거한다.
다음으로 도 14를 참조하면, 도 14a는 바디(100)를 상,하로 관통하는 관통홀(150)이 형성된 바디(100)의 평면도이고, 도 14b는 도14a의 A-A’단면도이다.
바디(100)의 표면에 포토 레지시트를 형성하고 이를 패터닝한 다음 패터닝되어 오픈된 영역의 양극산화막을 에칭 용액과 반응시켜 제거함으로써 관통홀(150)을 형성한다. 그 다음 바디(100) 하부에 구비된 시드층(50)를 제거한다. 관통홀(150)의 내벽에는 바디(100)의 양극산화막이 구비된다.
제3실시예
다음으로, 본 발명에 따른 제3실시예에 대해 살펴본다. 단, 이하 설명되는 실시예들은 상기 제1실시예와 비교하여 특징적인 구성요소들을 중심으로 설명하겠으며, 제1실시예와 동일하거나 유사한 구성요소들에 대한 설명은 되도록이면 생략한다.
이하, 도 15a 및 15b를 참조하여 본 발명의 바람직한 제3실시예에 따른 양극산화막 구조체(10)에 대해 설명한다. 도 15a는 본 발명의 바람직한 제3실시예에 따른 양극산화막 구조체(10)의 평면도이고, 도 15b는 도 15a의 A-A’단면도이다.
본 발명의 바람직한 제3실시예에 따른 양극산화막 구조체(10)는 관통홀(150)의 구성만이 본 발명의 바람직한 제1실시예에 따른 양극산화막 구조체(10)와 차이가 있고 그 나머지 구성은 모두 동일하다.
제3실시예에 따른 양극산화막 구조체(10)는 내부 금속층(200)이 관통홀(150) 주변 영역에 형성되어 내부 금속층(200)이 관통홀(150) 측으로 노출되지 않는 구성과, 내부 금속층(200)이 관통홀(150) 측으로 노출되는 구성을 포함한다.
관통홀(150)들 중에서 적어도 일부의 관통홀(150)의 내벽에는 내부 금속층(200)이 구비되고 나머지 일부의 관통홀(150)의 내벽에는 양극산화막 재질이 구비된다. 이를 통해 관통홀(150)들 중 적어도 일부의 관통홀(150)은 내부 금속층(200)과 전기적으로 연결 가능하고 나머지 일부의 관통홀(150)은 내부 금속층(200)과 전기적으로 연결되지 않는 상태가 된다.
관통홀(150)에는 전기 전도성 접촉핀(20)이 구비될 수 있다. 전기 전도성 접촉핀(20)의 적어도 일부는 내부 금속층(200)과 표면 금속층(300)을 통해 서로 전기적으로 연결될 수 있고, 나머지 일부의 전기 전도성 접촉핀(20)은 관통홀(150)의 내벽에 구비된 양극산화막에 의해 전기적으로 절연 상태를 유지할 수 있다.
전기 전도성 접촉핀(20)은 그라운드 신호를 전달할 수 있는 접촉핀(20), 전력 신호를 전달할 수 있는 접촉핀(20) 또는 동작 신호를 전달할 수 있는 접촉핀(20)일 수 있다. 예를 들어, 그라운드 신호를 전달하는 접촉핀(20)일 경우에는, 복수개의 그라운드 신호를 전달하는 접촉핀(20)들이 내부 금속층(200)과 표면 금속층(300)을 통해 하나의 그룹으로 연결되어 공통적으로 그라운드 접지될 수 있다. 이 경우, 동작 신호를 전달하는 접촉핀(20)은 내벽에 양극산화막이 구비된 관통홀(150)에 삽입되어 그라운드 신호를 전달하는 접촉핀(20)들과 전기적으로 절연될 수 있다.
제4실시예
다음으로, 본 발명에 따른 제4실시예에 대해 살펴본다. 단, 이하 설명되는 실시예들은 상기 제1 내지 3실시예와 비교하여 특징적인 구성요소들을 중심으로 설명하겠으며, 제1 내지 3실시예와 동일하거나 유사한 구성요소들에 대한 설명은 되도록이면 생략한다.
이하, 도 16a 및 16b를 참조하여 본 발명의 바람직한 제4실시예에 따른 양극 산화막 구조체(10)에 대해 설명한다. 도 16a는 본 발명의 바람직한 제4실시예에 따른 양극산화막 구조체(10)의 평면도이고, 도 16b는 도 16a의 A-A’단면도이다.
본 발명의 바람직한 제4실시예에 따른 양극산화막 구조체(10)는 내부 금속층(200)의 구성만이 본 발명의 바람직한 제1 내지 3실시예에 따른 양극산화막 구조체(10)와 차이가 있고 그 나머지 구성은 모두 동일하다.
제4실시예에 따른 내부 금속층(200)은 바디(100)의 두께 방향으로 복수개의 금속층이 적층되어 형성된다. 여기서 복수개의 금속층은 서로 다른 재질로 구성될 수 있다.
관통홀(150) 내부에 슬라이딩 가능하게 구성되는 부품(예를 들어, 전기 전도성 접촉핀(20))이 구비될 경우, 해당 부품이 관통홀(150) 내부에 보다 용이하게 슬라이딩 될 수 있도록 해당 부품과 관통홀(150) 사이에는 충분한 이격 틈새가 존재할 수 있다. 이 경우 해당 부품이 기울어진 상태로 관통홀(150)을 상, 하로 슬라이딩하기 때문에 관통홀(150)의 상단부와 하단부에서의 접촉압이 크게 작용할 수 있다. 따라서 관통홀(150)의 내벽이 마모되는 것을 방지하기 위해, 관통홀(150)의 내벽에 구비되는 금속층에서 상단부와 하단부에 구비되는 금속층은 다른 영역의 금속층에 비해 내마모성이 높은 금속으로 구성될 수 있다.
제5실시예
다음으로, 본 발명에 따른 제5실시예에 대해 살펴본다. 단, 이하 설명되는 실시예들은 상기 제1 내지 제3실시예와 비교하여 특징적인 구성요소들을 중심으로 설명하겠으며, 제1 내지 제3실시예와 동일하거나 유사한 구성요소들에 대한 설명은 되도록이면 생략한다.
이하, 도 17a 및 17b를 참조하여 본 발명의 바람직한 제5실시예에 따른 양극산화막 구조체(10)에 대해 설명한다. 도 17a는 본 발명의 바람직한 제5실시예에 따른 양극산화막 구조체(10)의 평면도이고, 도 17b는 도 17a의 A-A’단면도이다.
제5실시예에 따른 바디(100)는 복수개가 적층되어 구비된다. 양극산화막 재질의 바디(100)는 하나만으로 구비될 경우 그 두께가 수십 내지 수백 ㎛의 두께를 갖는다. 이를 구조체로 이용하게 되면 강도 측면에서 불리할 수 있다. 따라서 양극산화막 재질의 바디(100)를 복수 개 적층하여 접합층(60)으로 접합함으로써 양극산화막 구조체(10)의 강도를 향상시킬 수 있게 된다.
각각의 바디에 형성되는 내부 금속층(200)은 각각의 수직선상을 기준으로 서로 동일 위치에 구비되거나, 각각의 수직선상을 기준으로 서로 다른 위치에 구비될 수 있다.
하나의 관통홀(150)을 기준으로, 관통홀(150)의 내벽에 모두 내부 금속층(200)이 구비되도록 바디(100)들이 적층되어 구비될 수 있다. 또는 하나의 관통홀(150)을 기준으로 관통홀(150)의 내벽에 내부 금속층(200)과 양극산화막이 구비되도록 바디(100)들이 적층되어 구비될 수 있다.
인접하는 관통홀(150)을 기준으로 하나의 관통홀(150)의 내벽에는 내부 금속층(200)이 상부측 바디(100)에 구비되고 다른 하나의 관통홀(150)의 내벽에는 내부 금속층(200)이 하부측 바디(100)에 구비될 수 있다. 이 경우 상부 표면 금속층(310)은 상부측 바디(100)의 내부 금속층(200)과 전기적으로 연결되고, 하부 표면 금속층(350)은 하부측 바디(100)의 내부 금속층(200)과 전기적으로 연결된다.
제6실시예
다음으로, 본 발명에 따른 제6실시예에 대해 살펴본다. 단, 이하 설명되는 실시예들은 상기 제1 내지 제3실시예와 비교하여 특징적인 구성요소들을 중심으로 설명하겠으며, 제1 내지 제3실시예와 동일하거나 유사한 구성요소들에 대한 설명은 되도록이면 생략한다.
이하, 도 18a 및 18b를 참조하여 본 발명의 바람직한 제6실시예에 따른 양극산화막 구조체(10)에 대해 설명한다.
제6실시예에 따른 내부 금속층(200)은 단면이 원형 단면, 사각 단면인 것을 포함하며, 이외에 다른 형상의 단면도 포함한다. 또한 표면 금속층(300)은 인접하는 내부 금속층(200)들의 최단 거리를 서로 연결하도록 구비될 수 있다.
표면 금속층(300)의 일단부는 내부 금속층(200)과 연결되고 타단부는 바디(100)의 외측 테두리 측으로 연장되는 형태로 구성될 수 있다. 이를 통해 표면 금속층(300)의 그라운드 접지처리가 보다 용이해 질 수 있다.
또한 도 18a 및 18b에 도시된 표면 금속층(300)은 바디(100)를 두께 방향으로 관통하여 형성되는 관통 구성을 더 포함할 수 있다. 이 경우 내부 금속층(200)을 형성하는 방법과 동일하게 바디(100)를 관통하는 내부 공간을 구비하고 해당 내부 공간에 금속 물질을 충진하여 관통 구성을 포함하는 표면 금속층(300)을 구비할 수 있다. 이러한 표면 금속층(300)은 내부 공간(40)에 금속 물질을 충진하여 내부 금속층(200)을 형성할 때 함께 형성될 수 있다.
전술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시 예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 통상의 기술자는 하기의 특허 청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 또는 변형하여 실시할 수 있다.
10: 양극산화막 구조체 20: 전기 전도성 접촉핀
100: 바디 150: 관통홀
200: 내부 금속층 300: 표면 금속층

Claims (15)

  1. 모재 금속을 양극산화 한 후 상기 모재 금속을 제거한 양극산화막 재질의 바디;
    상기 양극산화시 형성된 기공홀보다 더 큰 내부폭을 가지면서 상기 바디를 관통하여 형성되는 관통홀; 및
    상기 바디 내부에 구비되는 내부 금속층을 포함하는, 양극산화막 구조체.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 바디의 표면에 형성된 표면 금속층을 포함하되,
    상기 표면 금속층은 상기 내부 금속층과 연결되는, 양극산화막 구조체.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 내부 금속층은 상기 관통홀의 내벽에 형성되어 상기 관통홀 측으로 노출되는, 양극산화막 구조체.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 내부 금속층은 상기 관통홀 주변 영역에 형성되어 상기 관통홀 측으로 노출되지 않는, 양극산화막 구조체.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 내부 금속층은 상기 관통홀의 적어도 일부를 감싸도록 형성되고 상기 내부 금속층과 상기 관통홀 사이에는 양극산화막이 존재하는, 양극산화막 구조체.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 바디의 상면에 형성된 상부 표면 금속층; 및
    상기 바디의 하면에 형성된 하부 표면 금속층;을 포함하는, 양극산화막 구조체.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 내부 금속층은 상기 바디의 두께 방향으로 복수개의 금속층이 적층되어 형성되는, 양극산화막 구조체.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 바디는 복수개가 적층되어 구비되는, 양극산화막 구조체.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 바디는 복수개가 적층되어 구비되고,
    각각의 바디에 형성되는 내부 금속층은 각각의 수직선상을 기준으로 서로 동일 위치에 구비되는, 양극산화막 구조체.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 바디는 복수개가 적층되어 구비되고,
    각각의 바디에 형성되는 내부 금속층은 각각의 수직선상을 기준으로 서로 다른 위치에 구비되는, 양극산화막 구조체.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 바디의 표면에 형성되어 복수개의 상기 내부 금속층을 연결하는 표면 금속층을 포함하되, 상기 표면 금속층은 그라운드에 접지되는, 양극산화막 구조체.
  12. 모재 금속을 양극산화 한 후 상기 모재 금속을 제거한 양극산화막 재질의 바디;
    상기 양극산화시 형성된 기공홀보다 더 큰 내부폭을 가지면서 상기 바디를 관통하여 형성되는 복수개의 관통홀;
    상기 관통홀 내벽에 구비되어 상기 양극산화막이 상기 관통측으로 노출되지 않도록 하는 내부 금속층; 및
    복수개의 상기 내부 금속층들을 서로 연결하도록 상기 바디의 표면에 형성된 표면 금속층;을 포함하는, 양극산화막 구조체.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 내부 금속층의 표면에 깊이와 폭을 가지는 복수개의 미세 트렌치를 포함하되,
    상기 미세 트렌치는 상기 바디의 두께 방향으로 연장되어 형성되고
    상기 미세 트렌치는 상기 관통홀의 둘레 방향으로 반복적으로 형성되는, 양극산화막 구조체.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 미세 트렌치의 상기 깊이와 상기 폭은 20㎚ 이상 1㎛이하의 범위를 가지는, 양극산화막 구조체.
  15. 모재 금속을 양극산화 한 후 상기 모재 금속을 제거한 양극산화막 재질의 바디; 및
    상기 바디 내부에 구비되는 내부 금속층을 포함하되,
    상기 내부 금속층과 상기 바디의 접합 계면에서, 상기 내부 금속층은 상기 바디의 기공홀의 내벽면과 밀착되는 미세 트렌치가 구비되는, 양극산화막 구조체.

KR1020210058695A 2021-05-06 2021-05-06 양극산화막 구조체 KR20220151440A (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210058695A KR20220151440A (ko) 2021-05-06 2021-05-06 양극산화막 구조체
PCT/KR2022/006342 WO2022235055A1 (ko) 2021-05-06 2022-05-03 양극산화막 구조체
TW111116884A TW202244331A (zh) 2021-05-06 2022-05-05 陽極氧化膜結構

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210058695A KR20220151440A (ko) 2021-05-06 2021-05-06 양극산화막 구조체

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20220151440A true KR20220151440A (ko) 2022-11-15

Family

ID=83932851

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020210058695A KR20220151440A (ko) 2021-05-06 2021-05-06 양극산화막 구조체

Country Status (3)

Country Link
KR (1) KR20220151440A (ko)
TW (1) TW202244331A (ko)
WO (1) WO2022235055A1 (ko)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170068241A (ko) 2015-12-09 2017-06-19 (주)포인트엔지니어링 유체투과성 양극산화막 및 유체투과성 양극산화막의 제조방법

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004125548A (ja) * 2002-10-01 2004-04-22 Micronics Japan Co Ltd プローブカード
KR101739742B1 (ko) * 2010-11-11 2017-05-25 삼성전자 주식회사 반도체 패키지 및 이를 포함하는 반도체 시스템
KR101816703B1 (ko) * 2016-02-29 2018-01-11 (주) 루켄테크놀러지스 프로브 블록 및 그 제조 방법
KR102650163B1 (ko) * 2018-10-29 2024-03-21 (주)포인트엔지니어링 프로브 카드용 가이드 플레이트 및 그 제조방법 및 이를 구비한 프로브 카드
KR20210045804A (ko) * 2019-10-17 2021-04-27 (주)포인트엔지니어링 다층 배선 기판 및 다층 배선 기판 제조 방법 및 프로브카드

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170068241A (ko) 2015-12-09 2017-06-19 (주)포인트엔지니어링 유체투과성 양극산화막 및 유체투과성 양극산화막의 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
TW202244331A (zh) 2022-11-16
WO2022235055A1 (ko) 2022-11-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20220151440A (ko) 양극산화막 구조체
US20240229287A1 (en) Anodized film structure
KR102509528B1 (ko) 전기 전도성 접촉핀
US20230384346A1 (en) Electrically conductive contact pin, inspection apparatus, and molded product
KR102577539B1 (ko) 전기 전도성 접촉핀 및 이의 제조방법
US20100281679A1 (en) Fabricating method for multi-layer electric probe
KR102498038B1 (ko) 전기 전도성 접촉핀 및 이의 제조방법 및 전기 전도성 접촉핀 모듈
KR102469788B1 (ko) 복합 몰드, 금속 성형물 및 그 제조방법
KR20230001193A (ko) 전기 전도성 접촉핀 및 이의 제조방법
KR20230133591A (ko) 양극산화막 구조체 및 이를 포함하는 검사 장치
TWI801956B (zh) 陽極氧化層模具、模具結構物、成形物及其製造方法
KR102517778B1 (ko) 전기 전도성 접촉핀 어셈블리 및 그 제조방법
TWI818486B (zh) 導電接觸針、具有相同導電針之檢測裝置以及其製造方法
KR102519285B1 (ko) 전기 전도성 접촉핀 및 이의 제조방법
TW202328690A (zh) 導電接觸探針以及具有其之測試元件
KR20220135453A (ko) 전기 전도성 접촉핀 및 이의 제조방법
KR20230032064A (ko) 캔틸레버형 프로브 핀
TW202303159A (zh) 導電接觸針以及其製造方法
US20240226994A9 (en) Composite mold, metal molded article, and method for manufacturing same
KR20230077866A (ko) 양극산화막 구조체
KR102667483B1 (ko) 전기 전도성 접촉핀
KR20230032063A (ko) 금속 성형물의 제조방법
KR20240017651A (ko) 전기 전도성 접촉핀 및 그 제조방법
CN118265815A (en) Anodic oxide film structure
KR20230032060A (ko) 전기 전도성 접촉핀 및 이를 구비하는 수직형 프로브 카드

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination