JPH08105915A - 導電性針状構造体及びこれを用いた組立物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 高温においても、多数本のプローブピンが精
度よく配置され、プローブピンを介して得られる電気信
号を信頼性よく得ることのできる導電性針状構造体及び
これを用いた組立物を提供する。 【構成】 直径５〜３００μｍ、アスペクト比１〜５０
０の複数の導電性針状体の一部分を、３０〜２５０℃に
おける熱膨張係数（１／℃）が３．０×１０^-6〜８．０
×１０^-6の低融点ガラスで包埋し、且つ該導電性針状体
の少なくとも一端が該低融点ガラスの面から１０μｍ以
上突出してなる導電性針状構造体及びこれを用いた組立
物である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路の電気
特性測定用プローブピン、微小真空デバイスや電子銃、
或いは走査型トンネル顕微鏡や原子間力顕微鏡をはじめ
とする走査型プローブ顕微鏡のプローブ等に使用できる
導電性針状構造体及びそれを用いた電気特性測定用組立
物に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体集積回路は、製造段階において不
良品除去のため何度か電気的特性を測定する必要があ
る。例えばＬＳＩの場合、ウエハー内に回路素子を製造
した段階で各チップを構成する回路素子の動作をテスト
するための測定が行われ、この後、ウエハーから切り取
られたチップをパッケージに収容したり、ＴＡＢテープ
に実装した状態で、再度動作テストするための測定が行
われる。このうち、前者は、通常タングステン等の金属
によって構成されたプローブピンを有するプローブカー
ドが使用される。また、後者はアウターリードが挿入さ
れるソケットを使用して行われることが多いが、ＴＡＢ
の場合はプローブカードが使用されることがある。とこ
ろで、近年ＬＳＩの高密度化に伴い、電気的特性測定の
ための端子（パッド）数が増加し、単位面積あたり多数
のプローブピンを設けることが必要になっている。この
ため微細化、高精度化されたプローブピンが求められて
いるが、従来のタングステン等のプローブピンではこれ
に対応できなくなりつつある。また、ウエハー一括テス
ト等では、バーンインテストとよばれる高温（例えば１
５０℃）での電気的特性の測定が行われるようになって
きている。この場合、プローブカードも高熱にさらされ
るために、従来のようにプローブカードにエポキシ樹脂
などを使用したものをバーンインテストした場合、熱で
樹脂が変形してプローブピンの位置や高さにずれが生じ
たり、又樹脂が分解し、ガスが発生して半導体集積回路
が汚染されるおそれがあった。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述したよ
うな従来の問題点に鑑みてなされたものであって、バー
ンインテストにも使用可能であり、半導体集積回路の電
気特性測定用プローブピン等に使用される導電性針状体
構造体及びそれを用いた電気特性測定用組立物を提供す
ることを目的とするものである。本発明者等は、半導体
集積回路の電気特性測定用プローブピン等に使用される
座屈荷重の大きい導電性針状体構造体及びその組立物に
つき鋭意研究を行った結果、基板上の所望の位置に立っ
た複数の導電性針状体の一部分を、特定の熱膨張係数を
もった低融点ガラスで包埋し、且つ該導電性針状体の上
部を低融点ガラスの面から突出させた導電性針状構造体
を見出し本発明を完成するに至った。

【０００４】

【課題を解決するための手段】すなわち、本発明の第１
の発明は、直径５〜３００μｍ、アスペクト比１〜５０
０（高さ／直径）の複数の導電性針状体の一部分を、３
０℃〜２５０℃における熱膨張係数（１／℃）が３．０
×１０^-6〜８．０×１０^-6の低融点ガラスで包埋し、且
つ該導電性針状体の少なくとも一端が該低融点ガラスの
面から１０μｍ以上突出してなることを特徴とする導電
性針状構造体であり、本発明の第２の発明は、直径５〜
３００μｍ、アスペクト比１〜５００の複数の導電性針
状体が存在する基板上に３０℃〜２５０℃における熱膨
張係数（１／℃）が３．０×１０ ^-6〜８．０×１０^-6の
低融点ガラスを配置し、加熱熔融、冷却して導電性針状
体を包埋して導電性針状体構造体を製造する製造方法で
あり、第３の発明は第一の発明の導電性針状構造体を用
いてなる組立物である。

【０００５】以下、本発明を詳細に説明する。本発明で
用いられる導電性針状体は、直径５〜３００μｍ、アス
ペクト比１〜５００の導電性針状体であり、（１）ＶＬ
Ｓ成長法にて基板上の所望の位置に形成された針状単結
晶体の表面が導電性膜で被覆された導電性針状単結晶体
及び（２）タングステン、パラジウム等の金属製導電性
針状体が用いられるが、特にＶＬＳ成長法にて形成され
た針状単結晶体の表面が導電性膜で被覆されたものが好
ましい。又本発明の導電性針状体は、基板上に形成され
た状態でもよいし、基板を除去した状態でも使用でき
る。

【０００６】本発明で好ましく用いられる針状単結晶体
の形成法であるＶＬＳ成長法は、R.S. Wagner and W.
C. Ellis：Appl. Phys Letters４（1964）89に記載され
ている。図２はかかる針状単結晶体の形成方法を説明す
るための図である。図２（Ａ）に示すように、表面が
（１１１）面であるシリコン単結晶基板１の所定の位置
に金粒子２を載置する。これをSiH4、SiCl4 などのシリ
コンを含むガスの雰囲気の中でSi−Au合金の融点以上に
加熱する。Si−Au合金はその融点が低いため、金粒子２
が載置された部分にこの合金の液滴が出来る。この時、
ガスの熱分解により、シリコンが雰囲気中より取り込ま
れるが、液状体は他の固体状態に比べてシリコン原子を
取り込み易く、Si−Au合金の液滴中には次第にシリコン
が過剰になる。この過剰シリコンはシリコン単結晶基板
１上にエピタキシャル成長し図２（Ｂ）に示すように＜
１１１＞軸方向に沿って、頂部にSi-Au 合金液滴４を有
しつつ、針状単結晶体３が成長する。また、針状単結晶
体３は単結晶であり、基板１の結晶方位と同一方位を有
する。また、針状単結晶体３の直径は液滴の直径とほぼ
同一である。尚、以上の結晶成長機構はＶＬＳ（Vapor-
liquid-Solid）成長法と呼ばれており、以下ＶＬＳ成長
法と記す。

【０００７】この方法はシリコン単結晶の場合に限ら
ず、他の単結晶の育成にも応用されている。たとえば、
LaB6単結晶の育成はその融点が2530℃と高温で蒸発速度
も大きく、また反応性も高く必ずしも融液成長には適し
ていない。このような観点から、より低温で結晶成長が
可能なＶＬＳ成長が試みられている（Journal of Cryst
al Growth 51（1981）190-194 ）。ところで、Au粒子を
置く替わりにフォトリソグラフ法、メッキ法、蒸着法、
エッチング法などを組み合わせることによりシリコン基
板上にAuを島状にパターン化しＶＬＳ成長を行えば、基
板上の所望の位置に立った複数の針状単結晶体を形成す
ることができ、これを電気特性測定用プローブピン等に
使用することができる。

【０００８】本発明の針状単結晶体を構成するものとし
ては、Ｓｉ、ＬａＢ₆ 、ＧａＡｓ、ＧａＰ，ＷＯ₂ 、Ｓ
ｉＣ等であり、特に好ましくは、Ｓｉ、ＬａＢ₆ であ
る。これら元素又は化合物と合金をつくるものとして
は、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、及びＧａであり、
特に好ましくはＡｕ及びＰｔである。本発明に用いられ
る針状単結晶体の形状は、電気特性測定時の座屈荷重及
び撓み性等を考慮すると円柱状又はそれに近いものが好
ましく、その直径は５〜３００μｍの範囲である。針状
単結晶体の高さは、１５０μｍ以上であり、特に好まし
くは２００μｍ〜３ｍｍであり、３ｍｍを越えると、Ｖ
ＬＳ成長法による針状単結晶体形成時にキンクやブラン
チが多数発生する。該針状単結晶体のアスペクト比（高
さ／直径）は１〜５００、特に好ましくは５〜１００で
ある。アスペクト比が１未満では針状単結晶体が短かす
ぎて、電気特性測定用プローブピン等に使用できず、５
００を越えると座屈荷重が低下し安定な導通が得られな
い。

【０００９】また、ＶＬＳ成長法にて形成された針状単
結晶体は、必然的に先端合金部を有するが、半導体集積
回路の電気特性測定用プローブピン等に使用する場合、
先端合金部が潰れやすく座屈荷重が低いため、これを除
去したものを使用することが好ましい。先端合金部の除
去は、工程の任意の段階で行うことができる。例えば、
（１）ＶＬＳ成長法にて針状単結晶体を形成した後、
（２）導電性膜の形成後、（３）低融点ガラス包埋後等
である。また、先端合金部を除去するときに、高さを揃
える等のために、同時に針状単結晶体の一部を除去して
もよい。

【００１０】先端合金部の除去は、各種の方法で行なう
ことができ、特に研磨方法により除去することが好まし
い。研磨方法としては、具体的には、研磨パッド又は研
磨砥粒を用いるポリシング加工等がある。研磨パッドと
しては、通常、酸化アルミ、シリコンカーバイト、酸化
クロム等の砥粒が付着したパッドが用いられる。

【００１１】本発明において、導電性針状体は前述した
ように、導電性針状単結晶体を用いるものと、金属製導
電性針状体をなどがあるが、以下、導電性針状単結晶体
を用いた場合を中心に導電性針状構造体、その製造方法
及びこれを用いた組立物について説明する。

【００１２】図３はＳＯＩ基板上に成長させた針状結晶
を用いた本発明の一実施例における、回路測定用端子の
概略的断面図である。同図において、５はＳｉ基板、６
は絶縁面を構成するＳｉＯ₂ 膜、７は配線となるパター
ン化されたＳｉ膜、３は針状単結晶体、８は針状結晶体
３上に設けられるＡｕ等のメッキ膜（導電性膜）、９は
低融点ガラスである。

【００１３】なお、本発明において、ＳＯＩ基板上に針
状結晶を成長させる場合、ＳＯＩ技術を前提としてい
る。本発明において用いられるＳＯＩ技術としては、単
結晶Ｓｉ基板に酸素イオンを打ち込んで、単結晶領域直
下に酸化領域を形成する方法（ＳＩＭＯＸ; Porc.ISIAT
'83 1983 p.1855）、表面酸化された単結晶Ｓｉ支持基
体の酸化面に単結晶Ｓｉ基板を熱処理により張り合わせ
る方法（Digest of theIEEE Int. Elec. Devices Meeti
ng(IEDM) 1985 p.684）等を用いることができる。

【００１４】導電性針状体はＶＬＳ成長法にて形成され
た針状単結晶体の少なくとも側面が厚さ０．１〜１０μ
ｍの導電性膜で被服されたものであり、アスペクト比が
１〜５００の範囲である導電性針状単結晶体でる。導電
性膜の厚さが０．１μｍ以下では導電性膜の破れ、摩擦
による剥がれ等が起こり、１０μｍ以上では、膜の均一
性が得られなく、コストも高くなる。

【００１５】この導電性膜の形成は、針状単結晶体を蒸
着法、メッキ法、及びデイ ツプ法等で被覆する方法で行
われる。具体的には、針状単結晶体にＮｉ−Ｐ又はＣｒ
等の下地メッキをし、次にＡｕ、Ａｕ合金、Ｒｈ等の表
層メッキをする方法がある。表層メッキは導電性の優れ
た金属を使用することが好ましく、特にＡｕ、Ａｕ−Ｎ
ｉ、Ａｕ−Ｃｏ、Ａｕ−Ｃｒ、Ａｕ−Ｃｕ、Ｒｈが好ま
しい。この導電性膜は針状単結晶体の少なくとも側面を
被覆しているものであるが、半導体集積回路の電気特性
測定用プローブピン等に使用する場合は、半導体集回路
の端子（パッド）と接触する導電性針状単結晶体の先端
部は、導電性膜で被覆されていることが好ましい。

【００１６】又、本発明には、タングステン、パラジウ
ム等の金属製導電性針状体も用いることができ、その直
径は５〜３００μｍの範囲であり、高さは１５０μｍ以
上であり、そのアスペクト比は１〜５００である。前記
導電性針状体は、接着剤及び金属等により基板と結合さ
れていてもよい。

【００１７】本発明に用いられる低融点ガラスは、Ｐｂ
Ｏ、Ｂ₂ Ｏ₃ 、ＺｎＯ等を含んだ低融点ガラスで、金属
・セラミック・ガラス等の接着に適したもので電子管の
シール等に用いられているものである。その低融点ガラ
スの熱膨張係数はＳｉに近い程よく、ディラートメータ
ーによる測定にて、３０℃〜２５０℃における熱膨張係
数（１／℃）が３．０×１０^-6〜８．０×１０^-6の低融
点ガラスが好ましい。また、低融点ガラスの軟化点は低
い程よく、熱膨張の違いによるＳｉ基板からの剥離や針
状体にメッキした導電性膜の剥離等を防ぐ上では、軟化
点が３００〜５００℃の低融点ガラスが好ましい。低融
点ガラスの形状等に、特に制限はなく、フリット状のも
の、ビーズ状のもの、ロッド状のもの、ペースト状のも
の等を用いることができる。このうち、フリット状のも
のは静電気で導電性針状体に付着しやすく、また、ペー
スト状のものは導電性針状体の間を這い上がりやすく、
且つ溶剤除去時に凹凸ができやすい。ビーズ状のもの
は、静電気による導電性針状体への付着がない、溶剤除
去が不要である、厚みの均一なものを得やすい等の利点
があり、最も好ましい。ビーズ状低融点ガラスの平均粒
径は２０〜２００μｍのものが特に好ましい。低融点ガ
ラスによる包埋は、その厚みは５０μｍ以上、好ましく
は１００μｍ〜２．０ｍｍ厚さである。本発明の方法に
よれば、前記構造体における導電性針状体の位置精度
は、初期の目的位置に対する距離が０〜１０μｍの範囲
である。又、半導体集積回路の端子との接触のために、
前記低融点ガラスの面から、導電性針状体が１０μｍ以
上、好ましくは２０〜１５００μｍ突出している必要が
ある。

【００１８】本発明において、基板上の所望の位置に立
った導電性針状体を、５０μｍ以上の厚さの低融点ガラ
スで所望の位置に精度良く包埋し、該低融点ガラスの一
方の面から、導電性針状体が１０〜１５００μｍ突出し
ている導電性針状体構造体を得る方法としては、基板上
の導電性針状体の下部にビーズ状に加工した低融点ガラ
スを一定厚みに充填し、これを加熱炉にいれ、加熱熔
融、冷却し包埋する方法が好ましいが、他に基板上の導
電性針状体の下部にフリット状の低融点ガラスを一定厚
みに充填し、これを加熱炉に入れ、加熱熔融、冷却し包
埋する方法、導電性針状体の下部に溶媒に低融点ガラス
の粉体を分散させた溶液を注入し、これを加熱炉中で加
熱熔融、冷却し包埋する方法等が用いられる。

【００１９】図４にて、ＳＯＩ基板上に成長させた針状
単結晶体を用いた導電性針状単結晶体構造体の製造工程
の概要を説明する。（Ａ）は配線となるＳｉ膜７がパタ
ーン化されたＳＯＩ基板上の所定の位置に、金粒子２が
載置された状態を示す。（Ｂ）はＶＬＳ成長法にて形成
された針状単結晶体を示す。（Ｃ）は先端合金部除去後
の状態を示す。（Ｄ）は導電性膜の被覆後の状態を示
す。（Ｅ）は、ビーズ状低融点ガラスを充填した状態を
示す。（Ｆ）は低融点ガラスを加熱熔融、冷却して包埋
処理をした後の状態を示す。

【００２０】本発明に用いる針状単結晶体は、ＳＯＩ基
板上に成長させたものが好ましいが、これに限るもので
はない。図５にて、Ｓｉ単結晶基板上に成長させた針状
単結晶体を用いた導電性針状構造体の製造工程の概要を
説明する。（Ａ）はＶＬＳ成長法にて形成された針状単
結晶体を示す。（Ｂ）は導電性膜の被覆後の状態を示
す。（Ｃ）は先端合金部除去後の状態を示す。（Ｄ）は
先端に導電性膜を被覆後の状態を示す。（Ｅ）は樹脂又
は低融点ガラスで包埋処理後の状態を示す。（Ｆ）は単
結晶基板を除去し、Ａｕバンプをつけた状態を示す。
（Ｇ）は配線基板に接合、組み立てた状態を示す。

【００２１】本発明の導電性針状構造体は、側面に設け
られた導電性膜と配線基板とを接続し、電気特性測定用
組立物に組み立て、電気特性測定用プローブカ−ド等に
使用できる。図１にて、導電性針状構造体と配線基板の
接合、組み立て状態を示す。（Ａ）は配線基板に導電性
針状構造体を取付け、配線した状態を上方より見た図を
示す。（Ｂ）はプローブピン、配線基板及び半導体集積
回路基板の位置関係を示す断面図である。

【００２２】前記電気特性測定用組立物においては、配
線基板と導電性針状体のなす角度を８０〜９０度に組み
立てることが好ましく、これにより、半導体集積回路の
測定表面と導電性針状体がほぼ、直角に接触するように
なり、プローブピンの寿命が長くなる。この電気特性測
定用プローブピンは、半導体集積回路の製造段階におけ
る回路素子等の測定用として、従来のタングステン等を
樹脂包埋したプローブピンに比較し、端子の形状及び相
互距離が微細化され、多端子化が可能であり、確実に接
触することが可能で、且つ、バーンインテストに使用可
能なプローブピンである点で優れている。

【００２３】

【実施例】以下実施例により本発明を詳細に説明する。 （実施例１）まず、表面酸化された単結晶Ｓｉ基板の酸
化面に別の単結晶Ｓｉ基板を熱処理により張り合わせ
（以下ＳＯＩ基板という）、一般的なフォトリソグラフ
法とエッチング法を用いて図４（Ａ）に示すように所望
のＳｉ膜７のパターンと金粒子２のパターンを形成し
た。このパターン化したＳｉ膜７は、後で配線として用
いられるものである。なお、本実施例においては金粒子
２は大きさが３０μｍ、高さが２μｍのドット状とし
た。次に、図４（Ｂ）に示すように直径１５μｍ高さ１
０００μｍの針状単結晶体を成長させた。その後、ＳＯ
Ｉ基板と針状単結晶体を研摩用ワックスで包埋し、＃４
０００アルミナ砥粒ラッピングシートによる湿式研摩に
よって図４（Ｃ）に示すように針状単結晶体先端合金部
の除去し、高さを８００μｍにした。研摩後、ワックス
を溶剤で溶解除去し、針状単結晶体が形成されたＳＯＩ
基板を洗浄、脱脂した。

【００２４】次に、Ｓｉを選択的にメッキできるＮｉ−
Ｐ無電解メッキによりＳｉの針状単結晶体３とＳｉ膜７
にＮｉ−Ｐを１μｍメッキした。更にこの上に、Ａｕ
１．５μとＲｈ１μｍを電解メッキ法により順にメッキ
して、導電性針状単結晶体と配線を形成した。このＳＯ
Ｉ基板上に、低融点ガラスビーズ〔平均粒径１００μ
ｍ、軟化温度３９０℃、３０℃〜２５０℃における熱膨
張係数（１／℃）が４．２×１０^-6〕を図４（Ｅ）に示
すように充填した。その後、低融点ガラスを加熱炉中で
加熱熔融、冷却させ、図４（Ｆ）に示すように針状単結
晶体を包埋し、導電性針状構造体を作製した。この時、
導電性針状単結晶体の先端３００μｍが低融点ガラスの
表面から突出していた。最後に、図１に示すようにＳＯ
Ｉ基板の接続端子にリード線をつなぎ、導電性針状単結
晶体をプローブとして、各種評価を行った。常温での評
価の結果、導電性針状単結晶体の位置精度は、３μｍ以
下であり、プローブとして使用可能であった。また、耐
熱性をみるために１５０℃で１時間加熱したところ、導
電性針状単結晶体の位置精度は６μｍ以下であり、プロ
ーブとして使用可能であった。さらに、目視にて外観検
査を行なった結果、常温および高温で加熱後ともに良好
であった。

【００２５】（実施例２）単結晶Ｓｉ基板（以下基板と
いう）上に、フォトリソグラフ法を用いＡｕパターンを
形成し、ＶＬＳ成長法により直径１５μｍの針状単結晶
体を等間隔に、高さ１０００μｍに成長させた。次に、
針状単結晶体が形成された基板を洗浄、脱脂し、フッ化
水素酸で、処理した後、Ｎｉ−Ｐ化学メッキを１μｍ、
続いてＡｕ電気メッキを１μｍ施した。次に、基板と針
状単結晶体を研摩用ワックスで包埋し、＃４０００アル
ミナ砥粒ラッピングシートによる湿式研摩をし、針状単
結晶体先端合金部の除去するとともにその高さを８００
μｍに均等化した。

【００２６】研摩後、ワックスを溶剤で溶解除去し、研
摩した針状単結晶体の先端へ蒸着によりＡｕ薄膜を付
け、さらに電気メッキによりＲｈメッキ１μｍを施し
た。この基板上に、低融点ガラスビーズ〔平均粒径１０
０μｍ、軟化温度３９０℃、３０℃〜２５０℃における
熱膨張係数（１／℃）が４．２×１０^-6〕を充填した。
その後加熱炉中で低融点ガラスを加熱熔融、冷却させ、
導電性針状単結晶体を包埋し、導電性針状構造体を作製
した。この時、導電性針状単結晶体の先端５００μｍが
低融点ガラス表面から突出していた。次に、突出してい
る導電性針状単結晶体を導電性接着剤、研摩用ワックス
の順に覆った後、Ｓｉ基板を＃４０００アルミナ砥粒ラ
ッピングシートで湿式研摩し、導電性針状構造体から除
去した。その後、ワックスを除去し導電性接着剤部に電
極を取付け、これを利用して針状単結晶体の底部に径１
５μｍ、高さ１０μｍのＡｕバンプをメッキした。導電
性針状単結晶体のそれぞれに接続できる接続用端子を配
した配線基板をフットワークメッキで作製し、これと導
電性針状構造体のＡｕバンプを突合わせて重ね、配線基
板と導電性針状構造体の間にエポキシ樹脂を充填、加熱
硬化させ一体化し導電性針状構造体組立物を作製した。
最後に、図１に示すようにこの導電性針状構造体組立物
の配線基板上の接続端子にリード線をつなぎ、導電性針
状単結晶体をプローブとして、各種評価を行った。常温
での評価の結果、導電性針状単結晶体の位置精度は、４
μｍ以下であり、プローブとして使用可能であった。ま
た、耐熱性をみるために１５０℃で１時間加熱したとこ
ろ、導電性針状単結晶体の位置精度は６μｍ以下であ
り、プローブとして使用可能であった。さらに、目視に
て外観検査を行なった結果、常温および高温で加熱後と
もに良好であった。

【００２７】（実施例３）実施例１の包埋処理におい
て、低融点ガラスビーズを用いる代わりに、低融点ガラ
ス粉体〔平均直径４μｍ、軟化温度３９０℃、３０℃〜
２５０℃における熱膨張係数（１／℃）が４．２×１０
^-6〕を分散させた溶液を、加熱熔融、冷却後に針状単結
晶体の先端の３００μｍが低融点ガラス上に突出するよ
うに注入し、加熱炉中で加熱熔融、冷却し包埋し導電性
針状構造体とした。包埋処理以外は実施例１と同様に行
った。常温での評価の結果、導電性針状構造体の導電性
針状単結晶体の位置精度は、４μｍ以下であり、プロー
ブとして使用可能であった。また、１５０℃で１時間加
熱したところ、導電性針状単結晶体の位置精度は５μｍ
以下であり、プローブとして使用可能であった。さら
に、目視にて外観検査を行なった結果、常温及び１５０
℃で加熱後ともに良好であった。

【００２８】（比較例１）直径２５μｍ、高さ５００μ
ｍのプローブ用タングステン線を顕微鏡を用いて、配線
基板上に手作業にて固定し、エポキシ樹脂を流し込んで
後、加熱硬化させ電気特性測定用組立物を得、評価を行
った。評価の結果、組立物のタングステンプロ−ブの位
置精度は、４μｍ以下であり問題なかったが、１５０℃
で１時間加熱したところ、タングステンプロ−ブの位置
精度は２７μｍ以上となり、プローブとして使用できな
かった。さらに、目視にて外観検査を行なった結果、常
温では良好であったが、１５０℃で加熱後は、高熱によ
り樹脂が変形し、反り、膨らみ等が発生していた。ま
た、１５０℃で加熱後は樹脂から微量のガスが発生し
た。外観検査及び位置精度の測定結果を実施例１〜３の
結果とともに表１に示す。

【００２９】

【表１】

【００３０】尚、測定法は下記の方法で行った。（位置
精度）最小読み取り単位、１μｍのＸ−Ｙステージつき
光学顕微鏡型測長機を使用し、基準点を決め、それぞれ
に配置された導電性針状単結晶体の常温および１５０℃
における中心座標を測定した。該導電性針状単結晶体の
中心座標と設計上の中心座標との距離を求め、位置精度
とした。

【００３１】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
高温状態で半導体集積回路の電気特性測定用プローブピ
ン等に使用できる導電性針状体構造体及びそれを用いた
組立物を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は導電性針状構造体と配線基板を接合した
導電性針状構造体組立物の一例を示す図であり、（Ａ）
はその平面図、（Ｂ）はその断面図である。

【図２】図２はＶＬＳ成長法により形成された針状単結
晶体の一例を示す図である。

【図３】図３は導電性針状構造体の一例を示す図であ
る。

【図４】図４は導電性針状単結晶体構造体の製造工程の
一例を示す図である。

【図５】図５は導電性針状単結晶体構造体の製造工程の
一例を示す図である。

【符号の説明】

１； 単結晶基板 ２； 金粒子 ３； 針状単結晶体 ４； 先端合金部 ５； Ｓｉ基板 ６； ＳｉＯ₂ 膜（絶縁膜） ７； Ｓｉ膜（単結晶膜） ８； 導電性膜 ９； 低融点ガラス 10； ＳＯＩ基板 11； 金バンプ 12； 配線基板 13； 絶縁基板 14； 配線 15； リード線 16； 半導体集積回路基板

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 直径５〜３００μｍ、アスペクト比１〜
   ５００の複数の導電性針状体の一部分を、３０℃〜２５
   ０℃における熱膨張係数（１／℃）が３．０×１０^-6〜
   ８．０×１０^-6の低融点ガラスで包埋し、且つ該導電性
   針状体の少なくとも一端が該低融点ガラスの面から１０
   μｍ以上突出してなることを特徴とする導電性針状構造
   体。
2. 【請求項２】 直径５〜３００μｍ、アスペクト比１〜
   ５００の複数の導電性針状体が存在する基板上に３０℃
   〜２５０℃における熱膨張係数（１／℃）が３．０×１
   ０^-6〜８．０×１０^-6の低融点ガラスを配置し、加熱熔
   融、冷却することを特徴とする導電性針状構造体の製造
   方法。
3. 【請求項３】 請求項１記載の導電性針状構造体を用い
   てなる組立物。