JP2004528727A - 電子チップおよび電子チップ構造体 - Google Patents

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クローゼ，ヘルムート
クロイプル，フランツ
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Abstract

電子チップの少なくとも１つの外部チップ金属接触部に、電子チップと他の電子チップとを接触するための複数のナノチューブが実装されている。

Description

【０００１】
本発明は、電子チップおよび電子チップ構造体（elektronische Chip-Anordnung）に関するものである。
【０００２】
十分に処理された２つの電子チップの間、または、処理された１つのチップと周辺装置との間での、機械的および電気的な接触を行なうために、２つの電子チップ間の垂直な接触が、以下の手段により、なされることが知られている。すなわち、互いに接触される２つの電子チップのそれぞれ１つの外部チップ金属接触部、および、はんだ接合部により接触がなされることが知られている。
【０００３】
図２は、このタイプの既知のチップ構造体２００を示している。
【０００４】
チップ構造体２００は、第１電子チップ２０１、および、第２電子チップ２０２を備えている。ここでは、第１チップ２０１と第２のチップ２０２との間では、互いに電気的な接触が行われている必要がある。
【０００５】
基板２０３の上に形成された層配列において、第１チップ２０１は、複数の電気部品、すなわち、抵抗器２０４、キャパシタ２０５、および、インダクタ（Induktivitaet）２０６を備えている。そして、それらの電気部品は、電気回路２０７として第１電子チップ２０１に集積されている。
【０００６】
さらに、第１チップは、第１外部チップ金属接触部２０８を備えている。この接触部により、第１電子チップ２０１は、第２電子チップ２０２と電子的に接続している。
【０００７】
第２チップ２０２は、同様に電気回路（図示せず）を集積しており、さらに、第２外部チップ金属接触部２０９を含んでいる。この接触部は、第１電子チップ２０１の第１電子チップ金属接触部２０８と電気的に接触するために用いられる。
【０００８】
２つの外部チップ金属接触部２０８と２０９とを電子的に接続するために、それらの間に、通常、導電性金属接続材であるはんだ材料２１０が注入されている。また、２つの外部チップ金属接触部２０８，２０９を、このはんだ材料２１０を用いてはんだ付けした結果、チップ金属接触部２０８，２０９が接続されていることが好ましい。
【０００９】
十分に処理された２つの電子チップの接触に関して、様々な方法が知られている。上記電子チップの接触としては、例えばボールグリッドアレイ（Ball Grid Array）方法（ＢＧＡ）、フリップチップ方法（ＦＣ）、チップスケールパッケージング（Chip Scale Packaging）方法（ＦＳＣ）、プラスチックデュアルインラインパッケージ（Plastic-Dual-In-line-Packages）方法（ＰＤＩＰ）、クォードフラットパック（Quad Flat Packs）方法（ＱＦＰ）、または、スモールアウトラインＩＣ（small‐Outline Ics）方法（ＳＯＩＣｓ）などが挙げられる。
【００１０】
これらの方法に共通する特徴は、接触を行うために外部チップ金属接触部を互いにはんだ付けするか、または、ボンディングワイヤを用いて（少なくとも金属接続によって）接触するという点にある。
【００１１】
１つの電子チップが、複数の他のチップが正確に動作しているかをテストするために、テストチップ（Test-Chip）として設計されている場合には、このテストチップの外部チップ金属接触部を、テストされる電子チップの同様のチップ金属接触部に備えられたテスト端子に、連結する必要がある。このことは、通常、いわゆる針カード（Nadelkarten）を用いて（つまり、具体的には針のような金属接触部によって）行われる。
【００１２】
（一般的には金属元素による）金属層またはボンディングワイヤを用いた、従来の２つの電子チップの接続には、多くの不都合な点がある。
【００１３】
特に高周波数アプリケーションを用いる場合、接続材の通電容量(Stromtragfaehigkeit)が限られている点で不都合である。なぜなら、通電容量が限られていることによって、温度が上昇し、チップ結合部の電子抵抗が増大するからである。
【００１４】
さらに、機械負荷が高いので、結合部自体に亀裂（一般的には金属接続部に損傷）が生じてしまう。この亀裂によって、この亀裂によって、電気的な接触が行われなくなるまで、電気的な接触が悪化する。
【００１５】
さらに、[１]には、複数の接触素子の上にそれぞれ複数のナノワイヤ（Nanodraehte）が成長する、接触感知器が開示されている。この感知器を用いて検出される素子は、ナノワイヤが素子によって機械的にたわんだ結果として、検出される。このため、感知器おいて、隣接する接触素子であるナノワイヤが互いに接触し、電気的な短絡が生じる。
【００１６】
[２]には、２つの導電性接触素子の間に、ナノ多孔質層（nanoporoese Schicht）が埋め込まれている、超小型電子装置が記載されている。ここでは、孔に金属が充填されているので、接触素子は、金属が充填された孔を用いて電気的に連結されている。
【００１７】
[３]には、カーボンナノチューブを製造するための方法が記載されている。
【００１８】
[４]には、他の電気測定感知器が開示されている。
【００１９】
本発明の優先日の後、初めに公表された文献[５]には、カーボンナノチューブによって垂直方向に互いに電気的に連結されている少なくとも２つの回路層を備えた装置が記載されている。
【００２０】
したがって、本発明の目的は、１つの電子チップを外部電子チップ接触部を介して他のチップに電子的に伝導するように結合し、この結合が妨害の影響をあまり受けないように（stoeranfaellig）設計されていることにある。
【００２１】
この目的は、独立特許請求項に示した特徴を有する、電子チップおよび電子チップ構造体によって達成される。
【００２２】
１つの電子チップには、複数の外部チップ接触部（好ましくは複数のチップ金属接触部）が備えられている。これらの接触部に、複数のナノチューブが、一方の電子チップと他方の電子チップとの接触を行うために実装されている。
【００２３】
同様に、この他方の電子チップにも、複数の外部チップ接触部（好ましくは複数のチップ金属接触部）が備えられている。それぞれ１つの外部チップ接触部の複数のナノチューブは、他方の電子チップにおいて対応する、明らかに関連のある（anschaulich zugehoerigen）外部チップ接触部に接触できる。なお、本明細書において、異なるチップ接触部（例えば互いに隣接するチップ接触部）のナノチューブが、、互いに触れてはいけない。そうでなければ、望ましくない短絡が生じてしまうからである。チップ接触部のナノチューブのみが、常に、もう一方の電子チップの対応する所望のチップ接触部に連結され、従って、具体的には、所望の外部チップ接触部間でのみ、電子接触を行うことができる。
【００２４】
本発明によれば、電子チップとは、通常十分に処理された電子チップのことである。
【００２５】
本明細書では、「十分に処理された」とは、チップに集積される電気回路の製造に関連のある全てのプロセス工程が終わり、ハウジングの適切な取付けを伴う全ての包装工程がまだ実行されていない状態にあることを意味している。
【００２６】
本明細書において、外部チップ接触部とは、チップの完成後になおも存在している、チップ外部を制御するためのチップの電気接触部のことである。なお、この制御とは、チップの周辺に位置する素子と例えば他のチップとを制御または信号交換することである。
【００２７】
電子チップ構造体には、第１電子チップおよび第２電子チップが備えられている。第１電子チップは、複数の外部チップ接触部を有している。このチップには、電子第１チップと第２電子チップとを接触するために、複数のナノチューブが実装されている。同様に、第２電子チップは複数の外部チップ接触部を有しており、これらの接触部は、第１電子チップの第１チップ接触部に実装されたナノチューブと電気的・機械的に接触することができる。第１電子チップのそれぞれ１つの外部チップ接触部の複数のナノチューブは、第２外部チップ接触部のただ１つの外部チップ接触部に接触されている。
【００２８】
具体的には、本発明では、すでに十分に処理された２つの電子チップを外部チップ接触部を介して互いに電気的に接続するために、ナノチューブ（好ましくは、カーボンナノチューブ）を用いることができる。
【００２９】
２つの電子チップの接続にはんだ材料を使用する場合と比較して、本発明においてナノチューブを使用する利点は、特に、使用するナノチューブが柔軟性があり、それゆえに、外部チップ接触部の間の電子結合の、機械的安定性および信頼性に関して、この結合がより安定している点にある。このことは、特に、縦弾性係数が約１ＴＰａであるということに起因する。
【００３０】
さらに、本明細書において、使用するナノチューブの強さに留意する必要がある。この強さが、互いに接触する電子チップの外部チップ接触部間の結合の安定性を、著しく改善する。
【００３１】
さらに、本発明に基づいて電子チップ間を結合する利点は、ナノチューブが化学的に不活性であるという点にある。
【００３２】
上記のナノチューブには、通常、カーボンナノチューブが用いられる。特に、このカーボンナノチューブは導電性であり、その通電容量は、例えば通常２つの電子チップ間を接続するために用いられる金属である銅の通電容量よりも大きい。
【００３３】
他の利点としては、ナノチューブの熱伝導率が約６０００ワット／ｍＫであるという点が挙げられる。他方、銅の熱伝導率は約４００ワット／ｍＫである。
【００３４】
なお、電子チップ間の金属接続部を固定する場合、熱膨張係数が異なっているので、はんだ材料に著しい機械的応力がかかることが多い。この応力は、熱負荷が繰り返され、異なっている場合、素子または外部チップ接触部および／または金属連結部を損傷してしまう。
【００３５】
この問題は、高周波数アプリケーション（つまり、高周波数チップ）を用いる場合に特には重要である。なぜなら、通常、アプリケーションを駆動している間の電力消費量が特に高く、これにより電子チップの温度は非常に高くなってしまうからである。
【００３６】
ナノチューブ（特にカーボンナノチューブ）を用いることによって、上述した問題点を２点に関して低減する。第１に、ナノチューブの熱伝導率が高いことによって、その熱を周囲に急速に分散することができる。第２に、横方向に容易に動くことができ、それにもかかわらず安定しているナノチューブによって、ナノチューブ自体を損傷することなく、結合によって発生する剪断力を低減することができる。
【００３７】
本発明の好ましい他の形態については、従属請求項に示す。
【００３８】
これらのナノチューブは、カーボンナノチューブとして設計されていてもよい。本明細書においては、特に導電性または電気的に半導性のカーボンナノチューブとして、設計されている。チップ接触部（好ましくは金属からなり、したがってチップ金属接触部とも呼ばれている）は、特に２つの層（つまりチップ金属接触層およびそれに実装される触媒層）の層配列として存在してもよい。この触媒層には、ナノチューブの成長に関して（好ましくはカーボンナノチューブの成長に関して）触媒作用のある材料が含まれている。ここで、触媒層とは、それぞれの触媒材料からなる個々の材料クラスタ（Material-Cluster）の集合でもある。つまり言い換えると、この触媒層は必ずしも触媒材料からなる連続的な（zusammenhaengend）層を含む必要はない。
【００３９】
なお、本明細書において、チップ金属接触層そのものも、ナノチューブの成長に関して触媒効果をもつ金属を含んでいてもよい。
【００４０】
触媒材料を使用することによって、ナノチューブの成長は、著しく簡略化され、加速される。
【００４１】
チップ金属接触部（特にチップ金属接触層）を、任意の金属（好ましくはアルミニウムおよび／または銅）から、または、任意の金属合金（好ましくは上述の金属の合金）から製造してもよい。
【００４２】
また、触媒材料として、ニッケル、コバルト、または、鉄、または、前述の材料の化合物を使用してもよい。
【００４３】
本発明の他の形態では、ナノチューブを、外部チップ金属接触部にはんだ付けすることによって、外部チップ接触部と各ナノチューブの端部との間の機械的接触部（つまり機械的結合部）をさらに固定している。この結果、チップ接続部の機械的安定性は、さらに上昇する。
【００４４】
代わりに、外部チップ接触部と、各ナノチューブの１つの端部との間の機械的結合を、電気化学結合によって実現することができる。
【００４５】
本発明の１構成によれば、電子チップは、テストチップとして（つまり、他の電子チップの予め与えられた機能をテストできる、チップとして）設計される。この場合、ナノチューブは、テストされるチップに接触するための通常の針カードの代わりに用いられる。
【００４６】
このテストチップには、集積された試験回路が含まれている場合があり、この場合には、処理された電気信号の信頼性がさらに上昇する。
【００４７】
また、第１電子チップがテストチップとして設計されず、電子チップ構造体が互いに永続的に接触される２つの電子チップを有している場合、複数のナノチューブを、それらの両端で、各外部チップ接触部の金属にはんだ付けできる。その結果、機械的安定性、ひいては電子安定性もさらに上昇する。
【００４８】
本発明は、一般的には、互いに接触される任意の数の電子チップに適用できる。
【００４９】
本発明は、ＨＦアプリケーション（特に高周波数素子または高周波数チップ）の使用に特に適している。
【００５０】
本発明の実施例を、図面に示し、さらに詳述する。図１は、製造方法の第１時点における、本発明の第１実施例にしたがった電子チップ構造体を示す図である。図２は、従来技術にしたがった電子チップ構造体を示す図である。図３は、製造方法の第２時点における、本発明の第１実施例にしたがった電子チップ構造体を示す図である。図４は、製造方法の第３時点における、本発明の第１実施例にしたがった電子チップ構造体を示す図である。図５は、本発明の第２実施例にしたがった電子チップ構造体を示す図である。図６は、外部チップ接触部にカーボンナノチューブが成長した、本発明に基づく電子チップの平面図の走査型電子顕微鏡イメージを示す図である。
【００５１】
図１は、製造中の第１時点における、本発明の第１実施例にしたがったチップ構造体１００を示している。
【００５２】
チップ構造体１００は、第１電子チップ１０１および第２電子チップ１０２を有しており、それらのチップは、互いに機械的・電子的に接触されている。
【００５３】
第１電子チップ１０１および第２電子チップ１０２は、それぞれ１つの集積電子回路を備えているが、この回路についての説明は、本発明では省略する。
【００５４】
第１電子チップ１０１には、接触パッド（つまり、アルミニウムを含む外部チップ金属接触部１０３）の表面に、リフトオン方法（Lift-Off-Verfahrens）を用いて、鉄を含む触媒層１０４が形成されている。この実施例では、触媒層１０４は、隣り合って配置された複数の金属粒子（特に、鉄を含む金属クラスタ）を含んでいる。
【００５５】
これに代わるものとして、続いて形成される触媒の代わりに、外部チップ金属接触部１０３を、十分に処理された電子チップ１０１の表面に、触媒材料と共に直接形成してもよい。
【００５６】
触媒層１０４の厚さは、約５ｎｍ〜１０ｎｍである。
【００５７】
続いて、ＣＶＤプロセスまたはプラズマＣＶＤプロセス（ＰＥＣＶＤ）を、この実施例では温度６００℃で圧力１０Ｔｏｒｒで３０分間、アセチレン（Ｃ2Ｈ2）を用いて行うことによって、カーボンナノチューブ１０５は約１００μｍ〜５００μｍの任意の高さまで成長する。
【００５８】
この実施例によれば、外部チップ金属接触部１０３は、側長がそれぞれ５０μｍ〜１００μｍである長方形の形状をしている。
【００５９】
次の工程では、カーボンナノチューブ１０５、および、第１電子チップ１０１のチップ金属接触部１０３は、第２電子チップ１０２のチップ金属接触部１０６に局部的に対応しており、機械的に接触している。つまり、カーボンナノチューブ１０５と、第２電子チップ１０２のチップ金属接触部１０６との整合が行われる。
【００６０】
次に、急速熱処理プロセス(Kurzzeittemper)を用いて、チップ構造体１００を、６６０℃以上の水素雰囲気において、加熱、再冷却することによって、カーボンナノチューブ１０５を、金属接触層１０３（つまり外部チップ接触部１０３）中のアルミニウムに埋め込む。
【００６１】
このように、カーボンナノチューブ１０５は、各第１端部１０７において、第１電子チップ１０１の外部チップ金属接触部１０３のアルミニウムにしっかりと結合される。つまり、アルミニウムに固定する。そして次に、第１電子チップ１０１を、所望の接触面（つまり第２電子チップ１０２のチップ金属接触部１０６）の上で整合する。次に、この第１電子チップ１０１を、再び、温度が６６０℃以上の水素雰囲気において急速熱処理プロセスを用いて加熱、再冷却する。その結果、各第２端部１０８は、第２電子チップ１０２の外部チップ金属接触部１０６のアルミニウムにしっかりと結合される。つまり、アルミニウムに固定される。
【００６２】
この急速熱処理プロセスを用いて、カーボンナノチューブ１０５の各端部１０７・１０８を、具体的には外部チップ金属接触部１０３・１０６にはんだ付けする。
【００６３】
図３は、カーボンナノチューブ１０５の第１端部１０７と第１電子チップ１０１のチップ金属接触部１０３とのはんだ付けを行った後の、チップ構造体１００の状態を示している。同一の素子には同じ参照符号を用いている。
【００６４】
言い換えると、カーボンナノチューブ１０５が成長した後で、チップ構造体１００を、短時間の間、チップ金属接触部１０３・１０６の材料の共融温度以上に加熱することによって、このはんだ付けを行う。これにより、カーボンナノチューブ１０５をチップ金属接触部１０３・１０６の材料に埋め込むことができる。このことを、カーボンナノチューブ１０５の他の端部１０８を、第２電子チップ１０２のチップ金属接触部１０６に埋め込むのと同様に行う。
【００６５】
カーボンナノチューブ１０５の端部１０７・１０８をチップ金属接触部１０３に埋め込むための材料として、アルミニウムまたは他の任意の金属または金属合金（例えばＰｂ４０ＳＮ６０、ＰＢ９５Ｓｎ５、または、他の任意の共融合金）が用いられる。これにより、カーボンナノチューブ１０５を接触することができる。
【００６６】
図４は、カーボンナノチューブ１０５の第２端部１０８が第２電子チップ１０２の外部チップ金属接触部１０６にすでに埋め込まれている（つまりこれにはんだ付けされている）状態における、チップ構造体１００を示している。
【００６７】
なお、本明細書では、これらの２つのはんだ付け工程を共通の急速熱処理工程（つまりはんだ付け工程）に統合してもよい。
【００６８】
図５は、本発明の第２実施例にしたがった電子チップ構造体５００を示している。
【００６９】
第１電子チップ５０１が、第２実施例にしたがってテストチップ５０１として形成されており、テストされる他の電子チップをテストするために用いられる。また、この実施例にしたがって、テストされるチップ５０２を示す。
【００７０】
テストチップ５０１には、集積された試験回路（図示せず）、および、少なくとも１つの外部チップ金属接触部５０３（基本的には任意の数のチップ金属接触部５０３）が備えられている。これらの接触部に、上述の方法にしたがって、触媒層５０４の表面に成長したカーボンナノチューブ５０５の第１端部５０７がはんだ付けされている。テストチップ５０１に集積された試験回路は、テストされる電子チップ５０２の予め与えられた目標機能（Soll-Funktionalitaet）を点検できるように、設計されている。
【００７１】
第２端部５０８は、この実施例にしたがって、テストされる電子チップ５０２の外部チップ金属接触部５０６にしっかりとはんだ付けされていないが、単にテスト目的のために、テストされるチップ５０２の外部チップ接触部５０６に機械的に接触しており、つまり電気的に接触している。これにより、テストルーチンを、テストされる電子チップ５０２をテストするために実施することができる。
【００７２】
図６は、正方形の外部チップ金属接触部とカーボンナノチューブとを複数有する、電子チップ６００の平面図の走査型電子顕微鏡像を示している。上記カーボンナノチューブは、上記外部チップ金属接触部に形成されており、（図６から）明らかに各チップ金属接触部にカーボンナノチューブからなる「芝生状の一群」(Cluster-Rasen)を形成している。
【００７３】
この明細書は、以下の文献から引用されている。
[１] ＥＰ １ ０８７ ４１３ Ａ２
[２] ＵＳ ５,８０５,４２６
[３] ＥＰ１ ０９６ ５３３ Ａ１
[４] ＵＳ６,０２０,７４７
[５] ＵＳ６,３４０,８２２ Ｂ１
【図面の簡単な説明】
【００７４】
【図１】製造方法の第１時点における、本発明の第１実施例にしたがった電子チップ構造体を示す図である。
【図２】従来技術にしたがった電子チップ構造体を示す図である。
【図３】製造方法の第２時点における、本発明の第１実施例にしたがった電子チップ構造体を示す図である。
【図４】製造方法の第３時点における、本発明の第１実施例にしたがった電子チップ構造体を示す図である。
【図５】本発明の第２実施例にしたがった電子チップ構造体を示す図である。
【図６】外部チップ接触部にカーボンナノチューブが成長した、本発明に基づく電子チップの平面図の走査型電子顕微鏡イメージを示す図である。
【符号の説明】
【００７５】
１００ チップ構造体
１０１ 第１電子チップ
１０２ 第２電子チップ
１０３ 第１電子チップの外部チップ金属接触部
１０４ 触媒層
１０５ カーボンナノチューブ
１０６ 第２電子チップの外部チップ金属接触部
１０７ カーボンナノチューブの第１端部
１０８ カーボンナノチューブの第２端部
２００ チップ構造体
２０１ 第１電子チップ
２０２ 第２電子チップ
２０３ 基板
２０４ 抵抗器
２０５ キャパシタ
２０６ 誘電子
２０７ 集積回路
２０８ 第１電子チップの外部チップ金属接触部
２０９ 第２電子チップの外部のチップ金属接触部
２１０ 金属接続材
５００ チップ構造体
５０１ テストチップ
５０２ テストされるチップ
５０３ テストチップの外部チップ金属接触部
５０４ 触媒層
５０５ カーボンナノチューブ
５０６ テストされるチップの外部チップ金属接触部
５０７ カーボンナノチューブの第１端部
５０８ カーボンナノチューブの第２端部
６００ 電子チップ

Claims (18)

  1. 複数の外部チップ接触部を有する電子チップであって、
    上記電子チップと、複数の外部チップ接触部を有する他の電子チップとを接触させるために、上記外部チップ接触部のうちの少なくとも２つに、複数のナノチューブがそれぞれ形成されており、
    それぞれ１つの外部チップ接触部の複数のナノチューブと、他の電子チップにおいて対応する外部チップ接触部との間で接触可能である、電子チップ。
  2. 上記複数のナノチューブは、複数のカーボンナノチューブである、請求項１に記載の電子チップ。
  3. 上記外部チップ接触部が、チップ接触層、および、当該外部チップ接触部に形成された触媒層を備え、
    上記触媒層の材料には、ナノチューブの成長に関して触媒作用がある、請求項１または２に記載の電子チップ。
  4. 上記チップ接触部には、以下の金属
    アルミニウム、および／または
    銅
    のうちの少なくとも１つが含まれている、請求項１〜３のいずれか１項に記載の電子チップ。
  5. 上記触媒層には、以下の金属
    ニッケル、および／または
    コバルト、および／または
    鉄
    のうちの少なくとも１つが含まれている、請求項３または４に記載の電子チップ。
  6. 上記ナノチューブが、上記外部チップ接触部にはんだ付けされている、請求項１〜５のいずれか１項に記載の電子チップ。
  7. 上記ナノチューブが、外部チップ接触部と電気化学的に結合している、請求項１〜５のいずれか１項に記載の電子チップ。
  8. 上記電子チップが、テストチップとして設計されている、請求項１〜７のいずれか１項に記載の電子チップ。
  9. 上記テストチップは、集積試験回路を有する、請求項８に記載の電子チップ。
  10. 第１電子チップおよび第２電子チップを備えた電子チップ構造体であって、
    上記第１電子チップは、複数の外部チップ接触部を有し、当該複数の外部チップ接触部には、上記電子チップと第２電子チップとを接触するために、複数のナノチューブが形成されており、
    上記第２電子チップは、複数の外部チップ接触部を有し、当該複数の外部チップ接触部は、上記第１電子チップの外部チップ接触部に形成されたナノチューブに接触可能であり、
    第１電子チップの外部チップ接触部それぞれのナノチューブが、第２外部チップ接触部の外部チップ接触部に正確に接触されている、電子チップ構造体。
  11. 上記複数のナノチューブは複数のカーボンナノチューブである、請求項１０に記載の電子チップ構造体。
  12. 上記第１電子チップの外部チップ接触部が、チップ接触層および当該チップ接触層に形成された触媒層を備えており、
    上記触媒層の材料には、ナノチューブの成長に関して触媒作用がある、請求項１０または１１に記載の電子チップ構造体。
  13. 上記第１電子チップのチップ接触部、および／または、第２電子チップのチップ接触部には、以下の金属
    アルミニウム、および／または
    銅
    のうちの少なくとも１つが含まれている、請求項１０〜１２のいずれか１項に記載の電子チップ構造体。
  14. 上記触媒層には、以下の金属
    ニッケル、および／または
    コバルト、および／または
    鉄
    のうちの少なくとも１つが含まれている、請求項１２または１３に記載の電子チップ構造体。
  15. 上記ナノチューブが、第１電子チップの外部チップ接触部、および／または、第２電子チップのチップ接触部にはんだ付けされている、請求項１０〜１４のいずれか１項に記載の電子チップ構造体。
  16. 上記ナノチューブが、第１電子チップの外部チップ接触部、および／または、第２電子チップのチップ接触部に、電気化学的に結合している、請求項１０〜１４のいずれか１項に記載の電子チップ構造体。
  17. 上記第１電子チップがテストチップとして設計されている、請求項８〜１６のいずれか１項に記載の電子チップ構造体。
  18. 上記テストチップが、集積試験回路を備えている、請求項１７に記載の電子チップ構造体。
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