DE10127351A1 - Elektronischer Chip und elektronische Chip-Anordnung - Google Patents

Elektronischer Chip und elektronische Chip-Anordnung

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DE10127351A1
DE10127351A1 DE10127351A DE10127351A DE10127351A1 DE 10127351 A1 DE10127351 A1 DE 10127351A1 DE 10127351 A DE10127351 A DE 10127351A DE 10127351 A DE10127351 A DE 10127351A DE 10127351 A1 DE10127351 A1 DE 10127351A1
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Franz Kreupl
Werner Simbuerger
Wolfgang Hoenlein
Helmut Klose
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Infineon Technologies AG
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Abstract

Auf mindestens einem externen Chip-Metallkontakt des elektronischen Chips ist eine Vielzahl von Nanoröhren aufgebracht zum Kontaktieren des elektronischen Chips mit einem weiteren elektronischen Chip.

Description

Die Erfindung betrifft einen elektronischen Chip sowie eine elektronische Chip-Anordnung.
Zum mechanischen und elektrischen Kontaktieren zweier fertig prozessierter elektronischer Chips miteinander oder eines prozessierten Chips mit einer Umgebungseinheit ist es bekannt, die vertikale Verbindung zwischen zwei elektronischen Chips über jeweils einen externen Chip- Metallkontakt der beiden jeweiligen miteinander zu kontaktierenden elektronischen Chips sowie über eine Lotverbindung zu kontaktieren.
Fig. 2 zeigt eine solche bekannte Chip-Anordnung 200.
Die Chip-Anordnung 200 weist einen ersten elektronischen Chip 201 sowie einen zweiten elektronischen Chip 202 auf, wobei der erste Chip 201 und der zweite Chip 202 miteinander elektrisch zu kontaktieren sind.
Der erste Chip 201 weist in einer auf einem Substrat 203 aufgebrachten Schichtenfolge mehrere elektrische Bauelemente, einen elektrischen Widerstand 204, eine Kapazität 205 und eine Induktivität 206 auf, die als elektrische Schaltung 207 in den ersten elektronischen Chip 201 integriert sind.
Weiterhin weist der erste Chip einen ersten externen Chip- Metallkontakt 208 auf, über den der erste elektronische Chip 201 mit dem zweiten elektronischen Chip 202 elektronisch gekoppelt werden ist.
Der zweite Chip 202 weist ebenfalls eine elektrische Schaltung auf (nicht dargestellt), die in dem zweiten Chip 202 integriert ist. Weiterhin ist in dem zweiten Chip 202 ein zweiter externer Chip-Metallkontakt 209 vorgesehen, der zur elektrischen Kontaktierung mit dem ersten elektronischen Chip-Metallkontakt 208 des ersten elektronischen Chips 201 dient.
Zwischen die beiden externen Chip-Metallkontakte 208, 209 ist zur elektronischen Kopplung der beiden Chip-Metallkontakte 208, 209 Lotmaterial 210, üblicherweise eine elektrisch leitende Metallverbindung, eingebracht. Mittels des Lotmaterials 210 werden die beiden externen Chip- Metallkontakte 208, 209 gekuppelt, vorzugsweise, indem die Chip-Metallkontakte 208, 209 mit dem Lotmaterial 210 verlötet werden.
Zum Kontaktieren zweier fertig prozessierter elektronischer Chips sind unterschiedliche Verfahren bekannt, wie beispielsweise das Ball Grid Array-Verfahren (BGA), das Flip- Chip-Verfahren (FC), das Chip-Scale-Packaging-Verfahren (FSC), das Plastic-Dual-In-line-Packages-Verfahren (PDIP), das Quad Flat Packs-Verfahren (QFP) oder auch das Small- Outline ICs-Verfahren (SOICs).
Diesen Verfahren ist gemeinsam, dass zum Kontaktieren die externen Chip-Metallkontakte miteinander verlötet oder mittels Bonddrähten, jedenfalls mittels Metallverbindungen kontaktiert werden.
Für den Fall, dass ein elektronischer Chip als Test-Chip ausgestaltet ist zum Testen der korrekten Funktionsweise einer Vielzahl weiterer Chips, ist es erforderlich, einen externen Chip-Metallkontakt des Test-Chips mit jeweils einem Test-Anschluss, welcher ebenfalls einen Chip-Metallkontakt aufweist, des jeweils zu testenden elektronischen Chips zu koppeln. Dies erfolgt üblicherweise unter Verwendung sogenannter Nadelkarten, d. h. anschaulich mittels nadelartiger Metallkontakte.
Die bekannte Kopplung zweier elektronischer Chips unter Verwendung von Metallschichten oder Bonddrähten, allgemein unter Verwendung von Metallelementen, weist mehrere Nachteile auf.
Insbesondere bei einer Hochfrequenz-Anwendung ist die begrenzte Stromtragfähigkeit des Verbindungsmaterials von Nachteil, da sie eine sehr starke Erwärmung und einen nicht zu vernachlässigenden elektronischen Widerstand der Chip- Kopplung zur Folge hat.
Ferner können in der Kopplung selbst aufgrund der erheblichen mechanischen Belastung Risse, allgemein Beschädigungen in der Metallverbindung, auftreten, die zu einer verschlechterten elektronischen Kontaktierung bis hin zu einer nicht mehr bestehenden elektronischen Kontaktierung führen können.
Somit liegt der Erfindung das Problem zugrunde, einen elektronischen Chip über einen externen elektronischen Chip- Kontakt mit einem weiteren Chip elektronisch leitend zu koppeln, wobei die Kopplung weniger störanfällig ausgestaltet ist.
Das Problem wird durch den elektronischen Chip sowie durch die elektronische Chip-Anordnung mit den Merkmalen gemäß den unabhängigen Patentansprüchen gelöst.
Ein elektronischer Chip weist mindestens einen externen Chip- Kontakt auf, vorzugsweise einen Chip-Metallkontakt, auf dem eine Vielzahl von Nanoröhren aufgebracht sind zum Kontaktieren des elektronischen Chips mit einem weiteren elektronischen Chip.
Erfindungsgemäß ist unter einem elektronischen Chip ein üblicherweise fertig prozessierter elektronischer Chip zu verstehen.
Fertig prozessiert bedeutet in diesem Zusammenhang, dass alle Prozessschritte für die Herstellung von in den Chip integrierten elektrischen Schaltungen abgeschlossen sind und lediglich eventuelle Verpackungsschritte (Packaging- Verfahrensschritte) mit dem entsprechenden Anbringen von Gehäuse noch nicht durchgeführt worden sind.
In diesem Zusammenhang ist unter einem externen Chip-Kontakt ein nach dem Fertigstellen des Chips noch bestehender elektrischer Kontakt des Chips zur chip-äußeren Ansteuerung, d. h. durch eine Ansteuerung oder einen Signalaustausch von einem sich in der Umgebung des Chips befindlichen Elements, beispielsweise mit einem weiteren Chip, zu verstehen.
Eine elektronische Chip-Anordnung weist einen ersten elektronischen Chip sowie einen zweiten elektronischen Chip auf. Der erste elektronische Chip weist mindestens einen externen Chip-Kontakt auf, auf dem eine Vielzahl von Nanoröhren aufgebracht ist zum Kontaktieren des elektronischen ersten Chips mit dem zweiten elektronischen Chip. Der zweite elektronische Chip weist ebenfalls mindestens einen externen Chip-Kontakt auf, welcher mit den auf dem ersten Chip-Kontakt des ersten elektronischen Chips aufgebrachten Nanoröhren elektrisch und mechanisch kontaktierbar ist.
Anschaulich kann die Erfindung darin gesehen werden, dass Nanoröhren, vorzugsweise Kohlenstoff-Nanoröhren, dazu verwendet werden, zwei schon fertig prozessierte elektronische Chips miteinander über externe Chip-Kontakte elektrisch zu verbinden.
Im Vergleich zur Verwendung von Lotmaterial zum Verbinden zweiter elektronischer Chips weist die erfindungsgemäße Verwendung von Nanoröhren insbesondere den Vorteil auf, dass die verwendeten Nanoröhren biegsam sind und dass somit eine stabilere Kopplung sowohl hinsichtlich der mechanischen Stabilität als auch hinsichtlich der Verlässlichkeit der elektronischen Kopplung zwischen den externen Chip-Kontakten erreicht wird. Dies ist insbesondere darauf zurückzuführen, dass das Elastizitätsmodul bei ungefähr einem TPa liegt.
Ferner ist in diesem Zusammenhang auf die Robustheit der verwendeten Nanoröhren hinzuweisen, was zu einer erheblich verbesserten Stabilität der Kopplung zwischen den externen Chip-Kontakten der miteinander zu kontaktierenden elektronischen Chips führt.
Weiterhin ist ein Vorteil der erfindungsgemäßen Kopplung zwischen den elektronischen Chips darin zu sehen, dass die Nanoröhren chemisch inert sind.
Üblicherweise werden Kohlenstoff-Nanoröhren verwendet, wobei die Stromtragfähigkeit insbesondere der elektrisch leitfähigen Kohlenstoff-Nanoröhren, bis um den Faktor 1000 größer ist als beispielsweise die Stromtragfähigkeit von Kupfer als üblicherweise für die Verbindung zwischen zwei elektronischen Chips verwendetes Metall.
Ein weiterer Vorteil ist in der Wärmeleitfähigkeit der Nanoröhren zu sehen, die bei ungefähr 6000 Watt/mK liegt, wohingegen die Wärmeleitfähigkeit von Kupfer etwa 400 Watt/mK beträgt.
Weiterhin ist darauf hinzuweisen, dass es bei einer festen Metallverbindung zwischen den elektronischen Chips häufig aufgrund der unterschiedlichen thermischen Ausdehnungskoeffizienten zu erheblichen mechanischen Spannungen in dem Lotmaterial kommt, die bei wiederholten unterschiedlichen thermischen Belastungen zu einer Zerstörung des Bauelements bzw. der externen Chip-Kontakte und/oder der Metallkopplung führen können.
Dieses Problem ist insbesondere bei Hochfrequenz-Anwendungen von Bedeutung, d. h. bei Hochfrequenz-Chips, da diese üblicherweise einen besonders hohen Stromverbrauch während ihres Betriebs haben, was zu einer starken Erwärmung der elektronischen Chips führt.
Der Einsatz von Nanoröhren, insbesondere von Kohlenstoff- Nanoröhren, reduziert die oben beschriebene Problematik in zweifacher Hinsicht. Einerseits wird durch die hohe thermische Leitfähigkeit der Nanoröhren die Wärme schnell an die Umgebung abgeführt, andererseits können über die seitlich leicht bewegbaren und dennoch in sich stabilen Nanoröhren in der Kopplung auftretende Scherkräfte abgebaut werden, ohne dass die Nanoröhren selbst zerstört werden.
Bevorzugte Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den abhängigen Ansprüchen.
Die Nanoröhren können als Kohlenstoff-Nanoröhren ausgestaltet sein, in diesem Zusammenhang insbesondere als elektrisch leitende oder elektrisch halbleitende Kohlenstoff-Nanoröhren. Der Chip-Kontakt, der vorzugsweise aus Metall besteht und somit im weiteren auch als Chip-Metallkontakt bezeichnet wird, kann als eine Schichtenfolge insbesondere zweier Schichten, einer Chip-Metallkontaktschicht und einer darauf aufgebrachten Katalysatorschicht, bestehen. Die Katalysatorschicht weist Material auf, welches hinsichtlich des Aufwachsens von Nanoröhren, vorzugsweise hinsichtlich des Aufwachsens von Kohlenstoff-Nanoröhren, katalytisch wirkt. In diesem Zusammenhang ist unter einer Katalysatorschicht auch eine Ansammlung einzelner Material-Cluster aus dem jeweiligen Katalysator-Material zu verstehen, d. h. anders ausgedrückt, die Katalysatorschicht muss nicht unbedingt aus einer zusammenhängenden Schicht aus Katalysatormaterial bestehen.
In diesem Zusammenhang ist darauf hinzuweisen, dass auch die Chip-Metallkontaktschicht selbst aus einem Metall bestehen kann, das hinsichtlich des Aufwachsens der Nanoröhren katalytisch wirkt.
Durch die Verwendung von Katalysatormaterial wird das Aufwachsen der Nanoröhren erheblich vereinfacht und beschleunigt.
Der Chip-Metallkontakt, insbesondere die Chip- Metallkontaktschicht, kann aus einem beliebigen Metall, vorzugsweise aus Aluminium und/oder Kupfer oder aus einer beliebigen Metalllegierung, vorzugsweise aus einer Metalllegierung der beiden oben genannten Metalle gefertigt sein.
Als Katalysatormaterial kann Nickel, Kobalt oder Eisen oder eine Mischung der genannten Materialien verwendet werden.
Gemäß einer Weiterbildung der Erfindung ist es vorgesehen, dass die Nanoröhren mit dem externen Chip-Metallkontakt verlötet sind, um den mechanischen Kontakt, d. h. die mechanische Kupplung, zwischen dem externen Chip-Kontakt und einem Ende einer jeweiligen Nanoröhre weiter zu festigen, wodurch die mechanische Stabilität der Chip-Verbindung weiter erhöht wird.
Der elektronische Chip ist gemäß einer Ausgestaltung der Erfindung als Test-Chip ausgestaltet, d. h. als ein Chip, mit dem eine vorgegebene Funktionsweise weiterer elektronischer Chips getestet werden kann. In diesem Fall dienen die Nanoröhren anschaulich als Ersatz für die übliche Nadelkarte zum Kontaktieren des jeweils zu testenden Chips.
Der Test-Chip kann eine integrierte Test-Schaltung aufweisen, wodurch die Verlässlichkeit der verarbeiteten elektrischen Signale weiter erhöht wird.
Für den Fall, dass der erste elektronische Chip nicht als Test-Chip ausgestaltet ist und die elektronische Chip- Anordnung zwei miteinander dauerhaft zu kontaktierende elektronische Chips aufweist, können die Nanoröhren an ihren beiden jeweiligen Enden jeweils mit dem Metall der jeweiligen externen Chip-Kontakte verlötet sein, wodurch die mechanische und damit auch die elektronische Stabilität weiter erhöht wird.
Allgemein kann die Erfindung auf eine beliebige Anzahl miteinander zu kontaktierender elektronischer Chips angewendet werden.
Die Erfindung eignet sich insbesondere zum Einsatz in einer HF-Anwendung, d. h. bei Hochfrequenz-Bauelementen bzw. in einem Hochfrequenz-Chip.
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Figuren dargestellt und werden im Weiteren näher erläutert.
Es zeigen:
Fig. 1 eine elektronische Chip-Anordnung gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der Erfindung zu einem ersten Zeitpunkt des Herstellungsverfahrens;
Fig. 2 eine elektronische Chip-Anordnung gemäß dem Stand der Technik;
Fig. 3 eine elektronische Chip-Anordnung gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel der Erfindung zu einem zweiten Zeitpunkt des Herstellungsverfahrens;
Fig. 4 eine elektronische Chip-Anordnung gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel der Erfindung zu einem dritten Zeitpunkt des Herstellungsverfahrens;
Fig. 5 eine elektronische Chip-Anordnung gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel der Erfindung; und
Fig. 6 eine Rasterelektronenmikroskop-Aufnahme einer Draufsicht eines erfindungsgemäßen elektronischen Chips, bei dem auf externen Chip-Kontakten Kohlenstoff-Nanoröhren aufgewachsen sind.
Fig. 1 zeigt eine Chip-Anordnung 100 gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der Erfindung zu einem ersten Zeitpunkt während ihrer Herstellung.
Die Chip-Anordnung 100 weist einen ersten elektronischen Chip 101 und einen zweiten elektronischen Chip 102 auf, die miteinander mechanisch und elektronisch zu kontaktieren sind.
Der erste elektronische Chip 101 und der zweite elektronische Chip 102 weisen jeweils eine integrierte elektronische Schaltung auf, die jedoch aus Gründen der vereinfachten Erläuterung der Erfindung nicht dargestellt sind.
Auf dem ersten elektronischen Chip 101 ist auf einem Kontaktpad, d. h. auf einem externen Chip-Metallkontakt 103 aus Aluminium mittels eines Lift-Off-Verfahrens eine Katalysator-Schicht 104 aus Eisen aufgebracht, wobei gemäß diesem Ausführungsbeispiel die Katalysatorschicht 104 aus einer Mehrzahl nebeneinander angeordneter Metallpartikel, insbesondere Metall-Clustern aus Eisen, besteht.
Alternativ kann anstelle des nachfolgend aufgebrachten Katalysators der externe Chip-Metallkontakt 103 unmittelbar gemeinsam mit dem Katalysator-Material auf den an sich fertig prozessierten elektronischen Chip 101 aufgebracht werden.
Die Katalysator-Schicht 104 weist eine Dicke von ungefähr 5 nm bis 10 nm auf.
Anschließend werden unter Verwendung eines CVD-Prozesses oder eines plasma-unterstützten CVD-Prozesses (PECVD), gemäß diesem Ausführungsbeispiel unter Verwendung von Acetylen (C2H2) bei einer Temperatur von 600°C und einem Druck von 10 Torr für eine Dauer von 30 Minuten Kohlenstoff-Nanoröhren 105 bis zu einer beliebigen Höhe, gemäß diesem Ausführungsbeispiels bis zu einer Höhe von ungefähr 100 µm bis 500 µm, aufgewachsen.
Der externe Chip-Metallkontakt 103 weist gemäß diesem Ausführungsbeispiel eine rechteckförmige Form auf mit einer Seitenlänge von jeweils 50 µm bis 100 µm.
In einem weiteren Schritt werden die Kohlenstoff-Nanoröhren 105 und somit der Chip-Metallkontakt 103 des ersten elektronischen Chips 101 mit einem Chip-Metallkontakt 106 des zweiten elektronischen Chips 102 in örtliche Übereinstimmung und in mechanischen Kontakt gebracht, d. h. es erfolgt eine Justierung der Kohlenstoff-Nanoröhren 105 mit dem Chip- Metallkontakt 106 des zweiten elektronischen Chips 102.
Anschließend werden die Kohlenstoff-Nanoröhren 105 in dem Aluminium der Metallkontaktschicht 103, d. h. des externen Chip-Kontakts 103, eingebettet, indem die Chip-Anordnung 100 mittels eines Kurzzeittemper-Verfahrens in einer Wasserstoffumgebung bei über 660°C erhitzt und anschließend wieder abgekühlt wird.
Auf diese Weise werden die Kohlenstoff-Nanoröhren 105 an einem jeweiligen ersten Ende 107 fest mit dem Aluminium des externen Chip-Metallkontakts 103 des ersten elektronischen Chips 101 verbunden, d. h. in dem Aluminium befestigt, und anschließend wird der erste elektronische Chip 101 über der gewünschten Kontaktfläche, d. h. dem Chip-Metallkontakt 106 des zweiten elektronischen Chips 102, justiert und anschließend wiederum mittels eines Kurzzeittemper-Verfahrens in einer Wasserstoffumgebung bei einer Temperatur von über 660°C erhitzt und wieder abgekühlt, so dass die jeweiligen zweiten Enden 108 fest mit dem Aluminium des externen Chip- Metallkontakts 106 des zweiten elektronischen Chips 102 verbunden, d. h. in dem Aluminium befestigt sind.
Mittels der Kurzzeittemper-Verfahren werden die jeweiligen Enden 107, 108 der Kohlenstoff-Nanoröhren 105 anschaulich mit den externen Chip-Metallkontakten 103, 106, verlötet.
Fig. 3 zeigt bei Verwendung von gleichen Bezugszeichen für identische Elemente den Zustand der Chip-Anordnung 100 nach erfolgtem Verlöten der ersten Enden 107 der Kohlenstoff- Nanoröhren 105 mit dem Chip-Metallkontakt 103 des ersten elektronischen Chips 101.
Anders ausgedrückt, erfolgt das Verlöten, indem nach dem Aufwachsen der Kohlenstoff-Nanoröhren 105 die Chip-Anordnung 100 für eine kurze Zeitdauer über die eutektische Temperatur des Materials der Chip-Metallkontakte 103, 106, gebracht wird, um somit die Kohlenstoff-Nanoröhren 105 in das Material der Chip-Metallkontakte 103, 106 einzubetten. Dies erfolgt in gleicher Weise für die Einbettung der weiteren Enden 108 der Kohlenstoff-Nanoröhren 105 in die Chip-Metallkontakte 106 des zweiten elektronischen Chips 102.
Als Material für die Einbettung der Enden 107, 108 der Kohlenstoff-Nanoröhren 105 in die Chip-Metallkontakte 103, 106 kann Aluminium oder ein beliebiges anderes Metall oder Metallgemisch, wie beispielsweise Pb40Sn60, Pb95Sn5 oder ein beliebiges anderes eutektisches Gemisch verwendet werden, um die Kohlenstoff-Nanoröhren 105 zu kontaktieren.
Fig. 4 zeigt die Chip-Anordnung 100 in dem Zustand, in dem die zweiten Enden 108 der Kohlenstoff-Nanoröhren 105 schon in den externen Chip-Metallkontakt 106 des zweiten elektronischen Chips 102 eingebettet, d. h. mit diesem verlötet sind.
Es ist in diesem Zusammenhang darauf hinzuweisen, dass die beiden Lötschritte auch zu einem gemeinsamen Kurzzeittemperschritt, d. h. zu einem Lötschritt, zusammengefasst werden können.
Fig. 5 zeigt eine elektronische Chip-Anordnung 500 gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel der Erfindung.
Ein erster elektronischer Chip 501 ist gemäß dem zweiten Ausführungsbeispiel als Test-Chip 501 ausgestaltet und dient zum Testen zu testender weiterer elektronischer Chips, gemäß diesem Ausführungsbeispiels dargestellt anhand eines zu testenden Chips 502.
Der Test-Chip 501 weist eine in ihm integrierte Test- Schaltung auf (nicht dargestellt) sowie mindestens einen externen Chip-Metallkontakt 503, grundsätzlich eine beliebige Anzahl von Chip-Metallkontakten 503, die gemäß dem oben beschriebenen Verfahren mit den ersten Enden 507 von auf der Katalysatorschicht 504 aufgewachsen Kohlenstoff-Nanoröhren 505 verlötet sind. Die in dem Test-Chip 501 integrierte Test- Schaltung ist derart eingerichtet, dass mit ihr eine vorgegebene Soll-Funktionalität des zu testenden elektronischen Chips 502 überprüft werden kann.
Die zweiten Enden 508 sind gemäß diesem Ausführungsbeispiel nicht fest mit dem externen Chip-Metallkontakt 506 des zu testenden elektronischen Chips 502 verlötet, sondern sie werden für Testzwecke lediglich mit dem externen Chip-Kontakt 506 des zu testenden Chips 502 in mechanischem und damit elektrischen Kontakt gebracht, um somit die jeweilige Testroutine zum Testen des zu testenden elektronischen Chips 502 durchzuführen.
Fig. 6 zeigt eine Aufnahme eines Rasterelektronenmikroskops einer Draufsicht auf einen elektronischen Chip 600 mit einer Mehrzahl quadratischer externen Chip-Metallkontakten und darauf aufgebrachten Kohlenstoff-Nanoröhren, die anschaulich einen Cluster-Rasen aus Kohlenstoff-Nanoröhren auf dem jeweiligen Chip-Metallkontakt bilden.
Bezugszeichenliste
100
Chip-Anordnung
101
Erster elektronischer Chip
102
Zweiter elektronischer Chip
103
Externer Chip-Metallkontakt erster elektronischer Chip
104
Katalysatorschicht
105
Kohlenstoff-Nanoröhre
106
Externer Chip-Metallkontakt zweiter elektronischer Chip
107
Erstes Ende Kohlenstoff-Nanoröhre
108
Zweites Ende Kohlenstoff-Nanoröhre
200
Chip-Anordnung
201
Erster elektronischer Chip
202
Zweiter elektronischer Chip
203
Substrat
204
Widerstand
205
Kapazität
206
Induktivität
207
Integrierte Schaltung
208
Externer Chip-Metallkontakt erster elektronischer Chip
209
Externer Chip-Metallkontakt zweiter elektronischer Chip
210
Metallverbindung
500
Chip-Anordnung
501
Test-Chip
502
Zu testender Chip
503
Externer Chip-Metallkontakt Test-Chip
504
Katalysatorschicht
505
Kohlenstoff-Nanoröhre
506
Externer Chip-Metallkontakt zu testender Chip
507
Erstes Ende Kohlenstoff-Nanoröhre
508
Zweites Ende Kohlenstoff-Nanoröhre
600
Elektronischer Chip

Claims (16)

1. Elektronischer Chip mit mindestens einem externen Chip- Kontakt, bei dem auf dem mindestens einen externen Chip-Kontakt eine Vielzahl von Nanoröhren aufgebracht sind zum Kontaktieren des elektronischen Chips mit einem weiteren elektronischen Chip.
2. Elektronischer Chip nach Anspruch 1, bei dem die Vielzahl von Nanoröhren eine Vielzahl von Kohlenstoff-Nanoröhren sind.
3. Elektronischer Chip nach Anspruch 1 oder 2, bei dem der externe Chip-Kontakt eine Chip-Kontaktschicht und eine darauf aufgebrachte Katalysatorschicht aufweist, wobei das Material der Katalysatorschicht hinsichtlich des Wachsens der Nanoröhren katalytisch wirkt.
4. Elektronischer Chip nach einem der Ansprüche 1 bis 3, bei dem der Chip-Kontakt zumindest eines der folgenden Metalle aufweist:
  • - Aluminium, und/oder
  • - Kupfer.
5. Elektronischer Chip nach Anspruch 3 oder 4, bei dem die Katalysatorschicht zumindest eines der folgenden Metalle aufweist:
  • - Nickel, und/oder
  • - Kobalt, und/oder
  • - Eisen.
6. Elektronischer Chip nach einem der Ansprüche 1 bis 5, bei dem die Nanoröhren mit dem externen Chip-Kontakt verlötet sind.
7. Elektronischer Chip nach einem der Ansprüche 1 bis 6, bei dem der elektronische Chip als Test-Chip ausgestaltet ist.
8. Elektronischer Chip nach Anspruch 7, bei dem der Test-Chip eine integrierte Testschaltung aufweist.
9. Elektronische Chip-Anordnung mit einem ersten elektronischen Chip und einem zweiten elektronischen Chip,
bei dem der erste elektronische Chip mindestens einen externen Chip-Kontakt aufweist, auf dem eine Vielzahl von Nanoröhren aufgebracht sind zum Kontaktieren des elektronischen Chips mit dem zweiten elektronischen Chip, und
bei dem der zweite elektronische Chip mindestens einen externen Chip-Kontakt aufweist, der mit den auf dem externen Chip-Kontakt des ersten elektronischen Chips aufgebrachten Nanoröhren kontaktierbar ist.
10. Elektronische Chip-Anordnung nach Anspruch 9, bei dem die Vielzahl von Nanoröhren eine Vielzahl von Kohlenstoff-Nanoröhren sind.
11. Elektronische Chip-Anordnung nach Anspruch 9 oder 10, bei dem der externe Chip-Kontakt des ersten elektronischen Chips eine Chip-Kontaktschicht und eine darauf aufgebrachte Katalysatorschicht aufweist, wobei das Material der Katalysatorschicht hinsichtlich des Wachsens der Nanoröhren katalytisch wirkt.
12. Elektronische Chip-Anordnung nach einem der Ansprüche 9 bis 11, bei dem der Chip-Kontakt des ersten elektronischen Chips und/oder der Chip-Kontakt des zweiten elektronischen Chips zumindest eines der folgenden Metalle aufweist:
  • - Aluminium, und/oder
  • - Kupfer.
13. Elektronische Chip-Anordnung nach Anspruch 11 oder 12, bei dem die Katalysatorschicht zumindest eines der folgenden Metalle aufweist:
  • - Nickel, und/oder
  • - Kobalt, und/oder
  • - Eisen.
14. Elektronische Chip-Anordnung nach einem der Ansprüche 9 bis 13, bei dem die Nanoröhren mit dem externen Chip-Kontakt des ersten elektronischen Chips und/oder mit dem Chip-Kontakt des zweiten elektronischen Chips verlötet sind.
15. Elektronische Chip-Anordnung nach einem der Ansprüche 7 bis 14, bei dem der erste elektronische Chip als Test-Chip ausgestaltet ist.
16. Elektronische Chip-Anordnung nach Anspruch 15, bei dem der Test-Chip eine integrierte Testschaltung aufweist.
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