JP5292772B2 - 電子部品及びその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、電子部品及びその製造方法に関し、特に、導電性のナノチューブを用いて２枚の基板を電気的に接続した電子部品及びその製造方法に関する。

従来、半導体チップを実装基板に実装する場合、半田等の金属からなる金属バンプにより、実装基板上の導電パッドと半導体チップ上の導電パッドとを、機械的及び電気的に接続していた。

半導体チップの集積度が向上し、導電パッドの微細化が進むと、金属バンプを流れる電流密度が増大する。このため、エレクトロマイグレーションにより、金属バンプを構成している金属原子が移動し易くなる。金属原子の移動は、バンプの断線を引き起こす。例えば、半田バンプを用いる場合、バンプ材料であるＳｎが移動し易い。Ｓｎが移動することによってＳｎ密度の低下した部分が生じると、密度の低下した部分で断線が生じ易くなる。

さらに、半田溶融接合の際に、半導体チップと実装基板が高温になる。実装後、半導体チップ及び実装基板が室温まで低下すると、両者の熱膨張係数の相違によって応力が発生する。通常、実装基板の熱膨張係数は、半導体チップの熱膨張係数の１０倍以上である。このとき、半導体チップ及び実装基板が室温まで低下すると、実装基板がより大きく収縮する。これにより、半導体チップに、面内方向の圧縮応力が印加される。応力が発生すると、機械的に最も弱い部分に破壊が生ずる。例えば、金属バンプ、半導体チップの低誘電率絶縁材料等が破壊されてしまう。なお、実装後の動作時における温度変化によっても、同様の応力が発生する。

下記の特許文献１に、カーボンナノチューブを用いて、実装基板の導電パッドと半導体チップの導電パッドとを接続する技術が開示されている。以下、特許文献１に開示された接続方法について説明する。

半導体チップの導電パッドから、プラズマ化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）によりカーボンナノチューブを成長させる。カーボンナノチューブの根元を、半導体チップの導電パッドに埋め込むとともに、先端を、実装基板の導電パッドに埋め込む。すなわち、カーボンナノチューブの両端が、半導体チップ及び実装基板の導電パッドに半田付けされた状態になる。これにより、カーボンナノチューブを介して、半導体チップが実装基板に機械的及び電気的に接続される。

カーボンナノチューブ１本に流すことができる電流密度は、従来の金属に比べて２〜３桁高いことが知られている。このため、エレクトロマイグレーションによる断線の発生が生じにくくなる。

また、カーボンナノチューブは柔軟性を持つため、実装された半導体チップは、実装基板に対して面内方向に僅かに移動することができる。このため、熱膨張係数の相違に起因する機械的応力による破壊を防止することができる。

特表２００４−５２８７２７号公報

複数の半導体チップを１枚の実装基板に実装する場合、実装後の検査によって一部の半導体チップの動作不良が検出されると、動作不良が検出された半導体チップのみを交換（リペア）する必要がある。例えば、半導体チップ各々の良品率が９９％であっても、１３個の半導体チップを１枚の実装基板に実装した半導体装置の良品率は８８％まで低下してしまう。ところが、金属バンプによる接続方法、及び上記特許文献１に記載されたカーボンナノチューブによる接続方法では、一旦実装した後に初期不良が発見された半導体チップを取り外すことが困難である。

本発明の目的は、実装した半導体チップを実装基板に実装するとともに、初期不良が発見された半導体チップを容易に取り外すことが可能な電子部品及びその製造方法を提供することである。

この電子部品は、
第１の基板と、
前記第１の基板の表面上に形成された第１のパッドと、
前記第１のパッドの表面上に配置された金属膜と、
前記第１の基板における前記第１のパッドが形成された面に対向するように配置された第２の基板と、
前記第２の基板における前記第１のパッドに対向する表面上に形成された第２のパッドと、
一端が前記第２のパッドに接続され、他端が前記金属膜内に埋め込まれた複数の導電性のナノチューブと、
前記金属膜と前記ナノチューブとの界面に配置され、前記ナノチューブの少なくとも１つの構成元素と、前記第１のパッドの少なくとも１つの構成元素とを含む導電性の化合物からなる中間膜と
を有する。

この電子部品の製造方法は、
（ａ）表面上に第１のパッドが形成され、該第１のパッドの表面上に金属膜が配置されている第１の基板を準備する工程と、
（ｂ）表面上に第２のパッドが形成され、該第２のパッドに複数の導電性のナノチューブの一端が固定されている第２の基板を準備する工程と、
（ｃ）前記第１のパッドと前記第２のパッドとが対向するように、前記第１の基板と前記第２の基板とを対向させ、前記ナノチューブの先端を前記金属膜に接触させた状態で、前記第１のパッドは溶融せず、前記金属膜が溶融する条件で、前記第１の基板を加熱することにより、該ナノチューブと、溶融した該金属膜との界面に中間膜を形成する工程と、
（ｄ）溶融している前記金属膜を再固化させる工程と
を有し、
前記工程（ｃ）において、前記第１の基板を加熱することにより、前記金属膜を溶融させ、前記第１のパッド中における金属元素の一部を、溶融した前記金属膜中に溶解させ、溶解した金属元素と前記ナノチューブの構成元素とを反応させて、該ナノチューブと、溶融した該金属膜との界面に中間膜を形成する。

ナノチューブと金属膜との間に形成された中間膜が、両者を強固に固定する。これにより、第１の基板と第２の基板との一方を他方に対して支持することができる。また、第１のパッドと第２のパッドとの間の良好な導通を確保することができる。ナノチューブの先端を金属膜に接触させた状態で、第１のパッドと第２のパッドとの間の導通を確保することができる。この状態で初期動作不良が発見された場合には、第１の基板と第２の基板との一方を他方から容易に取り外すことが可能である。

図１Ａ〜図１Ｄを参照して、第１の実施例による電子部品の製造方法について説明する。

図１Ａに示すように、第１の基板１の表面上に導電性の第１のパッド２が形成されている。図１Ａでは、１つのパッドのみを示しているが、実際には複数のパッドが設けられている。第１のパッド２の各々は、Ａｌで形成され、その平面形状は、正方形または長方形である。

第１のパッド２の上に、例えば錫（Ｓｎ）からなる低融点金属膜３が形成されている。低融点金属膜３は、Ｓｎの微粒子を含むペーストをスクリーン印刷技術を用いて第１のパッド２の上に塗布した後、焼結することにより形成される。低融点金属膜３には、Ｓｎ以外に、例えばＳｎ−３．５Ａｇ半田、Ｓｎ−５７Ｂｉ半田等を用いてもよい。

第２の基板６の表面上に導電性の第２のパッド７が形成されている。第２のパッド７は、第２の基板６を第１の基板１に対向させたときに、第１のパッド２に対応する位置に配置されている。第２のパッド７には、例えばＡｌが用いられる。第２のパッド７に、複数の導電性のナノチューブ８、例えばカーボンナノチューブの各々の一端が固定されている。複数のナノチューブ８は、ファンデルワールス力によって相互に弱く結合し、ナノチューブ束（bundle）を構成する。以下、導電性ナノチューブの形成方法について説明する。

石英ガラス、シリコン基板等の十分な耐熱性を有する成長用基板の表面上に、Ｔｉ膜を形成し、さらにその上にＮｉ膜を形成する。アセチレン等の原料ガスを用いた化学気相成長（ＣＶＤ）により、Ｎｉ膜の表面上にカーボンナノチューブを成長させる。

第２のパッド７の表面に、ＡｇＰｄ等の導電性ペーストを塗布する。導電性ペーストの厚さは、例えば１０μｍ〜２０μｍとする。成長用基板の、カーボンナノチューブが形成された面と、第２の基板６の、第２のパッド７が形成された面とを対向させて、カーボンナノチューブの先端が導電性ペースト内に埋め込まれるまで両者を近づける。この状態で、導電性ペーストを焼結する。これにより、カーボンナノチューブが第２のパッド７の表面に強固に固定される。

カーボンナノチューブの固定後、成長用基板を第２の基板６から引き離す。第２のパッド７の表面に固定されたカーボンナノチューブは、第２の基板６側に残り、他のカーボンナノチューブは、成長用基板側に付着したまま、第２の基板６から取り除かれる。このようにして、成長用基板に形成されたカーボンナノチューブを、第２のパッド７の表面上に転写し、固定することができる。

第１の基板１及び第２の基板６の一方の基板は、例えば電子回路が形成されている半導体チップであり、他方の基板は、半導体チップを実装するための実装基板である。

第１の基板１と第２の基板６とを、パッドが形成されている面同士が対向するように配置し、ナノチューブ８の先端を低融点金属膜３に接触させる。この状態で、第１の基板１を低融点金属膜３の融点よりも高い温度まで加熱する。低融点金属膜３がＳｎで形成されている場合には、熱処理温度を２３０℃以上にすればよい。

図１Ｂに示すように、この熱処理により、低融点金属膜３が溶融して液状の金属膜３ａになる。ナノチューブ８の先端は、溶融した金属膜３ａ内に浸漬された状態になる。

図１Ｃに示すように、第１のパッド２内のＡｌが液状の金属膜３ａ内に溶け出す。溶け出したＡｌは、ナノチューブ８の構成元素である炭素と反応する。これにより、ナノチューブ８と金属膜３ａとの界面に、アルミニウムカーバイド（ＡｌＣ）からなる中間膜９が形成される。十分な厚さの中間膜９を形成するために、熱処理時間は、例えば５分以上とすることが好ましい。

図１Ｄに示すように、第１の基板１を室温まで降温させると、液状の金属膜３ａが再固化して低融点金属膜３ｂが形成される。ナノチューブ８の先端は再固化した低融点金属膜３ｂ内に埋め込まれた状態になる。ナノチューブ８と低融点金属膜３ｂとの界面には、ナノチューブ８の構成元素である炭素と、第１のパッド２の構成元素であるアルミニウムとを含む化合物からなる中間膜９が形成されている。中間膜９により、ナノチューブ８が低融点金属膜３ｂに強固に固着される。これにより、第１のパッド２と第２のパッド７とが電気的に接続される。ナノチューブ８の先端が第１のパッド１の表面に物理的に接触している場合に比べて、安定した導通を確保することができる。また、ナノチューブ８の先端を低融点金属膜３ａ内に埋め込むことにより、第１の基板１及び第２の基板６の一方を他方に対して物理的に支持することができる。

第１の基板１と第２の基板６との熱膨張係数の差に起因して、一方が他方に対して相対的に膨張または縮小すると、ナノチューブ８が容易に弾性変形する。このように、第１の基板１と第２の基板６との相対的な変形による応力が、ナノチューブ８の弾性変形によって吸収される。このため、第１の基板１と第２の基板６との接続部分や、基板自体の破壊を防止することができる。また、基板上に形成された複数のパッドの高さが異なる場合であっても、ナノチューブ８が弾性変形することによって、第１のパッド２と第２のパッド７とを安定して接続することが可能である。

低融点金属膜３を溶融させるときの加熱温度は、低融点金属膜３の融点よりも高く、かつ第１のパッド２、ナノチューブ８、及び中間膜９のいずれの融点よりも低い温度にすればよい。

上記第１の実施例では、第１のパッド２、低融点金属膜３、ナノチューブ８に、それぞれＡｌ、Ｓｎ、及びＣを用いたが、以下の条件を満たすその他の材料を用いてもよい。
・低融点金属膜３の融点が、第１のパッド２及びナノチューブ８のいずれの融点よりも低いこと
・第１のパッド２の少なくとも１つの構成元素が、溶融した低融点金属膜３ａに溶解すること
・低融点金属膜３ａに溶解した構成元素と、ナノチューブ８の少なくとも１つの構成元素とが反応して、低融点金属膜３の融点よりも高い融点を持つ化合物（合金）を形成すること
次に、図２Ａ〜図２Ｆを参照して、第２の実施例による電子部品の製造方法について説明する。

図２Ａに示すように、半導体チップ２０の表面に、Ａｌからなる複数の下層パッド２１が形成されている。半導体チップ２０の表面には、多数のトランジスタや多層配線等を含む電子回路が形成されている。下層パッド２１は、半導体チップ２０に形成された電子回路の電源線、接地線、各種電気信号配線に接続されている。半導体チップ２０の上に、下層パッド２１を覆う絶縁性の保護膜２２が形成されている。保護膜２２に、下層パッド２１の表面を露出させるための開口が形成されている。

保護膜２２に形成された開口の底面に露出した下層パッド２１の上に、チップ側パッド２５が形成されている。チップ側パッド２５は、Ｔｉ膜とＮｉ膜とが順番に積層された２層構造を有する。チップ側パッド２５の表面に、多数の導電性のナノチューブ２６の端部が固定されている。ナノチューブ２６の各々の長さは、例えば約１２０μｍである。

図２Ｂに示すように、ＡｌＮをベースとした実装基板１０の表面に、Ａｌからなる複数の実装基板側パッド１１が形成されている。なお、実装基板１０として、ガラスエポキシ基板等を用いてもよい。図２Ｃに、図２Ｂの一点鎖線２Ｃ−２Ｃにおける平断面図を示す。図２Ｃの一点鎖線２Ｂ−２Ｂにおける断面図が図２Ｂに相当する。実装基板側パッド１１の表面に低融点金属膜１２が形成されている。実装基板１０は、半導体チップ２０よりも大きい平面形状を有する。

実装基板側パッド１１、チップ側パッド２５、低融点金属膜１２、及びナノチューブ２６が、それぞれ第１の実施例による電子部品の第１のパッド２、第２のパッド７、手入店金属膜３、及びナノチューブ８に対応する。

実装基板１０の、実装基板側パッド１１が形成されている表面上に、ガイド１３を接着剤で取り付ける。ガイド１３は、例えばステンレスで形成されており、半導体チップ２０が実装される予定の領域を取り囲むように、その外側に取り付けられる。ガイド１３は、例えば、図２Ｃに示すように、正方形または長方形の４つの角を画定する平面形状を有する。後述する荷重部材３０が、ガイド１３によって画定された４つの角に整合することによって、荷重部材３０の、基板面に平行な方向に関する位置が拘束される。基板面に垂直な方向への移動は許容される。ガイド１３の平面形状は、図２Ｃに示したものに限定されない。例えば、正方形または長方形の相互に対向する２つの角のみを画定する平面形状としてもよいし、相互に隣り合う２つの角と、この角に挟まれた辺に対抗する辺を画定する平面形状としてもよい。

ガイド１３よりも内側の、実装基板１０の表面に、スペーサ１４を接着剤で取り付る。スペーサ１４は、例えば絶縁性樹脂で形成され、その高さは、図２Ａに示したナノチューブ２６の長さに比べてやや低くされている。例えば、ナノチューブ２６の長さが１２０μｍである場合、スペーサ１４の高さは約１００μｍとする。スペーサ１４の平面形状は、半導体チップ２０を実装したときの外周線に整合する額縁状である。なお、スペーサ１４は、実装基板１０と半導体チップ２０との間隔を拘束するためのものであるため、閉じた環状の平面形状とする必要はなく、半導体チップ２０の外周に沿ってスペーサを離散的に配置してもよい。スペーサ１４の内側に、実装基板側パッド１１が配置されている。

ガイド１３及びスペーサ１４の取り付け位置は、実装基板側パッド１１に対して相対的に決められている。ガイド１３及びスペーサ１４の位置決めは、例えばフリップチップボンダを用いることにより容易に行うことができる。

図２Ｄに示すように、実装基板１０の、実装基板側パッド１１が形成されている面を上方に向け、半導体チップ２０の、チップ側パッド２５が形成されている面を下方に向けて、両者を対向させる。ナノチューブ２６の先端が、対応する実装基板側パッド１１の表面を覆う低融点金属膜１２に接触するまで、実装基板１０と半導体チップ２０とを近づける。ナノチューブ２６が、スペーサ１４の高さよりも長いため、半導体チップ２０の対向面はスペーサ１４に接触せず、両者の間に隙間が形成される。

図２Ｅに示すように、半導体チップ２０の上に、例えばＳＵＳ３０３からなる荷重部材３０を載せる。荷重部材３０は、正方形または長方形の平面形状を有する。荷重部材３０の４つの角の近傍の縁が、ガイド１３の内側の面に接触することにより、その面内方向の位置が拘束される。荷重部材３０は、その自重によって半導体チップ２０に荷重を加える。これにより、半導体チップ２０がスペーサ１４に接触するまで、実装基板１０と半導体チップ２０との間隔が狭まる。間隔が狭まると、ナノチューブ２６が弾性変形して湾曲する。ナノチューブ２６の復元力によって、その先端が低融点金属膜１２に押し付けられる。これにより、実装基板側パッド１１とチップ側パッド２５との間の電気的な接続が確保される。

荷重部材３０を載置したとき、荷重部材３０の面内方向の位置がガイド１３によって拘束されている。荷重部材３０と半導体チップ２０との接触面の摩擦力によって、半導体チップ２０も、面内方向に変位しにくい。このため、ナノチューブ２６の弾性変形に起因する半導体チップ２０の位置ずれを防止することができる。スペーサ１４は、ナノチューブ２６の過度の変形を防止する。

この状態で、半導体チップ２０に形成されている電子回路の動作試験を行う。動作不良の場合には、半導体チップ２０を、動作試験の終わっていないものに交換し、再度動作試験を行う。この段階では、ナノチューブ２６が低融点金属膜１２に固定されていないため、容易に半導体チップ２０を交換することができる。

半導体チップ２０に形成されている電子回路の正常動作が確認された場合には、実装基板１０を２３０℃以上の温度まで加熱し、低融点金属膜１２を溶融させる。実装基板側パッド１１の上の低融点金属膜１２が溶融し、ナノチューブ２６の先端が、溶融した低融点金属膜１２ａ内に埋め込まれる。図１Ｃで説明したように、ナノチューブ２６と液相の低融点金属膜１２ａとの界面に、ＡｌＣからなる中間膜９（図２Ｅでは、明示されていない）が形成される。実装基板１０の温度を室温まで降下させる。これにより、液状の低融点金属膜１２ａが再固化する。その後、荷重部材３０を取り外す。

図２Ｆに示すように、ナノチューブ２６の復元力によってその形状が元に戻り、半導体チップ２０とスペーサ１４との間に隙間が形成される。ナノチューブ２６の先端が、再固化した低融点金属膜１２ｂ内に埋め込まれ、強固に固定されているため、半導体チップ２０が実装基板１０に安定して支持される。また、実装基板側パッド１１とチップ側パッド２５との間の良好な導通を確保することができる。

次に、図３Ａ及び図３Ｂを参照して、第３の実施例による電子部品の製造方法について説明する。

第２の実施例では、荷重部材３０を取り外すことによって、ナノチューブ２６を元の形状に復元させた。第３の実施例では、図３Ａに示すように、低融点金属膜１２ｂを再固化させた後、荷重部材３０を取り外す前に、半導体チップ２０を接着剤３５でスペーサ１４に接着する。接着剤３５は、図２Ｃに示したガイド１３が配置されていない領域を通して、半導体チップ２０とスペーサ１４との接触部分に注入することができる。接着剤３５として、固化した後も、実装基板１０及び半導体チップ２０のいずれよりも柔軟性に富んだ（弾性率の大きい）樹脂性の接着剤を用いることが好ましい。

図３Ｂに示すように、接着剤３５が固化し、十分な接着力が得られた後、荷重部材３０を取り外す。第３の実施例では、第２の実施例に比べて、半導体チップ２０を実装基板１０に、より強固に固定することができる。両者を固定する接着剤３５として、柔軟性に富んだ材料を用いているため、実装基板１０及び半導体チップ２０の変形に基づく破壊等を防止する効果が失われることはない。

次に、図４Ａ〜図４Ｃを参照して、第４の実施例による電子部品の製造方法について説明する。第２の実施例では、半導体チップ２０を実装基板１０に実装する前に、半導体チップ２０側にナノチューブ２６が固定されていたが、第４の実施例では、実装基板１０側にナノチューブ２６が固定されている。

図４Ａに示すように、チップ側パッド２５の表面上に、低融点金属膜１２が形成されている。図４Ｂに示すように、実装基板側パッド１１の表面に、ナノチューブ２６が固定されている。実装基板側パッド１１にナノチューブ２６を固定した後、第２の実施例の場合と同様に、実装基板１０に、ガイド１３及びスペーサ１４を取り付ける。

第２の実施例の場合と同様の方法で、ナノチューブ２６の先端を、チュップ側パッド２５上の再固化した低融点金属膜１２ｂに埋め込む。なお、第４の実施例では、低融点金属膜１２を溶融するために、実装基板１０ではなく、半導体チップ２０を加熱する。

図４Ｃに示すように、半導体チップ２０が実装基板１０に実装される。第２の実施例とは異なり、再固化した低融点金属膜１２ｂは、チップ側パッド２５の表面に配置される。半導体チップ２０とスペーサ１４との間に、隙間が形成される。

図５に示すように、第４の実施例の構成において、第３の実施例の場合と同様に、半導体チップ２０を接着剤３５でスペーサ１４に接着してもよい。

上記第４の実施例、及び図５に示した変形例においても、第２の実施例の場合と同様の効果が得られる。

上記第２〜第４の実施例では、１枚の実装基板１０に１枚の半導体チップ２０を実装する場合を示したが、１枚の実装基板１０に、複数の半導体チップ２０を実装することも可能である。この場合、半導体チップ２０ごとにガイド１３を配置してもよいし、複数の半導体チップ２０に対して一組のガイド１３を配置してもよい。複数の半導体チップ２０に対して一組のガイド１３を配置した場合には、１つの荷重部材３０で複数の半導体チップ２０に荷重を加えることになる。

以上実施例に沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に自明であろう。

第１の実施例による電子部品の製造途中段階における部品断面図（その１）である。 第１の実施例による電子部品の製造途中段階における部品断面図（その２）である。 （２Ａ）は、第２の実施例による電子部品の製造方法に用いられる半導体チップの断面図であり、（２Ｂ）は、実装基板の断面図であり、（２Ｃ）は、実装基板の平断面図である。 第２の実施例による電子部品の製造途中段階における部品断面図（その１）である。 第２の実施例による電子部品の断面図である。 （３Ａ）は、第３の実施例による電子部品の製造途中段階における部品断面図であり、（３Ｂ）は、第３の実施例による電子部品の断面図である。 （４Ａ）は、第４の実施例による電子部品の製造方法に用いられる半導体チップの断面図であり、（４Ｂ）は、実装基板の断面図であり、（４Ｃ）は、電子部品の断面図である。 第４の実施例の変形例による電子部品の断面図である。

符号の説明

１ 第１の基板
２ 第１のパッド
３ 低融点金属膜
６ 第２の基板
７ 第２のパッド
８ ナノチューブ
８ａ 溶融した低融点金属膜
８ｂ 再固化した低融点金属膜
９ 中間膜
１０ 実装基板
１１ 実装基板側パッド
１２ 低融点金属膜
１２ａ 溶融した低融点金属膜
１２ｂ 再固化した低融点金属膜
１３ ガイド
１４ スペーサ
２０ 半導体チップ
２１ 内層パッド
２２ 保護膜
２５ チップ側パッド
２６ ナノチューブ
３０ 荷重部材
３５ 接着剤

Claims (5)

1. 第１の基板と、
   前記第１の基板の表面上に形成された第１のパッドと、
   前記第１のパッドの表面上に配置された金属膜と、
   前記第１の基板における前記第１のパッドが形成された面に対向するように配置された第２の基板と、
   前記第２の基板における前記第１のパッドに対向する表面上に形成された第２のパッドと、
   一端が前記第２のパッドに接続され、他端が前記金属膜内に埋め込まれた複数の導電性のナノチューブと、
   前記金属膜と前記ナノチューブとの界面に配置され、前記ナノチューブの少なくとも１つの構成元素と、前記第１のパッドの少なくとも１つの構成元素とを含む導電性の化合物からなる中間膜と
   を有する電子部品。
2. 前記金属膜の融点が、前記第１のパッドの融点、前記ナノチューブの融点、及び前記中間膜の融点のいずれよりも低い請求項１に記載の電子部品。
3. さらに、前記第１の基板と前記第２の基板との間に配置され、前記ナノチューブが湾曲した状態で前記第１の基板と前記第２の基板との相対位置を固定するスペーサを有する請求項１または２に記載の電子部品。
4. （ａ）表面上に第１のパッドが形成され、該第１のパッドの表面上に金属膜が配置されている第１の基板を準備する工程と、
   （ｂ）表面上に第２のパッドが形成され、該第２のパッドに複数の導電性のナノチューブの一端が固定されている第２の基板を準備する工程と、
   （ｃ）前記第１のパッドと前記第２のパッドとが対向するように、前記第１の基板と前記第２の基板とを対向させ、前記ナノチューブの先端を前記金属膜に接触させた状態で、前記第１のパッドは溶融せず、前記金属膜が溶融する条件で、前記第１の基板を加熱することにより、該ナノチューブと、溶融した該金属膜との界面に中間膜を形成する工程と、
   （ｄ）溶融している前記金属膜を再固化させる工程と
   を有し、
   前記工程（ｃ）において、前記第１の基板を加熱することにより、前記金属膜を溶融させ、前記第１のパッド中における金属元素の一部を、溶融した前記金属膜中に溶解させ、溶解した金属元素と前記ナノチューブの構成元素とを反応させて、該ナノチューブと、溶融した該金属膜との界面に中間膜を形成する電子部品の製造方法。
5. 前記第１の基板及び前記第２の基板の一方が他方よりも大きい平面形状を有し、小さな方の基板に電子回路が形成されており、
   大きな方の基板の、小さな方の基板に対向する面上にガイドが取り付けられており、該ガイドは、小さな方の基板が配置される領域の外側に取り付けられており、基板面に垂直な方向への荷重部材の移動を許容し、基板面に平行な方向に関する該荷重部材の位置を拘束し、
   前記工程（ｃ）において、小さな方の基板を大きな方の基板よりも上に配置し、前記荷重部材を前記ガイドで案内しながら、小さな方の基板の上に前記荷重部材を載せて、該小さな方の基板に荷重を加えた状態で、前記第１の基板を加熱し、
   前記工程（ｄ）の後に、前記荷重部材を前記ガイドから取り外す工程を含む請求項４に記載の電子部品の製造方法。

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