TWI451537B - 具有包含經降低電感之接合黏結元件之微電子總成 - Google Patents

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TWI451537B
TWI451537B TW099145382A TW99145382A TWI451537B TW I451537 B TWI451537 B TW I451537B TW 099145382 A TW099145382 A TW 099145382A TW 99145382 A TW99145382 A TW 99145382A TW I451537 B TWI451537 B TW I451537B
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Philip Damberg
Philip R Osborn
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Tessera Inc
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Description

具有包含經降低電感之接合黏結元件之微電子總成
此國際申請案主張2010年6月4日申請之美國申請案第12/793,824號之優先權。該美國申請案第12/793,824號主張2010年4月30日申請之韓國申請案第10-2010-0040446號之優先權且主張2010年4月9日申請之美國臨時專利申請案第61/322,404號之歸檔日期之權利。此申請案係2009年12月22日申請之美國申請案第12/644,476號之一部份接續申請案。所有上述申請案之揭示內容皆以引用方式併入本文中。
微電子元件(例如,半導體晶片)通常係具有相對面向、大體平坦前表面及後表面之平面本體,該前表面及後表面具有在此等表面之間延伸之邊緣。晶片大體具有該前表面上之接觸件(有時亦稱為襯墊或黏結襯墊),該等接觸件電連接至該晶片內之電路。晶片通常藉由用一適宜材料封閉其等而予以封裝以形成微電子封裝,該等封裝具有電連接至該等晶片接觸件之終端。該封裝接著可連接至測試設備以判定該經封裝裝置是否符合一期望的效能標準。一旦經測試,可藉由一適宜連接方法(諸如焊接)將該等封裝終端連接至一印刷電路板(PCB)上之匹配焊區而將該封裝連接至一較大電路(例如,一電子產品(諸如一電腦或一蜂巢式電話)中之一電路)。
用於形成介於一微電子晶片與一或多個其他電子總成之間的導電連接之一共同技術係導線黏結。習知地,一導線黏結工具使用熱及/或超聲波能量將一導線之端部附接至一微電子晶片上之一襯墊且接著使用熱及/或超聲波力使該導線環繞至其他電子總成上之一接觸件且形成至該接觸件之一第二黏結。
導線黏結技術之挑戰之一者在於沿一導線之電磁傳輸可延伸至圍繞該導線之空間中且可引起導體附近之電流且造成不想要的輻射及線之失諧。導線黏結大體亦經受自感且經受外部雜訊(例如,來自附近電子總成)。隨著微電子晶片上之接觸件與其他電子總成之間的間距變得越來越小且隨著該等晶片以越來越高的頻率進行操作,此等挑戰可變的越來越明顯。
本文描述用於一微電子總成之各種結構及製造技術。根據一實施例,一微電子裝置(諸如一半導體晶片)可導線黏結至一微電子總成(諸如一封裝)內之一封裝元件。在一實例中,一封裝元件可係一基板或晶片載體,該基板或晶片載體具有一介電元件及暴露在該介電元件之一表面處之一組導電襯墊。
根據本文之一實施例,提供一種微電子總成,該微電子總成可包含一半導體晶片,該半導體晶片具有一第一表面、一第二表面及暴露在該第一表面處之複數個晶片接觸件。一基板可與該第一表面或該第二表面之一者並列。該基板可具有暴露在該基板之一表面處之複數個基板接觸件。該總成可包含一第一導電黏結元件及一第二導電黏結元件。該第一黏結元件及該第二黏結元件各自可係一接合帶或一接合導線之一者。該第一黏結元件及該第二黏結元件可電連接一晶片接觸件與一相對應基板接觸件且提供介於該晶片接觸件與基板接觸件之間的平行導電路徑。該第一黏結元件可具有冶金接合至該晶片接觸件之一第一端部及冶金接合至該基板接觸件之一第二端部。該第二黏結元件可冶金接合至該第一黏結元件之該第一端部及該第二端部。根據一特定實施例,該第二黏結元件可以不觸碰該晶片接觸件或該基板接觸件之方式接合至該第一黏結元件。
根據本發明之一特定態樣,該第一導電黏結元件可係一第一黏結導線且該第二導電黏結元件可係一第二黏結導線。
在一實施例中,該第一黏結導線之該第一端部及該第二端部之一者可包含一球,且該第二黏結導線可包含一球。該第二黏結導線之該球可冶金接合至該第一黏結導線之該球。
在另一實施例中,該第一黏結導線之該第一端部及該第二端部之一者可包含一球,該第二黏結導線可具有包含一球之一第一端部及遠離該第一端部遠離之一第二端部,且該第二黏結導線之該第二端部可冶金接合至該第一黏結導線之該球。
根據一實施例,該第一黏結元件可係一引腳黏結件,且該第二黏結元件可係一黏結導線。
根據本文之另一實施例,提供一種微電子總成,該微電子總成可包含一半導體晶片,該半導體晶片具有一第一表面、一第二表面及暴露在該第一表面處之複數個晶片接觸件。一基板可與該第一表面或該第二表面之一者並列。該基板可具有在其上之複數個基板接觸件。此總成可進一步包含連接一基板接觸件與一晶片接觸件之一第一對之一第一導電黏結元件。該第一導電黏結元件可係一引腳黏結件或一黏結導線。該總成可進一步包含一基板接觸件與一晶片接觸件之一第二對。該第二黏結元件亦可係一引腳黏結件或一黏結導線。
一第三導電黏結元件(係一帶黏結件或一黏結導線)可接合至該第一黏結元件與該第二黏結元件之端部。該第三黏結元件可以不觸碰該晶片接觸件或該基板接觸件之方式接合至該第一黏結元件及該第二黏結元件。
根據一實施例,該第三黏結元件與該第一黏結元件及該第二黏結元件之接合可相鄰該等晶片接觸件。
根據一實施例,該第三黏結元件與該第一黏結元件及該第二黏結元件之接合可相鄰該等基板接觸件。
根據一實施例,該第一黏結元件、該第二黏結元件及該第三黏結元件之每一者可係黏結導線。
根據一實施例,該第一黏結元件及該第二黏結元件可係引腳黏結件且該第三黏結元件可係一黏結導線。
根據本文之一實施例,一種微電子總成可包含一半導體晶片,該半導體晶片具有一第一表面、一第二表面及暴露在該第一表面處之複數個晶片接觸件。一基板可與該第一表面或該第二表面之一者並列。該基板可具有在其上之複數個終端及與該等終端電連接且延伸遠離該等終端之引腳。該等引腳之至少一者可具有一端部,該端部黏結至暴露在該晶片之該第一表面處之一晶片接觸件。一黏結導線可具有冶金接合至該引腳之該端部之一第一端部。該黏結導線可以不觸碰該晶片接觸件之方式予以接合。該黏結導線可具有遠離該第一端部之一第二端部,該第二端部在與該晶片接觸件間隔開之一位置處冶金接合至該引腳。
根據一實施例,該黏結導線之該第二端部在該引腳覆蓋該基板之一位置處可接合至該引腳。
根據本文之一實施例,一種微電子總成可包含一半導體晶片,該半導體晶片具有一第一表面、一第二表面及暴露在該第一表面處之複數個晶片接觸件。一基板可與該第一表面或該第二表面之一者並列,該基板具有在其上之複數個基板接觸件。該總成進一步包含複數個導電黏結元件。一黏結元件可係一黏結帶或一黏結導線,且該黏結元件可電連接一晶片接觸件與一相對應基板接觸件之一對。至少一黏結元件可具有連接至此對接觸件之一第一接觸件之第一端部及第二端部。該第一端部與該第二端部之間的一中間部分可冶金接合該對接觸件之該第二接觸件。以此方式,該至少一黏結元件可以一連續環自該第一接觸件處之該第一端部延伸穿過介於該中間部分與該第二接觸件之間的一接合,且可以該連續環自該第二接觸件返回至該第一接觸件。
根據一實施例,該第二端部可接合至該第一端部使得該第二端部不觸碰該第一接觸。
根據一實施例,該第一端部及該第二端部之每一者可直接接合至該第一接觸件。
根據一實施例,該至少一黏結元件可係一黏結導線。
根據一實施例,該至少一黏結元件可係一黏結帶。在本發明之一特定實施例中,提供一種微電子總成,在該微電子總成中,一半導體晶片具有一第一表面、遠離該第一表面之一第二表面及暴露在該第一表面處之複數個晶片接觸件。一基板可與該第一表面或該第二表面之一者並列,該基板具有複數個基板接觸件。該總成可包含一第一導電黏結元件及一第二導電黏結元件。該第一黏結元件及該第二黏結元件各自可係一黏結帶或一黏結導線之一者,該第一黏結元件電連接該複數個晶片接觸件之一第一晶片接觸件與該複數個基板接觸件之一第一基板接觸件,且該第二黏結元件電連接該第一晶片接觸件與該複數個基板接觸件之一第二基板接觸件。該第一黏結元件可具有冶金接合至該第一晶片接觸件之一第一端部及冶金接合至該第一基板接觸件之一第二端部。該第二黏結元件可具有冶金接合至該第一黏結元件之一第一端部。
在本發明之又另一實施例中,提供一種微電子總成,在該微電子總成中,一半導體晶片具有一第一表面、遠離該第一表面之一第二表面及暴露在該第一表面處之複數個晶片接觸件。一基板可與該第一表面或該第二表面之一者並列,該基板具有複數個基板接觸件。該總成可包含一第一導電黏結元件及一第二導電黏結元件。該第一導電黏結元件及該第二導電黏結元件各自可係一黏結帶或一黏結導線之一者,該第一黏結元件電連接該複數個晶片接觸件之一第一晶片接觸件與該複數個基板接觸件之一第一基板接觸件,且該第二黏結元件電連接該第一晶片接觸件與該複數個基板接觸件之一第二基板接觸件。該第一黏結元件可具有冶金接合至該第一晶片接觸件之一第一端部及冶金接合至該第一基板接觸件之一第二端部。該第二黏結元件可具有冶金接合至該第一黏結元件之該第一端部之一第一端部。
在本發明之又另一實施例中,提供一種微電子總成,在該微電子總成中,一半導體晶片具有一第一表面、遠離該第一表面之一第二表面及暴露在該第一表面處之複數個晶片接觸件。一基板可與該第一表面或該第二表面之一者並列,該基板具有複數個基板接觸件。該總成可包含一第一導電黏結元件及一第二導電黏結元件。該第一導電黏結元件及該第二導電黏結元件各自可係一黏結帶或一黏結導線之一者。該第一黏結元件可具有冶金接合至該第一晶片接觸件之一第一端部及冶金接合至該第一基板接觸件之一第二端部。該第二黏結元件可具有冶金接合至該第一黏結元件之一第一端部使得該第二黏結元件不觸碰該第一晶片接觸件。該第二黏結元件之一第二端部可冶金接合至該第一基板接觸件。
在此實施例之一變體中,該第二黏結元件之該第一端部可冶金接合至該第一黏結元件且至該晶片接觸件。
根據本發明之一實施例,提供一種包含一半導體晶片之微電子總成,該半導體晶片具有一第一表面、一第二表面及暴露在該第一表面處之複數個晶片接觸件。一基板可與該第一表面或該第二表面之一者並列,該基板具有暴露在該基板之一表面處之複數個基板接觸件。該總成可包含一第一導電黏結導線及一第二導電黏結導線,該第一黏結導線及該第二黏結導線電連接該複數個晶片接觸件之一第一晶片接觸件與該複數個基板接觸件之一相對應第一基板接觸件且提供介於該第一晶片接觸件與該第一基板接觸件之間的平行導電路徑。該第一黏結導線可具有冶金接合至該第一晶片接觸件之一第一端部及冶金接合至該第一基板接觸件之一第二端部。該第一黏結導線之該第一端部及該第二端部之一者可包含一球,且該第二黏結導線之第一端部及第二端部之一者可包含一球。該第二黏結導線之該球可直接冶金接合至該第一黏結導線之該第一端部及該第二端部之一者,以此方式使得該第二黏結導線不觸碰該第一晶片接觸件或該第一基板接觸件。
根據本發明之一或多項態樣,該第二黏結導線之該球可冶金接合至該第一黏結導線之該球。根據另一較佳態樣,遠離該第二黏結導線之該球之該第二黏結導線之一端部冶金接合至該第一黏結導線之該球。
根據本發明之另一實施例,一種微電子總成可包含一半導體晶片,該半導體晶片可具有一第一表面、一第二表面及暴露在該第一表面處之複數個晶片接觸件。一基板可與該第一表面或該第二表面之一者並列,該基板具有在其上之複數個基板接觸件。該總成可包含一第一導電黏結元件,該第一導電黏結元件連接一基板接觸件與一晶片接觸件之一對,且該第一黏結元件可係一引腳黏結件或一黏結導線之一者(舉例而言)。一第二導電黏結元件可連接一基板接觸件與一晶片接觸件之一第二對,該第一黏結元件係一引腳黏結件或一黏結導線之一者。可係一帶黏結件或一黏結導線(舉例而言)之一第三導電黏結元件可接合至該第一黏結元件及該第二黏結元件之端部,其中該第三黏結元件不觸碰該第一對或該第二對之該晶片接觸件或該基板接觸件。
在一實例中,該第三黏結元件與該第一黏結元件及該第二黏結元件之接合可相鄰該第一對及該第二對之該等晶片接觸件。在另一實例中,該第三黏結元件與該第一黏結元件及該第二黏結元件之接合可相鄰該第一對及該第二對之該等基板接觸件。
在一特定實例中,該第一黏結元件、該第二黏結元件及該第三黏結元件之每一者係黏結導線。在另一實例中,該第一黏結元件及該第二黏結元件係引腳黏結件且該第三黏結元件係一黏結導線。
根據另一實施例之一微電子總成可包含一半導體晶片,該半導體晶片具有一第一表面、一第二表面及暴露在該第一表面處之複數個晶片接觸件。一基板可與該第一表面或該第二表面之一者並列,該基板具有在其上之複數個終端及與該等終端電連接且延伸遠離該等終端之複數個引腳。該複數個引腳之一第一引腳可具有一端部,該端部黏結至該複數個晶片接觸件之一第一晶片接觸件。一黏結導線可具有冶金接合至該第一引腳之該端部之一第一端部,該黏結導線不觸碰該第一晶片接觸件,且該黏結導線具有一第二端部,該第二端部在與該第一晶片接觸件間隔開之一位置處冶金接合至該第一引腳。
在一特定實例中,該黏結導線之該第二端部在該第一引腳覆蓋該基板之一位置處可接合至該第一引腳。
根據本發明之另一實施例,一種微電子總成可包含一半導體晶片,該半導體晶片具有一第一表面、一第二表面及暴露在該第一表面處之複數個晶片接觸件。一基板可與該第一表面或該第二表面之一者並列,該基板具有在其上之複數個基板接觸件。該總成可包含具有一第一黏結元件之複數個導電黏結元件,該第一黏結元件係電連接一對接觸件之一黏結帶或一黏結導線。該對接觸件可包含該複數個晶片接觸件之一晶片接觸件及該複數個基板接觸件之一相對應基板接觸件。該第一黏結元件可具有電連接至該對接觸件之一第一接觸件之第一端部及第二端部,及該第一端部與該第二端部之間的一中間部分,該中間部分冶金接合該對接觸件之該第二接觸件。在此總成中,該第一黏結元件可以一連續環自該第一接觸件處之該第一端部延伸穿過接合至該第二接觸件之該中間部分且可返回連接至該第一接觸件之該第二端部。
在一實例中,該第一黏結元件之該第二端部可接合至該第一端部。該第二端部可以不觸碰該第一接觸件之方式予以接合。在另一實例中,該第一端部及該第二端部之每一者可直接接合至該第一接觸件。
在一特定實例中,該至少一黏結元件可係一黏結導線。在另一實例中,該至少一黏結元件可係一黏結帶。
根據本發明之另一實施例之一微電子總成可包含一半導體晶片,該半導體晶片具有一第一表面、一第二表面及暴露在該第一表面處之複數個晶片接觸件。一基板可與該第一表面或該第二表面之一者並列。該基板可具有暴露在該基板之一表面處之複數個基板接觸件。該總成可包含一第一導電黏結元件及一第二導電黏結元件,該第一黏結元件及該第二黏結元件各自係一黏結帶或一黏結導線之一者。該第一黏結元件及該第二黏結元件可電連接該複數個晶片接觸件之一第一晶片接觸件與該複數個基板接觸件之一相對應第一基板接觸件且提供介於該第一晶片接觸件與該第一基板接觸件之間的平行導電路徑。該第一黏結元件可具有冶金接合至該第一晶片接觸件之一第一端部及冶金接合至該第一基板接觸件之一第二端部。該第二黏結元件可冶金接合至該第一黏結元件之該第一端部及該第二端部。
根據本發明之另一實施例之一微電子總成可包含一半導體晶片,該半導體晶片具有一第一表面、遠離該第一表面之一第二表面及暴露在該第一表面處之複數個晶片接觸件。一基板可與該第一表面或該第二表面之一者並列,該基板具有複數個基板接觸件。該總成可包含一第一導電黏結元件及一第二導電黏結元件。該第一黏結元件及該第二黏結元件之每一者可係一黏結帶或一黏結導線之一者。該第一黏結元件可電連接該複數個晶片接觸件之一第一晶片接觸件與該複數個基板接觸件之一第一基板接觸件,且該第二黏結元件可電連接該第一晶片接觸件與該複數個基板接觸件之一第二基板接觸件。該第一黏結元件可具有冶金接合至該第一晶片接觸件之一第一端部及冶金接合至該第一基板接觸件之一第二端部。該第二黏結元件可具有冶金接合至該第一黏結元件之該第一端部之一第一端部,使得該第二黏結元件不觸碰該第一晶片接觸件。
在一實例中,該第一黏結元件及該第二黏結元件之每一者可係一黏結導線。該第一黏結導線之該第一端部及該第二端部之一者可包含一球,且該第二黏結導線可包含一球。在一實例中,該第二黏結導線之一球可冶金接合至該第一黏結導線之該球。在另一實例中,該第二黏結導線可具有包含一球之一第一端部及遠離該第一端部之一第二端部,且該第二黏結導線之該第二端部可冶金接合至該第一黏結導線之該球。
在一實例中,該第一黏結元件或該第二黏結元件之至少一者可係一黏結帶。
在一特定實例中,該微電子總成可進一步包含一第三導電黏結元件,該第三導電黏結元件電連接該第一基板接觸件與該第二基板接觸件。在一實例中,該第三黏結元件可冶金接合至該第一黏結元件及該第二黏結元件之至少一者之一第二端部。該第三黏結元件可冶金接合至該第一黏結元件及該第二黏結元件之每一者之該等第二端部。該第三黏結元件可經配置使得其不觸碰該第一基板接觸件或該第二基板接觸件之任一者,該第一黏結元件及該第二黏結元件黏結至該第一基板接觸件或該第二基板接觸件。
在一實例中,該第三黏結元件可冶金接合至該第一基板接觸件及該第二基板接觸件。
在一特定實例中,該基板可覆蓋該晶片之該第一表面且具有暴露該複數個晶片接觸件之一開口。該第一黏結元件及該第二黏結元件可延伸穿過該基板中之該開口。
在一特定實例中,該晶片之一第二表面可覆蓋該基板,且該第一黏結元件及該第二黏結元件可延伸超過該晶片之至少一邊緣。
根據本發明之另一實施例之一微電子總成可包含一半導體晶片,該半導體晶片具有一第一表面、遠離該第一表面之一第二表面及暴露在該第一表面處之複數個晶片接觸件。一基板可與該第一表面或該第二表面之一者並列,該基板具有複數個基板接觸件。該總成可包含一第一導電黏結導線及一第二導電黏結導線,該第一黏結導線及該第二黏結導線電連接該複數個晶片接觸件之一第一晶片接觸件與該複數個基板接觸件之一第一基板接觸件,且該第二黏結導線電連接該第一晶片接觸件與該複數個基板接觸件之一第二基板接觸件。該第一黏結導線可具有冶金接合至該第一晶片接觸件之一第一端部及冶金接合至該第一基板接觸件之一第二端部。該第二黏結導線可具有冶金接合至該第一黏結導線之該第一端部之一第一端部。
在一實例中,該第二黏結導線可具有冶金接合至該第一晶片接觸件之一第一端部。
在一特定實例中,該微電子總成可進一步包含一第三導電黏結元件,該第三導電黏結元件連接該第一基板接觸件與該第二基板接觸件。該第三黏結元件可冶金接合至該第一黏結元件及該第二黏結元件之至少一者之一第二端部。
在一實例中,該第三黏結元件可冶金接合至該第一黏結元件及該第二黏結元件之每一者之該等第二端部。在一實例中,該第三黏結元件可冶金接合至該第一基板接觸件及該第二基板接觸件。
在一實例中,該基板可覆蓋該晶片之該第一表面且具有暴露該複數個晶片接觸件之一開口。該第一黏結元件及該第二黏結元件可延伸穿過該基板中之該開口。
在一實例中,該晶片之該第二表面可覆蓋該基板,且該第一黏結元件及該第二黏結元件可延伸超過該晶片之至少一邊緣。
在一實例中,該第一黏結元件、該第二黏結元件及該第三黏結元件之每一者可係黏結導線。
在一實例中,該第一黏結導線之該第一端部及該第二端部之一者可包含一球,且該第二黏結導線之該第一端部可包含一球。該第二黏結導線之該球可直接冶金接合至該第一黏結導線之一第一端部。
根據本發明之另一實施例之一微電子總成可包含一半導體晶片,該半導體晶片具有一第一表面、遠離該第一表面之一第二表面及暴露在該第一表面處之複數個晶片接觸件。一基板可與該第一表面或該第二表面之一者並列。該基板可具有複數個基板接觸件。該總成可包含一第一導電黏結元件及一第二導電黏結元件。該第一黏結元件及該第二黏結元件之每一者可係一黏結帶。該第一黏結元件及該第二黏結元件可電連接該複數個晶片接觸件之一第一晶片接觸件與該複數個基板接觸件之一第一基板接觸件。該第二黏結元件可電連接該第一晶片接觸件與該複數個基板接觸件之一第二基板接觸件。該第一黏結元件可具有冶金接合至該第一晶片接觸件之一第一端部及冶金接合至該第一基板接觸件之一第二端部,且該第二黏結元件可具有冶金接合至該第一黏結元件之該第一端部之一第一端部。一第三導電黏結元件可電連接該第一基板接觸件與該第二基板接觸件。
根據本發明之另一實施例之一微電子總成可包含一半導體晶片,該半導體晶片具有一第一表面、遠離該第一表面之一第二表面及暴露在該第一表面處之複數個晶片接觸件。一基板可與該第一表面或該第二表面之一者並列,該基板具有複數個基板接觸件。該總成可包含一第一導電黏結導線及一第二導電黏結導線,該第一黏結導線及該第二黏結導線電連接該複數個晶片接觸件之一第一晶片接觸件與該複數個基板接觸件之一第一基板接觸件。該第一黏結導線可具有冶金接合至該第一晶片接觸件之一第一端部及冶金接合至該第一基板接觸件之一第二端部。該第二黏結導線可具有冶金接合至該第一黏結導線之一第一端部。該第二黏結導線之該第一端部可經配置使得其不觸碰該第一晶片接觸件。
在一實例中,該第一黏結元件之該第二端部可冶金接合至該第一基板接觸件。
在一特定實例中,該第二黏結元件之該第二端部可冶金接合至該第一基板接觸件。
在一實例中,該第一黏結導線之該第一端部及該第二端部之一者可包含一球,且該第二黏結導線之該第一端部可包含一球。該第二黏結導線之該球可直接冶金接合至該第一黏結導線之該第一端部。
如此揭示內容中使用,一導電結構「暴露在」一介電結構之一表面處之一表述指示該導電結構可用於與一理論點之接觸,該理論點在垂直於該介電結構之該表面之一方向上從該介電結構外部朝向該介電結構之該表面移動。因此,暴露在一介電結構之一表面處之一終端或其他導電結構可從此表面伸出;可隆起此表面;或可相對於此表面下凹且透過該介電材料中之一孔洞或凹陷而予以暴露。
用於連接一晶片至另一元件(例如,一封裝內之一基板)之導線黏結及其他導體可具有許多不同形狀及大小。用於形成導線黏結之該導線之橫截面大體係圓柱的。該等導線通常有兩個直徑,1密爾或0.001英寸及0.7密爾或0.007英寸。一導體之電感與其之長度成正比且與其之橫截面面積成反比。因此,相比於一晶片與基板之間較短或具有較大橫截面面積之一些其他類型連接,黏結導線通常具有較大電感。相比於一覆晶封裝中一晶片與一基板之間的焊接連接,黏結導線大體具有較大電感,此係因為該焊接連接通常具有比黏結導線較大的直徑及較短的長度。一晶片與一基板之間的其他類型連接(諸如引腳黏結件及帶黏結件)大體寬於黏結導線,但由於其等之長度及相對小橫截面面積而具有可以與導線黏結類似的方法予以特徵化之電感。
隨著一晶片上之襯墊數目增加而不增加一封裝之輪廓,且隨著操作頻率增加,期望提供降低一封裝中導線黏結之電感之一方法。如提到的,每一導線黏結之長度及橫截面面積係很大程度上判定該電感之因數。遺憾地,在一給定封裝內,難以明顯減小一導線黏結之長度。而且,導線黏結中使用之該導線應具有標準直徑用於此態樣中經標準化之設備上。因此,使用直徑大於最普遍標準直徑之導線形成導線黏結係困難的。
因此,本文描述的實施例提供降低一導線黏結之電感之方法。在圖1至圖2所示之一實施例中,可減小導線黏結電感之該等方法之一者係藉由將一晶片之一接觸件經由多個黏結導線連接至一基板之一接觸件。藉由使用多個黏結導線,自該晶片接觸件至該基板接觸件之該連接之橫截面面積有效增加,因為電流現在可沿該等接觸件之間的兩個黏結導線流動。
舉例而言,圖1至圖2繪示根據本文之一實施例之一微電子總成100。該微電子總成100可包含一微電子元件110,該微電子元件電連接至一基板130。在本文之一實施例中,該「基板」可包含支承複數個跡線及黏結襯墊之意義介電元件。在不受限制情況下,一基板之一特定實例係一似片狀撓性介電元件,該介電元件通常由一聚合物(例如聚醯亞胺)製成,除此之外,該介電元件具有圖案化於其上之金屬跡線及黏結襯墊,該等黏結襯墊暴露在該介電元件之至少一表面處。
為便於參考,在此揭示內容中參考一「頂部」(即,一半導體晶片110之接觸支承表面128)描述方向。大體上,稱為「向上」或「升高」之方向應指正交且遠離該晶片頂面128之方向。稱為「向下」之方向應指與該晶片頂面128正交且與該向上方向相反之方向。術語一參考點「上方」應指該參考點之一向上點,且術語一參考點「下方」應指該參考點之一向下點。任何單獨元件之「頂部」指此元件在該向上方向上延伸最遠之該或該等點,且術語任何元件之「底部」應指該元件在該向下方向上延伸最遠之該或該等點。
該基板130通常具有一互連功能。舉例而言,微電子子總成可係一封裝之一元件,該封裝具有:複數個導電引腳或跡線134;複數個接觸件132,其等連接至該等引腳或跡線大體經配置用於與微電子裝置之互連;及複數個終端136,其等用於互連至另一元件,諸如用於外部互連至一印刷電路板。該等接觸件132通常呈暴露在該基板之向上方向表面131處之黏結襯墊之形式。
如圖1至圖2中可見,該晶片可經由導線黏結連接而連接至該基板130。該等導線黏結連接可包含連接140,在該連接中多個黏結導線將一晶片接觸件電連接至一相對應基板接觸件。此外,該等導線黏結連接可包含其他導線黏結連接142,在該連接中僅一單一黏結導線將一晶片接觸件電連接至一相對應基板接觸件。
包含多個黏結導線之連接140具有一獨特結構。在此情況中,如圖1中可見,且如圖3中更詳細可見,一連接可包含第一黏結導線144及第二黏結導線146,該等黏結導線將一晶片接觸件112連接至一相對應基板接觸件132。舉例而言,該第一導線黏結144可具有與該晶片接觸件112冶金接合之一端部144A及與該基板接觸件132冶金接合之另一端部144B。舉例而言,該等黏結導線可包含一金屬(諸如金),可使用超聲波能量、熱或兩者將該金屬熔接至一接觸件以與其形成一冶金接合或黏結。相比而言,該第二黏結導線146可具有冶金黏結至該第一黏結導線144之該端部144A之一端部146A。該第二黏結導線146亦可具有冶金黏結至該第一黏結導線144之該端部144B之一端部146B。
如圖1及圖3中可見,該第二黏結導線146不需要觸碰該等接觸件112、132(即,該等黏結襯墊),該第一黏結導線144冶金黏結至該等接觸件。反而,在一特定實施例中,該第二黏結導線之該等端部146A、146B可冶金黏結至該第一黏結導線之該等端部144A、144B,以此方式該第二黏結導線不觸碰該第二黏結導線之至少一端部處之該接觸件且可不觸碰任一端部處之該等接觸件。
如圖3中可見,每一黏結導線144、146之一端部144A、146A可包含在導線黏結過程期間形成之一球。一導線黏結工具通常藉由將一金導線之尖端自一線軸前進至該工具之一尖端進行操作。在製程之一實例中,當該工具係在用於在一第一接觸件(例如,晶片接觸件112)處形成一第一導線黏結的合適位置時,該工具接著可將超聲波能量、熱或兩者施加至該導線直到該導線之該尖端熔化且形成一球。該熱球接著與該接觸件之一表面冶金黏結。接著,當該導線黏結工具之該尖端移動遠離該第一接觸件時,該球保持黏結至該接觸件,同時介於此接觸件與一第二接觸件之間的該黏結導線之長度放鬆。該導線黏結工具接著可在冶金接合至此端部處之該第二接觸件之該導線之該第二端部處形成另一球。
接著可以一稍微不同方式重複上文過程以形成該第二黏結導線。在此情況中,該導線黏結工具可移動至一位置中,且接著可用於加熱該導線之該尖端以形成一球,該球接著將該第二黏結導線之一端部146A冶金接合至該第一黏結導線之該端部144A。類似地,當該導線黏結工具在合適位置以在該黏結導線之另一端部處形成一接合時,該導線黏結工具可加熱該導線之該尖端且形成一球,該球將該端部146B冶金接合至該黏結導線之該端部144B。
在圖1、圖2及圖3中繪示的實例中,該等接觸件132之一些可運載信號(即,電壓或電流),該等信號隨時間改變且通常傳送資訊。舉例而言,在沒有限制情況下,隨時間改變且代表狀態、變化、一測量、一時鐘或計時輸入或一控制或回饋輸入之電壓或電流係信號之實例。該等接觸件132之其他者可提供連接至接地或一電力供應電壓。至接地或一電力供應電壓之一連接通常提供一電壓,該電壓在該電路之操作所關注之頻率上至少隨時間相當穩定。
根據此實施例之一多黏結導線結構及方法之一可能益處係當用於將一黏結導線附接至一接觸件(諸如一晶片或一基板上之一黏結襯墊)之面積受限制時減小電感。一些晶片具有特別高接觸件密度及精細間距。此等晶片上之該等黏結襯墊具有非常有限的面積。一結構可在不要求增加該黏結襯墊之大小情況下實現一雙或多黏結導線結構,在該結構中,一第二黏結導線具有一端部,該端部附接至自身不觸碰該接觸件之一第一黏結導線之一端部。因此,即使當形成至以一精細間距配置之接觸件或具有小面積之接觸件之導線黏結連接時,可實現如關於圖1、圖2及圖3描述之一多黏結導線結構。
此外,具有高密度之一些此等晶片亦具有高輸入及輸出速率(即,高頻率),以該等速率將信號傳輸至該晶片上。以充分高頻率,一連接之電感可實質增加。根據此實施例之一多黏結導線結構可藉由一額外路徑用於在連接的接觸件間流動之電流而實質減小一導線黏結連接之電感。
圖4繪示一第一黏結導線244與一第二黏結導線246在其等之端部處之連接。如圖4中可見,在該等黏結導線之第一端部處,該等球244A及246A可冶金接合在一起,但以該第二導線246A之該球不觸碰該接觸件212A之方式。在一第二接觸件212B處之該等黏結導線之第二端部244B、246B處,在該等第二端部244A、244B處不形成球情況下可在該等導線間做出電連接。在此情況中,該等接觸件212A、212B之一者可係暴露在該晶片之一表面處之一晶片接觸件,且該等接觸件212A、212B之另一者可係暴露在該基板之一表面處之一基板接觸件。或者,該等接觸件212A、212B兩者可係晶片接觸件或兩個接觸件212A、212B可係基板接觸件。
圖5繪示此實施例(圖4)之一變體,在該變體中,在一第一接觸件處,該第一黏結導線344具有接合至其之一球端部344A。該第二黏結導線346之一導線端部346A冶金接合至該第一接觸件212A上方之該第一黏結導線之該球端部344A。此外,在該第二接觸件212B處,該第二黏結導線346之一球端部346B冶金接合至該第一黏結導線344之一導線端部344B。
在上文描述實施例之另一變體中,可形成複數個黏結導線且與一黏結導線接合,該黏結導線接合至該等接觸件之端部處以在該等接觸件間形成三個或更多平行路徑。在此實施例中,一第三黏結導線經配置使得其與第一黏結導線或第二黏結導線(例如,導線244、246(圖4)或導線344、346(圖5))之間的接合不觸碰該等接觸件,該第一黏結導線之端部接合至該等接觸件。若期望,可使用更大數目個黏結導線,該等黏結導線以此方式冶金接合至其他黏結導線,以便提供用於使電流在一對接觸件間流動之平行電路徑。
圖6繪示上文描述實施例之一變體,在該變體中,可見一黏結導線446連接(即,冶金接合)至黏結導線444、445之端部,該等導線黏結444、445連接至兩個相鄰基板接觸件132A及132B。可以根據上文(圖1至圖5)描述之該等實施例之方式形成額外黏結導線446。再者,該黏結導線446不需要觸碰該等接觸件132A、132B,該等第一黏結導線444、445冶金接合至該等接觸件。而是,黏結導線446之一端部可接合至另一黏結導線444之端部,該另一黏結導線444自身接合至該接觸件,舉例而言,如圖3、圖4或圖5中可見。而且,黏結導線446之另一端部可以類似方式接合至黏結導線445之端部,該黏結導線445接合至該接觸件。如圖6中亦可見,在一變體中,一類似接合的黏結導線448可接合至連接至不相鄰基板接觸件132C、132D之黏結導線之該等端部,使得其跳過位於該兩個接觸件132C、132D之間的一接觸件132E。如圖6中進一步可見,黏結導線450、452可以類似方式接合至該等晶片接觸件處之其他黏結導線之該等端部。舉例而言,黏結導線450接合至其他黏結導線之該等端部,繼而,該等其他黏結導線接合至接觸件412A及412B。
圖7A至圖7B繪示另一實施例,在該實施例中引腳黏結件544提供於一基板530上,該等引腳黏結件自該基板530之一表面延伸至該晶片之該等接觸件512,該等引腳黏結件冶金接合至該等接觸件。如圖7B中提供之片段透視圖中可見,一引腳黏結件通常係一長且平面元件,其具有在朝向一晶片接觸件512之一方向上延伸之一長度,該引腳黏結件接合至該晶片接觸件。該引腳黏結件可具有在橫向於其之長度之一方向上延伸之一寬度550及從該基板表面之一方向上延伸之一厚度554。一引腳黏結件之該長度通常大於其之寬度。一引腳黏結件之該寬度通常大於其之厚度。如圖7A中可見,黏結導線546可具有端部,該等端部在該等晶片接觸件上方之位置處且在該基板上方之位置處接合至該等引腳黏結件544,以此方式該等黏結導線546不觸碰該等接觸件,該等引腳黏結件接合至該等接觸件。以此方式,該等黏結導線可提供平行路徑用於電流,其可有助於降低介於該基板與該晶片之間的該等引腳黏結件連接之電感。
如圖7C中進一步可見,取代黏結導線,使用其他形式黏結元件來形成接觸件之間的平行電流路徑係可能的。舉例而言,一黏結帶646可用作為接合至一引腳黏結件644之端部之一額外黏結元件,該引腳黏結件接合至一晶片接觸件612及一相對應基板接觸件632,使得該黏結帶646不觸碰該等接觸件612、632。像一引腳黏結件一樣,一黏結帶646通常係一長且平面元件,其以同樣方式具有:一長度,其在至或自該晶片接觸件612之一方向上延伸;一寬度,其在橫向於該長度之一方向上延伸;及一厚度,其在遠離該黏結帶接合至之一表面(即,該黏結帶接合至之一引腳黏結件之一表面)之一方向上延伸。該黏結帶之該寬度通常大於該厚度。一黏結帶通常可以類似於上文描述的用於形成黏結導線之過程之一方式藉由一帶黏結工具而形成。
在另一變體中,一黏結帶648可冶金接合至該基板表面上方之相鄰引腳黏結件650、652。在另一變體中,一黏結帶656可冶金接合至該等相鄰引腳黏結件658、660之端部,該等相鄰引腳黏結件黏結至該等晶片接觸件。
圖8繪示上文描述的實施例(圖1至圖2)之一變體,在該變體中,一黏結導線740具有一環連接,其中相同黏結導線之兩個線跡在其間延伸且電連接至一對接觸件。在此實施例中,一第一球端部742可冶金接合至該等接觸件之一者(例如,一基板接觸件732A)。該黏結導線740具有冶金接合至該晶片接觸件712A之一中間部分744,且具有接合至該黏結導線740之該球端部742之一第二端部746,以此方式該第二端部746不觸碰該接觸件732A。以此方式,一單一黏結導線可用於形成兩個相同接觸件之間的平行電流路徑。
在一變體中,圖8亦展示一實施例,在該實施例中,一黏結導線750之該第二端部756接合至該黏結導線之一第一端部752接合至之相同接觸件732B。然而,在此情況中,該第二端部756不觸碰該接觸件732B,且可直接接合至該接觸件。在其他實施例(圖中未展示)中,可使用一黏結導線在該基板之兩個接觸件間做出一類似環連接,該黏結導線具有接合至該等基板接觸件之一者之一中間部分及接合至該等基板接觸件之另一者之端部或具有與接合至該基板接觸件之該等端部之至少一者接合在一起之端部。在又另一變體中,可使用一黏結導線在一晶片之兩個接觸件間做出一類似環連接,該黏結導線具有接合至該等晶片接觸件之一者之一中間部分及接合至該等晶片接觸件之另一者之端部或具有與接合至該晶片接觸件之該等端部之至少一者接合在一起之端部。
圖9繪示類似於圖8之一變體,在該變體中,使用一黏結帶840取代一黏結導線,其中該黏結帶840具有一第一端部842,該第一端部冶金接合至該等接觸件之一者(例如,接觸件832A)。該黏結帶840具有冶金接合至另一接觸件832B之一中間部分844,且具有接合至該黏結帶之該第一端部842之一第二端部846。該黏結帶之該第一端部842與該第二端部846之間的接合可係使得該第二端部846不觸碰該第一端部接合至之該接觸件832A。或者,在一變體(圖中未展示)中,該第二端部846可觸碰或直接接合該第一端部842接合至之相同接觸件832A,類似於圖8中黏結導線750之配置。該等接觸件之一者(例如,接觸件832A、832B之一者)可係一基板接觸件且該等接觸件832A、832B之另一者可係一晶片接觸件。或者,該等接觸件832A、832B之兩者可係暴露在一基板之一表面處之基板接觸件,或接觸件832A、832B兩者可係暴露在一晶片之一表面處之晶片接觸件。
在上文描述的實施例(圖1至圖5)之一變體(圖10)中,一微電子總成900包含第一黏結元件944及第二黏結元件946,該等黏結元件各自係一黏結導線或一黏結帶,且各自具有第一端部944A、944B,該等端部電連接至暴露在一半導體晶片110之一第一表面128處之一第一晶片接觸件112。一基板130與該晶片110之該第一表面128並列,該基板具有暴露包含第一晶片接觸件112之複數個晶片接觸件之一開口920,使得該第一黏結元件944及該第二黏結元件946延伸穿過該基板中之該開口。該等黏結元件之第二端部946A、946B可電連接至暴露在該基板130之一表面131處之各別基板接觸件。
如圖10中進一步可見,該第一黏結元件可具有冶金接合至該第一晶片接觸件之一第一端部944A及電連接或冶金接合至該第一基板接觸件932A之一第二端部944B。換言之,該第一黏結元件之該等端部可經由一金屬至金屬接合過程予以接合,該第一黏結元件之該等端部處之金屬形成與該第一晶片接觸件及該第一基板接觸件之金屬之接合。此外,如圖10中進一步可見,該第二黏結元件可具有冶金接合至該第一黏結元件944之一第一端部946A及電連接或冶金接合至一第二基板接觸件932B之一第二端部946B。該第二黏結元件可冶金(即,經由一金屬至金屬接合過程)接合至該第一黏結元件,該第一黏結元件及該第二黏結元件之該等端部處之金屬形成一金屬至金屬接合。在一特定實施例中,如圖10中可見,該第二黏結元件946之一端部946A與該第一黏結元件944之一端部944A接合。在一特定實施例中,如圖10中可見,該第二黏結元件946不觸碰該第一晶片接觸件112。換言之,該第二黏結元件可藉由該第一黏結元件而整體與該第一晶片接觸件之一表面隔離,該第二黏結元件接合至該第一黏結元件。
如圖10中特別展示,該第二黏結元件之一球端部946A與該第一黏結元件之一球端部944A接合。然而,或者,該第一黏結元件及該第二黏結元件可根據圖5中展示的變體予以接合。
如圖10中進一步可見,一第三導電黏結元件948可電連接該第一基板接觸件932A與該第二基板接觸件932B。該第三黏結元件可冶金接合至該第一黏結元件及該第二黏結元件之至少一者之一第二端部944B或946B。在一實施例中,該第三黏結元件之端部948A、948B可冶金接合至該第一黏結元件及該第二黏結元件之每一者之該等第二端部944B、946B。在一特定實施例中,類似於該第二黏結元件之該第一端部946A相對於該第一晶片接觸件112之配置,該第三黏結元件不需要觸碰該第一基板接觸件932A或該第二基板接觸件932B之任一者,該第一黏結元件及該第二黏結元件接合至該等基板接觸件。或者,該第三黏結元件可係如在950處展示的,其中該第三黏結元件之端部冶金接合至該第一基板接觸件932A及該第二基板接觸件932B。
圖11繪示上文關於圖10描述之該實施例之一變體,在該變體中,該晶片1110具有一第一表面128,該第一表面具有暴露在其處之接觸件1112,該晶片具有遠離該第一表面之一第二表面129及在該第一表面128與該第二表面129之間延伸之一周邊邊緣1114。如圖11中可見,該第二表面與基板1130並列。如同上文描述的實施例(圖10)中,第一黏結元件1144及第二黏結元件1146可具有彼此接合之端部;然而,該第二黏結元件不需要觸碰該第一晶片接觸件1112,該第一黏結元件冶金接合至該第一晶片接觸件。該第一黏結元件1144及該第二黏結元件1146可延伸超過該晶片1110之周邊邊緣1114。該第一黏結元件及該第二黏結元件冶金接合至暴露在該基板之一表面1131處之各別第一基板接觸件1132A及第二基板接觸件1132B。
圖11繪示一第三黏結元件1150可電連接該第一基板接觸件1132A及該第二基板接觸件1132B。該第三黏結元件與該第一基板接觸件及該第二基板接觸件之間的連接可係如上文關於圖10描述的。
圖12A繪示根據上文關於圖1至圖5描述之該實施例之一變體之一微電子總成。在此變體中,第一黏結元件1244及第二黏結元件1246具有冶金接合在一起之第一端部1144A、1146A,如上文描述(圖1至圖5),其中該第一黏結元件1244接合至暴露在一半導體晶片(圖中未展示)之一表面處之一晶片接觸件112。如圖12A之特定圖中可見,該等黏結元件可係黏結導線且每一第一端部1244A、1246A可包含一球。該第二黏結元件1246(例如,其之一端部1246A)不觸碰該第一晶片接觸件112。如圖12中進一步可見,該第一黏結元件及該第二黏結元件之每一者之第二端部1244B、1246B冶金接合至暴露在一基板(圖中未展示)之一表面處之一基板接觸件132。
在圖12A中展示之該實施例之一變體中,該等黏結元件1244、1246之每一者可係一黏結導線且每一第一端部1244A、1246A可係一導線端部,該導線端部遠離該黏結導線之該球端部(即,包含一球之該端部)。在此變體中,該等第一端部可類似於圖4中可見之該等黏結導線之該等導線端部244B、246B。在一特定變體中,該黏結導線之該第二端部1244B、1246B包含一球,每一第二端部1244B、1246B接合至該基板接觸件132。
在圖12A中展示的該實施例之另一變體中,該等黏結元件之每一者可係一黏結導線且該等黏結導線之該等第一端部1244A、1246A可以類似於以下端部之方式冶金接合在一起:圖5中展示的該第一黏結導線及該第二黏結導線之球端部344A及導線端部346A。明確言之,一黏結導線之一第一端部1244A可包含一球且冶金接合至該黏結導線之一第二黏結導線之一第一端部1246A可包含一導線端部,該導線端部遠離該第二黏結導線之該球端部。該等黏結導線之該等第二端部之每一者接合至該基板接觸件,如圖12A中可見。
如圖12B中可見,在上文實施例(圖12A)之一變體中,該等黏結元件1254及1256之該等端部1254A、1254B可彼此冶金接合且亦可接合至該接觸件112。在圖12B中展示之一特別實施例中,每一黏結元件可係一黏結導線且該等黏結導線之該等球端部1254A、1256A可冶金接合至該晶片接觸件1212且彼此接合。類似於上文關於圖12A闡述的該等變體,在圖12B中展示的實施例之一變體中,該等黏結導線之該等第一端部1254A、1256A可係導線端部,或一第一黏結導線之一端部可係一球端部且一第二黏結導線之一端部可係一導線端部,該等第一端部彼此冶金接合且接合至該晶片接觸件1212。
雖然已參考特定實施例描述本發明,但應瞭解此等實施例僅係本發明之原理及應用之說明。因此應瞭解在不背離隨附申請專利範圍定義之本發明之精神及範圍情況下可對該等說明性實施例做出多種修改且可設計其他配置。
100...微電子總成
110...晶片
112...晶片接觸件
128...表面/頂面/第一表面
129...第二表面
130...基板
131...表面
132...基板接觸件/接觸件
132A...基板接觸件
132B...基板接觸件
132C...基板接觸件
132D...基板接觸件
132E...接觸件
134...導電引腳或跡線
136...終端
140...連接
142...連接
144...導電黏結元件/第一黏結元件/第一黏結導線
144A...端部
144B...端部
146...第二導電黏結元件/第二黏結導線/黏結導線
146A...端部
146B...端部
212A...接觸件/第一接觸件
212B...接觸件/第二接觸件
244...第一黏結導線/導線
244A...第一端部/球
244B...第二端部
246...第二黏結導線/導線
246A...第一端部/球
246B...第二端部
344...第一黏結導線
344A...球端部
344B...導線端部
346...第二黏結導線
346A...球端部
346B...導線端部
412A...接觸件
412B...接觸件
444...黏結導線
445...黏結導線
446...黏結導線
448...黏結導線
450...黏結導線
452...黏結導線
512...接觸件/晶片接觸件
530...基板
544...引腳黏結件
546...黏結導線
550...寬度
552...長度
554...厚度
612...接觸件/晶片接觸件
632...接觸件/基板接觸件
644...引腳黏結件
646...黏結帶
648...黏結帶
650...引腳黏結件
652...引腳黏結件
656...黏結帶
658...引腳黏結件
660...引腳黏結件
712A...晶片接觸件
732A...接觸件
732B...接觸件
740...黏結導線
742...第一球端部/球端部
744...中間部分
746...第二端部
750...黏結導線
752...第一端部
756...第二端部
832A...接觸件
832B...接觸件
840...黏結帶
842...第一端部
844...中間部分
846...第二端部
900...微電子總成
920...開口
932A...第一基板接觸件
932B...第二基板接觸件
944...第一黏結元件
944A...第一端部
944B...第二端部
946...第二黏結元件
946A...第一端部
946B...第二端部
948...第三導電黏結元件
948A...端部
948B...端部
1100...晶片
1112...第一晶片接觸件
1114...周邊邊緣
1130...基板
1131...表面
1132A...第一基板接觸件
1132B...第二基板接觸件
1144...第一黏結元件
1144A...第一端部
1144B...第一端部
1146...第二黏結元件
1150...第三黏結元件
1212...晶片接觸件
1244...第一黏結元件/黏結元件
1244A...第一端部
1244B...第二端部
1246...第二黏結元件/黏結元件
1246A...第一端部
1246B...第二端部
1254...黏結元件
1254A...端部/球端部/第一端部
1254B...端部
1256...黏結元件
1256A...球端部/第一端部
圖1係根據一實施例之一微電子總成之一截面圖;
圖2係如圖1中可見之一微電子總成之一相對應平面圖,圖1之該截面圖係穿過圖2之線1-1獲取的;
圖3係進一步繪示本文之一實施例之一微電子總成中黏結元件之間的連接之一片段部分截面圖;
圖4係進一步繪示本文之一實施例之一微電子總成中黏結元件之間的連接之一片段部分截面圖;
圖5係繪示本文之一實施例之一微電子總成之一變體中黏結元件之間的連接之一片段部分截面圖;
圖6係根據本文之一實施例之一微電子總成之一平面圖;
圖7A係根據本文之一實施例之一微電子總成之一截面圖;
圖7B係特別繪示一微電子總成中之一引腳黏結件之該微電子總成之一片段部分透視圖;
圖7C係根據本文之一實施例之一微電子總成之一平面圖;
圖8係根據本文之一實施例之一微電子總成之一截面圖;
圖9係繪示包含一微電子總成中之一帶黏結件之一環連接之該微電子總成中之一片段部分透視圖;
圖10係繪示根據圖1至圖5中展示之實施例之一變體之一微電子總成之一截面圖;
圖11係繪示根據圖10中展示之實施例之一變體之一微電子總成之一片段透視圖;
圖12A係繪示根據圖1至圖5中展示之實施例之一變體之一微電子總成之一片段部分透視圖;及
圖12B係繪示根據圖12A中展示之實施例之一變體之一微電子總成之一片段部分正視圖。
100...微電子總成
110...晶片
112...晶片接觸件
128...表面/頂面/第一表面
130...基板
131...表面
132...基板接觸件/接觸件
134...導電引腳或跡線
136...終端
140...連接
144...導電黏結元件/第一黏結元件/第一黏結導線
144A...端部
144B...端部
146...第二導電黏結元件/第二黏結導線/黏結導線
146B...端部

Claims (13)

  1. 一種微電子總成,其包括:一半導體晶片,其具有一第一表面、一第二表面及暴露在該第一表面處之複數個晶片接觸件;一基板,其包含一介電元件,該介電元件具有一與該第一表面或該第二表面之一者並列之表面,該基板具有複數個基板接觸件暴露在該介電元件之該表面;及一第一導電黏結元件及一第二導電黏結元件,其中該第一導電黏結元件係一第一黏結導線且該第二導電黏結元件係一第二黏結導線,該第一黏結元件及該第二黏結元件電連接該複數個晶片接觸件之一第一晶片接觸件與該複數個基板接觸件之一對應第一基板接觸件且提供介於該第一晶片接觸件及該第一基板接觸件之間的平行導電路徑,該第一黏結元件具有冶金接合至該第一晶片接觸件之一第一端部及冶金接合至該第一基板接觸件之一第二端部,該第二黏結元件係冶金接合至該第一黏結元件之該第一及第二端部,其中該第二黏結元件不觸碰該第一晶片接觸件且不觸碰該第一基板接觸件,其中該第一黏結導線之該第一及第二端部之一者包含一球,該第二黏結導線具有一包含一球之第一端部及遠離其之一第二端部,該第二黏結導線之該第二端部係冶金接合至該第一黏結導線之該球或至遠離該第一黏結導線之該球之該第一黏結導線之該端部。
  2. 如請求項1之微電子總成,其進一步包括一第三導電黏結元件,該第三黏結元件電連接該第一基板接觸件與該複數個第一基板接觸件之一第二基板接觸件。
  3. 如請求項2之微電子總成,其中該第三黏結元件冶金接合至該第一黏結元件及該第二黏結元件之至少一者之一第二端部。
  4. 如請求項3之微電子總成,其中該第三黏結元件不觸碰該第一基板接觸件或該第二基板接觸件之任一者。
  5. 如請求項2之微電子總成,其中該第三黏結元件冶金接合至該第一基板接觸件及該第二基板接觸件。
  6. 如前述任一請求項之微電子總成,其中該基板具有一介電元件且該複數個基板接觸件係在該介電元件之表面處。
  7. 如請求項1之微電子總成,其中該基板具有一介電元件且該介電元件覆蓋該晶片之該第一表面且具有暴露該複數個晶片接觸件之一開口,其中該第一黏結元件及該第二黏結元件延伸穿過該介電元件中之該開口。
  8. 如請求項6之微電子總成,其中該晶片之該第二表面覆蓋該介電元件,其中該第一黏結元件及該第二黏結元件延伸超過該晶片之至少一邊緣。
  9. 如請求項1之微電子總成,其中該第一黏結元件及該第二黏結元件之各者具有本質上相同的金屬組合物。
  10. 如請求項1之微電子總成,其中該第一及該第二黏結導線之該等第一端部各者具有冶金接合在一起之球,且該 等黏結導線之該等第二端部不需要形成在該等第二端部處之球而構成電連接。
  11. 如請求項1之微電子總成,其中該第一及該第二黏結導線各者具有一具有一球之端部,其中該第一黏結導線之具有該球之該端部係冶金接合至該第二黏結導線沒有該球之該端部,且該第二黏結導線之具有該球之該端部係冶金接合至該第一黏結導線沒有該球之該端部。
  12. 一種製造一微電子總成之方法,其包括:提供一半導體晶片,其具有一第一表面、一第二表面及暴露在該第一表面處之複數個晶片接觸件;提供一基板,其包含一介電元件,該介電元件具有一與該第一表面或該第二表面之一者並列之表面,該基板具有複數個基板接觸件暴露在該介電元件之該表面;及冶金接合一第一導電黏結導線之一第一端部至該複數個晶片接觸件之一第一晶片接觸件及冶金接合該第一導電黏結導線之一第二端部至該複數個基板接觸件之一對應第一基板接觸件;冶金接合一第二黏結導線至該第一黏結導線之該第一及第二端部使得該第一及第二黏結導線電連接該第一晶片接觸件與該第一基板接觸件,且提供介於該第一晶片接觸件及該第一基板接觸件之間的平行導電路徑使得該第二黏結導線不觸碰該第一晶片接觸件且不觸碰該第一基板接觸件,其中該第一黏結導線之該第一及第二端部之一者包含一球,該第二黏結導線具有一包含一球之第 一端部及遠離其之一第二端部,且該第二黏結導線之該第二端部係冶金接合至該第一黏結導線之該球或至遠離該第一黏結導線之該球之該第一黏結導線之該端部。
  13. 如請求項12之方法,其中該方法包含:形成該第一黏結導線具有冶金接合至該第一晶片接觸件之該第一端部,及冶金接合至該第一基板接觸件之該第二端部,及然後形成該第二黏結導線具有冶金接合至該第一黏結導線之該第一端部的該第二黏結導線之一第一端部,且具有冶金接合至該第一黏結導線之該第二端部的該第二黏結導線之一第二端部。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9815161B2 (en) 2014-11-12 2017-11-14 Industrial Technology Research Institute Backlash automatic detection system for machine tool and method using the same

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011043417A1 (ja) * 2009-10-09 2011-04-14 日亜化学工業株式会社 半導体装置及びその製造方法
US8008785B2 (en) 2009-12-22 2011-08-30 Tessera Research Llc Microelectronic assembly with joined bond elements having lowered inductance
US8536716B1 (en) * 2009-12-31 2013-09-17 Micron Technology, Inc. Supply voltage or ground connections for integrated circuit device
EP2688101A1 (en) * 2012-07-20 2014-01-22 ABB Technology AG Method for electrically connecting vertically positioned substrates
US9123600B2 (en) 2013-02-27 2015-09-01 Invensas Corporation Microelectronic package with consolidated chip structures
JP2014170801A (ja) * 2013-03-01 2014-09-18 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体装置
CN103500736B (zh) * 2013-08-22 2017-04-26 上海华虹宏力半导体制造有限公司 芯片封装结构和芯片封装方法
TWI532215B (zh) * 2013-12-26 2016-05-01 隆達電子股份有限公司 發光二極體元件
US11373974B2 (en) 2016-07-01 2022-06-28 Intel Corporation Electronic device packages and methods for maximizing electrical current to dies and minimizing bond finger size
EP3343600A1 (de) * 2016-12-28 2018-07-04 Siemens Aktiengesellschaft Halbleitermodul mit einem ersten und einem zweiten verbindungselement zum verbinden eines halbleiterchips sowie herstellungsverfahren
US11270963B2 (en) 2020-01-14 2022-03-08 Sandisk Technologies Llc Bonding pads including interfacial electromigration barrier layers and methods of making the same
CN113703099A (zh) * 2020-05-21 2021-11-26 青岛海信宽带多媒体技术有限公司 一种光模块
US11876067B2 (en) 2021-10-18 2024-01-16 Nanya Technology Corporation Semiconductor package and method of manufacturing the same

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02215137A (ja) * 1989-02-16 1990-08-28 Sanyo Electric Co Ltd 高周波半導体装置
TW200608544A (en) * 2004-08-24 2006-03-01 Chipmos Technologies Inc Thermal enhanced BGA package
JP2007150144A (ja) * 2005-11-30 2007-06-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
JP2007324604A (ja) * 2006-06-02 2007-12-13 Robert Bosch Gmbh ボンディング接合部および2つのコンタクト面をボンディングするための方法
JP2008288229A (ja) * 2007-05-15 2008-11-27 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオード及びその製造方法
JP2009124075A (ja) * 2007-11-19 2009-06-04 Denso Corp ワイヤボンディング方法およびワイヤボンディング構造体

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63114138A (ja) * 1986-10-31 1988-05-19 Hitachi Ltd ワイヤ積層ボンデイング方法
US5412247A (en) * 1989-07-28 1995-05-02 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Protection and packaging system for semiconductor devices
JPH03215137A (ja) 1990-01-19 1991-09-20 Meidensha Corp 試験用負荷設備
US5917242A (en) * 1996-05-20 1999-06-29 Micron Technology, Inc. Combination of semiconductor interconnect
US6169331B1 (en) * 1998-08-28 2001-01-02 Micron Technology, Inc. Apparatus for electrically coupling bond pads of a microelectronic device
JP3378809B2 (ja) 1998-09-30 2003-02-17 三洋電機株式会社 半導体装置
US6455354B1 (en) * 1998-12-30 2002-09-24 Micron Technology, Inc. Method of fabricating tape attachment chip-on-board assemblies
KR100319609B1 (ko) * 1999-03-09 2002-01-05 김영환 와이어 어래이드 칩 사이즈 패키지 및 그 제조방법
US6457235B1 (en) * 2000-06-09 2002-10-01 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Method of wire-bonding circuit chip to bonding pad
JP4439090B2 (ja) * 2000-07-26 2010-03-24 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 半導体装置及びその製造方法
KR100388295B1 (ko) 2000-10-26 2003-06-19 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 와이어 본딩 구조 및 그 방법
TW465064B (en) * 2000-12-22 2001-11-21 Advanced Semiconductor Eng Bonding process and the structure thereof
US20040119172A1 (en) * 2002-12-18 2004-06-24 Downey Susan H. Packaged IC using insulated wire
US6812580B1 (en) * 2003-06-09 2004-11-02 Freescale Semiconductor, Inc. Semiconductor package having optimized wire bond positioning
TWI376756B (en) * 2003-07-30 2012-11-11 Taiwan Semiconductor Mfg Ground arch for wirebond ball grid arrays
KR100526847B1 (ko) 2003-11-19 2005-11-08 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체 장치의 이중 와이어 본딩 구조
US7086148B2 (en) 2004-02-25 2006-08-08 Agere Systems Inc. Methods and apparatus for wire bonding with wire length adjustment in an integrated circuit
JP2005251957A (ja) 2004-03-04 2005-09-15 Renesas Technology Corp 半導体装置
JP2005268497A (ja) * 2004-03-18 2005-09-29 Denso Corp 半導体装置及び半導体装置の製造方法
US7078808B2 (en) * 2004-05-20 2006-07-18 Texas Instruments Incorporated Double density method for wirebond interconnect
DE102005006333B4 (de) * 2005-02-10 2007-10-18 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauteil mit mehreren Bondanschlüssen und gebondeten Kontaktelementen unterschiedlicher Metallzusammensetzung und Verfahren zur Herstellung desselben
JP2006261173A (ja) 2005-03-15 2006-09-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置
JP4216295B2 (ja) * 2006-05-01 2009-01-28 シャープ株式会社 バンプ構造およびその形成方法、ならびにそれを用いた半導体装置
JP2008034567A (ja) * 2006-07-27 2008-02-14 Fujitsu Ltd 半導体装置及びその製造方法
US7777353B2 (en) * 2006-08-15 2010-08-17 Yamaha Corporation Semiconductor device and wire bonding method therefor
JP5481769B2 (ja) * 2006-11-22 2014-04-23 日亜化学工業株式会社 半導体装置及びその製造方法
US20080246129A1 (en) * 2007-04-04 2008-10-09 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device
JP2008277751A (ja) * 2007-04-04 2008-11-13 Panasonic Corp 半導体装置の製造方法、および半導体装置
TWI466247B (zh) * 2009-01-05 2014-12-21 Nanya Technology Corp 三維封裝結構
US20110147928A1 (en) 2009-12-22 2011-06-23 Tessera Research Llc Microelectronic assembly with bond elements having lowered inductance
US8008785B2 (en) 2009-12-22 2011-08-30 Tessera Research Llc Microelectronic assembly with joined bond elements having lowered inductance

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02215137A (ja) * 1989-02-16 1990-08-28 Sanyo Electric Co Ltd 高周波半導体装置
TW200608544A (en) * 2004-08-24 2006-03-01 Chipmos Technologies Inc Thermal enhanced BGA package
JP2007150144A (ja) * 2005-11-30 2007-06-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
JP2007324604A (ja) * 2006-06-02 2007-12-13 Robert Bosch Gmbh ボンディング接合部および2つのコンタクト面をボンディングするための方法
JP2008288229A (ja) * 2007-05-15 2008-11-27 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオード及びその製造方法
JP2009124075A (ja) * 2007-11-19 2009-06-04 Denso Corp ワイヤボンディング方法およびワイヤボンディング構造体

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9815161B2 (en) 2014-11-12 2017-11-14 Industrial Technology Research Institute Backlash automatic detection system for machine tool and method using the same

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