KR101116206B1 - 커넥터 및 이를 갖는 히터 어셈블리 - Google Patents

커넥터 및 이를 갖는 히터 어셈블리 Download PDF

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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01RELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
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    • H01R13/46Bases; Cases
    • H01R13/533Bases, cases made for use in extreme conditions, e.g. high temperature, radiation, vibration, corrosive environment, pressure

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Abstract

고온에서 안정적인 전력 공급을 위한 커넥터는, 중공형 도전체와, 상기 중공형 도전체 내부에서 상기 중공형 도전체와 면접하게 결합되고, 상기 중공형 도전체 보다 열팽창률이 작은 재질로 형성된 지지체를 포함한다. 따라서, 고온 및 고산화성 환경에서 양호한 결합 강도 및 안정적인 전기적 접속 성능을 가진다.

Description

커넥터 및 이를 갖는 히터 어셈블리{connector and heater assembly having the same}
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 커넥터를 도시한 단면도이다.
도 2는 도 1의 커넥터를 구비하는 히터 어셈블리의 일 예를 도시한 단면도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
1 : 본체 1a : 접속부
3 : 전극 5 : 연결부재
10 : 커넥터 11 : 중공형 도전체
12 : 지지체 13,13a : 용가재
본 발명은 커넥터 및 히터 어셈블리에 관한 것으로서, 좀더 상세하게는, 반도체 제조 장치에 사용되는 히터 어셈블리 및 상기 히터 어셈블리에 전력을 공급하는 커넥터에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 장치는 반도체 기판으로 사용되는 실리콘 기판 상에 전기 소자들을 포함하는 전기적인 회로를 형성하는 팹(Fab) 공정과, 상기 팹 공정에서 형성된 실리콘 기판 상의 다수의 칩의 전기적인 특성을 검사하기 위한 EDS(electrical die sorting) 공정과, 상기 칩을 각각 에폭시 수지로 봉지하고 절단하여 개별 칩 단위로 개별화시키기 위한 패키지 조립 공정을 통해 제조된다.
상기 반도체 제조 공정에서 반도체 기판에 박막 형성 또는 에칭, 포토레지스 패턴 형성을 위해서 상기 반도체 기판을 가열하기 위한 히터가 사용된다.
상기 히터는, 질화알루미늄, 알루미나, 이트리아 등의 조밀한 재질의 세라믹 부재와, 상기 부재 내부에 발열 및 전력 공급을 위한 전극이 매설된 형태로 이루어진다. 특히, 반도체 제조 공정의 특성상, 상기 히터는, 급격한 온도 변화 및 고온 환경과 고산화성 환경에서 사용되므로, 상기 히터는 높은 내열충격성과 내식성을 가질 것이 요구된다.
여기서, 상기 히터는 외부에서 전력을 공급하기 위한 커넥터가 구비되는데, 상기 커넥터는 상기 히터 외부에 설치된다. 따라서, 상기 커넥터 역시 높은 내열충격성과 내식성이 요구된다.
특히, 고온에서는 상기 커넥터의 기계적 강도가 떨어지며, 상기 히터의 본체를 구성하는 세라믹 부재와 상기 커넥터 사이의 열팽창률의 차이로 인해 상기 커넥터와 상기 전극 및/또는 상기 커넥터와 상기 세라믹 부재 사이의 결합 강도가 저하되고, 전기적 연결이 불안정해지는 문제점이 있다.
한편, 반도체 제조 공정은 고온 뿐만 아니라, 고온과 저온을 급격하게 반복하게 되므로, 상기와 같은 열 사이클로 인한 상기 히터와 커넥터 사이에 응력이 집 중될 수 있으며, 이러한 응력 집중은 미소 박리 및 크랙이 발생할 수 있으며, 더 나아가, 히터의 발열면의 온도가 균일하지 않음으로 인한 반도체 장치의 불량이 문제가 된다.
한편, 한국 등록특허 제0279650호(이하, 종래기술이라 한다)에는 상기와 같이 반도체 제조 공정에 사용되는 장치에 전원을 공급하기 위한 커넥터의 일 예가 제시되어 있다.
구체적으로 종래 기술은, 플라즈마 발생 장치에서 전력을 공급하기 위한 커넥터를 제시하고 있으며, 상기 커넥터는, 관형의 차폐 부재 내부에 전력 공급용의 커넥터를 삽입한 구조를 가진다.
그러나, 종래 기술에 따른 커넥터는 차폐 부재와 커넥터가 소정 간극을 두고 결합되며, 복잡한 구조와 다수의 부품들로 구성되어 있어서, 상기 커넥터를 조립 및 생산하는 공정에서 불량 발생률이 높고, 제품 성능에 대한 신뢰성이 저하되는 문제점이 있다. 또한, 커넥터의 수명이나 성능 등의 품질이 제품에 따라 편차가 크게 나타나는 문제점이 있다.
본 발명은 상술한 바와 같은 문제점들을 해소하고자 안출된 것으로서, 본 발명의 일 목적은 고온 및 고산화성 환경에서 안정적인 성능과, 결합 강도를 유지할 수 있는 전력 공급용 커넥터를 제공함과 더불어, 구조가 간단하고 성능 및 품질에 대한 신뢰성을 향상시킨 커넥터를 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 다른 목적은 상기 커넥터를 갖는 히터 어셈블리를 제공하는 것이다.
상기 본 발명의 일 목적을 달성하기 위해 본 발명의 일 실시예에 따른 전력 공급용 커넥터는, 중공형 도전체와, 상기 중공형 도전체 내부에서 상기 중공형 도전체와 면접하게 결합되고, 상기 중공형 도전체 보다 열팽창률이 작은 재질로 형성된 지지체를 포함한다.
실시예에서, 상기 지지체는 텅스텐, 텅스텐 합금, 몰리브덴, 몰리브덴 합금, 코바(KOVAR), 인바(INVAR) 및 철-니켈(Fe-Ni)계 저열팽창 합금 중 어느 한 금속으로 이루어질 수 있다.
실시예에서, 상기 중공형 도전체는 상기 지지체에 비해 내산화성이 큰 금속을 사용할 수 있다. 여기서, 상기 중공형 도전체는 니켈, 구리, 금, 은, 백금 및 이들의 합금 중 어느 한 금속으로 이루어질 수 있다.
실시예에서, 상기 중공형 도전체와 지지체는 도전성 용가재(filler metal)에 의해 결합될 수 있다. 여기서, 상기 용가재는 금, 은, 팔라듐 중 어느 한 종류의 금속을 포함하는 것이 바람직하다.
한편, 상기 본 발명의 다른 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 히터 어셈블리는, 내부에 전극이 매설된 본체와, 중공형 도전체와, 상기 중공형 도전체 내에 배치된 지지체를 포함하는 커넥터와, 상기 본체 내부에 매설되고, 일단은 상기 전극에 연결되고, 타단은 상기 커넥터 어셈블리에 결합되며, 상기 전극과 상기 커넥터를 전기적으로 연결시키는 연결부재를 포함한다.
실시예에서, 상기 연결부재는 상기 지지체와 도전성 용가재에 의해 결합되고, 상기 중공형 도전체와 상기 연결부재는 상기 용가재를 통해 전기적으로 연결될 수 있다. 여기서, 상기 용가재는 금, 은, 팔라듐 중 어느 한 종류의 금속을 포함하는 것이 바람직하다.
실시예에서, 상기 연결부재와 상기 지지체는 같은 열팽창률을 가지는 재질로 형성될 수 있다. 여기서, 상기 연결부재는 텅스텐, 텅스텐 합금, 몰리브덴, 몰리브덴 합금 중 어느 한 금속으로 이루어질 수 있다.
따라서, 커넥터는 고온에서 높은 내산화성과 안정적인 전기전도도 특성을 가지며, 구조적으로 커넥터와 히터 어셈블리 사이의 결합 강도가 양호하게 유지되므로, 안정적인 작동하고, 성능 신뢰도를 향상시킨다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 커넥터 및 이를 갖는 히터 어셈블리에 대해 상세히 설명한다.
하지만, 본 발명이 하기의 실시예들에 한정되는 것은 아니며, 해당 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양한 다른 형태로 구현할 수 있을 것이다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다. 본 발명에 있어서, 각 구조물들이 다른 구조물들의 "상에", "상부"에 또는 "하부"에 위치하는 것으로 언급되는 경우에는 각 구조물들이 직접 다른 구조물들 위에 위치하거나 또는 아래에 위치하는 것을 의미하거나, 또 다른 구조물들이 상기 구조물들 사이에 추가적으로 형성될 수 있다. 또한, 각 구조물들이 "제1", "제2" 및/또는 "제3"으로 언급되는 경우, 이러한 부재들을 한정하기 위한 것이 아니라 단지 각 구조물들을 구분하기 위한 것이다. 따라서, "제1", "제2" 및/또는 "제3"은 각 구조물들에 대하여 각기 선택적으로 또는 교환적으로 사용될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 커넥터를 설명하기 위한 단면도이다. 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 히터 어셈블리를 설명하기 위한 단면도이다.
커넥터
이하, 도 1을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 커넥터에 대해 설명한다.
도 1 에 도시한 바와 같이, 커넥터(10)는 중공형의 도전체(11)와, 상기 중공형 도전체(11) 내부에 배치되는 지지체(12)를 포함하여 이루어진다.
여기서, 상기 중공형 도전체(11)는 고온에서 전기 전도도가 크고 내산화성이 큰 금속으로 이루어지고, 상기 지지체(12)는 상기 중공형 도전체(11)에 비해 고온에서 열팽창률이 작은 금속으로 이루어진다.
상기 중공형 도전체(11)는 외부의 전원공급부(미도시)에 연결되고 후술하는 히터 어셈블리 등의 장치로 전력을 공급하는 부분이므로, 고온 및 급격한 온도 변화에서도 원할하게 전력을 공급할 수 있도록 전기 전도도가 높은 금속으로 이루어진다.
또한, 상기 중공형 도전체(11)는 고온 및 고산화성 환경에 노출되어 사용하게 되므로, 안정적인 전력 공급을 위해 내산화성이 큰 금속을 사용하는 것이 바람 직하다.
특히, 상기 중공형 도전체(11)는 내산화성이 크고 전기 전도도가 높은 니켈, 구리, 금, 은, 백금 및 이들의 합금 중 어느 한 금속을 사용하는 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는, 니켈 또는 니켈 합금을 사용한다.
상기 지지체(12)는 상기 중공형 도전체(11) 내부에 배치되어, 고온에서 상기 중공형 도전체(11)의 열팽창을 억제하고, 상기 중공형 도전체(11)를 지지하는 부분이므로, 고온에서 상기 중공형 도전체(11)에 비해 열팽창률이 작은 금속을 사용한다.
상기 지지체(12)는 상기 중공형 도전체(11)의 열팽창을 억제하기 위해서, 상기 중공형 도전체(11)의 두께에 비해 두껍게 형성됨이 바람직하고, 상기 중공형 도전체(11)는 안정적인 성능을 보장하기 위해서 상기 중공형 도전체(11)의 두께가 균일하게 형성됨이 바람직하다.
구체적으로, 상기 중공형 도전체(11)와 상기 지지체(12)는 열팽창률이 서로 다르므로, 특히, 고온에서 상기 중공형 도전체(11)가 팽창하려는 힘을 상기 지지체(12)가 충분히 버틸 수 있도록 상기 지지체(12)를 형성한다.
특히, 상기 지지체(12)는 고온에서 열팽창률이 작은 텅스텐, 텅스텐 합금, 몰리브덴, 몰리브덴 합금, 코바(KOVAR), 인바(INVAR) 및 철-니켈계 저열팽창 합금 중 어느 한 금속을 사용하는 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는, 텅스텐 또는 몰리브덴을 사용한다.
상기 중공형 도전체(11)와 상기 지지체(12)는 용가재(filler metal)(11)에 의해 긴밀하게 접합된다.
특히, 상기 용가재(13)는 전기 전도성이 우수하고, 상기 중공형 도전체(11) 및 상기 지지체(12)와의 결합력이 우수한 금, 은, 팔라듐 중 어느 한 금속을 포함하는 납재를 사용하는 것이 바람직하다.
한편, 상기 중공형 도전체(11)와 상기 지지체(12)의 열팽창에 의해 발생하는 힘은 상기 중공형 도전체(11)와 상기 지지체(12)가 결합되는 부분에서 집중된다. 따라서, 상기 용가재(13)는 상기와 같은 열팽창에 의한 응력에 의해서 파단이 발생하거나 박리가 발생하지 않으며, 상기 중공형 도전체(11)와 상기 지지체(12)를 최대한 긴밀하게 접착시킨다.
여기서, 상기 중공형 도전체(11)를 구성하는 금속은 전기 전도도가 크고, 내산화성이 크지만, 고온에서의 열팽창률은 큰 금속이다. 그리고, 상기 지지체(12)를 구성하는 금속은 고온에서의 열팽창률이 상기 중공형 도전체(11)에 비해 낮지만, 고온에서 산화성이 큰 금속이다.
따라서, 상기와 같이, 커넥터(10) 외부에 내산화성이 큰 금속을 배치하고, 내부에는 열팽창률이 큰 금속을 배치함으로써, 고온에서 상기 지지체(12)가 상기 중공형 도전체(11)의 열팽창을 억제하게 되므로 상기 커넥터(10)의 열팽창률이 작아진다. 더불어, 상기 지지체(12) 자체는 커넥터(10)의 내부에 배치되어 있으므로 산화가 방지되므로, 산화에 의해 결합 강도의 저하나 전기 저항의 상승 등 커넥터(10)의 성능이 저하되는 것을 방지하는 장점이 있다.
히터 어셈블리
이하, 도 2를 참조하여 상기 커넥터(10)를 구비하는 히터 어셈블리에 대해 설명한다. 상기 커넥터(10)는 상술한 제 1 실시예에서 설명한 커넥터와 동일하므로, 동일한 명칭과 도면부호를 부여하며, 상세한 설명은 생략한다.
본 실시예에 따른 히터 어셈블리는, 내부에 전극(3)이 매설되고, 상기 커넥터(10)가 수용되는 접속부(1a)가 형성된 본체(1)와, 상기 전극(3)에 전력을 공급하기 위한 커넥터(10) 및 상기 전극(3)과 커넥터(10) 사이에 배치되고 상기 전극(3)과 상기 커넥터(10)를 전기적으로 연결시키는 연결부재(5)를 포함하여 이루어진다.
상기 본체(1)는 열전도도 및 가공성이 우수해야 하며, 특히 고온에서 열변형이 없어야 한다. 또한, 상기 히터 어셈블리는 반도체 제조 공정에 사용되므로, 상기 본체(1)는 에칭이나 플라즈마 공정 등과 같이 고산화성 환경에서 화학적으로 안정적이어야 한다. 예를 들어, 상기 본체(1)는 질화알루미늄, 알루미나 또는 이트리아와 같은 조밀한 재질의 세라믹을 사용한다.
상기 본체(1)의 일면은 반도체 기판이 안착되고, 상기 반도체 기판을 가열하는 가열면이 되는 상면을 갖는 원기둥 형태를 가진다. 그러나, 상기 본체(1)의 형상은 이에 한정되는 것은 아니며, 히터 어셈블리가 설치되는 장치에 따라 실질적으로 다양한 형상을 가질 수 있다.
상기 접속부(1a)는 상기 본체(1)에서 반도체 기판이 안착되는 면과 반대쪽 면에 상기 커넥터(10)가 수용될 수 있도록 소정 깊이로 형성된 홈 또는 요부이다. 예를 들어, 상기 커넥터(10)가 원형 단면을 갖는 로드(rod) 형상이고, 상기 접속 부(1a)는 상기 커넥터(10)의 단면보다 큰 원형 단면을 갖는 소정 깊이의 홈일 수 있다. 그러나 상기 접속부(1a)의 형상은 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 접속부(1a)는 상기 커넥터(10)의 결합 위치를 가이드 하고, 더불어 상기 접속부(1a) 내부에 상기 커넥터(10)를 설치함으로써 상기 커넥터(10)가 안정적으로 결합될 수 있도록 한다.
상기 전극(3)은 상기 본체(1) 내부에 매설되며, 상기 본체(1)와 같이 소결 형성할 수 있다.
상기 전극(3)은 상기 본체(1)의 상면 형상과 대응되도록 배치되며, 상기 본체(1) 및 상기 본체(1)에 안착되는 반도체 기판을 균일하게 가열할 수 있도록 상기 본체(1) 내부에서 균일하게 배치됨이 바람직하다. 예를 들어, 상기 전극(3)은 상기 본체(1) 내부에서 비교적 얇은 두께를 갖는 판 형상으로 형성될 수 있다.
상기 전극(3)은 전기 전도도가 크고, 고온에서 전기적인 안정성을 갖는 금속을 사용하는 것이 바람직하며, 예를 들어, 상기 전극(3)은 텅스텐, 몰리브덴, 백금 및 이들의 합금 중 어느 한 금속을 사용함이 바람직하다.
상기 연결부재(5)는 상기 본체(1) 내부에 매설되고, 일면이 상기 전극(3)에 접촉되고, 상기 면과 반대쪽 면은 상기 접속부(1a)를 통해 외부로 노출되도록 배치된다.
상기 연결부재(5)는 상기 커넥터(10)와 상기 전극(3)을 전기적으로 접속시키는 부분이므로, 전기 전도도가 큰 금속을 사용하는 것이 바람직하다. 한편, 상기 전극(3)은 상기 본체(1) 내부에 매설되므로, 상기 중공형 도전체(11)와 같이 내산 화성이 큰 금속을 쓸 필요는 없으며, 상기 전극(3)은 전기 전도도가 크고, 고온에서도 안정적인 성능을 갖는 금속을 사용하는 것이 바람직하다.
한편, 상기 연결부재(5)는 상기 지지체(12)에 결합되므로, 상기 전극(3)은 상기 지지체(12)와 열팽창률이 같은 금속을 사용하는 것이 바람직하다.
이는, 고온에서 상기 커넥터(10) 및 연결부재(5)가 팽창하였을 때, 상기 커넥터(10)와 연결부재(5)의 팽창률이 다르다면, 상기 커넥터(10)와 상기 연결부재(5)의 결합이 어긋나면서 전기적 접속이 불가능해질 수 있다. 따라서, 상기 지지체(12)와 상기 연결부재(5)를 열팽창률이 같은 금속을 사용함으로써 상기한 문제점을 해결할 수 있다.
예를 들어, 상기 연결부재(5)는 텅스텐, 텅스텐 합금, 몰리브덴, 몰리브덴 합금 중 어느 한 금속을 사용하는 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 몰리브덴을 사용한다.
상기 커넥터(10)는 외부에서 히터 어셈블리로 전력을 공급하기 위한 장치로서, 중공형 도전체(11)와 상기 중공형 도전체(11) 내부에 배치된 지지체(12)로 형성된다.
상기 커넥터(10)는 상기 본체(1)의 접속부(1a) 내부에 수용되고, 상기 연결부재(5)의 노출된 면에 결합된다. 특히, 상기 지지체(12)의 단부와 상기 연결부재(5)가 도전성 용가재(13a)에 의해 결합된다.
상기 연결부재(5) 상에 형성되는 용가재(13a)는, 상기 지지체(12)와 상기 중공형 도전체(11)를 결합시키는 용가재(13)와 연결되도록 형성됨이 바람직하다. 또 는, 상기 지지체(12)에 용가재(13)를 도포할 때, 상기 중공형 도전체(11)와 결합될 면 뿐만 아니라, 상기 연결부재(5)와 결합될 면까지 모두 용가재(13)를 도포하는 것도 가능하다.
여기서, 상기 연결부재(5)에 상기 지지체(12)를 결합시키는 이유는, 상기 중공형 도전체(11)는 고온에서 열팽창률이 큰 금속이므로 고온에서 상기 연결부재(5)와 상기 중공형 도전체(11)가 서로 다른 열팽창으로 인해 결합이 어긋나는 것을 방지하기 위해서이다.
따라서, 상기 연결부재(5)와 상기 중공형 도전체(11)는 직접적으로 결합되어 있지는 않지만, 상기 용가재(13,13a)를 통해 상기 연결부재(5)와 상기 중공형 도전체(11)가 전기적으로 연결된다.
본 실시예에서는 반도체 기판의 온도를 제어하기 위해 구비되는 세라믹 히터에 대해 설명하였으나, 본 발명에 따른 커넥터는, 세라믹 등의 부재 내부에 전극이 매설되어 있는 장치에서 상기 전극에 전력을 공급하기 위한 커넥터로서 동일하게 적용할 수 있으며, 특히, 고온 및/또는 고산화성 환경에서 사용하는 장치의 전력 공급용 커넥터로 사용하기에 적합하다.
예를 들어, 반도체 제조 공정 중에서 반도체 기판을 지지하는 정전척(electrostatic chuck)이나, 플라즈마를 발생시키기 위한 고주파 전극을 내장한 고주파 발생장치 등에 전력을 공급하기 위한 커넥터로 용이하게 사용할 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 커넥터는 내산화성과 높은 전기 전도도 등의 특성을 가지며, 고온 및 산화성 분위기에서도 커넥터와 히터 어셈블리 사이의 양호한 결합 강도 및 전기적인 안정성을 가진다.
또한, 커넥터의 구조가 단순하므로 생산성 및 경제성이 높으며, 커넥터 제품에 따른 성능이나 수명 등의 품질이 균일하게 나타난다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (11)

  1. 중공형 도전체; 및
    상기 중공형 도전체 내부에서 상기 중공형 도전체와 면접하게 결합되고, 상기 중공형 도전체 보다 열팽창률이 작은 재질로 형성된 지지체를 포함하는 커넥터.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 지지체는 텅스텐, 텅스텐 합금, 몰리브덴, 몰리브덴 합금, 코바(KOVAR), 인바(INVAR) 및 철-니켈(Fe-Ni)계 저열팽창 합금 중 어느 한 금속으로 이루어진 것을 특징으로 하는 커넥터.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 중공형 도전체는 상기 지지체에 비해 내산화성이 큰 금속으로 이루어진 것을 특징으로 하는 커넥터.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 중공형 도전체는 니켈, 구리, 금, 은, 백금 및 이들의 합금 중 어느 한 금속으로 이루어진 것을 특징으로 하는 커넥터.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 중공형 도전체와 지지체는 도전성 용가재(filler metal)에 의해 결합되는 것을 특징으로 하는 커넥터.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 용가재는 금, 은, 팔라듐 중 어느 한 종류의 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 커넥터.
  7. 내부에 전극이 매설된 본체;
    중공형 도전체와, 상기 중공형 도전체 내에 배치된 지지체를 포함하는 커넥터;
    상기 본체 내부에 매설되고, 일단은 상기 전극에 연결되고, 타단은 상기 커넥터에 결합되며, 상기 전극과 상기 커넥터를 전기적으로 연결시키는 연결부재를 포함하는 히터 어셈블리.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 연결부재는 상기 지지체와 도전성 용가재에 의해 결합되고, 상기 중공형 도전체와 상기 연결부재는 상기 용가재를 통해 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 히터 어셈블리.
  9. 제 8 항에 있어서, 상기 용가재는 금, 은, 팔라듐 중 어느 한 종류의 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 히터 어셈블리.
  10. 제 7 항에 있어서, 상기 연결부재와 상기 지지체는 같은 열팽창률을 가지는 재질로 형성됨을 특징으로 하는 히터 어셈블리.
  11. 제 7 항에 있어서, 상기 연결부재는 텅스텐, 텅스텐 합금, 몰리브덴, 몰리브 덴 합금 중 어느 한 금속으로 이루어진 것을 특징으로 하는 히터 어셈블리.
KR1020060116237A 2006-11-23 2006-11-23 커넥터 및 이를 갖는 히터 어셈블리 KR101116206B1 (ko)

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