DE19853447A1

DE19853447A1 - Magnetischer Speicher

Info

Publication number: DE19853447A1
Application number: DE19853447A
Authority: DE
Inventors: Hugo Van Den Berg
Original assignee: Siemens AG
Current assignee: Infineon Technologies AG
Priority date: 1998-11-19
Filing date: 1998-11-19
Publication date: 2000-05-25
Also published as: US6359829B1; TW498335B; CN1252726C; KR20000035578A; JP2000163950A; CN1254929A; EP1003176B1; DE59912387D1; KR100349988B1; EP1003176A2; EP1003176A3; JP3801823B2

Abstract

Die Erfindung bezieht sich auf einen magnetischen Speicher vom wahlfreien Zugriffstyp (MRAM) mit einem Speicherzellenfeld (11), bestehend aus einer Vielzahl von Speicherzellen (1), die an Kreuzungspunkten von Wort- (3) und Senseleitungen (4) matrixförmig angeordnet sind, und deren logische Dateninhalte durch einen magnetischen Zustand definiert sind, mit einer den Wortleitungen (3) zugeordneten Adressierungsschaltung, vermittels welcher die Wortleitung (3) einer oder mehrerer ausgewählter Speicherzellen (1), deren Dateninhalt ausgelesen werden soll, mit einer Lesespannung (V) beaufschlagt wird, und mit einer den Senseleitungen (4) zugeordneten Auswerteschaltung, vermittels welcher ein dem Dateninhalt der ausgewählten Speicherzelle bzw. Speicherzellen entsprechendes Signal erfasst bzw. ausgewertet wird, wobei die Auswerteschaltung eine Vergleichsschaltung (16) besitzt, vermittels welcher ein von einem Referenzelement geliefertes Referenzsignal (Vr) mit dem Sensesignal (Vs) der auszulesenden Speicherzelle bzw. Speicherzellen verglichen wird.

Description

Die Erfindung bezieht sich auf einen magnetischen Speicher vom wahlfreien Zugriffstyp (MRAM) mit einem Speicherzellen feld bestehend aus einer Vielzahl von Speicherzellen, die an Kreuzungspunkten von Wort- und Senseleitungen matrixförmig angeordnet sind, und deren logische Dateninhalte durch einen magnetischen Zustand definiert sind, mit einer den Wortlei tungen zugeordneten Adressierungsschaltung, vermittels wel cher die Wortleitung einer oder mehrerer ausgewählter Spei cherzellen, deren Dateninhalt ausgelesen werden soll, mit ei ner Spannung beaufschlagt wird, und mit einer den Senselei tungen zugeordneten Auswerteschaltung, vermittels welcher ein dem Dateninhalt der ausgewählten Speicherzelle bzw. Speicher zellen entsprechendes Signal erfasst bzw. ausgewertet wird.

Bei solchen matrixorganisierten magnetischen Speichern (MRAMs) ist die Dateninformation in Form einer Magnetisie rungsrichtung in einer Informationsträgerschicht der an den Kreuzungspunkten von Wort- und Senseleitungen angeordneten magnetischen Speicherzellen enthalten. Um eine Speicherzelle auszulesen, wird entweder die Sense- oder die Wortleitung (im Folgenden immer die Wortleitung) mit einer Lesespannung be aufschlagt und über die Wort- oder Senseleitung das durch die den Speicherzustand wiederspiegelnde Impedanz der Speicher zelle veränderte Signal vermittels einer zugeordneten Wort- oder Senseleitungsverstärkerschaltung ausgewertet.

Der relative Unterschied in der Impedanz der Speicherzelle je nach Informationsgehalt ("Eins" oder "Null") beträgt dabei typischerweise ca. 20%, was einen vergleichsweise geringen Wert darstellt. Erschwerend zur Bestimmung des Impedanzunter schiedes kommt hinzu, dass alle anderen Speicherzellen Paral lelwege zur auszulesenden Speicherzelle bilden, und so eine große parasitäre Impedanz bilden, die den Effekt des Impedanz unterschiedes der auszulesenden Speicherzelle schon bei etwa 100 Elementen pro Wortleitung um Größenordnungen schwächen, und sich auf diese Weise ungünstig auf das über die Senselei tungen abgegriffene Signal (Sensesignal), das durch eine nachfolgende Auswerteschaltung analysiert wird, auswirkt.

Herstellungsbedingt treten bei magnetischen Speichern Schwan kungen der absoluten Impedanzen der Speicherzellen innerhalb einer Charge, eines Wafers und auch innerhalb des Speicher zellenfeldes eines einzelnen magnetischen Speichers auf. Das hat zur Folge, dass absolute Impedanzmessungen keinen brauch baren Ansatz zur Bestimmung des Speicherzustandes der auszu lesenden Speicherzelle darstellen.

Eine bislang bekannte Vorgehensweise, den Speicherinhalt ei ner Speicherzelle zu bestimmen, ist die folgende: Die Spei cherzelle wird durch Aktivierung der zugehörigen Wort- und Senseleitungen und Anlegen einer Lesespannung an die Spei cherzelle und Auswertung des Signals der Speicherzelle ausge lesen. Das so erhaltene Mess-Signal wird, zum Beispiel kapa zitiv, zwischengespeichert. Daraufhin wird die Speicherzelle neu mit einem bekannten Wert ("Eins" oder "Null") beschrie ben, wieder ausgelesen, und das neue Mess-Signal mit dem zwi schengespeicherten Mess-Signal verglichen, um so den tatsäch lichen Speicherzustand ermitteln zu können. Nachteilig ist hierbei offensichtlich das Vorgehen in mehreren Schritten.

Bei einem weiteren, vorbekannten Ansatz kommen Magnetrefe renzschichten, die sich innerhalb der Speicherzelle befinden, zum Einsatz. Hier kann nochmals zwischen permanenten und va riablen Magnetreferenzschichten unterschieden werden. Da bei permanenten Magnetreferenzschichten dieselbe Problematik, wie schon oben beschrieben mit den Schwankungen der absoluten Im pedanzen, auftritt, werden sie hier nicht näher betrachtet. In ihrer magnetischen Orientierung variable Magnetreferenz schichten können, um eine Speicherzelle auszulesen, durch ei nen Strom durch die Wort- oder Senseleitung in einer defi nierten Richtung magnetisch orientiert werden (Referenzrich tung). Die Richtungsänderung der Orientierung, und damit der absoluten Impedanz, wird in diesem Falle an Stelle des abso luten Impedanzwertes ausgewertet. Die Magnetisierungsrichtung der Informationsträgerschicht, die dem Dateninhalt gleichge setzt werden kann, bleibt hierbei erhalten und die relativ weich magnetisierte Referenzschicht wird ummagnetisiert. Es ist auch ein Speicher anwendbar, bei dem die Referenzschicht die magnetisch härtere Schicht ist und die Informationsträ gerschicht umgeschaltet wird.

Alle bisher bekannten Methoden und Speicher haben den Nach teil, dass das Auslesen der Information der Speicherzelle durch nacheinander ablaufende Vorgänge geschieht, was einen größeren Zeitaufwand bedeutet.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zu Grunde, einen magnetischen Speicher zur Verfügung zu stellen, bei dem ein Zeitverlust durch nacheinander ablaufende Vorgänge oder verfahrensbeding tes Wiedereinschreiben der Information nicht auftritt, und der eine von herstellungsbedingten Schwankungen der absoluten Impedanzen der Speicherzellen unabhängige Datenverarbeitung ermöglicht.

Diese Aufgabe wird durch einen magnetischen Speicher nach An spruch 1 gelöst.

Erfindungsgemäß ist vorgesehen, dass die Auswerteschaltung eine Vergleichsschaltung besitzt, vermittels welcher ein von einem Referenzelement geliefertes Referenzsignal mit dem Sen sesignal der ausgewählten Speicherzelle bzw. Speicherzellen verglichen wird.

Die Erfindung schlägt vor, den Auslesevorgang von den Ein flüssen der Schwankung der absoluten Impedanzen des Wafers oder der Charge dadurch zu befreien, dass ein auf dem Spei cherchip ausgebildetes Referenzelement vorgesehen wird. Da durch wird es möglich, die Information der Speicherzelle aus zulesen, ohne dass sich die starken Schwankungen der absolu ten Impedanzen auswirken. Dies wird erreicht, indem mit dem Sensesignal der Speicherzelle und dem Referenzsignal der Re ferenzzelle in der Vergleichsschaltung ein Differenzsignal gebildet wird.

Zweckmäßigerweise ist hierbei die Vergleichsschaltung durch einen Differenzverstärker ausgebildet, dem ein Widerstand zu geordnet ist, dessen eines Ende mit einem Eingang und dessen anderes Ende mit dem Ausgang des Differenzverstärkers, und sind den Eingängen des Differenzverstärkers Widerstände vor geschaltet.

In einer vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung können die Wort- und Senseleitungen einzeln durch Erdungsschalter mit der Masse verbunden werden. Der Vorteil der sich daraus er gibt ist, dass die Vielzahl der parasitären Elemente die durch die Gesamtheit der Speicherzellen gebildet wird, deut lich verringert wird, wenn die zur Signalerfassung nicht be nötigten Wort- und Senseleitungen geerdet werden.

Vorteilhafterweise kann das Referenzelement derart ausgebil det sein, dass die elektrischen bzw. magnetischen Eigenschaf ten an die Eigenschaften der Speicherzelle(n) angepasst sind und bei Bedarf durch Variation derselben Eigenschaften auf die der Speicherzellen einstellbar ist, und dabei ausserhalb des Speicherzellenfeldes angeordnet ist. Vorteilhafterweise ist das Referenzelement direkt mit der Referenzverstärker schaltung verbunden, die das Signal der Referenzzelle zum Re ferenzsignal aufbereitet.

Wenn die magnetischen bzw. elektrischen Eigenschaften der Speicherzellen innerhalb eines Speicherzellenfeldes zu sehr schwanken, kann es in Weiterführung der Erfindung von Vorteil sein, das Speicherzellenfeld in mehrere unterschiedliche Zellbereiche von zusammenhängenden Speicherzellen mit annä hernd gleichen elektrischen bzw. magnetischen Eigenschaften aufzuteilen, und den Zellbereichen ein eigenes Referenzele ment bzw. Referenzsignal zuzuordnen, sodass die Signalquali tät des Differenzsignals des Sensesignals der auszulesenden Speicherzelle und des Referenzelements erhalten bleibt.

Vorteilhafterweise kann das Referenzelement, um möglichst gleiche magnetische bzw. elektrische Eigenschaften wie die auszulesende bzw. auszulesenden Speicherzelle(n) zu haben, als eine innerhalb des Speicherzellenfeldes liegende Spei cherzelle ausgebildet sein. Dem folgend ist vorteilhafterwei se die Senseleitung des Referenzelements mit der Referenzver stärkerschaltung verbunden. Das so frei wählbare räumlich va riabel ausgebildete Referenzelement wird zweckmäßigerweise so gewählt, dass es neben dem auszulesenden Speicherelement liegt.

In einer besonders bevorzugten Ausführung der Erfindung liegt das Referenzelement nicht auf der gleichen Wort- und auch nicht auf der gleichen Senseleitung, also an benachbarten Wort- und/oder Senseleitungen der ausgewählten Speicherzel le(n). Zweckmäßigerweise kann in diesem Fall die Wortleitung des Referenzelements mit der Vergleichsschaltung verbunden werden.

Gemäß einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der Erfin dung sind mehrere, der auszulesenden Speicherzelle benachbar te Referenzelemente vorgesehen, deren Wortleitungen, die nicht mit der der auszulesenden Speicherzelle zusammenfallen, gemeinsam mit der Vergleichsschaltung verbunden sind. Dem folgend kann in einer weiteren Ausführungsform vorgesehen sein, dass die Senseleitungen der Referenzelemente mit ande ren Spannungspegeln wie die Wortleitung der auszulesenden Speicherzelle beaufschlagt werden.

Zweckmäßigerweise sind die Speicherzellen des Speicherzellen feldes wie folgt aufgebaut: auf einem Substrat werden Wort leitungen aufgebracht, auf denen Schichten eines ersten ma gnetischen Materials, einer magnetischen Tunnelbarriere und eines zweiten magnetischen Materials aufgebracht sind, auf denen, gekreuzt zu den Wortleitungen, die Senseleitungen auf gebracht sind. Der Leitwert des Schichtensystems ist propor tional zu den Energieniveaudichten an den Fermikanten der beiden durch Schichten des ersten und zweiten magnetischen Materials ausgebildeten metallischen Elektroden. Dadurch, dass die Elektroden magnetisch sind, wird der Strom durch die Tunnelbarriere in zwei Spinkanäle zerlegt, wobei sich die Spinrichtung dieser Kanäle nach der Magnetisierung der Ma gnetschicht unterschiedlichen Typs richtet, die magnetisch härter als die andere ist. Dabei ist der Tunnelstrom in je weils einem der Spinkanäle zu den Energieniveaudichten an beiden Seiten der Barriere für diese Spinrichtung proportio nal. Wird die Magnetisierungsrichtung der weicheren Schicht bezüglich der härteren geändert, ändern sich gleichzeitig die Energieniveaudichten der weicheren Schicht für beide Spinka näle. Als Folge ändert sich der Gesamtstrom durch die Barrie re.

In genauso zweckmäßiger Weise können die Speicherzellen auch durch Schichtfolgen von Magnetschichten eines ersten Typs, Entkopplungsschichten, Magnetschichten eines zweiten Typs und wiederum Entkopplungsschichten und einem Vielfachen dieser Anordnung, welche Schichtfolgen zwischen sich kreuzenden Sen se- und Wortleitungen angeordnet ist, aufgebaut sein. Durch eine Drehung der Magnetisierungsrichtung z. B. der Magnet schicht ersten Typs gegenüber der Magnetschicht zweiten Typs, ändert sich der Widerstand des Schichtfolgenstapels. Der Wi derstandsunterschied zwischen einer parallelen Magnetisierung der Magnetschichten ersten und zweiten Typs und einer anti parallelen Ausrichtung kann so die Bitzustände durch einen Widerstandsunterschied repräsentieren.

Zweckmäßige Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen.

Nachfolgend wird die Erfindung anhand mehrerer, in der Zeich nung dargestellter Ausführungsbeispiele weiter erläutert. Es zeigt:

Fig. 1 ein schematisches Schnittbild durch einen magneti schen Speicher mit sich kreuzenden Sense- und Wort leitungen;

Fig. 2 eine schematische Schnittdarstellung durch ein CPP- Element;

Fig. 3 einen schematischen Aufbau eines magnetischen Spei chers mit Prinzipschaltplan einer Auswerteschaltung;

Fig. 4 ein schematisches Schaltbild der für die Signalbil dung signifikanten Elemente;

Fig. 5 einen schematischen Schaltplan eines magnetischen Speichers mit Auswerteschaltung mit einem Referenze lement außerhalb des Speicherzellenfeldes;

Fig. 6 einen schematischen Schaltplan eines magnetischen Speichers mit Auswerteschaltung mit einem Referenze lement außerhalb des Speicherzellenfeldes mit in Fel dern zusammengefassten magnetischen Speicherzellen;

Fig. 7 einen schematischen Schaltplan eines magnetischen Speichers mit Auswerteschaltung mit einem Referenze lement außerhalb des Speicherzellenfeldes mit Erfas sung des Referenzsignals über eine Senseleitung;

Fig. 8 einen schematischen Schaltplan eines magnetischen Speichers mit Auswerteschaltung mit einem Referenze lement innerhalb des Speicherzellenfeldes mit Erfas sung des Referenzsignals über eine Wortleitung;

Fig. 9 einen schematischen Aufbau eines magnetischen Spei chers mit Prinzipschaltplan einer Auswerteschaltung, die das Referenzsignal über eine Wortleitung erfasst;

Fig. 10 ein schematisches Schaltbild der für die Signalbil dung signifikanten Elemente, unter Zuhilfenahme ei nes Referenzelements;

Fig. 11 einen schematischen Schaltplan eines magnetischen Speichers mit Auswerteschaltung mit einem Referenze lement innerhalb des Speicherzellenfeldes mit Erfas sung des Referenzsignals über eine mit einem Schal ter verbundene Wortleitung;

Fig. 12 einen schematischen Schaltplan eines magnetischen Speichers mit Auswerteschaltung und mehreren Refe renzelementen innerhalb des Speicherzellenfeldes mit Erfassung des Referenzsignals über Wortleitungen.

In Fig. 1 ist ein Schnitt durch eine magnetischen Speicher mit Speicherzellen 1 gezeigt. Auf einem Substrat 2 sind Sen seleitungen 4 aufgebracht, auf welchen darüber senkrecht zu den Senseleitungen 4 angeordneten Wortleitungen 3 vorgesehen sind. An Kreuzungspunkten zwischen den Wort- und Senseleitun gen 3 und 4 ist eine Schichtenfolge von einer ersten Schicht eines magnetischen Materials 7, eine Tunnelbarrierenschicht 6 und einer zweiten Magnetschicht 5 angeordnet, die die Spei cherzellen 1 bilden. Die zwei Magnetschichten 5 und 7 dienen zum einen zum Speichern der Information und zum anderen als Referenzschicht. Im Folgenden wird angenommen die Magnet schicht 7 sei die Informationsträgerschicht und die Magnet schicht 5 sei die Referenzschicht, die aus einem magnetisch weicheren Material als die Informationsträgerschicht 7 be steht. Zum Schreiben oder Lesen einer Speicherzelle 1 wird die entsprechende Wortleitungen 3 mit einer Spannung beauf schlagt und die zugehörige Senseleitung 4 wenigstens virtuell geerdet. Hierbei kann, um die Speicherzelle auszulesen, die Magnetisierungsrichtung der Referenzschicht 5 gezielt geän dert werden, um den magnetischen Zustand der Informationsträ gerschicht 7 zu ermitteln.

Der Leitwert des Schichtensystems ist proportional zu den Energieniveaudichten an den Fermikanten der beiden durch Schichten (5 und 7) des ersten und zweiten magnetischen Mate rials ausgebildeten metallischen Elektroden, welche mit zum einen mit der Wort- (3) und zum anderen mit der Senseleitung 4 verbunden sind. Dadurch, dass die Elektroden magnetisch sind, wird der Strom durch die Tunnelbarrierenschicht 6 in zwei Spinkanäle zerlegt, wobei sich die Spinrichtung dieser Kanäle nach der Magnetisierung der Magnetschicht unterschied lichen Typs (5 oder 7) richtet, die magnetisch härter als die andere ist. Dabei ist der Tunnelstrom in jeweils einem der Spinkanäle zu den Energieniveaudichten an beiden Seiten der Barriere für diese Spinrichtung proportional. Wird die Magne tisierungsrichtung der weicheren. Schicht bezüglich der härte ren geändert, ändern sich gleichzeitig die Energieniveaudich ten der weicheren Schicht für beide Spinkanäle. Als Folge än dert sich der Gesamtstrom durch die Barriere.

Fig. 2 zeigt einen Querschnitt durch eine weitere Ausgestal tung einer magnetischen Speicherzelle 1, in Form eines Schichtfolgenstapels, der sich aus Magnetschichten eines er sten Typs 8, Entkopplungsschichten 9, Magnetschichten eines zweiten Typs 10 und wiederum Entkopplungsschichten 8, und ei nem Vielfachen dieser Anordnung zusammensetzt. Der Schicht folgenstapel, der die magnetische Speicherzelle 1 bildet, ist zwischen sich kreuzenden Senseleitungen 4 und Wortleitungen 3, welche senkrecht zu den Senseleitungen 4 verlaufen, ange ordnet.

Der in Fig. 3 gezeigte schematische Schaltplan eines matrix förmigen magnetischen Speichers zeigt die an den Kreuzungs punkten der Wortleitungen 3 (Anzahl M) und der Senseleitungen 4 (Anzahl N) angeordneten Speicherzellen 1. Die Senseleitun gen 4 sind jeweils über Schreibstromschalter 13A mit Schreib stromquellen 13 sowie über Leseschaltern 12B mit Senselei tungsverstärkerschaltungen 12 verbunden. Die Wortleitungen 3 können um die Speicherzellen 1 auszulesen mit einer Spannung beaufschlagt werden. Soll beispielsweise die Speicherzelle 1A, die von den Speicherzellen 1B, 1C und 1D unmittelbar um geben ist, ausgelesen werden, so wird die Wortleitung 3A mit einer Lesespannung V beaufschlagt, der Schreibstromschalter 13A geöffnet und der Leseschalter 12B geschlossen. Der sich einstellende Signalstrom Is wird über die Senseleitung 4A der auszulesenden Speicherzelle 1A vermittels der Senseleitungs verstärkerschaltung 12, deren Eingang 12C virtuell geerdet ist, ausgewertet. Der Strom-Spannungsumformer 12A dient dabei als Umformer des Signalstromes Is, der aufgrund des Impedan zunterschiedes ΔR/R der Speicherzelle 1A in deren beiden In formationszuständen ("Eins" und "Null") eine Information trägt, in das zu detektierende Signal ΔV. Von Nachteil ist, dass die anderen Speicherzellen 1 Parallelwege zur auszule senden Speicherzelle 1A bilden. Wäre der Eingang 12C nicht virtuell geerdet, sondern über eine Impedanz gekoppelt, so würden sich die Parallelwege der anderen Speicherzellen 1 insgesamt zu der parasitären Gesamtimpedanz 4, die sich zu

berechnet (wobei R hier die Impedanz einer einzelnen Spei cherzelle 1 darstellt) summieren. Für das zu detektierende Signal ΔV würde das bedeuteten, dass sich der Signalhub ge genüber einer einzelnen isolierten Speicherzelle nach

um mindestens Größenordnungen (ca. Faktor 10⁴) verringert, nimmt man eine Anzahl von nur etwa 100 Elementen pro Wortlei tung an. Noch stärker mit M würde die Leistung, die benötigt wird, um die Zelle 1A für den Lesevorgang umzuprogrammieren, nach

zunehmen, so dass bei einer Pulsdauer von 10 ns, etwa 100 Wortleitungen, R = 10⁵Ω, ΔR/R = 20% ΔV = 50 mV pro Lesevorgang ca. 5 nJ bei den Speicherzellen dissipiert würde, was für die An wendung um Größenordnungen zu hoch wäre.

Durch virtuelle Erdung der Senseleitung 4A der auszulesenden Speicherzelle 1A und erden aller nicht benötigten Senselei tungen 4, über Erdungsschalter, kann die Zahl der signifikan ten Elemente die das Netzwerk der parasitären Impedanzen und somit die parasitäre Gesamtimpedanz bilden, deutlich verrin gert werden. E_LESE ist in diesem Fall nur noch proportional zu M, statt M3.

In Fig. 4 ist ein schematisches Schaltbild des parasitären Netzwerks, unter Erdung der nicht benötigten Senseleitungen 4 über Erdungsschalter 14, vereinfacht dargestellt. Der Er dungsschalter 14A der Senseleitung 4A ist geöffnet. Die sich ergebenden parasitären Netzwerke 22 und 23 aus Parallel- und Serienschaltungen setzen sich dabei wie folgt zusammen: das Netzwerk 22 besteht aus einer Parallelschaltung von M-1 Spei cherzellenimpedanzen der Wortleitung 3A (zwei Elemente darge stellt), das gesamte Netzwerk 23 tritt (N-1)-fach auf, wobei das Unternetzwerk 24 jeweils aus einer Parallelschaltung von M-1 Speicherzellenimpedanzen besteht (zwei Elemente darge stellt). Der Eingang 12C zur Senseleitungsverstärkerschaltung 12 ist virtuell geerdet. Deswegen wird das Ausgangssignal ΔV im wesentlichen durch die Impedanz R_U des Strom- Spannungsumformers 12A und der Impedanz R_S und deren Änderung ΔR_S der Auszulesenden Speicherzelle 1A nach

bestimmt.

Durch die Schwankung der absoluten Impedanzen R_S der Spei cherzellen, die durch den Herstellungsprozess des magneti schen Speichers begründet sind, können absolute Bestimmungen der Impedanz kein brauchbares Mittel zur Bestimmung des Spei cherzustandes der auszulesenden Speicherzellen 1A sein.

Eine Methode den Speicherzustand einer auszulesenden Spei cherzelle 1A zu bestimmen, kann die folgende Vorgehensweise sein. Durch beaufschlagen der Wortleitung 3A mit einer Lese spannung V, Messung der Impedanz der auszulesenden Speicher zelle 1A, Zwischenspeicherung des Ergebnisses, Umprogrammie rung der Speicherzelle 1A auf einen definierten Speicherzu stand und Vergleich des nach einer erneuten Messung der Impe danz der Speicherzelle 1A gewonnenen Ergebnisses mit dem vor herigen Ergebnis wird der Datenzustand ermittelt. Diese Me thode hat aber den Nachteil, dass die Information nach dem Auslesen wieder neu eingeschrieben werden muss und der Lese vorgang in einzelne nacheinander abzuarbeitende Schritte zer fällt. Das erneute Einschreiben der Information ist nicht er forderlich, wenn die Speicherzelle aus einem so genannten hart-weich System besteht, bei dem die verwendete Magnetrefe renzschicht magnetisch weicher als die Informationsträger schicht ist, da in diesem Fall die Magnetreferenzschicht in ihrer Magnetisierungsrichtung verändert wird.

In Fig. 5 ist ein schematischer Schaltplan eines magneti schen Speichers mit einem zusätzlichen Referenzelement 17 au ßerhalb des Speicherzellenfeldes 11 und einer zugehörigen Re ferenzverstärkerschaltung 18, und einer Vergleichsschaltung 16, die die Signale der Referenzverstärkerschaltung 18 und der Senseleitungsverstärkerschaltung 12 miteinander ver gleicht, dargestellt. Die elektrischen bzw. magnetischen Ei genschaften des Referenzelements 17 sind an die elektrischen bzw. magnetischen Eigenschaften der Speicherzelle(n) 1 ange passt. Das kann durch verändern des Referenzelements selber (zum Beispiel der Fläche des Elements) oder durch anpassen eines zugeordneten Widerstandsnetzwerks oder der Impedanz 18A der Referenzverstärkerschaltung 18 geschehen. Für einen Aus lesevorgang wird die auszulesende Speicherzelle 1A über die Wortleitung 3A mit einer Lesespannung V beaufschlagt. Der sich einstellende Signalstrom wird über die Senseleitung 4A abgegriffen und durch die Senseleitungsverstärkerschaltung 12 ausgewertet. Das so gewonnene Sensesignal Vs wird mit dem Re ferenzsignal Vr der Referenzverstärkerschaltung 18 vermittels der Vergleichsschaltung 16 ausgewertet, welche ein Differenz signal aus Vs und Vr, im Folgenden Mess-Signal Vm genannt, liefert. Der Grundgedanke dieser Schaltung ist, dass die Ei genschaften der Speicherzellen 1 durch Differenzbildung deren Sensesignals Vs mit einem Signal das den elektrischen bzw. magnetischen Eigenschaften der Speicherzelle entspricht bei der Auswertung vermittels einer Vergleichsschaltung 16 elimi niert werden, so dass nur der Magnetisierungszustand der Speicherzelle das Ergebnis der Impedanzmessung bestimmt. Da durch werden im Idealfall die störenden Einflüsse der her stellungsbedingten Schwankungen der absoluten Impedanzen der Speicherzellen von Charge zu Charge oder sogar von ganzen Speichern untereinander eines Wafers beseitigt.

In Fig. 6 ist eine weitere Ausführungsform der Erfindung zu sehen. Es werden die Speicherzellen ähnlicher Impedanzeigen schaften zu Zellbereichen 19 zusammengefasst. Diesen Zellbe reichen 19 werden eigene Lesespannungen Vi zugeordnet oder die Impedanzen 12A der Senseleitungsverstärkerschaltungen 12 und/oder die der Referenzverstärkerschaltung 18 zugeordnete Impedanz 18A angepasst oder das Referenzelement 17 mit ver schiedenen Spannungen Vg beaufschlagt, so dass das Mess- Signal Vm annähernd frei von störenden Einflüssen der elek trischen bzw. magnetischen Eigenschaften der Speicherzelle(n) 1 ist. Zweckmäßigerweise kann hierzu die Referenzverstärker schaltung 18 mit zugehörigem Referenzelement 17 auch mehrfach vorhandenen sein. Für die Definition der Zellbereiche 19 und Vornahme der Einstellungen der Referenzeigenschaften muss der magnetische Speicher vermessen werden. Der zu verkraftenden Streuung der magnetischen Speichers sind hierbei Grenzen ge setzt.

Fig. 7 zeigt nun eine weitere Abwandlung der Erfindung, hier ist vorgesehen, das das Referenzelement durch eine innerhalb des Speicherzellenfeldes 11 gelegene Referenzzelle 1R ausge bildet ist. Das Signal der Referenzzelle 1R, das hierbei zweckmäßigerweise durch eine zur auszulesenden Speicherzelle 1A benachbarte Speicherzelle ausgebildet ist, wird über eine Senseleitung 4B der Referenzverstärkerschaltung 18 zugeführt. Die Referenzzelle 1R wird durch die Wortleitung 3A der auszu lesenden Speicherzelle 1A mit der Lesespannung V beauf schlagt. Bei der Vergleichsmessung der Signale Vs und Vr tritt hierbei das Problem auf, dass das Ausgangssignal Vm der Vergleichsschaltung 16 Null ist, wenn die auszulesende Spei cherzelle 1A und die Referenzzelle 1R den gleichen Speicher zustand tragen, d. h. der Spannung Vm kann nicht eindeutig ein Speicherzustand der Speicherzelle 1A zugeordnet werden.

In Fig. 8 wird in einer bevorzugten Ausführung der Erfindung das Signal der Referenzzelle 1R, die nun nicht mehr auf der gleichen Wortleitung 3A der auszulesenden Speicherzelle 1A liegt über die Wortleitung 3B der Referenzverstärkerschaltung 18 zugeführt. Die Speicherzellen 1E stellen hier äquivalente Zellen zur Referenzzelle 1R dar. Zur Bestimmung des Speicher zustandes wird die Senseleitung 4B, auf der sich die Refe renzzelle 1R befindet und die Wortleitung 3A der auszulesen den Speicherzelle 1A mit der Lesespannung V beaufschlagt.

In Fig. 9 ist ein schematischer Schaltplan eines magneti schen Speichers mit integriert ausgebildetem Referenzelement 1R dargestellt. Die Speicherzellen 1D, 1B und 1R sind dabei unmittelbare Nachbarn der auszulesenden Speicherzelle 1A. Al le nicht an der Messerfassung beteiligten Sense- und Wortlei tungen 4 und 3 werden über geschlossene Erdungsschalter 14 geerdet (14A bis 14D geöffnet). Die Wortleitung 3A und die Senseleitung 4B werden mit der Lesespannung V beaufschlagt. Das Signal der auszulesenden Speicherzelle 1A wird über die Senseleitung 4A zur über den Leseschalter 12B zugeschalteten Senseleitungsverstärkerschaltung 12 geleitet, die am Ausgang das Sensesignal Vs bereitstellt. Das Signal der Referenzzelle 1R wird über die Wortleitung 3B und den Referenzschalter 18B zur Referenzverstärkerschaltung 18 geleitet und zum Referenz signal Vr verarbeitet. Die Vergleichsschaltung 16 verarbeitet die beiden Signale Vr und Vs zum Mess-Signal Vm weiter.

Die Speicherzelle 1B auf der Senseleitung 4A der auszulesen den Speicherzelle 1A ist nach beiden Seiten hin durch die Eingänge der Referenzverstärkerschaltung 18 und der Senselei tungsverstärkerschaltung 12 virtuell geerdet und trägt deswe gen nicht in nachteiliger Weise zum Signal des Referenzele ments 1R bei. Die Speicherzelle 1D ist nach beiden Seiten hin mit der Lesespannung V auf der Wortleitung 3A und der Sense leitung 4B verbunden und bringt so keinen nachteiligen Bei trag zum Mess-Signal Vm.

In Fig. 10 ist ein schematisches Schaltbild der signifikan ten parasitären Elemente, unter Erdung der nicht benötigten Senseleitungen 4 und Wortleitungen 3 über Erdungsschalter 14, vereinfacht dargestellt. Die parasitären Impedanzen 1F treten (N-2)-fach (nur zwei in der Figur dargestellt) und die para sitären Impedanzen 1G (M-2)-fach (nur zwei in der Figur dar gestellt) als Parallelschaltung auf. Wie schon erwähnt trägt die nach beiden Seiten mit der Lesespannung V verbundenen Speicherzelle 1D nicht zum Signal bei. Ebenso nicht die nach beiden Seiten hin über die Eingänge der Referenzverstärker schaltung 18 und der Senseleitungsverstärkerschaltung 12 vir tuell geerdete Speicherzelle 1B. Aus der Schaltung ist er sichtlich, dass das Referenzsignal Vr fast nur von der Impe danz des Referenzelements 1R abhängt.

Eine statische Messung, ohne Beteiligung einer Magnetrefe renzschicht 5, bei der die beiden Signale der Speicher- und der Referenzzelle verglichen werden hat den Nachteil, dass bei Gleichheit der Magnetisierungsrichtungen der Information strägerschichten 7, also der Speicherzustände, der Speicher zellen nicht entschieden werden kann, ob beide Zellen logisch Eins oder Null tragen.

Bei einer dynamischen Messung wird der Speicherinhalt der Speicherzelle und/oder der Referenzzelle nach einer ersten Messung des Mess-Signals Vm (initial) überschrieben, um einen definierten Zustand zu erreichen, und bei einer zweiten Mes sung das Mess-Signal Vm (final) erfasst. Der Speicherzustand wird dann durch die folgende Tabelle wiedergegeben.

Bezieht man die Signaländerung ΔVm mit in die Signalauswer tung ein, so ergeben sich nur Signale mit einem positiven Vorzeichen (Vm (final) und ΔVm in der folgenden Tabelle) und man braucht keine Signalermittlung mit Vorzeichenbestimmung vor dem Ummagnetisieren der Speicher- und/oder Referenzzelle, was zu etwas schnelleren Lesevorgängen führt.

Nachteilig ist die Notwendigkeit von nacheinander ermittelten Zuständen der Speicherelemente.

Nachdem z. B. nach der oben beschriebenen Art und Weise der Speicherzustand einer Speicherzelle und einer Referenzzelle, deren Signal Vr zur Bestimmung des Speicherinhalts erforder lich war, bestimmt wurden, kann, durch Speicherung des Si gnals Vr und unter Einbeziehung des bekannten Speicherzustan des der Referenzzelle, jeder weitere Lesevorgang mit diesen Informationen für den Vergleich geschehen. Falls die Homoge nität des Speicherchips dies zulässt kann sogar eine einmali ge Bestimmung des Referenzsignals Vs und des Speicherzustan des der Referenzzelle für alle weiteren Lesevorgänge ausrei chen, was einem schnellen, statischen Lesen entspricht.

Eine Bestimmung auch bei Informationsgleichheit der Speicher zelle 1A und der Referenzzelle 1R kann mit Hilfe einer Magne treferenzschicht 5 stattfinden, ohne dass das Mess-Signal Vm vor und nach einer Ummagnetisierung aufgenommen werden muss.

Bei einer solchen dynamischen Messung wird die Magnetrefe renzschicht 5, welche magnetisch wesentlich weicher als die Informationsträgerschicht 7 ist, der Referenzzelle 1R durch führen eines Senseleitungsstromes Ir durch die Senseleitung 4B der Referenzzelle 1R umgeschaltet. Dabei richtet sich die Magnetisierungsrichtung der Magnetreferenzschicht 5 senkrecht zur Magnetisierungsrichtung der Informationsträgerschicht 7 der Referenzzelle 1R und senkrecht zum durch die Senseleitung 4B geführten Senseleitungsstrom Ir aus. Somit ist die Impe danz der Referenzzelle 1R unabhängig von der gespeicherten Information in der Referenzzelle 1R, spiegelt also die elek trischen bzw. magnetischen Eigenschaften der Speicherzelle(n) 1 unabhängig von der in der Referenzzelle gespeicherten In formation wieder, und das Vorzeichen von Vm bestimmt eindeu tig den Informationsgehalt von der auszulesenden Speicherzel le 1A. Es ist hierbei angenommen, dass die Magnetisierungs richtungen der Informationsträgerschichten parallel zu den Senseleitungen verlaufen, es ist auch denkbar, dass sie senk recht zu den Senseleitungen verlaufen, dann muss allerdings zur Programmierung der Speicherzelle das "Umschaltfeld" der Magnetreferenzschichten durch die Wortleitungen aufgebaut werden.

Durch diese Vorgehensweise muss die Speicherzelle nach der Bestimmung des Speicherzustands nicht wieder neu beschrieben, oder in einen definierten Zustand gebracht werden, was eine große Zeitersparnis bedeutet.

In Fig. 11 ist der durch die Senseleitung 4B der Referenz zelle 1R geführte Senseleitungsstrom Ir zur Verdeutlichung eingezeichnet. In dem gezeigten Beispiel ist die Referenzver stärkerschaltung 18 einmal vorgesehen, und die jeweilige Wortleitung 3 der Referenzzelle 1R wird durch Aktivierungs schalter 20 mit der Referenzverstärkerschaltung 18 verbunden.

In Fig. 12 ist eine weitere Ausführung der Erfindung ge zeigt. In der gezeigten Anwendung werden nun zum Ausgleich starker lateraler Gradienten in der Impedanz der Speicherzel len 1 innerhalb des Speicherzellenfeldes 11 mehrere Signale von verschiedenen Referenzzellen 1H gemittelt. Es werden die symmetrisch und benachbart zur auszulesenden Speicherzelle 1A angeordneten Referenzzellen 1H über die Senseleitungen 4B und 4C durch die Senseleitungsstromschalter 21 mit einem Sense leitungsstrom Ir beaufschlagt, woraufhin die Magnetreferenz schichten 5 der Referenzzellen 1H in die neutralen Magneti sierungsrichtung gebracht werden. Die Signale der in diesem Beispiel vier Referenzzellen 1H werden von den Wortleitungen 3B und 3C über Aktivierungsschalter 20 der Referenzverstär kerschaltung 18 zugeführt. Die Referenzverstärkerschaltung 18 ist dabei so angepasst, dass das Referenzsignal Vr auf dem richtigen Niveau liegt.

Claims

1. Magnetischer Speicher vom wahlfreien Zugriffstyp (MRAM) mit einem Speicherzellenfeld (11), bestehend aus einer Viel zahl von Speicherzellen (1), die an Kreuzungspunkten von Wort- (3) und Senseleitungen (4) matrixförmig angeordnet sind, und deren logische Dateninhalte durch einen magneti schen Zustand definiert sind, mit einer den Wortleitungen (3) zugeordneten Adressierungsschaltung, vermittels welcher die Wortleitung (3) einer oder mehrerer ausgewählter Speicherzel len (1), deren Dateninhalt ausgelesen werden soll, mit einer Lesespannung (V) beaufschlagt wird, und mit einer den Sense leitungen (4) zugeordneten Auswerteschaltung, vermittels wel cher ein dem Dateninhalt der ausgewählten Speicherzelle bzw. Speicherzellen entsprechendes Signal erfasst bzw. ausgewertet wird, dadurch gekennzeichnet, dass die Auswerteschaltung eine Vergleichsschaltung (16) be sitzt, vermittels welcher ein von einem Referenzelement ge liefertes Referenzsignal (Vr) mit dem Sensesignal (Vs) der auszulesenden Speicherzelle bzw. Speicherzellen verglichen wird.

2. Magnetischer Speicher nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass Schalter (14) vorgesehen sind, durch die die Wort- (3) und Senseleitungen (4) einzeln mit der Masse verbunden werden können.

3. Magnetischer Speicher nach einem der Ansprüche 1 bis 2, dadurch gekennzeichnet, dass die ausgewählte(n) Speicherzelle bzw. Speicherzellen und die Referenzzelle wenigstens an einer Seite virtuell geerdet ist.

4. Magnetischer Speicher nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Vergleichsschaltung (16) ein Differenzsignal aus dem Sensesignal (Vs) und dem Referenzsignal (Vr) liefert.

5. Magnetischer Speicher nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass die elektrischen bzw. magnetischen Eigenschaften des Re ferenzelements an die elektrischen bzw. magnetischen Eigen schaften der Speicherzelle(n) (1) angepasst sind.

6. Magnetischer Speicher nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass das Referenzelement (17) ausserhalb des Speicherzellen feldes (11) angeordnet ist und die elektrischen bzw. magneti schen Eigenschaften des Referenzelements variabel einstellbar sind.

7. Magnetischer Speicher nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass das Referenzelement (17) mit einer Referenzverstärker schaltung (18) verbunden ist.

8. Magnetischer Speicher nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass das Speicherzellenfeld in mehrere unterschiedliche Zell bereiche (19) von zusammenhängenden Speicherzellen mit annä hernd gleichen elektrischen bzw. magnetischen Eigenschaften aufgeteilt ist, und zu jedem Zellbereich ein angepasstes Re ferenzsignal oder ein eigenes Referenzelement zugeordnet ist.

9. Magnetischer Speicher nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass das Referenzelement durch eine Speicherzelle (1) (Referenzzelle) des Speicherzellenfeldes ausgebildet ist.

10. Magnetischer Speicher nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass das Signal der Referenzzelle (1R) über eine Senseleitung (4) mit einer Referenzverstärkerschaltung (18) verbunden ist.

11. Magnetischer Speicher nach einem der Ansprüche 9 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass das durch eine Speicherzelle des Speicherzellenfeldes ausgebildete Referenzelement (1R) an benachbarten Wort- (3) und/oder Senseleitungen (4) der auszulesenden Speicherzel le(n) (1A) liegt.

12. Magnetischer Speicher nach einem der Ansprüche 9 und 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Wortleitung (3) der Referenzzelle (1R) mit der Refe renzverstärkerschaltung (18) verbunden ist.

13. Magnetischer Speicher nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass mehrere, benachbart zur auszulesenden Speicherzelle (1A) angeordnete Referenzzellen vorgesehen sind.

14. Magnetischer Speicher nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass die Referenzzellen gemeinsam mit der Referenzverstärker schaltung (18) verbunden sind.

15. Magnetischer Speicher nach einem der Ansprüche 13 bis 14, dadurch gekennzeichnet, dass die Referenzzellen mit anderen Spannungspegeln wie die auszulesende Speicherzelle beaufschlagbar sind.

16. Magnetischer Speicher nach einem der Ansprüche 1 bis 15, dadurch gekennzeichnet, dass die Vergleichsschaltung (16) durch einen Differenzver stärker (16A) ausgebildet ist, dem ein Widerstand (16B) zuge ordnet ist, dessen eines Ende mit einem Eingang und dessen anderes Ende mit dem Ausgang des Differenzverstärkers (16A) verbunden ist, und das den Eingängen des Differenzverstärkers Widerstände vorgeschaltet sind.

17. Magnetischer Speicher nach einem der Ansprüche 1 bis 16, dadurch gekennzeichnet, dass der Vergleichsschaltung (16) zum einen eine Referenzver stärkerschaltung (18) zur Aufbereitung des Signals des Refe renzelements (17) oder der Referenzzelle (1R) zum Referenzsi gnal (Vr) und zum anderen eine Senseleitungsverstärkerschal tung (12) vorgeschaltet ist, die das Signal der auszulesenden Speicherzelle (1A) zum Sensesignal (Vs) aufbereitet.

18. Magnetische Speicherzelle, dadurch gekennzeichnet, dass auf einem Substrat (2) Wortleitungen (4) aufgebracht sind auf denen Schichten eines ersten magnetischen Materials (5), einer magnetischen Tunnelbarriere (6) und eines zweiten magnetischen Materials (7) aufgebracht sind, auf denen, ge kreuzt zu den Wortleitungen, die Senseleitungen (4) aufge bracht sind.

19. Magnetische Speicherzelle nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, dass das erste magnetische Material magnetisch weicher als das zweite magnetische Material ist.

20. Magnetische Speicherzelle nach Anspruch 18 oder 19, dadurch gekennzeichnet, dass die Magnetschicht ersten Typs (8) eine Magnetreferenz schicht und die Magnetschicht des zweiten Typs (10) eine In formationsträgerschicht bildet.

21. Magnetische Speicherzelle, dadurch gekennzeichnet, dass die Speicherzelle durch Schichtfolgen von Magnetschich ten eines ersten Typs (8), Entkopplungsschichten (9), Magnet schichten eines zweiten Typs (10) und Entkopplungsschichten, und einem Vielfachen dieser Anordnung ausgebildet ist, welche Schichtfolgen zwischen sich kreuzenden Sense- (4) und Wort leitungen (3) angeordnet ist.

22. Magnetische Speicherzelle nach Anspruch 21, dadurch gekennzeichnet, dass die Magnetschichten ersten Typs (8) magnetisch weicher als die Magnetschichten des zweiten Typs (10) sind.

23. Magnetische Speicherzelle nach Anspruch 21 oder 22, dadurch gekennzeichnet, dass die Magnetschichten ersten Typs (8) Magnetreferenz schichten und die Magnetschichten des zweiten Typs (10) In formationsträgerschichten bilden.

24. Verfahren zum Auslesen eines magnetischen Speichers vom wahlfreien Zugriffstyp (MRAM) mit einem Speicherzellenfeld (11), bestehend aus einer Vielzahl von Speicherzellen (1), die an Kreuzungspunkten von Wort- (3) und Senseleitungen (4) matrixförmig angeordnet sind, und deren logische Dateninhalte durch einen magnetischen Zustand definiert sind, mit einer den Wortleitungen (3) zugeordneten Adressierungsschaltung, vermittels welcher die Wortleitung (3) einer oder mehrerer ausgewählter Speicherzellen (1), deren Dateninhalt ausgelesen werden soll, mit einer Lesespannung (V) beaufschlagt wird, und mit einer den Senseleitungen (4) zugeordneten Auswerte schaltung, vermittels welcher ein dem Dateninhalt der ausge wählten Speicherzelle bzw. Speicherzellen entsprechendes Si gnal erfasst bzw. ausgewertet wird, dadurch gekennzeichnet, dass ein von einem Referenzelement geliefertes Referenzsignal (Vr) mit dem Sensesignal (Vs) der auszulesenden Speicherzelle bzw. Speicherzellen verglichen wird.

25. Verfahren nach Anspruch 24, dadurch gekennzeichnet, dass das Referenzsignal (Vr) des Referenzelements gespeichert wird, und in weiteren Bestimmungen der Speicherinhalte von Speicherzellen das gespeicherte Referenzsignal zum Vergleich mit dem Sensesignal der auszulesenden Speicherzellen verglei chen wird.

26. Verfahren nach Anspruch 24 oder 25, dadurch gekennzeichnet, dass die Signale mehrerer Referenzelemente, welche benachbart zu der/den auszulesenden Speicherzelle(n) angeordnet sind, ausgewertet werden.

27. Verfahren nach Anspruch 26, dadurch gekennzeichnet, dass die Signale der mehreren Referenzelemente gemeinsam durch eine Referenzverstärkerschaltung (18) ausgewertet wer den.

28. Verfahren nach einem der Ansprüche 26 bis 27, dadurch gekennzeichnet, dass die Referenzzellen mit anderen Spannungspegeln wie die auszulesende Speicherzelle beaufschlagt werden.

29. Verfahren nach einem der Ansprüche 24 bis 28, dadurch gekennzeichnet, dass die Magnetisierungsrichtung der Magnetreferenz schicht(en) eines/der als Speicherzelle(n) ausgebildeten Re ferenzelements/e, welche aus einer Schichtenfolge einer Ma gnetreferenzschicht, einer Tunnelbarriere und einer Informa tionsträgerschicht oder einer Schichtenfolge von Magnetrefe renzschichten, Entkopplungsschichten, Informationsträger schichten und Entkopplungsschichten, und einem Vielfachen dieser Anordnung aufbaut ist/sind, während des Vergleichs des Referenzsignals (Vr) mit dem Sensesignal (Vs) senkrecht zu der/den Magnetisierungsrichtung/en der Informationsträger schicht(en) gerichtet wird/werden.