DE19754664C2 - Verfahren zur Herstellung einer transparenten, leitfähigen Schicht, danach hergestellte transparente, leitfähige Schicht sowie deren Verwendung - Google Patents

Verfahren zur Herstellung einer transparenten, leitfähigen Schicht, danach hergestellte transparente, leitfähige Schicht sowie deren Verwendung

Info

Publication number
DE19754664C2
DE19754664C2 DE19754664A DE19754664A DE19754664C2 DE 19754664 C2 DE19754664 C2 DE 19754664C2 DE 19754664 A DE19754664 A DE 19754664A DE 19754664 A DE19754664 A DE 19754664A DE 19754664 C2 DE19754664 C2 DE 19754664C2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
metal
conductive layer
transparent
transparent conductive
mol
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE19754664A
Other languages
English (en)
Other versions
DE19754664A1 (de
Inventor
Jong-Hyuk Lee
Yoon-Ho Jun
Yoon-Hyung Cho
Jong-Hwan Park
Dong-Sik Zang
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung SDI Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Devices Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Devices Co Ltd filed Critical Samsung Display Devices Co Ltd
Publication of DE19754664A1 publication Critical patent/DE19754664A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE19754664C2 publication Critical patent/DE19754664C2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/283Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09DCOATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D5/00Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, characterised by their physical nature or the effects produced; Filling pastes
    • C09D5/24Electrically-conducting paints
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/006Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with materials of composite character
    • C03C17/007Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with materials of composite character containing a dispersed phase, e.g. particles, fibres or flakes, in a continuous phase
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/34Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
    • C03C17/3411Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/16Anti-static materials
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/06Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/06Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances
    • H01B1/08Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances oxides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2217/00Coatings on glass
    • C03C2217/40Coatings comprising at least one inhomogeneous layer
    • C03C2217/43Coatings comprising at least one inhomogeneous layer consisting of a dispersed phase in a continuous phase
    • C03C2217/44Coatings comprising at least one inhomogeneous layer consisting of a dispersed phase in a continuous phase characterized by the composition of the continuous phase
    • C03C2217/45Inorganic continuous phases
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2217/00Coatings on glass
    • C03C2217/40Coatings comprising at least one inhomogeneous layer
    • C03C2217/43Coatings comprising at least one inhomogeneous layer consisting of a dispersed phase in a continuous phase
    • C03C2217/46Coatings comprising at least one inhomogeneous layer consisting of a dispersed phase in a continuous phase characterized by the dispersed phase
    • C03C2217/47Coatings comprising at least one inhomogeneous layer consisting of a dispersed phase in a continuous phase characterized by the dispersed phase consisting of a specific material
    • C03C2217/475Inorganic materials
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2217/00Coatings on glass
    • C03C2217/40Coatings comprising at least one inhomogeneous layer
    • C03C2217/43Coatings comprising at least one inhomogeneous layer consisting of a dispersed phase in a continuous phase
    • C03C2217/46Coatings comprising at least one inhomogeneous layer consisting of a dispersed phase in a continuous phase characterized by the dispersed phase
    • C03C2217/47Coatings comprising at least one inhomogeneous layer consisting of a dispersed phase in a continuous phase characterized by the dispersed phase consisting of a specific material
    • C03C2217/475Inorganic materials
    • C03C2217/476Tin oxide or doped tin oxide
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2217/00Coatings on glass
    • C03C2217/40Coatings comprising at least one inhomogeneous layer
    • C03C2217/43Coatings comprising at least one inhomogeneous layer consisting of a dispersed phase in a continuous phase
    • C03C2217/46Coatings comprising at least one inhomogeneous layer consisting of a dispersed phase in a continuous phase characterized by the dispersed phase
    • C03C2217/47Coatings comprising at least one inhomogeneous layer consisting of a dispersed phase in a continuous phase characterized by the dispersed phase consisting of a specific material
    • C03C2217/475Inorganic materials
    • C03C2217/479Metals
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2217/00Coatings on glass
    • C03C2217/40Coatings comprising at least one inhomogeneous layer
    • C03C2217/43Coatings comprising at least one inhomogeneous layer consisting of a dispersed phase in a continuous phase
    • C03C2217/46Coatings comprising at least one inhomogeneous layer consisting of a dispersed phase in a continuous phase characterized by the dispersed phase
    • C03C2217/48Coatings comprising at least one inhomogeneous layer consisting of a dispersed phase in a continuous phase characterized by the dispersed phase having a specific function
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31Surface property or characteristic of web, sheet or block
    • Y10T428/315Surface modified glass [e.g., tempered, strengthened, etc.]

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
  • Non-Insulated Conductors (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft eine transparente leitfähige Schicht, deren Herstellungsverfahren und Verwen­ dung, im besonderen als antistatische Schicht und elektroma­ gnetische Wellen abschirmende Schicht für Heimgeräte und als transparenter Stromversorgungselektrolyt für einen Flach­ plattendisplay.
Eine transparente leitfähige Schicht ist eine dünne Schicht, die auf die Oberfläche einer Isoliermaterialschicht mit hoher Lichtdurchlässigkeit aufgebildet ist. Die trans­ parente leitfähige Schicht umfaßt einen Metalldünnfilm aus Platin (Pt) oder Gold (Au) und einen Metalloxiddünnfilm aus Indiumzinnoxid (ITO), Zinnoxid, Titanoxid oder Antimonoxid.
Im allgemeinen wird eine transparente leitfähige Schicht durch ein Bedampfungsverfahren, ein Ablagerungsver­ fahren oder ein Ionenstrahlverfahren hergestellt. Bei Bil­ dung der transparenten leitfähigen Schicht durch eines der obigen Verfahren ist eine teure Ausrüstung, wie eine Vakuumvorrichtung, erforderlich, was die Herstellungskosten er­ höht. Da außerdem die obigen Herstellungsverfahren unter Vakuumbedingungen durchgeführt werden, ist die Größe des herzustellenden Dünnfilms streng begrenzt.
Vorbekannte Verfahren zur Herstellung einer transparen­ ten leitfähigen Schicht umfassen die Aufschichtung einer Dispersion, welche transparente leitfähige Partikel enthält, auf ein Substrat zur Bildung einer leitfähigen Schicht und anschließende Bildung einer Schutzschicht aus einem Hydroly­ seprodukt eines Metallalkoxids auf die entstandene Struktur. Die Struktur der transparenten leitfähigen Schicht, die durch das obige Verfahren gebildet wird, ist in Fig. 1 dargestellt.
Gemäß Fig. 1 (Stand der Technik) haben die transparenten leitfähigen Par­ tikel 14 der leitfähigen Schicht 12, die auf einem Substrat 11 ausgebildet ist, keinen direkten Kontakt zueinander, und in dem Raum zwischen den transparenten leitfähigen Partikeln 14 treten Lücken auf. Die Bezugsziffer 13 bezeichnet die Schutzschicht aus einem Hydrolyseprodukt eines Metallalk­ oxids.
Jedoch verbleibt ein Lösungsmittel, welches bei der Herstellung der transparenten leitfähigen Schicht verwendet wird, teilweise in den Zwischenräumen. Der Zwischenraum zwischen den transparenten leitfähigen Partikeln erhöht den Übergangswiderstand der transparenten leitfähigen Schicht, wodurch die Leitfähigkeit der Schicht herabgesetzt wird.
Zum Erhalt einer transparenten leitfähigen Schicht mit ausgezeichneter Leitfähigkeit ist es erforderlich, ein Hochtemperatur (400°C oder mehr)-Sinterverfahren in einer reduzierenden Atmosphäre durchzuführen. Es ist jedoch schwierig, dieses Hochtemperatur-Sinterverfahren auf Gegen­ stände mit geringer Hitzebeständigkeit, wie Kunststoffe, anzuwenden, und das Verfahren könnte eine Beschichtungsvor­ richtung beschädigen, was Schwierigkeiten bei der praktischen Verwendung verursacht.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist, eine transpa­ rente leitfähige Schicht mit ausgezeichneter Leitfähigkeit, Transparenz und Härte zur Verfügung zu stellen.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist ebenfalls, ein Herstellungsverfahren und die Verwendung der transparenten leitfähigen Schicht aufzuzeigen.
Die Aufgabe der Erfindung wird gelöst durch das Ver­ fahren nach Anspruch 1, bzw. die transparente, leitfähige Schicht nach Anspruch 7, bzw. die Verwendung nach Anspruch 8; die Ansprüche 2 bis 6 betreffen besondere Ausgestaltungen des erfindungsgemäßen Verfahrens.
Die obigen Aufgaben und Vorteile der vorliegenden Er­ findung werden durch detaillierte Beschreibung einer bevor­ zugten Ausführungsform mit Bezug auf die angefügten Zeich­ nungen näher ersichtlich, wobei
Fig. 1 schematisch die Struktur einer transparenten leitfähigen Schicht, die durch ein konventionelles Verfahren gebildet wurde, und
Fig. 2 schematisch die Struktur einer erfindungsgemä­ ßen leitfähigen Schicht zeigen.
Erfindungsgemäß wird eine Sol-Gel-Reaktion eines Me­ tallalkoxids [M1(OR)4], wie Siliziumalkoxid, verwendet, um eine Hydrolysereaktion eines Metallsalzes (M2X) (Reaktions­ gleichung (1)) irreversibel zu machen. Im Ergebnis ist ein Metallion (M2) in einer Netzwerkstruktur des Silikats enthal­ ten, wie in der folgenden Reaktionsgleichung (2) dargestellt.
wobei M2 ein Metallion und X Chlorid, Nitrat oder Sulfonat darstellen.
Eine erfindungsgemäß verwendbare transparente leitfähi­ ge Zusammensetzung enthält
transparente leitfähige Partikel, Metallalkoxid [M1(OR) 4], Metall (M2)-Partikel oder deren Salze (M2X) und einen Katalysator,
wobei es sich bei dem Metallalkoxid [M1(OR)4] um Si(OR)4, Ti(OR)4, Sn(OR)4 und/oder Zr(OR)4 handelt, wobei R C1-C4- Alkyl, das Metall (M2) Silber (Ag), Gold (Au), Platin (Pt), Kupfer (Cu), Nickel (Ni), Blei (Pb), Cobalt (Co), Rhodium (Rh), Ruthenium (Ru) und/oder Zinn (Sn) und X Chlorid, Nitrat und/oder Sulfonat sind.
Eine erfindungsgemäß verwendbare transparente leitfähi­ ge Zusammensetzung kann außerdem ein Reduktionsmittel, wel­ ches ein Metallsalz (M2X) in der Reaktion gemäß Gleichung (2) reduzieren kann, enthalten. Bei Zugabe des Reduktionsmittels zu der Zusammensetzung kann die Reaktivität der Reaktion gemäß Gleichung (2) erhöht werden.
Als Reduktionsmittel werden NaBH4, SnCl2, Glykole oder Ketone verwendet. Bevorzugt beträgt der Gehalt an dem Reduk­ tionsmittel 1 × 10-4-8 × 10-2 Mol%, bezogen auf 1 Mol des Metall­ alkoxids. Wenn der Gehalt an Reduktionsmittel innerhalb des obigen Bereichs liegt, ist die Reaktivität der Reaktion gemäß Gleichung (2) am höchsten.
Bei den Metall (M2)-Partikeln der vorliegenden Erfindung handelt es sich um Silber (Ag), Gold (Au), Platin (Pt), Kupfer (Cu), Nickel (Ni), Blei (Pb), Cobalt (Co), Rhodium (Rh), Ruthenium (Ru) und/oder Zinn (Sn). Ag, Au und Pt, welche sehr beständig gegen Oxidation sind, werden bevorzugt verwendet. Bevorzugt beträgt der Durchmesser der Metall (M2)- Partikel 5-90 nm. Wenn der Durchmesser der Metallpartikel weniger als 5 nm beträgt, ist die Leitfähigkeit der trans­ parenten leitfähigen Schicht nicht ausreichend. Wenn der Durchmesser der Metallpartikel 90 nm übersteigt, wird deren Transparenz herabgesetzt.
Als Metallsalz (M2X) der vorliegenden Erfindung können Materialien, die in Wasser, Alkohol oder Keton löslich sind, verwendet werden. Bevorzugt werden Chlorid, Nitrat oder Sulfonat, welche das Metall, (M2) enthalten, verwendet.
Bevorzugt beträgt das molare Verhältnis des Metalls (M2) des Metallsalzes (M2X) zu dem Metall (M1) des Metallalkoxids [M1(OR)4] 0,01 : 1-0,2 : 1. Wenn das molare Verhältnis des Me­ talls (M2) zu dem Metall (M1) weniger als 0,01/1 beträgt, ist die verbesserte Wirkung auf die Leitfähigkeit der transpa­ renten leitfähigen Schicht minimal. Wenn andererseits das molare Verhältnis 0,2/1 übersteigt, wird deren Transparenz deutlich herabgesetzt, was zu Schwierigkeiten bei der prak­ tischen Verwendung führt.
Der Katalysator der vorliegenden Erfindung vereinfacht die Hydrolyse des Metallalkoxids und umfaßt eine Säure, wie Salzsäure oder Salpetersäure. Der Gehalt an Katalysator be­ trägt hier 0,01-0,04 Mol%, bezogen auf 1 Mol des Metallalk­ oxids.
In der vorliegenden Erfindung ist das Lösungsmittel nicht begrenzt. Im allgemeinen wird jedoch ein alkoholisches Lösungsmittel, z. B. Methanol, Ethanol und n-Butanol, reines Wasser oder eine Mischung davon verwendet.
Als transparente leitfähige Partikel der vorliegenden Erfindung können jegliche transparenten leitfähigen Parti­ kel, z. B. Metalloxid, wie Indiumzinnoxid (ITO), Zinnoxid, Indiumoxid, Titanoxid oder Antimontitanoxid (ATO), verwendet werden.
Im folgenden wird ein Verfahren zur Herstellung einer transparenten leitfähigen Schicht unter Verwendung der er­ findungsgemäß verwendbaren transparenten leitfähigen Zusam­ mensetzung detailliert beschrieben.
Zuerst werden transparente leitfähige Partikel mit einem Durchmesser von 5-120 nm in Lösungsmitteln disper­ giert, um eine erste Zusammensetzung herzustellen. Dann wird die Zusammensetzung auf ein Substrat aufgeschichtet und die entstandene Beschichtung getrocknet. Die Trocknungsstufe kann hier weggelassen werden.
Es werden Metallalkoxid [M1(OR)4], Metallsalz (M2X), reines Wasser und alkoholisches Lösungsmittel gemischt und dann Salpetersäure oder Salzsäure zu der Mischung gegeben, um eine zweite Zusammensetzung herzustellen. Bei dem Metall­ alkoxid [M1(OR)4] handelt es sich hier um Si(OR)4, Ti(OR)4, Sn(OR)4 und/oder Zr(OR)4, wobei R C1-C4-Alkyl ist.
Die oben hergestellte zweite Zusammensetzung wird auf das Substrat aufgeschichtet und dann getrocknet. Die ent­ standene Beschichtung wird dann bei 160-300°C, bevorzugt 180-200°C, 30-60 Minuten erhitzt, um eine transparente leitfähige Schicht gemäß Fig. 2 zu erhalten. Die Bezugs­ ziffer 21 bezeichnet hier ein Substrat, Bezugsziffer 22 eine leitfähige Schicht, Bezugsziffer 23 ein Hydrolyseprodukt des Metallalkoxids, Bezugsziffer 24 Metall (M2)-Partikel und Bezugsziffer 25 transparente leitfähige Partikel. Wie in Fig. 2 gezeigt, liegen die Metall (M2)-Partikel 25 in den Zwischenräumen zwischen den transparenten leitfähigen Parti­ keln 22 vor. Demgemäß besitzt die erhaltene transparente leitfähige Dünnschicht ausgezeichnete Leitfähigkeit.
Im folgenden wird die vorliegende Erfindung anhand der Beispiele näher beschrieben.
Beispiel 1
2,5 g Zinn-gedopte Indiumoxidpartikel mit einem Durch­ messer von etwa 80 nm wurden in einem Mischlösungsmittel, welches 20 g Methanol, 67,5 g Ethanol und 10 g n-Butanol enthielt, dispergiert, um eine erste Zusammensetzung herzu­ stellen.
4,5 g Tetraethylorthosilikat wurden zu einem Mischlö­ sungsmittel, welches 30 g Methanol, 50 g Ethanol, 12 g n- Butanol und 4 g reines Wasser enthielt, gegeben, und dann 0,6 g Salpetersäure (HNO3) und 0,3 g Silbernitrat (AgNO3) zu der Mischung gegeben. Das Ganze wurde etwa 24 Stunden bei Raumtemperatur gerührt, um eine zweite Zusammensetzung her­ zustellen.
Während ein gereinigtes Glassubstrat bei etwa 90 U/min rotiert wurde, wurden 50 cm3 der ersten Zusammensetzung auf das Glassubstrat gegossen und dann die Rotationsgeschwindig­ keit des Glassubstrats auf etwa 150 U/min erhöht. Dann wur­ den auf die gleiche Weise 60 cm3 der zweiten Zusammensetzung aufgeschichtet. Dann wurde das nacheinander mit der ersten und zweiten Zusammensetzung beschichtete Substrat getrocknet und dann bei 200°C eine Stunde gesintert, um eine trans­ parente leitfähige Schicht zu vervollständigen.
Beispiel 2
Eine transparente leitfähige Schicht wurde durch das gleiche Verfahren wie in Beispiel 1 hergestellt, mit dem Unterschied, daß außerdem 0,001 g NaBH4 als Reduktionsmittel zu der zweiten Zusammensetzung gegeben wurden.
Beispiel 3
Eine transparente leitfähige Schicht wurde durch das gleiche Verfahren wie in Beispiel 1 hergestellt, mit dem Unterschied, daß die zweite Zusammensetzung folgendermaßen hergestellt wurde.
4,5 g Tetraethylorthosilikat wurden zu einem Mischlö­ sungsmittel, welches 30 g Methanol, 50 g Ethanol, 12 g n-Bu­ tanol und 4 g reines Wasser enthielt, gegeben und dann 0,6 g Salpetersäure und 0,2 g Chlorogoldsäure (HAuCl4 . 4H2O) zu der Mischung gegeben. Die erhaltene Mischung wurde dann etwa 30 Stunden bei Raumtemperatur gerührt, um eine zweite Zusammen­ setzung herzustellen.
Beispiel 4
Eine transparente leitfähige Schicht wurde durch das gleiche Verfahren wie in Beispiel 1 hergestellt, mit dem Unterschied, daß die zweite Zusammensetzung folgendermaßen hergestellt wurde.
4,5 g Tetraethylorthosilikat wurden zu einem Mischlö­ sungsmittel, welches 30 g Methanol, 50 g Ethanol, 12 g n-Bu­ tanol und 4 g reines Wasser enthielt, gegeben und dann 0,6 g Salpetersäure, 0,2 g Chlorogoldsäure (HAuCl4 . 4H2O) und 0,3 g Zinnchlorid (SnCl2 . 2H2O) zu der Mischung gegeben. Dann wurde die erhaltene Mischung etwa 30 Stunden bei Raumtemperatur gerührt, um eine zweite Zusammensetzung herzustellen.
Vergleichsbeispiel 1
Eine transparente leitfähige Schicht wurde durch das gleiche Verfahren wie in Beispiel 1 hergestellt, mit dem Unterschied, daß 0,036 g Silbernitrat (AgNO3) zu der zweiten Zusammensetzung gegeben wurden (niedriger Gehalt an Silbernitrat).
Vergleichsbeispiel 2
Eine transparente leitfähige Schicht wurde durch das gleiche Verfahren wie in Beispiel 1 hergestellt, mit dem Unterschied, daß 0,73 g Silbernitrat (AgNO3) zu der zweiten Zusammensetzung gegeben wurden (hoher Gehalt an Silbernitrat).
Vergleichsbeispiel 3
Eine transparente leitfähige Schicht wurde durch das gleiche Verfahren wie in Beispiel 1 hergestellt, mit dem Unterschied, daß kein Silbernitrat (AgNO3) zu der zweiten Zusammensetzung gegeben wurde.
Vergleichsbeispiel 4
Eine transparente leitfähige Schicht wurde durch das gleiche Verfahren wie in Beispiel 1 hergestellt, mit dem Unterschied, daß nur die zweite Zusammensetzung auf das Glassubstrat geschichtet wurde.
Es wurden Oberflächenwiderstand, Transparenz und Stifthärte der transparenten leitfähigen Schichten der Bei­ spiele 1 bis 4 und Vergleichsbeispiele 1 bis 4 bestimmt; die Ergebnisse sind in Tabelle 1 wiedergegeben.
Tabelle 1
Wie aus Tabelle 1 ersichtlich, ist der Oberflächenwi­ derstand der transparenten leitfähigen Schichten, die in den Beispielen 1 bis 4 hergestellt wurden, sehr viel geringer als der der Vergleichsbeispiele 1, 2 und 4 und ihre Trans­ parenz und Stifthärte im Vergleich zu den Vergleichsbeispie­ len 1 bis 4 ebenso ausgezeichnet.
Andererseits sind bei der transparenten leitfähigen Schicht des Vergleichsbeispiels 1 Transparenz und Stifthärte der Schicht ausgezeichnet. Weiter ist die Leitfähig­ keit der transparenten leitfähigen Schicht des Vergleichs­ beispiels 2 ausgezeichnet, während ihre Transparenz und Härte schlecht sind. Weiter sind bei den Ver­ gleichsbeispielen 3, in dem kein Silbernitrat zugegeben wurde, und 4, bei dem nur die zweite Zusammensetzung aufge­ schichtet wurde, Transparenz und Stifthärte der transparen­ ten leitfähigen Schicht ausgezeichnet, während der Oberflä­ chenwiderstand sehr schlecht ist.
Die vorliegende Erfindung liefert folgende Wirkungen. Zunächst werden Leitfähigkeit, Transparenz und Härte der transparenten leitfähigen Schicht im Vergleich zu transpa­ renten leitfähigen Schichten aus dem Stand der Technik ver­ bessert. Zweitens erfordert das erfindungsgemäße Verfahren zur Herstellung einer transparenten leitfähigen Schicht kein Hochtemperatur-Sinterverfahren und keine zusätzliche Vakuum­ vorrichtung, so daß die Herstellungskosten verringert wer­ den. Drittens kann eine transparente leitfähige Schicht durch ein Niedrigtemperatur-Sinterverfahren hergestellt werden, so daß das erfindungsgemäße Herstellungsverfahren auf ein Substrat, welches keine gute Hitzebeständigkeit aufweist, angewendet werden kann.

Claims (8)

1. Verfahren zur Herstellung einer transparenten, leitfähigen Schicht auf Glas- oder Kunst­ stoffsubstraten mit den Stufen:
  • a) Auftragen einer ersten Dispersion, welche transparente, leitfähige Metalloxid-Partikel, ausgewählt aus Indiumzinnoxid, Zinnoxid, Indiumoxid, Titanoxid oder Antimonti­ tanoxid, mit einem Durchmesser von 5 bis 120 nm in Lösungsmitteln enthält, auf das Substrat;
  • b) gegebenenfalls Trocknen der entstandenen Beschichtung;
  • c) Auftragen einer zweiten Beschichtungszusammensetzung, welche
  • - Metallalkoxide [M1(OR)4], ausgewählt aus Si(OR)4, Ti(OR)4, Sn(OR)4 und/oder Zr(OR)4, wobei R C1-C4-Alkyl ist, sowie
  • - Metall (M2)-Partikel, ausgewählt aus Ag, Au, Pt, Cu, Ni, Pb, Co, Rh, Ru und/oder Sn oder deren Salze, wobei X Chlorid, Nitrat und/oder Sulfonat ist, sowie
  • - Salzsäure und/oder Salpetersäure als Katalysator sowie
  • - Wasser und alkoholische Lösungsmittel enthält, auf die entstandene Beschichtung in Stufe a);
    • a) Trocknen und Erwärmen der Beschichtung bei 160°C bis 300°C.
2. Verfahren nach Ansprüche 1, wobei die zweite Beschichtungszusammensetzung außerdem als Reduktionsmittel NaBH4, SnCl2, Glykole und/oder Ketone enthält.
3. Verfahren nach Anspruch 2, wobei der Gehalt an Reduktionsmittel 1 × 10-4 bis 8 × 10-2 Mol-%, bezogen auf 1 Mol des Metallakoxids, beträgt.
4. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Molverhältnis des Metalls (M2) zu dem Metall (M1) 0,01 : 1 bis 0,2 : 1 beträgt.
5. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die Metal (M2)-Partikel einen Durchmesser von 5 bis 90 nm aufweisen.
6. Verfahren nach Anspruch 1, wobei der Gehalt an Katalysator 0,01 bis 0,04 Mol-%, bezogen auf 1 Mol des Metallal­ koxids, beträgt.
7. Transparente, leitfähige Schicht, hergestellt mit dem Verfahren nach einem der Ansprü­ che 1 bis 6, gekennzeichnet durch einen Oberflächenwiderstand im Bereich von 1,1 × 103 bis 7.5 × 103 Ω/▱, einer Transparenz von 98% und einer Stifthärte H von 8.
8. Verwendung der transparenten, leitfähigen Schicht nach Anspruch 7 als antistatische Schicht, als elektromagnetische Wellen abschirmende Schicht für Heimgeräte, als trans­ parenter Stromversorgungselektrolyt für einen Flachplattendisplay.
DE19754664A 1996-12-10 1997-12-09 Verfahren zur Herstellung einer transparenten, leitfähigen Schicht, danach hergestellte transparente, leitfähige Schicht sowie deren Verwendung Expired - Fee Related DE19754664C2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019960064007A KR100234170B1 (ko) 1996-12-10 1996-12-10 투명도전성 박막 형성용 조성물, 이를 이용한 투명도전성 박막의 제조방법 및 표면도전성 물품

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE19754664A1 DE19754664A1 (de) 1998-09-03
DE19754664C2 true DE19754664C2 (de) 2001-10-04

Family

ID=19487055

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19754664A Expired - Fee Related DE19754664C2 (de) 1996-12-10 1997-12-09 Verfahren zur Herstellung einer transparenten, leitfähigen Schicht, danach hergestellte transparente, leitfähige Schicht sowie deren Verwendung

Country Status (6)

Country Link
US (2) US5993973A (de)
JP (1) JP3100569B2 (de)
KR (1) KR100234170B1 (de)
CN (1) CN1096684C (de)
BR (1) BR9706620A (de)
DE (1) DE19754664C2 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7867606B2 (en) 2007-03-20 2011-01-11 Evonik Degussa Gmbh Transparent, electrically conductive layer, a process for producing the layer and its use

Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6447909B1 (en) * 1999-01-14 2002-09-10 Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. Transparent conductive layered structure and method of producing the same, and coating liquid for forming transparent conductive layer used in production of transparent conductive layered structure and method of producing the same
KR100424254B1 (ko) * 1999-08-06 2004-03-22 삼성에스디아이 주식회사 플라즈마 표시 장치용 광학 필터
KR20010051016A (ko) * 1999-11-11 2001-06-25 김순택 투명도전막 형성용 조성물 및 이로부터 형성된투명도전막을 구비하고 있는 표시소자
KR100696456B1 (ko) * 2000-07-31 2007-03-19 삼성에스디아이 주식회사 필터막 형성용 조성물 및 이로부터 형성된 필터막
KR100366087B1 (ko) * 2000-08-04 2002-12-26 삼성에스디아이 주식회사 필터막 형성용 조성물 및 이로부터 형성된 필터막
US6524499B1 (en) * 2000-08-11 2003-02-25 Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. Transparent conductive film and display device
KR20020066505A (ko) * 2001-02-12 2002-08-19 주식회사 엘지화학 전자파 차폐막 및 반사방지 형성용 조성물과 그 제조방법
DE60221973T2 (de) * 2001-03-09 2008-05-15 Datec Coating Corp., Mississauga Im sol-gel-verfahren hergestellte widerstands- und leitfähige beschichtung
KR100404893B1 (ko) * 2001-04-30 2003-11-07 주식회사 엘지화학 유무기 복합재료 피복 조성물과 이를 이용하는액정표시장치 보호막의 제조 방법
KR20020096536A (ko) * 2001-06-20 2002-12-31 삼성에스디아이 주식회사 인듐 주석 산화물을 사용한 투명 도전성 박막의 제조 방법및 이 투명 도전성 박막을 포함하는 화면 표시 장치
US6748264B2 (en) 2002-02-04 2004-06-08 Fook Tin Technologies Limited Body fat analyzer with integral analog measurement electrodes
KR100839367B1 (ko) * 2002-04-03 2008-06-20 삼성에스디아이 주식회사 코팅막 형성용 조성물 및 그 제조방법
US7601406B2 (en) * 2002-06-13 2009-10-13 Cima Nanotech Israel Ltd. Nano-powder-based coating and ink compositions
US7736693B2 (en) * 2002-06-13 2010-06-15 Cima Nanotech Israel Ltd. Nano-powder-based coating and ink compositions
US7566360B2 (en) * 2002-06-13 2009-07-28 Cima Nanotech Israel Ltd. Nano-powder-based coating and ink compositions
EP1566078B1 (de) * 2002-11-22 2006-09-13 Koninklijke Philips Electronics N.V. Auf sol-gel basierendes heizelement
JP4271438B2 (ja) * 2002-12-24 2009-06-03 住友大阪セメント株式会社 透明導電膜形成用塗料と透明導電膜及びその製造方法並びにそれを備えた表示装置
KR101300442B1 (ko) * 2005-06-10 2013-08-27 시마 나노 테크 이스라엘 리미티드 강화 투명 전도성 코팅 및 이의 제조 방법
US7745010B2 (en) * 2005-08-26 2010-06-29 Prc Desoto International, Inc. Coating compositions exhibiting corrosion resistance properties, related coated substrates, and methods
KR20070080467A (ko) * 2006-02-07 2007-08-10 삼성전자주식회사 구리 나노 입자, 이의 제조 방법 및 이를 이용한 구리피막의 제조 방법
JP4477052B2 (ja) * 2007-10-03 2010-06-09 株式会社東芝 金属ナノ粒子無機複合体の製造方法および金属ナノ粒子無機複合体
CA2721674C (en) * 2008-04-22 2016-11-01 Datec Coating Corporation Thick film high temperature thermoplastic insulated heating element
DE202008005553U1 (de) 2008-04-22 2008-08-14 Evonik Degussa Gmbh Hochleitfähige, transparente Metalloxid-Schichten durch Plasmaimmersion
JP4477083B2 (ja) * 2008-09-24 2010-06-09 株式会社東芝 金属ナノ粒子無機複合体の製造方法、金属ナノ粒子無機複合体およびプラズモン導波路
KR101196796B1 (ko) * 2008-11-05 2012-11-05 주식회사 엘지화학 전기 전도성 구리 패턴층의 형성방법 및 이로부터 형성된 구리 패턴층
US8834957B2 (en) 2008-11-05 2014-09-16 Lg Chem, Ltd. Preparation method for an electroconductive patterned copper layer
EP2206801A1 (de) * 2008-12-24 2010-07-14 Seb Sa Verbundstoff-Kochgeschirr mit einer glasartigen Schutzbeschichtung
US20120092290A1 (en) * 2009-03-31 2012-04-19 Teijin Chemicals Ltd. Transparent electroconductive laminate and transparent touch panel
TW201338178A (zh) * 2012-03-15 2013-09-16 Nanmat Technology Co Ltd 透明電極及其製作方法
JP2015026567A (ja) * 2013-07-29 2015-02-05 富士フイルム株式会社 導電膜形成用組成物及び導電膜の製造方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5013607A (en) * 1987-09-30 1991-05-07 Catalysts & Chemicals Industries Co., Ltd. Transparent conductive ceramic-coated substrate processes for preparing same and uses thereof
US5376308A (en) * 1990-11-21 1994-12-27 Catalysts & Chemicals Industries Co., Ltd. Coating solution for forming transparent conductive coating and process for preparing same
DE68923000T2 (de) * 1988-08-24 1995-11-02 Asahi Glass Co Ltd Transparente, leitfähige keramische beschichtung formende flüssigkeit zur beschichtung, mit dieser transparenten, leitfähigen keramik beschichtetes basismaterial und herstellung desselben sowie verwendung des mit der transparenten, leitfähigen keramik beschichteten basismaterials.

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4945282A (en) 1987-12-10 1990-07-31 Hitachi, Ltd. Image display panel having antistatic film with transparent and electroconductive properties and process for processing same
US4954282A (en) * 1989-04-19 1990-09-04 Lever Brothers Company Acyl isethionate skin cleansing compositions
JP3127542B2 (ja) * 1992-01-14 2001-01-29 日産化学工業株式会社 液晶表示素子絶縁被膜形成用塗布液
JP3517890B2 (ja) * 1993-02-18 2004-04-12 日産化学工業株式会社 液晶表示素子用絶縁膜形成用塗布液
JPH06349772A (ja) * 1993-06-04 1994-12-22 Nippon Sheet Glass Co Ltd 透明導電性薄膜の製造方法
JPH0778525A (ja) * 1993-09-07 1995-03-20 Hitachi Ltd 透明導電膜用材料とそれを用いた透明導電膜の製法
JPH09127492A (ja) * 1995-08-30 1997-05-16 Nikon Corp 表示体及びその製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5013607A (en) * 1987-09-30 1991-05-07 Catalysts & Chemicals Industries Co., Ltd. Transparent conductive ceramic-coated substrate processes for preparing same and uses thereof
DE68923000T2 (de) * 1988-08-24 1995-11-02 Asahi Glass Co Ltd Transparente, leitfähige keramische beschichtung formende flüssigkeit zur beschichtung, mit dieser transparenten, leitfähigen keramik beschichtetes basismaterial und herstellung desselben sowie verwendung des mit der transparenten, leitfähigen keramik beschichteten basismaterials.
US5376308A (en) * 1990-11-21 1994-12-27 Catalysts & Chemicals Industries Co., Ltd. Coating solution for forming transparent conductive coating and process for preparing same

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP 06139822 A, in: Datenbank JAPIO auf STN *
JP 61016452 A, in: Datenbank WPIDS auf STN, Derwent Abstr.: AN 1986-008349 [02] *
JP 63193971 A, in: Datenbank JAPIO auf STN und Datenbank WPIDS auf STN, Derwent Abstr. : AN 1988-267178 [38] *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7867606B2 (en) 2007-03-20 2011-01-11 Evonik Degussa Gmbh Transparent, electrically conductive layer, a process for producing the layer and its use

Also Published As

Publication number Publication date
KR100234170B1 (ko) 2000-01-15
CN1096684C (zh) 2002-12-18
BR9706620A (pt) 1999-05-04
KR19980045796A (ko) 1998-09-15
JP3100569B2 (ja) 2000-10-16
MX9709935A (es) 1998-07-31
JPH10261326A (ja) 1998-09-29
DE19754664A1 (de) 1998-09-03
CN1206201A (zh) 1999-01-27
US6335056B1 (en) 2002-01-01
US5993973A (en) 1999-11-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE19754664C2 (de) Verfahren zur Herstellung einer transparenten, leitfähigen Schicht, danach hergestellte transparente, leitfähige Schicht sowie deren Verwendung
DE69921161T2 (de) Zusammensetzung zur Herstellung von transparenten, leitfähigen Nanopartikelbeschichtungen und Verfahren zu deren Herstellung
DE3205421C2 (de) Zusammensetzungen und Verfahren zur Herstellung transparenter elektrisch leitender Filme
DE3300589C2 (de)
DE2336581C2 (de) Verfahren zur Herstellung einer transparenten Heizscheibe
DE69204571T2 (de) Verfahren zur Herstellung von elektronischen Mehrschichtschaltungen.
DE69010800T2 (de) Herstellung von Polymere Metalloxyd-Werkstoffe.
DE60038401T2 (de) Transparente, elektrisch leitende Struktur, Verfahren zu ihrer Herstellung, Beschichtungs-Fluid zur Herstellung einer transparenten, elektrisch leitenden Schicht für die Struktur, und Verfahren zur Herstellung des Fluids
DE112007001507T5 (de) Zusammensetzung für die Herstellung einer Elektrode einer Solarzelle, Verfahren zur Herstellung der Elektrode und Solarzelle, welche die durch dieses Verfahren erhältliche Elektrode umfasst
DE2845782C2 (de)
DE3650210T2 (de) Leitfähige Dickschichtzusammensetzung.
DE69912334T2 (de) Verfahren zum Ablagern einer Metalloxyd(en)schicht
DE2104222A1 (de) Verfahren zur Verbesserung der Be schichtbarkeit einer Werkstucksoberflache
DE3228218C2 (de) Elektrofotografische Aufzeichnungsmaterialien
DE3447635A1 (de) Verfahren zur herstellung von solarzellen
DE3324647C2 (de)
DE112007002342T5 (de) Zusammensetzung zur Elektrodenbildung und Verfahren zur Bildung der Elektrode unter Verwendung der Zusammensetzung
DE3851960T2 (de) Paneel für ein kathodenstrahlrohr.
DE2013576B2 (de) Verfahren zum Aufbringen von dotierten und undotierten Kieselsaure filmen auf Halbleiteroberflachen
DE69215569T2 (de) Leitfähiges Glas und Verfahren zu seiner Herstellung
DE3735574C2 (de)
DE102006005019A1 (de) Hochleitfähige, transparente und mechanisch stabile Metalloxid-Schichten und Verfahren zu ihrer Herstellung
EP0582212A1 (de) Herstellung einer Anode für elektrochemische Zellen
DE1931936A1 (de) Waermereflektierendes Glas und Verfahren zur Herstellung desselben
DE60015710T2 (de) Lösung zur Herstellung einer aus Nickel bestehenden Metall-Dünnschicht und Verfahren zur Herstellung

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee