DE3447635C2 - Verfahren zur Herstellung von Solarzellen mit Anti-Reflexions-Beschichtung - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von Solarzellen mit Anti-Reflexions-BeschichtungInfo
- Publication number
- DE3447635C2 DE3447635C2 DE3447635A DE3447635A DE3447635C2 DE 3447635 C2 DE3447635 C2 DE 3447635C2 DE 3447635 A DE3447635 A DE 3447635A DE 3447635 A DE3447635 A DE 3447635A DE 3447635 C2 DE3447635 C2 DE 3447635C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- deep
- low
- process according
- represented
- compound
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims abstract description 39
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims abstract description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 34
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 52
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 22
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 21
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 15
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000013110 organic ligand Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000007859 condensation product Substances 0.000 claims abstract description 10
- 230000003301 hydrolyzing effect Effects 0.000 claims abstract description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 5
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910009258 Sn(O) Inorganic materials 0.000 claims description 28
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 22
- ONIKNECPXCLUHT-UHFFFAOYSA-N 2-chlorobenzoyl chloride Chemical compound ClC(=O)C1=CC=CC=C1Cl ONIKNECPXCLUHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- -1 metal complex compound Chemical class 0.000 claims description 15
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 8
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 claims description 7
- 125000000896 monocarboxylic acid group Chemical group 0.000 claims description 6
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims description 6
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 5
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 5
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol Natural products OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 3
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 3
- 125000002009 alkene group Chemical group 0.000 claims description 2
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 claims description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical group [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 125000003158 alcohol group Chemical group 0.000 claims 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 claims 1
- 238000006396 nitration reaction Methods 0.000 claims 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 abstract description 5
- 125000006702 (C1-C18) alkyl group Chemical group 0.000 abstract 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 5
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 2
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 2
- WUOACPNHFRMFPN-SECBINFHSA-N (S)-(-)-alpha-terpineol Chemical compound CC1=CC[C@@H](C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-SECBINFHSA-N 0.000 description 1
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical group [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000020 Nitrocellulose Substances 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- OVKDFILSBMEKLT-UHFFFAOYSA-N alpha-Terpineol Natural products CC(=C)C1(O)CCC(C)=CC1 OVKDFILSBMEKLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940088601 alpha-terpineol Drugs 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- YHWCPXVTRSHPNY-UHFFFAOYSA-N butan-1-olate;titanium(4+) Chemical compound [Ti+4].CCCC[O-].CCCC[O-].CCCC[O-].CCCC[O-] YHWCPXVTRSHPNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229920001220 nitrocellulos Polymers 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002562 thickening agent Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H01L31/1804—
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/003—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table without C-Metal linkages
-
- H01L31/02168—
-
- H01L31/022425—
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
Abstract
Verfahren zur Herstellung von Solarzellen, welches die Anwendung einer Zusammensetzung zur Bildung einer Anti-Reflexions-Beschichtung auf einer Seite einer Siliciumausgangsplatte, die einen p-n-Übergang enthält, das Aufbringen bzw. Aufdrucken einer Silberpaste auf vorbestimmten Flächen der Beschichtung und Hitzebehandlung der entstehenden Platte bei einer Temperatur von 400 bis 900°C zur Vervollständigung einer Anti-Reflexions-Beschichtung und eines Kontakts auf der lichtempfangenden Seite beinhaltet, dadurch charakterisiert, das die Zusammensetzung zur Bildung der Anti-Reflexions-Beschichtung als notwendige Bestandteile (a) wenigstens eine Verbindung ausgewählt aus den Metallkomplexen mit organischen Liganden, die durch die allgemeine Formel M(OR1)n(L)a-n dargestellt werden, wobei M ein Metall ausgewählt aus Zn, Al, Ga, In, Ti, Zr, Sn, V, Nb, Ta, Mo und W ist; R1 ist eine C1-C18-Alkylgruppe; L ist ein organischer Ligand, der eine nichthydrolysierbare Bindung mit dem Metallion bildet; a ist die Wertigkeit des Metalls M und n ist eine ganze Zahl gemäß der Bedingung 1 ≦ n < a, und hydrolytischen Kondensationsprodukten davon, dargestellt durch die allgemeine Formel $A (OR1)n-1M(L)a-n-O-M(OR1)n-1(L)a-n, $A (b) wenigstens eine Organozinnverbindung, und (c) ein Lösungsmittel enthält.
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Solarzellen gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
Ein derartiges Verfahren ist aus "Proceedings of the IEEE 12 th Photovoltaic Specialists Conference", 1976, S. 360-361 bekannt.
Der Umwandlungs-Wirkungsgrad von Solarzellen wird durch das Anbringen einer Anti-Reflexions-Beschichtung auf der lichtempfangenden Oberfläche des Substrats erhöht, da hierdurch Oberflächenreflexionen von einfallendem Licht vermieden werden. Diese Anti-Reflexions-Beschichtung ist üblicherweise ein Metalloxidfilm mit einer Dicke von kleines Lambda/4 n (kleines Lambda: Wellenlänge des einfallenden Lichts; n: Brechungsindex des Metalloxidfilms), welcher auf der Vorderseite des Substrats gebildet ist. Der Metalloxidfilm wird zum Beispiel durch (a) Vakuumbedampfung, (b) Spritzen oder Sprühen, (c) chemische Bedampfung, oder (d) Beschichtung und Brennen des Metallkomplexes hergestellt. Von diesen Verfahren sind (a), (b), und (c) von geringer Produktivität, da ein Vakuumsystem für die Filmbildung verwendet wird, und übliche Verfahren (a) bis (d) erfordern, nach Bildung der Anti-Reflexions-Beschichtung auf der gesamten Fläche der lichtempfangenden Seite des Substrats, die lokale Entfernung des Films durch Ätzen und Bildung eines Kollektorkontakts auf der freigelegten Fläche.
Um diese Nachteile zu eliminieren, wurde gemäß dem bekannten Verfahren der eingangs genannten Art folgendermaßen vorgegangen: Beschichtung eines Siliciumsubstrats, welches einen p-n-Übergang enthält, mit Tetrabutyltitanat als Metallkomplex, Aufbringen bzw. Aufdrucken einer leitfähigen Silberpaste an vorher festgelegten Positionen der Beschichtung und Hitzebehandlung des entstehenden Substrats zur gleichzeitigen Vervollständigung der Anti-Reflexions-Beschichtung und des Silberkontakts, wodurch der Kontakt des Silbers mit dem Siliciumsubstrat erreicht wird.
Es wurde jedoch gefunden, dass die nach diesem Verfahren hergestellten Solarzellen einen hohen Kontaktwiderstand zwischen dem Silber und dem Siliciumsubstrat aufweisen und hinsichtlich des Füllfaktors und des Wirkungsgrades nicht zufriedenstellend sind.
Aufgabe der Erfindung ist es, ein Verfahren zur Herstellung von Solarzellen zur Verfügung zu stellen, das die gleichzeitige Bildung einer Anti-Reflexions-Beschichtung und eines Kollektorkontakts durch Aufdrucken erlaubt und einen niedrigen Kontaktwiderstand zwischen dem Silber und dem Siliciumsubstrat ergibt.
Diese Aufgabe wird bei einem Verfahren der eingangs genannten Art, erfindungsgemäß durch die im Kennzeichnungsteil des Anspruchs 1 genannten Maßnahmen gelöst.
Der Metall-Alkoxid-Komplex mit einer Alkoxylgruppe als Ligand wird durch die allgemeine Formel M(Or[tief]1)[tief]n, dargestellt, wobei M ein Metallion und R[tief]1 eine C[tief]1 - C[tief]18-Alkylgruppe darstellt (OR[tief]1 ist eine C[tief]1 - C[tief]18-Alkoxylgruppe). Dieser Komplex wird durch Reaktion mit in Luft vorhandener Feuchtigkeit leicht hydrolysiert, wie durch folgende Gleichung (1) gezeigt, wodurch Beschichtungsfilme dieses Komplexes gehärtet werden.
(1)
Die Reaktion nach Gleichung (1) läuft jedoch zu weit, dadurch eine zu harte Beschichtung ergebend. Werden eine solche übermäßig gehärtete Beschichtung und eine darauf aufgebrachte oder aufgedruckte Silberpaste gleichzeitig gebrannt, wird das Silber die Beschichtung, die aus der Hydrolyse von M(OR[tief]1)[tief]n resultiert, kaum durchdringen. Demzufolge wurde gefunden, dass die entstehende Solarzelle keinen wesentlichen Kontakt des Silbers mit dem Siliciumsubstrat aufweist.
Um die Hydrolyse nach Gleichung (1) zu kontrollieren, wurde ein Teil der Alkoxylgruppen des Metallkomplexes durch einen organischen Liganden ersetzt, der eine nichthydrolysierbare Bindung mit dem Metall bildet.
Für diesen Liganden sind kleines Beta-Diketoanionen, Carboxylatanionen und Dicarboxylatanionen, dargestellt durch die folgenden allgemeinen Formeln (2), (3) und (4), geeignet:
(2)
R[tief]4 COO[hoch](-)
(3)
(4)
In diesen Formeln repräsentieren R[tief]2, R[tief]3 und R[tief]4 C[tief]1 - C[tief]18-Alkylgruppen und R[tief]5 repräsentiert eine C[tief]2 - C[tief]10-Alkengruppe. Geeignete kleines Beta-Diketoanionen, dargestellt durch Formel (2), schließen zum Beispiel
und
ein. Geeignete Carboxylatanionen, dargestellt durch Formel (3), schließen zum Beispiel
CH[tief]3 COO[hoch](-), C[tief]3 H[tief]7 COO[hoch](-), C[tief]2 H[tief]5 COOCH = CHCOO[hoch](-) und CH[tief]3 CH(OH)CH[tief)2 COO[hoch](-)
ein.
Geeignete Dicarboxylatanionen, dargestellt durch Formel (4), schließen zum Beispiel
[hoch](-) OOCCH = C(CH[tief]3)COO[hoch](-)
ein.
Die aus dem Metallkomplex nach Formel (1) durch die teilweise Ersetzung der Alkoxylgruppe durch die obigen Liganden entstehenden Verbindungen werden durch die allgemeine Formel
M(OR[tief]1)[tief]n(L)[tief]a-n
(5)
dargestellt, wobei M ein Metallion wie Zn, Al, Ga, In, Ti, Zr, Sn, V, Nb, Ta, Mo oder W ist; R[tief]1 ist eine C[tief]1 - C[tief]18-Alkylgruppe, L ist ein organischer Ligand, der eine nichthydrolysierbare Bindung mit dem Metallion bildet und wird spezieller durch die Formeln (2), (3) oder (4) wie oben dargestellt; a ist die Wertigkeit von M und n ist eine ganze Zahl, die die Bedingung 1 kleiner gleich als n kleiner als a erfüllt.
Geeignete Beispiele des Metallkomplexes nach Formel (5) sind Ti(OC[tief]3 H[tief]7)[tief]2 (CH[tief]3 COCHCOCH[tief]3)[tief]2, Al(OC[tief]3 H[tief]7)[tief]2 (OCOC[tief]3 H[tief]7), Zr(OC[tief]4 H[tief]9)[tief]3 (OCOC[tief]7 H[tief]15), Ta(OC[tief]2 H[tief]5)[tief]3 (C[tief]2 H[tief]5 COCHCOCH[tief]3)[tief]2. Von diesen Verbindungen wird Ti(OC[tief]3 H[tief]7)[tief]2 (CH[tief]3 COCHCOCH[tief]3)[tief]2 bevorzugt.
Hydrolytische Kondensationsprodukte der durch Formel (5) repräsentierten Verbindungen können auch verwendet werden. Diese Kondensationsprodukte werden durch die allgemeine Formel
(OR[tief]1)[tief]n-1 M(L)[tief]a-n -O-M(OR[tief]1)[tief]n-1(L)[tief]a-n
(6)
repräsentiert, wobei M, R[tief]1, L, a und n die gleichen Bezeichnungen wie in Formel (5) sind. Ein typisches Beispiel für die Verbindungen, die durch Formel (6) dargestellt werden, ist die Verbindung mit der folgenden Struktur:
Der Kontaktwiderstand, der bei der Herstellung von Solarzellen durch Bildung von Beschichtungen aus Verbindungen, die durch die Formeln (5) oder (6) dargestellt werden, und Aufbringen oder Aufdrucken eines Kontaktmusters mit einer leitfähigen Silberpaste, gefolgt von einer Hitzebehandlung, entstand, betrug jedoch bis zu etwa 0,3 Ohm cm [hoch]2.
Es wurde aber gefunden, dass dieser Kontaktwiderstand durch Verwendung mindestens einer Verbindung, ausgewählt aus den Verbindungen nach Formel (5) oder (6) und mindestens einer Verbindung, ausgewählt aus Organozinnverbindungen, die durch die folgenden allgemeinen Formeln (7) bis (13) dargestellt werden, gesenkt werden kann.
(R[tief]6)Sn(O)(L)
(7)
(R[tief]6)[tief]2 SnX(L)
(8)
(R[tief]6)SnX(L)[tief]2
(9)
(R[tief]6)[tief]3 Sn(L)
(10)
(R[tief]6)[tief]3 SnX
(11)
(R[tief]6)[tief]2 Sn(L)[tief]2
(12)
(R[tief]6)[tief]3 SnSn(R[tief]6)[tief]3
(13)
In den Formeln (7) bis (13) ist R[tief]6 eine C[tief]1 - C[tief]18-Alkylgruppe, L ist ein kleines Beta-Diketoanion, dargestellt durch Formel (2), ein Carboxylatanion, dargestellt durch Formel (3), oder 1/2 eines Dicarboxylatanions, dargestellt durch Formel (4), und X ist ein Hydroxidion, Halogenidion oder Nitration.
Typische Beispiele für die Organozinnverbindungen sind die folgenden: C[tief]4 H[tief]9 SnO(CH[tief]3 COCHCOCH[tief]3), (C[tief]4 H[tief]9)[tief]2 Sn(OH)(OCOC[tief]7 H[tief]15), (C[tief]4 H[tief]9)[tief]2 SnCl(CH[tief]3 COCHCOCOOC[tief]3 H[tief]7), (C[tief]4 H[tief]9)[tief]2 Sn(NO[tief]3)(OCOC[tief]7 H[tief]15), (CH[tief]3)[tief]2 Sn(OH)(NO[tief]3), C[tief]4 H[tief]9 Sn(NO[tief]3)(CH[tief]3 COCHCOC[tief]7 H[tief]15)[tief]2, (CH[tief]3)[tief]3 Sn(CH[tief]3 COCHCOCH[tief]3),
(CH[tief]3)[tief]2 Sn(OCOCH = CHCOO), (C[tief]4 H[tief]9)[tief]2 Sn(OCOCH =
CHCOOC[tief]2 H[tief]5)[tief]2 und (CH[tief]3)[tief]3 SnSn(CH[tief]3)[tief]3.
Insbesondere sind die Verbindungen nach den Formeln (7) bis (9) bevorzugt, da sie feinere und zähere Filme ergeben.
Verfahren zur Synthese dieser Organozinnverbindungen sind nachstehend durch Gleichungen anwendbarer Reaktionen verdeutlicht.
Verbindungen nach Formel (7), R[tief]6Sn(O)(L):
C[tief]4 H[tief]9 Sn(O)(OH) + CH[tief]3 COCH[tief]2 COCH[tief]2 -> C[tief]4 H[tief]9 Sn(O)(CH[tief]3 COCHCOCH[tief]3) + H[tief]2 O
CH[tief]3 Sn(O)(OH) + C[tief]7 H[tief]15 COOH -> CH[tief]3 Sn(O)(OCOC[tief]7 H[tief]15) + H[tief]2 O
Verbindungen nach Formel (8), (R[tief]6)[tief]2 SnX(L):
(C[tief]4 H[tief]9)[tief]2 Sn(O) + CH[tief]3 COCH[tief]2 COOC[tief]3 H[tief]7 -> (C[tief]4 H[tief]9)[tief]2 Sn(OH)(CH[tief]3 COCHCOOC[tief]3 H[tief]7)
(CH[tief]3)[tief]2 Sn(O) + C[tief]3 H[tief]7 COOH -> (CH[tief]3)[tief]2 Sn(OH)(OCOS[tief]3 H[tief]7)
Verbindungen nach Formel (9), (R[tief]6)SnX(L)[tief]2:
C[tief]4 H[tief]9 Sn(O)(OH) + 2CH[tief]3 COCH[tief]2 COCH[tief]3 -> C[tief]4 H[tief]9 Sn(OH) + 2C[tief]7 H[tief]15 COOH + H[tief]2 O
CH[tief]3 Sn(O)(OH) + 2C[tief]7 H[tief]15 COOH -> CH[tief]3 Sn(OH)(OCOC[tief]7 H[tief]15)[tief]2 + H[tief]2 O
An Stelle der Verwendung einer isolierten Organozinnverbindung, dargestellt durch die Formeln (R[tief]6)Sn(O)(L), (R[tief]6)[tief]2 SnX(L) oder (R[tief]6)SnX(L)[tief]2 ist es möglich, die bei der Reaktion einer Verbindung der Formeln (R[tief]6)Sn(OH) oder (R[tief]6)[tief]2 Sn(O) mit einem kleines Beta-Diketon oder mit einer Carbonsäure in einem Lösungsmittel entstehende Mischung als solche mit dem Metallalkoxidkomplex nach Formel (5), M(OR[tief]1)[tief]n(L)[tief]a-n oder mit dem hydrolytischen Kondensationsprodukt davon zu mischen, und die entstehende Lösung zur Bildung der Anti-Reflexions-Beschichtung zu verwenden.
Demgemäß enthält die für die Erfindung verwendete Zusammensetzung zur Bildung der Anti-Reflexions-Beschichtung wenigstens eine Verbindung, ausgewählt aus den Verbindungen nach Formeln (5) und (6), und mindestens eine Verbindung, ausgewählt aus den Organozinnverbindungen der Formeln (7) bis (13), und ein Lösungsmittel als wesentliche Komponenten.
Geeignete molare Mischungsverhältnisse von wenigstens einer Verbindung, ausgewählt aus Verbindungen der Formeln (5) und (6), zu wenigstens einer Verbindung, ausgewählt aus den Organozinnverbindungen nach Formeln (7) bis (13), betragen von 1 : 0,05 bis zu 1 : 3,0. Beträgt der Anteil der Organozinnverbindung weniger als 0,05, wird nur eine geringe Wirkung bei der Erniedrigung des Kontaktwiderstandes erreicht, beträgt der Anteil mehr als 3,0, ist die Härte des entstehenden Films nicht ausreichend, um die leitfähige Silberpaste aufzubringen oder aufzudrucken, ohne den Film anzugreifen beziehungsweise zu beschädigen.
Geeignete Mischungsverhältnisse, bezogen auf das Gewicht, der Summe von wenigstens einer Verbindung, ausgewählt aus Verbindungen nach Formeln (5) und (6) und wenigstens einer Verbindung, ausgewählt aus Verbindungen der Formeln (7) bis (13), zum Lösungsmittel betragen von 5 : 95 bis zu 50 : 50. Beträgt der Gewichtsanteil des Lösungsmittels mehr als 95%, ist der entstehende Film zu dünn, beträgt der Anteil weniger als 50 Gew.-%, wird die Zusammensetzung zu viskos und ist schwierig aufzubringen. Lösungsmittelanteile von 60 bis 80 Gew.-% geben am besten verarbeitbare Zusammensetzungen.
Für die Erfindung kann jegliches Lösungsmittel verwendet werden, das die Verbindung nach der Formel M(OR[tief]1)[tief]n (L)[tief]a-n oder das hydrolytische Kondensationsprodukt davon und die Organozinnverbindung löst. Bevorzugte Lösungsmittel sind jedoch Alkohole, wie Ethanol und Isopropanol und Ethylenglykol-monoalkylether, die die Bildung gleichmäßiger Beschichtungen erleichtern. Zwei oder mehrere dieser Lösungsmittel können in Kombination verwendet werden.
Die Anwendung der Zusammensetzung, um die Anti-Reflexions-Beschichtung auf dem Substrat zu bilden, wird z. B. durch Schleudergußbeschichtung, Aufwalzbeschichtung, Eintauchen, Sprühen oder Sieb- bzw. Filmdruck durchgeführt. Im Falle von Siebdruck kann ein Verdicker wie Nitrocellulose, Polymethylmetacrylat oder dergleichen zur Zusammensetzung für die Bildung einer Anti-Reflexions-Beschichtung zugegeben werden, um die Viskosität auf einen für den Sieb- bzw. Filmdruck geeigneten Wert einzustellen.
Die Silberpaste zur Kontaktbildung enthält vorzugsweise ein Silberpulver als Hauptkomponente und ein Ti-, Mg- oder Ni-Pulver und eine Blei-Bor-Silikatglasmasse als zusätzliche Komponenten.
Die Hitzebehandlung der Beschichtungen wird vorzugsweise bei einer Temperatur im Bereich von 400 bis 900°C durchgeführt. Temperaturen unter 400°C für die Behandlung resultieren in ungenügender Zersetzung der organischen Komponenten im Beschichtungsfilm und in der Silberpaste, während Temperaturen über 900°C zu einer übermäßigen Diffusion von Silber in das Silicium führen, was Leckstellen verursachen kann.
Die Erfindung wird nun im Detail unter Bezugnahme auf die folgenden Beispiele erläutert.
Beispiel 1
Eine n[hoch]+ -Schicht (spezifischer Widerstand etwa 1,5 x 10[hoch]-3 Ohm cm) von 0,3 bis 0,5 µm Tiefe wurde durch ein Ionenimplantationsverfahren in einer Seite eines Siliciumsubstrats vom p-Typ in Form einer kreisförmigen dünnen Scheibe von 7,6 cm Durchmesser mit einem spezifischen Widerstand von 1 bis 5 Ohm cm und eine p[hoch]+ -Schicht von 1 bis 2 µm Tiefe wurde durch das Aluminiumdiffusionsverfahren in der gegenüberliegenden Seite des Substrats gebildet. Solche Siliciumsubstrate wurden als übergangsbildende Siliciumsubstrate für Solarzellen verwendet.
Die in Tabelle 1 gezeigten Zusammensetzungen wurden als Beschichtungsmaterialien für Anti-Reflexions-Beschichtungen hergestellt.
Diese Zusammensetzungen wurden mehrmals auf den n[hoch]+ -Schichtseiten der Siliciumsubstrate durch ein Schleudergußverfahren aufgebracht. Die Rotationsgeschwindigkeit betrug 3000 min[hoch]-1 und die Zeit 60 Sekunden. Anschließend wurden die Beschichtungen jeweils bei etwa 100°C 10 Minuten getrocknet.
Eine Silberpaste zur Kontaktbildung wurde auf die folgende Weise hergestellt: eine viskose Lösung von Ethylcellulose (10 Gewichtsteile) in kleines Alpha-Terpineol (90 Gewichtsteile) wurde zu einer Mischung, bestehend aus einem Silberpulver (10 g) mit einem Teilchendurchmesser von nicht mehr als 1 µm, einem Ti-Pulver (1 g), welches zur Stabilisierung oberflächenbehandelt war, und einer Glasmasse vom PbO-B[tief]2 O[tief]3-SiO[tief]2-Typ unter kräftigem Rühren zugegeben, wodurch sich die gewünschte Paste mit einer Viskosität von etwa 200 Poise (Schergeschwindigkeit 100/Sekunde) ergab.
Diese Paste wurde durch Siebdruck bzw. Filmdruck auf die Anti-Reflexionsbeschichtung, die die n[hoch]+ -Schicht jedes Siliciumsubstrats bedeckt, zur Bildung einer kammähnlichen Struktur auf der Vorderseite und zur Bildung einer anderen Struktur auf die p[hoch]+ -Schicht jedes Substrats zur Bedeckung der gesamten Oberfläche aufgebracht. Die aufgebrachte Paste wurde bei 150°C 10 Minuten getrocknet. Dann wurden die entstehenden Substrate 10 Minuten bei 600°C in einer Stickstoffatmosphäre, die 50 ppm Sauerstoff enthielt, gebrannt, um die gebrannten Strukturen zu bilden.
Die so hergestellten Solarzellen wurden auf Strom-Spannungseigenschaft, Kurzschlußstromdichte, Öffnungsspannung, Füllfaktor und Wirkungsgrad untersucht.
Der Kontaktwiderstand zwischen Silber und der n[hoch]+ -Schicht wurde ebenfalls gemessen. Jede der Zellen zeigte eine Kurzschlußstromdichte von etwa 28 mA/cm[hoch]2 und eine Öffnungsspannung von etwa 0,59 V.
Wie aus Tabelle 1 hervorgeht, ergaben die Zusammensetzungen der Proben Nr. 1 bis 17 so gute Eigenschaften, wie einen Kontaktwiderstand von 0,03 bis 0,04 Ohm cm[hoch]2, einen Füllfaktor von 0,78 bis 0,81 und Wirkungsgrade von 13,3 bis 13,6%, die gegenüber den Proben Nr. 18 bis 21, die durch Verwendung bekannter Zusammensetzungen erhalten wurden, stark verbessert sind. Die Proben Nr. 6 bis 16, d. h., Solarzellen, die durch Verwendung von Organozinnverbindungen der Formeln (R[tief]6) Sn(O)(L) oder (R[tief]6)[tief]2 Sn(X)(L) hergestellt wurden, waren besonders hinsichtlich der Feinheit der Struktur bzw. des Aufbaus der gebildeten Anti-Reflexions-Beschichtung überlegen.
Tabelle 1
Beispiel 2
Die in Tabelle 2 gezeigten Zusammensetzungen wurden aus Ti(OC[tief]3 H[tief]7)[tief]2 (CH[tief]3 COCHCHCH[tief]3)[tief]2, C[tief]4 H[tief]9 Sn(O)(CH[tief]3 COCHCOCH[tief]3) und Ethylenglykolmonoethylether hergestellt. Unter Verwendung dieser Zusammensetzungen wurden Solarzellen auf die gleiche Weise wie in Beispiel 1 hergestellt. Die charakteristischen Werte dieser Zellen sind in Tabelle 2 gezeigt.
Tabelle 2
Aus der Tabelle 2 kann entnommen werden, dass der Kontaktwiderstand einen Sättigungswert erreicht, wenn das molare Verhältnis von C[tief]4 H[tief]9 Sn(O)(CH[tief]3 COCHCOCH[tief]3) zu Ti(OC[tief]3 H[tief]7)[tief]2 (CH[tief]3 COCHCOCH[tief]3)[tief]2 unter 0,05 liegt. Im Gegensatz dazu wurde ein Eindruck der Siebdruck- bzw. Filmdruckplatte in der Anti-Reflexions-Beschichtung unter dem Mikroskop beobachtet, wenn das Verhältnis über 3,0 erhöht wurde.
Beispiel 3
Eine Zusammensetzung wurde gebildet aus Ti(OC[tief]3 H[tief]7)[tief]2 (CH[tief]3 COCHCOCH[tief]3)[tief]2 (40 Gewichtsteile), C[tief]4 H[tief]9 Sn(O)(CH[tief]3 COCHCOCH[tief]3)[tief]2 (32 Gewichtsteile) und Ethylenglykolmonoethylether (30 Gewichtsteile) und auf ein Siliciumsubstrat aufgebracht. Es konnte jedoch sogar bei so hohen Rotationsgeschwindigkeiten wie 8000 min[hoch]-1 keine gleichmäßige Beschichtung erreicht werden, da die Zusammensetzung zu viskos war.
Beispiel 4
Eine Zusammensetzung wurde hergestellt aus Ti(OC[tief]3 H[tief]7)[tief]2 (CH[tief]3 COCHCOCH[tief]3)[tief]2 (40 Gewichtsteile), C[tief]4 H[tief]9 Sn(O)(CH[tief]3 COCHCOCH[tief]3) (32 Gewichtsteile) und Ethylenglykolmonoethylether (1300 Gewichtsteile) und auf ein Siliciumsubstrat aufgebracht. Es konnte jedoch sogar bei so niedrigen Rotationsgeschwindigkeiten wie 500 min[hoch]-1 keine Anti-Reflexions-Beschichtung mit der notwendigen Dicke von 70 nm oder mehr erhalten werden.
Claims (25)
1. Verfahren zur Herstellung von Solarzellen, das die Anwendung einer eine Metallkomplexverbindung aufweisende Zusammensetzung zur Bildung einer Anti- Reflexions-Beschichtung auf einer Seite eines Siliciumsubstrats, das einen p-n-Übergang enthält, Aufbringen einer Silberpaste zur Kontaktbildung an vorbestimmten Flächen der Beschichtung und Hitzebehandlung des entstehenden Substrats bei einer Temperatur von 400 bis 900°C zur Vervollständigung der Anti-Reflexions-Beschichtung und des Kontakts auf der lichtempfangenden Seite beinhaltet, dadurch gekennzeichnet, daß die Zusammensetzung zur Bildung der Anti-Reflexions- Beschichtung folgende Komponenten enthält:
(a) mindestens eine Verbindung aus der Gruppe, die Metallkomplexverbindungen, die organische Liganden enthalten und durch die allgemeine Formel (5) dargestellt werden
M(OR[tief]1)[tief]n(L)[tief]a-n
(5)
und hydrolytische Kondensationsprodukte der Verbindungen nach Formel (5), die durch die allgemeine Formel (6) dargestellt werden
(OR[tief]1)[tief]n-1 M(L)[tief]a-n O-M(OR[tief]1)[tief]n-1(L)[tief]a-n
(6)
umfaßt, wobei M ein Metall, ausgewählt aus Zn, Al, Ga, In, Ti, Zr, Sn, V, Nb, Ta, Mo und W, OR[tief]1 eine Alkoxylgruppe, R[tief]1 eine C[tief]1 - C[tief]18-Alkylgruppe, L ein organischer Ligand, der eine nicht hydrolysierbare Bindung mit dem Metallion bildet, a die Wertigkeit des Metalls M und n eine ganze Zahl ist, die die Bedingung 1 kleiner gleich als n kleiner als a erfüllt,
(b) mindestens eine Organozinnverbindung, und
(c) ein Lösungsmittel.
2. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem der organische Ligand L ein kleines Beta-Diketoanion, dargestellt durch die allgemeine Formel
(2)
ist, wobei R[tief]2 und R[tief]3 C[tief]1 - C[tief]18-Alkylgruppen sind.
3. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem der organische Ligand ein Carboxylatanion, dargestellt durch die allgemeine Formel
R[tief]4COO[hoch](-)
ist, wobei R[tief]4 eine C[tief]1 - C[tief]18-Alkylgruppe ist.
4. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem der organische Ligand L ein Dicarboxylatanion, dargestellt durch die allgemeine Formel
[hoch](-)OOCR[tief]5 COO[hoch](-)
(4)
ist, wobei R[tief]5 eine C[tief]2 - C[tief]10-Alkengruppe ist.
5. Verfahren nach Anspruch 2, bei dem das kleines Beta-Diketoanion
ist.
6. Verfahren nach Anspruch 3, bei dem das Carboxylatanion
CH[tief]3COO[hoch](-) oder C[tief]3 H[tief]7 COO[hoch](-)
ist.
7. Verfahren nach Anspruch 4, bei dem das Dicarboxylatanion
[hoch](-)OOCH = C(CH[tief]3)COO[hoch](-)
ist.
8. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die Metallkomplexverbindung nach Formel (5)
Ti(OC[tief]3 H[tief]7)[tief]2 (CH[tief]3 COCHCOCH[tief]3)[tief]2, Al(OC[tief]3 H[tief]7)[tief]2 (OCOC[tief]3 H[tief]7), Zr(OC[tief]4 H[tief]9)[tief]3 (OCOC[tief]7 H[tief]15) oder Ta(OC[tief]2 H[tief]5)[tief]3 (C[tief]2 H[tief]5 COCHCOOCH[tief]3)[tief]2 ist.
9. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem das hydrolytische Kondensationsprodukt die Struktur
hat.
10. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die Organozinnverbindung wenigstens eine Verbindung ausgewählt aus den
Verbindungen, die durch folgende allgemeine Formeln dargestellt werden, ist:
(R[tief]6)Sn(O)(L)
(7)
(R[tief]6)[tief]2 SnX(L)
(8)
(R[tief]6)SnX(L)[tief]2
(9)
(R[tief]6)[tief]3 Sn(L)
(10)
(R[tief]6)[tief]3 SnX
(11)
(R[tief]6)[tief]2 Sn(L)[tief]2
(12)
oder
(R[tief]6)[tief]3 SnSn(R[tief]6)[tief]3
(13)
wobei R[tief]6 eine C[tief]1 - C[tief]18-Alkylgruppe, L ein organischer Ligand, dargestellt durch die Formeln (2), (3), oder (4) und X ein Hydroxidion, Halogenidion
oder Nitration ist.
11. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die Organozinnverbindung wenigstens eine Verbindung ausgewählt aus C[tief]4 H[tief]9 SnO(CH[tief]3 COCHCOCH[tief]3), CH[tief]3 Sn(O)(OCOC[tief]7 H[tief]15),
(C[tief]4 H[tief]9)[tief]2 Sn(OH)(CH[tief]3 COCHCOOC[tief]3 H[tief]7), (C[tief]4 H[tief]9)[tief]2 Sn(OH)(OCOC[tief]7 H[tief]15),
C[tief]4 H[tief]9 Sn(OH)(CH[tief]3 COCHCOCH[tief]3)[tief]2, CH[tief]3 Sn(OH)(OCOC[tief]7 H[tief]15)[tief]2,
(C[tief]4 H[tief]9)[tief]2 SnCl(CH[tief]3 COCHCOCOOC[tief]3 H[tief]7), (C[tief]4 H[tief]9)[tief]2 Sn(NO[tief]3)(OCOC[tief]7 H[tief]15),
(CH[tief]3)[tief]2 Sn(OH)(NO[tief]3), C[tief]4 H[tief]9 Sn(NO[tief]3)(CH[tief]3 COCHCOC[tief]7 H[tief]15)[tief]2,
(CH[tief]3)[tief]3 Sn(CH[tief]3 COCHCOCH[tief]3), (CH[tief]3)[tief]2 Sn(OCOCH = CHCOO), (C[tief]4 H[tief]9)[tief]2 Sn(OCOCH =
CHCOOC[tief]2 H[tief]5)[tief]2 und (CH[tief]3)[tief]3 SnSn(CH[tief]3)[tief]3 ist.
12. Verfahren nach Anspruch 11, bei dem C[tief]4 H[tief]9 Sn(O)(CH[tief]3 COCHCOCH[tief]3) durch Umsetzung von C[tief]4 H[tief]9 Sn(O)(OH) mit CH[tief]3 COCH[tief]2 COCH[tief]3 hergestellt wurde.
13. Verfahren nach Anspruch 11, bei dem CH[tief]3 Sn(O)(OCOC[tief]7 H[tief]15) durch Umsetzung von CH[tief]3 Sn(O)(OH) mit C[tief]7 H[tief]15 COOH hergestellt wurde.
14. Verfahren nach Anspruch 11, bei dem (C[tief]4 H[tief]9)[tief]2 Sn(OH)(CH[tief]3 COCHCOOC[tief]3 H[tief]7) durch Umsetzung von (C[tief]4 H[tief]9)[tief]2 Sn(O) mit CH[tief]3 COCH[tief]2 COOC[tief]3 H[tief]7 hergestellt wurde.
15. Verfahren nach Anspruch 11, bei dem (CH[tief]3) [tief]2 Sn(OH)(OCOC[tief]3 H[tief]7) durch Umsetzung von (CH[tief]3) [tief]2 Sn(O) mit C[tief]3 H[tief]7 COOH hergestellt wurde.
16. Verfahren nach Anspruch 11, bei dem C[tief]4 H[tief]9 Sn(OH)(CH[tief]3 COCHCOCH[tief]3)[tief]2 durch Umsetzung von C[tief]4 H[tief]9 Sn(O)(OH) mit CH[tief]3 COCH[tief]2 COCH[tief]3 hergestellt wurde.
17. Verfahren nach Anspruch 11, bei dem CH[tief]3 Sn(OH)(OCOC[tief]7 H[tief]15) durch Umsetzung von CH[tief]2 Sn(O)(OH) mit C[tief]7 H[tief]15 COOH hergestellt wurde.
18. Verfahren nach Anspruch 10, bei dem eine Verbindung, dargestellt durch die Formel (R[tief]6)Sn(O)(OH) oder (R[tief]6)[tief]2 Sn(O) anstelle der Verbindung verwendet wird, die durch die Formeln (R[tief]6)Sn(O)(L), (R[tief]6)[tief]2 SnX(L) oder (R[tief]6)SnX(L)[tief]2 dargestellt wird.
19. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem das molare Mischungsverhältnis von wenigstens einer Verbindung ausgewählt aus Metallkomplexverbindungen, die organische Liganden enthalten, und den hydrolytischen Kondensationsprodukten davon zu wenigstens einer Organozinnverbindung von 1 : 0,05 bis zu 1 : 3,0 beträgt.
20. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem das Mischungsverhältnis der Summe von (a) wenigstens einer Verbindung ausgewählt aus den Metallkomplexverbindungen, die organische Liganden enthalten, und den hydrolytischen Kondensationsprodukten davon und (b) wenigstens einer Organozinnverbindung zu (c) dem Lösungsmittel von 5 : 95 bis zu 50 : 50, bezogen auf das Gewicht, beträgt.
21. Verfahren nach Anspruch 20, bei dem der Mischungsanteil des Lösungsmittels 60 bis 80%, bezogen auf das Gewicht, beträgt.
22. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem das Lösungsmittel die Metallkomplexverbindung, die organische Liganden enthält, das hydrolytische Kondensationsprodukt und die Organozinnverbindung löst.
23. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem das Lösungsmittel ein Alkohol wie Ethanol und Isopropanol, ein Ethylenglykolmonoalkylether oder eine Mischung dieser Verbindungen ist.
24. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die Aufbringung der Zusammensetzung durch eines der folgenden Verfahren durchgeführt wird: Schleudergußverfahren, Aufwalzbeschichtung, Eintauchen, Sprühen, Siebdruck.
25. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die Silberpaste ein Silberpulver als Hauptkomponente und ein Pulver aus Ti, Mg oder Ni und eine Borsilikatglasmasse als zusätzliche Komponenten enthält.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58246949A JPS60140880A (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | 太陽電池の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE3447635A1 DE3447635A1 (de) | 1985-07-18 |
| DE3447635C2 true DE3447635C2 (de) | 1987-01-15 |
Family
ID=17156132
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE3447635A Expired DE3447635C2 (de) | 1983-12-28 | 1984-12-28 | Verfahren zur Herstellung von Solarzellen mit Anti-Reflexions-Beschichtung |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4643913A (de) |
| JP (1) | JPS60140880A (de) |
| DE (1) | DE3447635C2 (de) |
| FR (1) | FR2557731B1 (de) |
Families Citing this family (31)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63119273A (ja) * | 1986-11-06 | 1988-05-23 | Sharp Corp | 光電変換素子 |
| DE3739174A1 (de) * | 1987-11-19 | 1989-06-01 | Huels Chemische Werke Ag | Kondensierte acetessigsaeureester-titanchelate und verfahren zu deren herstellung |
| JPH03502627A (ja) * | 1988-06-10 | 1991-06-13 | エイエスイー・アメリカス・インコーポレーテッド | 太陽電池用接点製作の改良された方法 |
| US5698451A (en) * | 1988-06-10 | 1997-12-16 | Mobil Solar Energy Corporation | Method of fabricating contacts for solar cells |
| US5840897A (en) * | 1990-07-06 | 1998-11-24 | Advanced Technology Materials, Inc. | Metal complex source reagents for chemical vapor deposition |
| US7323581B1 (en) | 1990-07-06 | 2008-01-29 | Advanced Technology Materials, Inc. | Source reagent compositions and method for forming metal films on a substrate by chemical vapor deposition |
| US5178685A (en) * | 1991-06-11 | 1993-01-12 | Mobil Solar Energy Corporation | Method for forming solar cell contacts and interconnecting solar cells |
| JP3724592B2 (ja) * | 1993-07-26 | 2005-12-07 | ハイニックス セミコンダクター アメリカ インコーポレイテッド | 半導体基板の平坦化方法 |
| US5679815A (en) * | 1994-09-16 | 1997-10-21 | Advanced Technology Materials, Inc. | Tantalum and niobium reagents useful in chemical vapor deposition processes, and process for depositing coatings using the same |
| US6015917A (en) | 1998-01-23 | 2000-01-18 | Advanced Technology Materials, Inc. | Tantalum amide precursors for deposition of tantalum nitride on a substrate |
| DE19811878C2 (de) * | 1998-03-18 | 2002-09-19 | Siemens Solar Gmbh | Verfahren und Ätzlösung zum naßchemischen pyramidalen Texturätzen von Siliziumoberflächen |
| CN1151543C (zh) * | 1998-07-03 | 2004-05-26 | 佳能株式会社 | 半导体器件及其制造方法 |
| US7012292B1 (en) * | 1998-11-25 | 2006-03-14 | Advanced Technology Materials, Inc | Oxidative top electrode deposition process, and microelectronic device structure |
| JP2004507551A (ja) * | 2000-08-28 | 2004-03-11 | アドバンスト テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド | ソース材料組成物および化学的蒸着法による基板上への金属膜形成方法 |
| US7163596B2 (en) * | 2002-06-07 | 2007-01-16 | E. I. Du Pont Nemours And Company | Fibers and ribbons for use in the manufacture of solar cells |
| KR100878236B1 (ko) * | 2002-06-12 | 2009-01-13 | 삼성전자주식회사 | 금속 패턴의 형성 방법 및 이를 이용한 박막 트랜지스터기판의 제조 방법 |
| US6960675B2 (en) * | 2003-10-14 | 2005-11-01 | Advanced Technology Materials, Inc. | Tantalum amide complexes for depositing tantalum-containing films, and method of making same |
| US7166732B2 (en) | 2004-06-16 | 2007-01-23 | Advanced Technology Materials, Inc. | Copper (I) compounds useful as deposition precursors of copper thin films |
| US20060092495A1 (en) * | 2004-10-28 | 2006-05-04 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Anti-glare anti-reflection film, polarizing plate, and image display device |
| US9312557B2 (en) * | 2005-05-11 | 2016-04-12 | Schlumberger Technology Corporation | Fuel cell apparatus and method for downhole power systems |
| US20110060165A1 (en) * | 2006-12-05 | 2011-03-10 | Advanced Technology Materials, Inc. | Metal aminotroponiminates, bis-oxazolinates and guanidinates |
| US7750173B2 (en) | 2007-01-18 | 2010-07-06 | Advanced Technology Materials, Inc. | Tantalum amido-complexes with chelate ligands useful for CVD and ALD of TaN and Ta205 thin films |
| US20100037941A1 (en) * | 2008-08-13 | 2010-02-18 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Compositions and processes for forming photovoltaic devices |
| US8840701B2 (en) * | 2008-08-13 | 2014-09-23 | E I Du Pont De Nemours And Company | Multi-element metal powders for silicon solar cells |
| US8294024B2 (en) * | 2008-08-13 | 2012-10-23 | E I Du Pont De Nemours And Company | Processes for forming photovoltaic devices |
| US20100037948A1 (en) * | 2008-08-14 | 2010-02-18 | Integrated Digital Technologies, Inc. | Solar cells provided with color modulation and method for fabricating the same |
| US8710355B2 (en) | 2008-12-22 | 2014-04-29 | E I Du Pont De Nemours And Company | Compositions and processes for forming photovoltaic devices |
| US8294027B2 (en) * | 2010-01-19 | 2012-10-23 | International Business Machines Corporation | Efficiency in antireflective coating layers for solar cells |
| US8535971B2 (en) * | 2010-02-12 | 2013-09-17 | Heraeus Precious Metals North America Conshohocken Llc | Method for applying full back surface field and silver busbar to solar cell |
| KR101569566B1 (ko) | 2010-05-04 | 2015-11-16 | 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 | 납-텔루륨-리튬-티타늄-산화물을 함유하는 후막 페이스트, 및 반도체 소자의 제조에서의 그의 용도 |
| TWI745562B (zh) | 2017-04-18 | 2021-11-11 | 美商太陽帕斯特有限責任公司 | 導電糊料組成物及用其製成的半導體裝置 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| IN152814B (de) * | 1978-08-08 | 1984-04-14 | Westinghouse Electric Corp | |
| US4361598A (en) * | 1979-08-10 | 1982-11-30 | Westinghouse Electric Corp. | Polymerized solutions for depositing optical oxide coatings |
| US4251285A (en) * | 1979-08-14 | 1981-02-17 | Westinghouse Electric Corp. | Diffusion of dopant from optical coating and single step formation of PN junction in silicon solar cell and coating thereon |
| US4328260A (en) * | 1981-01-23 | 1982-05-04 | Solarex Corporation | Method for applying antireflective coating on solar cell |
| JPS58128775A (ja) * | 1982-01-28 | 1983-08-01 | Toshiba Corp | 太陽電池の製造方法 |
-
1983
- 1983-12-28 JP JP58246949A patent/JPS60140880A/ja active Granted
-
1984
- 1984-12-27 FR FR8419930A patent/FR2557731B1/fr not_active Expired
- 1984-12-28 DE DE3447635A patent/DE3447635C2/de not_active Expired
- 1984-12-28 US US06/687,162 patent/US4643913A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3447635A1 (de) | 1985-07-18 |
| FR2557731A1 (fr) | 1985-07-05 |
| US4643913A (en) | 1987-02-17 |
| FR2557731B1 (fr) | 1988-10-28 |
| JPS60140880A (ja) | 1985-07-25 |
| JPH0441514B2 (de) | 1992-07-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE3447635C2 (de) | Verfahren zur Herstellung von Solarzellen mit Anti-Reflexions-Beschichtung | |
| DE3205421C2 (de) | Zusammensetzungen und Verfahren zur Herstellung transparenter elektrisch leitender Filme | |
| DE69305794T2 (de) | Transparenter, leitfähiger Film und Target und Material zur Gasphasenabscheidung für seine Herstellung | |
| DE69701408T2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Alkalimetall-Diffusionsbarriere-Schicht | |
| DE69010800T2 (de) | Herstellung von Polymere Metalloxyd-Werkstoffe. | |
| DE3490007C2 (de) | ||
| DE69909987T2 (de) | Sputtertarget, transparenter leitender film und verfahren zu dessen herstellung | |
| DE19754664A1 (de) | Transparente leitfähige Zusammensetzung, daraus gebildete transparente leitfähige Schicht und deren Herstellungsverfahren | |
| DE69328016T2 (de) | Niederohmiges, leitfähiges Pigment und sein Herstellungsverfahren | |
| DE1421903B2 (de) | Verfahren zur herstellung einer photoempfindlichen halb leiterschicht auf einem waermebestaendigen nicht leitenden traeger | |
| DE2013576C3 (de) | Verfahren zum Aufbringen von dotierten und undotierten Kieselsäurefilmen auf Halbleiteroberflächen | |
| DE112007001507T5 (de) | Zusammensetzung für die Herstellung einer Elektrode einer Solarzelle, Verfahren zur Herstellung der Elektrode und Solarzelle, welche die durch dieses Verfahren erhältliche Elektrode umfasst | |
| DE112007002342T5 (de) | Zusammensetzung zur Elektrodenbildung und Verfahren zur Bildung der Elektrode unter Verwendung der Zusammensetzung | |
| DE3612085A1 (de) | Solarzelle | |
| DE1909910A1 (de) | Verfahren zum UEberziehen von Substraten mit leitenden Metalloxidfilmen durch kathodische Zerstaeubung | |
| DE4125381C2 (de) | ||
| DE112010003037T5 (de) | Glas mit geringem Emissionsvermögen und Verfahren zur Herstellung desselben | |
| EP0142114A2 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Solarzelle | |
| DE69229762T2 (de) | Verfahren zur Herstellung dünner Metallfilme | |
| DE102011056639A1 (de) | Verfahren zum Herstellen einer transparenten leitenden Oxidschicht und einer photovoltaischen Vorrichtung | |
| DE2513844C2 (de) | Pulvermasse aus leitenden pyrochlorverwandten Oxiden und deren Verwendung | |
| DE69719624T2 (de) | Leitende Antireflektionsschicht und Verfahren zu ihrer Herstellung sowie mit einer solchen Schicht versehene Kathodenstrahlröhre | |
| DE102006005019A1 (de) | Hochleitfähige, transparente und mechanisch stabile Metalloxid-Schichten und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
| DE2722871A1 (de) | Fluessigkristallzelle mit einer isolationsschicht auf siliciumoxidbasis | |
| DE69506356T2 (de) | Alkalimetall-Diffusionsbarriere-Schicht |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
| D2 | Grant after examination | ||
| 8364 | No opposition during term of opposition | ||
| 8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: NEW ENERGY AND INDUSTRIAL TECHNOLOGY DEVELOPMENT O |
|
| 8328 | Change in the person/name/address of the agent |
Free format text: PAGENBERG, J., DR.JUR. FROHWITTER, B., DIPL.-ING., RECHTSANWAELTE GEISSLER, B., DIPL.-PHYS.DR.JUR.,PAT.- U. RECHTSANW. KOWAL-WOLK, T., DR.-JUR. WOLHAENDLER, J. PLUTA, J., DR., RECHTSANWAELTE BARDEHLE, H., DIPL.-ING. DOST, W., DIPL.-CHEM. DR.RER.NAT. ALTENBURG, U., DIPL.-PHYS. HOFFMANN, W., DIPL.-PHYS. ROST, J., DIPL.-ING., PAT.-ANWAELTE, 8000 MUENCHEN |