FR2557731A1 - Procede de fabrication de cellules solaires et cellules solaires ainsi obtenues - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 39
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 29
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 25
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 17
- -1 B A COMPOUND Chemical class 0.000 claims abstract description 11
- 239000013110 organic ligand Substances 0.000 claims abstract description 11
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 10
- 239000007859 condensation product Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims abstract description 9
- 230000003301 hydrolyzing effect Effects 0.000 claims abstract description 8
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 24
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 150000003606 tin compounds Chemical class 0.000 claims description 16
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 12
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 125000006702 (C1-C18) alkyl group Chemical group 0.000 claims description 9
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 claims description 7
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 6
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000003446 ligand Substances 0.000 claims description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- ONIKNECPXCLUHT-UHFFFAOYSA-N 2-chlorobenzoyl chloride Chemical compound ClC(=O)C1=CC=CC=C1Cl ONIKNECPXCLUHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000000047 product Substances 0.000 claims description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 claims description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical group [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims 3
- YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N acetylacetone Chemical compound CC(=O)CC(C)=O YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 102100031680 Beta-catenin-interacting protein 1 Human genes 0.000 claims 1
- 101000993469 Homo sapiens Beta-catenin-interacting protein 1 Proteins 0.000 claims 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 125000003158 alcohol group Chemical group 0.000 claims 1
- 150000001346 alkyl aryl ethers Chemical class 0.000 claims 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 claims 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 claims 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 claims 1
- 230000002101 lytic effect Effects 0.000 claims 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 14
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 10
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 5
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 3
- UUFQTNFCRMXOAE-UHFFFAOYSA-N 1-methylmethylene Chemical compound C[CH] UUFQTNFCRMXOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 2
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 208000001840 Dandruff Diseases 0.000 description 1
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- 239000000020 Nitrocellulose Substances 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001220 nitrocellulos Polymers 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000002562 thickening agent Substances 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
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- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
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- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L31/0224—Electrodes
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Abstract
CE PROCEDE CONSISTE A APPLIQUER UNE COMPOSITION POUR LA FORMATION D'UN REVETEMENT ANTIREFLECHISSANT SUR UNE FACE D'UNE PLAQUE A BASE DE SILICIUM CONTENANT UNE JONCTIONP-N, A APPLIQUER PAR IMPRESSION UNE PATE DE AG POUR LA FORMATION DE CONTACT SUR DES ZONES PREDETERMINEES DU REVETEMENT, ET A TRAITER PAR LA CHALEUR LA PLAQUE RESULTANTE A UNE TEMPERATURE DE 400 A 900C POUR TERMINER LE REVETEMENT ANTIREFLECHISSANT ET LE CONTACT SUR LA FACE RECEVANT LA LUMIERE, CE PROCEDE ETANT CARACTERISE PAR LE FAIT QUE LA COMPOSITION POUR LA FORMATION DE REVETEMENT ANTIREFLECHISSANT CONTIENT COMME CONSTITUANTS ESSENTIELS, A AU MOINS UN ELEMENT CHOISI PARMI LES COMPLEXES METALLIGAND ORGANIQUE REPRESENTES PAR LA FORMULE GENERALEM(OR)(L) OU M EST UN METAL CHOISI PARMI ZN, AL, GA, IN, TI, ZR, SN, V, NB, TA MO ET W; R EST UN GROUPE ALKYLE EN CC; L EST UN LIGAND ORGANIQUE QUI FORME UNE LIAISON NON HYDROLYSABLE AVEC L'ION METAL; A EST LA VALENCE DU METALM, ET N EST UN NOMBRE ENTIER SATISFAISANT A 1NA, ET DES PRODUITS DE CONDENSATION HYDROLYTIQUES DE CE COMPLEXE REPRESENTES PAR LA FORMULE GENERALE(OR)M(L) -O-M(OR)(L), B UN COMPOSE D'ETAIN ORGANIQUE, ET C UN SOLVANT. APPLICATION DE CE REVETEMENT COMME COUCHE ANTIREFLECHISSANTE POUR LES CELLULES SOLAIRES.
Description
PROCEDE DE FABRICATION DE CELLULES SOLAIRES ET CELLULES
SOLAIRES AINSI OBTENUES.
La présente invention concerne un procédé de fabri-
cation de cellules solaires et elle concerne particulièrement un procédé de formation d'un revêtement anti-réfléchissant
sur un substrat de silicium contenant une jonction p-n.
Le rendement de conversion descellules solaires est augmenté en revêtant la surface recevant la lumière du substrat
avec un revêtement anti-réfléchissant pour empêcher la réfle-
xion de la lumière incidente par la surface. Ce revêtement antiréfléchissant est une pellicule d'oxyde métallique ayant une épaisseur de X/4n (X: longueur d'ondes de la lumière incidente; n indice de réfraction de la pellicule d'oxyde métallique) formée sur la face avant du substrat. La pellicule d'oxyde métallique est formée par exemple par (a) dépôt
sous vide, (b) pulvérisation, (c) dépôt de vapeur de pro-
duit chimique ou (d) dépôt et cuisson de complexe métallique.
Parmi ces méthodes, les méthodes (a) (b) et (c) donnent une productivité inférieureparce qu'on utilise un système sous vide pour la formation de la pellicule et que toutes les méthodes(a) à(d) exigent après la formation d'un revêtement anti-réfléchissant sur toute la surface du coté du substrat recevant la lumière,
l'élimination locale de la pellicule par décapage,et la for-
mation d'un contact collecteur sur la zone mise à nue.
Pour éliminer ces inconvénients, on a proposé un
procédé qui consiste à revêtir un substrat de silicium con-
tenant une jonction p-n avec un complexe métallique, a impri-
mer une pâte d'argent conductrice sur des positions prédéter-
minées du revêtement et à traiter par la chaleur le substrat résultant pour compléter un revêtement anti-réfléchissant et un contact d'argent simultanémentréalisant ainsi le contact de l'argent avec le substrat de silicium (IEEE Photovoltaic
Specialists Conference, p.p 360-361 (1976)).
Toutefoison a découvert que les cellules solaires obtenues selon ce procédé avaient une résistance de contact élevée entre l'argent et le substrat de silicium etn'étaient
pas satisfaisantes en ce qui concerne le coefficient de rem-
plissage et le rendement de conversion.
La présente invention a pour objet de fournir un -5 procédé de fabrication de cellules solaires qui permet la formation simultanCe d'un revêtement anti-réfléchissant et
d'un contact collecteur par impressionet qui donne une fai-
ble résistance de contact entre l'argent et le substrat de silicium.
La figure unique ci-jointe est un schéma de fabri-
cation de cellules solaires selon le procédé de la présente invention. L'objet sus-mentionné de la présente invention est réalisé en revêtant un substrat de silicium contenant une
jonction p-n avec une composition contenant un complexe mé-
tallique renfermant un ligand alcoxy, un composé d'étain organique et un solvant comme constituantsessentiels, en séchant le revêtement si nécessaire, en imprimant une pate d'argent conductrice en des endroits prédéterminés, en séchant l'impression si nécessairejet en traitant par la chaleur le
substrat obtenu à une température de 400 à 900 C.
Le complexe d'alcoolatemétallique ayant un groupe alcoxy comme ligand est représenté par la formule générale M(OR1)n dans laquelle M est un ion métallique, et R1 est un
groupe alkyleen C1-C18 (OR1 est un groupe alcoxy en C1-C18).
Ce complexe est facilement hydrolysé par réaction avec l'hu-
midité de l'air comme le montre l'équation (1) ci-dessous,
ce qui durcit les pellicules de revêtement de ce complexe.
H20 2M(OR)n 2- (R10)nlM-O-M(OR)n_
-2R1OH
M(OR1)n-H20 -2R1OH - (R1o) n-lM-0-M(OR1)n_2-O-M(OR1)n-1 ---= - ' MO n/2 -- (1) Toutefois la réaction de l'équation (1) se déroule d'une façon trop poussée d'o il résulte un revêtement trop dur. Quand un tel revêtement excessivement durci et une pâte d'argent imprimé sur ce revêtement sont cuits simultanément, l'argent pénètre difficilement dans le revêtement résultant de l'hydrolyse de M(OR1)n. En conséquence il a été découvert que la cellule solaire résultante n'a pas un contact suffisant
de l'argent avec le substrat de silicium.
Pour contrôler l'hydrolyse de l'équation (1), une partie des groupes alcoxy du complexe métallique est remplacée par un ligand organique qui forme une liaison avec le métal
non hydrolysable.
Pour ce ligand sont appropriés des anions $-dicétones,
des anions carboxylateset des anions dicarboxylates représen-
tés respectivement par les formules générales (2) (3) et (4) ci-dessous. c9
R2COCHCOR3 (2)
G
R4COO (3)
e
OOCR5COO ----- (4)
Dans ces formules R2,R3,et R4 représentent des groupes alkyle en C1-C18 et RS représente un groupe alkylène
en C1-Co10.
Des anions B-dicétoniques appropriés représentés par la formule (2) comgrennent par exemple CH3COCHCOCH3,
CH3COCHCOC4H9 et CH3COCHCOOCH3. -Des anions carboxylatesappro-
priés représentés par la formule (3) comprennent par exemple CH3COO0, C3H7COO, C2H5COOCH=CHCOO, et CH3CH(OH)CH2COO 0. Des anions dicarboxylates appropriés représentés par la formule
(4) comprennent par exemple 0OOCCH=C(CH3)C0O.
Le composé résultant du complexe métallique de formule (1) par le remplacement partiel des groupes alcoxy
par le ligand ci-dessus, est représenté par la formule géné-
rale M(OR1)n(L)a-n - - -- (5) Dans laquelle M est un ion métallique tel qu'un ion Zn, Al, Ga, In, Ti, Zr, Sn, V, Nb, Ta, Mo, ou W; R1 est un groupe alkyle en C1-C18; L est un ligand organique qui forme une liaison non hydrolysable avec l'ion métallique et plus spécifiquement est représenté par les formules (2) (3) ou (4) ci-dessus; a est la valence de M; et n est un nombre
entier satisfaisant à l'inégalité l n<a.
Des exemples appropriés du complexe métallique de formule (5) sont Ti(OC3H7)2(CH3COCHCOCH3)2, Al(0C3H7)2(OCOC3 H7), Zr(0C4H9)3(0COC7H15), Ta(OC2Hs)3(C2HsCOCHCOOCH3)2.Parmi
ces composés Ti(OC3H7)2(CH3COCHCOCH3)2 est préféré.
Les produits de condensation hydrolytiquesdu com-
posé représenté par la formule (5) peuvent être également utilisés. Ces produits de condensation sont représentés par la formule générale (OR1)n1M(L)a-t-O-M(OR1)n-1 (L)a-n (6) dans laquelle M, R1, L, a et n ont les mêmes significations
que dans la formule (5). Un exemple type des composés repré-
sentés par la formule (6) est le composé ayant la structure suivante 0C3H7
O
C3H7 O - O--oTic 3H7
C C
H3C H CH3 10
Toutefois la résistance de contact atteint environ O,3Slcm2 comme résultat de la fabrication des cellules solaires par formation de revêtements à partir des composés représentés
par les formules (5) ou (6), et par impression sur ce revête-
ment d'un dessin de contact avec une pâte d'argent conductrice
suivie d'un traitement thermique de l'ensemble.
Cependant on a découvert que cette résistance de
contact peut être diminuée en utilisant au moins un élé-
ment choisi parmi les composés représentés par les formules (S) ou (6) et au moins un élément choisi parmi les composés d'étain organiques représentés par les formules générales
(7) à (13) ci-après.
(R6) Sn(O) (L) (7) (R6) 2SnX(L) (8) (R)SrnX(L) 2 ---- (9) (R6) 3SnL (10)
1 2 R6) 3SX(
is (R 6)3 SnX à-------- (11) (R6)2Sn(L)2 ------ (12) (R6)3SnSn(R6)3 --(13) Dans les formules (7) à (13), R6 est un groupe alkyle en C1-C18; L est un anion 8-dicétonique représenté par la formule (2), un anion carboxylate représenté par la formule (3),ou un demi anion dicarboxylate représenté par la formule (4), et X est un ion hydroxyle% halogénure ou nitrate. Les exemples types de composés d'étain organiques
sont les suivants: C4H9SnO(CH3COCHCOCH3), (C4H9) 2Sn(OH)-
(OCOC7H15), (C4H9) 2SnC1(CH3COCHCOCOOC3H7), (C4H9)2Sn(NO3) (OCOC7H15), (CH3)2Sn(OH) (NO3), C4H9Sn (NO3) (CH3COCHCOC7H15)2,' (CH3) 3Sn(CH3COCHCOCH3)' (CH3)2Sn(OCOCH=CHCOO), (C4H 9)2Sn(OCOCH=CHCOOC2H5)2' et (CH3) 3SnSn(CH3) 3' En particulier les composés de formule (7) à (9) sont préférés parce qu'ils donnent des pellicules plus
fines et plus tenaces.
Des procédés de synthèse de ces composés d'étain organiques sont brièvement illustrés ci-dessous en montrant
les équations des réactions applicables.
Composés de formule (7) R6Sn(O)(L): C4H9Sn(O)(OH) + CH3COCH2COCH2 -_C4H9Sn(O)(CH3COCHCOCH3) + H20 CH3Sn(O)(OH) + C7H15COOH CH3Sn(O) (OCOC7H15) + H20 Composés- de formule (8), (R6)2SnX(L): (C4H9)2Sn(O) + CH3COCH2COOC3H7 -*- (C4H9)2Sn(OH)(CH3COCHCOOC3H7) (CH3)2Sn(O) + C3H7COOH (CH3) 2Sn(OH)(OCOC3H7) Composés de formule (9), (R6)SnX(L)2: C4H9Sn(O)(OH) + 2CH3COCH2COCH3 C4H9Sn (OH) (CH3COCHCOCH3)2 + H20 CH3Sn(O)(OH) + 2C7H15COOH CH3Sn(OH)(OCOC7H15)2 + H20 Il est également possible que, au lieu d'utiliser un seul composé d'étain organique représenté par la formule
(R6)Sn(O)(L), (R6)2SnX(L) ou (R6)SnX(L)2, le mélange résul-
tant de la réaction d'un composé de formule (R6)Sn(OH) ou (R6)2Sn(O0) avec une e-dicétone ou avec un acide carboxylique dans un solvant est mélangé tel quel avec le complexe d'alcoolatemétallique de formule (5), M(OR1)n(L)an' ou avec le produit de condensation hydrolytique de celui-ci,
et la solution résultante est utilisée pour former le revê-
tement anti-réfléchissant.
Donc, la composition utilisée dans la présente invention pour former le revêtement anti-réfléchissant contient au moins un élément choisi parmi les composés de formules(S) et (6), au moins un élément choisi parmi les composés d'étain organiques de formules(7) - (13), et un
solvant comme constituants essentiels.
Les rapports de mélangeages appropriés d'au moins un élément choisi parmi les composés de formules (S) et (6) à au moins un élément choisi parmi les composés d'étain organiquesde formules (7) - (13) varient de 1:0,05 à 1:3,0 en mole. Si la proportion du composé d'étain organique est inférieure à 0,05, l'effet de la diminution de la résistance de contact sera faible,et si la proportion est supérieure à 3,0,la dureté de la pellicule résultante sera insuffisante pour que la pâte d'argent conductrice puisse s'imprimer
sans abîmer la pellicule.
Des rapports de mélangeages appropriés de la somme d'au moins un élément choisi parmi les composés de formules (5) et (6) et d'au moins un élément choisi parmi les composés de formules (7) - (13) au solvant varient de :95 à 50:50 en poids. Si la proportion du solvant est supérieure à 95 % en poids, le revêtement résultant sera
trop mince, et s'il y en a moins de 50 % en poids la composi-
tion sera trop visqueuse et difficile à appliquer. Des proportions de solvant comprises entre 60 et 80 % en poids donnent les compositions ayant la meilleure aptitude à la
mise en oeuvre.
On peut utiliser dans la présente invention tout solvant qui dissout le composé de formule M(OR1)n(L)an ou son produit de condensation hydrolytique et le compose d'étain organique. Mais les solvants préférés sont les alcools tels que l'éthanol et l'isopropanol et les éthers
monoalkyliques de l'éthylèneglycol qui facilitent la forma-
tion de revêtements uniformes. On peut utiliser des combi-
naisons d'au moins deux de ces solvants.
L'application de la composition pour former le revêtement antiréfléchissant sur le substrat est effectuée par enduction par rotation, enduction au rouleau, trempage, impression à l'écran ou quelques autres procédés. Dans le cas de l'impression à l'écran, un épaississant tel que la nitrocellulose, le poly(méthacrylate de méthyle) ou produit
analogue peut être ajouté à la composition pour la forma-
tion d'un revêtement anti-réfléchissant,afin de régler la
viscosité à un niveau approprié pour l'impression à l'écran.
La pâte d'argent pour la formation du contact doit contenir une poudre d'argent comme constituant principal et
une poudre de Ti, Mg ou Ni et une fritte de verre au boro-
silicate de plomb comme constituants auxiliaires.
Le traitement thermique des revêtements est
effectué de préférence à une température de 4000 à 900C.
Des températures inférieures à 4000C pour le traitement entraîneront une décomposition insuffisante des constituants organiques dans la pellicule de revêtement et dans la pâte d'argent, tandis que des températures supérieures à 900 C entraîneront une diffusion excessive de Ag dans Si et ceci
tend à provoquer des fuites.
La présente invention est illustrée par les
exemples descriptifs et non limitatifs ci-après.
Exemple 1
Une couche n+ (résistivité environ 1,5 x 10- 3 Scm) est formée avec une profondeur de 0,3 - 0,5 pm par la méthode d'implantation d'ions sur une face d'un substrat de silicium de type p (une plaquette circulaire ayant undiamètre + de 76,2 mm et une résistivité de 1 - 5 Scm) et une couche p est formée avec une profondeur de 1 - 2 pm par la méthode de diffusion de A1 dans la face opposée du substrat. Ce substrat de silicium est utilisé comme substrat de silicium
formant une jonction pour cellules solaires.
Les compositions montrées sur le tableau I sont préparées comme matières d'enduction pour des revêtements anti-réfléchissants. Ces compositions sont appliquées individuellement + sur la face à couche n des substrats de silicium par enductionr par rotation. La vitesse de rotation et la durée
sont respectivement environ 3 000 tr/min et 60 secondes.
Ensuite, chaque revêtement est séché à environ 100 C pendant
minutes.
On prépare une pâte d'argent pour la formation de
contact de la façon suivante: une solution visqueuse conte-
nant 10 parties en poids d'éthylcellulose dans 90 parties en poids de aterpinéol est ajoutée à un mélange comprenant g d'argent en poudre ayant une taille de particules ne dépassant pas 1 pm, 1 g de Ti en poudre traité en surface pour le stabiliser, et 0,5 g d'une fritte de verre du type PbO-B203-SiO2,en agitant énergiquement et en donnant à la pâte envisagée une viscosité d'environ 20 Pa.s (vitesse de
cisaillement 100/s).
Cette pâte est appliquée par impression à l'écran + sur la couche antiréfléchissante recouvrant la couche n de chaque substrat de silicium pour former un dessin en + forme de peigne et sur la couche p de chaque substrat pour couvrir toute la surface. La pâte appliquée est séchée à C pendant 10 minutes. Ensuite, les substrats résultants sont cuits à 600 C pendant 10 minutes sous une atmosphère
d'azote contenant 50 ppm d'oxygène.
On examine les cellules solaires ainsi préparées pour leur propriété intensité-tension (I-V), leur densité de courant de court-circuit, leur tension à vide, leur
coefficient de remplissage et leur rendement de conversion.
La résistance de contact entre la couche de Ag et la couche n est également mesurée. N'importe laquelle des cellules a donné une densité de courant de court-circuit d'environ 28 mA/cm2 et une tension à vide d'environ 0,59 V. Comme on peut le voir d'après le tableau I, les
compositions des échantillons n 1 - 17 donnent des carac-
téristiques de résistance de contact aussi bonnes que
0,03 - 0,04 Scm2, des coefficients de remplissage de 0,78 -
0,81 et des rendements de conversion de 13,3 - 13,6 %, qui sont bien meilleurs comparés à ceux obtenus en utilisant les compositions connues des échantillons n 18 - 21. Les échantillons n 6 - 16, c'est-à-dire les cellules solaires préparées en utilisant des composés d'étain organiques de formule (R6)Sn(O)(L) ou (R6)2Sn(X)(L),sont en particulier supérieurs en ce qui concerne la finesse de la texture du
revêtement anti-réfléchissant formé.
Tableau 1
Echantill Comolexe métallique contenant des groupes alcoxy (A) No (parties en poids) 76 Ti(OC3H7)2 (CH3COCHCOCH3)2 (40) il
13 A1(OC3H7)2(OCOC3H7) (30)
14 Zr(OC4H9)3(OCOC7H15) (50) Ta (OC2H5)3 (C2H5COCHCOOCH3)2 (50) 0C3H7
16C3 71 7 3 7 (0
3 O TO1,7) ( O3 OH7OH) (50)
16 I
C C
/ -XCHnk_
CH3 CH3 10
17 Ti (OC3H7) 2 (CH3COCHCOCH3) 2 (20)
A1(OC3H7)2(OCOC3H.7) (15)
18 Ti(OC3H7)2(CH3COCHCOCH3)2 (40)
19 A1(0C3H7)2(OCOC3H7) (30)
Zr(0C4H9)3(OCOC7H15) (50) 21 Ta (0C2H5) 3 (C2H5COCHCOOCH3)2 (50) Note:L'éther monoéthylique de l'éthylèneglycol (100 parties
en poids) est utilisé comme solvant.
à suivre Tableau 1 (suite) Rapport Composé d'-étain organique (B) molaire (parties en poids) (B) (C4H9)3SnCl (18) 0 50 (C4H9)3Sn(OCOC3H7) (21) 0,51 (CH3)2Sn(OCOCH=CHCOOC2HS)2 (24) 0,50 (CH3)2SnC12 (12) 0o,55 (CH3) 3Sn(CH3COCHCOCH3) (14) 0,48 (CH3)2Sn(OH)(NO3) (13) 0,52 CH3Sn(O) (CH3COCHCOCH3) (14) 0>51 C3H7Sn(O).(OCOC7H15) (18) 0,51 (CH3)2Sn(OH) (CH3COCHCOCH3) (15) 0,52 (C4H9) 2Sn (OH) (C3H7COCHCOOCH3) (21) 0,49 (C4H9) 2Sn(OH)(OCOC7H15) (22) 0,51 0,50
0,27 _
0,50 - 063 C4H9Sn(O)(CH3COCHCOCH3) (16)
(CH3) 2Sn(OH) (NO3) (10). -
C3H7Sn (O) (0COC7H15) (5) 0)38 aucun_ à suivre 1 3 Tableau 1 (suite) Valeur caractéristique Résistance Coefficient de Rendement de de contact remplissage conversion (<cm2) (%)
0,03 0,80 13,5
0,04 0,79 13,3
0,03 0,81 13,6
0,03 0,81 1376
0,03 0,80 1375
0,04 0,80 13,5
0,03 0,81 13,6
0703 0,81 13,6
0,03 0,80 1315
0;04 0,78 13,3
0,03 0,81 13 6
0;03 0,81 13,6
0,03 0,81 13,6
0,03 0,80 13,5
0,03 0.8 13,6
0;03 0,81 13,6
0,03 0,80 13,5
_0,03 I 0,81 1
0y03 0y81 13,6 0s03 0;80 1375
0,31 0,49 8,6
0,30 0,47 8,3
0,38 0,53 8,9
0,35 0,51 8,7
Exemple 2
On prépare les compositions indiquées dans le tableau 2 à partir de Ti(OC3H7)2(CH3COCHCOCH3)2, C4H9Sn(O)
(CH3COCHCOCH3), et de l'éther monoéthylique de l'éthylène-
glycol. En utilisant ces compositions, on fabrique des
cellules solaires de la même façon que dans l'exemple 1.
Les valeurs caractéristiques de ces cellules sont indiquées
dans le tableau 2.
Tableau 2
Quantité de Quantité de Altération Valeurs caractéristiques EchanTi(0C3H7)2- C4H9Sn(0)- du Résistance Coeffi- Rendement de Rapport tillon (CH3COCHCOCH3)2 (A) (CH3COCHCOCH3)(B) revêtement de contact cient de conversion molaire No dans le mélange dans le mélange anti- (Qcm2) remplis- (B/A) (parties en poids) (parties en poids)réfléchissat sage 22 (40) (0,3) Rien 0,20 0,55 9,8 0,01
23 (40) (1,0) " 0,11 0,60 10,8 0,03
24 (40) (1,6) " 0,03 0,81 13,6 0,05
(40) (6,4) 0,03 0,80 13,5 0,2
26 (40) (32) 0,03 0,81 13,6 1
27 (40) (96) 0,03 0,80 13,5 3
28 (40) (128) 0,03 0,80 13,5 4
"i Note:L'éther monoéthylique de l'éthylèneglycol (100 parties en poids) est utilisé
comme solvant.
D'après le tableau 2 on peut voir que la résistance de contact devient saturée quand le rapport molaire de C4H9Sn(O)(CH3COCHCOCH3) à Ti(OC3H7) 2(CH3COCHCOCH3)2 est
inférieur à 0,05. Au contraire, quand ce rapport est supé-
rieur à 3,0, on observe au microscope la marque de la plaque
d'impression à l'écran sur le revêtement anti-réfléchissant.
Exemple 3
On prépare une composition à partir de Ti(OC3H7)2(CH3COCHCOCH3)2 (40 parties en poids), C4H9Sn(O)(CH3COCHCOCH3)2 (32 parties en poids), et d'éther monoéthylique d'éthylèneglycol (30 parties en poids), et on l'applique sur un substrat de silicium. Mais on ne peut pas obtenir de revêtement uniforme même avec une vitesse de
rotation de 8 000 tr/min, car la composition est trop vis-
queuse.
Exemple 4
On prépare une composition à partir de Ti(OC3H7)2(CH3COCHCOCH3)2 (40 parties en poids), C4H9Sn(O)(CH3COCHCOCH3) (32 parties en poids), et d'éther monoéthylique de l'éthylèneglycol (1 300 parties en poids), et on l'applique sur le substrat de silicium. Mais on ne peut obtenir aucun revêtement anti-réfléchissant ayant l'épaisseur nécessaire d'au moins 70 nm, même avec une
vitesse de rotation aussi basse que 500 tr/min.
Claims (26)
1. Procédé de fabrication des cellules solaires qui
consiste à appliquer une composition pour former un revête-
ment anti-réfléchissant sur une face d'un substrat de sili-
cium qui contient une jonction p-n, à appliquer par impres-
sion une pâte d'argent pour la formation d'un contact sur des zones prédéterminées du revêtement, et à traiter par la chaleur la plaque résultante à une température de 400 à 900 C pour compléter le revêtement anti-réfléchissant et le contact sur la face recevant la lumière, la composition pour la formation du revêtement anti-réfléchissant contenant comme constituants essentiels, (a) au moins un élément choisi parmi le groupe que constituent des composés de
complexes métalliques contenant un ligand organique repré-
senté par la formule générale M(OR1)n(L)a-n (5) dans laquelle M est un métal choisi parmi Zn, Al, Ga, In, Ti, Zr, Sn, V, Nb, Ta, Mo et W; OR1 est un groupe alcoxy;
R1 est un groupe alkyle en C1-C18; L est un ligand orga-
nique qui forme une liaison non hydrolysable avec l'ion métallique; a est la valence du métal M; et n est un nombre entier satisfaisant à l'inégalité 1 < n < a, et des produits de condensation hydrolytique des composés de formule (5), lesdits produits étant représentés par la formule générale: (OR1)n_lM(L)anO-M(OR1)n-1 (L)an (6) dans laquelle M, OR1, L, a et n sont définis ci-dessus,
(b) un composé d'étain organique et (c) un solvant.
2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé par le fait que le ligand L organique est un anion $-dicétonique représenté par la formule générale:
R2COCHCOR3 (2)
dans laquelle R2 et R3 sont des groupes alkyle en C1-C18.
3. Procédé selon la revendication 1, caractérisé par le fait que le ligand organique L est un anion carboxylate représenté par la formule générale: R4COO (3)
dans laquelle R4 est un groupe alkyle en C1-C18.
4. Procédé selon la revendication 1, caractérisé par le fait que le ligand organique L est un anion dicarboxylate représenté par la formule générale:
000CR COO0 (4)
dans laquelle R5 est un groupe alkyle en C1-C18.
5. Procédé selon la revendication 2, caractérisé par le fait que l'anion B-dicétonique est: e
CH3COCHCOCH3.
6. Procédé selon la revendication 3, caractérisé par le fait que l'anion dicarboxylate est:
OOCH=C(CH3)COO.
7. Procédé selon la revendication 3, caractérisé par le fait que l'anion carboxylate est:
CH3Coo00, C3H7Coo, ou C3H7COO.
8. Procédé selon la revendication 1, caractérisé par le fait que le composé complexe métallique de formule (5)est Ti(OC3H7)2(CH3COCHCOCH3)2, Al(0C3H7)2(OCOC3H7), Zr(OC4H9)3 (OCOC9H15), ou Ta(0C2H5)3(C2H5sCOCHCOOCH3) 2.
9. Procédé selon la revendication 1, caractérisé par le fait que le produit de condensation hydrolytique a la structure OC3H7
C H7 0-.-T, C
C C
H 3C H CH3 10
10. Procédé selon la revendication 1, caractérisé par le fait que le composé d'étain organique est au moins un élément choisi parmi les composés représentés par les formules générales (R6)Sn (0) (L) (7) (R6) 2SnX(L) (8) (R6)SnX(L)2 (9) (R6) 3Sn(L) (10) (R6) 3SnX (11) (R6)2Sn(L)2 (12) ou (R6) 3SnSn(R6) (13) dans lesquelles R6 est un groupe alkyle en C1C18, L est un ligand organique représenté par les formules (2), (3), ou (4), et X est un ion hydroxyle, un ion halogénure ou un
ion nitrate.
11. Procédé selon la revendication 10, caractérisé par le fait que le composé d'étain organique est au moins un élément choisi parmi C4H9SnO(CH3COCHCOCH3), CH3Sn(O)(OCOC7H15), (C4H9)2Sn(OH)(CH3COCHCOOC3H7), (C4H9)2 Sn(OH)(OCOC7H15) C4H9Sn(OH)(CH3COCHCOCH3)2,' CH3Sn(OH)(OCOC7H15)2, ' (C4H9) 2SnCl(CH3COCHCOCOOC3H7), (C4H9) 2Sn(NO3) (OCOC7H 15), (CH3) 2Sn(OH)(NO3), C4H9Sn(NO3) (CH3COCHCOC7H15)2, (CH3) 3Sn(CH3COCHCOCH3), (CH3) 2Sn(OCOCH=CHCOO),
(C4H9) 2Sn(OCOCHCHCOOC2H5) 2' et (CH3) 3SnSn(CH3)3-
12. Procédé selon la revendication 11, caractérisé par
le fait que C4H9Sn(O)(CH3COCHCOCH3) a été préparé en fai-
sant réagir C4H9Sn(O)(OH) avec CH3COCH2COCH3.
13. Procédé selon la revendication 11, caractérisé par le fait que CH3Sn(O)(OCOC4H15) a été préparé en faisant
réagir CH3Sn(O) (OH) avec C7H15COOH.
14. Procédé selon la revendication 11, caractérisé par le fait que (C4H9) 2Sn(OH)(CH3COCHCOOC3H17) a été préparé
en faisant réagir (C4H9)2Sn(O) avec CH3COCH2COOC3H17.
15. Procédé selon la revendication 11, caractérisé par le fait que (CH3) 2Sn(OH)(OCOC3H7) a été préparé en faisant
réagir (CH3)2Sn(O) avec C3H7COOH.
16. Procédé selon la revendication 11, caractérisé par le fait que C4H9Sn(OH)(CHI3COCHCOCH3)2 a été préparé en
faisant réagir C4H9Sn(O)(OH) avec CH3COCH2COCH3.
17. Procédé selon la revendication 11, caractérisé par le fait que CH3Sn(OH)(OCOC7H15) a été préparé en faisant
réagir CH3Sn(O)(OH) avec C7H15COOH.
18. Procédé selon la revendication 9, caractérisé par le fait qu'un composé représenté par la formule (R6)Sn(O)(OH) ou (R6)2Sn(O) est utilisé à la place du composé représenté
par la formule (R6)Sn(O)(L), (R6)2SnX(L), ou (R6)SnX(L)2.
19. Procédé selon la revendication 1, caractérisé par le fait que le rapport de mélangeage d'au moins un élément choisi parmi les composés complexes métalliques contenant
un ligand organique et les produits de condensation hydro-
lytique de ces composés au composé d'étain organique est
dans la gamme de 1:0,05 à 1:3,0 en poids.
20. Procédé selon la revendication 1, caractérisé par le fait que le rapport de mélangeage de la somme de (a) d'au moins un élément choisi parmi les composés complexes métalliquescontenant un ligand organique et les produits de condensation hydrolytique de ce composé et (b) le composé d'étain organiqueo (cèle solvant est dans la gamme de 5:95
à 50:50 en poids.
21. Procédé selon la revendication 20, caractérisé par le fait que les proportions de mélangeage préférées du
solvant sont de 60 à 80 % en poids.
22. Procédé selon la revendication 1, caractérisé par
le fait que le solvant dissout le composé complexe métalli-
que contenant le ligand organique, le produit de condensa-
tion hydrolytique et le composé d'étain organique.
23. Procédé selon la revendication 22, caractérisé par le fait que le solvant est un alcool tel que l'éthanol et l'isopropanol, un éther monoalkylique de l'éthylèneglycol
ou un mélange de ces composés.
24. Procédé selon la revendication 1, caractérisé par le fait que l'application de la composition est effectuée par un moyen quelconque d'enduction, tel que l'enduction
par rotation, l'enduction au rouleau, le trempage, la pulvé-
risation et l'impression à l'écran.
25. Procédé selon la revendication 1, caractérisé par le fait que la pâte de Ag contient de l'argent en poudre comme constituant principal et du titane, du magnésium ou du nickel en poudre et une fritte de verre de borosilicate
comme constituants auxiliaires.
26. Cellules solaires fabriquées par le procédé selon
la revendication 1.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58246949A JPS60140880A (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | 太陽電池の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FR2557731A1 true FR2557731A1 (fr) | 1985-07-05 |
| FR2557731B1 FR2557731B1 (fr) | 1988-10-28 |
Family
ID=17156132
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FR8419930A Expired FR2557731B1 (fr) | 1983-12-28 | 1984-12-27 | Procede de fabrication de cellules solaires et cellules solaires ainsi obtenues |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4643913A (fr) |
| JP (1) | JPS60140880A (fr) |
| DE (1) | DE3447635A1 (fr) |
| FR (1) | FR2557731B1 (fr) |
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-
1984
- 1984-12-27 FR FR8419930A patent/FR2557731B1/fr not_active Expired
- 1984-12-28 DE DE19843447635 patent/DE3447635A1/de active Granted
- 1984-12-28 US US06/687,162 patent/US4643913A/en not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2557731B1 (fr) | 1988-10-28 |
| JPS60140880A (ja) | 1985-07-25 |
| DE3447635A1 (de) | 1985-07-18 |
| US4643913A (en) | 1987-02-17 |
| JPH0441514B2 (fr) | 1992-07-08 |
| DE3447635C2 (fr) | 1987-01-15 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| TP | Transmission of property |